JPH10270418A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH10270418A JPH10270418A JP6949397A JP6949397A JPH10270418A JP H10270418 A JPH10270418 A JP H10270418A JP 6949397 A JP6949397 A JP 6949397A JP 6949397 A JP6949397 A JP 6949397A JP H10270418 A JPH10270418 A JP H10270418A
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- JP
- Japan
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- gas head
- reaction chamber
- gas
- semiconductor manufacturing
- ejection
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置内の異物を効率よく除去し、ウェハの歩
留りと稼動率の向上が図られる半導体製造装置を提供す
る。 【解決手段】 ドライエッチング装置１は、反応室３内
に所定のガスを吹き出すためのガスヘッド６、反応室内
にプラズマを形成するための高周波電源８を備えてい
る。ガスヘッド６は、一方の開孔端において最大開孔径
を有する噴出孔６ａを複数備えている。
留りと稼動率の向上が図られる半導体製造装置を提供す
る。 【解決手段】 ドライエッチング装置１は、反応室３内
に所定のガスを吹き出すためのガスヘッド６、反応室内
にプラズマを形成するための高周波電源８を備えてい
る。ガスヘッド６は、一方の開孔端において最大開孔径
を有する噴出孔６ａを複数備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、基板に所定のガスを噴き付けるためのガス
ヘッドを備えた半導体製造装置に関するものである。
関し、特に、基板に所定のガスを噴き付けるためのガス
ヘッドを備えた半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置の一例として、ド
ライエッチング装置について図を用いて説明する。図８
は、従来のドライエッチング装置の断面模式図である。
図８を参照して、ドライエッチング装置１は、反応室３
内にガスヘッド５、ステージ９を有している。ガスヘッ
ド５はガス導入口２から導入された所定のガスを噴き出
す。
ライエッチング装置について図を用いて説明する。図８
は、従来のドライエッチング装置の断面模式図である。
図８を参照して、ドライエッチング装置１は、反応室３
内にガスヘッド５、ステージ９を有している。ガスヘッ
ド５はガス導入口２から導入された所定のガスを噴き出
す。
【０００３】ガスヘッド５には、図９に示すように、ほ
ぼ一定の開孔径を有する噴出孔５ａが複数設けられてい
る。ステージ９上にウェハ１１が載置される。この場
合、ガスヘッド５は、高周波電源８により反応室３内に
プラズマを形成するための一方の電極を兼ねている。ま
た、ステージ９は、他方の電極を兼ね、接地されてい
る。また、ガスヘッド５およびステージ９は絶縁リング
７によりそれぞれ電気的に絶縁されている。排気孔１３
より反応室３内の排気が行なわれる。
ぼ一定の開孔径を有する噴出孔５ａが複数設けられてい
る。ステージ９上にウェハ１１が載置される。この場
合、ガスヘッド５は、高周波電源８により反応室３内に
プラズマを形成するための一方の電極を兼ねている。ま
た、ステージ９は、他方の電極を兼ね、接地されてい
る。また、ガスヘッド５およびステージ９は絶縁リング
７によりそれぞれ電気的に絶縁されている。排気孔１３
より反応室３内の排気が行なわれる。
【０００４】次に、上述したドライエッチング装置を用
いたエッチングの一例について図を用いて説明する。図
１０は、シリコン酸化膜１６上に形成されたポリシリコ
ン膜１５を所定の配線パターンに加工するために、フォ
トレジストパターン１４を形成した段階における工程の
断面図である。図９および図１０を参照して、このウェ
ハをステージ９上に載置する。
いたエッチングの一例について図を用いて説明する。図
１０は、シリコン酸化膜１６上に形成されたポリシリコ
ン膜１５を所定の配線パターンに加工するために、フォ
トレジストパターン１４を形成した段階における工程の
断面図である。図９および図１０を参照して、このウェ
ハをステージ９上に載置する。
【０００５】次に、真空ポンプ（図示せず）を用い反応
室３内を真空引きする。反応ガスとして、ガス導入口２
より流量ＨＢｒ／Ｃｌ2 ＝４０／１２０ｓｃｃｍのＨＢ
ｒとＣｌ2 とを導入するとともに、反応室内の圧力を約
４５０ｍＴｏｒｒに保持する。高周波電源８をオンし、
ＲＦパワーを４００Ｗとする。これにより、反応室内に
プラズマが形成される。プラズマにより、ラジカルが形
成される。
室３内を真空引きする。反応ガスとして、ガス導入口２
より流量ＨＢｒ／Ｃｌ2 ＝４０／１２０ｓｃｃｍのＨＢ
ｒとＣｌ2 とを導入するとともに、反応室内の圧力を約
４５０ｍＴｏｒｒに保持する。高周波電源８をオンし、
ＲＦパワーを４００Ｗとする。これにより、反応室内に
プラズマが形成される。プラズマにより、ラジカルが形
成される。
【０００６】高周波電源８の入力側の電極を兼ねたガス
ヘッド５側から、対向電極であるステージ上のウェハ１
１に向かってラジカルが加速されてウェハ表面に衝突す
る。このとき、フォトレジストパターン１４に被覆され
ないポリシリコン膜１５が異方性エッチングされ、図１
１に示すポリシリコン膜１５のパターンが形成される。
以上のようにして、所定のポリシリコン膜のパターニン
グが行なわれる。
ヘッド５側から、対向電極であるステージ上のウェハ１
１に向かってラジカルが加速されてウェハ表面に衝突す
る。このとき、フォトレジストパターン１４に被覆され
ないポリシリコン膜１５が異方性エッチングされ、図１
１に示すポリシリコン膜１５のパターンが形成される。
以上のようにして、所定のポリシリコン膜のパターニン
グが行なわれる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】エッチングにおいて
は、ラジカルと被エッチング膜とが反応して反応生成物
が形成される。このとき、一部の反応生成物は反応室３
の内壁やガスヘッド５の表面に異物として付着すること
がある。処理されるウェハの枚数が増えるに従い、付着
する異物の量が増加する。
は、ラジカルと被エッチング膜とが反応して反応生成物
が形成される。このとき、一部の反応生成物は反応室３
の内壁やガスヘッド５の表面に異物として付着すること
がある。処理されるウェハの枚数が増えるに従い、付着
する異物の量が増加する。
【０００８】このような状態でエッチングを続けると、
所望のエッチング形状が得られないなどのエッチング特
性が悪化する。このため、ウェハの適当な処理枚数ごと
に反応室内を洗浄する必要がある。ガスヘッドには、複
数の噴出孔が形成されているため、特に噴出孔の内面に
付着した異物を除去するのが困難であった。このため、
除去されずに残った異物が次のウェハの処理においてウ
ェハ上に落下することがあった。その結果、所望のパタ
ーンを形成することができず、ウェハの歩留りが低下す
る問題があった。また、ガスヘッドに付着した異物を除
去するために時間を要するなどして、ドライエッチング
装置の稼動率が低下する問題があった。
所望のエッチング形状が得られないなどのエッチング特
性が悪化する。このため、ウェハの適当な処理枚数ごと
に反応室内を洗浄する必要がある。ガスヘッドには、複
数の噴出孔が形成されているため、特に噴出孔の内面に
付着した異物を除去するのが困難であった。このため、
除去されずに残った異物が次のウェハの処理においてウ
ェハ上に落下することがあった。その結果、所望のパタ
ーンを形成することができず、ウェハの歩留りが低下す
る問題があった。また、ガスヘッドに付着した異物を除
去するために時間を要するなどして、ドライエッチング
装置の稼動率が低下する問題があった。
【０００９】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、特に、所定のガスを吹き出すためのガ
スヘッドに付着する異物を容易に除去してウェハの歩留
りを上げ、しかも、稼動率の高い半導体製造装置を提供
することを目的する。
れたものであり、特に、所定のガスを吹き出すためのガ
スヘッドに付着する異物を容易に除去してウェハの歩留
りを上げ、しかも、稼動率の高い半導体製造装置を提供
することを目的する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの局面にお
ける半導体製造装置は、反応室と、ガスヘッド部と、プ
ラズマ形成手段とを備えた半導体製造装置である。反応
室は、基板を収容するとともにその基板に所定の処理を
施す。ガスヘッド部は、反応室内に設けられ、所定のガ
スを基板へ向かって噴き出すための複数の噴出孔が形成
されている。プラズマ形成手段は、反応室内にプラズマ
を形成する。各噴出孔は、少なくとも一方の開孔端にお
いて最大開孔径を有し、内部または他方の開孔端におい
て開孔径が縮小されている。
ける半導体製造装置は、反応室と、ガスヘッド部と、プ
ラズマ形成手段とを備えた半導体製造装置である。反応
室は、基板を収容するとともにその基板に所定の処理を
施す。ガスヘッド部は、反応室内に設けられ、所定のガ
スを基板へ向かって噴き出すための複数の噴出孔が形成
されている。プラズマ形成手段は、反応室内にプラズマ
を形成する。各噴出孔は、少なくとも一方の開孔端にお
いて最大開孔径を有し、内部または他方の開孔端におい
て開孔径が縮小されている。
【００１１】この構成によれば、ガスヘッド部を薬液で
洗浄する際に、一方の最大開孔径の開孔端から噴出孔へ
洗浄液を導入する。導入された洗浄液は、最大開孔径か
ら開孔径の小さい方へ向かって噴出孔を流れ、その圧力
が上がり流速が高められる。流速が高められた洗浄液
は、他方の開孔端より噴き出る。これにより、噴出孔の
内面に付着した反応生成物等の異物が効率よく除去され
る。その結果、ガスヘッド部から基板上に落下する異物
が低減され、基板の歩留りが上がる。また、洗浄に要す
る時間も比較的短時間で行なわれるため、半導体製造装
置の稼動率も上がる。
洗浄する際に、一方の最大開孔径の開孔端から噴出孔へ
洗浄液を導入する。導入された洗浄液は、最大開孔径か
ら開孔径の小さい方へ向かって噴出孔を流れ、その圧力
が上がり流速が高められる。流速が高められた洗浄液
は、他方の開孔端より噴き出る。これにより、噴出孔の
内面に付着した反応生成物等の異物が効率よく除去され
る。その結果、ガスヘッド部から基板上に落下する異物
が低減され、基板の歩留りが上がる。また、洗浄に要す
る時間も比較的短時間で行なわれるため、半導体製造装
置の稼動率も上がる。
【００１２】好ましくは、各噴出孔の開孔径が、噴出側
の開孔端において最大開孔径を有している。
の開孔端において最大開孔径を有している。
【００１３】この場合、ガスヘッド部をプラズマにてド
ライクリーニングする際に、噴出側の開孔端へ入射する
プラズマの入射角度をより大きくとることができる。こ
れにより、噴出孔の内面に付着した異物が効率よく除去
される。また、プラズマクリーニングはガスヘッド部を
反応室内に装着した状態で行なうことができるため、洗
浄に要する時間がさらに短縮される。その結果、歩留り
が上がるとともに、半導体製造装置の稼動率がさらに向
上する。
ライクリーニングする際に、噴出側の開孔端へ入射する
プラズマの入射角度をより大きくとることができる。こ
れにより、噴出孔の内面に付着した異物が効率よく除去
される。また、プラズマクリーニングはガスヘッド部を
反応室内に装着した状態で行なうことができるため、洗
浄に要する時間がさらに短縮される。その結果、歩留り
が上がるとともに、半導体製造装置の稼動率がさらに向
上する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係るドライ
エッチング装置について図を用いて説明する。図１は、
本ドライエッチング装置の断面模式図である。図１を参
照して、ドライエッチング装置１は、反応室３内にガス
ヘッド６を有している。図２に示すように、ガスヘッド
６は、一方の開孔端において最大開孔径を有し、しか
も、一方の開孔端から他方の開孔端へ向かって徐々にそ
の開孔径が小さくなる噴出孔６ａを複数備えている。こ
れ以外の構成については、従来の技術の項において説明
したドライエッチング装置と同様なので詳しい説明は省
略する。
エッチング装置について図を用いて説明する。図１は、
本ドライエッチング装置の断面模式図である。図１を参
照して、ドライエッチング装置１は、反応室３内にガス
ヘッド６を有している。図２に示すように、ガスヘッド
６は、一方の開孔端において最大開孔径を有し、しか
も、一方の開孔端から他方の開孔端へ向かって徐々にそ
の開孔径が小さくなる噴出孔６ａを複数備えている。こ
れ以外の構成については、従来の技術の項において説明
したドライエッチング装置と同様なので詳しい説明は省
略する。
【００１５】本ドライエッチング装置を、たとえば従来
の技術の項において説明したように、ポリシリコン膜の
エッチングに使用した後には、反応室３の内壁やガスヘ
ッド６には、エッチングの際に生成した反応生成物が付
着する。このため、ガスヘッド６の洗浄が必要となる。
の技術の項において説明したように、ポリシリコン膜の
エッチングに使用した後には、反応室３の内壁やガスヘ
ッド６には、エッチングの際に生成した反応生成物が付
着する。このため、ガスヘッド６の洗浄が必要となる。
【００１６】その洗浄の１つの形態として、ガスヘッド
６を反応室３から取外し洗浄液にて洗浄する、ウエット
クリーニングがある。この場合、たとえば噴射式ノズル
を用い洗浄液を、ガスヘッド６の最大開孔径を有する開
孔端から流し込む。すなわち、洗浄液は図２に示す開孔
端６ｂから開孔端６ｃへ向かって流れる。このとき、洗
浄液が進む方向に向かって開孔径が徐々に小さくなるた
め、洗浄液の流速がより速くなる。これにより、噴出孔
６ａの内面に付着した異物が効率よくしかも短時間で除
去される。
６を反応室３から取外し洗浄液にて洗浄する、ウエット
クリーニングがある。この場合、たとえば噴射式ノズル
を用い洗浄液を、ガスヘッド６の最大開孔径を有する開
孔端から流し込む。すなわち、洗浄液は図２に示す開孔
端６ｂから開孔端６ｃへ向かって流れる。このとき、洗
浄液が進む方向に向かって開孔径が徐々に小さくなるた
め、洗浄液の流速がより速くなる。これにより、噴出孔
６ａの内面に付着した異物が効率よくしかも短時間で除
去される。
【００１７】また、洗浄のもう１つの形態として、ガス
ヘッドを反応室内に装着した状態でプラズマにより洗浄
する、ドライクリーニングがある。
ヘッドを反応室内に装着した状態でプラズマにより洗浄
する、ドライクリーニングがある。
【００１８】この場合、エッチング処理の後、たとえば
フッ素を含んだＮＦ3 、ＳＦ6 などのガスを反応室内に
導入する。高周波電源をオンし、プラズマを形成する。
これにより、ラジカルの一部が噴出孔６ａに進入する。
このとき、噴出孔６ａの開孔端６ｂが最大開孔径であ
る。このため、噴出孔６ａ内のある点Ａに到達し得るラ
ジカル（プラズマ）の入射角度αをより大きくとること
ができる。
フッ素を含んだＮＦ3 、ＳＦ6 などのガスを反応室内に
導入する。高周波電源をオンし、プラズマを形成する。
これにより、ラジカルの一部が噴出孔６ａに進入する。
このとき、噴出孔６ａの開孔端６ｂが最大開孔径であ
る。このため、噴出孔６ａ内のある点Ａに到達し得るラ
ジカル（プラズマ）の入射角度αをより大きくとること
ができる。
【００１９】これは、図４に示すように、一定の開孔径
を有する従来のガスヘッドの噴出孔５ａにおけるラジカ
ルの入射角度βと比較すると幾何学的に明らかである。
このため、より多くのラジカルが噴出孔に進入する。こ
れにより、ガスヘッドの噴出孔の内面に付着した異物を
効率よく除去することができる。
を有する従来のガスヘッドの噴出孔５ａにおけるラジカ
ルの入射角度βと比較すると幾何学的に明らかである。
このため、より多くのラジカルが噴出孔に進入する。こ
れにより、ガスヘッドの噴出孔の内面に付着した異物を
効率よく除去することができる。
【００２０】また、このことからガスヘッドは、ガスの
噴出側、すなわち、反応室側の開孔端が最大開孔径とな
る状態で装着されていることが望ましい。以上より、ガ
スヘッドの噴出孔の内面に付着する異物が容易に短時間
で除去される。その結果、ウェハの歩留りの向上ととも
にドライエッチング装置の稼動率も上げることができ
る。
噴出側、すなわち、反応室側の開孔端が最大開孔径とな
る状態で装着されていることが望ましい。以上より、ガ
スヘッドの噴出孔の内面に付着する異物が容易に短時間
で除去される。その結果、ウェハの歩留りの向上ととも
にドライエッチング装置の稼動率も上げることができ
る。
【００２１】噴出孔の断面形状としては、図２に示す形
状以外に、たとえば、図５、図６に示す断面形状であっ
ても同様の効果を得ることができる。さらに、図７に示
す断面形状であってもよい。
状以外に、たとえば、図５、図６に示す断面形状であっ
ても同様の効果を得ることができる。さらに、図７に示
す断面形状であってもよい。
【００２２】この場合、噴出孔の中央付近の開孔径が両
開孔端より小さくなっている。このため、特にウエット
クリーニングにおいて、噴出孔の中央付近を流れる一方
の開孔端より導入された洗浄液の流速がより速くなる。
これにより、他方の開孔端に至るまでの噴出孔の内面に
付着した異物がさらに効率よく除去される。同様にし
て、他方の開孔端からも洗浄液を導入することにより、
噴出孔の内面に付着した異物がより効率よく除去され
る。
開孔端より小さくなっている。このため、特にウエット
クリーニングにおいて、噴出孔の中央付近を流れる一方
の開孔端より導入された洗浄液の流速がより速くなる。
これにより、他方の開孔端に至るまでの噴出孔の内面に
付着した異物がさらに効率よく除去される。同様にし
て、他方の開孔端からも洗浄液を導入することにより、
噴出孔の内面に付着した異物がより効率よく除去され
る。
【００２３】なお、洗浄液としては純水あるいはアルコ
ールを使用することができる。また、超音波洗浄を併用
すればさらに異物の除去効果を高めることができる。
ールを使用することができる。また、超音波洗浄を併用
すればさらに異物の除去効果を高めることができる。
【００２４】なお、上記実施の形態では、半導体製造装
置としてドライエッチング装置を例に挙げたが、この他
に、所定のガスを噴き出すガスヘッドを備えたプラズマ
式の化学気相成長（ＣＶＤ）装置であってもよい。
置としてドライエッチング装置を例に挙げたが、この他
に、所定のガスを噴き出すガスヘッドを備えたプラズマ
式の化学気相成長（ＣＶＤ）装置であってもよい。
【００２５】特にＣＶＤ装置では、ガスヘッド等に付着
する反応生成物等の異物が比較的多い。上述したガスヘ
ッドを備えることにより、ガスヘッドに付着する異物が
効率よくしかも短時間で除去される。その結果、ウェハ
の歩留りおよびＣＶＤ装置の稼動率を向上することがで
きる。
する反応生成物等の異物が比較的多い。上述したガスヘ
ッドを備えることにより、ガスヘッドに付着する異物が
効率よくしかも短時間で除去される。その結果、ウェハ
の歩留りおよびＣＶＤ装置の稼動率を向上することがで
きる。
【００２６】なお、今回開示された実施の形態はすべて
の点の例示であって制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は上記で説明した範囲ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれること
が意図される。
の点の例示であって制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は上記で説明した範囲ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれること
が意図される。
【００２７】
【発明の効果】本発明の１つの局面における半導体製造
装置によれば、ガスヘッド部を薬液で洗浄する際に、一
方の最大開孔径の開孔端から噴出孔へ洗浄液を導入す
る。導入された洗浄液は、最大開孔径から開孔径の小さ
い方へ向かって噴出孔を流れ、その圧力が上がり流速が
高められる。流速が高められた洗浄液は、他方の開孔端
より噴き出る。これにより、噴出孔の内面に付着した反
応生成物等の異物が効率よく除去される。その結果、ガ
スヘッド部から基板上に落下する異物が低減され、基板
の歩留りが上がる。また、洗浄に要する時間も比較的短
時間で行なわれるため、半導体製造装置の稼動率も上が
る。
装置によれば、ガスヘッド部を薬液で洗浄する際に、一
方の最大開孔径の開孔端から噴出孔へ洗浄液を導入す
る。導入された洗浄液は、最大開孔径から開孔径の小さ
い方へ向かって噴出孔を流れ、その圧力が上がり流速が
高められる。流速が高められた洗浄液は、他方の開孔端
より噴き出る。これにより、噴出孔の内面に付着した反
応生成物等の異物が効率よく除去される。その結果、ガ
スヘッド部から基板上に落下する異物が低減され、基板
の歩留りが上がる。また、洗浄に要する時間も比較的短
時間で行なわれるため、半導体製造装置の稼動率も上が
る。
【００２８】好ましくは、各噴出孔の開孔径が、噴出側
の開孔端において最大開孔径を有している。
の開孔端において最大開孔径を有している。
【００２９】この場合、ガスヘッド部をプラズマにてド
ライクリーニングする際に、噴出側の開孔端へ入射する
プラズマの入射角度をより大きくとることができる。こ
れにより、噴出孔の内面に付着した異物が効率よく除去
される。また、プラズマクリーニングはガスヘッド部を
反応室内に装着した状態で行なうことができるため、洗
浄に要する時間がさらに短縮される。その結果、歩留り
が上がるとともに、半導体製造装置の稼動率がさらに向
上する。
ライクリーニングする際に、噴出側の開孔端へ入射する
プラズマの入射角度をより大きくとることができる。こ
れにより、噴出孔の内面に付着した異物が効率よく除去
される。また、プラズマクリーニングはガスヘッド部を
反応室内に装着した状態で行なうことができるため、洗
浄に要する時間がさらに短縮される。その結果、歩留り
が上がるとともに、半導体製造装置の稼動率がさらに向
上する。
【図１】 本発明の実施の形態に係るドライエッチング
装置の断面模式図である。
装置の断面模式図である。
【図２】 図１に示すガスヘッド部の第１の部分断面図
である。
である。
【図３】 同実施の形態において、本ドライエッチング
装置の効果を説明するための第１の図である。
装置の効果を説明するための第１の図である。
【図４】 同実施の形態において、本ドライエッチング
装置の効果を説明するための第２の図である。
装置の効果を説明するための第２の図である。
【図５】 同実施の形態におけるガスヘッド部の第２の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図６】 同実施の形態におけるガスヘッド部の第３の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図７】 同実施の形態におけるガスヘッド部の第４の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図８】 従来のドライエッチング装置の断面図であ
る。
る。
【図９】 従来のドライエッチング装置のガスヘッド部
の部分断面図である。
の部分断面図である。
【図１０】 エッチング動作を説明するための、１工程
断面図である。
断面図である。
【図１１】 図１０に示す工程の後に行なわれる工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
１ ドライエッチング装置、２ ガス導入口、３ 反応
室、６ ガスヘッド、６ａ 噴出孔、６ｂ、６ｃ 開孔
端、８ 高周波電源、９ ステージ、１１ ウェハ、１
３ 排気孔。
室、６ ガスヘッド、６ａ 噴出孔、６ｂ、６ｃ 開孔
端、８ 高周波電源、９ ステージ、１１ ウェハ、１
３ 排気孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢野 貴司 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 浦田 由紀子 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板を収容するとともに、前記基板に所
定の処理を施すための反応室と、 前記反応室内に設けられ、所定のガスを前記基板へ向か
って噴き出すための複数の噴出孔が形成されたガスヘッ
ド部と、 前記反応室内にプラズマを形成するためのプラズマ形成
手段とを備え、 各前記噴出孔は、少なくとも一方の開孔端において最大
開孔径を有し、内部または他方の開孔端において開孔径
が縮小されている、半導体製造装置。 - 【請求項２】 各前記噴出孔が、噴出側の開孔端におい
て前記最大開孔径を有する、請求項１記載の半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6949397A JPH10270418A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6949397A JPH10270418A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270418A true JPH10270418A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13404303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6949397A Pending JPH10270418A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270418A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447248B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2004-09-07 | 주성엔지니어링(주) | Ｉｃｐ 에쳐용 가스 확산판 |
| JP2004531903A (ja) * | 2001-06-29 | 2004-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理のための方向付けられたガスの射出装置 |
| US6897161B2 (en) | 2002-02-13 | 2005-05-24 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Method of cleaning component in plasma processing chamber and method of producing semiconductor devices |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP6949397A patent/JPH10270418A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004531903A (ja) * | 2001-06-29 | 2004-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理のための方向付けられたガスの射出装置 |
| KR100447248B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2004-09-07 | 주성엔지니어링(주) | Ｉｃｐ 에쳐용 가스 확산판 |
| US6897161B2 (en) | 2002-02-13 | 2005-05-24 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Method of cleaning component in plasma processing chamber and method of producing semiconductor devices |
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