JPH10270618A - Lead frame, method of manufacturing lead frame, and semiconductor device - Google Patents

Lead frame, method of manufacturing lead frame, and semiconductor device

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JPH10270618A
JPH10270618A JP9070267A JP7026797A JPH10270618A JP H10270618 A JPH10270618 A JP H10270618A JP 9070267 A JP9070267 A JP 9070267A JP 7026797 A JP7026797 A JP 7026797A JP H10270618 A JPH10270618 A JP H10270618A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
etching
lead frame
metal material
resist
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9070267A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiko Suzuki
和彦 鈴木
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH10270618A publication Critical patent/JPH10270618A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】リードフレームのリード幅を広く形成すること
のできる製造方法および構造およびそれを用いた半導体
装置を提供することにある。 【解決手段】エッチングによりリードフレームを形成す
る際の工程において、リードフレームのベースである金
属素材10の表裏を別々にエッチングして各リードを形
成する。また、金属素材10の表裏を別々にエッチング
した後に、さらにもう一度エッチングを行いリードを形
成する。 【効果】インナーリード4およびアウターリード7の表
裏どちらか片側または表裏両面の平坦幅を広くすること
ができ、組立工程内での不良発生を抑えることができ
る。
(57) Abstract: [PROBLEMS] To provide a manufacturing method and structure capable of forming a wide lead width of a lead frame, and a semiconductor device using the same. SOLUTION: In a step of forming a lead frame by etching, each of the leads is formed by separately etching the front and back surfaces of a metal material 10 which is the base of the lead frame. After the front and back surfaces of the metal material 10 are separately etched, etching is performed again to form leads. [Effect] The inner lead 4 and the outer lead 7 can have a large flat width on one side or both sides of the front and back, and the occurrence of defects in the assembly process can be suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路チップを
搭載する集積回路用エッチングリードフレーム及びその
製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching lead frame for an integrated circuit on which an integrated circuit chip is mounted and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】以下、従来の技術を図5および図6を用
いて説明する。
2. Description of the Related Art A conventional technique will be described below with reference to FIGS.

【0003】図5は集積回路チップを搭載するリードフ
レームの一例を示す平面図である。フレーム枠1は略中
央に集積回路チップを搭載固着するダイパッド2を有し
ている。更にダイパッド2はタイバー3によってフレー
ム枠1に支持されている。又フレーム枠1の内壁からは
多数の細いインナーリード4が前記ダイパッド2に向か
って延在しており、各インナーリード4はモールド工程
でモールドエリア5内の樹脂封止時に樹脂の流出を防止
する為のダムバー6で支持されている。このダムバー6
はダイパッド2に搭載固着された集積回路チップとイン
ナーリード4のダイパッド側先端部をワイヤで配線する
際の補強部材にもなっており樹脂封止後各リード間のダ
ムバー6を切断する。ダムバー6の切断によってその外
側部分のアウターリード7はそれぞれ分離される。
FIG. 5 is a plan view showing an example of a lead frame on which an integrated circuit chip is mounted. The frame 1 has a die pad 2 for mounting and fixing an integrated circuit chip substantially at the center. Further, the die pad 2 is supported on the frame 1 by tie bars 3. A large number of thin inner leads 4 extend from the inner wall of the frame 1 toward the die pad 2. Each inner lead 4 prevents the resin from flowing out when the resin is sealed in the molding area 5 in the molding process. It is supported by the dam bar 6 for. This dam bar 6
Is also a reinforcing member when wiring the integrated circuit chip mounted and fixed to the die pad 2 and the tip end of the inner lead 4 on the die pad side, and cuts the dam bar 6 between the leads after resin sealing. By cutting the dam bar 6, the outer leads 7 on the outer portion are separated from each other.

【0004】図6はインナーリード4またはアウターリ
ード7の形状が形成される過程を示した断面図である。
脱脂処理を済ませたエッチングリードフレームの金属素
材10の表裏両面にレジスト11を塗布する。続いて露
光、現像を行い金属素材10をエッチングした後レジス
トを剥離し、インナーリード4およびアウターリード7
の形状を形成する。もちろんこの時ダイパッド2、タイ
バー3、ダムバー6などの部分の形状も同時に形成され
る。図6は露光、現像後の状態から示したものである
が、このとき金属素材10の表裏両面から同時にエッチ
ングが行われインナーリード4およびアウターリード7
の形状が形成される。
FIG. 6 is a sectional view showing a process in which the shape of the inner lead 4 or the outer lead 7 is formed.
A resist 11 is applied to both front and back surfaces of the metal material 10 of the etching lead frame that has been degreased. Subsequently, after exposing and developing to etch the metal material 10, the resist is peeled off, and the inner leads 4 and the outer leads 7 are removed.
Form the shape of. Of course, at this time, the shapes of the die pad 2, the tie bar 3, the dam bar 6, and the like are simultaneously formed. FIG. 6 shows the state after exposure and development. At this time, the etching is performed simultaneously from both the front and back surfaces of the metal material 10 so that the inner leads 4 and the outer leads 7 are formed.
Shape is formed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のように半導体用
エッチングリードフレームの製造過程では、図6のよう
に金属素材10の表裏両面から同時にエッチングが行わ
れインナーリード4、アウターリード7および他の部分
の形状が形成される。このように形状を形成されたイン
ナーリード4およびアウターリード7の表面、裏面の平
坦部の幅は、深さ方向と同時にサイド方向へ金属素材1
0のエッチングが進行するためリードの表面、裏面共々
図6に示したレジスト11の幅よりもどうしてもかなり
狭いものとなってしまう。数値的にはレジストの幅を1
20〜150μmとった場合、出来上がりのリードの幅
は70〜100μm程度になってしまう。インナーリー
ドピッチが微細な多ピンリードフレームではレジストの
幅を狭めなければならず、サイドエッチング量を考える
とワイヤーボンディング時に必要なリードの平坦幅が得
られない。
As described above, in the manufacturing process of the etching lead frame for semiconductor, as shown in FIG. 6, the etching is performed simultaneously from both the front and back surfaces of the metal material 10, so that the inner leads 4, the outer leads 7, and other parts are formed. The shape of the part is formed. The widths of the flat portions on the front surface and the back surface of the inner lead 4 and the outer lead 7 formed in this way are such that the metal material 1 is not only in the depth direction but also in the side direction.
Since the etching of 0 progresses, both the front and rear surfaces of the lead are considerably narrower than the width of the resist 11 shown in FIG. Numerically, the width of the resist is 1
When the thickness is 20 to 150 μm, the width of the completed lead is about 70 to 100 μm. In a multi-pin lead frame with a fine inner lead pitch, the width of the resist must be narrowed, and considering the side etching amount, the flat width of the lead required for wire bonding cannot be obtained.

【0006】現在生産の行われている半導体装置は、イ
ンナーリードの微細化が進んでいる状況にある。
In the semiconductor devices currently being manufactured, the inner leads are being miniaturized.

【0007】インナーリード4の平坦幅がワイヤーボン
ディングに必要十分とされる幅よりも狭いと、集積回路
チップとインナーリード4のダイパッド側先端部をワイ
ヤで圧着する際にワイヤーとインナーリード4との未圧
着や圧着強度不足などの不良が多発する。つまり、これ
らの不良はワイヤとインナーリード4を圧着する際に、
ワイヤ自体に形成されるボール径よりもインナーリード
4の幅が狭いこと、またウインドクランパーによりイン
ナーリード4を押さえるときにインナーリード面の裏面
の幅が狭いとインナーリード4が不安定となりリードが
ガタつくことに起因している。
If the flat width of the inner lead 4 is smaller than the width required and necessary for wire bonding, when the integrated circuit chip and the tip of the inner lead 4 on the die pad side are press-bonded with the wire, the wire and the inner lead 4 are not bonded to each other. Defectives such as non-compression bonding and insufficient bonding strength occur frequently. That is, these defects are caused when the wire and the inner lead 4 are pressure-bonded.
If the width of the inner lead 4 is narrower than the diameter of the ball formed on the wire itself, and if the width of the back surface of the inner lead surface is narrow when the inner lead 4 is pressed by the wind clamper, the inner lead 4 becomes unstable and the lead rattles. It is due to being attached.

【0008】また、表裏の平坦幅が狭いアウターリード
7は、樹脂封止の後に行われるフォーミング工程におい
てアウターリード7が左右どちらかに曲がってしまった
り表面実装型のパッケージでは各リードの高さが不均一
になるなどの不良の原因となっている。
In the case of the outer leads 7 having a narrow flat width on the front and back, the outer leads 7 may be bent to the left or right in a forming step performed after resin sealing, or the height of each lead may be reduced in a surface mount type package. This causes defects such as unevenness.

【0009】したがってインナーリード4およびアウタ
ーリード7の表裏両面あるいは表裏片面の平坦幅を図6
に示したレジスト11の幅と同等の幅に形成することの
できるリードフレームを提供することが強く望まれた。
Therefore, the flat widths of both the front and back surfaces or the front and back surfaces of the inner lead 4 and the outer lead 7 are shown in FIG.
It was strongly desired to provide a lead frame that can be formed to have a width equal to that of the resist 11 shown in FIG.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】集積回路チップを搭載す
る略四角形のダイパッドと前記ダイパッドの周縁に配置
され、一端をダイパッドに向けたインナーリードによっ
て構成されるエッチングリードフレームにおいて、金属
素材を表裏別々にエッチングしリードの形状を形成した
ことで達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION In an etching lead frame comprising a substantially rectangular die pad on which an integrated circuit chip is mounted and an inner lead having one end facing the die pad and having one end facing the die pad, metal materials are separated from each other. This is achieved by forming a lead shape by etching.

【0011】また、エッチングリードフレームの金属素
材を表裏別々にエッチングした後にさらにもう1回のエ
ッチングを施しリードの形状を形成したことで達成され
る。
Further, it can be achieved by etching the metal material of the etching lead frame separately on the front and back sides and then performing another etching to form the shape of the lead.

【0012】[0012]

【作用】リードフレームの金属素材10を表裏別々にエ
ッチングまたは表裏別々にエッチングした後にさらにも
う1回のエッチングを施しリードの形状を形成すること
により、リード部の平坦幅をエッチング前のレジストの
幅と同等にすることができる。
The flat material of the lead portion is formed by etching the front and back of the metal material 10 of the lead frame separately or by etching the front and back separately to form the shape of the lead. Can be equivalent to

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図1〜図
4を用いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0014】図1は本発明の第1の実施例で、インナー
リード4またはアウターリード7の断面を製造順に列挙
したエッチングリードフレームの製造工程概略図であ
る。
FIG. 1 is a first embodiment of the present invention, and is a schematic view of a manufacturing process of an etching lead frame in which the sections of the inner lead 4 or the outer lead 7 are listed in the order of manufacture.

【0015】脱脂処理を済ませた金属素材10の表裏両
面にレジスト11を塗布し、続いて露光、現像を行った
のが図(a)である。
FIG. 1A shows that a resist 11 is applied to both front and back surfaces of the metal material 10 which has been subjected to the degreasing treatment, followed by exposure and development.

【0016】次に表裏どちらかの面に耐エッチング液性
の樹脂12を充填するか、あるいは既に塗布してあるレ
ジスト11と種類の異なるレジスト12を塗布する。こ
のとき既に塗布してあるレジスト11と種類の違うレジ
スト12を塗布するのは、レジスト剥離が選択的に行え
ることを目的としている。
Next, either one of the front and back surfaces is filled with an etching-resistant resin 12 or a different resist 12 from the already applied resist 11 is applied. At this time, the purpose of applying the resist 12 of a different type from the already applied resist 11 is to enable selective resist stripping.

【0017】その後、図(b)に示したように前記の耐
エッチング液性の樹脂またはレジスト12で覆った面と
反対の面の金属素材10のエッチングを行う。このとき
従来技術である金属素材10を両面同時にエッチングし
たものよりも深さ方向へ進行しないようにエッチング時
間等のエッチングレートを変えて制御する。
After that, as shown in FIG. 3B, the metal material 10 on the surface opposite to the surface covered with the etching resistant resin or resist 12 is etched. At this time, the etching rate such as the etching time is changed and controlled so that the metal material 10, which is a conventional technique, does not progress in the depth direction as compared with the case where both surfaces are simultaneously etched.

【0018】こうすることにより、サイド方向へのエッ
チングも従来技術により形成した場合よりも抑えられる
ことになり、平坦幅の広いリードの形成が可能となる。
By doing so, etching in the side direction can be suppressed more than in the case of forming by the conventional technique, and it becomes possible to form a lead having a wide flat width.

【0019】続いて図(c)のように前記の耐エッチン
グ液性の樹脂またはレジスト12を剥離し、今度はエッ
チングした反対面に耐エッチング液性の樹脂12を充填
するか、あるいは既に塗布してあるレジスト11と種類
の異なるレジスト12を塗布する。前記の耐エッチング
液性の樹脂またはレジスト12で覆った面と反対の面の
金属素材10のエッチングを行い、形状形成を完結させ
る。
Then, as shown in FIG. 3C, the etching resistant resin or resist 12 is peeled off, and the opposite surface etched is filled with the etching resistant resin 12 or already applied. A resist 12 different in type from the existing resist 11 is applied. The metal material 10 on the surface opposite to the surface covered with the etching-resistant resin or the resist 12 is etched to complete the shape formation.

【0020】最後に前記の耐エッチング液性の樹脂また
はレジスト12と前記レジスト11を剥離し、インナー
リード4またはアウターリード7の形状作製を完了す
る。
Finally, the above-mentioned resin or resist 12 having resistance to the etching solution and the resist 11 are peeled off, and the formation of the shape of the inner lead 4 or the outer lead 7 is completed.

【0021】つまり図1のようにリードを形成すること
により、金属素材10の深さ方向へのエッチングは、素
材の表裏どちらか片側では従来技術により形成された場
合よりも浅いものとなる。必然的にサイド方向へのエッ
チングも素材の表裏どちらか片側では従来技術により形
成された場合よりも進行を抑えられる。つまり形成され
るインナーリード4またはアウターリード7の片側面の
平坦幅を従来技術により形成された場合より広くするこ
とができる。
In other words, by forming the leads as shown in FIG. 1, the etching of the metal material 10 in the depth direction becomes shallower on either side of the material than that formed by the conventional technique. Inevitably, the progress of the etching in the side direction can be suppressed on either one of the front and back sides of the material as compared with the case formed by the conventional technique. That is, the flat width of one side surface of the formed inner lead 4 or outer lead 7 can be made wider than that formed by the conventional technique.

【0022】図2は本発明の第2の実施例で、インナー
リード4またはアウターリード7の断面を製造順に列挙
したエッチングリードフレームの製造工程概略図であ
る。
FIG. 2 is a schematic view showing a manufacturing process of an etching lead frame according to a second embodiment of the present invention, in which sections of the inner lead 4 or the outer lead 7 are listed in the order of manufacture.

【0023】表裏どちらかの面に耐エッチング液性の樹
脂12を充填するか、あるいはレジスト11と種類の違
うレジスト12を塗布しエッチングを行うところまで図
1で示した第1の実施例と全く同様である。
Up to the point where either the front surface or the back surface is filled with the etching resistant liquid resin 12 or a resist 12 of a different type from the resist 11 is applied and etching is performed, the first embodiment shown in FIG. The same is true.

【0024】次ぎに前記の耐エッチング液性の樹脂12
またはレジスト12を剥離し、今度はエッチングした反
対面に耐エッチング液性の樹脂12を充填するか、ある
いは既に塗布してあるレジスト11と種類の異なるレジ
スト12を塗布する。前記の耐エッチング液性の樹脂ま
たはレジスト12で覆った面と反対の面の金属素材10
のエッチングを行う。このとき反対面のエッチングと同
様に、従来技術である金属素材10を両面同時にエッチ
ングしたものよりも深さ方向へ進行しないように制御す
る。
Next, the etching resistant resin 12
Alternatively, the resist 12 is peeled off, and then the etched opposite surface is filled with an etching-resistant resin 12, or a different resist 12 from the already applied resist 11 is applied. The metal material 10 on the surface opposite to the surface covered with the etching-resistant resin or resist 12
Is etched. At this time, similarly to the etching of the opposite surface, control is performed so that the metal material 10 does not proceed in the depth direction as compared with the case where both surfaces of the metal material 10 of the related art are simultaneously etched.

【0025】次ぎに既に塗布してあるレジスト11と種
類の異なるレジスト12を金属素材10の全面に塗布す
る。
Next, a resist 12 of a different type from the already applied resist 11 is applied to the entire surface of the metal material 10.

【0026】このように処理した金属素材10のインナ
ーリード4またはアウターリード7の全体を露光、現像
処理し、間隔部分をエッチングする。
The entire inner lead 4 or outer lead 7 of the metal material 10 thus treated is exposed and developed, and the space is etched.

【0027】最後に2種類のレジスト11、12を剥離
し、インナーリード4またはアウターリード7の形状作
製を完了する。
Finally, the two types of resists 11 and 12 are peeled off, and the formation of the shape of the inner lead 4 or the outer lead 7 is completed.

【0028】こうすることにより、表裏両面ともサイド
方向へのエッチングが従来技術により製造したものより
も抑えられることになり、平坦幅の広いリードの形成が
可能となる。
By doing so, the etching in the side direction on both the front and back surfaces can be suppressed as compared with that manufactured by the conventional technique, and it is possible to form leads having a wide flat width.

【0029】図3は本発明の第3の実施例で、インナー
リード4またはアウターリード7の断面を製造順に列挙
したエッチングリードフレームの製造工程概略図であ
る。
FIG. 3 is a third embodiment of the present invention, and is a schematic view of a manufacturing process of an etching lead frame in which the cross section of the inner lead 4 or the outer lead 7 is listed in the order of manufacture.

【0030】これは図2で示した本発明の第2の実施例
とその製造方法は全く同様であるが、表裏片面のレジス
トの幅を広くしたものである。
This is exactly the same as the second embodiment of the present invention shown in FIG. 2 and its manufacturing method, except that the width of the resist on one surface is increased.

【0031】また、図3は本発明の第3の実施例で、イ
ンナーリード4またはアウターリード7の断面を製造順
に列挙したエッチングリードフレームの製造工程概略図
である。
FIG. 3 is a third embodiment of the present invention, and is a schematic view of a manufacturing process of an etching lead frame in which the cross section of the inner lead 4 or the outer lead 7 is listed in the order of manufacture.

【0032】これもまた、図2で示した本発明の第2の
実施例とその製造方法は全く同様であるが、表裏両面の
レジストの幅を広くしたものである。
This is also exactly the same as the second embodiment of the present invention shown in FIG. 2 and the manufacturing method thereof, but the width of the resist on both the front and back sides is widened.

【0033】このようにレジストの幅を製造工程能力内
で変更することにより、従来技術に比べて平坦幅の広い
リードが得られる上に選択的に表裏の幅やそのバランス
をコントロールすることも可能となる。
By thus changing the width of the resist within the manufacturing process capability, it is possible to obtain a lead having a wider flat width as compared with the prior art and it is possible to selectively control the front and back widths and their balance. Becomes

【0034】以上、本発明に係わる実施例を説明してき
た。本実施例ではレジストおよび耐エッチング性樹脂の
材質や厚さ等を限定しない例として説明しているが、こ
れらは本発明の実施例が達成できるものであればどのよ
うなものでもよい。また素材の深さ方向、サイド方向の
エッチング量についても特定していないが、これもまた
本発明の実施例が達成できるものであればどのように設
定してもかまわない。
The embodiments of the present invention have been described above. In this embodiment, the material and thickness of the resist and the etching resistant resin are not limited, but any material may be used as long as the embodiment of the present invention can be achieved. Further, the etching amount in the depth direction and the side direction of the material is not specified, but this may also be set in any manner as long as the embodiment of the present invention can be achieved.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明は、エッ
チングリードフレームの金属素材を表裏別々にエッチン
グするか、表裏別々にエッチングしたあとさらにもう1
回のエッチングをしリードの形状を形成することによっ
て、インナーリードおよびアウターリードの表裏どちら
か片側または表裏両面の平坦幅を従来技術で製作したリ
ードよりも広くすることが可能となる。このためワイヤ
ーボンディングの際の圧着強度不足不良や樹脂封止の後
に行われるフォーミング工程においてアウターリードが
左右どちらかに曲がってしまうリードスキュー不良、さ
らには表面実装型のパッケージでの各リードの高さが不
均一になるコープラナリティー不良などのを防ぐことが
できるという優れた効果がある。
As described above, according to the present invention, the metal material of the etching lead frame is separately etched on the front and back, or after etching separately on the front and back, another one is obtained.
By performing the etching several times to form the shape of the lead, it becomes possible to make the flat width of one of the front and back surfaces of the inner lead and the outer lead, or the flat width of both the front and back surfaces, wider than that of the lead manufactured by the conventional technique. For this reason, insufficient bonding strength during wire bonding, lead skew failure in which the outer leads are bent to the left or right in the forming process performed after resin encapsulation, and the height of each lead in a surface mount type package Has an excellent effect of preventing coplanarity defects or the like from becoming non-uniform.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示すリード形成過程図
(断面図)。
FIG. 1 is a lead formation process diagram (cross-sectional view) showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例を示すリード形成過程図
(断面図)。
FIG. 2 is a process diagram (cross-sectional view) of forming a lead showing a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例を示すリード形成過程図
(断面図)。
FIG. 3 is a process view (cross-sectional view) of forming a lead showing a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施例を示すリード形成過程図
(断面図)。
FIG. 4 is a view (cross-sectional view) of a lead forming process showing a fourth embodiment of the present invention.

【図5】リードフレーム全体図(平面図)。FIG. 5 is an overall view (plan view) of a lead frame.

【図6】従来の方法を示すリード形成過程図(平面
図)。
FIG. 6 is a view (plan view) of a lead forming process showing a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…フレーム枠 2…ダイパッド 3…タイバー 4…インナーリード 5…モールドエリア 6…ダムバー 7…アウターリード 8…ICチップ 9…金ワイヤー 10…フレーム素材 11…レジスト 12…耐エッチング液性の樹脂・レジスト 1 ... Frame frame 2 ... Die pad 3 ... Tie bar 4 ... Inner lead 5 ... Mold area 6 ... Dam bar 7 ... Outer lead 8 ... IC chip 9 ... Gold wire 10 ... Frame material 11 ... Resist 12 ... Etching liquid resistant resin / resist

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】集積回路チップを搭載する略四角形のダイ
パッドと前記ダイパッドの周縁に配置され、一端をダイ
パッドに向けたインナーリードによって構成されるエッ
チングリードフレームにおいて、金属素材を表裏別々に
エッチングしリードの形状を形成したことを特徴とする
リードフレーム。
1. An etching lead frame comprising a substantially square die pad on which an integrated circuit chip is mounted and inner leads arranged on the periphery of the die pad and having one end directed toward the die pad, wherein a metal material is separately etched on the front and back sides. A lead frame characterized in that the shape of the lead frame is formed.
【請求項2】集積回路チップを搭載する略四角形のダイ
パッドと前記ダイパッドの周縁に配置され、一端をダイ
パッドに向けたインナーリードによって構成されるエッ
チングリードフレームにおいて、金属素材を表裏別々に
エッチングした後にさらにもう1回のエッチングを施し
リードの形状を形成したことを特徴とするリードフレー
ム。
2. An etching lead frame comprising a substantially square die pad on which an integrated circuit chip is mounted and inner leads arranged on the periphery of the die pad and having one end facing the die pad, after the metal material is separately etched on the front and back sides. A lead frame characterized in that the shape of the lead is formed by performing another etching.
【請求項3】請求項1記載の前記エッチングリードフレ
ームにおいて、金属素材を表裏別々にエッチングしリー
ドの形状を形成したことを特徴とするリードフレームの
製造方法。
3. The method of manufacturing a lead frame according to claim 1, wherein the lead shape is formed by separately etching a metal material on the front and back sides.
【請求項4】請求項1記載の前記エッチングリードフレ
ームにおいて、金属素材を表裏別々にエッチングした後
にさらにもう1回のエッチングを施しリードの形状を形
成したことを特徴とするリードフレームの製造方法。
4. The method of manufacturing a lead frame according to claim 1, wherein the metal material is separately etched on the front and back sides, and then the shape of the lead is formed by performing another etching.
【請求項5】金属素材を表裏別々にエッチングしリード
の形状を形成したことを特徴とする請求項1記載のリー
ドフレームを用いた半導体装置。
5. A semiconductor device using a lead frame according to claim 1, wherein the metal material is separately etched to form leads.
【請求項6】金属素材を表裏別々にエッチングした後に
さらにもう1回のエッチングを施しリードの形状を形成
したことを特徴とする請求項2記載のリードフレームを
用いた半導体装置。
6. The semiconductor device using a lead frame according to claim 2, wherein the lead material is formed by etching the metal material separately for the front and back surfaces and then performing another etching.
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