JPH10270618A - リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 - Google Patents
リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置Info
- Publication number
- JPH10270618A JPH10270618A JP9070267A JP7026797A JPH10270618A JP H10270618 A JPH10270618 A JP H10270618A JP 9070267 A JP9070267 A JP 9070267A JP 7026797 A JP7026797 A JP 7026797A JP H10270618 A JPH10270618 A JP H10270618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- etching
- lead frame
- metal material
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Weting (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】リードフレームのリード幅を広く形成すること
のできる製造方法および構造およびそれを用いた半導体
装置を提供することにある。 【解決手段】エッチングによりリードフレームを形成す
る際の工程において、リードフレームのベースである金
属素材１０の表裏を別々にエッチングして各リードを形
成する。また、金属素材１０の表裏を別々にエッチング
した後に、さらにもう一度エッチングを行いリードを形
成する。 【効果】インナーリード４およびアウターリード７の表
裏どちらか片側または表裏両面の平坦幅を広くすること
ができ、組立工程内での不良発生を抑えることができ
る。
のできる製造方法および構造およびそれを用いた半導体
装置を提供することにある。 【解決手段】エッチングによりリードフレームを形成す
る際の工程において、リードフレームのベースである金
属素材１０の表裏を別々にエッチングして各リードを形
成する。また、金属素材１０の表裏を別々にエッチング
した後に、さらにもう一度エッチングを行いリードを形
成する。 【効果】インナーリード４およびアウターリード７の表
裏どちらか片側または表裏両面の平坦幅を広くすること
ができ、組立工程内での不良発生を抑えることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路チップを
搭載する集積回路用エッチングリードフレーム及びその
製造方法に関するものである。
搭載する集積回路用エッチングリードフレーム及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の技術を図５および図６を用
いて説明する。
いて説明する。
【０００３】図５は集積回路チップを搭載するリードフ
レームの一例を示す平面図である。フレーム枠１は略中
央に集積回路チップを搭載固着するダイパッド２を有し
ている。更にダイパッド２はタイバー３によってフレー
ム枠１に支持されている。又フレーム枠１の内壁からは
多数の細いインナーリード４が前記ダイパッド２に向か
って延在しており、各インナーリード４はモールド工程
でモールドエリア５内の樹脂封止時に樹脂の流出を防止
する為のダムバー６で支持されている。このダムバー６
はダイパッド２に搭載固着された集積回路チップとイン
ナーリード４のダイパッド側先端部をワイヤで配線する
際の補強部材にもなっており樹脂封止後各リード間のダ
ムバー６を切断する。ダムバー６の切断によってその外
側部分のアウターリード７はそれぞれ分離される。
レームの一例を示す平面図である。フレーム枠１は略中
央に集積回路チップを搭載固着するダイパッド２を有し
ている。更にダイパッド２はタイバー３によってフレー
ム枠１に支持されている。又フレーム枠１の内壁からは
多数の細いインナーリード４が前記ダイパッド２に向か
って延在しており、各インナーリード４はモールド工程
でモールドエリア５内の樹脂封止時に樹脂の流出を防止
する為のダムバー６で支持されている。このダムバー６
はダイパッド２に搭載固着された集積回路チップとイン
ナーリード４のダイパッド側先端部をワイヤで配線する
際の補強部材にもなっており樹脂封止後各リード間のダ
ムバー６を切断する。ダムバー６の切断によってその外
側部分のアウターリード７はそれぞれ分離される。
【０００４】図６はインナーリード４またはアウターリ
ード７の形状が形成される過程を示した断面図である。
脱脂処理を済ませたエッチングリードフレームの金属素
材１０の表裏両面にレジスト１１を塗布する。続いて露
光、現像を行い金属素材１０をエッチングした後レジス
トを剥離し、インナーリード４およびアウターリード７
の形状を形成する。もちろんこの時ダイパッド２、タイ
バー３、ダムバー６などの部分の形状も同時に形成され
る。図６は露光、現像後の状態から示したものである
が、このとき金属素材１０の表裏両面から同時にエッチ
ングが行われインナーリード４およびアウターリード７
の形状が形成される。
ード７の形状が形成される過程を示した断面図である。
脱脂処理を済ませたエッチングリードフレームの金属素
材１０の表裏両面にレジスト１１を塗布する。続いて露
光、現像を行い金属素材１０をエッチングした後レジス
トを剥離し、インナーリード４およびアウターリード７
の形状を形成する。もちろんこの時ダイパッド２、タイ
バー３、ダムバー６などの部分の形状も同時に形成され
る。図６は露光、現像後の状態から示したものである
が、このとき金属素材１０の表裏両面から同時にエッチ
ングが行われインナーリード４およびアウターリード７
の形状が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように半導体用
エッチングリードフレームの製造過程では、図６のよう
に金属素材１０の表裏両面から同時にエッチングが行わ
れインナーリード４、アウターリード７および他の部分
の形状が形成される。このように形状を形成されたイン
ナーリード４およびアウターリード７の表面、裏面の平
坦部の幅は、深さ方向と同時にサイド方向へ金属素材１
０のエッチングが進行するためリードの表面、裏面共々
図６に示したレジスト１１の幅よりもどうしてもかなり
狭いものとなってしまう。数値的にはレジストの幅を１
２０〜１５０μｍとった場合、出来上がりのリードの幅
は７０〜１００μｍ程度になってしまう。インナーリー
ドピッチが微細な多ピンリードフレームではレジストの
幅を狭めなければならず、サイドエッチング量を考える
とワイヤーボンディング時に必要なリードの平坦幅が得
られない。
エッチングリードフレームの製造過程では、図６のよう
に金属素材１０の表裏両面から同時にエッチングが行わ
れインナーリード４、アウターリード７および他の部分
の形状が形成される。このように形状を形成されたイン
ナーリード４およびアウターリード７の表面、裏面の平
坦部の幅は、深さ方向と同時にサイド方向へ金属素材１
０のエッチングが進行するためリードの表面、裏面共々
図６に示したレジスト１１の幅よりもどうしてもかなり
狭いものとなってしまう。数値的にはレジストの幅を１
２０〜１５０μｍとった場合、出来上がりのリードの幅
は７０〜１００μｍ程度になってしまう。インナーリー
ドピッチが微細な多ピンリードフレームではレジストの
幅を狭めなければならず、サイドエッチング量を考える
とワイヤーボンディング時に必要なリードの平坦幅が得
られない。
【０００６】現在生産の行われている半導体装置は、イ
ンナーリードの微細化が進んでいる状況にある。
ンナーリードの微細化が進んでいる状況にある。
【０００７】インナーリード４の平坦幅がワイヤーボン
ディングに必要十分とされる幅よりも狭いと、集積回路
チップとインナーリード４のダイパッド側先端部をワイ
ヤで圧着する際にワイヤーとインナーリード４との未圧
着や圧着強度不足などの不良が多発する。つまり、これ
らの不良はワイヤとインナーリード４を圧着する際に、
ワイヤ自体に形成されるボール径よりもインナーリード
４の幅が狭いこと、またウインドクランパーによりイン
ナーリード４を押さえるときにインナーリード面の裏面
の幅が狭いとインナーリード４が不安定となりリードが
ガタつくことに起因している。
ディングに必要十分とされる幅よりも狭いと、集積回路
チップとインナーリード４のダイパッド側先端部をワイ
ヤで圧着する際にワイヤーとインナーリード４との未圧
着や圧着強度不足などの不良が多発する。つまり、これ
らの不良はワイヤとインナーリード４を圧着する際に、
ワイヤ自体に形成されるボール径よりもインナーリード
４の幅が狭いこと、またウインドクランパーによりイン
ナーリード４を押さえるときにインナーリード面の裏面
の幅が狭いとインナーリード４が不安定となりリードが
ガタつくことに起因している。
【０００８】また、表裏の平坦幅が狭いアウターリード
７は、樹脂封止の後に行われるフォーミング工程におい
てアウターリード７が左右どちらかに曲がってしまった
り表面実装型のパッケージでは各リードの高さが不均一
になるなどの不良の原因となっている。
７は、樹脂封止の後に行われるフォーミング工程におい
てアウターリード７が左右どちらかに曲がってしまった
り表面実装型のパッケージでは各リードの高さが不均一
になるなどの不良の原因となっている。
【０００９】したがってインナーリード４およびアウタ
ーリード７の表裏両面あるいは表裏片面の平坦幅を図６
に示したレジスト１１の幅と同等の幅に形成することの
できるリードフレームを提供することが強く望まれた。
ーリード７の表裏両面あるいは表裏片面の平坦幅を図６
に示したレジスト１１の幅と同等の幅に形成することの
できるリードフレームを提供することが強く望まれた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】集積回路チップを搭載す
る略四角形のダイパッドと前記ダイパッドの周縁に配置
され、一端をダイパッドに向けたインナーリードによっ
て構成されるエッチングリードフレームにおいて、金属
素材を表裏別々にエッチングしリードの形状を形成した
ことで達成される。
る略四角形のダイパッドと前記ダイパッドの周縁に配置
され、一端をダイパッドに向けたインナーリードによっ
て構成されるエッチングリードフレームにおいて、金属
素材を表裏別々にエッチングしリードの形状を形成した
ことで達成される。
【００１１】また、エッチングリードフレームの金属素
材を表裏別々にエッチングした後にさらにもう１回のエ
ッチングを施しリードの形状を形成したことで達成され
る。
材を表裏別々にエッチングした後にさらにもう１回のエ
ッチングを施しリードの形状を形成したことで達成され
る。
【００１２】
【作用】リードフレームの金属素材１０を表裏別々にエ
ッチングまたは表裏別々にエッチングした後にさらにも
う１回のエッチングを施しリードの形状を形成すること
により、リード部の平坦幅をエッチング前のレジストの
幅と同等にすることができる。
ッチングまたは表裏別々にエッチングした後にさらにも
う１回のエッチングを施しリードの形状を形成すること
により、リード部の平坦幅をエッチング前のレジストの
幅と同等にすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図１〜図
４を用いて説明する。
４を用いて説明する。
【００１４】図１は本発明の第１の実施例で、インナー
リード４またはアウターリード７の断面を製造順に列挙
したエッチングリードフレームの製造工程概略図であ
る。
リード４またはアウターリード７の断面を製造順に列挙
したエッチングリードフレームの製造工程概略図であ
る。
【００１５】脱脂処理を済ませた金属素材１０の表裏両
面にレジスト１１を塗布し、続いて露光、現像を行った
のが図（ａ）である。
面にレジスト１１を塗布し、続いて露光、現像を行った
のが図（ａ）である。
【００１６】次に表裏どちらかの面に耐エッチング液性
の樹脂１２を充填するか、あるいは既に塗布してあるレ
ジスト１１と種類の異なるレジスト１２を塗布する。こ
のとき既に塗布してあるレジスト１１と種類の違うレジ
スト１２を塗布するのは、レジスト剥離が選択的に行え
ることを目的としている。
の樹脂１２を充填するか、あるいは既に塗布してあるレ
ジスト１１と種類の異なるレジスト１２を塗布する。こ
のとき既に塗布してあるレジスト１１と種類の違うレジ
スト１２を塗布するのは、レジスト剥離が選択的に行え
ることを目的としている。
【００１７】その後、図（ｂ）に示したように前記の耐
エッチング液性の樹脂またはレジスト１２で覆った面と
反対の面の金属素材１０のエッチングを行う。このとき
従来技術である金属素材１０を両面同時にエッチングし
たものよりも深さ方向へ進行しないようにエッチング時
間等のエッチングレートを変えて制御する。
エッチング液性の樹脂またはレジスト１２で覆った面と
反対の面の金属素材１０のエッチングを行う。このとき
従来技術である金属素材１０を両面同時にエッチングし
たものよりも深さ方向へ進行しないようにエッチング時
間等のエッチングレートを変えて制御する。
【００１８】こうすることにより、サイド方向へのエッ
チングも従来技術により形成した場合よりも抑えられる
ことになり、平坦幅の広いリードの形成が可能となる。
チングも従来技術により形成した場合よりも抑えられる
ことになり、平坦幅の広いリードの形成が可能となる。
【００１９】続いて図（ｃ）のように前記の耐エッチン
グ液性の樹脂またはレジスト１２を剥離し、今度はエッ
チングした反対面に耐エッチング液性の樹脂１２を充填
するか、あるいは既に塗布してあるレジスト１１と種類
の異なるレジスト１２を塗布する。前記の耐エッチング
液性の樹脂またはレジスト１２で覆った面と反対の面の
金属素材１０のエッチングを行い、形状形成を完結させ
る。
グ液性の樹脂またはレジスト１２を剥離し、今度はエッ
チングした反対面に耐エッチング液性の樹脂１２を充填
するか、あるいは既に塗布してあるレジスト１１と種類
の異なるレジスト１２を塗布する。前記の耐エッチング
液性の樹脂またはレジスト１２で覆った面と反対の面の
金属素材１０のエッチングを行い、形状形成を完結させ
る。
【００２０】最後に前記の耐エッチング液性の樹脂また
はレジスト１２と前記レジスト１１を剥離し、インナー
リード４またはアウターリード７の形状作製を完了す
る。
はレジスト１２と前記レジスト１１を剥離し、インナー
リード４またはアウターリード７の形状作製を完了す
る。
【００２１】つまり図１のようにリードを形成すること
により、金属素材１０の深さ方向へのエッチングは、素
材の表裏どちらか片側では従来技術により形成された場
合よりも浅いものとなる。必然的にサイド方向へのエッ
チングも素材の表裏どちらか片側では従来技術により形
成された場合よりも進行を抑えられる。つまり形成され
るインナーリード４またはアウターリード７の片側面の
平坦幅を従来技術により形成された場合より広くするこ
とができる。
により、金属素材１０の深さ方向へのエッチングは、素
材の表裏どちらか片側では従来技術により形成された場
合よりも浅いものとなる。必然的にサイド方向へのエッ
チングも素材の表裏どちらか片側では従来技術により形
成された場合よりも進行を抑えられる。つまり形成され
るインナーリード４またはアウターリード７の片側面の
平坦幅を従来技術により形成された場合より広くするこ
とができる。
【００２２】図２は本発明の第２の実施例で、インナー
リード４またはアウターリード７の断面を製造順に列挙
したエッチングリードフレームの製造工程概略図であ
る。
リード４またはアウターリード７の断面を製造順に列挙
したエッチングリードフレームの製造工程概略図であ
る。
【００２３】表裏どちらかの面に耐エッチング液性の樹
脂１２を充填するか、あるいはレジスト１１と種類の違
うレジスト１２を塗布しエッチングを行うところまで図
１で示した第１の実施例と全く同様である。
脂１２を充填するか、あるいはレジスト１１と種類の違
うレジスト１２を塗布しエッチングを行うところまで図
１で示した第１の実施例と全く同様である。
【００２４】次ぎに前記の耐エッチング液性の樹脂１２
またはレジスト１２を剥離し、今度はエッチングした反
対面に耐エッチング液性の樹脂１２を充填するか、ある
いは既に塗布してあるレジスト１１と種類の異なるレジ
スト１２を塗布する。前記の耐エッチング液性の樹脂ま
たはレジスト１２で覆った面と反対の面の金属素材１０
のエッチングを行う。このとき反対面のエッチングと同
様に、従来技術である金属素材１０を両面同時にエッチ
ングしたものよりも深さ方向へ進行しないように制御す
る。
またはレジスト１２を剥離し、今度はエッチングした反
対面に耐エッチング液性の樹脂１２を充填するか、ある
いは既に塗布してあるレジスト１１と種類の異なるレジ
スト１２を塗布する。前記の耐エッチング液性の樹脂ま
たはレジスト１２で覆った面と反対の面の金属素材１０
のエッチングを行う。このとき反対面のエッチングと同
様に、従来技術である金属素材１０を両面同時にエッチ
ングしたものよりも深さ方向へ進行しないように制御す
る。
【００２５】次ぎに既に塗布してあるレジスト１１と種
類の異なるレジスト１２を金属素材１０の全面に塗布す
る。
類の異なるレジスト１２を金属素材１０の全面に塗布す
る。
【００２６】このように処理した金属素材１０のインナ
ーリード４またはアウターリード７の全体を露光、現像
処理し、間隔部分をエッチングする。
ーリード４またはアウターリード７の全体を露光、現像
処理し、間隔部分をエッチングする。
【００２７】最後に２種類のレジスト１１、１２を剥離
し、インナーリード４またはアウターリード７の形状作
製を完了する。
し、インナーリード４またはアウターリード７の形状作
製を完了する。
【００２８】こうすることにより、表裏両面ともサイド
方向へのエッチングが従来技術により製造したものより
も抑えられることになり、平坦幅の広いリードの形成が
可能となる。
方向へのエッチングが従来技術により製造したものより
も抑えられることになり、平坦幅の広いリードの形成が
可能となる。
【００２９】図３は本発明の第３の実施例で、インナー
リード４またはアウターリード７の断面を製造順に列挙
したエッチングリードフレームの製造工程概略図であ
る。
リード４またはアウターリード７の断面を製造順に列挙
したエッチングリードフレームの製造工程概略図であ
る。
【００３０】これは図２で示した本発明の第２の実施例
とその製造方法は全く同様であるが、表裏片面のレジス
トの幅を広くしたものである。
とその製造方法は全く同様であるが、表裏片面のレジス
トの幅を広くしたものである。
【００３１】また、図３は本発明の第３の実施例で、イ
ンナーリード４またはアウターリード７の断面を製造順
に列挙したエッチングリードフレームの製造工程概略図
である。
ンナーリード４またはアウターリード７の断面を製造順
に列挙したエッチングリードフレームの製造工程概略図
である。
【００３２】これもまた、図２で示した本発明の第２の
実施例とその製造方法は全く同様であるが、表裏両面の
レジストの幅を広くしたものである。
実施例とその製造方法は全く同様であるが、表裏両面の
レジストの幅を広くしたものである。
【００３３】このようにレジストの幅を製造工程能力内
で変更することにより、従来技術に比べて平坦幅の広い
リードが得られる上に選択的に表裏の幅やそのバランス
をコントロールすることも可能となる。
で変更することにより、従来技術に比べて平坦幅の広い
リードが得られる上に選択的に表裏の幅やそのバランス
をコントロールすることも可能となる。
【００３４】以上、本発明に係わる実施例を説明してき
た。本実施例ではレジストおよび耐エッチング性樹脂の
材質や厚さ等を限定しない例として説明しているが、こ
れらは本発明の実施例が達成できるものであればどのよ
うなものでもよい。また素材の深さ方向、サイド方向の
エッチング量についても特定していないが、これもまた
本発明の実施例が達成できるものであればどのように設
定してもかまわない。
た。本実施例ではレジストおよび耐エッチング性樹脂の
材質や厚さ等を限定しない例として説明しているが、こ
れらは本発明の実施例が達成できるものであればどのよ
うなものでもよい。また素材の深さ方向、サイド方向の
エッチング量についても特定していないが、これもまた
本発明の実施例が達成できるものであればどのように設
定してもかまわない。
【００３５】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明は、エッ
チングリードフレームの金属素材を表裏別々にエッチン
グするか、表裏別々にエッチングしたあとさらにもう１
回のエッチングをしリードの形状を形成することによっ
て、インナーリードおよびアウターリードの表裏どちら
か片側または表裏両面の平坦幅を従来技術で製作したリ
ードよりも広くすることが可能となる。このためワイヤ
ーボンディングの際の圧着強度不足不良や樹脂封止の後
に行われるフォーミング工程においてアウターリードが
左右どちらかに曲がってしまうリードスキュー不良、さ
らには表面実装型のパッケージでの各リードの高さが不
均一になるコープラナリティー不良などのを防ぐことが
できるという優れた効果がある。
チングリードフレームの金属素材を表裏別々にエッチン
グするか、表裏別々にエッチングしたあとさらにもう１
回のエッチングをしリードの形状を形成することによっ
て、インナーリードおよびアウターリードの表裏どちら
か片側または表裏両面の平坦幅を従来技術で製作したリ
ードよりも広くすることが可能となる。このためワイヤ
ーボンディングの際の圧着強度不足不良や樹脂封止の後
に行われるフォーミング工程においてアウターリードが
左右どちらかに曲がってしまうリードスキュー不良、さ
らには表面実装型のパッケージでの各リードの高さが不
均一になるコープラナリティー不良などのを防ぐことが
できるという優れた効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示すリード形成過程図
（断面図）。
（断面図）。
【図２】本発明の第２の実施例を示すリード形成過程図
（断面図）。
（断面図）。
【図３】本発明の第３の実施例を示すリード形成過程図
（断面図）。
（断面図）。
【図４】本発明の第４の実施例を示すリード形成過程図
（断面図）。
（断面図）。
【図５】リードフレーム全体図（平面図）。
【図６】従来の方法を示すリード形成過程図（平面
図）。
図）。
１…フレーム枠 ２…ダイパッド ３…タイバー ４…インナーリード ５…モールドエリア ６…ダムバー ７…アウターリード ８…ＩＣチップ ９…金ワイヤー １０…フレーム素材 １１…レジスト １２…耐エッチング液性の樹脂・レジスト
Claims (6)
- 【請求項１】集積回路チップを搭載する略四角形のダイ
パッドと前記ダイパッドの周縁に配置され、一端をダイ
パッドに向けたインナーリードによって構成されるエッ
チングリードフレームにおいて、金属素材を表裏別々に
エッチングしリードの形状を形成したことを特徴とする
リードフレーム。 - 【請求項２】集積回路チップを搭載する略四角形のダイ
パッドと前記ダイパッドの周縁に配置され、一端をダイ
パッドに向けたインナーリードによって構成されるエッ
チングリードフレームにおいて、金属素材を表裏別々に
エッチングした後にさらにもう１回のエッチングを施し
リードの形状を形成したことを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項３】請求項１記載の前記エッチングリードフレ
ームにおいて、金属素材を表裏別々にエッチングしリー
ドの形状を形成したことを特徴とするリードフレームの
製造方法。 - 【請求項４】請求項１記載の前記エッチングリードフレ
ームにおいて、金属素材を表裏別々にエッチングした後
にさらにもう１回のエッチングを施しリードの形状を形
成したことを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項５】金属素材を表裏別々にエッチングしリード
の形状を形成したことを特徴とする請求項１記載のリー
ドフレームを用いた半導体装置。 - 【請求項６】金属素材を表裏別々にエッチングした後に
さらにもう１回のエッチングを施しリードの形状を形成
したことを特徴とする請求項２記載のリードフレームを
用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9070267A JPH10270618A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9070267A JPH10270618A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270618A true JPH10270618A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13426590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9070267A Withdrawn JPH10270618A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270618A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011151069A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
| KR101139971B1 (ko) | 2008-10-14 | 2012-04-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 능동소자 매립형 리드 프레임 및 반도체 패키지 및 그의 제조방법 |
| JP2012104542A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Toppan Printing Co Ltd | Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム及びそれを用いたｌｅｄパッケージ、およびその製造方法 |
| US8659131B2 (en) | 2008-09-25 | 2014-02-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Structure for multi-row lead frame and semiconductor package capable of minimizing an under-cut |
| CN103745968A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-04-23 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 封装结构及其制备方法 |
| US9362473B2 (en) | 2010-11-02 | 2016-06-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| US9887331B2 (en) | 2010-03-30 | 2018-02-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP9070267A patent/JPH10270618A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8659131B2 (en) | 2008-09-25 | 2014-02-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Structure for multi-row lead frame and semiconductor package capable of minimizing an under-cut |
| KR101139971B1 (ko) | 2008-10-14 | 2012-04-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 능동소자 매립형 리드 프레임 및 반도체 패키지 및 그의 제조방법 |
| JP2011151069A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
| US9887331B2 (en) | 2010-03-30 | 2018-02-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate |
| US9362473B2 (en) | 2010-11-02 | 2016-06-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| US9412923B2 (en) | 2010-11-02 | 2016-08-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| US9553247B2 (en) | 2010-11-02 | 2017-01-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| US9773960B2 (en) | 2010-11-02 | 2017-09-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| US9899583B2 (en) | 2010-11-02 | 2018-02-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| JP2012104542A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Toppan Printing Co Ltd | Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム及びそれを用いたｌｅｄパッケージ、およびその製造方法 |
| CN103745968A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-04-23 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 封装结构及其制备方法 |
| CN103745968B (zh) * | 2014-01-26 | 2016-06-01 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 封装结构及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7102210B2 (en) | Lead frame, manufacturing method of the same, and semiconductor device using the same | |
| JPH11195742A (ja) | 半導体装置及びその製造方法とそれに用いるリードフレーム | |
| JPH08222682A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPH03177060A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH10270618A (ja) | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 | |
| JP2936769B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| CN101385139B (zh) | 基于引线框架的半导体封装件中或与之相关的改进及其制造方法 | |
| JPH11260990A (ja) | リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3529915B2 (ja) | リードフレーム部材及びその製造方法 | |
| JP3992877B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH08316392A (ja) | リードフレームの製造方法とリードフレーム | |
| JP3418769B2 (ja) | リードフレームの製造方法及びリードフレーム | |
| JPH118335A (ja) | 回路基板及びその製造方法とこれを用いた半導体パッケージの製造方法 | |
| JPH11177011A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法およびリードフレーム | |
| JP2704128B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 | |
| JP3419922B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1117091A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2796641B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH08139266A (ja) | リードフレーム部材及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH08264705A (ja) | 半導体装置及びそれを用いた実装構造及び実装方法 | |
| JPH08335661A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06291244A (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
| JPH05235248A (ja) | リードフレーム | |
| JPH06151682A (ja) | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 | |
| JPH1187598A (ja) | リードフレーム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |