JPH10270435A - 半導体装置用成膜の方法および成膜装置 - Google Patents
半導体装置用成膜の方法および成膜装置Info
- Publication number
- JPH10270435A JPH10270435A JP6949497A JP6949497A JPH10270435A JP H10270435 A JPH10270435 A JP H10270435A JP 6949497 A JP6949497 A JP 6949497A JP 6949497 A JP6949497 A JP 6949497A JP H10270435 A JPH10270435 A JP H10270435A
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- JP
- Japan
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- chamber
- film
- gas
- wafer
- reaction
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- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応副生成物がガスヘッドおよびウェハを汚
染しないように改良された成膜装置を提供することにあ
る。 【解決手段】 当該装置は、チャンバ７と、チャンバ７
内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段１０と、チャ
ンバ７内に不活性ガスを通過させる不活性ガス供給手段
１１を備える。成膜後も、常に不活性ガスを流すので、
反応副生成物９の剥がれが生じても、ガスヘッド１およ
びウェハ３を汚染しない。
染しないように改良された成膜装置を提供することにあ
る。 【解決手段】 当該装置は、チャンバ７と、チャンバ７
内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段１０と、チャ
ンバ７内に不活性ガスを通過させる不活性ガス供給手段
１１を備える。成膜後も、常に不活性ガスを流すので、
反応副生成物９の剥がれが生じても、ガスヘッド１およ
びウェハ３を汚染しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般に半導体装
置用成膜装置に関するものであり、より特定的には、製
品の歩留り向上と装置稼動率を向上することができるよ
うに改良された半導体装置用成膜装置に関する。この発
明は、また、製品の歩留り向上と装置稼動率が向上する
ように改良された、半導体装置用成膜の方法に関する。
置用成膜装置に関するものであり、より特定的には、製
品の歩留り向上と装置稼動率を向上することができるよ
うに改良された半導体装置用成膜装置に関する。この発
明は、また、製品の歩留り向上と装置稼動率が向上する
ように改良された、半導体装置用成膜の方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、反応ガスとしてテトラエトキシ
シラン（以下、ＴＥＯＳという）を気化させたガスと、
オゾン（Ｏ3 ）とを常圧下で反応させる、従来の枚用成
膜装置の概念図である。
シラン（以下、ＴＥＯＳという）を気化させたガスと、
オゾン（Ｏ3 ）とを常圧下で反応させる、従来の枚用成
膜装置の概念図である。
【０００３】成膜装置は、チャンバ７を備える。チャン
バ７には、ＴＥＯＳとＯ3 の混合ガスをウェハ２面内に
均一に供給するガスヘッド１が設けられている。ウェハ
ステージ２は、ウェハ３を一定の温度で保持するもので
ある。排気カバー４は、成膜中の、ウェハ３の周辺で
の、ガスの流れを安定させるためのものである。ヒータ
５は、排気カバー４を一定温度に加熱保持するためのも
のである。排気トレイ６は、反応後のガスをチャンバ７
と分離するためのものである。また、チャンバ７には、
排気口８が設けられている。ガスヘッド１には、材料ガ
ス供給管１０が取付けられている。排気カバー４には、
後述するように、反応副生成物９が付着する。
バ７には、ＴＥＯＳとＯ3 の混合ガスをウェハ２面内に
均一に供給するガスヘッド１が設けられている。ウェハ
ステージ２は、ウェハ３を一定の温度で保持するもので
ある。排気カバー４は、成膜中の、ウェハ３の周辺で
の、ガスの流れを安定させるためのものである。ヒータ
５は、排気カバー４を一定温度に加熱保持するためのも
のである。排気トレイ６は、反応後のガスをチャンバ７
と分離するためのものである。また、チャンバ７には、
排気口８が設けられている。ガスヘッド１には、材料ガ
ス供給管１０が取付けられている。排気カバー４には、
後述するように、反応副生成物９が付着する。
【０００４】ガスヘッド１より放出されたＴＥＯＳ・Ｏ
3 混合ガスは矢印１２に示す方向に流れ、ウェハステー
ジ２上に３５０℃から４５０℃に保持された、ウェハ３
の表面で反応して、反応生成物である膜を形成する。反
応後、未反応ガスは、３００℃に保持された排気カバー
４と排気トレイ６の間を通って排気口８に導かれる。
3 混合ガスは矢印１２に示す方向に流れ、ウェハステー
ジ２上に３５０℃から４５０℃に保持された、ウェハ３
の表面で反応して、反応生成物である膜を形成する。反
応後、未反応ガスは、３００℃に保持された排気カバー
４と排気トレイ６の間を通って排気口８に導かれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置用成
膜装置は以上のように構成されていた。
膜装置は以上のように構成されていた。
【０００６】しかしながら、図２を参照して、反応副生
成物９の熱伝導率が悪いため、排気カバー４上に、反応
副生成物９が堆積するにつれて、反応副生成物９の表面
温度が低下する。この表面温度が２００℃以下になる
と、反応副生成物９の表面は粉末状となり、剥がれやす
くなる。これがウェハ３の表面に付着し、製品の歩留り
を低下させる要因となっていた。
成物９の熱伝導率が悪いため、排気カバー４上に、反応
副生成物９が堆積するにつれて、反応副生成物９の表面
温度が低下する。この表面温度が２００℃以下になる
と、反応副生成物９の表面は粉末状となり、剥がれやす
くなる。これがウェハ３の表面に付着し、製品の歩留り
を低下させる要因となっていた。
【０００７】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、製品の歩留り向上と装置稼動
率の向上を図ることができるように改良された半導体装
置用成膜の方法および成膜装置を提供することを目的と
する。
るためになされたもので、製品の歩留り向上と装置稼動
率の向上を図ることができるように改良された半導体装
置用成膜の方法および成膜装置を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に従う半導体装
置用成膜装置は、ウェハの上に成膜する半導体装置用成
膜装置に係る。当該装置は、ウェハを配置させるチャン
バを備える。上記チャンバに、該チャンバ内に反応ガス
を供給する反応ガス供給手段が接続されている。上記チ
ャンバに、上記チャンバ内に不活性ガスを通過させる不
活性ガス供給手段が接続されている。
置用成膜装置は、ウェハの上に成膜する半導体装置用成
膜装置に係る。当該装置は、ウェハを配置させるチャン
バを備える。上記チャンバに、該チャンバ内に反応ガス
を供給する反応ガス供給手段が接続されている。上記チ
ャンバに、上記チャンバ内に不活性ガスを通過させる不
活性ガス供給手段が接続されている。
【０００９】この発明に係る半導体装置用成膜の方法に
おいては、まず、チャンバ内にウェハを配置する。上記
チャンバ内に反応ガスを供給し、上記ウェハの上に成膜
する。上記成膜後、上記反応ガスの供給を停止し、引続
き、上記チャンバ内に不活性ガスを通過させる。
おいては、まず、チャンバ内にウェハを配置する。上記
チャンバ内に反応ガスを供給し、上記ウェハの上に成膜
する。上記成膜後、上記反応ガスの供給を停止し、引続
き、上記チャンバ内に不活性ガスを通過させる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態に係
る半導体装置用成膜装置の概念図である。図１に示す装
置は、以下の点を除いて、図２に示す従来装置と同じで
あるので、同一または相当する部分には、同一の参照番
号を付し、その説明を繰返さない。
る半導体装置用成膜装置の概念図である。図１に示す装
置は、以下の点を除いて、図２に示す従来装置と同じで
あるので、同一または相当する部分には、同一の参照番
号を付し、その説明を繰返さない。
【００１１】図１に示す装置と図２に示す装置の異なる
点は、ガスヘッド１に、チャンバ７内に不活性ガスを通
過させる不活性ガス配管１１を接続した点である。
点は、ガスヘッド１に、チャンバ７内に不活性ガスを通
過させる不活性ガス配管１１を接続した点である。
【００１２】以下、動作について説明する。ウェハ３上
への成膜については、従来の装置と同様に、ガスヘッド
１を通して材料ガスをチャンバ７内に供給することによ
って行なわれる。成膜後、不活性ガス配管１１より、不
活性ガスを１０リットル／ｍ（分）以上、ガスヘッド１
を介して、チャンバ７内に供給する。チャンバ７内に導
入された不活性ガスは、材料ガスが流れていった方向
と、同じ方向１３に流れ、排気口８より排気される。
への成膜については、従来の装置と同様に、ガスヘッド
１を通して材料ガスをチャンバ７内に供給することによ
って行なわれる。成膜後、不活性ガス配管１１より、不
活性ガスを１０リットル／ｍ（分）以上、ガスヘッド１
を介して、チャンバ７内に供給する。チャンバ７内に導
入された不活性ガスは、材料ガスが流れていった方向
と、同じ方向１３に流れ、排気口８より排気される。
【００１３】成膜後、材料ガスの供給を停止し、不活性
ガス供給用配管１２から、不活性ガスを１０リットル／
ｍ（分）以上、常に流し続けることにより、粉末状にな
った反応副生成物９が剥がれても、ガスヘッド１および
ウェハ３上へ到達しない。これによって、反応副生成物
９の剥がれによる、ガスヘッド１およびウェハ３の汚染
が防止され、製品の歩留り低下が防止される。
ガス供給用配管１２から、不活性ガスを１０リットル／
ｍ（分）以上、常に流し続けることにより、粉末状にな
った反応副生成物９が剥がれても、ガスヘッド１および
ウェハ３上へ到達しない。これによって、反応副生成物
９の剥がれによる、ガスヘッド１およびウェハ３の汚染
が防止され、製品の歩留り低下が防止される。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置成膜の方法および成膜装置によれば、成膜後も、
常に不活性ガスをチャンバ内に流すので、反応副生成物
の剥がれによる、ガスヘッドおよびウェハの汚染が防止
され、ひいては、製品の歩留り低下が防止されるという
効果を奏する。
体装置成膜の方法および成膜装置によれば、成膜後も、
常に不活性ガスをチャンバ内に流すので、反応副生成物
の剥がれによる、ガスヘッドおよびウェハの汚染が防止
され、ひいては、製品の歩留り低下が防止されるという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態に係る成膜装置の概念図
である。
である。
【図２】 従来の成膜装置の概念図である。
１ ガスヘッド、３ ウェハ、７ チャンバ、１０ 材
料ガス配管、９ 反応副生成物、１１ 不活性ガス配
管。
料ガス配管、９ 反応副生成物、１１ 不活性ガス配
管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庄 靖史 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 赤井 博之 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 歌津 貴繁 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 庄司 啓太 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェハの上に成膜する半導体装置用成膜
装置であって、 前記ウェハを配置させるチャンバと、 前記チャンバ内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段
と、 前記チャンバ内に不活性ガスを通過させる不活性ガス供
給手段と、を備えた半導体装置用成膜装置。 - 【請求項２】 チャンバ内にウェハを配置する工程と、 前記チャンバ内に反応ガスを供給し、前記ウェハの上に
成膜する工程と、 前記成膜後、前記反応ガスの供給を停止し、引続き、前
記チャンバ内に不活性ガスを通過させる工程と、を備え
た半導体装置用成膜の方法。 - 【請求項３】 前記反応ガスはテトラエトキシシランを
含む請求項２に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6949497A JPH10270435A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体装置用成膜の方法および成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6949497A JPH10270435A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体装置用成膜の方法および成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270435A true JPH10270435A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13404334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6949497A Pending JPH10270435A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 半導体装置用成膜の方法および成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270435A (ja) |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP6949497A patent/JPH10270435A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040615 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |