JPH1027801A - バンプ切断装置、バンプボンディング装置、及びバンプボンディング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 良品ＩＣの生産性を向上可能なバンプボンデ
ィング装置を提供する。 【解決手段】 半導体素子４にスタッドバンプ３ａを形
成するバンプ形成装置１６と、形成したスタッドバンプ
の良否を判定する検査装置１７と、不良と判定されたス
タッドバンプを超音波振動により切断する切断部材１９
を備えたバンプ切断装置１８とを備え、スタッドバンプ
の形成、検査、切断、再形成を連続して自動的に行うこ
とで良品ＩＣを連続して生産する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤボンディン
グ技術を用いて半導体素子の電極パッドに形成されたス
タッドバンプが不良である場合にこれを切断するバンプ
切断装置、当該バンプ切断装置を備えたバンプボンディ
ング装置、及びバンプボンディング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来からＩＣ（半導体集積回路）関連の
ワイヤボンディング技術を応用して、金バンプをフリッ
プチップＩＣの電極パッド部に超音波接合するスタッド
バンプボンディング技術が知られている。以下これにつ
いて図８及び図９を参照しつつ説明する。図８には、一
般的に用いられるバンプボンディング装置の一例を示し
ている。１は、図内にて、垂直水平方向に移動可能なキ
ャピラリー、２はこのキャピラリーに挿通された金線、
４は半導体素子、５はスパーク発生装置で、キャピラリ
ー１から突出した金線２の先端近傍に配置されている。
６は金線２のクランパー、７はその先端にキャピラリー
１が取り付けられている超音波ホーン、８は超音波ホー
ン７へ超音波を発振する超音波発振器、９は上記超音波
ホーン７及び超音波発振器８を備えたヘッド部分を上下
に駆動するヘッド上下駆動機構、１０は上記ヘッド部分
及びヘッド上下駆動機構９を載置しＸ，Ｙ方向に移動可
能なＸ−Ｙテーブル、１１はエアーテンショナー、１２
はヒートステージ、１３はヒーター、１４は半導体素子
４の位置を確認するための位置確認カメラ装置、１５は
モニタ受像器である。

【０００３】上述の構成を有するバンプボンディング装
置の動作について説明する。まず、位置カメラ装置１４
により半導体素子４上の電極パッド６４を撮像し、電極
パッド６４の配置位置をモニタ受像器１５にて確認す
る。そして、図９の（ａ）に示すように、キャピラリー
１に挿通された金線２の先端に、スパーク発生装置５か
らスパークを与えて金線２を溶融し金ボール２ｂを形成
する。次に、同図の（ｂ）に示すように、キャピラリー
１を半導体素子４側へ下降させ、金ボール２ｂを半導体
素子４の所定の電極パッド６４に接触させる。上記接触
した時点で、金ボール２ｂに所定の荷重が加わるように
キャピラリー１をさらに下降端位置６３まで若干下降さ
せ、かつ、超音波発振器８より超音波を超音波ホーン７
を介してキャピラリー１に作用することで、キャピラリ
ー１を矢印６２方向に超音波振動させる。よって、金ボ
ール２ｂは、キャピラリー１によってバンプ台座３の形
状に成形されながら半導体素子４の電極パッド６４に接
合される。次に、同図の（ｃ）に示すように、キャピラ
リー１を上昇させた後、同図の（ｄ）に示すように、キ
ャピラリー１を水平方向へ少しずらして、金線２の一部
分２ａがキャピラリー１の先端エッジ部１ａとバンプ台
座３の外周部３ｂとに挟まれ圧接されるように、再びキ
ャピラリー１を下降させる。このようにしてスタッドバ
ンプ３ａの形状が形成される。尚、上記圧接動作による
金線２における圧接部分である上記一部分２ａは、例え
ば線径が細くなる等のダメージを受ける。次に同図の
（ｅ）に示すように、キャピラリー１を所定量上昇さ
せ、クランパー６により金線２をクランプし、同図の
（ｆ）に示すようにキャピラリー１を更に上昇させて、
金線２を上方に引き上げる。このようにすると図９の
（ｄ）における上記圧接動作にてダメージを受けた金線
２の一部分２ａ、すなわちキャピラリー１の先端エッジ
部１ａとバンプ台座３の外周部３ｂとによって挟まれて
いた部分にて金線２が断裂し、スタッドバンプ３ａが完
成する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような動作にてスタッドバンプ３ａを形成した場合、半
導体素子４の表面の汚れ、傷、その他の外乱によるバン
プ３ａの大きさの異常、バンプ３ａの凸部の形状の異常
等が往々にして発生する。もしこれらの異常事態を見落
とすと当然ながら不良ＩＣを生産し、後の工程に於ける
製品不良につながり損失が大きくなってしまう。したが
って形成されたスタッドバンプ３ａの全数の形状を作業
者が目視でその良否を判定している。又、さらに高額Ｉ
Ｃが増加しており、ロスコストを抑えるため、不良バン
プが発見された場合には、該不良バンプを竹ひごのよう
なもので除去し、再度同一位置にスタッドバンプを形成
することによりリペアを行っている。したがって、検査
作業員にかかるコストや時間のロスが発生している。
又、半導体素子４のハンドリング回数が増えるため半導
体素子４を破壊する恐れがある。本発明はこのような問
題点を解決するためになされたもので、不良バンプの除
去、及びバンプの再ボンディングを自動で行うことで良
品ＩＣの生産性を向上することができる、バンプ切断装
置、該バンプ切断装置を備えたバンプボンディング装
置、及び該バンプボンディング装置によるバンプボンデ
ィング方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の第１態様のバン
プ切断装置は、半導体素子の電極パッド上に形成された
スタッドバンプを、超音波振動により上記電極パッドの
近傍にて上記電極パッドに沿って切断する切断部材と、
上記切断部材に上記超音波振動を与える超音波発振装置
と、を備えたことを特徴とする。

【０００６】又、本発明の第２態様のバンプボンディン
グ装置は、半導体素子に形成されている電極パッド上に
スタッドバンプを形成するバンプ形成装置を有するバン
プボンディング装置であって、上記バンプ形成装置にて
形成したスタッドバンプが不良であるとき当該不良のス
タッドバンプを、超音波振動により上記電極パッドの近
傍にて上記電極パッドに沿って切断する切断部材と、上
記切断部材に上記超音波振動を与える超音波発振装置と
を有するバンプ切断装置を備えたことを特徴とする。

【０００７】又、本発明の第３態様のバンプボンディン
グ方法は、半導体素子の電極パッド上にスタッドバンプ
を形成するバンプ形成工程と、上記バンプ形成工程にて
形成された上記スタッドバンプの良否を判定する検査工
程と、上記検査工程にてスタッドバンプが不良と判定さ
れたとき、該不良スタッドバンプを、超音波振動する切
断部材により上記電極パッドの近傍にて上記電極パッド
に沿って切断する切断工程と、を備えたことを特徴とす
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態であるバンプ
切断装置、該バンプ切断装置を備えたバンプボンディン
グ装置、及び該バンプボンディング装置にて実行される
バンプボンディング方法について、図を参照しながら以
下に説明する。尚、各図において、同一の、又は同様の
機能を果たす構成部分については同じ符号を付してい
る。又、超音波発振装置に相当する一実施形態は、後述
のバンプ切断装置１８に備わる超音波発振器８及び超音
波ホーン７が対応する。まず、上記バンプボンディング
装置１０１について説明する。図１に示すように、バン
プボンディング装置１０１は、バンプ形成装置１６、検
査装置１７、バンプ切断装置１８、及び制御装置５１を
備える。又、少なくともバンプ形成装置１６、検査装置
１７及びバンプ切断装置１８は、Ｘ，Ｙ方向に移動可能
な同一のＸＹテーブル１０に載置される。一方、上記バ
ンプ形成装置１６にて電極パッド６４にスタッドバンプ
３ａが形成される半導体素子４は、図８に示すように、
上記電極パッド６４が形成されている回路形成面を上に
した状態にてヒートステージ１２上に載置される。

【０００９】バンプ形成装置１６は、図８に示す従来の
バンプ形成装置と同じ構成を有し、同じ動作を行うもの
であるので、詳しい説明は省略する。即ち、バンプ形成
装置１６は、先端部１ａより金線２を突出するキャピラ
リー１、スパーク発生装置５、クランパ６、超音波ホー
ン７、超音波発振器８、ヘッド上下駆動機構９、及びエ
アーテンショナーを有し、図９に示すような動作による
ワイヤボンディング技術を用いて半導体素子４の電極パ
ッド６４上にスタッドバンプを形成する。

【００１０】検査装置１７は、特願平６−１８７４１４
号に開示される装置であって、図７に示すように、カメ
ラ装置１７１、照明装置１７２、及びモニタ受像機１７
３を備える。このような検査装置１７は以下の動作を行
う。即ち、半導体素子４の電極パッド６４上に形成され
たスタッドバンプ３ａの真上にカメラ装置１７１を配置
した後、照明装置１７２からスタッドバンプ３ａへ投光
し、該スタッドバンプ３ａからの反射光をカメラ装置１
７１にて撮像する。図７に示すように、スタッドバンプ
３ａ以外の部分は平面であるのでこの部分からの反射光
Ｌ１の強度は大きく、一方スタッドバンプ３ａ部分は平
面ではないのでスタッドバンプ３ａ部分における反射光
Ｌ２の強度は小さい。このような反射光の強弱により得
られる上記スタッドバンプ３ａの映像をモニタ受像機１
７３に可視的に表示し、半導体素子４の電極パッド６４
上にスタッドバンプ３ａが正常に形成されたか否かを判
定する。尚、上記判定は、操作者が上記モニタ受像機１
７３の映像を見て行ってもよいし、画像処理技術を用い
て検査装置にて自動的に行ってもよい。又、検査するス
タッドバンプ３ａの真上にカメラ装置１７１を配置する
ことで、検査対象となるスタッドバンプ３ａにおける
Ｘ，Ｙ方向の座標位置情報を得ることができ、該座標位
置情報は検査装置１７から制御装置５１へ送出される。

【００１１】バンプ切断装置１８は、図２にその側面図
を示すように、図８に示すバンプ形成装置、即ち上述し
た本実施形態におけるバンプ形成装置１７とほぼ同じ構
成を有するものであるが、このバンプ切断装置１８で
は、バンプ形成装置１７に備わるキャピラリー１に代え
て切断部材１９を超音波ホーン７の先端部に取り付けて
いる。尚、バンプ切断装置１８の機能上、バンプ切断装
置１８には金線２、クランパ６、エアーテンショナーは
設ける必要がない。切断部材１９は、刃部材１９１及び
取付部材１９２からなり、取付部材１９２の一端に刃部
材１９１が設けられ、他端が固定部材１９３にて超音波
ホーン７の先端部に対して着脱自在に取り付けられる。
尚、各図において、刃部材１９１は、他の部材に比べて
誇張して作図している。刃部材１９１は、例えば図３に
示すように方形状の平面形状にてなるものであり、スタ
ッドバンプ３ａに当接しスタッドバンプ３ａの切断を行
う先端部１９１ａの一辺の長さは、スタッドバンプ３ａ
の大きさに対応して適宜選定される。又、刃部材１９１
は、本実施形態では超硬処理された金属にてなるが、そ
の他の材質、例えば、セラミック等の材料にて作製する
こともできる。このような切断部材１９には、圧電素
子、例えばピエゾ素子にて構成される超音波発振器８が
発生する、５０ＫＨｚ〜２００ＫＨｚ程度の超音波が超
音波ホーン７を介して伝達され、切断部材１９は矢印６
１にて示す方向に超音波振動する。尚、超音波ホーン７
は、超音波発振器８にて発生した超音波振動のエネルギ
ーを効率よく切断部材１９に伝達するように構成されて
いる。

【００１２】又、切断したスタッドバンプ３ａを半導体
素子４上から除去するため、切断部材１９の近傍に配置
され、又は切断部材１９の近傍へ移動可能な吸入口２０
ａを有し、切断されたスタッドバンプ３ａを吸引動作に
て半導体素子４上から取り除く除去装置２０を当該バン
プボンディング装置１０１に設けるのが好ましい。

【００１３】又、スタッドバンプ３ａは、一般的に、方
形状の半導体素子４の４辺に沿って形成されている。こ
れに対して、切断部材１９の振動方向は、超音波発振器
８の設置方向により決定され、上述のように一方向に限
られる。よって、図３に示すような先端部１９１ａのみ
にて切断が可能な切断部材１９にあっては、超音波発振
器８の設置方向を変更するか、又は半導体素子４とバン
プ切断装置１８とを相対的に例えば９０度回転すること
をしない限り、方形状の半導体素子４の４辺の内、対向
する２辺に形成されるスタッドバンプ３ａしか切断する
ことができない。そこで、例えば図４に示すように十字
形状であり、直交する２方向の各方向について少なくと
もその一端に先端部１９１ａを形成した刃部材１９２を
設けることで、超音波発振器８の設置方向を変更した
り、上記相対的な回転を行わなくても、半導体素子の４
辺に形成されるスタッドバンプ３ａに対して切断動作が
可能となる。

【００１４】このようなバンプ切断装置１８は、上記検
査装置１７にて不良と判定されたスタッドバンプ３ａに
対して半導体素子４上の電極パッド６４からの切断動作
を、制御装置５１にて動作制御されながら実行する。
尚、上記切断動作の詳細については後述する。又、当該
バンプボンディング装置１０１では、スタッドバンプ３
ａが除去された上記電極パッド６４に対して、上記制御
装置５１の制御により上述したバンプ形成装置１６によ
り再度スタッドバンプ３ａが形成される。

【００１５】このように構成されるバンプボンディング
装置１０１の動作について説明する。尚、半導体素子４
の電極パッド６４上へスタッドバンプ３ａを形成するた
めに一般的に行われる前工程、即ち、ヒートステージ１
２上への半導体素子４の取り付け、取り付けられた半導
体素子４の位置認識等の工程の説明は省略する。図６に
示すステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１では、図９
を参照して上述したように、バンプ形成装置１６の動作
により半導体素子４の電極パッド６４上にスタッドバン
プ３ａが形成される。又、図９の（ｂ）に示すように、
バンプ台座３を形成するためにキャピラリー１が下降端
位置６３まで下降するが、このときバンプ形成装置１６
は上記下降端位置６３の高さ情報を得る。該高さ情報
は、バンプ形成装置１６から制御装置５１へ送出され
る。尚、図５の（ａ）において、「I」にて示すバンプ
台座３の高さ寸法は、一般的に２０〜２５μｍであり、
「II」にて示す電極パッド６４の一辺の長さは、本実施
形態では１００μｍである。

【００１６】ステップ２では、上述したように反射光の
強弱に基づきスタッドバンプ３ａの形状に関する情報を
得ることで、形成されたスタッドバンプ３ａの良否が検
査装置１７にて実行される。尚、本実施形態では、スタ
ッドバンプ３ａの良否を検査装置１７にて自動的に判定
する。又、検査装置１７のカメラ装置１７１を検査対象
であるスタッドバンプ３ａの真上に移動させることで、
検査装置１７から制御装置５１へ検査対象であるスタッ
ドバンプ３ａにおけるＸ，Ｙ座標の位置情報が供給され
る。ステップ２において、形成されたスタッドバンプ３
ａが良好と判定された場合には、次のスタッドバンプ３
ａの検査に移行する。一方、形成されたスタッドバンプ
３ａが不良であると判定された場合には、ステップ３の
バンプ除去工程へ移行する。

【００１７】ステップ３では、不良と判定されたスタッ
ドバンプ３ａについてバンプ切断装置１８にて切断が行
われ、切断されたスタッドバンプ３ａの除去が除去装置
２０にて行われる。スタッドバンプ３ａの切断動作で
は、電極パッド６４に損傷を与えることのないように、
スタッドバンプ３ａの切断は、図５の（ｃ）に示すよう
に、電極パッド６４上に厚み寸法IIIにてなる残バンプ
１３１を形成するように行われる。尚、本実施形態にお
いて、上記厚み寸法IIIは、約５μｍである。ステップ
３において、まず、ステップ２にて制御装置５１に供給
されたスタッドバンプ３ａのＸ，Ｙ座標の位置情報に基
づいて制御装置５１は、ＸＹテーブル１０の移動量を制
御し、不良と判定されたスタッドバンプ３ａが形成され
ている電極パッド６４の場所へバンプ切断装置１８の切
断部材１９を配置する。次に、上述のように厚み寸法II
Iを有する残バンプ１３１を形成するために、制御装置
５１は、ステップ１にて制御装置５１に供給された上記
下降端位置６３の高さ情報、予め既知であるバンプ台座
３の高さ寸法I、及び既知の電極パッド６４の厚み寸法
の各情報に基づき、切断部材１９の下降量を演算する。
この演算結果をもとに制御装置５１は、バンプ切断装置
１８の上下駆動機構９の駆動制御を行い、刃部材１９１
を残バンプ上面位置６５に配置させる。

【００１８】次に、図５の（ｂ）に示すように、制御装
置５１の制御によりバンプ切断装置１８の超音波発振器
８が超音波を発振し、超音波ホーン７を介して切断部材
１９が矢印６１に示す方向に超音波振動する。又、制御
装置５１の制御により、ＸＹテーブル１０が、矢印６１
にて示す超音波振動方向に沿った矢印６６方向に所定の
移動速度にて移動する。尚、この移動速度は、スタッド
バンプ３ａの切断が適切に行え、かつ電極パッド６４に
損傷が生じないような速度であり、バンプ台座３の大き
さや材質等により適宜設定される。よって、刃部材１９
１は、超音波振動しながらＸＹテーブル１０の上記移動
により矢印６６方向へ移動し、図５の（ｃ）に示すよう
に、残バンプ上面位置６５に沿って上記超音波振動によ
りスタッドバンプ３ａを切断していく。したがって、刃
部材１９１によるスタッドバンプ３ａの切断が終了した
とき、電極パッド６４には厚み寸法IIIを有する残バン
プ１３１が形成された状態となる。又、スタッドバンプ
３ａの切断が終了した後、図５の（ｄ）に示すように、
除去装置２０の吸入口２０ａを切断箇所に近接させ、吸
引動作を行うことで、切断されたスタッドバンプ３ａを
吸引することで半導体素子４上から除去する。

【００１９】次に、ステップ４において、バンプ形成装
置１６は、スタッドバンプ３ａの切断が行われた電極パ
ッド６４に対して、再び新たなスタッドバンプ３ａの形
成を行う。即ち、制御装置５１は、上述のように不良と
判定されたスタッドバンプ３ａのＸ，Ｙ座標の位置情報
を有するので、該位置情報に基づきＸＹテーブル１０を
移動することで、スタッドバンプ３ａの切断作業を行っ
た電極パッド６４の位置へバンプ形成装置１６を移動さ
せる。以後、上述したスタッドバンプ３ａの形成動作と
同じ動作にてスタッドバンプ３ａを再形成する。

【００２０】このように本実施形態のバンプボンディン
グ装置１０１によれば、ヒートステージ１２上に半導体
素子４を一旦載置すればその後に当該半導体素子４をハ
ンドリングすることなく、スタッドバンプの形成、検
査、不良スタッドバンプの除去、及びスタッドバンプの
再形成を連続して自動的に行うことができる。特に、不
良スタッドバンプの除去動作については、従来の作業者
による手作業に比べて安定した品質にて行うことができ
る。よって、良品スタッドバンプが形成されたＩＣを連
続して生産することが可能になり、又、従来の検査要員
コストを削減することができる。

【００２１】尚、上述した実施形態では、スタッドバン
プ３ａの形成毎にスタッドバンプ３ａの検査をし、不良
である場合にはその切断を行う場合を示したが、これに
限らず、すべての電極パッド６４に対してスタッドバン
プ３ａの形成を行った後に、検査を行い、その後まとめ
て切断作業を行い、その後に、スタッドバンプ３ａの再
形成動作をまとめて行うようにしてもよい。

【００２２】

【発明の効果】以上詳述したように本発明の第１態様の
バンプ切断装置によれば、超音波振動する切断部材にて
スタッドバンプを切断することから、スタッドバンプの
切断が容易、かつ半導体素子に損傷を与えることなく行
うことができる。よって、従来、作業者が手作業にて切
断する場合に比べ安価でかつ安定した品質のＩＣを生産
できＩＣの生産性の向上を図ることができる。

【００２３】又、本発明の第２態様のバンプボンディン
グ装置によれば、バンプ形成装置とバンプ切断装置とを
備え、バンプ形成装置により形成したスタッドバンプが
不良であるときには同一装置に備わるバンプ切断装置に
て不良スタッドバンプの切断を行うことができることか
ら、従来、作業者が手作業にて切断する場合に比べ安価
でかつ安定した品質の良品ＩＣの生産性を向上させるこ
とができる。

【００２４】又、本発明の第３態様のバンプボンディン
グ方法によれば、バンプ形成工程により形成したスタッ
ドバンプを検査工程にて検査し、その結果スタッドバン
プが不良であるときにはバンプ切断工程にて不良スタッ
ドバンプの切断を行うことができることから、自動的に
連続して安定した品質の良品ＩＣを生産することができ
ＩＣの生産性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態であるバンプボンディン
グ装置の平面図である。

【図２】 図１に示すバンプ切断装置の側面図である。

【図３】 図１に示すバンプ切断装置に備わる刃部材の
一例における平面図である。

【図４】 図１に示すバンプ切断装置に備わる刃部材の
他の例における平面図である。

【図５】 （ａ）〜（ｄ）はスタッドバンプの切断動作
を示す図である。

【図６】 スタッドバンプの切断動作を示すフローチャ
ートである。

【図７】 図１に示す検査装置の構成を示す図である。

【図８】 従来のバンプ形成装置の側面図である。

【図９】 （ａ）〜（ｆ）はスタッドバンプの形成動作
を示す図である。

【符号の説明】

３ａ…スタッドバンプ、４…半導体素子、７…超音波ホ
ーン、８…超音波発振器、１６…バンプ形成装置、１７
…検査装置、１８…バンプ切断装置、１９…切断部材、
２０…除去装置、５１…制御装置、１０１…バンプボン
ディング装置、１９１…刃部材、１９２…取付部材、１
９３…固定部材。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子の電極パッド上に形成された
   スタッドバンプ（３ａ）を、超音波振動により上記電極
   パッドの近傍にて上記電極パッドに沿って切断する切断
   部材（１９）と、 上記切断部材に上記超音波振動を与える超音波発振装置
   （７，８）と、を備えたことを特徴とするバンプ切断装
   置。
2. 【請求項２】 半導体素子に形成されている電極パッド
   上にスタッドバンプ（３ａ）を形成するバンプ形成装置
   （１６）を有するバンプボンディング装置であって、 上記バンプ形成装置にて形成したスタッドバンプが不良
   であるとき当該不良のスタッドバンプを、超音波振動に
   より上記電極パッドの近傍にて上記電極パッドに沿って
   切断する切断部材（１９）と、上記切断部材に上記超音
   波振動を与える超音波発振装置（７，８）とを有するバ
   ンプ切断装置（１８）を備えたことを特徴とするバンプ
   ボンディング装置。
3. 【請求項３】 上記バンプ形成装置にて上記電極パッド
   上に形成された上記スタッドバンプの良否を判定する検
   査装置（１７）と、 検査したスタッドバンプが不良である旨の情報が上記検
   査装置から供給され、かつ上記検査装置から供給される
   上記不良スタッドバンプに関する上記半導体素子上の電
   極パッドの形成面に沿った方向における位置情報と、上
   記バンプ形成装置から供給されるスタッドバンプ形成時
   に得たスタッドバンプの台座部の高さ情報及び既知の上
   記電極パッドの厚み情報とに基づいて、上記バンプ切断
   装置によるスタッドバンプの切断動作を制御する制御装
   置（５１）と、を備えた、請求項２記載のバンプボンデ
   ィング装置。
4. 【請求項４】 上記バンプ切断装置にて切断されたスタ
   ッドバンプを取り除く除去装置（２０）をさらに備え、 上記バンプ形成装置は、上記不良スタッドバンプが除去
   された電極パッド上に再度スタッドバンプを形成する、
   請求項２又は３記載のバンプボンディング装置。
5. 【請求項５】 半導体素子の電極パッド上にスタッドバ
   ンプを形成するバンプ形成工程と、 上記バンプ形成工程にて形成された上記スタッドバンプ
   の良否を判定する検査工程と、 上記検査工程にてスタッドバンプが不良と判定されたと
   き、該不良スタッドバンプを、超音波振動する切断部材
   により上記電極パッドの近傍にて上記電極パッドに沿っ
   て切断する切断工程と、を備えたことを特徴とするバン
   プボンディング方法。
6. 【請求項６】 上記切断工程にてスタッドバンプが切断
   された電極パッド上に、再度スタッドバンプを形成する
   バンプ再形成工程を備えた、請求項５記載のバンプボン
   ディング方法。
7. 【請求項７】 上記検査工程にて得た上記不良スタッド
   バンプに関する上記半導体素子上の電極パッドの形成面
   に沿った方向における位置情報と、上記バンプ形成工程
   にてスタッドバンプ形成時に得たスタッドバンプの台座
   部の高さ情報及び既知の上記電極パッドの厚み情報とに
   基づいて、上記バンプ切断工程におけるスタッドバンプ
   の切断動作を制御する、請求項５又は６記載のバンプボ
   ンディング方法。