JPH10274788A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板上に半導体層と、絶縁層を挟んで前記半導体層の能動領域に対向する電極を有した半導体素子を複数有した半導体装置の製造方法において、
   絶縁性の保護膜を、前記半導体層と連続的に、前記絶縁層の膜厚が最も薄い半導体素子に最適の膜厚に形成し、この保護膜を有した半導体層にレーザーアニールを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 基板上に半導体層と、絶縁層を挟んで前記半導体層の能動領域に対向する電極を有した半導体素子を複数有した半導体装置の製造方法において、
   基板上に電極を形成する工程と、
   前記電極を覆って絶縁層、絶縁層上に半導体層、及び、半導体層上に絶縁性の保護膜を、前記絶縁層の膜厚が最も薄くなる半導体素子に最適な膜厚に形成する工程と、
   前記絶縁性の保護膜が形成された側よりレーザー光を照射することにより、前記半導体層にレーザーアニールを施す工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 基板上に半導体層と、絶縁層を挟んで前記半導体層の能動領域に対向する電極を有した薄膜トランジスタを複数有した半導体装置の製造方法において、
   基板上に、第１の導電層を形成する工程と、 前記第１の導電層をパターニングすることにより第１の電極を形成する工程と、
   前記第１の電極を覆って絶縁層、絶縁層上に非晶質半導体層、及び、非晶質半導体層上に、絶縁性の保護膜となる材料膜を、前記絶縁層の膜厚が最も薄くなる薄膜トランジスタに最適な膜厚に形成する工程と、
   前記材料膜をパターニングして前記非晶質半導体層の前記第１の電極の上方の能動層となる領域に前記絶縁性の保護膜を形成する工程と、
   前記絶縁性の保護膜が形成された非晶質半導体層にレーザーアニールを施すことにより、多結晶半導体層を形成する工程と、
   前記絶縁性の保護膜が形成された多結晶半導体層上に、絶縁性の注入阻止膜となる材料膜を形成する工程と、
   前記材料膜をパターニングして前記保護膜が形成された多結晶半導体層上に、前記絶縁性の保護膜と概ね同じ形状の絶縁性の注入阻止膜を形成する工程と、
   少なくとも前記注入阻止膜をマスクとして、前記多結晶半導体層に対する不純物のイオン注入を行うことにより、前記多結晶半導体層の前記能動層の両側に不純物を含有した領
   域を形成する工程と、
   前記多結晶半導体層を覆い、かつ、前記多結晶半導体層の前記不純物を含有した領域上に開口部を有する層間絶縁層を形成する工程と、
   前記層間絶縁層上に第２の導電層を形成する工程と、
   前記第２の導電層をパターニングすることにより、前記開口部を介して前記多結晶半導体層の前記不純物を含有した領域に接続された第２の電極を形成する工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 前記絶縁性の保護膜は、あらかじめ前記絶縁性の注入阻止膜よりも少なくとも電気的能動方向に関して大きく形成され、前記注入阻止膜を形成すると同時に、前記絶縁性の保護膜は前記注入阻止膜と同じ大きさに再形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記絶縁性の保護膜、及び、前記絶縁性の注入阻止膜は、各々の材料膜上にレジストを形成する工程と、前記基板の裏面から光を照射することで、前記レジストの前記第１の電極上方領域以外の領域を感光させて前記第１の電極上方領域以外の領域を現像液に対して可溶に変性させる工程と、前記レジストを現像する工程と、このレジストをマスクとして前記材料膜をエッチングすることにより前記レジストが形成されていない領域を除去する工程とにより形成され、
   前記絶縁性の保護膜となる材料膜上のレジストを感光させるために前記基板の裏面から光を照射する工程における光の強度または／および照射時間は、前記絶縁性の注入阻止膜となる材料膜上のレジストを感光させるために前記基板の裏面から光を照射する工程における光の強度または／および照射時間は、弱いまたは／および短いことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記絶縁性の保護膜の最適な膜厚は、式 ４ｎｄ＝λ（ただし、ｎは保護膜を構成する絶縁膜の屈折率、ｄは保護膜の膜厚、λはレーザー光の波長を示す。）に従う膜厚であることを特徴とする請求項１、２、３のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。