JPH10275924A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造の歩留りを向上する。 【解決手段】 表面電極６を形成する前に、背面電極１
１，基板１，裏面電極３及び半導体層５に、背面電極１
１側から機械的手段により突き破った孔１４を形成し、
その後、半導体層５上に表面電極６を形成し、この表面
電極６を前記孔１４を通して背面電極１１に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光入射側から表面
電極，半導体層，裏面電極，可撓性の絶縁性基板，背面
電極の順で構成された光電変換素子が複数個直列接続さ
れる光起電力装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の逆タイプ構造のスルーホールコン
タクト光起電力装置につき、斜視図の図３、図３の一部
の断面図の図４Ａ、Ａの平面図の同Ｂ、図３の他の一部
の断面図の同Ｃ、Ｃの平面図の同Ｄを参照して説明す
る。それらの図において、１は可撓性の絶縁性フィルム
基板、２は基板１の前端部及び後端部にパンチ，ドリル
等の機械的手段により形成された複数個の孔であり、碁
盤の目の位置に形成されている。３は基板１の光入射
側，即ち表面に積層して形成された裏面電極であり、裏
面電極３の一部が孔２の内面と周縁部とに付着してい
る。４は裏面電極３及び基板１の中央部を貫通し，パン
チ，ドリル等の機械的手段により形成された複数個の孔
であり、孔２と同様に、碁盤の目の位置に形成されてい
る。

【０００３】５は裏面電極３上に積層して形成された半
導体層、６は半導体層５上のほぼ中央部に積層して形成
された表面電極であり、表面電極６及び半導体層５の一
部が孔４の内面と周縁部とに付着している。７は表面電
極６から裏面電極３にかけて形成された複数個の分割
溝、８は基板１の光入射側の反対側，即ち背面に形成さ
れた背面電極であり、背面電極８と裏面電極２とが図４
Ａに示すように、孔２の周縁部において接触し、背面電
極８と表面電極６とが図４Ｂに示すように、孔４の周縁
部において接触し、それぞれが電気的に導通状態になっ
ている。

【０００４】９は背面電極８に形成された複数個の分割
溝であり、両分割溝７，９により装置が複数の領域に分
割されている。１０は各領域に形成された光電変換素子
であり、光入射側から表面電極６，半導体層５，裏面電
極３，基板１，背面電極８の順で構成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の前記装置の場
合、背面電極８と表面電極６とを接続する孔４を、機械
的手段を用いて裏面電極３の形成された基板１の中央部
を、機械的手段により貫通することで形成するため、裏
面電極３に形成された孔の周辺にバリが生じるおそれが
ある。そして、このバリが生じた裏面電極３上に半導体
層５及び表面電極６を積層すると、半導体層５が膜厚５
０００Å程度の薄膜であるためにバリが半導体層５を貫
通し、表面電極６と接して短絡が生じるため、光起電力
特性が劣化し歩留りが低下するという問題点がある。

【０００６】本発明は、前記の点に留意し、製造の歩留
りを向上できる光起電力装置の製造方法を提供すること
を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の請求項１記載の光起電力装置の製造方法
は、光入射側から表面電極，半導体層，裏面電極，可撓
性の絶縁性基板，背面電極の順で構成される光電変換素
子を複数個直列接続する光起電力装置の製造方法におい
て、前記表面電極を形成する前に、前記背面電極，前記
基板，前記裏面電極及び前記半導体層に、前記背面電極
側から機械的手段により突き破った孔を形成し、その
後、前記半導体層上に前記表面電極を形成し、この表面
電極を前記孔を通して前記背面電極に接続するようにし
たものである。

【０００８】したがって、表面電極を形成する前に、背
面電極，基板，裏面電極及び半導体層に、背面電極側か
ら機械的手段により突き破った孔を形成するようにした
ため、従来のように、裏面電極に生じたバリが半導体層
を貫通することがなく、短絡を防止し、製造の歩留りを
向上することができる。

【０００９】また、本発明の請求項２記載の製造方法
は、金属箔で形成した背面電極と絶縁性基板とを接着す
るようにしたため、孔を形成した際、背面電極の一部が
伸長して孔の内面に位置し、背面電極と表面電極との接
続を容易に行うことができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】実施の形態につき、断面図の図１
及び製造プロセスの説明図の図２Ａ，Ｂ，Ｃを参照して
説明する。まず、図２Ａに示すように、可撓性の絶縁性
フィルム基板１の背面に、金属箔で形成された背面電極
１１を接着し、その後、基板１の表面に裏面電極３を形
成し、裏面電極３にレーザ等によって除去部１２を形成
し、裏面電極３を所定のパターンに形成する。

【００１１】つぎに、図２Ｂに示すように、半導体層５
を、裏面電極３上に除去部１２を埋めて形成し、表面電
極６を形成する前に、図２Ｃに示すように、針１３を背
面電極１１側から除去部１２の中心付近に突き刺し、背
面電極１１，基板１，裏面電極３及び半導体層５に突き
破った孔１４を形成する。

【００１２】この時、針１３により孔１４の上端の周縁
部１５が半導体層５の上面より盛り上り、背面電極１１
の一部が伸長して孔１４の内面に位置する。

【００１３】つぎに、図１に示すように、半導体層５上
にスパッタにより表面電極６を形成する。

【００１４】この時、表面電極６の一部が孔１４の上端
の周縁部１５に付着し、孔１４の周縁部において、表面
電極６と背面電極１１とが接続する。

【００１５】なお、基板１はポリイミド等の耐熱性の材
料を用い、膜厚は１０μｍ〜２０μｍ、背面電極１１の
膜厚は１００μｍ〜５０μｍ、孔１４の直径は５０μｍ
〜３００μｍである。

【００１６】以上のように、本願によれば半導体層５の
形成後に孔１４の形成を行うので、従来のように孔１４
の形成に伴う裏面電極３のバリが半導体層５を貫通して
表面電極６と接触することがなく、歩留りを従来の８５
％から９８％にまで向上することができた。

【００１７】さらに、孔１４の形成に際し、針１３を用
いたが、これに限らず、パンチ，ドリル等を用いてもよ
い。

【００１８】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、つぎに記載する効果を奏する。本発明の請
求項１記載の光起電力装置の製造方法は、表面電極６を
形成する前に、背面電極１１，基板１，裏面電極３及び
半導体層５に、背面電極１１側から機械的手段により突
き破った孔１４を形成するようにしたため、従来のよう
に、裏面電極に生じたバリが半導体層５を貫通すること
がなく、短絡を防止し、製造の歩留りを向上することが
できる。

【００１９】また、本発明の請求項２記載の製造方法
は、金属箔で形成した背面電極１１と絶縁性基板１とを
接着するようにしたため、孔１４を形成した際、背面電
極１１の一部が伸長して孔１４の内面に位置し、背面電
極１１と表面電極６との接続を容易に行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の１形態の断面図である。

【図２】Ａ，Ｂ，Ｃは図１の製造プロセスの説明図であ
る。

【図３】従来例の斜視図である。

【図４】Ａは図３の一部の断面図、ＢはＡの平面図、Ｃ
は図３の他の一部の断面図、ＤはＣの平面図である。

【符号の説明】

１ 絶縁性基板 ３ 裏面電極 ５ 半導体層 ６ 表面電極 １０ 光電変換素子 １１ 背面電極 １４ 孔

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光入射側から表面電極，半導体層，裏面
   電極，可撓性の絶縁性基板，背面電極の順で構成される
   光電変換素子を複数個直列接続する光起電力装置の製造
   方法において、 前記表面電極を形成する前に、前記背面電極，前記基
   板，前記裏面電極及び前記半導体層に、前記背面電極側
   から機械的手段により突き破った孔を形成し、 その後、前記半導体層上に前記表面電極を形成し、この
   表面電極を前記孔を通して前記背面電極に接続すること
   を特徴とする光起電力装置の製造方法。
2. 【請求項２】 背面電極を金属箔で形成し、前記背面電
   極と絶縁性基板とを接着することを特徴とする請求項１
   記載の光起電力装置の製造方法。