JPH09246331A - 半導体装置の製造方法及びこれに用いる配線パターンフィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボンディングツールを用いて配線パターンフ
ィルムのリードを正確に半導体チップの電極端子にボン
ディングし、信頼性の高いチップサイズの半導体装置を
得る。 【解決手段】 半導体チップ１０の電極端子８の形成面
に、一端が外部接続端子を形成する端子部に形成され、
他端が前記電極端子に接続するリードに形成された配線
パターンが前記リードを形成した部分を窓として絶縁性
フィルム２０に支持されて形成された配線パターンフィ
ルム１２を、前記外部接続端子を形成する面を外面とし
て前記窓部分で前記電極端子を露出させて接着し、前記
リード８の上方からボンディングツール２２を突き降ろ
してリードを突き切るとともに、そのまま突き切られた
リード端をボンディングツールの端面で突くことにより
リードを曲げつつ前記電極端子にリード端を位置合わせ
してボンディングする半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングツール２２の端面と前記ボンディング
ツールが当接する前記リード８の当接面とを凹凸係合さ
せてボンディングすることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップと略同
サイズに形成する半導体装置の製造方法及びこれに用い
る配線パターンフィルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップを封止して形成する半導体
装置として、半導体チップと略同サイズに形成して成る
製品がある。この半導体装置は半導体チップの電極端子
を形成した面を封止し、この面上に実装基板に接続する
ための外部接続端子を配置して半導体チップと略同等の
大きさに形成したものである。図１５はチップサイズに
形成した半導体装置の従来例を実装面側から見た状態を
示す。５が外部接続端子、６が外部接続端子５と半導体
チップの電極端子とを電気的に接続するリードである。
電極端子は半導体チップの周縁部に配置されており、リ
ード６は外部接続端子５から配線パターンを介して外周
縁側に引き出され電極端子と電気的に接続されている。
７は半導体チップを保持するためのカンである。

【０００３】図１６はリード６と半導体チップ１０の電
極端子８との接続状態、および半導体チップ１０上にお
ける外部接続端子５の支持状態等を示す。この半導体装
置は一端に外部接続端子５が接合され他端がリード６と
して形成された配線パターン９を絶縁性フィルム２０に
より支持した配線パターンフィルム１２をエラストマー
等の接着層１４を介して半導体チップ１０に接着し、配
線パターンフィルム１２の周縁から延出させたリード６
を電極端子８にボンディングして形成される。１４ａは
接着層１４と同じ樹脂で、リード６をボンディングした
後、リード６および電極端子８の露出部分を封止してい
る。１６は外部接続端子５を除いて配線パターンフィル
ム１２の表面を被覆したソルダレジストである。なお、
配線パターンフィルム１２を半導体チップ１０に接着す
る場合、接着性を有する絶縁性フィルム２０を用いるこ
とにより接着層１４を介さずに接着することも可能であ
る。

【０００４】図１７は配線パターンフィルム１２のリー
ド６を電極端子８にボンディングする様子を示す。リー
ド６をボンディングする場合は、図のようにリード６の
上面にボンディングツール２２を当接させ、ボンディン
グツール２２でリード６を突いて絶縁性フィルム２０に
よって支持されたリード６を突き切るとともに、そのま
まボンディングツール２２の端面でリード６を押し曲げ
るようにして電極端子８の位置まで突き降ろして接合す
る。リード６はこのボンディング操作によって、図１６
に示すように基端側から電極端子８に向けて曲線状に曲
げられる。ボンディングツール２２による接合は超音波
を併用した熱圧着による。

【０００５】図１８は半導体チップ１０に配線パターン
フィルム１２を配置した状態を拡大して示す。リード６
は絶縁性フィルム２０に設けた窓部分で絶縁性フィルム
２０にかけ渡すように支持され、窓部分で電極端子８を
露出させるとともに各々の電極端子８の上方にリード６
が位置するよう位置合わせして配線パターンフィルム１
２が接着される。ボンディングツール２２はリード６の
切断位置の上方から突き降ろされリード６を切断した
後、切断位置から若干横方向に移動しながら電極端子８
まで下降してリード６を電極端子８にボンディングす
る。ボンディングツール２２によるボンディングはこの
ようにリード６の１本ずつに対して行うものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図１９は配線パターン
フィルム１２を用いて半導体装置を作成する際に使用す
るボンディングツール２２のツール端部を示す。ボンデ
ィングツール２２は端面に十字形の凹部２２ａを設ける
とともに、エッジ部を鋭角に形成している。このように
ボンディングツール２２の端部を鋭角に形成しているの
は、リード６をボンディングする際に、リード６の切断
が容易にできるようにするためと、リード６を切断した
後、リード６を電極端子８の位置まで確実に保持して曲
げることができるようにするためである。

【０００７】リード６を切断した後、ボンディングツー
ル２２は若干、横に移動しながら電極端子８まで降下す
るから、このときリード６に対しボンディングツール２
２が滑ると、リード６を電極端子８の位置に確実に位置
合わせしてボンディングすることができなくなる。した
がって、従来はボンディングツール２２の端面のエッジ
部を鋭角に形成してリード６の保持性を得ているのであ
る。ところが、上記のように端面のエッジ部を鋭角に形
成したボンディングツール２２を使用すると、電極端子
２２に接合したリード６の接合端での強度が弱まり、接
合端でリード６が切れやすくなるといった問題が生じて
いる。

【０００８】図２０に電極端子８でのリード６のボンデ
ィング部６ａを拡大して示す。リード６を電極端子８に
接合する場合、ボンディングツール２２はリード６を若
干押しつぶすようにする。このとき、ボンディング部６
ａの上面には前記凹部２２ａによる膨出部６ｂが形成さ
れるが、リード６の立ち上がり部分Ａでは、ボンディン
グツール２２の端面のエッジ部により鋭角部分が形成さ
れるため、鋭角に形成された立ち上がり部分でクラック
が生じやすくなっており、接合端での強度が弱くなって
リード６が断線しやすくなるのである。

【０００９】本発明は、上述したような配線パターンフ
ィルムを用いて半導体装置を形成する際における問題点
を解消すべくなされたものであり、リードをボンディン
グする際のリードの保持性を良好にして電極端子に確実
にリードをボンディングすることができ、かつボンディ
ング後のリードの断線を有効に防止することができる半
導体装置の製造方法及びこれに用いる配線パターンフィ
ルムを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体チップの
電極端子の形成面に、一端が外部接続端子を形成する端
子部に形成され、他端が前記電極端子に接続するリード
に形成された配線パターンが前記リードを形成した部分
を窓として絶縁性フィルムに支持されて形成された配線
パターンフィルムを、前記外部接続端子を形成する面を
外面として前記窓部分で前記電極端子を露出させて接着
し、前記配線パターンフィルムの前記窓部分の両端で絶
縁性フィルムに支持されたリードを、該リードの上方か
らボンディングツールを突き降ろしてリードを突き切る
とともに、そのまま突き切られたリード端をボンディン
グツールの端面で突くことによりリードを曲げつつ前記
電極端子にリード端を位置合わせしてボンディングする
半導体装置の製造方法において、前記ボンディングツー
ルの端面と前記ボンディングツールが当接する前記リー
ドの当接面とを凹凸係合させてボンディングすることを
特徴とする。前記ボンディングツールとしては、前記リ
ードに当接する端面の周縁部分を滑らかな曲面に形成し
たものが有効である。また、前記配線パターンフィルム
として前記ボンディングツールが当接するリード面に係
合突起を設けたものを使用し、前記ボンディングツール
として前記係合突起に凹凸係合する凹部を端面に設けた
ものを使用することを特徴とする。また、前記配線パタ
ーンフィルムとして前記ボンディングツールが当接する
リード面に係合凹部またはリードを貫通する係合孔を設
けたものを使用し、前記ボンディングツールとして前記
係合凹部に凹凸係合する係合突起または前記係合孔に凹
凸嵌合する突起を端面に設けたものを使用することを特
徴とする。また、半導体チップの電極端子の形成面に、
一端が外部接続端子を形成する端子部に形成され、他端
が前記電極端子に接続するリードに形成された配線パタ
ーンが前記リードを形成した部分を窓として絶縁性フィ
ルムに支持されて形成された配線パターンフィルムを、
前記外部接続端子を形成する面を外面として前記窓部分
で前記電極端子を露出させて接着し、前記配線パターン
フィルムの前記窓部分の両端で絶縁性フィルムに支持さ
れたリードを、該リードの上方からボンディングツール
を突き降ろしてリードを突き切るとともに、そのまま突
き切られたリード端をボンディングツールの端面で突く
ことによりリードを曲げつつ前記電極端子にリード端を
位置合わせしてボンディングして成る半導体装置の製造
で使用する配線パターンフィルムにおいて、前記ボンデ
ィングツールが当接するリードに前記ボンディングツー
ルの端面と凹凸係合する係合突起、係合凹部または係合
孔を設けたことを特徴とする。また、前記リードの切断
位置に、リードを幅方向に切り込んだノッチ部を設ける
こと、また、前記ノッチ部の切断位置よりも先側のリー
ド部分を所定のリード幅よりも幅広に形成することは精
度のよいボンディングを可能にする点で有効である。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて説明する。図１は本発明に係る配線パターンフィ
ルム１２の一実施形態の構成と配線パターンフィルム１
２のリード６を半導体チップ１０の電極端子８にボンデ
ィングするボンディングツール２２等の構成を示す。配
線パターンフィルム１２の全体構成は従来の配線パター
ンフィルムの構成とと同様で、配線パターン９の一端に
外部接続端子５が形成され、配線パターン９の他端が半
導体チップ１０の電極端子８に接合されるリード６とし
て形成され、絶縁性フィルム２０によって配線パターン
９が支持されている。配線パターンフィルム１２はエラ
ストマー等の柔軟性を有する接着層１４を介して半導体
チップ１０に接着されている。

【００１２】ボンディングツール２２を用いて配線パタ
ーンフィルム１２のリード６を電極端子８にボンディン
グする方法も前述した従来例と同様である。すなわち、
リード６を切断する位置の上方からボンディングツール
２２を突き降ろし、リード６を突き切りし、ボンディン
グツール２２でリード６を押し曲げるようにして電極端
子８にボンディングする。

【００１３】図２に配線パターンフィルム１２を半導体
チップ１０に接着した状態を拡大して示す。半導体チッ
プ１０の電極端子８が配置された上方にリード６が絶縁
性フィルム２０の窓部分にかけ渡すようにして支持され
ている。各々のリード６の配置間隔は電極端子８の配置
間隔に一致する。これらのリード６の配置は従来例と同
様であるが、本実施形態の配線パターンフィルム１２で
特徴とする構成は、リード６上でボンディングツール２
２が当接する部位に、ボンディングツール２２の端面に
形成した凹部と凹凸嵌合する係合突起３０を形成した点
にある。

【００１４】すなわち、図１に示すようにボンディング
ツール２２はリード６の端部を突き降ろすようにしてボ
ンディングするが、このボンディングツール２２の端面
が当接するリード６の表面上に係合突起３０を設け、リ
ード６の上面に当接するボンディングツール２２の端面
にこの係合突起３０と係合する凹部２２ａを設けて、こ
の凹部２２ａと係合突起３０とを凹凸係合させながらボ
ンディングするものである。

【００１５】リード６の表面に形成する係合突起３０と
ボンディングツール２２とは凹凸係合によって係合する
ようその寸法および形状を設定する。図３(a) にボンデ
ィングツール２２の端面近傍の斜視図、図３(b) に断面
図を示す。本実施形態のボンディングツール２２は、上
記のようにリード６に当接する端面に係合突起３０に係
合する凹部２２ａを設けるが、これに加えてリード６に
当接する端面の周縁部分を滑らかな曲面に形成して、端
面に従来のボンディングツール２２のような鋭角なエッ
ジ部を形成しないようにすることを特徴とする。

【００１６】図３は丸棒状に形成したボンディングツー
ル２２の例であるが、図４に示すような角形のボンディ
ングツール２２を使用する場合も同様である。すなわ
ち、ボンディングツール２２の端面に係合突起２２に係
合する凹部２２ａを設けるとともに、端面のコーナー部
を曲面に形成して端面に鋭角なエッジ部を形成しないよ
うにする。

【００１７】このようなボンディングツール２２を用い
てリード６をボンディングする場合は、リード６上に形
成した係合突起３０とボンディングツール２２の凹部２
２ａとが係合させた状態でボンディングするから、ボン
ディング時にリード６上でボンディングツール２２が滑
ったりすることがなくなり、リード６を半導体チップ１
０の電極端子８の位置に正確に位置合わせしてボンディ
ングすることが可能になる。

【００１８】また、ボンディングツール２２の端面を滑
らかな曲面に形成したことから、電極端子８にリード６
をボンディングした際にリード６の接合端に鋭角部分が
形成されなくなり、これによってリード６の接合端での
強度を向上させることができるとともに、接合端でクラ
ックが発生するといったことが防止でき、接合部分から
リード６が切れるといった問題を防止することが可能に
なる。

【００１９】図５は図３に示すボンディングツール２２
を用いてリード６を電極端子８にボンディングしたボン
ディング部６ａを拡大して示している。リード６の先端
が電極端子８に押圧されて接合されているが、電極端子
８とリード６との立ち上がり部分はなめらかに形成され
る。リード先端部の中央部には係合突起３０による小突
起３０ａが形成される。

【００２０】本実施形態ではこのようにボンディングツ
ール２２の端面を曲面に形成することによって、リード
６と電極端子８との接合部に鋭角部分が形成されないよ
うにしたが、ボンディングツール２２の端面を曲面に形
成するとリード６に対するボンディングツール２２の保
持性が低下する。これを解消するため、本実施形態では
リード６に係合突起３０を形成し、ボンディングツール
２２と係合突起３０を凹凸係合させてボンディングツー
ル２２のリード６に対する保持性を確実に得ている。

【００２１】なお、ボンディング時にリード６とボンデ
ィングツール２２とを係合させることによりリード６に
対するボンディングツール２２の保持性を向上させる方
法は上記実施形態に限るものではない。図６にボンディ
ングツール２２と係合させてボンディングするリード６
の形成例を示す。図６(a) は上記実施形態の場合でリー
ド６の表面上に係合突起３０を形成したもの、図６(b)
はリード６に係合凹部３２を形成したもの、図６(c) は
リード６に係合孔３４を貫通して設けたものである。

【００２２】図６(b) 、(c) に示すようにリード６に係
合凹部３２あるいは係合孔３４を設けた場合は、ボンデ
ィングツール２２の端面にはこれら係合凹部３２あるい
は係合孔３４に係合する突起２２ｂを設けるようにす
る。図７は端面に突起２２ｂを設けたボンディングツー
ル２２の例を示す。図８は図７に示すボンディングツー
ル２２を用いて、係合孔３４を設けたリード６を電極端
子８にボンディングした状態を拡大して示す説明図であ
る。

【００２３】このように、リード６とボンディングツー
ル２２の端面とを相互に係合させる方法としては、他に
も種々の形態を採用することができる。たとえば、上記
実施形態では一つの係合突起３０と係合凹部３２、係合
孔３４を設けたが、リード６上に複数の係合突起３０等
を設けるようにすることも可能である。また、上記実施
形態の係合部分は単純な突起形状あるいは円形孔形状と
しているが突条あるいは凹溝状に形成することも可能で
ある。

【００２４】なお、ボンディングツール２２でリード６
を正確に電極端子８に接合するためには、ボンディング
ツール２２でリード６を突き切る際に、所定位置で精度
よくリード６を切断する必要がある。図２ではリード６
の切断位置に合わせてノッチ部３６を設けているが、こ
れはボンディングツール２２でリード６を突き切る際に
ノッチ部３６でリード６が切断されるようにして精度の
よいボンディングを可能にするためのものである。ノッ
チ部３６はリード６を幅方向に切り込んだ形状に形成す
る。このように、リード６にノッチ部３６を設け、さら
に上記係合突起３０等を設けることにより、一層確実な
ボンディングが可能になる。

【００２５】図９はノッチ部３６を設けたリード６の形
成例である。この実施形態ではリード６の切断位置より
も先側の導体部３７をリード６よりも幅広に形成し、導
体部３７を補強してノッチ部３６でさらに確実にリード
６が切断できるようにしている。また、本実施形態では
リード６の基端側にテーパ部３８を設けている。このテ
ーパ部３８はリード６の基端側部分を補強し、ボンディ
ングツール２２でリード６を曲げてボンディングする際
に、リード６が基端側部分でなめらかに曲がるようにし
て、所定の曲げ形状が得られるようにしたものである。

【００２６】上述したように、本実施形態ではチップサ
イズの半導体装置の製造にあたって、リード６に係合突
起３０、係合凹部３２あるいは係合孔３４を設けた配線
パターンフィルム１２を用いる。以下では、この配線パ
ターンフィルム１２の製法およびこの配線パターンフィ
ルム１２を用いた半導体装置の製法について説明する。

【００２７】図１０は配線パターン９およびリード６の
導体コアとして銅を使用する配線パターンフィルム１２
の製造工程を示す。図１０(a) は配線パターンフィルム
１２の支持体として用いるポリイミドフィルム等の絶縁
性フィルム４０である。この絶縁性フィルム４０は片面
に接着剤が被着したフィルムで、まず、これにパンチン
グを施して窓４２をあけた後、絶縁性フィルム４０の片
面に銅箔４４を接着する（図１０(b) ）。窓４２は半導
体チップ１０の電極端子８に接合するリード６を形成す
る部分で、半導体チップ１０の電極端子８の配置位置に
合わせて形成する。

【００２８】次いで、銅箔４４をエッチングし、配線パ
ターン９、リード６およびランドを形成する。ランドは
はんだボール等の外部接続端子５を接合して支持する部
位であり、外部接続端子５の大きさに合わせて配線パタ
ーン９と一体に接続して設ける。銅箔４４をエッチング
してこれらの配線パターン９等を形成する方法は、いわ
ゆるフォトリソグラフィ法による。

【００２９】すなわち、銅箔４４の表面にレジスト４５
を塗布し、所定のパターンで露光、現像して銅箔４４を
除去する部分のみ露出させたレジストパターンを形成
し、このレジストパターンをマスクとして銅箔４４をエ
ッチングする（図１０(c) ）。銅箔４４をエッチングし
た後、レジスト４５とレジスト４６を除去する。これに
より、配線パターン９、リード６が形成される（図１０
(d) ）。リード６は図のように、窓４２の部分でかけ渡
すようにして支持される。

【００３０】次に、配線パターン９の表面と配線パター
ン９が形成された面の絶縁性フィルム４０の表面に配線
パターンフィルム１２を保護するためと外部接続端子５
を取り付けるためにソルダレジスト４８を塗布する。ソ
ルダレジスト４８をパターニングして、ランド９ａが形
成された部位のソルダレジスト４８のみを除去する。こ
れによって外部接続端子５を接合するランド部分が露出
し、ランド９ａ上に外部接続端子５を取り付けることが
可能になる（図１０(e) ）。

【００３１】次に、金めっきを施し、リード６の外表面
およびランド９ａの表面に金めっき層５０を設ける。こ
の金めっきによりリード６は銅のコア層の表面が金めっ
き層５０によって被覆されたものとなる。また、ランド
９ａ部分でもランド９ａの表面に金めっき層５０が形成
される（図１０(f))。

【００３２】次に、本実施形態ではリード６に係合突起
３０を形成する。係合突起３０はリード６をレジストで
被覆し、係合突起３０を形成する部位のみ露出させて金
めっきを施し、金めっきを盛り上げ形成することによっ
て形成することができる。なお、この操作では外部接続
端子５等の所要部位をレジストで遮蔽して行うようにす
る。図１０(f) はリード６に係合突起３０を形成した配
線パターンフィルム１２を示す。なお、係合突起３０を
設けるかわりに、リード６に係合凹部３２あるいは係合
孔３４を形成する場合は、リード６をエッチングして形
成するか、あるいは配線パターン９とリード６を形成す
る工程（図１０(d))で、同時に形成することもできる。

【００３３】図１１は上記方法によって得られた配線パ
ターンフィルム１２の平面形状を示す。配線パターンフ
ィルム１２は外部接続端子５を支持するための中央部の
絶縁性フィルム４０ａと、その周囲に枠状に形成された
絶縁性フィルム４０ｂとの間にリード６がかけ渡されて
支持されたものとなる。

【００３４】半導体装置を形成する場合は、この配線パ
ターンフィルム１２を半導体チップ１０に対して位置合
わせし、外部接続端子５を接合する面を外面として配線
パターンフィルム１２を半導体チップ１０に接着する。
半導体チップ１０に接着する部分は外部接続端子５を取
り付ける絶縁性フィルム４０ａの部分で、半導体チップ
１０では電極端子８が配置される内側領域である（図１
２）。配線パターンフィルム１２を接着した後、ボンデ
ィングツール２２で各々のリード６を電極端子８にボン
ディングする。リード６のボンディング部の露出部分に
接着層１４と同じ樹脂１４ａを塗布して封止する。この
後、ランド９ａにはんだボールを接合して外部接続端子
５とし最終的に半導体装置製品として得られる（図１
２）。

【００３５】図１３は配線パターンフィルム１２を形成
する他の製造工程を示す。本方法では絶縁性フィルム４
０の片面に銅箔４４を被着した片面銅張りフィルム６０
を使用する（図１３(a) ）。まず、この片面銅張りフィ
ルム６０の銅箔４４上に配線パターン９とリード６とを
形成するための金めっきを施す。前述したように配線パ
ターン９は外部接続端子５とリード６とを電気的に接続
するためのものであり、リード６は半導体チップ１０の
電極端子８とボンディングするためのものである。

【００３６】図１３(b) は銅箔４４上にレジスト４５を
塗布し、配線パターン９およびリード６を形成する部位
のみを露出させたレジストパターンを形成した状態であ
る。この状態で銅箔４４に金めっきを施し、銅箔４４上
に金めっき層６２を形成する（図１３(c))。図１３(d)
は銅箔４４上に金めっき層６２が所定のパターンで形成
されている状態を示す。

【００３７】次に、外部接続端子５を形成するため、絶
縁性フィルム４０に接続孔６４を形成する。接続孔６４
はレーザ光やエッチングを利用して形成することができ
る。接続孔６４は外部接続端子５を形成する部位で配線
パターン９となる銅箔４４を露出させるように形成する
（図１３(e) ）。外部接続端子５は接続孔６４内にめっ
きを施すことによって形成する。銅箔４４は絶縁性フィ
ルム４０の全面に被着形成されているから、銅箔４４を
めっき給電層として電解めっきによってめっきを盛り上
げることができる。

【００３８】電解めっきにより外部接続端子５をバンプ
状に形成し、リード６をボンディングするための窓４２
を絶縁性フィルム４０に形成し、次に、銅箔４４のみを
選択的に除去できるエッチング液を使用して銅箔４４を
エッチングする。図１３(f)は銅箔４４をエッチングし
た後の状態である。窓４２内では金めっき層６２がボン
ディング用のリード６として残る。

【００３９】上記のように、リード６は金めっき層６２
によって形成されるから、金めっき層６２はリード６の
所要の強度等が得られるようめっき厚を適宜設定する必
要がある。本実施形態で使用する配線パターンフィルム
１２はリード６の表面に係合突起３０を設けたものであ
る。リード６の表面に係合突起３０を設ける場合は、図
１３(f) の状態でリード６の表面にレジストを塗布し、
レジストをパターニングして係合突起３０を形成する部
位のみリード６の表面を露出させたレジストパターンを
形成し、金めっきを盛り上げて形成する。

【００４０】係合突起３０を形成した後、レジストを除
去して係合突起３０をリード６上に形成した配線パター
ンフィルム１２が得られる（図１３(g) ）。この配線パ
ターンフィルム１２は絶縁性フィルム４０の一方の面に
外部接続端子５が形成され、絶縁性フィルム４０の他方
の面に配線パターン９とリード６が支持されている。こ
の配線パターンフィルム１２を使用してチップサイズの
半導体装置を形成する場合も前述した方法と同様であ
る。半導体チップ１０に接着層１４を介して配線パター
ンフィルム１２を接着し、ボンディングツール２２によ
ってリード６を突き切るようにしながら半導体チップ１
０の電極端子８に各々のリード６をボンディングする。

【００４１】本実施形態で係合突起３０にかえて係合凹
部３２あるいは係合孔３４をリード６に形成する場合
は、図１３(f) でリード６を形成した後、リード６をエ
ッチングして係合凹部３２あるいは係合孔３４を形成す
ればよい。図１４は上記方法で作成した配線パターンフ
ィルム１２を使用して作成したチップサイズの半導体装
置を示す。この半導体装置では外部接続端子５が配置さ
れる実装面が絶縁性フィルム４０によって被覆されて保
護されている。

【００４２】なお、上述した半導体装置では接着層１４
を介して配線パターンフィルム１２を半導体チップ１０
に接着したが、接着層１４を用いずに絶縁性フィルム２
０自体の接着性を利用して配線パターンフィルム１２を
半導体チップ１０に接着することも可能である。また、
前記実施形態の半導体装置ではいずれも半導体チップ１
０の縁部近傍に電極端子８が配置され、配線パターンフ
ィルム１２の周縁からリード６を延出させてリード６を
電極端子８にボンディングしている。半導体チップ１０
の電極端子８は必ずしもこのように縁部近傍にのみ配置
されるのではなく、半導体チップ１０の中央部付近に配
置される場合もある。

【００４３】このように、半導体チップ１０の縁部より
も内側に電極端子８が配置されている場合には、電極端
子８が形成された位置に合わせて配線パターンフィルム
１２に窓をあけ窓部分に上記実施形態と同様にリード６
を配置してボンディングする。上記実施形態のリード６
のボンディング方法はこのように配線パターンフィルム
１２の縁部よりも内側の領域でボンディングする場合に
も同様に適用できるものである。本明細書でリード６の
ボンディングという場合はこのように半導体チップ１０
の縁部よりも内側領域でボンディングすることを含む意
である。

【００４４】

【発明の効果】本発明に係る半導体装置の製造方法によ
れば、上述したように、ボンディングツールを用いて配
線パターンフィルムのリードを正確に半導体チップの電
極端子に位置合わせしてボンディングすることができ、
またリードの接合部分での強度を向上させることができ
て、ボンディング後のリードの断線を防止して、信頼性
の高いチップサイズの半導体装置を得ることを可能にす
る。また、本発明に係る配線パターンフィルムによれ
ば、半導体チップの電極端子に確実にボンディングする
ことを可能にし、作業性を向上させることができる等の
著効を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】配線パターンフィルムのリードを電極端子にボ
ンディングする方法を示す説明図。

【図２】半導体チップに配線パターンフィルムを接着し
た状態のリード部分を拡大して示す斜視図。

【図３】ボンディングツールのツール端の斜視図および
断面図。

【図４】ボンディングツールのツール端の斜視図。

【図５】リードのボンディング部を拡大して示す斜視
図。

【図６】リードに形成する係合部を示す部分断面図。

【図７】ボンディングツールの他の例でのツール端の斜
視図。

【図８】リードのボンディング部を拡大して示す斜視
図。

【図９】ノッチ部を設けたリードの形状を示す平面図。

【図１０】配線パターンフィルムの製造方法を示す説明
図。

【図１１】配線パターンフィルムの平面図。

【図１２】配線パターンフィルムを半導体チップに接合
した状態の断面図。

【図１３】配線パターンフィルムの他の製造方法を示す
説明図。

【図１４】配線パターンフィルムを半導体チップに接合
した状態の断面図。

【図１５】半導体装置を外部接続端子形成面から見た平
面図。

【図１６】半導体チップと配線パターンフィルムのリー
ドとの接合状態を示す断面図。

【図１７】配線パターンフィルムのリードを電極端子に
接合する方法を示す説明図。

【図１８】従来例での、半導体チップに配線パターンフ
ィルムを接着した状態のリード部分を拡大して示す斜視
図。

【図１９】従来例のボンディングツールのツール端の斜
視図。

【図２０】従来例のリードのボンディング部を拡大して
示す斜視図。

【符号の説明】

５ 外部接続端子 ６ リード ８ 電極端子 ９ 配線パターン １０ 半導体チップ １２ 配線パターンフィルム １４ 接着層 １６ ソルダレジスト ２０ 絶縁性フィルム ２２ ボンディングツール ２２ａ 凹部 ２２ｂ 突起 ３０ 係合突起 ３２ 係合凹部 ３４ 係合孔 ３６ ノッチ部 ４０ 絶縁性フィルム ４２ 窓 ４４ 銅箔 ４５、４６ レジスト ４８ ソルダレジスト ５０ 金めっき層 ６０ 片面銅張りフィルム ６２ 金めっき層 ６４ 接続孔

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップの電極端子の形成面に、一
   端が外部接続端子を形成する端子部に形成され、他端が
   前記電極端子に接続するリードに形成された配線パター
   ンが前記リードを形成した部分を窓として絶縁性フィル
   ムに支持されて形成された配線パターンフィルムを、前
   記外部接続端子を形成する面を外面として前記窓部分で
   前記電極端子を露出させて接着し、 前記配線パターンフィルムの前記窓部分の両端で絶縁性
   フィルムに支持されたリードを、該リードの上方からボ
   ンディングツールを突き降ろしてリードを突き切るとと
   もに、そのまま突き切られたリード端をボンディングツ
   ールの端面で突くことによりリードを曲げつつ前記電極
   端子にリード端を位置合わせしてボンディングする半導
   体装置の製造方法において、 前記ボンディングツールの端面と前記ボンディングツー
   ルが当接する前記リードの当接面とを凹凸係合させてボ
   ンディングすることを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記ボンディングツールとして、前記リ
   ードに当接する端面の周縁部分を滑らかな曲面に形成し
   たものを使用することを特徴とする請求項１記載の半導
   体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記配線パターンフィルムとして前記ボ
   ンディングツールが当接するリード面に係合突起を設け
   たものを使用し、前記ボンディングツールとして前記係
   合突起に凹凸係合する凹部を端面に設けたものを使用す
   ることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置
   の製造方法。
4. 【請求項４】 前記配線パターンフィルムとして前記ボ
   ンディングツールが当接するリード面に係合凹部または
   リードを貫通する係合孔を設けたものを使用し、前記ボ
   ンディングツールとして前記係合凹部に凹凸係合する係
   合突起または前記係合孔に凹凸嵌合する突起を端面に設
   けたものを使用することを特徴とする請求項１または２
   記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 半導体チップの電極端子の形成面に、一
   端が外部接続端子を形成する端子部に形成され、他端が
   前記電極端子に接続するリードに形成された配線パター
   ンが前記リードを形成した部分を窓として絶縁性フィル
   ムに支持されて形成された配線パターンフィルムを、前
   記外部接続端子を形成する面を外面として前記窓部分で
   前記電極端子を露出させて接着し、 前記配線パターンフィルムの前記窓部分の両端で絶縁性
   フィルムに支持されたリードを、該リードの上方からボ
   ンディングツールを突き降ろしてリードを突き切るとと
   もに、そのまま突き切られたリード端をボンディングツ
   ールの端面で突くことによりリードを曲げつつ前記電極
   端子にリード端を位置合わせしてボンディングして成る
   半導体装置の製造で使用する配線パターンフィルムにお
   いて、 前記ボンディングツールが当接するリードに前記ボンデ
   ィングツールの端面と凹凸係合する係合突起、係合凹部
   または係合孔を設けたことを特徴とする配線パターンフ
   ィルム。
6. 【請求項６】 前記リードの切断位置に、リードを幅方
   向に切り込んだノッチ部を設けたことを特徴とする請求
   項５記載の配線パターンフィルム。
7. 【請求項７】 ノッチ部の切断位置よりも先側のリード
   部分を所定のリード幅よりも幅広に形成したことを特徴
   とする請求項６記載の配線パターンフィルム。