JPH10273375A - 結晶成長炉用ペディスタル装置 - Google Patents
結晶成長炉用ペディスタル装置Info
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- JPH10273375A JPH10273375A JP9317397A JP9317397A JPH10273375A JP H10273375 A JPH10273375 A JP H10273375A JP 9317397 A JP9317397 A JP 9317397A JP 9317397 A JP9317397 A JP 9317397A JP H10273375 A JPH10273375 A JP H10273375A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大重量の単結晶が落下した場合にるつぼ軸の
破損などを防止する。 【解決手段】 ペディスタル３は隔壁３ｃより上の部分
３ａと、隔壁３ｃより下の部分であってるつぼ軸１が嵌
合する部分３ｂが共に中空で形成され、中空部３ａ、３
ｂの間に隔壁３ｃが形成されている。ペディスタル３の
隔壁３ｃより上の部分の中空部３ａの内径は、るつぼ軸
１の直径以上のサイズで形成されている。ボルト２は隔
壁３ｃを介してるつぼ軸１とペディスタル３を固定し、
また、ペディスタル３の隔壁３ｃより上の部分の中空部
３ａ内には、高熱に耐え得る例えば炭素繊維などの緩衝
材９が配置されている。単結晶１１が石英るつぼ６の上
に落下した場合、落下衝撃によりペディスタル３が荷重
が受けたときにるつぼ軸１がペディスタル３の隔壁３ｃ
より上の部分の中空部３ａに貫通する。
破損などを防止する。 【解決手段】 ペディスタル３は隔壁３ｃより上の部分
３ａと、隔壁３ｃより下の部分であってるつぼ軸１が嵌
合する部分３ｂが共に中空で形成され、中空部３ａ、３
ｂの間に隔壁３ｃが形成されている。ペディスタル３の
隔壁３ｃより上の部分の中空部３ａの内径は、るつぼ軸
１の直径以上のサイズで形成されている。ボルト２は隔
壁３ｃを介してるつぼ軸１とペディスタル３を固定し、
また、ペディスタル３の隔壁３ｃより上の部分の中空部
３ａ内には、高熱に耐え得る例えば炭素繊維などの緩衝
材９が配置されている。単結晶１１が石英るつぼ６の上
に落下した場合、落下衝撃によりペディスタル３が荷重
が受けたときにるつぼ軸１がペディスタル３の隔壁３ｃ
より上の部分の中空部３ａに貫通する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、引上げＣＺ（Czoc
hralski）法によりＳｉ（シリコン）の無転位の単結晶
を製造するための結晶成長炉用ペディスタル装置に関す
る。
hralski）法によりＳｉ（シリコン）の無転位の単結晶
を製造するための結晶成長炉用ペディスタル装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、引上げＣＺ法による単結晶製造
装置では、高耐圧気密チャンバ内を１０torr程度に減圧
して新鮮なＡｒ（アルゴン）ガスを流すとともに、チャ
ンバ内の下方に設けられた石英るつぼ内の多結晶を加熱
して溶融し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬し、
種結晶と石英るつぼを回転、上下移動させながら種結晶
を引き上げることにより、種結晶の下に上端が突出した
円錐形の上部コーン部と、円筒形のボディー部と下端が
突出した円錐形の下部コーン部より成る単結晶（いわゆ
るインゴット）を成長させるように構成されている。
装置では、高耐圧気密チャンバ内を１０torr程度に減圧
して新鮮なＡｒ（アルゴン）ガスを流すとともに、チャ
ンバ内の下方に設けられた石英るつぼ内の多結晶を加熱
して溶融し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬し、
種結晶と石英るつぼを回転、上下移動させながら種結晶
を引き上げることにより、種結晶の下に上端が突出した
円錐形の上部コーン部と、円筒形のボディー部と下端が
突出した円錐形の下部コーン部より成る単結晶（いわゆ
るインゴット）を成長させるように構成されている。
【０００３】従来、このような単結晶製造装置において
石英るつぼをチャンバ内に配置する場合、るつぼ回転モ
ータにより回転及び上下移動可能な金属製のるつぼ軸の
上にグラファイト製のペディスタル（台座・支柱）が配
置され、更にその上にるつぼ皿が配置され、更にその上
にグラファイト製のグラファイトるつぼが配置され、更
にその中に石英るつぼが配置されている。るつぼ回転モ
ータとるつぼ軸の下方の部分はチャンバの外側に設けら
れ、また、るつぼ軸の中には冷却用の水が循環してい
る。
石英るつぼをチャンバ内に配置する場合、るつぼ回転モ
ータにより回転及び上下移動可能な金属製のるつぼ軸の
上にグラファイト製のペディスタル（台座・支柱）が配
置され、更にその上にるつぼ皿が配置され、更にその上
にグラファイト製のグラファイトるつぼが配置され、更
にその中に石英るつぼが配置されている。るつぼ回転モ
ータとるつぼ軸の下方の部分はチャンバの外側に設けら
れ、また、るつぼ軸の中には冷却用の水が循環してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
ウェハの大径化の要求に伴って単結晶も大型化し、例え
ば直径が４００ｍｍ、重量が４００ｋｇのような大径、
大重量の単結晶が望まれている。しかしながら、このよ
うな大重量の単結晶が引き上げ中に落下すると、るつぼ
軸がその衝撃により変形、破損したり、また、破損しな
いまでも、るつぼ軸を回転させるためのモータ軸受けが
抜けて大気が低圧の炉内に流れ込み、炉内のグラファイ
トが燃焼するという問題点がある。また、最悪の場合に
は、るつぼ軸内の冷却水と高温の融液が反応して水蒸気
爆発が発生することもある。
ウェハの大径化の要求に伴って単結晶も大型化し、例え
ば直径が４００ｍｍ、重量が４００ｋｇのような大径、
大重量の単結晶が望まれている。しかしながら、このよ
うな大重量の単結晶が引き上げ中に落下すると、るつぼ
軸がその衝撃により変形、破損したり、また、破損しな
いまでも、るつぼ軸を回転させるためのモータ軸受けが
抜けて大気が低圧の炉内に流れ込み、炉内のグラファイ
トが燃焼するという問題点がある。また、最悪の場合に
は、るつぼ軸内の冷却水と高温の融液が反応して水蒸気
爆発が発生することもある。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑み、大重量の単結
晶が落下した場合に、るつぼ軸や、その回転機構などの
破損などを防止することができる結晶成長炉用ペディス
タル装置を提供することを目的とする。
晶が落下した場合に、るつぼ軸や、その回転機構などの
破損などを防止することができる結晶成長炉用ペディス
タル装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、ペディスタルをるつぼ軸が嵌合する第１の
中空部とその上の第２の中空部を有する中空構造とし、
第２の中空部の内径をるつぼ軸の外径以上のサイズに形
成したものである。
するために、ペディスタルをるつぼ軸が嵌合する第１の
中空部とその上の第２の中空部を有する中空構造とし、
第２の中空部の内径をるつぼ軸の外径以上のサイズに形
成したものである。
【０００７】すなわち本発明によれば、石英るつぼを回
転、昇降させるためのるつぼ軸と、前記るつぼ軸が嵌合
する第１の中空部を下方に有し、前記第１の中空部の上
に内径が前記るつぼ軸の外径以上である第２の中空部を
有し、前記第１の中空部と前記第２の中空部の間には所
定の力が加わると破断する隔壁を有した管状部と、前記
管状部の上部に前記石英るつぼ又はその載置装置を支持
するフランジ部を有するペディスタルとを、有する結晶
成長炉用ペディスタル装置が提供される。
転、昇降させるためのるつぼ軸と、前記るつぼ軸が嵌合
する第１の中空部を下方に有し、前記第１の中空部の上
に内径が前記るつぼ軸の外径以上である第２の中空部を
有し、前記第１の中空部と前記第２の中空部の間には所
定の力が加わると破断する隔壁を有した管状部と、前記
管状部の上部に前記石英るつぼ又はその載置装置を支持
するフランジ部を有するペディスタルとを、有する結晶
成長炉用ペディスタル装置が提供される。
【０００８】また本発明によれば、石英るつぼを回転、
昇降させるためのるつぼ軸と、前記るつぼ軸が嵌合する
第１の中空部を下方に有し、前記第１の中空部の上に内
径が前記るつぼ軸の外径以上である第２の中空部を有
し、前記第１の中空部と前記第２の中空部の間には所定
の力が加わると破断する取り付け部材により取り付けら
れた隔壁を有した管状部と、前記管状部の上部に前記石
英るつぼ又はその載置装置を支持するフランジ部を有す
るペディスタルとを、有する結晶成長炉用ペディスタル
装置が提供される。
昇降させるためのるつぼ軸と、前記るつぼ軸が嵌合する
第１の中空部を下方に有し、前記第１の中空部の上に内
径が前記るつぼ軸の外径以上である第２の中空部を有
し、前記第１の中空部と前記第２の中空部の間には所定
の力が加わると破断する取り付け部材により取り付けら
れた隔壁を有した管状部と、前記管状部の上部に前記石
英るつぼ又はその載置装置を支持するフランジ部を有す
るペディスタルとを、有する結晶成長炉用ペディスタル
装置が提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明に係る結晶成長炉用
ペディスタル装置の第１実施形態を示す断面図、図２は
図１のペディスタル装置において単結晶が落下した状態
を示す断面図である。
施の形態を説明する。図１は本発明に係る結晶成長炉用
ペディスタル装置の第１実施形態を示す断面図、図２は
図１のペディスタル装置において単結晶が落下した状態
を示す断面図である。
【００１０】図１において、金属製のるつぼ軸１は、る
つぼ回転モータＭ（図３参照）により回転及び上下移動
が可能であり、また、その内部には冷却水が循環してい
る。るつぼ軸１の上には、ボルト２を介してグラファイ
ト製の台座としてのペディスタル３が固定されている。
ペディスタル３は管状部３ｄとその上部にあるフランジ
部３ｅを有している。管状部３ｄは、図中上方のフラン
ジ部３ｅよりの部分３ａと、下方の部分であって、るつ
ぼ軸１が嵌合する部分３ｂを有していて、これらの２つ
の部分３ａ、３ｂは共に中空で形成されている。これら
の中空部３ａ、３ｂの間には隔壁３ｃが形成されてい
る。ペディスタル３の隔壁３より上中空部３ａの内径
は、るつぼ軸１の直径以上のサイズとなるよう形成され
ている。隔壁３ｃには貫通孔が設けられ、この貫通孔を
通して係合部材としてのボルト２が設けられ、ボルト２
によりるつぼ軸１とペディスタル３が固定されている。
また、ペディスタル３の隔壁３より上の中空部３ａ内に
は、高熱に耐え得る、例えば炭素繊維などの緩衝材９が
配置されている。
つぼ回転モータＭ（図３参照）により回転及び上下移動
が可能であり、また、その内部には冷却水が循環してい
る。るつぼ軸１の上には、ボルト２を介してグラファイ
ト製の台座としてのペディスタル３が固定されている。
ペディスタル３は管状部３ｄとその上部にあるフランジ
部３ｅを有している。管状部３ｄは、図中上方のフラン
ジ部３ｅよりの部分３ａと、下方の部分であって、るつ
ぼ軸１が嵌合する部分３ｂを有していて、これらの２つ
の部分３ａ、３ｂは共に中空で形成されている。これら
の中空部３ａ、３ｂの間には隔壁３ｃが形成されてい
る。ペディスタル３の隔壁３より上中空部３ａの内径
は、るつぼ軸１の直径以上のサイズとなるよう形成され
ている。隔壁３ｃには貫通孔が設けられ、この貫通孔を
通して係合部材としてのボルト２が設けられ、ボルト２
によりるつぼ軸１とペディスタル３が固定されている。
また、ペディスタル３の隔壁３より上の中空部３ａ内に
は、高熱に耐え得る、例えば炭素繊維などの緩衝材９が
配置されている。
【００１１】ペディスタル３の上方のフランジ部３ｅに
は、るつぼ皿４がネジ４ａにより固定され、また、るつ
ぼ皿４の上にはカーボンるつぼ５が配置され、カーボン
るつぼ５の中に石英るつぼ６が配置されている。石英る
つぼ６の周りには、石英るつぼ内の多結晶を加熱して溶
融するためのヒータ７が配置され、また、ヒータ７の周
りや下方には断熱材８が配置されている。
は、るつぼ皿４がネジ４ａにより固定され、また、るつ
ぼ皿４の上にはカーボンるつぼ５が配置され、カーボン
るつぼ５の中に石英るつぼ６が配置されている。石英る
つぼ６の周りには、石英るつぼ内の多結晶を加熱して溶
融するためのヒータ７が配置され、また、ヒータ７の周
りや下方には断熱材８が配置されている。
【００１２】このような構成において、シリコンの単結
晶１１を製造する場合、石英るつぼ内６の多結晶をヒー
タ７により加熱して溶融し、この融液の表面に不図示の
種結晶を上から浸漬し、種結晶を回転・上昇させるとと
もに、るつぼ軸モータＭにより石英るつぼ６を回転、上
昇させながら種結晶を引き上げることにより、種結晶の
下に上端が突出した円錐形の上部コーン部と、円筒形の
ボディー部と下端が突出した円錐形の下部コーン部より
成る単結晶（いわゆるインゴット）１１を成長させる。
なお、図１に示す単結晶１１は引き上げが完了した状態
を示している。
晶１１を製造する場合、石英るつぼ内６の多結晶をヒー
タ７により加熱して溶融し、この融液の表面に不図示の
種結晶を上から浸漬し、種結晶を回転・上昇させるとと
もに、るつぼ軸モータＭにより石英るつぼ６を回転、上
昇させながら種結晶を引き上げることにより、種結晶の
下に上端が突出した円錐形の上部コーン部と、円筒形の
ボディー部と下端が突出した円錐形の下部コーン部より
成る単結晶（いわゆるインゴット）１１を成長させる。
なお、図１に示す単結晶１１は引き上げが完了した状態
を示している。
【００１３】そして、もし、図２中の矢印で示すように
単結晶１１が石英るつぼ６の上に落下した場合、ペディ
スタル３の隔壁３ｃより上の部分の中空部３ａの内径が
るつぼ軸１の直径以上であるので、落下衝撃によりペデ
ィスタル３が荷重が受けたときに、るつぼ軸１がペディ
スタル３の隔壁３ｃを破断して、その上の部分の中空部
３ａに貫通する。したがって、ペディスタル３などは図
示の破断箇所２６のように破損しても、るつぼ軸１は破
損を免れることができる。また、隔壁３ｃを単結晶１１
の落下による衝撃で破断する程度の強度にすることによ
り、隔壁３ｃの破断により、るつぼ軸１に伝わる衝撃力
を弱めることができる。さらに、ペディスタル３の隔壁
３ｃより上の部分の中空部３ａに緩衝材９が配置されて
いるので、隔壁３ｃが破断した後、るつぼ軸１とるつぼ
皿４が衝突しないよう衝撃力を吸収することができる。
単結晶１１が石英るつぼ６の上に落下した場合、ペディ
スタル３の隔壁３ｃより上の部分の中空部３ａの内径が
るつぼ軸１の直径以上であるので、落下衝撃によりペデ
ィスタル３が荷重が受けたときに、るつぼ軸１がペディ
スタル３の隔壁３ｃを破断して、その上の部分の中空部
３ａに貫通する。したがって、ペディスタル３などは図
示の破断箇所２６のように破損しても、るつぼ軸１は破
損を免れることができる。また、隔壁３ｃを単結晶１１
の落下による衝撃で破断する程度の強度にすることによ
り、隔壁３ｃの破断により、るつぼ軸１に伝わる衝撃力
を弱めることができる。さらに、ペディスタル３の隔壁
３ｃより上の部分の中空部３ａに緩衝材９が配置されて
いるので、隔壁３ｃが破断した後、るつぼ軸１とるつぼ
皿４が衝突しないよう衝撃力を吸収することができる。
【００１４】ところで、図１に示す構成では、ペディス
タル３の上部のフランジ部３ｅの上にはるつぼ皿４がネ
ジ４ａにより固定されているので、衝撃をある程度吸収
することができるが、第２実施形態を示す図３にあるよ
うに、るつぼ皿４をネジ４ａにより固定せず、単にペデ
ィスタル３の上に載置するものが知られている。そこ
で、このような構成の場合には、図３中の上方の矢印で
示すように単結晶１１が石英るつぼ６の上に落下した場
合、ペディスタル３の管状部３ｄの下方への動き（下方
の矢印参照）にダンピングを与える弾性部材からなる緩
衝材９を、例えば図示のように管状部３ｄの下端に当接
可能とし、かつ、るつぼ軸１の周りに配置することによ
り、るつぼ軸１に伝わる衝撃力を弱めることができる。
なお、上記第１及び第２実施形態では、ペディスタル３
をボルト２により、るつぼ軸１に固定したが、単に隔壁
３ｃのみで形成してボルト２を省略してもよい。
タル３の上部のフランジ部３ｅの上にはるつぼ皿４がネ
ジ４ａにより固定されているので、衝撃をある程度吸収
することができるが、第２実施形態を示す図３にあるよ
うに、るつぼ皿４をネジ４ａにより固定せず、単にペデ
ィスタル３の上に載置するものが知られている。そこ
で、このような構成の場合には、図３中の上方の矢印で
示すように単結晶１１が石英るつぼ６の上に落下した場
合、ペディスタル３の管状部３ｄの下方への動き（下方
の矢印参照）にダンピングを与える弾性部材からなる緩
衝材９を、例えば図示のように管状部３ｄの下端に当接
可能とし、かつ、るつぼ軸１の周りに配置することによ
り、るつぼ軸１に伝わる衝撃力を弱めることができる。
なお、上記第１及び第２実施形態では、ペディスタル３
をボルト２により、るつぼ軸１に固定したが、単に隔壁
３ｃのみで形成してボルト２を省略してもよい。
【００１５】図１の構成の場合、図４に示すように隔壁
３ｃの厚みｔを決定する手法について説明する。るつぼ
軸１に通常かかる最大荷重をＷ（ｋｇ）、安全係数を
α、るつぼ軸１の耐衝撃力をＦ１（ｋｇ）とすると、隔
壁３ｃの破断強度Ｆ２（ｋｇ）が、αＷ＜Ｆ２＜Ｆ１を
満足するよう、隔壁の厚さｔを設計する。
３ｃの厚みｔを決定する手法について説明する。るつぼ
軸１に通常かかる最大荷重をＷ（ｋｇ）、安全係数を
α、るつぼ軸１の耐衝撃力をＦ１（ｋｇ）とすると、隔
壁３ｃの破断強度Ｆ２（ｋｇ）が、αＷ＜Ｆ２＜Ｆ１を
満足するよう、隔壁の厚さｔを設計する。
【００１６】図５は図１の構成とは異なる本発明の第３
実施形態にかかるペディスタル３の例を示す部分断面図
である。図１では、隔壁３ｃがペディスタル３の管状部
３ｄと一体となっていたが、図５に示すように独立した
隔壁３０ｃをボルト２０ａ、２０ｂにて管状部３０ｄに
固定するようにしてもよい。３０ａ、３０ｂは中空部、
１２は中空部３０ａに保持された緩衝材である。この場
合、ボルト２０ａ、２０ｂの破断強度Ｆ３を適切に設定
する必要がある。すなわち、上記と同様に、αＷ＜Ｆ３
＜Ｆ１を満足するよう、ボルト２０ａ、２０ｂの材質、
太さ、本数などを設計する。ボルト２０ａ、２０ｂの材
質としては、カーボン、カーボン繊維、セラミックスな
ど耐熱素材の中から適当なものを選定することができ
る。
実施形態にかかるペディスタル３の例を示す部分断面図
である。図１では、隔壁３ｃがペディスタル３の管状部
３ｄと一体となっていたが、図５に示すように独立した
隔壁３０ｃをボルト２０ａ、２０ｂにて管状部３０ｄに
固定するようにしてもよい。３０ａ、３０ｂは中空部、
１２は中空部３０ａに保持された緩衝材である。この場
合、ボルト２０ａ、２０ｂの破断強度Ｆ３を適切に設定
する必要がある。すなわち、上記と同様に、αＷ＜Ｆ３
＜Ｆ１を満足するよう、ボルト２０ａ、２０ｂの材質、
太さ、本数などを設計する。ボルト２０ａ、２０ｂの材
質としては、カーボン、カーボン繊維、セラミックスな
ど耐熱素材の中から適当なものを選定することができ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ペ
ディスタルをるつぼ軸が嵌合する第１の中空部とその上
の第２の中空部を有する中空構造とし、第２の中空部の
内径をるつぼ軸の外径以上に形成したので、大重量の単
結晶が落下した場合に、るつぼ軸がペディスタルの第２
の中空部に貫通し、したがって、るつぼ軸や、その回転
機構などの破損を防止することができる。
ディスタルをるつぼ軸が嵌合する第１の中空部とその上
の第２の中空部を有する中空構造とし、第２の中空部の
内径をるつぼ軸の外径以上に形成したので、大重量の単
結晶が落下した場合に、るつぼ軸がペディスタルの第２
の中空部に貫通し、したがって、るつぼ軸や、その回転
機構などの破損を防止することができる。
【図１】本発明に係る結晶成長炉用ペディスタル装置の
第１実施形態を示す断面図である。
第１実施形態を示す断面図である。
【図２】図１のペディスタル装置において単結晶が落下
した状態を示す断面図である。
した状態を示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態の結晶成長炉用ペディス
タル装置を示す断面図である。
タル装置を示す断面図である。
【図４】図１の構成の実施形態における隔壁の設計手法
を説明する模式図である。
を説明する模式図である。
【図５】本発明の第３実施形態の結晶成長炉用ペディス
タル装置の要部を示す断面図である。
タル装置の要部を示す断面図である。
１ るつぼ軸 ２、２０ａ、２０ｂ ボルト ３、３０ ペディスタル ３ａ、３ｂ、３０ａ、３０ｂ 中空部 ３ｃ、３０ｃ 隔壁 ３ｄ、３０ｄ 管状部 ３ｅ フランジ部 ４ るつぼ皿 ４ａ ネジ ５ カーボンるつぼ ６ 石英るつぼ ７ ヒータ ８ 断熱材 ９、１０、１２ 緩衝材 １１ 単結晶 ２６ 破断箇所
Claims (6)
- 【請求項１】 石英るつぼを回転、昇降させるためのる
つぼ軸と、 前記るつぼ軸が嵌合する第１の中空部を下方に有し、前
記第１の中空部の上に内径が前記るつぼ軸の外径以上で
ある第２の中空部を有し、前記第１の中空部と前記第２
の中空部の間には所定の力が加わると破断する隔壁を有
した管状部と、前記管状部の上部に前記石英るつぼ又は
その載置装置を支持するフランジ部を有するペディスタ
ルとを、 有する結晶成長炉用ペディスタル装置。 - 【請求項２】 石英るつぼを回転、昇降させるためのる
つぼ軸と、 前記るつぼ軸が嵌合する第１の中空部を下方に有し、前
記第１の中空部の上に内径が前記るつぼ軸の外径以上で
ある第２の中空部を有し、前記第１の中空部と前記第２
の中空部の間には所定の力が加わると破断する取り付け
部材により取り付けられた隔壁を有した管状部と、前記
管状部の上部に前記石英るつぼ又はその載置装置を支持
するフランジ部を有するペディスタルとを、 有する結晶成長炉用ペディスタル装置。 - 【請求項３】 前記第２の中空部の内部に緩衝材を設け
た請求項１又は２記載の結晶成長炉用ペディスタル装
置。 - 【請求項４】 前記隔壁に貫通孔が設けられ、前記貫通
孔を通して前記第１の中空部から前記第２の中空部に通
じ、かつ前記第１の中空部において前記るつぼ軸に係合
する係合手段が設けられている請求項１乃至３のいずれ
か１つに記載の結晶成長炉用ペディスタル装置。 - 【請求項５】 前記ペディスタルの前記管状部が相対的
に下方に移動するときに、前記管状部の動きにダンピン
グを与える緩衝材を設けた請求項１ないし４のいずれか
１つに記載の結晶成長炉用ペディスタル装置。 - 【請求項６】 前記管状部の動きにダンピングを与える
緩衝材が、前記管状部の下端に当接可能で、前記るつぼ
軸の周囲に配された弾性部材である請求項５記載の結晶
成長炉用ペディスタル装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9317397A JPH10273375A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 結晶成長炉用ペディスタル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9317397A JPH10273375A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 結晶成長炉用ペディスタル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10273375A true JPH10273375A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=14075187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9317397A Withdrawn JPH10273375A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 結晶成長炉用ペディスタル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10273375A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030050334A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 주식회사 실트론 | 실리콘 잉곳 성장장치 |
| KR101005947B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2011-01-06 | 주식회사 실트론 | 도가니 지지대 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 제조장치 |
| JP2011195375A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Fuji Electric Co Ltd | 単結晶成長方法および装置 |
| JP2016147772A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | トヨタ自動車株式会社 | 単結晶製造装置 |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP9317397A patent/JPH10273375A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030050334A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 주식회사 실트론 | 실리콘 잉곳 성장장치 |
| KR101005947B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2011-01-06 | 주식회사 실트론 | 도가니 지지대 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 제조장치 |
| JP2011195375A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Fuji Electric Co Ltd | 単結晶成長方法および装置 |
| JP2016147772A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | トヨタ自動車株式会社 | 単結晶製造装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |