JPH10275717A - チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents
チップ抵抗器の製造方法Info
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- JPH10275717A JPH10275717A JP9080634A JP8063497A JPH10275717A JP H10275717 A JPH10275717 A JP H10275717A JP 9080634 A JP9080634 A JP 9080634A JP 8063497 A JP8063497 A JP 8063497A JP H10275717 A JPH10275717 A JP H10275717A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カット溝を形成することなく抵抗膜の抵抗値
調整を行えるチップ抵抗器の製造方法を提供する。 【解決手段】 粉末供給機１３から供給された粉末Ｐ１
を、絶縁基板１上に形成された抵抗膜３に付着させるこ
とによってその抵抗値調整を行っているので、従来のよ
うなカット溝を抵抗膜に形成することなく抵抗値調整を
行うことができる。依って、カット溝の影響で抵抗膜が
絶縁基板から剥離したり抵抗膜の強度が低下してクラッ
クを生じることを回避して、高品質で信頼性の高いチッ
プ抵抗器を提供することができる。
調整を行えるチップ抵抗器の製造方法を提供する。 【解決手段】 粉末供給機１３から供給された粉末Ｐ１
を、絶縁基板１上に形成された抵抗膜３に付着させるこ
とによってその抵抗値調整を行っているので、従来のよ
うなカット溝を抵抗膜に形成することなく抵抗値調整を
行うことができる。依って、カット溝の影響で抵抗膜が
絶縁基板から剥離したり抵抗膜の強度が低下してクラッ
クを生じることを回避して、高品質で信頼性の高いチッ
プ抵抗器を提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗値調整に改良
を施したチップ抵抗器の製造方法に関するものである。
を施したチップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のチップ抵抗器は、取り数
に応じた大きさを有する絶縁基板上に引出電極用導体膜
及び抵抗膜を所定配列で形成し、各抵抗膜をトリミング
してその抵抗値調整を行った後、引出電極用導体膜及び
抵抗膜を覆う保護膜を形成して、これを個々のチップに
切断し、チップ両端部に外部電極を形成することにより
製造されている。
に応じた大きさを有する絶縁基板上に引出電極用導体膜
及び抵抗膜を所定配列で形成し、各抵抗膜をトリミング
してその抵抗値調整を行った後、引出電極用導体膜及び
抵抗膜を覆う保護膜を形成して、これを個々のチップに
切断し、チップ両端部に外部電極を形成することにより
製造されている。
【０００３】上記の抵抗値調整工程は、引出電極用導体
膜を検出電極として抵抗膜の抵抗値を検出しながら、Ｙ
ＡＧ等のレーザ光によって該抵抗膜にＬ字状や直線状の
カット溝を形成することにより実施されている。
膜を検出電極として抵抗膜の抵抗値を検出しながら、Ｙ
ＡＧ等のレーザ光によって該抵抗膜にＬ字状や直線状の
カット溝を形成することにより実施されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の抵抗値調整
方法では、抵抗膜自体にＬ字状や直線状のカット溝が形
成されてしまうため、抵抗膜のカット溝周辺部分が絶縁
基板から剥離する恐れがあり、また、カット溝寸法が長
くなると抵抗膜の強度が低下してクラックを生じる恐れ
がある。
方法では、抵抗膜自体にＬ字状や直線状のカット溝が形
成されてしまうため、抵抗膜のカット溝周辺部分が絶縁
基板から剥離する恐れがあり、また、カット溝寸法が長
くなると抵抗膜の強度が低下してクラックを生じる恐れ
がある。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、カット溝を形成すること
なく抵抗膜の抵抗値調整を行えるチップ抵抗器の製造方
法を提供することにある。
で、その目的とするところは、カット溝を形成すること
なく抵抗膜の抵抗値調整を行えるチップ抵抗器の製造方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、絶縁体上に抵抗膜を形成した後、その抵
抗値調整を行うチップ抵抗器の製造方法において、絶縁
体上に形成された抵抗膜に金属成分を含む粒子を付着さ
せることで該抵抗膜の抵抗値を変動させてその調整を行
う、ことをその主たる特徴としている。
め、本発明は、絶縁体上に抵抗膜を形成した後、その抵
抗値調整を行うチップ抵抗器の製造方法において、絶縁
体上に形成された抵抗膜に金属成分を含む粒子を付着さ
せることで該抵抗膜の抵抗値を変動させてその調整を行
う、ことをその主たる特徴としている。
【０００７】本発明によれば、絶縁体上に形成された抵
抗膜に金属成分を含む粒子を付着させることで該抵抗膜
の抵抗値を変動させてその調整を行うので、従来のよう
なカット溝を抵抗膜に形成することなく抵抗値調整を行
うことができる。
抗膜に金属成分を含む粒子を付着させることで該抵抗膜
の抵抗値を変動させてその調整を行うので、従来のよう
なカット溝を抵抗膜に形成することなく抵抗値調整を行
うことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１乃至図７は本発明の一実施形
態を示すもので、以下、図を参照して本実施形態に係る
チップ抵抗器の製造方法について説明する。
態を示すもので、以下、図を参照して本実施形態に係る
チップ抵抗器の製造方法について説明する。
【０００９】製造に際しては、まず、図１に示すような
取り数に応じた大きさを有する絶縁基板１を用意する。
この絶縁基板１は、Ａｌ2Ｏ3等のセラミクス粉末とバイ
ンダと溶剤等を混合して調製したセラミクススラリー
を、ドクターブレード法やスクリーン印刷法等の手法に
よってシート状に塗工し、これを乾燥し焼成することに
より作成される。
取り数に応じた大きさを有する絶縁基板１を用意する。
この絶縁基板１は、Ａｌ2Ｏ3等のセラミクス粉末とバイ
ンダと溶剤等を混合して調製したセラミクススラリー
を、ドクターブレード法やスクリーン印刷法等の手法に
よってシート状に塗工し、これを乾燥し焼成することに
より作成される。
【００１０】次に、上記の絶縁基板１の上面に、図２に
示すように、取り数に応じた数及び配列で矩形状の引出
電極用導体膜２を形成する。この引出電極用導体膜２
は、Ａｇ，Ｎｉ等の金属成分を含む粉末とバインダと溶
剤等を混合して調製した電極ペーストを、スクリーン印
刷法等の手法によって所定形状で塗工し、これを乾燥し
焼成することにより作成される。勿論、不要部分をマス
キングしながら蒸着やスパッタリングや無電解・電解メ
ッキ等の薄膜法により同様の導体膜を形成するようにし
てもよい。
示すように、取り数に応じた数及び配列で矩形状の引出
電極用導体膜２を形成する。この引出電極用導体膜２
は、Ａｇ，Ｎｉ等の金属成分を含む粉末とバインダと溶
剤等を混合して調製した電極ペーストを、スクリーン印
刷法等の手法によって所定形状で塗工し、これを乾燥し
焼成することにより作成される。勿論、不要部分をマス
キングしながら蒸着やスパッタリングや無電解・電解メ
ッキ等の薄膜法により同様の導体膜を形成するようにし
てもよい。
【００１１】次に、導体膜形成後の絶縁基板１の上面
に、図３に示すように、長手方向両端部が引出電極用導
体膜２と重なるように、取り数に応じた数及び配列で矩
形状の抵抗膜３を形成する。この抵抗膜３は、酸化ルテ
ニウム等の金属成分を含む粉末とバインダと溶剤等を混
合して調製した抵抗ペーストを、スクリーン印刷法等の
手法によって所定形状で塗工し、これを乾燥し焼成する
ことにより作成される。勿論、不要部分をマスキングし
ながら蒸着やスパッタリングや無電解・電解メッキ等の
薄膜法により同様の抵抗膜を形成するようにしてもよ
い。
に、図３に示すように、長手方向両端部が引出電極用導
体膜２と重なるように、取り数に応じた数及び配列で矩
形状の抵抗膜３を形成する。この抵抗膜３は、酸化ルテ
ニウム等の金属成分を含む粉末とバインダと溶剤等を混
合して調製した抵抗ペーストを、スクリーン印刷法等の
手法によって所定形状で塗工し、これを乾燥し焼成する
ことにより作成される。勿論、不要部分をマスキングし
ながら蒸着やスパッタリングや無電解・電解メッキ等の
薄膜法により同様の抵抗膜を形成するようにしてもよ
い。
【００１２】次に、絶縁基板１上に形成された各抵抗膜
３の抵抗値調整を、図４に示すような装置を用いて実施
する。ちなみに、図中の１１は抵抗値検出器、１２は抵
抗値検出器１１の検出端子、１３は粉末供給機である。
この粉末供給機１３は、金属成分を含む粉末Ｐ１（以下
単に粉末Ｐ１という）、例えば、酸化ルテニウム等の金
属成分を含む粉末、または同粉末とＰｂＯ＋ＭｇＯ等の
セラミック粉末との混合粉末を貯えた粉末貯留部１３ａ
と、該粉末貯留部１３ａ内の粉末Ｐ１を単位量宛導出す
る粉末導出部１３ｂと、該粉末導出部１３ｂによって導
出された粉末Ｐ１を抵抗膜３に向けて供給するノズル１
３ｃとを備えており、粉末導出部１３ｂは抵抗値検出器
１１で検出された抵抗値に基づいて制御される。
３の抵抗値調整を、図４に示すような装置を用いて実施
する。ちなみに、図中の１１は抵抗値検出器、１２は抵
抗値検出器１１の検出端子、１３は粉末供給機である。
この粉末供給機１３は、金属成分を含む粉末Ｐ１（以下
単に粉末Ｐ１という）、例えば、酸化ルテニウム等の金
属成分を含む粉末、または同粉末とＰｂＯ＋ＭｇＯ等の
セラミック粉末との混合粉末を貯えた粉末貯留部１３ａ
と、該粉末貯留部１３ａ内の粉末Ｐ１を単位量宛導出す
る粉末導出部１３ｂと、該粉末導出部１３ｂによって導
出された粉末Ｐ１を抵抗膜３に向けて供給するノズル１
３ｃとを備えており、粉末導出部１３ｂは抵抗値検出器
１１で検出された抵抗値に基づいて制御される。
【００１３】抵抗値を調整するときには、抵抗膜３の両
側に位置する引出電極用導体膜２に検出端子１２をそれ
ぞれ接触させて該抵抗膜３の抵抗値を検出しながら、抵
抗膜３をヒータ熱等によって加熱した状態で、粉末供給
機１３から粉末Ｐ１を抵抗膜３に向けて供給する。これ
により、供給された単位量の粉末Ｐ１が抵抗膜３の表面
に接合してその抵抗値が変動する。この粉末供給は抵抗
値検出器１１における検出値が所定値に達するまで断続
的に繰り返される。ここでは、粉末Ｐ１の付着によって
抵抗膜３の抵抗値を減少させることでその抵抗値調整が
図られるため、絶縁基板１上に形成される抵抗膜３の初
期抵抗値はこの減少分を見込んだ値に設定しておくこと
が望ましい。
側に位置する引出電極用導体膜２に検出端子１２をそれ
ぞれ接触させて該抵抗膜３の抵抗値を検出しながら、抵
抗膜３をヒータ熱等によって加熱した状態で、粉末供給
機１３から粉末Ｐ１を抵抗膜３に向けて供給する。これ
により、供給された単位量の粉末Ｐ１が抵抗膜３の表面
に接合してその抵抗値が変動する。この粉末供給は抵抗
値検出器１１における検出値が所定値に達するまで断続
的に繰り返される。ここでは、粉末Ｐ１の付着によって
抵抗膜３の抵抗値を減少させることでその抵抗値調整が
図られるため、絶縁基板１上に形成される抵抗膜３の初
期抵抗値はこの減少分を見込んだ値に設定しておくこと
が望ましい。
【００１４】次に、抵抗値調整後の絶縁基板１の上面全
体に、図５に示すように、絶縁性の保護膜４を形成す
る。この保護膜４は、ＳｉＯ2 等を主成分とするガラス
ペーストをスクリーン印刷法等の手法によって層状に塗
工して焼き付けるか、或いはエポキシ等の樹脂ペースト
を同様に塗工して硬化させることにより作成される。
体に、図５に示すように、絶縁性の保護膜４を形成す
る。この保護膜４は、ＳｉＯ2 等を主成分とするガラス
ペーストをスクリーン印刷法等の手法によって層状に塗
工して焼き付けるか、或いはエポキシ等の樹脂ペースト
を同様に塗工して硬化させることにより作成される。
【００１５】次に、保護膜形成後の絶縁基板１を、仮想
切断ラインに沿って切断し、図６に示すような単位チッ
プ５を得る。この切断には、ダイヤモンドホイール等の
回転ブレードによる切断を可能としたダイシング装置
や、照射レーザ光による切断を可能としたスクライビン
グ装置等が利用される。この単位チップ５は、平角状の
絶縁素子５ａの上面に抵抗膜５ｂを有し、その長手方向
両側に引出電極５ｃを有すると共に、抵抗膜５ｂ及び引
出電極５ｃを表面が平らな保護膜５ｄによって覆われて
いる。また、単位チップ５の長手方向端面それぞれに
は、引出電極５ｃの端縁が露出している。
切断ラインに沿って切断し、図６に示すような単位チッ
プ５を得る。この切断には、ダイヤモンドホイール等の
回転ブレードによる切断を可能としたダイシング装置
や、照射レーザ光による切断を可能としたスクライビン
グ装置等が利用される。この単位チップ５は、平角状の
絶縁素子５ａの上面に抵抗膜５ｂを有し、その長手方向
両側に引出電極５ｃを有すると共に、抵抗膜５ｂ及び引
出電極５ｃを表面が平らな保護膜５ｄによって覆われて
いる。また、単位チップ５の長手方向端面それぞれに
は、引出電極５ｃの端縁が露出している。
【００１６】次に、単位チップ５を多数個一括でバレル
研磨する。この研磨によって単位チップ５の角及び稜線
に丸みが形成されると共に、絶縁素子５ａ及び引出電極
５ｃに比べて研磨され易い保護膜５ｄが全体的に研磨さ
れ、引出電極５ｃの端縁の露出が顕著なものとなる。
研磨する。この研磨によって単位チップ５の角及び稜線
に丸みが形成されると共に、絶縁素子５ａ及び引出電極
５ｃに比べて研磨され易い保護膜５ｄが全体的に研磨さ
れ、引出電極５ｃの端縁の露出が顕著なものとなる。
【００１７】次に、図７（ａ）（ｂ）に示すように、研
磨後の単位チップ５の長手方向両端部に外部電極６を形
成して、引出電極５ｃの端縁露出部分と接続する。この
外部電極６は、Ａｇ，Ｎｉ等の金属成分を含む粉末とバ
インダと溶剤等を混合して調製した電極ペーストを、デ
ィップ法等の手法によって所定形状で塗布し、これを乾
燥し焼成することにより作成される。勿論、不要部分を
マスキングしながら蒸着やスパッタリングや無電解・電
解メッキ等の薄膜法により同様の導体膜を形成するよう
にしてもよい。
磨後の単位チップ５の長手方向両端部に外部電極６を形
成して、引出電極５ｃの端縁露出部分と接続する。この
外部電極６は、Ａｇ，Ｎｉ等の金属成分を含む粉末とバ
インダと溶剤等を混合して調製した電極ペーストを、デ
ィップ法等の手法によって所定形状で塗布し、これを乾
燥し焼成することにより作成される。勿論、不要部分を
マスキングしながら蒸着やスパッタリングや無電解・電
解メッキ等の薄膜法により同様の導体膜を形成するよう
にしてもよい。
【００１８】以上で所定の抵抗値を有するチップ抵抗器
が製造されるが、外部電極６の表面には必要に応じて半
田膜を外部電極９と同様の手法で形成するようにしても
よい。また、保護層４を形成する工程を２度繰り返すこ
とで、２層構造の保護膜、例えば下層がガラスで上層が
樹脂の保護膜を形成することもできる。
が製造されるが、外部電極６の表面には必要に応じて半
田膜を外部電極９と同様の手法で形成するようにしても
よい。また、保護層４を形成する工程を２度繰り返すこ
とで、２層構造の保護膜、例えば下層がガラスで上層が
樹脂の保護膜を形成することもできる。
【００１９】このように上述の製造方法によれば、絶縁
基板１上に形成された抵抗膜３に粉末Ｐ１を付着させる
ことによってその抵抗値調整を行っているので、従来の
ようなカット溝を抵抗膜に形成することなく抵抗値調整
を行うことができる。依って、カット溝の影響で、抵抗
膜が絶縁基板から剥離したり抵抗膜の強度が低下してク
ラックを生じることを回避して、高品質で信頼性の高い
チップ抵抗器を提供することができる。
基板１上に形成された抵抗膜３に粉末Ｐ１を付着させる
ことによってその抵抗値調整を行っているので、従来の
ようなカット溝を抵抗膜に形成することなく抵抗値調整
を行うことができる。依って、カット溝の影響で、抵抗
膜が絶縁基板から剥離したり抵抗膜の強度が低下してク
ラックを生じることを回避して、高品質で信頼性の高い
チップ抵抗器を提供することができる。
【００２０】尚、上記実施形態では、高抵抗の金属成分
を含む粉末Ｐ１を抵抗膜３に付着させるものを例示した
が、低抵抗の金属成分を含む粉末を材料として用いても
同様の抵抗値調整を行うことできる。
を含む粉末Ｐ１を抵抗膜３に付着させるものを例示した
が、低抵抗の金属成分を含む粉末を材料として用いても
同様の抵抗値調整を行うことできる。
【００２１】また、上記実施形態では粉末Ｐ１を抵抗膜
３に付着させることでその抵抗値調整を行うものを例示
したが、金属成分を含む粒子を抵抗膜に付着できるもの
であればこれ以外の方法でも抵抗値調整は可能である。
以下にその具体例を図８と図９を参照して説明する。
３に付着させることでその抵抗値調整を行うものを例示
したが、金属成分を含む粒子を抵抗膜に付着できるもの
であればこれ以外の方法でも抵抗値調整は可能である。
以下にその具体例を図８と図９を参照して説明する。
【００２２】図８に示した方法は、金属溶液Ｆを蒸発さ
せ、その蒸発粒子Ｐ２を抵抗膜３に付着させることでそ
の抵抗値調整を行うようにしたもので、図中の２１は抵
抗値検出器、２２は抵抗値検出器２１の検出端子、２３
は蒸発粒子供給機である。この蒸発粒子供給機２３は、
酸化ルテニウム等の高抵抗金属成分を含む粉末を有機溶
剤に加えて調製した金属溶液Ｆを貯えた溶液貯留部２３
ａと、金属溶液Ｆを加熱して蒸発させるヒータ２３ｂ
と、蒸発粒子Ｐ２を抵抗膜３に向けて導くダクト２３ｃ
と、ダクト２３ｃの開口を開閉するシャッター部２３ｄ
とを備えており、シャッター部２３ｄは抵抗値検出器２
１で検出された抵抗値に基づいて制御される。
せ、その蒸発粒子Ｐ２を抵抗膜３に付着させることでそ
の抵抗値調整を行うようにしたもので、図中の２１は抵
抗値検出器、２２は抵抗値検出器２１の検出端子、２３
は蒸発粒子供給機である。この蒸発粒子供給機２３は、
酸化ルテニウム等の高抵抗金属成分を含む粉末を有機溶
剤に加えて調製した金属溶液Ｆを貯えた溶液貯留部２３
ａと、金属溶液Ｆを加熱して蒸発させるヒータ２３ｂ
と、蒸発粒子Ｐ２を抵抗膜３に向けて導くダクト２３ｃ
と、ダクト２３ｃの開口を開閉するシャッター部２３ｄ
とを備えており、シャッター部２３ｄは抵抗値検出器２
１で検出された抵抗値に基づいて制御される。
【００２３】抵抗値を調整するときには、抵抗膜３の両
側に位置する引出電極用導体膜２に検出端子２２をそれ
ぞれ接触させて該抵抗膜３の抵抗値を検出しながら、抵
抗膜３をヒータ熱等によって加熱した状態で、蒸発粒子
供給機２３から蒸発粒子Ｐ２を抵抗膜３に向けて供給す
る。これにより、供給された蒸発粒子Ｐ２が抵抗膜３の
表面に接合してその抵抗値が変動する。この蒸発粒子供
給は抵抗値検出器２１における検出値が所定値に達する
まで継続される。ここでは、蒸発粒子Ｐ２の付着によっ
て抵抗膜３の抵抗値を減少させることでその抵抗値調整
が図られるため、絶縁基板１上に形成される抵抗膜３の
初期抵抗値はこの減少分を見込んだ値に設定しておくこ
とが望ましい。勿論、低抵抗の金属成分を含む溶液を蒸
発させるようにしても同様の抵抗値調整を行うことがで
きる。
側に位置する引出電極用導体膜２に検出端子２２をそれ
ぞれ接触させて該抵抗膜３の抵抗値を検出しながら、抵
抗膜３をヒータ熱等によって加熱した状態で、蒸発粒子
供給機２３から蒸発粒子Ｐ２を抵抗膜３に向けて供給す
る。これにより、供給された蒸発粒子Ｐ２が抵抗膜３の
表面に接合してその抵抗値が変動する。この蒸発粒子供
給は抵抗値検出器２１における検出値が所定値に達する
まで継続される。ここでは、蒸発粒子Ｐ２の付着によっ
て抵抗膜３の抵抗値を減少させることでその抵抗値調整
が図られるため、絶縁基板１上に形成される抵抗膜３の
初期抵抗値はこの減少分を見込んだ値に設定しておくこ
とが望ましい。勿論、低抵抗の金属成分を含む溶液を蒸
発させるようにしても同様の抵抗値調整を行うことがで
きる。
【００２４】図９に示した方法は、材料板Ｔにレーザ光
ＬＢを照射し、レーザアブレーションで発生した金属粒
子（分子または原子）Ｐ３を抵抗膜３に付着させること
でその抵抗値調整を行うようにしたもので、図中の３１
は抵抗値検出器、３２は抵抗値検出器３１の検出端子、
３３はＹＡＧやエキシマ等のパルスレーザから成るレー
ザ発振器、ＬＢはレーザ光、Ｔはレーザアブレーション
のターゲットと成る酸化ルテニウム等の高抵抗金属成分
を含む材料板であり、レーザ発振器３３は抵抗値検出器
３１で検出された抵抗値に基づいて制御される。
ＬＢを照射し、レーザアブレーションで発生した金属粒
子（分子または原子）Ｐ３を抵抗膜３に付着させること
でその抵抗値調整を行うようにしたもので、図中の３１
は抵抗値検出器、３２は抵抗値検出器３１の検出端子、
３３はＹＡＧやエキシマ等のパルスレーザから成るレー
ザ発振器、ＬＢはレーザ光、Ｔはレーザアブレーション
のターゲットと成る酸化ルテニウム等の高抵抗金属成分
を含む材料板であり、レーザ発振器３３は抵抗値検出器
３１で検出された抵抗値に基づいて制御される。
【００２５】抵抗値を調整するときには、抵抗膜３の両
側に位置する引出電極用導体膜２に検出端子３２をそれ
ぞれ接触させて該抵抗膜３の抵抗値を検出しながら、抵
抗膜３をヒータ熱等で加熱した状態で、レーザ発振器３
３から材料板Ｔに向けてレーザ光ＬＢを照射する。これ
により、照射レーザ光ＬＢのエネルギーによって材料板
Ｔにアブレーションが起こり、アブレーションされた金
属粒子（分子または原子）Ｐ３が抵抗膜３の表面に接合
してその抵抗値が変動する。このレーザアブレーション
は抵抗値検出器３１における検出値が所定値に達するま
で継続される。ここでは、金属粒子Ｐ３の付着によって
抵抗膜３の抵抗値を減少させることでその抵抗値調整が
図られるため、絶縁基板１上に形成される抵抗膜３の初
期抵抗値はこの減少分を見込んだ値に設定しておくこと
が望ましい。勿論、低抵抗の金属成分を含む材料板にレ
ーザ光を照射してアブレーションを発生させるようにし
ても同様の抵抗値調整を行うことができる。
側に位置する引出電極用導体膜２に検出端子３２をそれ
ぞれ接触させて該抵抗膜３の抵抗値を検出しながら、抵
抗膜３をヒータ熱等で加熱した状態で、レーザ発振器３
３から材料板Ｔに向けてレーザ光ＬＢを照射する。これ
により、照射レーザ光ＬＢのエネルギーによって材料板
Ｔにアブレーションが起こり、アブレーションされた金
属粒子（分子または原子）Ｐ３が抵抗膜３の表面に接合
してその抵抗値が変動する。このレーザアブレーション
は抵抗値検出器３１における検出値が所定値に達するま
で継続される。ここでは、金属粒子Ｐ３の付着によって
抵抗膜３の抵抗値を減少させることでその抵抗値調整が
図られるため、絶縁基板１上に形成される抵抗膜３の初
期抵抗値はこの減少分を見込んだ値に設定しておくこと
が望ましい。勿論、低抵抗の金属成分を含む材料板にレ
ーザ光を照射してアブレーションを発生させるようにし
ても同様の抵抗値調整を行うことができる。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
カット溝を抵抗膜に形成することなく抵抗値調整を行う
ことができるので、カット溝の影響で抵抗膜が絶縁体か
ら剥離したり抵抗膜の強度が低下してクラックを生じる
ことを回避して、高品質で信頼性の高いチップ抵抗器を
提供することができる。
カット溝を抵抗膜に形成することなく抵抗値調整を行う
ことができるので、カット溝の影響で抵抗膜が絶縁体か
ら剥離したり抵抗膜の強度が低下してクラックを生じる
ことを回避して、高品質で信頼性の高いチップ抵抗器を
提供することができる。
【図１】本発明に係る絶縁基板の斜視図
【図２】本発明に係る導体膜形成工程を示す図
【図３】本発明に係る抵抗膜形成工程を示す図
【図４】本発明に係る抵抗値調整工程を示す図
【図５】本発明に係る保護膜調整工程を示す図
【図６】本発明に係る切断チップの斜視図
【図７】本発明に係る外部電極形成工程を示す図とチッ
プ抵抗器の縦断面図
プ抵抗器の縦断面図
【図８】他の抵抗値調整方法を示す図
【図９】他の抵抗値調整方法を示す図
１…絶縁基板、２…引出電極用導体膜、３…抵抗膜、４
…保護膜、５…単位チップ、６…外部電極、１１…抵抗
値検出器、１２…検出端子、１３…粉末供給機、Ｐ１…
金属成分を含む粉末、２１…抵抗値検出器、２２…検出
端子、２３…蒸発粒子供給機、Ｐ２…蒸発粒子、３１…
抵抗値検出器、３２…検出端子、３３…レーザ発振器、
ＬＢ…レーザ光、Ｔ…材料板、Ｐ３…金属粒子。
…保護膜、５…単位チップ、６…外部電極、１１…抵抗
値検出器、１２…検出端子、１３…粉末供給機、Ｐ１…
金属成分を含む粉末、２１…抵抗値検出器、２２…検出
端子、２３…蒸発粒子供給機、Ｐ２…蒸発粒子、３１…
抵抗値検出器、３２…検出端子、３３…レーザ発振器、
ＬＢ…レーザ光、Ｔ…材料板、Ｐ３…金属粒子。
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁体上に抵抗膜を形成した後、その抵
抗値調整を行うチップ抵抗器の製造方法において、 絶縁体上に形成された抵抗膜に金属成分を含む粒子を付
着させることで該抵抗膜の抵抗値を変動させてその調整
を行う、 ことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。 - 【請求項２】 金属成分を含む粒子が、金属成分を含む
粉末である、 ことを特徴とする請求項１記載のチップ抵抗器の製造方
法。 - 【請求項３】 金属成分を含む粒子が、金属溶液の蒸発
粒子である、 ことを特徴とする請求項１記載のチップ抵抗器の製造方
法。 - 【請求項４】 金属成分を含む粒子が、レーザアブレー
ションで発生した粒子である、 ことを特徴とする請求項１記載のチップ抵抗器の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9080634A JPH10275717A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | チップ抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9080634A JPH10275717A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | チップ抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275717A true JPH10275717A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13723808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9080634A Pending JPH10275717A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | チップ抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10275717A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165117A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Toppan Printing Co Ltd | 抵抗素子内蔵基板およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP9080634A patent/JPH10275717A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165117A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Toppan Printing Co Ltd | 抵抗素子内蔵基板およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030729 |