JPH1027771A - 洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents

洗浄方法及び洗浄装置

Info

Publication number
JPH1027771A
JPH1027771A JP8195688A JP19568896A JPH1027771A JP H1027771 A JPH1027771 A JP H1027771A JP 8195688 A JP8195688 A JP 8195688A JP 19568896 A JP19568896 A JP 19568896A JP H1027771 A JPH1027771 A JP H1027771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
substrate
cleaning liquid
resist
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8195688A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3690619B2 (ja
Inventor
Tadahiro Omi
忠弘 大見
Senri Kojima
泉里 小島
Takehisa Nitta
雄久 新田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP19568896A priority Critical patent/JP3690619B2/ja
Priority to US08/781,229 priority patent/US5858106A/en
Priority to KR1019970000555A priority patent/KR980010639A/ko
Publication of JPH1027771A publication Critical patent/JPH1027771A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3690619B2 publication Critical patent/JP3690619B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H10P70/15—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H10P72/0416—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H10P72/0414—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/002—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam the liquid being a degassed liquid

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は従来の洗浄方法及び洗浄装置の問題
を解決し、フォトレジスト等の有機被膜を室温で溶解で
はなく剥離除去するため洗浄処理が極めて短時間で済
み、洗浄液が長時間にわたって劣化せず、しかも洗浄効
果が高く、薬品蒸気や水蒸気が殆ど発生しないため装置
が小型簡素化されるなど極めて優れた特徴を有する洗浄
方法及び洗浄装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、純水で希釈された有機溶剤
に、ハロゲン化アルカリ金属塩若しくはフッ化水素酸若
しくはフッ化アンモニウムを混合した洗浄溶液中で、該
洗浄溶液に超音波を照射することにより基体に付着する
レジストなどの有機被膜を除去することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄方法及び洗浄
装置に係わり、特にフォトレジスト等を室温で剥離、除
去可能な洗浄方法及び洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体や液晶ディスプレイ製造の
ウェットプロセスにおいて、レジスト剥離は、硫酸と過
酸化水素水を原液で混合して、１００〜１５０℃の高温
処理が行われている。あるいは、濃度の濃い有機溶剤を
高温で処理した後、基体に付着した有機溶剤をさらに別
の有機溶剤で処理する方法が用いられている。また、フ
ォトレジストをマスクとしてイオン注入やリアクティブ
イオンエッチングを行うと、レジスト表面に大量のイオ
ンが照射され、レジスト材料自身が殆ど炭化（カーボン
化）するため薬品では、除去できなくなるため、酸素プ
ラズマあるいは、紫外線（ＵＶ）とオゾンガスによりプ
ラズマ処理する方法を導入して、炭化したレジスト部を
燃焼除去した後に、残りのレジストを薬品で除去してい
る。
【０００３】しかし、硫酸・過酸化水素を用いる方法
は、高温処理のためその洗浄液やシリコンウェハ搬送の
操作性が悪く、また、洗浄液中の過酸化水素が分解する
ため液の管理が煩雑である上に、薬品蒸気や水蒸気が大
量に発生してその除去に大量のクリーンな空気が消費さ
れること及び排気空気中から薬品蒸気除去のスクラバー
を必要とするなど、電力代、装置代等が高価になり、さ
らに硫酸の廃液処理にコストがかかるという欠点があ
る。
【０００４】有機溶剤を用いる方法も高温処理をしてい
るため操作性が悪く、廃液処理もやっかいである。硫酸
・過酸化水素水にしろ、有機溶剤処理にしろ、その剥離
機構は、レジストの剥離ではなくレジストの溶解であ
る。半導体等の基板表面略々全面に１〜２μｍの厚さで
塗布されたレジストを全て溶解するため、剥離薬液の劣
化が極めて激しい、という欠点を有している。
【０００５】プラズマ処理法は、処理後にウェハ上にレ
ジスト中に含まれている金属、微粒子等の汚染物が残存
するという欠点が問題である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来の洗浄方
法及び洗浄装置の問題を解決し、フォトレジスト等の有
機被膜を室温で溶解ではなく剥離除去するため洗浄処理
が極めて短時間で済み、洗浄液が長時間にわたって劣化
せず、しかも洗浄効果が高く、薬品蒸気や水蒸気が殆ど
発生しないため装置が小型簡素化されるなど極めて優れ
た特徴を有する洗浄方法及び洗浄装置を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、純
水で希釈された有機溶剤に、フッ化水素酸若しくはフッ
化アンモニウムを混合した洗浄溶液中で、該洗浄溶液に
超音波を照射することにより基体に付着するレジストな
どの有機被膜を除去することを特徴とする。
【０００８】また、本発明の洗浄方法は、純水で希釈さ
れた有機溶剤に、ハロゲン化アルカリ金属塩を混合した
洗浄溶液中で、該洗浄溶液に超音波を照射することによ
り基体に付着するレジストなどの有機被膜を除去するこ
とを特徴とする。
【０００９】洗浄中に、前記基体を前記洗浄液から引き
上げ、及び引き下げを行うことが好ましい。また、前記
基体を揺動する及び／又は、前記基体に液中噴流シャワ
ーを供給するのが好ましい。これにより、洗浄効果は一
層高まり、洗浄の均一性を向上して、洗浄時間を短縮す
ることができる。
【００１０】また、液体の入った外槽内に前記洗浄液の
入った内槽を置き、該外槽に配設した超音波振動子によ
り、前記洗浄液への超音波の照射を、間欠的に行うこと
を特徴とする。これにより、洗浄液の温度を室温付近に
保つことができ、高い洗浄効果を維持することができ
る。
【００１１】また、本発明の洗浄方法は、純水で希釈さ
れた有機溶剤に、フッ化水素酸若しくはフッ化アンモニ
ウムを混合した洗浄液に超音波を照射しながら、該洗浄
液を基体に供給して基体に付着する有機被膜を除去する
ことを特徴とする。また、本発明の洗浄方法は、純水で
希釈された有機溶剤に、ハロゲン化アルカリ金属塩を混
合した洗浄液に超音波を照射しながら、該洗浄液を基体
に供給して基体に付着する有機被膜を除去することを特
徴とする。
【００１２】さらに本発明の洗浄方法は、フォトレジス
ト塗布後の基体裏面を、純水で希釈された有機溶剤に、
フッ化水素酸若しくはフッ化アンモニウムを混合した洗
浄液に超音波を照射しながら、該洗浄液を基体の裏面に
供給して基体裏面に付着する有機被膜を除去することを
特徴とする。
【００１３】また、本発明の洗浄方法は、フォトレジス
ト塗布後の基体裏面を、純水で希釈された有機溶剤に、
ハロゲン化アルカリ金属塩を混合した洗浄液に超音波を
照射しながら、該洗浄液を基体の裏面に供給して基体裏
面に付着する有機被膜を除去することを特徴とする。
【００１４】ここで、前記基体を回転させるのが好まし
い。さらに、基体の周辺雰囲気は５０Ｔｏｒｒ以下とす
るのが好ましい。
【００１５】本発明において、前記洗浄液の温度は、１
５〜４０℃とすることを特徴とする。室温での洗浄が可
能となり、高い洗浄性、操作性及び小型簡素化された装
置が得られる。
【００１６】有機溶剤としては、イソプロピルアルコー
ルが好適に用いられ、その濃度は、４〜９０ｗｔ％が好
ましい。この範囲で、洗浄効果は一層向上する。
【００１７】また、前記フッ化水素酸の濃度は、０．０
１〜０．５ｗｔ％が好ましい。フッ化アンモニウムは
０．６〜６．５ｗｔ％とするのが好ましい。
【００１８】さらに、フッ化カリウムの濃度は０．０１
〜１０ｗｔ％が好ましく、塩化カリウムは０．０５〜１
０ｗｔ％の濃度とするのが好ましい。
【００１９】本発明の洗浄方法において、前記洗浄液に
よる有機被膜の除去処理前に、前処理として、溶剤によ
る処理を行うのが好ましい。この時の溶剤としては、イ
ソプロピルアルコール、ジメチルスルホキシドが好適に
用いられ、水分濃度が１ｐｐｍ以下の雰囲気で行うのが
好ましい。
【００２０】前記超音波の周波数は、０．８〜１０ＭＨ
ｚが好ましい。本発明の洗浄装置は、基体を洗浄液に浸
漬し、超音波を照射することにより基体表面上の有機被
膜を除去する洗浄装置であって、基体を配置する洗浄槽
と、該洗浄槽に配設された超音波振動子と、剥離した有
機膜を洗浄液から除去するためのフィルターと、前記洗
浄液を前記洗浄槽と前記フィルター間で循環するための
配管系とを有し、前記洗浄液として純水で希釈された有
機溶剤に、フッ化水素酸若しくはフッ化アンモニウム若
しくはハロゲン化アルカリ金属塩を混合した洗浄液を用
いることを特徴とする。
【００２１】前記洗浄槽は、前記洗浄液の入った内槽
と、超音波伝搬用の液体の入った外槽とからなり、前記
超音波振動子は該外槽に取り付けられていることを特徴
とする。
【００２２】また、本発明の他の洗浄装置は、超音波を
照射した洗浄液を回転する基体に供給して基体表面上の
有機被膜を除去するための洗浄装置であって、洗浄液と
して純水で希釈された有機溶剤に、フッ化水素酸若しく
はフッ化アンモニウム若しくはハロゲン化アルカリ金属
塩を混合した洗浄液を用い、前記基体に供給した洗浄液
を回収し、剥離した有機被膜を洗浄液から除去するため
のフィルターを介して、再び洗浄液を基体に供給するた
めの配管系を有することを特徴とする。ここで、洗浄装
置内は５０Ｔｏｒｒ以下とするのが好ましい。
【００２３】前記洗浄液はノズルを介して基体に供給さ
れ、前記ノズルは少なくとも１つの吹き出し口を有し、
該吹き出し口の大きさは該洗浄液中の超音波の波長より
大きいことが好ましい。
【００２４】また、前記ノズルはライン上に配列した複
数の吹き出し口を有することを特徴とする。
【００２５】前記フィルタは、除去可能粒子粒径が異な
り、その除去粒子径が次第に小さくなる多段のフィルタ
とするのが好ましい。また、少なくとも２系統以上設け
るのが好ましい。
【００２６】本発明の洗浄方法及び洗浄装置は、フォト
レジストの剥離除去に特に好適に適用される。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１を用い
て説明する。図１は、本発明の洗浄方法を用いるため
に、バッチ処理用に用いられる洗浄槽の一例である。
【００２８】図１において、１０１は、純水、イソプロ
ピルアルコール、フッ化水素酸若しくはフッ化アンモニ
ウム若しくはフッ化カリウムからなる洗浄液１０２を満
たした内槽である。１０３は、超音波振動子１０５を外
壁に取り付けた外槽であり、内部には純水等の液体１０
４が満たされている。
【００２９】基体を洗浄液１０２に浸漬し、超音波振動
子１０５に電圧を印加する。振動子から発振される超音
波は、外槽１０３、液体１０４、内槽１０１を介して洗
浄液１０２に照射され、超音波と洗浄液成分との相乗効
果により、室温付近の温度で基体上のフォトレジストが
極めて効果的に剥離除去される。
【００３０】高い洗浄効果が得られる理由の詳細は、現
在のところ完全には明らかではないが、次の様に考えら
れる。まず、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とフッ
化水素酸及びフッ化アンモニウムやフッ化カリウムがレ
ジスト内部にまたは、特にレジストと基体の界面に浸透
して、レジストを若干溶解、膨張させ、さらにレジスト
と表面の密着力を極端に低下させることによって、レジ
ストは超音波によって剥離するものと考えられる。さら
に、超音波によって洗浄液中に生成するラジカル（Ｈラ
ジカル、ＯＨラジカル）によってレジストと表面の化学
結合を切断し、レジストの剥離を促進させる。イソプロ
ピルアルコールを用いることにより、基体とレジストと
の界面にフッ化アンモニウムやフッ化カリウムまたはフ
ッ化水素酸を浸透させレジストを膨張させる。さらにイ
ソプロピルアルコールと供にフッ化アンモニウムやフッ
化カリウムが界面に侵入し基体をわずかにエッチング
し、レジストを基板から引き離し、超音波によってレジ
ストが剥離されるものと考えられる。
【００３１】ここで、本発明の剥離除去の効果を説明す
るため、従来法の溶解除去の概略工程を図８に、本発明
の剥離除去の概略工程を図９に示す。
【００３２】なお、レジスト膜を形成する前に、レジス
ト膜の基板への密着性を高めるために、基板表面の疎水
化処理（例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）
処理）が行われる場合があるが、この場合も本発明の洗
浄法により、レジストは効果的に除去される。イソプロ
ピルアルコールとフッ化アンモニウムやフッ化カリウム
またはフッ化水素酸を配合することにより表面張力が減
少し、ＨＭＤＳ処理した表面の塗れ性が改善される結
果、洗浄液はレジストとＨＭＤＳ処理面との界面に浸透
してレジストが剥離される。または、ＨＭＤＳ処理面が
わずかにエッチングあるいは溶解されたためと思われ
る。
【００３３】洗浄液の温度は、１５〜４０℃とするのが
好ましく、２０〜３５℃がより好ましい。４０℃を越え
るとレジストは基体と強く吸着するため除去し難くな
り、低温すぎると洗浄液の表面張力が増加しレジストと
基体の界面に液が浸透し難くなるため除去が困難とな
る。
【００３４】なお、洗浄液温度は、超音波のパワー、周
波数、照射時間等の、条件によってその上昇する度合い
が変化する。温度を所定範囲に保つためには、種々の方
法があるが、例えば、図１の液体１０４を恒温槽、冷却
コイル等との間で循環すれば良い。また、超音波を間欠
的に照射して温度上昇を抑えても良い。
【００３５】超音波の周波数は、０．８〜１０ＭＨｚの
範囲が好ましい。０．８ＭＨｚより低い周波数では、キ
ャビテーションが発生しやすく半導体素子の形状破壊が
起こる場合がある。０．８ＭＨｚ以上ではキャビテーシ
ョンは起こらず、また周波数が高くなると音圧（振動加
速度）が高くなり、フォトレジストの除去効果が一層高
くなり好ましいが、１０ＭＨｚを越えると、温度上昇が
激しくなり冷却能力の大きな装置が必要となるため、上
記範囲とするのが好ましい。
【００３６】また、液面付近で高いレジスト除去効果が
あることから、洗浄中に、基体の引き上げ及び引き下げ
を行うことが好ましい。これにより、レジスト除去効果
は一層向上する。この理由としては、液面においては、
超音波により速い洗浄液の流速が得られること、液面で
の直進波と反射波との合成波（定在波）の中で、界面近
傍の密になった活性部分ができること等により、洗浄効
果は高くなると考えられ、基体を界面で上下することで
レジストの剥離効果は増加する。
【００３７】さらに、基体を左右に揺動させることによ
り、音波が均一に照射され、洗浄効果をさらに高めるこ
とが可能となる。また、洗浄液中に１〜２以上のノズル
を配置して基板表面に洗浄液を噴射することにより、洗
浄効果をさらに高めることが可能となる。
【００３８】本発明において、フッ化水素酸及びフッ化
アンモニウムやフッ化カリウム濃度は、洗浄液の温度に
より異なるが、低濃度では、洗浄効果が低く、また高濃
度になるとレジストが焼き付いたようになり、かえって
除去できなくなることがある。以上の観点から、フッ化
水素酸の好適な濃度は０．０１〜１ｗｔ％であり、より
好ましくは０．１〜０．５ｗｔ％である。また、フッ化
アンモニウムの好ましい濃度は、０．６〜６．５ｗｔ％
である。
【００３９】また、本発明においてはフッ化水素酸及び
フッ化アンモニウムをともに加えてもよいことはいうま
でもない。この場合の濃度としては、フッ化水素酸０．
０１〜０．０５ｗｔ％、フッ化アンモニウム０．０５〜
０．５ｗｔ％とするのが好ましい。
【００４０】また、本発明のハロゲン化アルカリ金属塩
としては、フッ化カリウム、塩化カリウム等が用いられ
る。
【００４１】配合量は、フッ化カリウムは０．００５〜
１０ｗｔ％が好ましく、０．０１〜１０ｗｔ％がより好
ましい。また、塩化カリウムの配合量は０．０５〜１０
ｗｔ％が好ましい。
【００４２】上記した洗浄法ではイソプロピルアルコー
ルを用いたが、これに限らず、例えばメチルアルコー
ル、エチルアルコール、２−エトキシエタノール等のア
ルコール、他のアセトン、エチルメチルケトン等の有機
溶剤を用いることができる。但し、洗浄効果および安全
性・取り扱い性から、イソプロピルアルコールが最も好
ましい。
【００４３】有機溶剤の濃度は、低いとレジストの剥離
効果が弱くなり、逆に高いと超音波により気泡が発生
し、超音波の効果が低減されることになる。従って、入
力パワー、配合するフッ化物、ハロゲン化アルカリ金属
塩の種類又は濃度等との関係等で適切な濃度は決められ
るが、４〜９０ｗｔ％の範囲で高いレジスト除去効果が
得られる。
【００４４】また、本発明において、レジスト表面に、
傷を設けることによりレジストの除去効果を一層高める
ことができる。傷をつける方法としては、例えば微細な
針でなぞる方法、微細な氷等を吹き付ける方法（アイス
スクラブ法）、オゾン水（５〜２０ｐｐｍ）による処
理、又はオゾン水に超音波を照射してレジスト表面を荒
らす方法等がある。傷としては、基板表面に傷をつけな
い範囲でできるだけ深い傷を形成するのが望ましい。
【００４５】また、以上のような傷を形成する代わり
に、パターンを形成することによっても、レジストの除
去効果を高めることができる。
【００４６】また、本発明の純水としては、洗浄の対象
となる基体の種類によるが不純物を抑えた物が用いら
れ、半導体基板のフォトレジスト除去を行う場合は、
０．０５μｍ以上の粒径のゴミが数個／ｃｃ以下、比抵
抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上で、ＴＯＣ（全有機炭素）や
シリカの値が１ｐｐｂ以下の超純水が好ましい。
【００４７】なお、図１において用いられる純水等の液
体１０４は、超音波を効率的に伝搬するために脱気した
ものを用いるのが好ましい。また、洗浄液も同様脱気し
たものを用いるのが好ましい。なお、周波数が２ＭＨｚ
の場合、気体成分は２．５ｐｐｍ以下が好ましく、１．
５ｐｐｍ以下がより好ましい。周波数が２ＭＨｚ以上で
は気体成分が１ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐ
ｂ以下である。
【００４８】本発明は、必ずしも図１の二槽構成とする
必要はなく、一槽構成としてその外壁に振動子を取り付
け、直接超音波を洗浄液に照射してもよく、その場合前
述したように、間欠照射、あるいは洗浄液を恒温槽との
間で循環させることにより温度を一定に保つことができ
る。振動子も一つに限らず、槽の側壁、底面、上面に設
けてもよい。また、洗浄液中のレジストを循環過程でフ
ィルタにより除去する必要がある。
【００４９】次に、本発明の洗浄方法の他の実施の形態
図２、３を用いて説明する。
【００５０】図２において、２０１は基体、２０２は回
転装置、２０３は洗浄液供給ノズル、２０４は洗浄液供
給装置であり、２０５は超音波振動子である。２０６は
基体をのせる回転テーブルである。これにより、超音波
が照射された洗浄液を、回転する基体表面に噴射するこ
とにより、遠心力の作用との相乗効果により、レジスト
が効率よく除去される。ここで、ノズルと基体の角度は
４５度程度とするのが好ましい。ノズルの吹き出し口は
円形で、基板の半径方向に往復させてもよいし、基板の
半径方向には線状で円周方向には狭い吹き出し口を有す
るライン状ノズルでも良い。ノズル吹き出し口の大きさ
は、超音波が効率よく通過するために、洗浄液中の超音
波の波長より大きくしておくのが好ましい。例えば０．
９５ＭＨｚの超音波を用いる場合は、吹き出し口の大き
さは１．５ｍｍ以上２ｍｍ以下とするのが好ましい。
【００５１】本発明のレジスト除去は、従来の方法のよ
うにレジストを溶解するのではなく、剥離する方法であ
るから剥離されたレジスト膜の基板への再付着を抑える
ために、図２の方法は特に好ましい。吹き出しノズルを
複数個設ければ、レジスト剥離はさらに高速で行える。
【００５２】また、基板を回転しながらレジストを塗布
した後、レジストは表面から裏面に垂れることがある。
そして、その後のプリベーク（９０℃程度）している。
ここで、裏面に付着しているレジストを除去するために
有機溶剤にフッ化水素酸、フッ化アンモニウム若しくは
ハロゲン化アルカリ金属塩を混合した洗浄延期を用いて
基体裏面を洗浄することにより、その後の基体搬送系に
おけるクロスコンタミネーションの影響を少なくするこ
とができる。なお、洗浄は、レジスト塗布装置の下部に
回転台と垂直又は傾斜させて洗浄ノズルを配置すればよ
い。
【００５３】図３は、超音波照射された洗浄液をシャワ
ー状に基体に供給する方法であり、上からの物理的な力
によってレジストは上から下へ剥離する。また、基体は
シャワーに対して平行に配置してもよく、その場合は基
体を移動させ、基体全体に均一に洗浄液を供給するのが
好ましい。シャワーの吹き出し口は、シャワーの方向を
変えるため例えば±１５°の範囲で回転往復運動させる
と有効である。
【００５４】図３において、３０１は基体、３０２は洗
浄液のシャワー、３０３は洗浄液供給装置、３０４は超
音波振動子である。
【００５５】本発明は、以上の洗浄方法に先立ち、有機
溶剤による前処理を行うことにより、レジスト剥離効果
を一層高めることができる。
【００５６】即ち、洗浄工程を、２工程に分け、第１工
程で有機溶剤に有機被膜が付着している基体を浸漬し、
続いて、第２工程で上記したように有機溶剤、純水、及
びフッ化水素酸若しくはフッ化アンモニウム若しくはハ
ロゲン化アルカリ金属塩からなる洗浄液を用いて超音波
を照射しながらレジスト除去を行えばよい。
【００５７】ここで、第１工程の有機溶剤としては、イ
ソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ジメチルスルホキシ
ド（ＤＭＳＯ）が用いられ、１００％のＩＰＡが特に好
ましい。また、第１工程の処理雰囲気は、密閉とし、水
分を１ｐｐｍ以下の雰囲気で行うのが好ましい。なお、
第１工程は浸漬のみならず、シャワー方式や、スプレー
方式を用いてもよい。
【００５８】本発明は種々のフォトレジストの除去に好
適であり、耐熱性が高く除去が困難とされているＴＳＭ
Ｒ−８９００（東京応化工業株式会社製）についても、
極めて高い除去効果を有している。ｉ線用レジスト、エ
キシマレーザー用レジスト、電子線レジストにも有効で
ある。
【００５９】また、本発明はフォトレジストに限らず、
塗料や接着剤等の種々の高分子有機被膜、機械油等（焼
き付いて高分子化した物を含む）の皮膜、界面活性剤や
染料の除去等に適用できる。
【００６０】次に、基体を連続してレジスト剥離処理が
可能な本発明の洗浄装置を図５及び６に示し、これを用
いて洗浄方法を説明する。
【００６１】図５は、浸漬法を用いてレジスト剥離除去
を行う洗浄装置である。まず、洗浄液を調整して、洗浄
液貯留タンク５０６に供給する。洗浄液はポンプ５０７
で加圧され膜脱気装置５０８に送られ、洗浄液中の溶存
ガスを取り除かれた後、洗浄槽の内槽５０１に送られ
る。一方、純水は、膜脱気装置５０９で脱ガスされ、熱
交換器５１０により冷却されて洗浄槽の外槽５０３に送
られ、この冷却用純水も回収され再利用することができ
る。
【００６２】次にレジストの付着しているウエハを内槽
５０１に浸し、超音波振動子５０５により超音波を照射
してレジスト剥離を実行する。
【００６３】なお、内槽５０１に取り付けられているレ
ベルセンサー５１１は、液面制御用であり、外槽に取り
付けられているレベルセンサー５１２は超音波振動子の
空炊き防止用である。
【００６４】洗浄液はポンプ５１３によりフィルター５
１４を介してタンク５０６に戻される。ウエハから剥離
したレジストはフィルター５１４で除去される。なお、
図の例では２段のフィルターが２系列配設された例であ
る。除去率が低下したところで、フィルター系列の切り
替えが行われる。例えば、前段のフィルターは、０．５
μｍ以上のレジスト粒子を除去するフィルターを用い、
後段では０．０５μｍ以上の粒子を除去するものを用い
ればよい。
【００６５】図６は、洗浄液のスプレー噴射によりレジ
スト剥離除去を行う洗浄装置である。まず洗浄液を調整
して、洗浄液貯留タンク６０１に供給する。ウエハが回
転台６０４に搬送され、洗浄雰囲気を５０Ｔｏｒｒ程度
に減圧する。タンク６０１の洗浄液はポンプ６０２で加
圧され膜脱気装置６０３に送られて洗浄液中に含まれる
溶存ガスが除去される。
【００６６】脱気された洗浄液は洗浄ノズル６０５に送
られ、超音波が超音波振動子６０６により照射されて、
ウエハに供給される。洗浄液が供給されると同時に回転
台６０４は回転を開始しレジスト剥離が実行される。
【００６７】洗浄液は回収タンク６０７に溜められ、ポ
ンプ６０８で加圧され、フィルター６０９で剥離したレ
ジストを除去した後、タンク６０１に戻され、再利用さ
れる。
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明がこれら実施例に限定されることがない
ことは言うまでもない。
【００６８】（実施例１）図１の洗浄装置を用いて、洗
浄液のフッ化水素酸の濃度とレジスト除去されるまでの
時間との関係を調べた。
【００６９】本実施例では、基体として、以下の手順で
レジストを形成した３３ｍｍφのシリコン板を用いた。
【００７０】（レジスト形成手順） 基板プリベーク：１５０℃、５分 ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）塗布：１分３０
秒 レジスト（ＴＳＭＲ−８９００）塗布：８００ｒｐ
ｍ、２秒、３０００ｒｐｍ、４０秒（膜厚：１．０〜
１．３μｍ） ベーク：９０℃、１分３０秒 超純水リンス：１分 ポストベーク：１３０℃、５分 なお、洗浄液は超純水にイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）１００％を投入し（このとき、ＩＰＡ濃度は、可変
するＨＦ量に対応して２０ｗｔ％となるようにした）、
次に５０ｗｔ％のフッ化水素酸を投入してＨＦ濃度を調
整して、超音波を照射して行った。又、洗浄液の温度
は、図１の純水１０４を恒温槽間で循環して２５℃に保
った。使用した超音波の周波数は０．９５ＭＨｚであ
る。
【００７１】処理時間は、基体上のレジストが光学顕微
鏡観察で、残渣がなくなるまでの時間をレジスト１μｍ
厚さに対して換算した値である。結果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
【００７３】表１から明らかになるように、ＩＰＡと超
純水に超音波を照射してもレジストは剥離できるが、フ
ッ化水素酸を混合すると処理時間が大きく短縮でき、特
に０．０１〜１．０ｗｔ％、さらに０．０５〜０．５ｗ
ｔ％の濃度範囲で剥離効果は一層向上することが分かっ
た。
【００７４】（実施例２）ＳｉＯ2をエッチングするフ
ッ化水素酸のかわりに、ＳｉＯ2膜をエッチングするこ
とのないフッ化アンモニウムを用いた以外は、実施例１
と同様にして、洗浄液中のフッ化アンモニウム濃度によ
る洗浄効果を調べた。洗浄液は、超純水にＩＰＡ１００
％を投入し（このとき、ＩＰＡ濃度は、可変するフッ化
アンモニウム量に対応して２０ｗｔ％になるようにし
た）、３０ｗｔ％のフッ化アンモニウムを投入してフッ
化アンモニウム濃度を調整した。結果を表２に示す。
【００７５】また、比較例として、硫酸・過酸化水素水
を用いて、１３０℃で従来の洗浄を行った。結果を表３
に示す。
【００７６】
【表２】
【００７７】
【表３】 *)９８ｗｔ％Ｈ2ＳＯ4と３０ｗｔ％Ｈ2Ｏ2との体積比
【００７８】フッ化水素酸と同様に濃度を高めると効果
は向上し、０．６〜６．５ｗｔ％で特に高い剥離効果が
見られた。本実施例の洗浄は室温で行うことができるに
もかかわらず、高温処理が必要な硫酸・過酸化水素処理
に比べても優れた除去能力を示した。これは硫酸・過酸
化水素処理による除去が溶解による除去であるのに対
し、本発明の除去は剥離除去であることに起因するため
と考えられる。
【００７９】（実施例３）実施例２で、フッ化アンモニ
ウム濃度を５ｗｔ％とし、種々の温度で実施例２と同様
の実験を行ったところ、温度は１５〜４０℃が最もよ
く、また、４０℃を超えると除去効果が急激に低下する
ことが分かった。
【００８０】温度が４０℃を超えると、レジストは溶解
し基体に強固に吸着したようになり除去が困難になっ
た。
【００８１】（実施例４）実施例１と同様にしてレジス
ト膜を形成した後、レジスト膜にＡｓのイオン注入を行
い、種々の洗浄条件でレジスト剥離効果を調べた。結果
を表４に示す。
【００８２】
【表４】 ─────────────────────────────────── 洗浄条件 処理時間［分］ ─────────────────────────────────── ＩＰＡ／ＮＨ4Ｆ／ＭＳ／パターン無し ６０ ＩＰＡ／ＮＨ4Ｆ／ＭＳ／レジスト表面傷付き １５ ＩＰＡ／ＮＨ4Ｆ／ＭＳ／レジスト表面パターン付き ５ Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／パターン無し １２０ Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／レジスト表面傷付き ３５ Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／レジスト表面パターン付き １３ ─────────────────────────────────── イオン注入量：１×１０15ｉｏｎ／ｃｍ2 ＩＰＡ：３０ｗｔ％ ＮＨ4Ｆ：４.８ｗｔ％ ＭＳ：０.９５ＭＨｚ超音波照射 Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2＝４：１ 傷：ダイヤペンにて１ｍｍ間隔でつけたもの パターン：０．３μｍ配線用パターンを０．５ｍｍ間隔でつけたのもの
【００８３】表４から明らかなように、本実施例の洗浄
方法は、イオン注入したレジスト膜に対しても高い除去
効率を示すことが分かる。特に、レジスト膜に傷、パタ
ーンをつけると、除去効果は一層向上することが分か
る。硫酸・過酸化水素水処理よりもＩＰＡ／ＮＨ4Ｆ／
ＭＳの方が除去速度は圧倒的に速い。
【００８４】（実施例５）本実施例では、基板の揺動及
び引き上げ・引き下げの効果を調べた実験について説明
する。
【００８５】洗浄中に基板を、洗浄液中で、１秒の周期
で左右５０ｍｍの振幅で揺動させ、３０秒経過後に、揺
動させながら１ｍｍ／秒の速度で基板を引き上げた。引
き上げた基板の表面には、レジストは観察されず、完全
に除去されていた（実施例５−１）。
【００８６】洗浄中に、基板を５秒周期で上下に３０ｍ
ｍ引き上げ及び引き下げを行って洗浄効果を調べた（実
施例５−２）。さらに、実施例５−２の上下移動に加
え、１秒の周期で左右５０ｍｍ揺動させ、同様に洗浄効
果を調べた（実施例５−３）。
【００８７】本実施例において、洗浄液のフッ化アンモ
ニウム濃度を４．８ｗｔ％とした以外の他の条件は実施
例２と同様である。結果を表５に示す。
【００８８】
【表５】
【００８９】表５が示すように、基板を洗浄液中で左右
の揺動、引き上げ・引き下げを行うことにより洗浄効果
を高めることができる。
【００９０】（実施例６）図２の洗浄装置を用いて、実
施例１と同様にしてフォトレジストを形成した６インチ
シリコンウエハを３０００ｒｐｍの回転数で回転させ、
超音波（０.９５ＭＨｚ）を照射した洗浄液を１リット
ル／分で供給してレジスト除去の効果を調べたところ、
３０秒でレジストが除去されるのが確認された。
【００９１】また、同様のシリコンウエハを、図３の洗
浄装置を用いて、１０リットル／分の流量でシャワー供
給してレジスト除去効果を調べたところ、この場合も３
０秒でレジストが除去されるのが確認された。
【００９２】（実施例７）実施例１において、フッ化水
素酸のかわりにＳｉＯ2膜をエッチングすることのない
フッ化カリウム又は塩化カリウムを用いた以外は実施例
１と同様にして洗浄効果を調べた。洗浄液の調整は、超
純水にＩＰＡ１００％を投入し（このとき、ＩＰＡ濃度
は、フッ化カリウム量に対応して２０ｗｔ％になるよう
にした）、次に、フッ化カリウム粉末を投入して、フッ
化カリウム濃度を調整した。さらに、塩化カリウムにつ
いても同様に調整を行った。結果を表６及び７に示す。
【００９３】
【表６】
【００９４】
【表７】
【００９５】表６、７から明らかなように、ＫＦ、ＫＣ
ｌのいずれを用いても優れたレジスト除去効果が得られ
ることが分かった。特に、フッ化カリウムは、フッ化水
素酸やフッ化アンモニウムよりもさらに優れたレジスト
剥離効果があることが分かった。この理由の詳細は明ら
かではないが、図４に示したレジストに対する各洗浄液
の接触角は、ＩＰＡ／ＫＣｌは２８°に対してＩＰＡ／
ＫＦは１８°と低いため、レジストの濡れ性が高い。こ
のことから濡れ性が高いほど高い剥離効果が得られる傾
向があることが分かっている。
【００９６】（実施例８）ＩＰＡ／ＫＦ混合溶液のＩＰ
Ａ濃度を種々替えて、レジスト剥離効果を調べた。結果
を表８に示す。
【００９７】
【表８】 ──────────────────────────────── ＩＰＡ（wt%） ＫＦ濃度（wt%） 処理時間（秒） ──────────────────────────────── ５４ １．９ ４０ ６５ ０．３ ３５ ７６ ０．１５ ３０ ８８ ０．０５ ２０ ────────────────────────────────
【００９８】（実施例９）ＳｉＯ2表面とレジストの密
着性を良くするために通常はＨＭＤＳを用いてシリル化
処理を行っているが、本実施例ではシリル化処理剤とそ
の上に形成されるレジストの剥離効果との関係を調べ
た。
【００９９】シリル化剤としてはＨＭＤＳの他にＤＶＴ
ＭＤＳを用いて、実施例１と同様にしてＳｉＯ2表面を
疎水化し、その上にレジストを形成した。
【０１００】レジスト除去は、実施例７のＫＦ濃度が
４．５％とした条件で行った。結果を表９に示す。
【０１０１】
【表９】 ────────────────────────────── シリル化剤 処理時間[秒] ────────────────────────────── ＤＶＴＭＤＳ ６０ （1、3-シ゛ヒ゛ニルテトラメチルシ゛シラサ゛ン） ＨＭＤＳ ７０ （ヘキサメチルシ゛シラサ゛ン） ────────────────────────────── 表９が示すように、ＤＶＴＭＤＳでシリル化したほう
が、ＨＭＤＳに比べてレジスト剥離効果が高くなること
が分かる。
【０１０２】これは、ＳｉＯ2表面に吸着する分子のＣ
とＳｉの総数は、ＨＭＤＳが４個（Ｓｉ１個、Ｃ３
個）、ＤＶＴＭＤＳが５個（Ｓｉ１個、Ｃ４個）とな
り、ＳｉとＣの原子の数の和が大きい程、洗浄液は界面
に浸透しやすくなって、レジストが剥離しやすくなるた
めと考えられる。
【０１０３】なお、シリル化処理後の上記洗浄液の接触
角は、ＨＭＤＳで５８度、ＤＶＴＭＤＳで６０度であっ
た。
【０１０４】（実施例１０）ＩＰＡ／ＫＦ、ＩＰＡ／Ｎ
Ｈ4Ｆ等にメガソニック超音波を印加して、レジストを
基板表面から剥離する本発明の洗浄装置を、図７に示す
ようにイオン注入装置、リアクティブイオンエッチング
（ＲＩＥ）装置に隣接して設置することはきわめて有効
である。
【０１０５】イオン注入、ＲＩＥ工程終了後のレジスト
付きウェハは、金属等で汚染されており、ウェハ搬送
路、ウェハ搬送ボックスを汚染し、他のウェハへのクロ
スコンタミネーションの原因となる。したがって、イオ
ン注入、ＲＩＥ工程終了後ただちに本発明による室温で
のレジスト剥離を行い、室温ウェット洗浄、乾燥処理を
施してから、ウェハ搬送路、ウェハ搬送ボックスに送り
込むことにより、クロスコンタミネーションの問題を、
解決することができた。
【０１０６】（実施例１１）実施例１の方法で形成した
レジストを、第１工程として１００％ＩＰＡに浸漬し、
その後第２工程として、実施例７のＫＦ水溶液（１．９
ｗｔ％）とＩＰＡ（５８ｗｔ％）混合液を用いて０．９
５ＭＨｚ超音波を照射しながらと同様にして処理し、レ
ジストが除去されるまでの時間を調べた。結果を表９に
示す。
【０１０７】
【表１０】 ──────────────────────────────── 第１工程（秒） 第２工程（秒） トータル時間（秒） ──────────────────────────────── １８５０ 無し １８５０ ３００* 無し ３００ １０ ３５ ４５ ３０ １０ ４０ 無し ７０ ７０ ──────────────────────────────── *：０．９５ＭＨｚ超音波 表１０に示すように、１００％ＩＰＡの処理工程とＫＦ
／ＩＰＡ混合溶液による処理を組み合わせることによ
り、レジスト除去をより効果的に行うことができる。な
お、１００％ＩＰＡは大気中の水分を吸収し易いため、
処理雰囲気は水分を排除した窒素ガス及び酸素ガスとを
混合したガス雰囲気とするのが好ましい。
【０１０８】本実施例では、ＩＰＡ処理は浸漬法で行っ
たが、シャワー式、スプレー式であってもよい。
【０１０９】（実施例１２）本実施例では、洗浄液のシ
リコンウエハの表面状態に及ぼす影響について調べた。
【０１１０】まず、シリコンウエハ（Ｃｚ、ｎ（１０
０））をＤＨＦ（０．５％ＨＦ）で１分間浸漬した後超
純水リンスを１０分行い、２ｐｐｍオゾン添加超純水で
１０分間洗浄した後、超純水リンスを１０分行った。
【０１１１】その後、さらにＤＨＦに１分間浸漬した
後、ＩＰＡ３０ｗｔ％と、フッ素化合物としてそれぞれ
ＫＦ、ＮＨ4Ｆ、ＨＦを４．５ｗｔ％、４．８wt％、
０．５wt％とを含む洗浄液に超音波（０．９５ＭＨｚ）
を照射しながら１６０秒浸漬した。ここで、１６０秒は
ＩＰＡ／ＨＦ／ＭＳで完全にレジストが除去される時間
である。
【０１１２】洗浄後、ウエハの面内３０点でシリコン表
面の表面粗さRaを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定し
た。結果を表１１に示す。
【０１１３】
【表１１】 表面粗さは、表から明らかなように、ＫＦ洗浄液はシリ
コンの表面荒れは起こらず、研磨後の表面粗さと同じ値
が保たれた。一方、ＮＨ4Ｆ、ＨＦを含有する洗浄液は
ＫＦ含有洗浄液に比べ表面荒れが生じ、面内でばらつき
が大きくなるのが分かった。
【０１１４】次に、ＭＯＳキャパシタを作製し、レジス
ト剥離用洗浄液によるウエハ表面荒れとこの表面に形成
される酸化膜の絶縁耐圧との関係について調べた。
【０１１５】まず、ＭＯＳキャパシタの作製手順を以下
に示す。３３ｍｍ径のｎ（１００）型シリコンウエハを
ＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2＝４：１）で１５分、ＤＨＦ
（０．５wt％ＨＦ）で１分、さらにＡＰＭ（ＮＨ4Ｏ
Ｈ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ2＝０．０５：１：５）を用い８５〜
９０℃で１０分、洗浄を行った後、超純水で１０分リン
スした。
【０１１６】フィールド酸化膜を６００ｎｍウェット酸
化により形成し、実施例１と同様にして１μｍのフォト
レジストを形成し、所望の形状のパターンにフォトリソ
グラフィを行った。
【０１１７】続いて、フィールド酸化膜のエッチングを
バッファードフッ酸（橋本化成株式会社製ＬＡＬ７０
０）で１１分行い、超純水で１０分リンスした。
【０１１８】次に、レジスト剥離を、上記３種類の洗浄
液に１６０秒浸漬し、０．９５ＭＨｚの超音波を照射す
ることにより行った。
【０１１９】続いて、ＳＰＭ（１０分）、ＤＨＦ（１
分）、ＡＰＭ（１０分）、ＤＨＦ（１分）による洗浄を
行った後、２ｐｐｍオゾン含有超純水に２０分浸漬し、
プレオキサイドを形成度、９００℃でドライ酸化してゲ
ート酸化膜を形成した。
【０１２０】次に、ゲート電極用のｐ型ポリＳｉをＣＶ
Ｄで５００ｎｍ形成し、８５０℃で３０分アニールした
後、ＳＰＭ（５分）、超純水（３分）による洗浄を行
い、上記したのと同じ方法によりフォトリソリソグラフ
ィを行い、続いて、ＨＦ：ＨＮＯ3：Ｈ2Ｏ（０．０２：
１：１）を用いてポリＳｉのエッチングを行った。その
後、レジストを同様にして超音波を照射しながら洗浄液
に１６０秒浸漬して剥離し、ＳＰＭ（１０分）、ＤＨＦ
（１分）、超純水（３分）による洗浄を行った。
【０１２１】次に、ＳｉＯ2を常圧ＣＶＤで４００℃で
１８分形成し、所望の形状にパターニング後、Ａｌ１μ
ｍをスパッタリングにより形成し、パターニングした。
【０１２２】以上の工程により、ゲート電極面積１×１
０-4ｃｍ2、ゲート酸化膜厚７．５ｎｍのＭＯＳキャパ
シタを作製した。
【０１２３】作製したＭＯＳキャパシタについて、ヒュ
レット・パッカード製パラメータ・アナライザーＨＰ４
１４５Ａを用いて、絶縁耐圧を測定した。なお、絶縁耐
圧は電流密度１０-4Ａ／ｃｍ2が流れる電圧値とした。
結果をまとめて表１２に示す。
【０１２４】また、同様にして、ＭＯＳＦＥＴを作製し
て、飽和領域におけるＩDと（ＶG−ＶTH）2のグラフの
傾きから移動度を求めた。なお、ＩDはドレイン電流、
ＶGはゲート電圧、ＶTHはしきい値である。この結果も
表１２に示す。
【０１２５】
【表１２】 ─────────────────────────── 絶縁耐圧 移動度 EBD（MV/cm) (cm2/V・sec) ─────────────────────────── IPA/KF/MS 12.3 375 IPA/NH4F/MS 10.5 340 IPA/HF/MS 9.7 290 ───────────────────────────
【０１２６】以上から明らかなように、本発明のハロゲ
ン化アルカリ金属塩を含有する洗浄液は、ＮＨ4Ｆ、Ｈ
Ｆを含む洗浄液に比べ、レジスト剥離効果が高い上に、
しかもシリコンウエハにダメージを与えないため、高性
能デバイスの作製に適していることが分かる。
【０１２７】
【発明の効果】本発明により、即ち、純水、有機溶剤及
びフッ化水素酸及び／又はフッ化アンモニウム、又はフ
ッ化カリウム、塩化カリウム等のハロゲン化アルカリ金
属塩等からなる洗浄液を用い、この洗浄液にメガソニッ
ク超音波を照射することによって、基体に付着した有機
被膜を剥離除去する洗浄方法により、極めて高い洗浄効
果が得られる。
【０１２８】本発明のレジスト等の有機膜除去は、従来
の薬液による溶解ではなく、基板表面からの剥離によっ
ているため、剥離されたレジスト等の有機膜を循環ろ過
すれば有機膜はフィルタで全て除去されてしまうため、
洗浄液は殆ど劣化せず長期間に渡る使用が可能である。
従って、本発明の洗浄装置で使用後の洗浄液を粗性能フ
ィルタ、中性能フィルタ、高性能フィルタと順次通過さ
せれば再利用できる。このフィルタ系統を２系統設けて
おけば、サイクリックに順次切り換えて使用し、他方の
フィルタを交換すれば連続運転できる。
【０１２９】本発明で、ＩＰＡ／ＮＨ4Ｆ／ＭＳ（メガ
ヘルツ域の超音波）、ＩＰＡ／ＫＦ／ＭＳが極めて優れ
たレジスト剥離を有することが確認できた。ＩＰＡ／Ｈ
Ｆ／ＭＳは、ＨＦがＳｉＯ2膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜
をエッチングするためシリコンのフォトリソ工程として
は、ＩＰＡ／ＮＨ4Ｆ／ＭＳ、ＩＰＡ／ＫＦ／ＭＳが、
ＳｉＯ2、ＰＳＧ、ＢＰＳＧをエッチングせず極めて望
ましい。しかし、パターンのより一層の微細化を目指し
てエキシマレーザステッパ（ＫｒＦ：２４８ｎｍ、Ａｒ
Ｆ：１９３ｎｍ）を導入すると、レジストが化学増幅型
レジストとなりアンモニア（ＮＨ3）に極めて敏感にな
るため、ＮＨ3蒸気を発生させる可能性のあるＩＰＡ／
ＮＨ4Ｆ洗浄液は好ましくない。化学増幅型レジスト剥
離にはＩＰＡ／ＫＦが好ましい。剥離工程後の基板表面
に残存するＫは、超純水洗浄により除去できるが、ｐｐ
ｍオーダーのＯ3を添加した超純水やアノード電解イオ
ン水で洗浄すればＫは完全に除去される。
【０１３０】レジストの付いた半導体基板は汚染されて
いる。したがって、レジスト付き基板を搬送すると搬送
路や搬送ボックス内で異なる基板間のクロスコンタミネ
ーション（相互汚染）の原因となる。
【０１３１】フォトリソ工程から、次のイオン注入やリ
アクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）まではレジスト
が本質的に要求される。ＲＩＥやイオン注入を終了した
基板からは、レジストをただちに除去することが好まし
い。
【０１３２】本発明の、ＩＰＡ／ＫＦ／ＭＳによるレジ
スト剥離技術を導入すると引き続くＯ3添加超純水洗
浄、界面活性剤添加ＨＦ／Ｈ2Ｏ2（メガソニック）洗
浄、超純水洗浄との組み合わせにより、全て室温工程で
レジスト剥離、表面洗浄が行われ、Ｋの残存も全くない
クリーン基板が得られる。
【０１３３】本発明の洗浄装置にＩＰＡベーパ乾燥やＮ
2ガスブロー乾燥を導入して、ＲＩＥやイオン注入装置
直後につなげれば、レジスト付着のない基板だけが搬送
される。
【０１３４】本発明は、特にフォトレジストの剥離に好
適に適用され、従来の剥離方法に比べて、高い洗浄除去
効果で、清浄な表面とすることができる。さらに、室温
付近での処理であるため、取り扱い性・安全性に優れ、
しかも廃液処理が容易である。高温高濃度薬品を一切用
いない室温ウェット洗浄技術は本発明者らによりすでに
開発されている（大見忠弘著、ウルトラクリーンＵＬＳ
Ｉ技術、培風館１９９５年１２月刊行）。
【０１３５】本発明のレジスト剥離技術と組み合わせる
ことにより、半導体工場、液晶工場から硫酸、塩酸、硝
酸、アンモニア等の高濃度薬品を完全に駆逐することが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の洗浄方法を実施するための洗浄装置の
一例を示す概念図である。
【図２】本発明の洗浄方法を実施するための洗浄装置の
一例を示す概念図である。
【図３】本発明の洗浄方法を実施するための洗浄装置の
一例を示す概念図である。
【図４】各種洗浄液とレジストとの接触角を示すグラフ
である。
【図５】本発明の洗浄装置の一例を示す概念図である。
【図６】本発明の洗浄装置の他の例を示す概念図であ
る。
【図７】本発明の洗浄装置と他のプロセス装置との好適
な配設例を示す模式図である。
【図８】従来法の溶解除去の概略工程を示す図である。
【図９】本発明の剥離除去の概略工程を示す図である。
【符号の説明】
１０１ 内槽、 １０２ 洗浄液、 １０３ 外槽、 １０４ 液体、 １０５ 超音波振動子、 ２０１ 基体、 ２０２ 回転装置、 ２０３ 洗浄液供給ノズル、 ２０４ 洗浄液供給装置、 ２０５ 超音波振動子、 ２０６ 回転テーブル、 ３０１ 基体、 ３０２ 洗浄液のシャワー、 ３０３ 洗浄液供給装置、 ３０４ 超音波振動子、 ５０１ 洗浄槽の内槽、 ５０２ 洗浄液、 ５０３ 外槽、 ５０４ 純水、 ５０５ 超音波振動子、 ５０６ 洗浄液貯留タンク、 ５０７、５１３ ポンプ、 ５０８、５０９ 膜脱気装置、 ５１０ 熱交換器、 ５１１、５１２ レベルセンサー、 ５１４ フィルター５１４、 ６０１ 洗浄液貯留タンク、 ６０２、６０８ ポンプ、 ６０３ 膜脱気装置、 ６０４ 回転台、 ６０５ 洗浄ノズル、 ６０６ 超音波振動子、 ６０７ 回収タンク、 ６０９ フィルター。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新田 雄久 東京都文京区本郷４丁目１番４号株式会社 ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所 内

Claims (40)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 純水で希釈された有機溶剤にハロゲン化
    アルカリ金属塩を混合した洗浄溶液中で、該混合溶液に
    超音波を照射することにより基体に付着する有機被膜を
    除去することを特徴とする洗浄方法。
  2. 【請求項２】 前記ハロゲン化アルカリ金属塩はフッ化
    カリウム又は塩化カリウムであることを特徴とする請求
    項１に記載の洗浄方法。
  3. 【請求項３】 前記フッ化カリウムの濃度は、０．００
    ５〜１０ｗｔ％とすることを特徴とする請求項２に記載
    の洗浄方法。
  4. 【請求項４】 前記塩化カリウムの濃度は、０．０５〜
    １０ｗｔ％とすることを特徴とする請求項２に記載の洗
    浄方法。
  5. 【請求項５】 純水で希釈された有機溶剤にフッ化水素
    酸若しくはフッ化アンモニウムを混合した洗浄溶液中
    で、該混合溶液に超音波を照射することにより基体に付
    着する有機被膜を除去することを特徴とする洗浄方法。
  6. 【請求項６】 前記フッ化水素酸の濃度は、０．０１〜
    ０．５ｗｔ％であることを特徴とする請求項５に記載の
    洗浄方法。
  7. 【請求項７】 前記フッ化アンモニウムの濃度は、０．
    ６〜６．５ｗｔ％であることを特徴とする請求項５に記
    載の洗浄方法。
  8. 【請求項８】 洗浄中に、前記基体を前記洗浄液内外に
    引き上げ及び引き下げを行うことを特徴とする請求項１
    〜７のいずれか１項に記載の洗浄方法。
  9. 【請求項９】 洗浄中に、前記基体を揺動する及び／又
    は前記基体に液中噴流シャワーを供給することを特徴と
    する請求項１〜８のいずれか１項に記載の洗浄方法。
  10. 【請求項１０】 前記洗浄液の入った内槽を、液体の入
    った外槽に置き、該外槽に配設した超音波振動子によ
    り、前記洗浄液に超音波を照射することを特徴とする請
    求項１〜９のいずれか１項に記載の洗浄方法。
  11. 【請求項１１】 前記洗浄液への超音波の照射は間欠的
    に行うことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項
    に記載の洗浄方法。
  12. 【請求項１２】 純水で希釈された有機溶剤に、ハロゲ
    ン化アルカリ金属塩を混合した洗浄液に超音波を照射し
    ながら、該洗浄液を基体に供給して基体表面に付着する
    有機被膜を除去することを特徴とする洗浄方法。
  13. 【請求項１３】 フォトレジスト塗布後の基体裏面を、
    純水で希釈された有機溶剤に、ハロゲン化アルカリ金属
    塩を混合した洗浄液に超音波を照射しながら、該洗浄液
    を基体の裏面に供給して基体裏面に付着する有機被膜を
    除去することを特徴とする洗浄方法。
  14. 【請求項１４】 前記ハロゲン化アルカリ金属塩はフッ
    化カリウム又は塩化カリウムであることを特徴とする請
    求項１２又は１３に記載の洗浄方法。
  15. 【請求項１５】 前記フッ化カリウムの濃度は、０．０
    ０５〜１０ｗｔ％とすることを特徴とする請求項１４に
    記載の洗浄方法。
  16. 【請求項１６】 前記塩化カリウムの濃度は、０．０５
    〜１０ｗｔ％とすることを特徴とする請求項１４に記載
    の洗浄方法。
  17. 【請求項１７】 純水で希釈された有機溶剤に、フッ化
    水素酸若しくはフッ化アンモニウムを混合した洗浄液に
    超音波を照射しながら、該洗浄液を基体に供給して基体
    表面に付着する有機被膜を除去することを特徴とする洗
    浄方法。
  18. 【請求項１８】 フォトレジスト塗布後の基体裏面を、
    純水で希釈された有機溶剤に、フッ化水素酸若しくはフ
    ッ化アンモニウムを混合した洗浄液に超音波を照射しな
    がら、該洗浄液を基体の裏面に供給して基体裏面に付着
    する有機被膜を除去することを特徴とする洗浄方法。
  19. 【請求項１９】 前記フッ化水素酸の濃度は、０．０１
    〜０．５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１７又は
    １８に記載の洗浄方法。
  20. 【請求項２０】 前記フッ化アンモニウムの濃度は、
    ０．６〜６．５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１
    ７又は１８に記載の洗浄方法。
  21. 【請求項２１】 前記基体を回転させることを特徴とす
    る請求項１２〜２０のいずれか１項に記載の洗浄方法。
  22. 【請求項２２】 前記基体の周辺雰囲気は５０Ｔｏｒｒ
    以下とすることを特徴とする請求項１２〜２１のいずれ
    か１項に記載の洗浄方法。
  23. 【請求項２３】 前記洗浄液の温度は、１５〜４０℃と
    することを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に
    記載の洗浄方法及び洗浄装置。
  24. 【請求項２４】 前記有機溶剤は、イソプロピルアルコ
    ールであることを特徴とする請求項１〜２３のいずれか
    １項に記載の洗浄方法。
  25. 【請求項２５】 前記有機溶剤の濃度は、４〜９０ｗｔ
    ％で洗浄することを特徴とする請求項１〜２４のいずれ
    か１項に記載の洗浄方法。
  26. 【請求項２６】 前記超音波の周波数は、０．８〜１０
    ＭＨｚであることを特徴とする請求項１〜２５のいずれ
    か１項に記載の洗浄方法。
  27. 【請求項２７】 前記洗浄液による有機被膜の除去処理
    前に、前処理として、溶剤による処理を行うことを特徴
    とする請求項１〜２６のいずれか１項に記載の洗浄方
    法。
  28. 【請求項２８】 前記溶剤はイソプロピルアルコール又
    はジメチルスルホキシドであることを特徴とする請求項
    ２７に記載の洗浄方法。
  29. 【請求項２９】 前記溶剤による前処理は、水分濃度が
    １ｐｐｍ以下の雰囲気中で行うことを特徴とする請求項
    ２７又は２８に記載の洗浄方法。
  30. 【請求項３０】 前記有機被膜は、フォトレジストであ
    ることを特徴とする請求項１〜２９のいずれか１項に記
    載の洗浄方法。
  31. 【請求項３１】 前記フォトレジストはイオン注入及び
    ／又はリアクティブイオンエッチング後に基体に付着し
    ているフォトレジストであることを特徴とする請求項３
    ０に記載の洗浄方法。
  32. 【請求項３２】 前記有機被膜に傷を入れることを特徴
    とする請求項１〜３１のいずれか１項に記載の洗浄方
    法。
  33. 【請求項３３】 基体を洗浄液に浸漬し、超音波を照射
    することにより基体表面上の有機被膜を除去する洗浄装
    置であって、基体を配置する洗浄槽と、該洗浄槽に配設
    された超音波振動子と、剥離した有機膜を洗浄液から除
    去するためのフィルターと、前記洗浄液を前記洗浄槽と
    前記フィルター間で循環するための配管系とを有し、前
    記洗浄液として純水で希釈された有機溶剤に、フッ化水
    素酸若しくはフッ化アンモニウム若しくはハロゲン化ア
    ルカリ金属塩を混合した洗浄液を用いることを特徴とす
    る洗浄装置。
  34. 【請求項３４】 前記洗浄槽は、前記洗浄液の入った内
    槽と、超音波伝搬用の液体の入った外槽とからなり、前
    記超音波振動子は該外槽に取り付けられていることを特
    徴とする請求項３３に記載の洗浄装置。
  35. 【請求項３５】 超音波を照射した洗浄液を回転する基
    体に供給して基体表面上の有機被膜を除去するための洗
    浄装置であって、洗浄液として純水で希釈された有機溶
    剤に、フッ化水素酸若しくはフッ化アンモニウム若しく
    はハロゲン化アルカリ金属塩を混合した洗浄液を用い、
    前記基体に供給した洗浄液を回収し、剥離した有機被膜
    を洗浄液から除去するためのフィルターを介して、再び
    洗浄液を基体に供給するための配管系を有することを特
    徴とする洗浄装置。
  36. 【請求項３６】 前記洗浄装置内の洗浄雰囲気は、５０
    Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項３５に記載
    の洗浄装置。
  37. 【請求項３７】 前記洗浄液はノズルを介して基体に供
    給され、前記ノズルは少なくとも１つの吹き出し口を有
    し、該吹き出し口の大きさは該洗浄液中の超音波の波長
    より大きいことを特徴とする請求項３５又は３６に記載
    の洗浄装置。
  38. 【請求項３８】 前記ノズルはライン上に配列した複数
    の吹き出し口を有することを特徴とする請求項３７に記
    載の洗浄装置。
  39. 【請求項３９】 前記フィルタは、除去可能粒子粒径が
    異なり、その除去粒子径が次第に小さくなる多段のフィ
    ルタからなることを特徴とする請求項３３〜３８のいず
    れか１項に記載の洗浄装置。
  40. 【請求項４０】 前記フィルタを少なくとも２系統以上
    設けることを、特徴とする請求項３９に記載の洗浄装
    置。
JP19568896A 1996-01-12 1996-07-05 洗浄方法及び洗浄装置 Expired - Fee Related JP3690619B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19568896A JP3690619B2 (ja) 1996-01-12 1996-07-05 洗浄方法及び洗浄装置
US08/781,229 US5858106A (en) 1996-01-12 1997-01-10 Cleaning method for peeling and removing photoresist
KR1019970000555A KR980010639A (ko) 1996-01-12 1997-01-11 세정방법 및 세정장치

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP375796 1996-01-12
JP8-3757 1996-05-10
JP8-116850 1996-05-10
JP11685096 1996-05-10
JP19568896A JP3690619B2 (ja) 1996-01-12 1996-07-05 洗浄方法及び洗浄装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005030045A Division JP3940742B2 (ja) 1996-01-12 2005-02-07 洗浄方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1027771A true JPH1027771A (ja) 1998-01-27
JP3690619B2 JP3690619B2 (ja) 2005-08-31

Family

ID=27275959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19568896A Expired - Fee Related JP3690619B2 (ja) 1996-01-12 1996-07-05 洗浄方法及び洗浄装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5858106A (ja)
JP (1) JP3690619B2 (ja)
KR (1) KR980010639A (ja)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291689A (ja) * 2000-04-07 2001-10-19 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの研磨装置
JP2001332526A (ja) * 2000-05-23 2001-11-30 Daikin Ind Ltd メタルゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物
WO2002067304A1 (en) * 2001-02-22 2002-08-29 Man-Sok Hyon A method of forming resist patterns in a semiconductor device and a semiconductor washing liquid used in said method
JP2004140313A (ja) * 2002-08-22 2004-05-13 Jsr Corp 二層積層膜を用いた電極パッド上へのバンプ形成方法
US6756187B2 (en) 2002-01-04 2004-06-29 Nec Lcd Technologies, Ltd. Method for removing patterned layer from lower layer through reflow
KR100479004B1 (ko) * 2002-04-19 2005-03-31 가부시끼가이샤가이죠 세정처리방법 및 세정처리장치
WO2006106779A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 不純物導入装置及び不純物導入方法
JP2007194489A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Toshiba Corp 処理装置及び処理方法
US20070227567A1 (en) * 2004-07-16 2007-10-04 Tohoku University Processing Liquid and Processing Method for Semiconductor Device, and Semiconductor Manufacturing Apparatus
US7284558B2 (en) * 2005-02-15 2007-10-23 Infineon Technologies Ag Enhanced megasonic based clean using an alternative cleaning chemistry
KR100930005B1 (ko) * 2001-11-05 2009-12-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2010225995A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Toshiba Corp 半導体基板の洗浄装置および半導体基板の洗浄方法
CN102294332A (zh) * 2011-08-08 2011-12-28 江西金葵能源科技有限公司 金刚石线切割硅晶片的清洗方法
CN103480603A (zh) * 2013-08-22 2014-01-01 无锡南方声学工程有限公司 一种链条式多槽超声波清洗装置
CN104162521A (zh) * 2014-08-11 2014-11-26 贵州西牛王印务有限公司 一种利用超声波清洗有机化合物检测瓶的方法
JP2016215468A (ja) * 2015-05-19 2016-12-22 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
KR20200109350A (ko) * 2018-01-23 2020-09-22 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 기판 세정 방법 및 장치
JP2021082843A (ja) * 2016-05-25 2021-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体
CN113176704A (zh) * 2021-04-15 2021-07-27 江苏韵燕印刷版材有限公司 一种印刷ps版的再生方法
CN113721430A (zh) * 2021-03-30 2021-11-30 腾讯科技（深圳）有限公司 光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统
KR20220015946A (ko) * 2020-07-31 2022-02-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치
US12210288B2 (en) 2021-03-30 2025-01-28 Tencent Technology (Shenzhen) Company Limited Photoresist removal method and photoresist removal system

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3171807B2 (ja) * 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP4157185B2 (ja) * 1997-02-26 2008-09-24 財団法人国際科学振興財団 洗浄液及び洗浄方法
AU8070498A (en) * 1997-06-13 1998-12-30 Cfmt, Inc. Methods for treating semiconductor wafers
JP3920429B2 (ja) 1997-12-02 2007-05-30 株式会社ルネサステクノロジ 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置
US6007406A (en) 1997-12-04 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Polishing systems, methods of polishing substrates, and method of preparing liquids for semiconductor fabrication process
CN1107970C (zh) * 1997-12-10 2003-05-07 Cfmt公司 电子元件制造用的湿法处理方法
US6284056B1 (en) * 1998-08-11 2001-09-04 Gustavo M. Gonzalez Smoker's pipe cleaner and method of use
US6767874B2 (en) * 1998-08-11 2004-07-27 Gustavo M. Gonzalez Cleaning compositions for removing organic deposits in hard to reach surfaces
JP2000091289A (ja) * 1998-09-10 2000-03-31 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US6024106A (en) * 1998-11-19 2000-02-15 United Microelectronics Corp. Post-CMP wafer clean process
DE19901002B4 (de) * 1999-01-13 2005-09-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Strukturieren einer Schicht
US6261845B1 (en) 1999-02-25 2001-07-17 Cfmt, Inc. Methods and systems for determining chemical concentrations and controlling the processing of semiconductor substrates
JP4224652B2 (ja) * 1999-03-08 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
US6248704B1 (en) 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
EP1057546A1 (en) * 1999-06-01 2000-12-06 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaner
US6232241B1 (en) * 2000-04-11 2001-05-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Pre-oxidation cleaning method for reducing leakage current of ultra-thin gate oxide
US6927176B2 (en) * 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US7456113B2 (en) * 2000-06-26 2008-11-25 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
TW200303581A (en) * 2002-02-28 2003-09-01 Tech Ltd A Method and apparatus for cleaning and drying semiconductor wafer
US6682607B1 (en) * 2002-03-05 2004-01-27 Sandia Corporation Reconditioning of semiconductor substrates to remove photoresist during semiconductor device fabrication
US6881272B2 (en) * 2002-06-06 2005-04-19 Lexmark International, Inc. Selective removal of photoreceptor coatings by ultrasonification
JP3596616B2 (ja) * 2002-09-25 2004-12-02 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP3672902B2 (ja) * 2002-10-11 2005-07-20 沖電気工業株式会社 半導体基板の表面保護方法
KR20050011510A (ko) * 2003-07-23 2005-01-29 동부전자 주식회사 반도체 공정의 폴리머 제거용 에천트
US20050124160A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Novel multi-gate formation procedure for gate oxide quality improvement
JP2006128544A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
KR20090130197A (ko) 2005-11-23 2009-12-18 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 기판으로부터의 물질 제거 공정
JP4986565B2 (ja) * 2005-12-02 2012-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US20070148804A1 (en) * 2005-12-28 2007-06-28 Intel Corporation Method of making a multilayered device with ultra-thin freestanding metallic membranes using a peel off process
JP4999338B2 (ja) * 2006-03-15 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
DE102006022722B4 (de) * 2006-05-12 2010-06-17 Hueck Engraving Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenstrukturierung eines Pressbleches oder eines Endlosbandes
US20080060682A1 (en) * 2006-09-13 2008-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High temperature spm treatment for photoresist stripping
EP1903400A1 (en) * 2006-09-20 2008-03-26 Interuniversitair Microelektronica Centrum A method to remove resist layers from a substrate
US8137417B2 (en) * 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
JP4960075B2 (ja) * 2006-12-18 2012-06-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US8580117B2 (en) * 2007-03-20 2013-11-12 Taiwan Semiconductor Manufactuing Company, Ltd. System and method for replacing resist filter to reduce resist filter-induced wafer defects
KR101282714B1 (ko) 2007-05-18 2013-07-05 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 수증기 또는 스팀을 이용하여 기판을 처리하는 방법
US20090087566A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Masahiro Kimura Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101308051B1 (ko) * 2011-07-14 2013-09-12 씨엔비산업주식회사 초고순도 불산(ｈｆ)의 제조방법
CN103170467B (zh) * 2011-12-23 2016-02-10 浙江昱辉阳光能源有限公司 铸锭循环料清洁处理方法
JP6326379B2 (ja) 2012-03-08 2018-05-16 ディー−ウェイブ システムズ，インコーポレイテッド 超伝導集積回路の製作のためのシステムおよび方法
US8871108B2 (en) 2013-01-22 2014-10-28 Tel Fsi, Inc. Process for removing carbon material from substrates
US9541837B2 (en) * 2013-06-20 2017-01-10 Veeco Precision Surface Processing Llc Apparatus and method for removing challenging polymer films and structures from semiconductor wafers
KR20150061172A (ko) * 2013-11-26 2015-06-04 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치 세정제 조성물 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
JP6566959B2 (ja) * 2014-02-04 2019-08-28 ヒェメタル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＣｈｅｍｅｔａｌｌ ＧｍｂＨ 有機被覆を備える基材を除去するための方法
JP6449097B2 (ja) * 2014-07-24 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6592303B2 (ja) 2015-08-14 2019-10-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄方法および基板洗浄装置
CN105304478A (zh) * 2015-10-15 2016-02-03 京东方科技集团股份有限公司 图案化金属膜层的方法、晶体管和阵列基板的制备方法
EP3577700B1 (en) 2017-02-01 2022-03-30 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits
BE1025599B9 (nl) * 2017-09-28 2019-05-28 Unilin B V B A Werkwijze voor het vervaardigen van gestructureerde perselementen
JP6647267B2 (ja) * 2017-11-09 2020-02-14 古河電気工業株式会社 半導体チップの製造方法
KR102081706B1 (ko) * 2018-07-18 2020-02-27 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US20200152851A1 (en) 2018-11-13 2020-05-14 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for fabricating superconducting integrated circuits
WO2020168097A1 (en) 2019-02-15 2020-08-20 D-Wave Systems Inc. Kinetic inductance for couplers and compact qubits
CN115004393B (zh) 2019-12-05 2025-11-04 D-波系统公司 用于制造超导集成电路的系统和方法
WO2021231224A1 (en) 2020-05-11 2021-11-18 D-Wave Systems Inc. Kinetic inductance devices, methods for fabricating kinetic inductance devices, and articles employing the same
CN113985712A (zh) * 2020-07-27 2022-01-28 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led芯片的常温去胶方法
CN113814224A (zh) * 2021-08-23 2021-12-21 中国电子科技集团公司第十五研究所 一种印制板孔壁钻污处理方法
US12392823B2 (en) 2021-11-05 2025-08-19 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for on-chip noise measurements

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988256A (en) * 1974-04-03 1976-10-26 Allied Chemical Corporation Photoresist stripper rinse
US4178188A (en) * 1977-09-14 1979-12-11 Branson Ultrasonics Corporation Method for cleaning workpieces by ultrasonic energy
US4778532A (en) * 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US5690747A (en) * 1988-05-20 1997-11-25 The Boeing Company Method for removing photoresist with solvent and ultrasonic agitation
JP2653511B2 (ja) * 1989-03-30 1997-09-17 株式会社東芝 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置
US5090432A (en) * 1990-10-16 1992-02-25 Verteq, Inc. Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system
DE9304878U1 (de) * 1993-03-31 1993-06-09 Morton International, Inc., Chicago, Ill. Entschichterlösung für lichtvernetzte Photoresistschablonen
US5468302A (en) * 1994-07-13 1995-11-21 Thietje; Jerry Semiconductor wafer cleaning system

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291689A (ja) * 2000-04-07 2001-10-19 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの研磨装置
JP2001332526A (ja) * 2000-05-23 2001-11-30 Daikin Ind Ltd メタルゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物
WO2002067304A1 (en) * 2001-02-22 2002-08-29 Man-Sok Hyon A method of forming resist patterns in a semiconductor device and a semiconductor washing liquid used in said method
KR100930005B1 (ko) * 2001-11-05 2009-12-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US6756187B2 (en) 2002-01-04 2004-06-29 Nec Lcd Technologies, Ltd. Method for removing patterned layer from lower layer through reflow
US7214473B2 (en) 2002-01-04 2007-05-08 Nec Lcd Technologies Ltd. Method for removing patterned layer from lower layer through reflow
KR100479004B1 (ko) * 2002-04-19 2005-03-31 가부시끼가이샤가이죠 세정처리방법 및 세정처리장치
JP2004140313A (ja) * 2002-08-22 2004-05-13 Jsr Corp 二層積層膜を用いた電極パッド上へのバンプ形成方法
US20070227567A1 (en) * 2004-07-16 2007-10-04 Tohoku University Processing Liquid and Processing Method for Semiconductor Device, and Semiconductor Manufacturing Apparatus
US7284558B2 (en) * 2005-02-15 2007-10-23 Infineon Technologies Ag Enhanced megasonic based clean using an alternative cleaning chemistry
US7626184B2 (en) 2005-03-30 2009-12-01 Panasonic Corporation Impurity introducing apparatus and impurity introducing method
US7622725B2 (en) 2005-03-30 2009-11-24 Panaosnic Corporation Impurity introducing apparatus and impurity introducing method
WO2006106779A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 不純物導入装置及び不純物導入方法
JP5116466B2 (ja) * 2005-03-30 2013-01-09 パナソニック株式会社 不純物導入装置及び不純物導入方法
US8141567B2 (en) 2006-01-20 2012-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for photoresist removal processing
JP2007194489A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Toshiba Corp 処理装置及び処理方法
JP2010225995A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Toshiba Corp 半導体基板の洗浄装置および半導体基板の洗浄方法
CN102294332A (zh) * 2011-08-08 2011-12-28 江西金葵能源科技有限公司 金刚石线切割硅晶片的清洗方法
CN103480603A (zh) * 2013-08-22 2014-01-01 无锡南方声学工程有限公司 一种链条式多槽超声波清洗装置
CN104162521A (zh) * 2014-08-11 2014-11-26 贵州西牛王印务有限公司 一种利用超声波清洗有机化合物检测瓶的方法
JP2016215468A (ja) * 2015-05-19 2016-12-22 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
JP2021082843A (ja) * 2016-05-25 2021-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体
JP2021517732A (ja) * 2018-01-23 2021-07-26 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 基板の洗浄方法及び洗浄装置
KR20200109350A (ko) * 2018-01-23 2020-09-22 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 기판 세정 방법 및 장치
KR20220015946A (ko) * 2020-07-31 2022-02-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치
CN114068354A (zh) * 2020-07-31 2022-02-18 株式会社斯库林集团 基板处理方法以及基板处理装置
CN113721430A (zh) * 2021-03-30 2021-11-30 腾讯科技（深圳）有限公司 光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统
CN113721430B (zh) * 2021-03-30 2022-09-23 腾讯科技（深圳）有限公司 光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统
US12210288B2 (en) 2021-03-30 2025-01-28 Tencent Technology (Shenzhen) Company Limited Photoresist removal method and photoresist removal system
CN113176704A (zh) * 2021-04-15 2021-07-27 江苏韵燕印刷版材有限公司 一种印刷ps版的再生方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR980010639A (ko) 1998-04-30
JP3690619B2 (ja) 2005-08-31
US5858106A (en) 1999-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3690619B2 (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
KR101463997B1 (ko) 기판의 세정 방법 및 세정 장치
US6551409B1 (en) Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface
JP4157185B2 (ja) 洗浄液及び洗浄方法
JP3351924B2 (ja) 洗浄方法
JP3185753B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7682457B2 (en) Frontside structure damage protected megasonics clean
EP0936268B1 (en) Cleaning solution for electromaterials and method for using the same
JP2010109384A (ja) スクラバ中の金属を除去する方法
US12062556B2 (en) Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
JP3940742B2 (ja) 洗浄方法
JPH10116809A (ja) 洗浄方法及び洗浄システム
JPH1022246A (ja) 洗浄方法
JP3535820B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2004296463A (ja) 洗浄方法および洗浄装置
WO2000007220A2 (en) Wet processing methods for the manufacture of electronic components using ozonated process fluids
JP2002001243A (ja) 電子材料の洗浄方法
JP2001185520A (ja) 半導体素子形成用基板表面処理方法
JP2001054768A (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
JP6020626B2 (ja) デバイス用Ｇｅ基板の洗浄方法、洗浄水供給装置及び洗浄装置
JP2001269632A (ja) 洗浄方法および洗浄装置
JP2006120681A (ja) 被処理体の洗浄処理装置と洗浄処理方法
JP2014225570A (ja) デバイス用Ｇｅ基板の洗浄方法、洗浄水供給装置及び洗浄装置
JPH10256216A (ja) 半導体装置製造方法および半導体装置製造装置
Vig Contamination control methods-a review of recent progress

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050207

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050601

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050609

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees