JPH1027782A - Plasma processing method and apparatus - Google Patents
Plasma processing method and apparatusInfo
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- JPH1027782A JPH1027782A JP8183067A JP18306796A JPH1027782A JP H1027782 A JPH1027782 A JP H1027782A JP 8183067 A JP8183067 A JP 8183067A JP 18306796 A JP18306796 A JP 18306796A JP H1027782 A JPH1027782 A JP H1027782A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高真空で大面積にわたり高密度プラズマを発
生させることが可能で、耐久性と印加電力効率に優れた
低価格のプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】 高周波誘導結合用コイル６，１７に高周
波電力を印加することにより真空室３，１８内にプラズ
マを発生させて基板８，２０を処理するプラズマ処理装
置及び方法で、複数の貫通窓３０，４０，６３を形成し
た金属よりなる梁２，６２又は枠体１３を設けるととも
に、上記複数の貫通窓を閉塞する抵抗加熱ヒータ４，１
５付きの第１誘電板１，１４を配置して真空室を封止
し、上記第１誘電板の上に第２誘電板５などの絶縁層を
介して高周波誘導結合用コイル６，１７を配置してい
る。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low-cost plasma processing method and apparatus capable of generating high-density plasma over a large area in a high vacuum and having excellent durability and applied power efficiency. A plasma processing apparatus and method for processing substrates 8 and 20 by generating plasma in vacuum chambers 3 and 18 by applying high-frequency power to high-frequency inductive coupling coils 6 and 17, comprising a plurality of through windows. A beam 2, 62 or a frame 13 made of a metal on which 30, 40, 63 are formed, and a resistance heater 4, 1 for closing the plurality of through windows.
The vacuum chamber is sealed by arranging the first dielectric plates 1 and 14 with 5 and the high-frequency inductive coupling coils 6 and 17 are placed on the first dielectric plate via an insulating layer such as the second dielectric plate 5. Have been placed.
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、大型基板対応の高
周波誘導結合放電を利用したプラズマ処理方法及び装置
に関するものであり、高真空度で大面積にわたり高密度
プラズマが発生することが可能で、耐久性と印加電力効
率に優れた低価格のプラズマ処理方法及び装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing method and apparatus using a high-frequency inductively coupled discharge for a large substrate, capable of generating high-density plasma over a large area at a high vacuum. The present invention relates to a low-cost plasma processing method and apparatus excellent in durability and applied power efficiency.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体素子や液晶素子の製造コス
ト削減のため、製造装置の低価格化を望む声が高まって
おり、特に、液晶素子については液晶パネルの大型化傾
向に伴い、大型基板対応の製造装置を低価格で供給する
ことが求められている。図７は、従来の大型基板対応の
平板型の高周波誘導結合型プラズマ処理装置の一部断面
の分解斜視図である。図７において、１２１は高周波誘
導結合用コイル、１２２は第１高周波電源、１２３は第
２高周波電源、１２４は電極、１２５は第１誘電板、１
２６は真空室、１２７は上記第１誘電板１２５の真空室
側表面を加熱するための抵抗加熱ヒータで、１２８は第
２誘電板である。１２９は製造対象物である例えば液晶
素子等の基板である。１３０は真空室１２６内にガスを
供給するためのガス供給用の導入口、１３１は上記真空
室１２６内を排気するためのポンプである。この装置の
動作は、高周波誘導結合用コイル１２１に第１高周波電
源１２２によって高周波電力を供給し、電極１２４に第
２高周波電源１２３によって高周波電力を印加すること
により、高真空において高密度のプラズマを発生させ、
基板１２９に対して、例えば、保護膜等の薄膜の形成処
理やエッチング処理等の処理を行うものであり、この装
置は、プラズマ密度の分布及びイオンエネルギーの制御
に優れているものである。2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for lowering the cost of manufacturing equipment in order to reduce the manufacturing costs of semiconductor elements and liquid crystal elements. It is required to supply a corresponding manufacturing apparatus at a low price. FIG. 7 is an exploded perspective view of a partial cross section of a conventional high-frequency inductively coupled plasma processing apparatus of a flat plate type corresponding to a large substrate. 7, reference numeral 121 denotes a high-frequency inductive coupling coil, 122 denotes a first high-frequency power supply, 123 denotes a second high-frequency power supply, 124 denotes an electrode, 125 denotes a first dielectric plate, 1
26 is a vacuum chamber, 127 is a resistance heater for heating the surface of the first dielectric plate 125 on the vacuum chamber side, and 128 is a second dielectric plate. Reference numeral 129 denotes a substrate to be manufactured, such as a liquid crystal element. 130 is a gas supply inlet for supplying gas into the vacuum chamber 126, and 131 is a pump for evacuating the vacuum chamber 126. This device operates by supplying high-frequency power to the high-frequency inductive coupling coil 121 by the first high-frequency power supply 122 and applying high-frequency power to the electrode 124 by the second high-frequency power supply 123 to generate high-density plasma in a high vacuum. Raise,
The substrate 129 is subjected to, for example, a process of forming a thin film such as a protective film, an etching process, and the like. This apparatus is excellent in controlling plasma density distribution and ion energy.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板１
２９のサイズが大きい場合、高周波誘導結合用コイル１
２１を敷設するための誘電体として使用している第１誘
電板１２５も上記基板１２９のサイズに合わせて大き
く、厚くする必要があり、機械的強度と価格、高周波電
力の供給効率の面で問題となる。すなわち、真空保持の
ために誘電板を厚くするとその面積比以上に価格が高く
なり、耐久性の面から見ても欠け等が生じやすくなり、
また供給する高周波電力の効率が悪化するという問題点
がある。本発明は、このような従来の問題点に鑑み、高
真空で大面積にわたり印加電力の効率の良好な高密度プ
ラズマを発生させることが可能で耐久性に優れた低価格
のプラズマ処理方法及び装置を供給することを目的とす
る。However, the substrate 1
When the size of the coil 29 is large, the high-frequency inductive coupling coil 1
The first dielectric plate 125 used as a dielectric for laying the substrate 21 also needs to be large and thick in accordance with the size of the substrate 129, and has problems in mechanical strength, cost, and supply efficiency of high frequency power. Becomes That is, if the thickness of the dielectric plate is increased to maintain the vacuum, the price becomes higher than the area ratio, and chipping and the like are likely to occur even from the viewpoint of durability,
Further, there is a problem that the efficiency of the supplied high frequency power is deteriorated. The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and is capable of generating high-density plasma with good applied power efficiency over a large area in a high vacuum, and is a low-cost and highly durable plasma processing method and apparatus. The purpose is to supply.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段及びその作用効果】上記目
的を達成するために、本発明は以下のように構成してい
る。本発明の第１態様によれば、プラズマ処理方法は、
真空室の一面が、金属製の梁で支えられた誘電板で封止
され、上記誘電板上に沿って絶縁層を介して配置されて
いる高周波誘導結合用コイルに高周波電圧を印加するこ
とにより、真空室内にプラズマを発生させて基板を処理
するように構成している。本発明の第２態様によれば、
プラズマ処理方法は、真空室の一面が、複数の貫通窓に
それぞれ誘電板が嵌め込まれた金属製枠体より構成さ
れ、上記金属製枠体に沿って絶縁層を介して配置された
高周波誘導結合用コイルに高周波電圧を印加することに
より、真空室内にプラズマを発生させて基板を処理する
ように構成している。本発明の第３態様によれば、上記
第１態様において、上記金属製の梁の上記誘電板に対す
る射影面積が上記誘電板の全面積の約４０％以下で上記
基板をプラズマ処理することもできる。Means for Solving the Problems and Effects of the Invention In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows. According to a first aspect of the present invention, a plasma processing method includes:
One surface of the vacuum chamber is sealed with a dielectric plate supported by a metal beam, and a high-frequency voltage is applied to a high-frequency inductive coupling coil disposed on the dielectric plate via an insulating layer via an insulating layer. The substrate is processed by generating plasma in a vacuum chamber. According to a second aspect of the present invention,
The plasma processing method includes a high-frequency inductive coupling in which one surface of a vacuum chamber is formed of a metal frame in which a dielectric plate is fitted in each of a plurality of through windows, and which is disposed along the metal frame with an insulating layer interposed therebetween. By applying a high-frequency voltage to the coil for use, plasma is generated in the vacuum chamber to process the substrate. According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the substrate can be subjected to plasma processing when the projected area of the metal beam onto the dielectric plate is about 40% or less of the entire area of the dielectric plate. .
【０００５】本発明の第４態様によれば、上記第１又は
３態様において、上記梁が上記コイルの中心の直下を避
けるように配置することもできる。本発明の第５態様に
よれば、上記第１又は３態様において、上記梁が上記コ
イルの中心に対してほぼ対称に配置することもできる。
本発明の第６態様によれば、上記第２態様において、上
記金属製枠体の真空室側表面積が、上記複数の誘電板の
真空室側表面積の総和と上記金属製枠体の真空室側表面
積の総和の和の約４０％以下の状態で上記基板をプラズ
マ処理することもできる。本発明の第７態様によれば、
上記第２又は６態様において、上記枠体の枠部分が上記
コイルの中心の直下を避けるように配置することもでき
る。本発明の第８態様によれば、上記第２又は６態様に
おいて、上記枠体の枠部分が上記コイルの中心に対して
ほぼ対称に配置することもできる。[0005] According to a fourth aspect of the present invention, in the first or third aspect, the beam may be arranged so as to avoid immediately below the center of the coil. According to a fifth aspect of the present invention, in the first or third aspect, the beams may be arranged substantially symmetrically with respect to the center of the coil.
According to a sixth aspect of the present invention, in the second aspect, the vacuum chamber side surface area of the metal frame is a sum of the vacuum chamber side surface areas of the plurality of dielectric plates and the vacuum chamber side of the metal frame. The substrate may be subjected to plasma treatment in a state where the sum of the surface areas is about 40% or less. According to a seventh aspect of the present invention,
In the second or sixth aspect, the frame may be arranged such that the frame portion of the frame body does not directly under the center of the coil. According to the eighth aspect of the present invention, in the second or sixth aspect, the frame portion of the frame may be arranged substantially symmetrically with respect to the center of the coil.
【０００６】本発明の第９態様によれば、上記第１〜８
態様のいずれかにおいて、上記絶縁層は空気層であるよ
うにすることもできる。本発明の第１０態様によれば、
上記第１〜８態様のいずれかにおいて、上記絶縁層は絶
縁用誘電板であるようにすることもできる。本発明の第
１１態様によれば、上記第１〜１０態様のいずれかにお
いて、上記誘電板を加熱ヒータで加熱し、上記誘電板の
真空室側表面を加熱した状態で上記基板をプラズマ処理
することもできる。According to a ninth aspect of the present invention, the first to eighth embodiments
In any of the aspects, the insulating layer can be an air layer. According to a tenth aspect of the present invention,
In any one of the first to eighth aspects, the insulating layer may be an insulating dielectric plate. According to an eleventh aspect of the present invention, in any one of the first to tenth aspects, the dielectric plate is heated by a heater, and the substrate is subjected to plasma processing with the vacuum chamber side surface of the dielectric plate being heated. You can also.
【０００７】本発明の第１２態様によれば、プラズマ処
理装置は、真空室に処理すべき基板を配置し、外部より
高周波誘導結合により上記真空室内にプラズマを発生さ
せて上記基板を処理するプラズマ処理装置において、上
記真空室の一面に配置された金属製の梁と、上記梁によ
り上記真空室の一面に支持されて上記真空室を封止する
誘電板と、上記誘電板上に絶縁層を介して配置された高
周波誘導結合用コイルとを備えるように構成している。According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a substrate to be processed disposed in a vacuum chamber; and a plasma for processing the substrate by generating plasma in the vacuum chamber by high-frequency inductive coupling from outside. In the processing apparatus, a metal beam disposed on one surface of the vacuum chamber, a dielectric plate supported on one surface of the vacuum chamber by the beam to seal the vacuum chamber, and an insulating layer on the dielectric plate And a coil for high-frequency inductive coupling arranged via the same.
【０００８】本発明の第１３態様によれば、プラズマ処
理装置は、真空室に処理すべき基板を配置し、外部より
高周波誘導結合により上記真空室内にプラズマを発生さ
せて上記基板を処理するプラズマ処理装置において、上
記真空室の一面に配置され、複数の貫通窓を有する金属
製の枠体と、上記貫通窓にそれぞれ嵌め込まれた誘電板
と、上記枠体に沿って絶縁層を介して配置された高周波
誘導結合用コイルとを備えるように構成している。According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a substrate to be processed disposed in a vacuum chamber; and plasma generated in the vacuum chamber by high frequency inductive coupling from the outside to process the substrate. In the processing apparatus, a metal frame having a plurality of through-windows disposed on one surface of the vacuum chamber, a dielectric plate fitted in each of the through-windows, and an insulating layer disposed along the frame along an insulating layer. And a high-frequency inductive coupling coil.
【０００９】本発明の第１４態様によれば、上記第１２
態様において、上記金属製の梁の上記誘電板に対する射
影面積が上記誘電板の全面積の約４０％以下で上記基板
をプラズマ処理することもできる。本発明の第１５態様
によれば、上記第１２又は１４態様において、上記梁が
上記コイルの中心の直下を避けるように配置することも
できる。本発明の第１６態様によれば、上記第１２又は
１４態様において、上記梁が上記コイルの中心に対して
ほぼ対称に配置することもできる。本発明の第１７態様
によれば、上記第１３態様において、上記金属製枠体の
真空室側表面積が、上記複数の誘電板の真空室側表面積
の総和と上記金属製枠体の真空室側表面積の総和の和の
約４０％以下の状態で上記基板をプラズマ処理すること
もできる。本発明の第１８態様によれば、上記第１３又
は１７態様において、上記枠体の枠部分が上記コイルの
中心の直下を避けるように配置することもできる。本発
明の第１９態様によれば、上記第１３又は１７態様にお
いて、上記枠体の枠部分が上記コイルの中心に対してほ
ぼ対称に配置することもできる。According to a fourteenth aspect of the present invention, the twelfth aspect is described.
In an embodiment, the substrate may be plasma-treated when the projected area of the metal beam to the dielectric plate is about 40% or less of the total area of the dielectric plate. According to a fifteenth aspect of the present invention, in the twelfth aspect or the fourteenth aspect, the beam may be arranged so as to avoid immediately below the center of the coil. According to a sixteenth aspect of the present invention, in the twelfth or fourteenth aspect, the beams can be arranged substantially symmetrically with respect to the center of the coil. According to a seventeenth aspect of the present invention, in the thirteenth aspect, the vacuum chamber-side surface area of the metal frame is equal to the sum of the vacuum chamber-side surface areas of the plurality of dielectric plates and the vacuum chamber side of the metal frame. The substrate may be subjected to plasma treatment in a state where the sum of the surface areas is about 40% or less. According to an eighteenth aspect of the present invention, in the thirteenth or seventeenth aspect, the frame may be arranged so that a frame portion of the frame does not directly under the center of the coil. According to a nineteenth aspect of the present invention, in the thirteenth or seventeenth aspect, the frame portion of the frame can be arranged substantially symmetrically with respect to the center of the coil.
【００１０】本発明の第２０態様によれば、上記第１２
〜１９態様のいずれかにおいて、上記絶縁層は空気層で
あるようにすることもできる。本発明の第２１態様によ
れば、上記第１２〜１９態様のいずれかにおいて、上記
絶縁層は絶縁用誘電板であるようにすることもできる。
本発明の第２２態様によれば、上記第１２〜２１態様の
いずれかにおいて、上記誘電板を加熱する加熱ヒータを
さらに備え、上記誘電板の真空室側表面を加熱した状態
で上記基板をプラズマ処理することもできる。本発明に
よれば、金属製の梁又は枠体により誘電体を真空室に対
して支持するようにしたので、誘電体自体の強度を高く
する必要がなくなり、大型基板対応の高周波誘導結合型
プラズマ処理方法及び装置において、高周波を透過する
誘電板を、薄くすることができ、耐久性と印加電力効率
に優れた低価格のプラズマ処理方法及び装置を提供する
ことができる。According to a twentieth aspect of the present invention, the twelfth aspect is described.
In any one of the nineteenth to nineteenth aspects, the insulating layer may be an air layer. According to a twenty-first aspect of the present invention, in any one of the twelfth to nineteenth aspects, the insulating layer may be an insulating dielectric plate.
According to a twenty-second aspect of the present invention, in any one of the twelfth to twenty-first aspects, further comprising a heater for heating the dielectric plate, wherein the substrate is plasma-treated while the vacuum chamber side surface of the dielectric plate is heated. It can also be processed. According to the present invention, the dielectric is supported with respect to the vacuum chamber by the metal beam or the frame, so that it is not necessary to increase the strength of the dielectric itself, and the high-frequency inductively coupled plasma for a large substrate is used. In the processing method and apparatus, it is possible to provide a low-cost plasma processing method and apparatus that can reduce the thickness of a dielectric plate that transmits high frequency, and that is excellent in durability and applied power efficiency.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態及び実施例】以下、本発明のプラズ
マ処理方法及び装置の各実施形態について図面を参照し
つつ説明する。図１は、本発明の第１実施形態にかかる
プラズマ処理方法を実施するための第１実施形態にかか
るプラズマ処理装置の一部断面の分解斜視図を示してい
る。図１において、１は第１誘電板であり、接地されて
いる金属製の梁２で真空室３の上面に支えられ、真空室
３をＯリング３１を介して封止している。上記金属製の
梁２は、真空室３の上面の中央を横断するように真空室
３の長手方向に延びる１本の縦梁２ａと、該縦梁２ａよ
り横方向に延びた３本の横梁２ｂとより構成されてい
る。上記横梁２ｂの幅寸法は上記縦梁２ａの幅寸法より
大きくしており、縦梁２ａと横梁２ｂとの組み合わせか
らなる梁２により、第１誘電板１を真空室３の上面開口
に安定して支持するようにしている。縦梁２ａ及び横梁
２ｂは、図２に示すように、それぞれ、各端面に大略矩
形状のＯリング７１を備え、この各端面を真空室３の内
壁面にＯリング７１を介して密着させた状態でボルト７
０を真空室内壁面に貫通させて梁２ａ，２ｂの各端面の
タップ孔２ｄ内にねじ込ませて、各梁２ａ，２ｂを真空
室内壁面に固定するようにしている。この縦梁２ａと横
梁２ｂと真空室３の壁面との間で８個の開口３０を形成
して、この開口３０を通じて第１誘電板１の真空室側の
表面が真空室３の内部に露出した状態となっている。上
記金属製の梁２の上記第１誘電板１に対する射影面積
は、上記第１誘電板１の全面積の２０％とするのが好ま
しい。上記射影面積が約４０％を越えると放電しなくな
る。したがって、上記射影面積は約４０％以下である必
要がある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the plasma processing method and apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an exploded perspective view of a partial cross section of a plasma processing apparatus according to a first embodiment for performing the plasma processing method according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a first dielectric plate, which is supported on the upper surface of the vacuum chamber 3 by a grounded metal beam 2, and seals the vacuum chamber 3 via an O-ring 31. The metal beam 2 includes one vertical beam 2a extending in the longitudinal direction of the vacuum chamber 3 so as to cross the center of the upper surface of the vacuum chamber 3, and three horizontal beams extending laterally from the vertical beam 2a. 2b. The width of the horizontal beam 2b is larger than the width of the vertical beam 2a, and the first dielectric plate 1 is stably held at the upper opening of the vacuum chamber 3 by the beam 2 formed by combining the vertical beam 2a and the horizontal beam 2b. And support them. As shown in FIG. 2, each of the vertical beam 2 a and the horizontal beam 2 b has a substantially rectangular O-ring 71 on each end surface, and the respective end surfaces are brought into close contact with the inner wall surface of the vacuum chamber 3 via the O-ring 71. Bolt 7 in state
0 is passed through the wall surface of the vacuum chamber and screwed into the tapped hole 2d at each end face of the beam 2a, 2b so that each beam 2a, 2b is fixed to the wall surface of the vacuum chamber. Eight openings 30 are formed between the vertical beams 2 a, the horizontal beams 2 b, and the wall surfaces of the vacuum chamber 3, and the surface of the first dielectric plate 1 on the vacuum chamber side is exposed to the inside of the vacuum chamber 3 through the openings 30. It is in a state where it has been done. The projected area of the metal beam 2 onto the first dielectric plate 1 is preferably set to 20% of the total area of the first dielectric plate 1. When the projected area exceeds about 40%, no discharge occurs. Therefore, the projection area needs to be about 40% or less.
【００１２】４は上記第１誘電板１の真空室側とは反対
側に配置されて第１誘電板１の真空室側表面を加熱し、
プラズマ処理時における真空室３内で発生する反応生成
物の付着を防止するための抵抗加熱ヒータである。５は
抵抗加熱ヒータ４の上に配置され絶縁層として機能する
第２誘電板で、６は第２誘電板５の上面に載置された高
周波誘導結合用コイル、７は真空室３内に配置された電
極、８は真空室３内の電極７の上に配置された基板、９
は高周波電力をコイル６に印加する第１高周波電源、１
０は電極７に高周波電力を印加する第２高周波電源であ
る。１１は真空室３内にガスを供給するためのガス供給
用の導入口、１２は上記真空室３内を排気するためのポ
ンプである。ここで、上記ガス供給用の導入口１１より
任意のガスを真空室３内に導入し、上記ポンプ１２で真
空室３内の排気を行うことにより、真空室３内を適当な
真空度に保つ。この状態で、上記高周波誘導結合用コイ
ル６に第１高周波電源９より高周波電力を印加すると、
プラズマが真空室３内に発生する。また、電極７に第２
高周波電源１０により高周波電力を印加することによっ
て、基板８に入射するイオンのエネルギーを制御するこ
とが出来るようになっている。Numeral 4 is disposed on the opposite side of the first dielectric plate 1 from the vacuum chamber side to heat the surface of the first dielectric plate 1 on the vacuum chamber side,
This is a resistance heater for preventing reaction products generated in the vacuum chamber 3 during plasma processing from adhering. Reference numeral 5 denotes a second dielectric plate which is disposed on the resistance heater 4 and functions as an insulating layer. Reference numeral 6 denotes a high-frequency inductive coupling coil mounted on the upper surface of the second dielectric plate 5, and reference numeral 7 denotes a vacuum chamber. Electrode 8 is a substrate disposed on the electrode 7 in the vacuum chamber 3, 9
Are a first high-frequency power supply for applying high-frequency power to the coil 6, 1
Reference numeral 0 denotes a second high-frequency power supply for applying high-frequency power to the electrode 7. Reference numeral 11 denotes a gas supply inlet for supplying gas into the vacuum chamber 3, and reference numeral 12 denotes a pump for exhausting the vacuum chamber 3. Here, an arbitrary gas is introduced into the vacuum chamber 3 through the gas supply inlet 11 and the inside of the vacuum chamber 3 is evacuated by the pump 12 to maintain the inside of the vacuum chamber 3 at an appropriate degree of vacuum. . In this state, when high-frequency power is applied to the high-frequency inductive coupling coil 6 from the first high-frequency power supply 9,
Plasma is generated in the vacuum chamber 3. Also, the second electrode 7
By applying high-frequency power from the high-frequency power supply 10, the energy of ions incident on the substrate 8 can be controlled.
【００１３】実際のプラズマ処理方法の一実施例として
は、上記コイル６に第１高周波電源９から２ｋＷの高周
波を印加し、真空室３内に導入するガスはＣｌ２／ＢＣ
ｌ３／Ｎ２（それぞれ、８０ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ／
４０ｓｃｃｍ）を使用する。真空室３内の真空度は２０
ｍＴｏｒｒとし、電極７には第２高周波電源１０から４
００Ｗの高周波を印加して、アルミニウム膜をエッチン
グした。梁２により第１誘電板１を支持するようにした
ので、この場合の第１誘電板１の厚さ寸法は、梁２無し
の場合の第１誘電板１の厚さ寸法の約４０％程度にまで
薄くすることができたので、第１高周波電源９からコイ
ル６に印加する電力を８０％程度に抑えることができ
た。As one embodiment of the actual plasma processing method, a high frequency of 2 kW is applied to the coil 6 from the first high frequency power supply 9 and the gas introduced into the vacuum chamber 3 is Cl 2 / BC.
l 3 / N 2 (80 sccm / 40 sccm /
40 sccm). The degree of vacuum in the vacuum chamber 3 is 20
mTorr, and the electrode 7 is connected to the second high-frequency power source 10 to 4
A high frequency of 00 W was applied to etch the aluminum film. Since the first dielectric plate 1 is supported by the beam 2, the thickness of the first dielectric plate 1 in this case is about 40% of the thickness of the first dielectric plate 1 without the beam 2. As a result, the power applied from the first high-frequency power supply 9 to the coil 6 could be suppressed to about 80%.
【００１４】上記したように第１実施形態によれば、第
１誘電板１のみを真空室３の上面に載置するのではな
く、梁２により第１誘電板１を真空室３の上面に支持す
るようにしたので、従来の装置に比べて第１誘電板１の
厚さを大幅に薄くすることが可能となる。例えば、梁２
を備えない場合と比較として第１誘電板１の厚さ寸法を
約４０％程度にまで大幅に薄くすることが可能となる。
よって、耐久性、印加電力効率に優れ、低価格のプラズ
マ処理装置を提供することができる。また、上記梁２を
金属より構成することにより、接地させることができる
とともに、安価で高い強度を持たせることができる。As described above, according to the first embodiment, instead of placing only the first dielectric plate 1 on the upper surface of the vacuum chamber 3, the first dielectric plate 1 is placed on the upper surface of the vacuum chamber 3 by the beam 2. Since the first dielectric plate 1 is supported, the thickness of the first dielectric plate 1 can be significantly reduced as compared with the conventional device. For example, beam 2
The thickness of the first dielectric plate 1 can be significantly reduced to about 40% as compared with the case where the first dielectric plate 1 is not provided.
Therefore, it is possible to provide a low-cost plasma processing apparatus that is excellent in durability and applied power efficiency. In addition, since the beam 2 is made of metal, it can be grounded, and can have low cost and high strength.
【００１５】図３は、本発明の第２実施形態にかかるプ
ラズマ処理方法を実施するための第２実施形態にかかる
プラズマ処理装置の一部断面の分解斜視図を示してい
る。図３において、１４は第１誘電板であり、接地され
た金属製の枠体１３で真空室１８の上面に支えられ、こ
の第１誘電体１４と枠体１３とにより真空室１８をＯリ
ング４１を介して封止している。上記第１誘電体１４
は、６枚の同じ正方形の分割体１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ、１４ｄ、１４ｅ、１４ｆより構成されている。この
分割体１４ａ〜１４ｆは、図４に示すように、金属製枠
体１３に設けられた６個の貫通窓４０にそれぞれＯリン
グ４３を介して埋め込まれている。詳しくは、図４に示
すように、枠体１３より４個の支持突起１３ａを貫通窓
４０側に突出させ、この４個の支持突起１３ａにより各
分割体１４ａ〜１４ｆの４辺をＯリング４３を介して支
持しつつ、分割体を貫通窓４０内に嵌合させるようにし
ている。FIG. 3 is an exploded perspective view of a partial cross section of a plasma processing apparatus according to a second embodiment for performing the plasma processing method according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 3, reference numeral 14 denotes a first dielectric plate, which is supported on the upper surface of the vacuum chamber 18 by a grounded metal frame 13, and the vacuum chamber 18 is O-ringed by the first dielectric 14 and the frame 13. Sealed via 41. The first dielectric 14
Are six identical square divisions 14a, 14b, 14
c, 14d, 14e, and 14f. As shown in FIG. 4, the divided bodies 14 a to 14 f are embedded in six through windows 40 provided in the metal frame 13 via O-rings 43, respectively. More specifically, as shown in FIG. 4, four support projections 13a are projected from the frame 13 toward the through window 40, and the four sides of each of the divided bodies 14a to 14f are O-ring 43 by the four support projections 13a. The split body is fitted in the through window 40 while being supported through the through hole.
【００１６】ここで、上記金属製枠体１３の真空室側表
面の面積と、上記第１誘電板１４の６個の分割体１４
ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ、１４ｆの真空室
側表面積の和とを加算した和を「枠体１３と第１誘電体
１４との真空室側表面積和」と定義する。すると、上記
第１誘電板１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１
４ｅ、１４ｆ）の真空室側表面積和は、上記「枠体１３
と第１誘電体１４との上記真空室側表面積和」の８０％
とするのが好ましい。ここで、第２実施形態において
も、第１実施形態と同様に、枠体１３の第１誘電体１４
に対する射影面積が約４０％を越えると、言い換えれ
ば、上記第１誘電板１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１
４ｄ、１４ｅ、１４ｆ）の真空室側表面積和が、上記
「枠体１３と第１誘電体１４との上記真空室側表面積
和」の約６０％未満だと放電しなくなる。したがって、
上記第１誘電板１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４
ｄ、１４ｅ、１４ｆ）の真空室側表面積和は、上記「枠
体１３と第１誘電体１４との上記真空室側表面積和」の
約６０％以上である必要がある。このような枠体１３に
より、第１誘電板１４を真空室１８の上面開口に安定し
て支持するようにしている。そして、上記枠体１３の６
個の貫通窓４０を通じて、第１誘電板１４の真空室側の
表面が真空室１８の内部に露出した状態となっている。Here, the area of the vacuum chamber side surface of the metal frame 13 and the six divided bodies 14 of the first dielectric plate 14 are described.
The sum of the sum of the vacuum chamber side surface areas of a, 14b, 14c, 14d, 14e, and 14f is defined as "the sum of the vacuum chamber side surface areas of the frame 13 and the first dielectric 14". Then, the first dielectric plate 14 (14a, 14b, 14c, 14d, 1
4e, 14f), the sum of the surface areas on the vacuum chamber side is the above-mentioned “frame 13
80% of the sum of the above-described vacuum chamber side surface area of the first dielectric 14 and
It is preferred that Here, also in the second embodiment, similarly to the first embodiment, the first dielectric 14 of the frame 13 is used.
Is greater than about 40%, in other words, the first dielectric plate 14 (14a, 14b, 14c, 1).
If the sum of the surface areas on the vacuum chamber side of 4d, 14e, and 14f) is less than about 60% of the above-mentioned "sum of the surface areas on the vacuum chamber side of the frame 13 and the first dielectric body 14", no discharge occurs. Therefore,
The first dielectric plate 14 (14a, 14b, 14c, 14)
The sum of the surface areas on the vacuum chamber side of d, 14e, and 14f) needs to be about 60% or more of the “sum of the surface areas on the vacuum chamber side of the frame 13 and the first dielectric 14”. With such a frame 13, the first dielectric plate 14 is stably supported by the upper opening of the vacuum chamber 18. And 6 of the frame 13
Through the through-holes 40, the surface of the first dielectric plate 14 on the vacuum chamber side is exposed inside the vacuum chamber 18.
【００１７】１５は上記第１誘電板１４の真空室側とは
反対側に配置されて第１誘電板１４の真空室側表面を加
熱し、プラズマ処理時における真空室１８内で発生する
反応生成物の付着を防止するための抵抗加熱ヒータであ
る。１６は抵抗加熱ヒータ１５の上に配置され絶縁層と
して機能する第２誘電板で、１７は第２誘電板１６の上
面に載置された高周波誘導結合用コイル、１９は真空室
１８内に配置された電極、２０は真空室１８内の電極１
９の上に配置された基板、２２は高周波電力をコイル１
７に印加する第１高周波電源、２３は電極１９に高周波
電力を印加する第２高周波電源である。２１は真空室１
８内にガスを供給するためのガス供給用の導入口、２４
は上記真空室１８内を排気するためのポンプである。こ
こで、上記ガス供給用の導入口２１より任意のガスを真
空室１８内に導入し、上記ポンプ２４で真空室１８内の
排気を行うことにより、真空室１８内を適当な真空度に
保つ。この状態で、上記高周波誘導結合用コイル１７に
第１高周波電源２２より高周波電力を印加すると、プラ
ズマが真空室１８内に発生する。また、電極１９に第２
高周波電源２３により高周波電力を印加することによっ
て、基板２０に入射するイオンのエネルギーを制御する
ことが出来るようになっている。また、上記枠体１３を
金属より構成することにより、接地させることができる
とともに、安価で高い強度を持たせることができる。Numeral 15 is disposed on the opposite side of the first dielectric plate 14 from the vacuum chamber side, heats the surface of the first dielectric plate 14 on the vacuum chamber side, and generates reaction generated in the vacuum chamber 18 during plasma processing. This is a resistance heater for preventing the attachment of an object. Reference numeral 16 denotes a second dielectric plate disposed on the resistance heater 15 and functions as an insulating layer. Reference numeral 17 denotes a high-frequency inductive coupling coil mounted on the upper surface of the second dielectric plate 16. Reference numeral 19 denotes a vacuum chamber. Electrode 20, the electrode 1 in the vacuum chamber 18
9 is a substrate arranged on 9 and 22 is a high frequency
Reference numeral 7 denotes a first high-frequency power supply, and reference numeral 23 denotes a second high-frequency power supply that applies high-frequency power to the electrode 19. 21 is the vacuum chamber 1
Gas supply inlet for supplying gas into 8, 24
Is a pump for evacuating the inside of the vacuum chamber 18. Here, an arbitrary gas is introduced into the vacuum chamber 18 through the gas supply inlet 21 and the inside of the vacuum chamber 18 is evacuated by the pump 24 to maintain the inside of the vacuum chamber 18 at an appropriate degree of vacuum. . In this state, when high-frequency power is applied from the first high-frequency power supply 22 to the high-frequency inductive coupling coil 17, plasma is generated in the vacuum chamber 18. Also, the second electrode 19
By applying high-frequency power from the high-frequency power supply 23, the energy of ions incident on the substrate 20 can be controlled. In addition, since the frame 13 is made of metal, it can be grounded, and can be made inexpensive and have high strength.
【００１８】上記第２実施形態の実施例としては、第１
誘電体１４が９枚の正方形の分割体より構成され、正方
形の一辺は２６０ｍｍであり、各分割体の厚さは２５ｍ
ｍとするとき、第１誘電体１４の各分割体が枠体１３で
支持されるときの枠体１３の真空室３内壁面側より貫通
窓４０側に突出した支持突起１３ａの幅を２０ｍｍ、貫
通窓４０同士を区切る枠体１３の枠部分の幅が５０ｍ
ｍ、第１誘電体１４の各分割体の真空室側に露出した表
面が一辺２２０ｍｍの正方形であり、枠体１３の上下方
向の厚さは５０ｍｍである。この場合、真空室１８は８
００ｍｍ×８００ｍｍの正方形となっている。このとき
の枠体１３の枠部分の最小幅寸法としては、当該部分に
Ｏリング４３を配置するため、３０ｍｍである。As an example of the second embodiment, the first embodiment
The dielectric 14 is composed of nine square divisions, one side of the square is 260 mm, and the thickness of each division is 25 m
m, the width of the support protrusion 13a projecting from the inner wall surface side of the vacuum chamber 3 toward the through window 40 when the divided bodies of the first dielectric body 14 are supported by the frame 13 is 20 mm, The width of the frame portion of the frame body 13 that separates the through windows 40 is 50 m.
m, the surface of each divided body of the first dielectric body 14 exposed to the vacuum chamber side is a square having a side of 220 mm, and the thickness of the frame body 13 in the vertical direction is 50 mm. In this case, the vacuum chamber 18 is 8
It is a square of 00 mm x 800 mm. At this time, the minimum width dimension of the frame portion of the frame body 13 is 30 mm because the O-ring 43 is disposed at the portion.
【００１９】図５は、本発明の第３実施形態にかかるプ
ラズマ処理方法を実施するための第３実施形態のプラズ
マ処理装置の部分平面図であって、梁６２とコイル１と
の位置関係を明確にするため誘電体１を取り除いた状態
の図である。この第３実施形態では、コイル１７の中心
の直下に梁６２の縦梁６２ａ及び横梁６２ｂが配置され
ないように、言い換えれば、縦梁６２ａと横梁６２ｂと
により形成される開口６３が配置されるようにしてい
る。一般に、誘導結合型放電は、コイル６に流れる高周
波電流によって発生する高周波磁界が第１誘電体１を透
過して真空室３内に浸透し、この高周波磁界により真空
室３内に発生する誘導電界で電子を加速することにより
維持されている。しかし、放電開始時について言えば、
まず、コイル６の中心に印加された高周波電圧と真空室
３内の自由電子との静電的な結合により自由電子の加速
が生じることで放電が開始される。従って、金属製の梁
６２がコイル中心の直下を避けて配置される方が、容易
に放電を開始させることができるので、このような配置
が好ましいのである。これは第２実施形態の金属製の枠
体１３についても同様なことが言え、金属製の枠体１３
の枠部分がコイル中心の直下を避けて配置される方が好
ましい。さらに、図５に示すように、梁６２の縦梁６２
ａと横梁６２ｂは、プラズマ密度の面内分布を損なわな
いように、コイル６の中心に対してほぼ対称に配設され
ることが好ましい。これは第２実施形態の金属製の枠体
１３についても同様なことが言える。FIG. 5 is a partial plan view of a plasma processing apparatus according to a third embodiment for carrying out the plasma processing method according to the third embodiment of the present invention, and shows the positional relationship between the beam 62 and the coil 1. FIG. 3 is a view showing a state in which a dielectric 1 has been removed for clarity. In the third embodiment, the vertical beam 62a and the horizontal beam 62b of the beam 62 are not arranged immediately below the center of the coil 17; in other words, the opening 63 formed by the vertical beam 62a and the horizontal beam 62b is arranged. I have to. Generally, in the inductively coupled discharge, a high-frequency magnetic field generated by a high-frequency current flowing through the coil 6 penetrates through the first dielectric 1 and penetrates into the vacuum chamber 3, and an induced electric field generated in the vacuum chamber 3 by the high-frequency magnetic field Is maintained by accelerating the electrons at However, when it comes to the start of discharge,
First, discharge is started by accelerating free electrons due to electrostatic coupling between a high-frequency voltage applied to the center of the coil 6 and free electrons in the vacuum chamber 3. Therefore, it is preferable that the metal beam 62 is disposed so as not to be located immediately below the center of the coil, since the discharge can be easily started. The same can be said for the metal frame 13 of the second embodiment.
It is preferable that the frame portion is disposed so as not to be directly below the center of the coil. Further, as shown in FIG.
It is preferable that the “a” and the cross beam 62 b be disposed substantially symmetrically with respect to the center of the coil 6 so as not to impair the in-plane distribution of the plasma density. The same can be said for the metal frame 13 of the second embodiment.
【００２０】また、図６は、本発明の第４実施形態にか
かるプラズマ処理方法を実施するための第４実施形態の
プラズマ処理装置の一部断面側面図である。この第４実
施形態では、図４の処理装置において第２誘電体１６を
備えずに、コイル１７と第１誘電体１４との間に隙間５
１を設けて、該隙間５１に空気が存在することにより、
この部分の空気層を絶縁層として機能させるようにした
ものである。このため、コイル１７を第１誘電体１４の
上方で支持体５０により吊り支持するようにしている。FIG. 6 is a partial sectional side view of a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment for performing a plasma processing method according to the fourth embodiment of the present invention. In the fourth embodiment, a gap 5 is provided between the coil 17 and the first dielectric 14 without the second dielectric 16 in the processing apparatus of FIG.
1 and the presence of air in the gap 51,
The air layer in this portion functions as an insulating layer. For this reason, the coil 17 is suspended and supported by the support 50 above the first dielectric 14.
【００２１】上記第２〜第４実施形態のように構成する
ことにより、第１誘電体１，１４の厚さを従来の装置に
比べて例えば約４０％程度にまで大幅に薄くすることが
可能となる。したがって耐久性、印加電力効率に優れた
低価格のプラズマ処理装置を提供することができる。By configuring as in the second to fourth embodiments, the thickness of the first dielectrics 1 and 14 can be greatly reduced, for example, to about 40% as compared with the conventional device. Becomes Therefore, a low-cost plasma processing apparatus having excellent durability and applied power efficiency can be provided.
【００２２】本発明は上記実施形態に限られるものでは
なく、種々の態様で実施することができるものである。
例えば、上記第２〜４実施形態において、第１誘電体１
４を構成する分割体の形状は正方形に限定されるもので
はなく、長方形など任意の形状でよいとともに、分割体
同士の大きさも総て同一の形状に限られるものではな
く、例えば、分割体の形状をコイル中心側の分割体では
大きく、真空室内壁面側の分割体では小さくするなどし
てもよい。また、上記第１〜４実施形態において、基板
の形状も正方形などの矩形に限らず、円形などでもよ
い。すなわち、液晶素子の場合には矩形の基板を使用す
ることができるが、半導体素子の場合には円形の基板を
使用することができる。また、上記梁２，６２及び枠体
１３を構成する金属はアルミニウム又はステンレス鋼な
どが使用されるが、これに限らず任意の金属を使用して
もよい。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented in various modes.
For example, in the second to fourth embodiments, the first dielectric 1
4 is not limited to a square shape, and may be any shape such as a rectangle, and the sizes of the divided bodies are not limited to the same shape. The shape may be large in the divided body on the coil center side, and small in the divided body on the wall side of the vacuum chamber. In the first to fourth embodiments, the shape of the substrate is not limited to a rectangle such as a square, but may be a circle or the like. That is, a rectangular substrate can be used for a liquid crystal element, but a circular substrate can be used for a semiconductor element. Further, as the metal forming the beams 2 and 62 and the frame 13, aluminum or stainless steel is used, but the metal is not limited to this, and any metal may be used.
【図１】 本発明の第１実施形態にかかるプラズマ処理
装置の一部断面の分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a partial cross section of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 図１の処理装置の梁の真空室への固定方法を
示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a method of fixing a beam of the processing apparatus of FIG. 1 to a vacuum chamber.
【図３】 本発明の第２実施形態にかかるプラズマ処理
装置の一部断面の分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of a partial cross section of a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 図３の処理装置の一部断面側面図である。FIG. 4 is a partial sectional side view of the processing apparatus of FIG. 3;
【図５】 本発明の第３実施形態にかかるプラズマ処理
装置の概略平面図であって、誘電体を取り除いた状態で
の図である。FIG. 5 is a schematic plan view of a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, with a dielectric removed.
【図６】 本発明の第４実施形態にかかるプラズマ処理
装置の一部断面側面図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional side view of a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図７】 従来のプラズマ処理装置の一部断面の分解斜
視図である。FIG. 7 is an exploded perspective view of a partial cross section of a conventional plasma processing apparatus.
１ 第１誘電板 ２ 金属製梁 ２ａ 縦梁 ２ｂ 横梁 ３ 真空室 ４ 抵抗加熱ヒータ ５ 第２誘電板 ６ 高周波誘導結合用コイル ７ 電極 ８ 基板 ９ 第１高周波電源 １０ 第２高周波電源 １１ ガス導入口 １２ 真空ポンプ １３ 金属製枠体 １４ 第１誘電板 １４ａ〜１４ｆ 分割体 １５ 抵抗加熱ヒータ １６ 第２誘電板 １７ 高周波誘導結合用コイル １８ 真空室 １９ 電極 ２０ 基板 ２１ ガス導入口 ２２ 第１高周波電源 ２３ 第２高周波電源 ２４ 真空ポンプ ３０ 開口 ３１ Ｏリング ４０ 開口 ４１ Ｏリング ４３ Ｏリング ５０ 支持体 ５１ 隙間（空気層） ６２ 梁 ６２ａ 縦梁 ６２ｂ 横梁 ６３ 開口 REFERENCE SIGNS LIST 1 first dielectric plate 2 metal beam 2 a vertical beam 2 b horizontal beam 3 vacuum chamber 4 resistance heater 5 second dielectric plate 6 high frequency induction coupling coil 7 electrode 8 substrate 9 first high frequency power supply 10 second high frequency power supply 11 gas inlet DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 Vacuum pump 13 Metal frame 14 1st dielectric plate 14a-14f Division 15 Resistance heater 16 Second dielectric plate 17 High frequency induction coupling coil 18 Vacuum chamber 19 Electrode 20 Substrate 21 Gas inlet 22 First high frequency power supply 23 Second high frequency power supply 24 Vacuum pump 30 Opening 31 O-ring 40 Opening 41 O-ring 43 O-ring 50 Support 51 Gap (air layer) 62 Beam 62a Vertical beam 62b Horizontal beam 63 Opening
Claims (22)
（２，６２）で支えられた誘電板（１）で封止され、上
記誘電板上に沿って絶縁層（５，５１）を介して配置さ
れている高周波誘導結合用コイル（６）に高周波電圧を
印加することにより、真空室内にプラズマを発生させて
基板（８）を処理することを特徴とするプラズマ処理方
法。1. One surface of a vacuum chamber (3) is sealed with a dielectric plate (1) supported by metal beams (2, 62), and an insulating layer (5, 51) is formed along the dielectric plate. A) applying a high-frequency voltage to the high-frequency inductive coupling coil (6) disposed through the substrate to generate plasma in the vacuum chamber and process the substrate (8).
（４０）にそれぞれ誘電板（１４）が嵌め込まれた金属
製枠体（１３）より構成され、上記金属製枠体に沿って
絶縁層（１６，５１）を介して配置された高周波誘導結
合用コイル（１７）に高周波電圧を印加することによ
り、真空室内にプラズマを発生させて基板（２０）を処
理することを特徴とするプラズマ処理方法。2. One surface of the vacuum chamber (18) is composed of a metal frame (13) in which a dielectric plate (14) is fitted into a plurality of through-holes (40), respectively, along the metal frame. And applying a high-frequency voltage to the high-frequency inductive coupling coil (17) disposed via the insulating layers (16, 51) to generate plasma in the vacuum chamber and process the substrate (20). Plasma processing method.
影面積が上記誘電板の全面積の約４０％以下で上記基板
をプラズマ処理するようにした請求項１に記載のプラズ
マ処理方法。3. The plasma processing method according to claim 1, wherein the substrate is subjected to plasma processing when the projected area of the metal beam to the dielectric plate is about 40% or less of the total area of the dielectric plate.
るように配置されている請求項１又は３に記載のプラズ
マ処理方法。4. The plasma processing method according to claim 1, wherein the beam is arranged so as to avoid a portion immediately below a center of the coil.
対称に配置されている請求項１又は３に記載のプラズマ
処理方法。5. The plasma processing method according to claim 1, wherein the beams are arranged substantially symmetrically with respect to a center of the coil.
記複数の誘電板の真空室側表面積の総和と上記金属製枠
体の真空室側表面積の総和の和の約４０％以下の状態で
上記基板をプラズマ処理するようにした請求項２に記載
のプラズマ処理方法。6. The vacuum chamber side surface area of the metal frame is about 40% or less of the sum of the vacuum chamber side surface areas of the plurality of dielectric plates and the vacuum chamber side surface area of the metal frame body. 3. The plasma processing method according to claim 2, wherein the substrate is subjected to plasma processing in a state.
直下を避けるように配置されている請求項２又は６に記
載のプラズマ処理方法。7. The plasma processing method according to claim 2, wherein a frame portion of the frame body is arranged so as to avoid a portion immediately below a center of the coil.
対してほぼ対称に配置されている請求項２又は６に記載
のプラズマ処理方法。8. The plasma processing method according to claim 2, wherein a frame portion of the frame is disposed substantially symmetrically with respect to a center of the coil.
にした請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマ処理方
法。9. The plasma processing method according to claim 1, wherein the insulating layer (51) is an air layer.
板であるようにした請求項１〜８のいずれかに記載のプ
ラズマ処理方法。10. The plasma processing method according to claim 1, wherein said insulating layers are insulating dielectric plates.
で加熱し、上記誘電板の真空室側表面を加熱した状態で
上記基板をプラズマ処理するようにした請求項１〜１０
のいずれかに記載のプラズマ処理方法。11. The dielectric plate is heated by a heater (4, 15).
The substrate is subjected to plasma processing in a state where the surface of the dielectric plate on the side of the vacuum chamber is heated.
The plasma processing method according to any one of the above.
を配置し、外部より高周波誘導結合により上記真空室内
にプラズマを発生させて上記基板を処理するプラズマ処
理装置において、 上記真空室の一面に配置された金属製の梁（２，６２）
と、 上記梁により上記真空室の一面に支持されて上記真空室
を封止する誘電板（１）と、 上記誘電板上に絶縁層（５，５１）を介して配置された
高周波誘導結合用コイル（６）とを備えるようにしたこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。12. A substrate (8) to be processed in a vacuum chamber (3).
And a plasma processing apparatus for processing the substrate by generating plasma in the vacuum chamber by high-frequency inductive coupling from the outside, wherein the metal beam (2, 62) is disposed on one surface of the vacuum chamber.
A dielectric plate (1) supported on one surface of the vacuum chamber by the beam to seal the vacuum chamber; and a high-frequency inductive coupling disposed on the dielectric plate via an insulating layer (5, 51). And a coil (6).
０）を配置し、外部より高周波誘導結合により上記真空
室内にプラズマを発生させて上記基板を処理するプラズ
マ処理装置において、 上記真空室の一面に配置され、複数の貫通窓（４０）を
有する金属製の枠体（１３）と、 上記貫通窓にそれぞれ嵌め込まれた誘電板（１４）と、 上記枠体に沿って絶縁層（１６，５１）を介して配置さ
れた高周波誘導結合用コイル（１７）とを備えるように
したことを特徴とするプラズマ処理装置。13. A substrate (2) to be processed in a vacuum chamber (18).
0), and a plasma processing apparatus for processing the substrate by generating plasma in the vacuum chamber by high-frequency inductive coupling from the outside, wherein the metal is disposed on one surface of the vacuum chamber and has a plurality of through-windows (40). Frame (13), a dielectric plate (14) fitted into the through window, and a high-frequency inductive coupling coil (17) disposed along the frame via insulating layers (16, 51). ).
射影面積が上記誘電板の全面積の約４０％以下で上記基
板をプラズマ処理するようにした請求項１２に記載のプ
ラズマ処理装置。14. The plasma processing apparatus according to claim 12, wherein the substrate is subjected to plasma processing when the projected area of the metal beam to the dielectric plate is about 40% or less of the total area of the dielectric plate.
けるように配置されている請求項１２又は１４に記載の
プラズマ処理装置。15. The plasma processing apparatus according to claim 12, wherein the beam is arranged so as not to be located immediately below a center of the coil.
ぼ対称に配置されている請求項１２又は１４に記載のプ
ラズマ処理装置。16. The plasma processing apparatus according to claim 12, wherein said beams are arranged substantially symmetrically with respect to a center of said coil.
上記複数の誘電板の真空室側表面積の総和と上記金属製
枠体の真空室側表面積の総和の和の約４０％以下の状態
で上記基板をプラズマ処理するようにした請求項１３に
記載のプラズマ処理装置。17. The vacuum chamber side surface area of the metal frame body is as follows:
14. The plasma processing of the substrate according to claim 13, wherein the substrate is subjected to plasma processing in a state of not more than about 40% of the sum of the vacuum chamber side surface areas of the plurality of dielectric plates and the vacuum chamber side surface area of the metal frame. Plasma processing equipment.
の直下を避けるように配置されている請求項１３又は１
７に記載のプラズマ処理装置。18. The method according to claim 13, wherein a frame portion of the frame body is arranged so as to avoid a portion immediately below a center of the coil.
8. The plasma processing apparatus according to 7.
に対してほぼ対称に配置されている請求項１３又は１７
に記載のプラズマ処理装置。19. The frame portion of the frame body is arranged substantially symmetrically with respect to the center of the coil.
3. The plasma processing apparatus according to 1.
うにした請求項１２〜１９のいずれかに記載のプラズマ
処理装置。20. The plasma processing apparatus according to claim 12, wherein said insulating layer (51) is an air layer.
板であるようにした請求項１２〜１９のいずれかに記載
のプラズマ処理装置。21. The plasma processing apparatus according to claim 12, wherein said insulating layers (5, 16) are insulating dielectric plates.
（４，１５）をさらに備え、上記誘電板の真空室側表面
を加熱した状態で上記基板をプラズマ処理するようにし
た請求項１２〜２１のいずれかに記載のプラズマ処理装
置。22. The apparatus according to claim 12, further comprising a heater (4, 15) for heating said dielectric plate, wherein said substrate is subjected to plasma processing while heating a surface of said dielectric plate on a vacuum chamber side. The plasma processing apparatus according to any one of the above.
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