JPH0710687A - 半導体単結晶引き上げ装置のシードチャック - Google Patents
半導体単結晶引き上げ装置のシードチャックInfo
- Publication number
- JPH0710687A JPH0710687A JP17231193A JP17231193A JPH0710687A JP H0710687 A JPH0710687 A JP H0710687A JP 17231193 A JP17231193 A JP 17231193A JP 17231193 A JP17231193 A JP 17231193A JP H0710687 A JPH0710687 A JP H0710687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- seed
- chuck
- spindle
- single crystal
- seed chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 19
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 6
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 9
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＺ法による半導体単結晶の引き上げにおい
て、耐熱性、耐熱衝撃性に優れ、単結晶に対する重金属
汚染等の発生を防止することができるような、単結晶引
き上げ装置のシードチャックを提供する。 【構成】 シードチャックを炭素材からなるスピンドル
チャック１と、炭素繊維複合材からなるシードチャック
スピンドル２、スピンドルピン３、シードピン４とによ
って構成する。シャフト方式の単結晶引き上げ装置の場
合、引き上げシャフト５の下端にスピンドルチャック１
を螺着し、スピンドルチャック１の下部に設けられた孔
にシードチャックスピンドル２を挿嵌し、スピンドルピ
ン３で固定する。種子結晶６はシードチャックスピンド
ル２の下部に設けた孔２ａに挿嵌し、シードピン４で固
定する。スピンドルチャック１とシードチャックスピン
ドル２とを、炭素材または炭素繊維複合材からなる一体
成形品としてもよい。
て、耐熱性、耐熱衝撃性に優れ、単結晶に対する重金属
汚染等の発生を防止することができるような、単結晶引
き上げ装置のシードチャックを提供する。 【構成】 シードチャックを炭素材からなるスピンドル
チャック１と、炭素繊維複合材からなるシードチャック
スピンドル２、スピンドルピン３、シードピン４とによ
って構成する。シャフト方式の単結晶引き上げ装置の場
合、引き上げシャフト５の下端にスピンドルチャック１
を螺着し、スピンドルチャック１の下部に設けられた孔
にシードチャックスピンドル２を挿嵌し、スピンドルピ
ン３で固定する。種子結晶６はシードチャックスピンド
ル２の下部に設けた孔２ａに挿嵌し、シードピン４で固
定する。スピンドルチャック１とシードチャックスピン
ドル２とを、炭素材または炭素繊維複合材からなる一体
成形品としてもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体単結晶引き上げ
装置のシードチャックに関する。
装置のシードチャックに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の基本材料であるシリコ
ン単結晶の製造方法の一つとして、るつぼ内の原料融液
から円柱状の単結晶を引き上げるチョクラルスキー法
（以下ＣＺ法という）が用いられている。ＣＺ法による
単結晶引き上げ装置にはシャフト方式とワイヤ方式とが
あるが、図３はシャフト方式の単結晶引き上げ装置の模
式図で、チャンバ１０内に設置したるつぼ１１に高純度
の多結晶シリコンを充填し、この多結晶シリコンを前記
るつぼ１１の外周を取り巻くように設けたヒータ１２に
よって加熱溶解する。そして、引き上げシャフト５に螺
着されたシードチャック１３に取り付けた種子結晶６を
融液１４に浸漬し、前記引き上げシャフト５とるつぼ１
１とを同方向または逆方向に回転しつつ引き上げシャフ
ト５を引き上げてシリコン単結晶を成長させる。なお、
１５は前記ヒータ１２の周囲に設けられた円筒状の断熱
材である。
ン単結晶の製造方法の一つとして、るつぼ内の原料融液
から円柱状の単結晶を引き上げるチョクラルスキー法
（以下ＣＺ法という）が用いられている。ＣＺ法による
単結晶引き上げ装置にはシャフト方式とワイヤ方式とが
あるが、図３はシャフト方式の単結晶引き上げ装置の模
式図で、チャンバ１０内に設置したるつぼ１１に高純度
の多結晶シリコンを充填し、この多結晶シリコンを前記
るつぼ１１の外周を取り巻くように設けたヒータ１２に
よって加熱溶解する。そして、引き上げシャフト５に螺
着されたシードチャック１３に取り付けた種子結晶６を
融液１４に浸漬し、前記引き上げシャフト５とるつぼ１
１とを同方向または逆方向に回転しつつ引き上げシャフ
ト５を引き上げてシリコン単結晶を成長させる。なお、
１５は前記ヒータ１２の周囲に設けられた円筒状の断熱
材である。
【０００３】図４はワイヤ方式の単結晶引き上げ装置に
用いられるシードチャックの一例を示す断面図で、シー
ドチャック１６は引き上げワイヤ８の下端に連結ピン９
を用いて釣支され、種子結晶６はシードチャック１６に
設けた孔に挿入した上、シードピン４によって係止され
る。シャフト方式、ワイヤ方式のいずれの場合も前記シ
ードチャックは熱衝撃に強いことが要求されるため、一
般にモリブデン鋼製のものが使用されている。
用いられるシードチャックの一例を示す断面図で、シー
ドチャック１６は引き上げワイヤ８の下端に連結ピン９
を用いて釣支され、種子結晶６はシードチャック１６に
設けた孔に挿入した上、シードピン４によって係止され
る。シャフト方式、ワイヤ方式のいずれの場合も前記シ
ードチャックは熱衝撃に強いことが要求されるため、一
般にモリブデン鋼製のものが使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体単結晶の
大径化に伴い、シードチャックに加えられる熱衝撃が大
きくなっている。このためモリブデン鋼製のシードチャ
ックでは、シードチャックと種子結晶との嵌合部あるい
はシードチャックと引き上げ軸または引き上げワイヤと
の結合部に噛み込みを起こして脱着不能となったり、高
温における機械的精度の悪化、脱ガスによる不純物の生
成とこれに伴う単結晶の重金属による汚染等の問題が発
生している。本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、耐熱性、耐熱衝撃性に優れ、単結晶に対す
る重金属汚染等を発生させない半導体単結晶引き上げ装
置のシードチャックを提供することを目的としている。
大径化に伴い、シードチャックに加えられる熱衝撃が大
きくなっている。このためモリブデン鋼製のシードチャ
ックでは、シードチャックと種子結晶との嵌合部あるい
はシードチャックと引き上げ軸または引き上げワイヤと
の結合部に噛み込みを起こして脱着不能となったり、高
温における機械的精度の悪化、脱ガスによる不純物の生
成とこれに伴う単結晶の重金属による汚染等の問題が発
生している。本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、耐熱性、耐熱衝撃性に優れ、単結晶に対す
る重金属汚染等を発生させない半導体単結晶引き上げ装
置のシードチャックを提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体単結晶引き上げ装置のシードチ
ャックは、少なくとも種子結晶取り付け部を炭素材で構
成するものとし、または、シードチャックの種子結晶取
り付け部に炭素繊維複合材を用い、引き上げシャフトま
たは引き上げワイヤとの連結部を炭素材で構成してもよ
く、あるいは、シードチャックを、一体成形の炭素材ま
たは炭素繊維複合材で構成してもよい。
め、本発明に係る半導体単結晶引き上げ装置のシードチ
ャックは、少なくとも種子結晶取り付け部を炭素材で構
成するものとし、または、シードチャックの種子結晶取
り付け部に炭素繊維複合材を用い、引き上げシャフトま
たは引き上げワイヤとの連結部を炭素材で構成してもよ
く、あるいは、シードチャックを、一体成形の炭素材ま
たは炭素繊維複合材で構成してもよい。
【０００６】
【作用】上記構成によれば、シャフト方式、ワイヤ方式
を問わず、半導体単結晶引き上げ装置のシードチャック
において、少なくとも種子結晶取り付け部を炭素材で構
成し、もしくは種子結晶取り付け部に炭素繊維複合材を
用い、引き上げシャフトまたは引き上げワイヤとの連結
部を炭素材で構成するか、またはシードチャックを一体
成形の炭素材または炭素繊維複合材で構成したので、こ
れらのシードチャックは従来から使用されているモリブ
デン鋼製のシードチャックに比べて耐熱性、耐熱衝撃性
に優れたものとなる。。また、単結晶に対する重金属汚
染等の問題発生を防止することができる。
を問わず、半導体単結晶引き上げ装置のシードチャック
において、少なくとも種子結晶取り付け部を炭素材で構
成し、もしくは種子結晶取り付け部に炭素繊維複合材を
用い、引き上げシャフトまたは引き上げワイヤとの連結
部を炭素材で構成するか、またはシードチャックを一体
成形の炭素材または炭素繊維複合材で構成したので、こ
れらのシードチャックは従来から使用されているモリブ
デン鋼製のシードチャックに比べて耐熱性、耐熱衝撃性
に優れたものとなる。。また、単結晶に対する重金属汚
染等の問題発生を防止することができる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体単結晶引き上げ
装置のシードチャックの実施例について、図面を参照し
て説明する。図１はシャフト方式の単結晶引き上げ装置
に用いられるシードチャックの一実施態様を示す断面図
で、このシードチャックはスピンドルチャック１、シー
ドチャックスピンドル２、スピンドルピン３、シードピ
ン４の４個の部品で構成されている。スピンドルチャッ
ク１は円筒状の炭素材からなり、上部には引き上げシャ
フト５に連結するための孔１ａとめねじ１ｂとが設けら
れ、外周にはスピンドルチャック１を引き上げシャフト
５の下端に螺着する際のスパナ掛け用切り欠き１ｃが設
けられている。スピンドルチャック１の下部に設けられ
た孔には炭素繊維複合材からなるシードチャックスピン
ドル２が挿嵌され、前記スピンドルチャック１とシード
チャックスピンドル２とを貫通するスピンドルピン３に
よって、スピンドルチャック１からシードチャックスピ
ンドル２が脱落することを防止している。また、シード
チャックスピンドル２の下部には、種子結晶６を挿嵌す
る孔２ａと種子結晶６の脱落を防止するピン孔とが設け
られ、このピン孔にシードピン４が挿嵌されている。前
記スピンドルピン３およびシードピン４の材質はいずれ
も炭素繊維複合材である。
装置のシードチャックの実施例について、図面を参照し
て説明する。図１はシャフト方式の単結晶引き上げ装置
に用いられるシードチャックの一実施態様を示す断面図
で、このシードチャックはスピンドルチャック１、シー
ドチャックスピンドル２、スピンドルピン３、シードピ
ン４の４個の部品で構成されている。スピンドルチャッ
ク１は円筒状の炭素材からなり、上部には引き上げシャ
フト５に連結するための孔１ａとめねじ１ｂとが設けら
れ、外周にはスピンドルチャック１を引き上げシャフト
５の下端に螺着する際のスパナ掛け用切り欠き１ｃが設
けられている。スピンドルチャック１の下部に設けられ
た孔には炭素繊維複合材からなるシードチャックスピン
ドル２が挿嵌され、前記スピンドルチャック１とシード
チャックスピンドル２とを貫通するスピンドルピン３に
よって、スピンドルチャック１からシードチャックスピ
ンドル２が脱落することを防止している。また、シード
チャックスピンドル２の下部には、種子結晶６を挿嵌す
る孔２ａと種子結晶６の脱落を防止するピン孔とが設け
られ、このピン孔にシードピン４が挿嵌されている。前
記スピンドルピン３およびシードピン４の材質はいずれ
も炭素繊維複合材である。
【０００８】本実施例においてシードチャックスピンド
ル２、スピンドルピン３、シードピン４に炭素繊維複合
材を用い、スピンドルチャック１のみを炭素材としたの
は、炭素繊維複合材が高価なためその使用を制限したこ
とによる。スピンドルチャック１とシードチャックスピ
ンドル２とに炭素材を用い、スピンドルピン３、シード
ピン４に炭素繊維複合材を用いてもよい。また、スピン
ドルチャック１とシードチャックスピンドル２とを一体
成形の炭素材または炭素繊維複合材で構成し、シードピ
ン４に炭素繊維複合材を用いてもよい。シードチャック
を、モリブデン鋼から炭素材または炭素繊維複合材に代
えることにより、従来の問題点はすべて解決することが
できる。ただし、炭素材または炭素繊維複合材はモリブ
デン鋼に比べて強度が低く、製造ロット間の強度のばら
つきも大きいので、シードチャックの設計に当たって十
分な安全率を考慮する必要がある。
ル２、スピンドルピン３、シードピン４に炭素繊維複合
材を用い、スピンドルチャック１のみを炭素材としたの
は、炭素繊維複合材が高価なためその使用を制限したこ
とによる。スピンドルチャック１とシードチャックスピ
ンドル２とに炭素材を用い、スピンドルピン３、シード
ピン４に炭素繊維複合材を用いてもよい。また、スピン
ドルチャック１とシードチャックスピンドル２とを一体
成形の炭素材または炭素繊維複合材で構成し、シードピ
ン４に炭素繊維複合材を用いてもよい。シードチャック
を、モリブデン鋼から炭素材または炭素繊維複合材に代
えることにより、従来の問題点はすべて解決することが
できる。ただし、炭素材または炭素繊維複合材はモリブ
デン鋼に比べて強度が低く、製造ロット間の強度のばら
つきも大きいので、シードチャックの設計に当たって十
分な安全率を考慮する必要がある。
【０００９】図２はワイヤ方式の単結晶引き上げ装置に
用いられるシードチャックの一実施態様を示す断面図
で、このシードチャックは炭素材からなるスピンドルチ
ャック７と、炭素繊維複合材からなるシードチャックス
ピンドル２、スピンドルピン３、シードピン４とによっ
て構成されている。前記スピンドルチャック７の上部に
は、引き上げワイヤ８の下端に枢支される凹部とピン孔
とが設けられ、このピン孔と引き上げワイヤ８の下端に
設けたピン孔とに連結ピン９を挿通して引き上げワイヤ
８とスピンドルチャック７とを連結する。シードチャッ
クスピンドル２、スピンドルピン３、シードピン４の構
造はシャフト方式の場合と同一である。
用いられるシードチャックの一実施態様を示す断面図
で、このシードチャックは炭素材からなるスピンドルチ
ャック７と、炭素繊維複合材からなるシードチャックス
ピンドル２、スピンドルピン３、シードピン４とによっ
て構成されている。前記スピンドルチャック７の上部に
は、引き上げワイヤ８の下端に枢支される凹部とピン孔
とが設けられ、このピン孔と引き上げワイヤ８の下端に
設けたピン孔とに連結ピン９を挿通して引き上げワイヤ
８とスピンドルチャック７とを連結する。シードチャッ
クスピンドル２、スピンドルピン３、シードピン４の構
造はシャフト方式の場合と同一である。
【００１０】ワイヤ方式の単結晶引き上げ装置におい
て、シードチャックをモリブデン鋼製のものから図２に
示した炭素材と炭素繊維複合材との組み合わせ品に代え
た場合、シードチャックの自重が小さいため、単結晶引
き上げの初期段階では引き上げワイヤを十分に引っ張る
ことができない。引き上げワイヤが曲がったままになっ
ていると種子結晶が垂直に保持されず、結晶品質に悪影
響を与える。このような不具合を防止するため、ワイヤ
方式の場合は引き上げワイヤにダミー荷重を掛ける構造
とすることが望ましい。
て、シードチャックをモリブデン鋼製のものから図２に
示した炭素材と炭素繊維複合材との組み合わせ品に代え
た場合、シードチャックの自重が小さいため、単結晶引
き上げの初期段階では引き上げワイヤを十分に引っ張る
ことができない。引き上げワイヤが曲がったままになっ
ていると種子結晶が垂直に保持されず、結晶品質に悪影
響を与える。このような不具合を防止するため、ワイヤ
方式の場合は引き上げワイヤにダミー荷重を掛ける構造
とすることが望ましい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
ードチャックの少なくとも種子結晶取り付け部を炭素材
で構成し、あるいは種子結晶取り付け部に炭素繊維複合
材を用い、引き上げシャフトまたは引き上げワイヤとの
連結部を炭素材で構成するか、またはシードチャックを
一体成形の炭素材または炭素繊維複合材で構成したの
で、従来から使用されているモリブデン鋼製のシードチ
ャックに比べて耐熱性、耐熱衝撃性が向上する。これに
より、モリブデン鋼製のシードチャックに発生していた
シードチャックと種子結晶との結合部あるいはシードチ
ャックと引き上げ軸または引き上げワイヤとの結合部の
噛み込み現象や、高温における機械的精度の悪化の問題
が解決される。また、モリブデン鋼の脱ガスによって発
生する単結晶の重金属汚染等の問題も同時に解決するこ
とができ、半導体単結晶の品質維持が可能となる。
ードチャックの少なくとも種子結晶取り付け部を炭素材
で構成し、あるいは種子結晶取り付け部に炭素繊維複合
材を用い、引き上げシャフトまたは引き上げワイヤとの
連結部を炭素材で構成するか、またはシードチャックを
一体成形の炭素材または炭素繊維複合材で構成したの
で、従来から使用されているモリブデン鋼製のシードチ
ャックに比べて耐熱性、耐熱衝撃性が向上する。これに
より、モリブデン鋼製のシードチャックに発生していた
シードチャックと種子結晶との結合部あるいはシードチ
ャックと引き上げ軸または引き上げワイヤとの結合部の
噛み込み現象や、高温における機械的精度の悪化の問題
が解決される。また、モリブデン鋼の脱ガスによって発
生する単結晶の重金属汚染等の問題も同時に解決するこ
とができ、半導体単結晶の品質維持が可能となる。
【図１】シャフト方式におけるシードチャックの一実施
態様を示す断面図である。
態様を示す断面図である。
【図２】ワイヤ方式におけるシードチャックの一実施態
様を示す断面図である。
様を示す断面図である。
【図３】シャフト方式の単結晶引き上げ装置の概略構成
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図４】ワイヤ方式における従来のシードチャックの一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１，７ スピンドルチャック ２ シードチャックスピンドル ３ スピンドルピン ４ シードピン ５ 引き上げシャフト ６ 種子結晶 ８ 引き上げワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 シードチャックの少なくとも種子結晶取
り付け部を炭素材で構成したことを特徴とする半導体単
結晶引き上げ装置のシードチャック。 - 【請求項２】 シードチャックの種子結晶取り付け部に
炭素繊維複合材を用い、引き上げシャフトまたは引き上
げワイヤとの連結部を炭素材で構成したことを特徴とす
る半導体単結晶引き上げ装置のシードチャック。 - 【請求項３】 シードチャックを、一体成形の炭素材ま
たは炭素繊維複合材で構成したことを特徴とする半導体
単結晶引き上げ装置のシードチャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17231193A JPH0710687A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体単結晶引き上げ装置のシードチャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17231193A JPH0710687A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体単結晶引き上げ装置のシードチャック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0710687A true JPH0710687A (ja) | 1995-01-13 |
Family
ID=15939569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17231193A Pending JPH0710687A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体単結晶引き上げ装置のシードチャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0710687A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6203614B1 (en) | 1999-05-28 | 2001-03-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Cable assembly for crystal puller |
| CN104264230A (zh) * | 2014-09-30 | 2015-01-07 | 深圳市盛世智能装备有限公司 | 晶体生长高温炉用冷却拉杆及其制造方法 |
| CN114737252A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-07-12 | 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 | 籽晶夹头、硅芯及其制备方法 |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP17231193A patent/JPH0710687A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6203614B1 (en) | 1999-05-28 | 2001-03-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Cable assembly for crystal puller |
| CN104264230A (zh) * | 2014-09-30 | 2015-01-07 | 深圳市盛世智能装备有限公司 | 晶体生长高温炉用冷却拉杆及其制造方法 |
| CN114737252A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-07-12 | 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 | 籽晶夹头、硅芯及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5487355A (en) | Semiconductor crystal growth method | |
| EP0783047B1 (en) | Crystal Pulling Apparatus | |
| JP3841863B2 (ja) | シリコン単結晶の引き上げ方法 | |
| KR20010020314A (ko) | 단결정 원료 공급장치 및 단결정 원료 공급방법 | |
| US5779790A (en) | Method of manufacturing a silicon monocrystal | |
| JPH0710687A (ja) | 半導体単結晶引き上げ装置のシードチャック | |
| US6019836A (en) | Method for pulling a single crystal | |
| JP2833478B2 (ja) | シリコン単結晶成長方法 | |
| US5882398A (en) | Method of manufacturing single crystal of silicon | |
| JP3684769B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法および保持する方法 | |
| JPH04104988A (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JP3220542B2 (ja) | 半導体単結晶棒製造装置 | |
| US6267815B1 (en) | Method for pulling a single crystal | |
| JP2937113B2 (ja) | 種結晶保持具 | |
| JP2937119B2 (ja) | 単結晶引き上げ用種結晶保持具及び種結晶 | |
| JP4061984B2 (ja) | 単結晶引き上げ用シードチャック | |
| JP2973916B2 (ja) | 種結晶保持具及び該種結晶保持具を用いた単結晶の引き上げ方法 | |
| JPH09249491A (ja) | 引き上げ軸と種結晶保持具との連結構造 | |
| JPH1095697A (ja) | 単結晶保持方法および単結晶成長方法 | |
| JPH10273375A (ja) | 結晶成長炉用ペディスタル装置 | |
| JP7464026B2 (ja) | ボルト締結構造及びこれを用いたシリコン単結晶引上げ装置 | |
| JPH04182380A (ja) | 結晶引上げ用シードチャック | |
| JP2937122B2 (ja) | 単結晶引上げ方法 | |
| JP2937114B2 (ja) | 種結晶保持具 | |
| JP2937102B2 (ja) | 単結晶成長用種結晶の保持治具 |