JPH10275942A5 - - Google Patents

Description

【０００８】
本発明の請求項２における発光素子は、基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層が順次設けられ、素子表面より、該第１導電型半導体層に接続する第１ボンディング電極が設けられ、該第２導電型半導体層表面の概略全面に、第２ボンディング電極および該第２ボンディング電極に接続した第２透明電極が設けられることにより、該第２ボンディング電極および第２透明電極直下に発光部が形成され、さらに、該基板は発光に対して透明であり、該第２ボンディング電極は、ボンディングのための実質最小限のサイズに形成されており、さらに、該第２ボンディング電極周囲の３方向に素子側面が配置されていることを特徴とする。
本発明の請求項３における発光素子は、発光に対して透明な基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、発光層、第２導電型半導体層が順次設けられ、素子表面より、該第１導電型半導体層に接続する第１ボンディング電極が設けられ、該第２導電型半導体層表面の概略全面に、第２ボンディング電極および該第２ボンディング電極に接続した第２透明電極が設けられ、該第２ボンディング電極および第２透明電極直下における発光層が発光する、外形が長方形の発光素子であって、該第２ボンディング電極周囲における前後左右４方向のうちの３方向に素子側面が配置されていることを特徴とする。

【０００９】
好ましくは、本発明の請求項２または３における発光素子において、第１ボンディング電極、第２透明電極、第２ボンディング電極が順次一列に並んで配置されることを特徴とする。

【００１０】
また、本発明の発光素子は、上記第１導電型半導体層が、１層以上のＩＩＩ族
元素窒化物半導体で構成されており、さらに、上記第２導電型半導体層が、１層以上のＩＩＩ族元素窒化物半導体で構成されているのもよい。
また、本発明の発光素子は、基板の厚みは８０〜４００μｍの範囲であるのもよい。
また、本発明の発光素子は、第２ボンディング電極のサイズが１００μｍ角〜２００μｍ角であるのもよい。
また、本発明の発光素子は、第２ボンディング電極の周囲３方向の側面が素子側面の一部を構成するのもよい。

【００１１】
本発明は別の観点によれば、複数の単位発光素子をウェハー上に配置し、これらを一括して形成する発光素子の製造方法において、該ウェハーは透明基板を有し、該単位発光素子は、第２ボンディング電極、第１ボンディング電極が並んで配置されている、もしくは、第２ボンディング電極、第２ボンディング電極に接続した第２透明電極、第１ボンディング電極が順次一列に並んで配置されており、該単位発光素子の第１ボンディング電極同士、第２ボンディング電極同士が隣接するように、ウェハー上に複数の単位発光素子が配置される発光素子の製造方法が提供される。

【００１２】
また、本発明によれば、透明基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層を順次形成し、素子表面より、該第１導電型半導体層に接続する第１ボンディング電極を形成し、該第２導電型半導体層の表面に第２ボンディング電極を形成することにより、該第２ボンディング電極直下に発光部を形成して単位発光素子を構成し、この単位発光素子を複数ウェハー上に配置する発光素子の製造方法であって、単位発光素子は、第２ボンディング電極、第１ボンディング電極が並んで配置され、第２ボンディング電極同士及び第１ボンディング電極同士が隣接するように複数の単位発光素子がウェハー上に配置される発光素子の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、透明基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、第２透明電極を順次形成し、素子表面より、該第１導電型半導体層に接続する第１ボンディング電極を形成し、該第２透明電極の表面に第２ボンディング電極を形成することにより、該第２ボンディング電極および第２透明電極の直下に発光部を形成して単位発光素子を構成し、この単位発光素子を複数ウェハー上に配置する発光素子の製造方法であって、単位発光素子は、第２ボンディング電極、第２透明電極、第１ボンディング電極がこの順に並んで配置され、第２ボンディング電極同士及び第１ボンディング電極同士が隣接するように複数の単位発光素子がウェハー上に配置される発光素子の製造方法が提供される。
本発明の上記各製造方法において、隣接する複数の単位発光素子を一括に切り離すようにしてもよい。

Claims (12)

1. 基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層が順次設けられ、素子表面より、該第１導電型半導体層に接続する第１ボンディング電極が設けられ、該第２導電型半導体層表面の概略全面に、第２ボンディング電極が設けられることにより、該第２ボンディング電極直下に発光部が形成されている発光素子において、
   該基板は発光に対して透明であり、該第２ボンディング電極は、ボンディングのための実質最小限のサイズに形成されており、さらに、該第２ボンディング電極周囲の３方向に素子側面が配置されていることを特徴とする発光素子。
2. 基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層が順次設けられ、素子表面より、該第１導電型半導体層に接続する第１ボンディング電極が設けられ、該第２導電型半導体層表面の概略全面に、第２ボンディング電極および該第２ボンディング電極に接続した第２透明電極が設けられることにより、該第２ボンディング電極および第２透明電極直下に発光部が形成されている発光素子において、
   該基板は発光に対して透明であり、該第２ボンディング電極は、ボンディングのための実質最小限のサイズに形成されており、さらに、該第２ボンディング電極周囲の３方向に素子側面が配置されていることを特徴とする発光素子。
3. 発光に対して透明な基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、発光層、第２導電型半導体層が順次設けられ、素子表面より、該第１導電型半導体層に接続する第１ボンディング電極が設けられ、該第２導電型半導体層表面の概略全面に、第２ボンディング電極および該第２ボンディング電極に接続した第２透明電極が設けられ、該第２ボンディング電極および第２透明電極直下における発光層が発光する、外形が長方形の発光素子であって、該第２ボンディング電極周囲における前後左右４方向のうちの３方向に素子側面が配置されていることを特徴とする発光素子。
4. 基板の厚みは８０〜４００μｍの範囲である請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光素子。
5. 第１ボンディング電極、第２透明電極、第２ボンディング電極が順次一列に並んで配置されている請求項２〜４のいずれか１つに記載の発光素子。
6. 上記第１導電型半導体層が、１層以上のＩＩＩ族元素窒化物半導体で構成され
   ており、さらに、上記第２導電型半導体層が、１層以上のＩＩＩ族元素窒化物半
   導体で構成されている請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光素子。
7. 第２ボンディング電極のサイズが１００μｍ角〜２００μｍ角である請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光素子。
8. 第２ボンディング電極の周囲３方向の側面が素子側面の一部を構成する請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光素子。
9. 複数の単位発光素子をウェハー上に配置し、これらを一括して形成する発光素子の製造方法において、
   該ウェハーは透明基板を有し、該単位発光素子は、第２ボンディング電極、第１ボンディング電極が並んで配置されている、もしくは、第２ボンディング電極、第２ボンディング電極に接続した第２透明電極、第１ボンディング電極が順次一列に並んで配置されており、該単位発光素子の第１ボンディング電極同士、第２ボンディング電極同士が隣接するように、ウェハー上に複数の単位発光素子が配置されることを特徴とする発光素子の製造 方法。
10. 透明基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層を順次形成し、素子表面より、該第１導電型半導体層に接続する第１ボンディング電極を形成し、該第２導電型半導体層の表面に第２ボンディング電極を形成することにより、該第２ボンディング電極直下に発光部を形成して単位発光素子を構成し、この単位発光素子を複数ウェハー上に配置する発光素子の製造方法であって、
    単位発光素子は、第２ボンディング電極、第１ボンディング電極が並んで配置され、
    第２ボンディング電極同士及び第１ボンディング電極同士が隣接するように複数の単位発光素子がウェハー上に配置されることを特徴とする発光素子の製造方法。
11. 透明基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、第２透明電極を順次形成し、素子表面より、該第１導電型半導体層に接続する第１ボンディング電極を形成し、該第２透明電極の表面に第２ボンディング電極を形成することにより、該第２ボンディング電極および第２透明電極の直下に発光部を形成して単位発光素子を構成し、この単位発光素子を複数ウェハー上に配置する発光素子の製造方法であって、
    単位発光素子は、第２ボンディング電極、第２透明電極、第１ボンディング電極がこの順に並んで配置され、
    第２ボンディング電極同士及び第１ボンディング電極同士が隣接するように複数の単位発光素子がウェハー上に配置されることを特徴とする発光素子の製造方法。
12. 隣接する複数の単位発光素子を一括に切り離す請求項９〜１１のいずれか１つに記載の発光素子の製造方法。