JPH1027814A - Resin-sealed semiconductor device, resin-sealing method thereof, and resin-sealing mold - Google Patents
Resin-sealed semiconductor device, resin-sealing method thereof, and resin-sealing moldInfo
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- JPH1027814A JPH1027814A JP8182968A JP18296896A JPH1027814A JP H1027814 A JPH1027814 A JP H1027814A JP 8182968 A JP8182968 A JP 8182968A JP 18296896 A JP18296896 A JP 18296896A JP H1027814 A JPH1027814 A JP H1027814A
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金型キャビティ内に注入される樹脂の注入ス
ピードが半導体素子を挟んだ上下の位置で略均一になる
ようにしてボイドや未充填を無くし、歩留まりを向上さ
せることができる樹脂封止型半導体装置及びその樹脂封
止方法並びに樹脂封止用金型を提供する。
【解決手段】 互いに型締めされて内部に封止用半導体
素子2が配置される金型キャビティ11を形成する上下
2つの型12,13を有し、前記金型キャビティ11内
に加熱溶融された封止用樹脂材6が充填・固化されて樹
脂封止型半導体装置1を得るものであって、下型12の
内面に、金型キャビティ11内に注入された封止用樹脂
材6が封止用半導体素子2の下側に流れ込むスピードを
コントロールする凸部16を設けた。
PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the yield by eliminating the voids and unfilling by making the injection speed of a resin injected into a mold cavity substantially uniform at upper and lower positions sandwiching a semiconductor element. The present invention provides a resin-sealed semiconductor device, a resin-sealing method for the same, and a resin-sealing mold. SOLUTION: There are two upper and lower molds 12 and 13 forming a mold cavity 11 in which the semiconductor element 2 for sealing is arranged by being clamped to each other, and the mold is heated and melted in the mold cavity 11. The sealing resin material 6 is filled and solidified to obtain the resin-sealed semiconductor device 1. The sealing resin material 6 injected into the mold cavity 11 is sealed on the inner surface of the lower mold 12. A convex portion 16 for controlling the speed of flowing into the lower side of the stopping semiconductor element 2 is provided.
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置及びその樹脂封止方法並びに樹脂封止用金型に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device, a resin-sealing method therefor, and a resin-sealing mold.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体素子や金属細線等を外部か
らの応力や湿気、汚染から保護するのに、樹脂材で被覆
してなる樹脂封止型の半導体装置がある。2. Description of the Related Art Conventionally, there is a resin-encapsulated semiconductor device in which a semiconductor element, a thin metal wire, or the like is covered with a resin material to protect it from external stress, moisture, and contamination.
【0003】図5及び図6は樹脂封止型半導体装置の一
例を示すもので、図5はその外観斜視図、図6は図5の
B−B線矢視断面図である。図5及び図6において、こ
の樹脂封止型半導体装置51はLOC(Lead On Chip)
構造タイプのもので、半導体素子52を絶縁性接着テー
プ53を介してリードフレーム54に固定するととも
に、半導体素子52とリードフレーム54との間を金属
細線55で接続し、さらに内部の半導体素子52,金属
細線55を保護するためにエポキシ樹脂56により封止
した構造となっている。FIGS. 5 and 6 show an example of a resin-sealed semiconductor device. FIG. 5 is an external perspective view of the semiconductor device, and FIG. 6 is a sectional view taken along line BB of FIG. 5 and 6, the resin-encapsulated semiconductor device 51 is a LOC (Lead On Chip).
The semiconductor element 52 is fixed to a lead frame 54 via an insulating adhesive tape 53, and the semiconductor element 52 and the lead frame 54 are connected by a thin metal wire 55. In order to protect the thin metal wire 55, the structure is sealed with an epoxy resin 56.
【0004】図7は従来における樹脂封止用の金型構造
を示すものである。この金型構造は、互いに型締めされ
て内部に金型キャビティ61を形成する下型62と上型
63とで構成されており、下型62と上型63との間に
は金型キャビティ61内に封止用のエポキシ樹脂56
(図5及び図6参照)を注入するためのゲート64が設
けられている。また、下型62には、樹脂封止後、下型
62から半導体装置51を脱着させるためのイジェクタ
ピン65が設けられている。このイジェクタピン65
は、下型62から金型キャビティ61内に突き出され、
この突き出しにより半導体装置51を下型62からイジ
ェクトする。FIG. 7 shows a conventional mold structure for resin sealing. This mold structure includes a lower mold 62 and an upper mold 63 which are clamped to each other to form a mold cavity 61 therein, and a mold cavity 61 is provided between the lower mold 62 and the upper mold 63. Epoxy resin 56 for sealing inside
A gate 64 for injecting (see FIGS. 5 and 6) is provided. The lower mold 62 is provided with an ejector pin 65 for detaching the semiconductor device 51 from the lower mold 62 after resin sealing. This ejector pin 65
Is projected from the lower mold 62 into the mold cavity 61,
The semiconductor device 51 is ejected from the lower mold 62 by this protrusion.
【0005】この金型構造で半導体素子52等を封止す
る場合は、まず半導体素子52を絶縁性接着テープ53
を介してリードフレーム54に固定するとともに、半導
体素子52とリードフレーム54との間を金属細線55
で接続した状態において、これを下型62と上型63と
の間に配置し、次いで下型62と上型63とを型締めす
る。図7は、この状態を示している。次に、ゲート64
を通して金型キャビティ61内に溶融されているエポキ
シ樹脂56を注入し、固化させる。また、固化したら、
下型62と上型63との型締めを解き、さらにイジェク
タピン65を金型キャビティ61内に突出させて排出す
る。すると、これにより図5及び図6に示したエポキシ
樹脂56で封止された樹脂封止型の半導体装置51が形
成される。When the semiconductor element 52 and the like are sealed with this mold structure, first, the semiconductor element 52 is sealed with an insulating adhesive tape 53.
And the semiconductor device 52 and the lead frame 54 are fixed with a thin metal wire 55.
In a state where the upper mold 63 and the lower mold 62 are connected to each other, the lower mold 62 and the upper mold 63 are clamped. FIG. 7 shows this state. Next, the gate 64
The molten epoxy resin 56 is injected into the mold cavity 61 through the through hole and solidified. Once solidified,
The mold clamping between the lower mold 62 and the upper mold 63 is released, and the ejector pins 65 are projected into the mold cavity 61 and discharged. Thus, a resin-sealed semiconductor device 51 sealed with the epoxy resin 56 shown in FIGS. 5 and 6 is formed.
【0006】この半導体装置51では、パッケージ(エ
ポキシ樹脂56)の上下面はそれぞれ平面状に形成され
ている。また、金型キャビティ61内に注入されたエポ
キシ樹脂56は、半導体素子52の下側に流れ易く、上
側には流れにくい。このため、上下で注入スピードが異
なり、成形品の表面あるいは樹脂内部に気泡ができるボ
イドや、未充填部分が発生し易い。そこで、パッケージ
の厚みを上下で変えて注入スピードを上下で同じにする
ことも考えられるが、パッケージの厚みtには統一規格
があるため、厚みを簡単には変更しにくい。In this semiconductor device 51, the upper and lower surfaces of the package (epoxy resin 56) are each formed in a plane. The epoxy resin 56 injected into the mold cavity 61 easily flows below the semiconductor element 52 and hardly flows above it. For this reason, the injection speed is different between the upper and lower portions, and voids that form bubbles on the surface of the molded article or inside the resin and unfilled portions are likely to occur. Therefore, it is conceivable to change the thickness of the package up and down to make the injection speed the same at the top and bottom. However, since there is a uniform standard for the thickness t of the package, it is difficult to change the thickness easily.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
構造の半導体装置51では、金型キャビティ61内に注
入されたエポキシ樹脂56は、半導体素子52の下側に
流れ易く、上側には流れにくい。このため、上下で注入
スピードが異なり、ボイドや未充填部分が発生し易く、
歩留まりが悪いと言う問題点があった。As described above, in the semiconductor device 51 having the conventional structure, the epoxy resin 56 injected into the mold cavity 61 easily flows below the semiconductor element 52 and flows upward. Hateful. For this reason, the injection speed differs between the top and bottom, and voids and unfilled parts are likely to occur,
There was a problem that the yield was poor.
【0008】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は金型キャビティ内に注入される樹
脂の注入スピードが半導体素子を挟んだ上下の位置で略
均一になるようにしてボイドや未充填を無くし、歩留ま
りを向上させることができる樹脂封止型半導体装置及び
その樹脂封止方法並びに樹脂封止用金型を提供すること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to make the injection speed of a resin injected into a mold cavity substantially uniform at upper and lower positions sandwiching a semiconductor element. It is an object of the present invention to provide a resin-encapsulated semiconductor device, a resin-encapsulation method, and a resin-encapsulation mold capable of eliminating voids and unfilling and improving the yield.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、樹脂封止型半導体装置としては、次の技術手
段を講じたことを特徴とする。すなわち、半導体部品を
樹脂材で封止してなる樹脂封止型半導体装置において、
樹脂封止部分の一面に該樹脂封止部分を形成する樹脂を
金型キャビティ内に注入するときに使用した充填スピー
ドコントロール用の凹部を設けてなる構成としたもので
ある。In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that a resin-sealed semiconductor device employs the following technical means. That is, in a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor component is sealed with a resin material,
The resin sealing portion has a surface provided with a recess for controlling the filling speed used when the resin forming the resin sealing portion is injected into the mold cavity.
【0010】また、本発明は上記目的を達成するため、
樹脂封止方法としては、次の技術手段を講じたことを特
徴とする。すなわち、少なくとも上下2つの型を型締め
して閉じられる金型キャビティ内に封止用半導体素子を
搭載して配置し、その後、前記金型キャビティ内に加熱
溶融された封止用樹脂材を注入充填し、固化させ、樹脂
封止型半導体装置を得る樹脂封止方法において、前記金
型キャビティを形成している上下型の何れか一方の内面
に凸部を設け、前記金型キャビティ内に注入された前記
封止用樹脂材が前記封止用半導体素子の上及び下側に流
れ込むスピードを前記凸部によりコントロールするよう
にしたものである。[0010] In order to achieve the above object, the present invention provides
As a resin sealing method, the following technical means are employed. That is, the sealing semiconductor element is mounted and arranged in a mold cavity which is closed by closing at least two upper and lower molds, and thereafter, a sealing resin material which is melted by heating is injected into the mold cavity. In a resin sealing method of filling and solidifying to obtain a resin-sealed semiconductor device, a convex portion is provided on one of inner surfaces of an upper mold and a lower mold forming the mold cavity, and injected into the mold cavity. The speed at which the sealing resin material flows above and below the sealing semiconductor element is controlled by the convex portion.
【0011】さらに、本発明は上記目的を達成するた
め、樹脂封止方法としては、次の技術手段を講じたこと
を特徴とする。すなわち、互いに型締めされて内部に封
止用半導体素子が配置される金型キャビティを形成する
少なくとも上下2つの型を有し、前記金型キャビティ内
に加熱溶融された封止用樹脂材が充填・固化されて樹脂
封止型半導体装置を得る樹脂封止用金型において、前記
上下型の何れか一方の内面に、前記金型キャビティ内に
注入された前記封止用樹脂材が前記封止用半導体素子の
上及び下側に流れ込むスピードをコントロールする凸部
を設けてなる構成としたものである。Further, in order to achieve the above object, the present invention is characterized in that the following technical means are taken as a resin sealing method. That is, the mold cavity has at least two upper and lower molds that form a mold cavity in which a sealing semiconductor element is disposed, and the mold cavity is filled with a heat-melted sealing resin material. In the resin sealing mold that is solidified to obtain a resin-sealed semiconductor device, the sealing resin material injected into the mold cavity is sealed on one of the inner surfaces of the upper and lower molds. And a convex portion for controlling the speed of flowing into the upper and lower sides of the semiconductor device.
【0012】これによれば、樹脂封止部分の一面側にお
ける凹部を形成する上または下型に設けた凸部により、
半導体素子成形時における金型キャビティ内の空間を部
分的に狭め、この空間を狭めることによって封止用樹脂
材が半導体素子と金型との間の空間に流れ込む速度を抑
え、半導体素子の上下で充填スピードを調整することが
可能になる。According to this, the convex portion provided on the upper or lower mold forming the concave portion on one surface side of the resin sealing portion,
Partially narrow the space inside the mold cavity when molding the semiconductor element, and by narrowing this space, the speed at which the sealing resin material flows into the space between the semiconductor element and the mold is reduced. It is possible to adjust the filling speed.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】図2及び図3は本発明に係る樹脂
封止型半導体装置の一形態例を示すもので、図2は図3
のA−A線矢視断面図、図3はその装置の外観斜視図で
ある。図2及び図3において、この樹脂封止型半導体装
置1はLOC(Lead On Chip)構造タイプのもので、半
導体素子2を絶縁性接着テープ3を介してリードフレー
ム4に固定するとともに、半導体素子2とリードフレー
ム4との間を金属細線5で接続し、さらに内部の半導体
素子2,金属細線5を保護するためにエポキシ樹脂6に
より封止(パッケージ)した構造となっている。さら
に、半導体素子2の下側となるパッケージ(エポキシ樹
脂6)の下面で、その略中央部分には溝状をした充填ス
ピード調整用の凹部7が形成されている。この凹部7
は、後述するように、パッケージを形成するエポキシ樹
脂6が金型キャビティ11(図1参照)に注入されたと
きに、この金型キャビティ11(図1参照)内でエポキ
シ樹脂6が広がる速度、すなわち充填スピードが半導体
素子2を挟んで上下で略同じとなるようにするためのも
のである。したがって、この凹部7の大きさ(面積)及
び深さ寸法は、充填される樹脂(本形態例ではエポキシ
樹脂6)の種類や粘度等を考慮して設定される。しか
し、好ましくは半導体素子2の下側における樹脂封止層
の寸法t(図2参照)は0.1 mm以上設ける必要があり、
また面積は半導体素子2の面積と同等か、それ以下に設
定される。2 and 3 show an embodiment of a resin-sealed semiconductor device according to the present invention. FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 3, and FIG. 3 is an external perspective view of the device. 2 and 3, the resin-encapsulated semiconductor device 1 is of a LOC (Lead On Chip) structure type, in which a semiconductor element 2 is fixed to a lead frame 4 via an insulating adhesive tape 3 and a semiconductor element. 2 and the lead frame 4 are connected by a thin metal wire 5 and further sealed (packaged) with an epoxy resin 6 to protect the internal semiconductor element 2 and the thin metal wire 5. Further, on the lower surface of the package (epoxy resin 6) on the lower side of the semiconductor element 2, a groove-shaped concave portion 7 for adjusting the filling speed is formed at a substantially central portion thereof. This recess 7
As described later, when the epoxy resin 6 forming the package is injected into the mold cavity 11 (see FIG. 1), the speed at which the epoxy resin 6 spreads in the mold cavity 11 (see FIG. 1) That is, the filling speed is made substantially the same between the upper and lower sides of the semiconductor element 2. Therefore, the size (area) and depth of the concave portion 7 are set in consideration of the type and viscosity of the resin (the epoxy resin 6 in this embodiment) to be filled. However, preferably, the dimension t (see FIG. 2) of the resin sealing layer below the semiconductor element 2 must be provided at 0.1 mm or more.
The area is set to be equal to or smaller than the area of the semiconductor element 2.
【0014】図1は図2及び図3に示した樹脂封止型半
導体装置を樹脂封止するための金型構造を型締めしてい
る状態で示している縦断側面図である。図1において、
この金型構造は、互いに型締めされて内部に金型キャビ
ティ11を形成する下型12と上型13とで構成されて
おり、下型12と上型13との間には金型キャビティ1
1内に封止用のエポキシ樹脂6を注入するためのゲート
14が設けられている。また、下型12には、樹脂封止
後、下型12から半導体装置1を脱着させるためのイジ
ェクタピン15が設けられている。さらに、下型12内
には、その中央部分に金型キャビティ11内に突き出し
た状態にして形成されている凸部16が設けられてい
る。この凸部16は図2及び図3に示した樹脂封止型半
導体装置1における凹部7を形成するためのもので、凹
部7に対応している。FIG. 1 is a longitudinal sectional side view showing a state in which a mold structure for resin-sealing the resin-sealed semiconductor device shown in FIGS. 2 and 3 is clamped. In FIG.
This mold structure includes a lower mold 12 and an upper mold 13 which are clamped to each other to form a mold cavity 11 therein, and a mold cavity 1 is provided between the lower mold 12 and the upper mold 13.
A gate 14 for injecting the epoxy resin 6 for sealing is provided in 1. The lower mold 12 is provided with an ejector pin 15 for detaching the semiconductor device 1 from the lower mold 12 after resin sealing. Further, the lower mold 12 is provided with a convex portion 16 formed at a central portion thereof so as to protrude into the mold cavity 11. The convex portion 16 is for forming the concave portion 7 in the resin-sealed semiconductor device 1 shown in FIGS. 2 and 3, and corresponds to the concave portion 7.
【0015】次に、この金型構造で半導体素子2等を樹
脂封止する場合は、まず半導体素子2を絶縁性接着テー
プ3を介してリードフレーム4に固定するとともに、半
導体素子2とリードフレーム4との間を金属細線5で接
続した状態において、これを下型12と上型13との間
に配置し、次いで下型12と上型13とを型締めする。
図1は、この状態を示している。次いで、ゲート14を
通して金型キャビティ11内に溶融されているエポキシ
樹脂6を注入し、固化させる。このとき、金型キャビテ
ィ11内には充填スピード調整用の凸部16が形成され
ているので、この凸部16により、金型キャビティ11
内でエポキシ樹脂6が広がる速度、すなわち充填スピー
ドが半導体素子2を挟んで上下で略同じとなるようにコ
ントロールされる。これにより、この樹脂充填ではボイ
ド及び未充填等の不具合が低減できる。また、樹脂充填
が完了し固化したら、下型12と上型13との型締めを
解き、さらにイジェクタピン15を金型キャビティ11
内に突出させて半導体装置1を排出させる。すると、こ
れにより図2及び図3に示した処の、エポキシ樹脂6に
より封止された凹部7が設けられている樹脂封止型の半
導体装置1が得られる。Next, when the semiconductor element 2 and the like are sealed with a resin using the mold structure, the semiconductor element 2 is first fixed to the lead frame 4 via the insulating adhesive tape 3 and the semiconductor element 2 and the lead frame are fixed. 4 are connected between the lower mold 12 and the upper mold 13 in a state where they are connected by the thin metal wire 5, and then the lower mold 12 and the upper mold 13 are clamped.
FIG. 1 shows this state. Next, the epoxy resin 6 melted into the mold cavity 11 through the gate 14 is injected and solidified. At this time, since the convex portion 16 for adjusting the filling speed is formed in the mold cavity 11, the convex portion 16
The speed at which the epoxy resin 6 spreads, that is, the filling speed, is controlled so that the upper and lower sides of the semiconductor element 2 are substantially the same. As a result, defects such as voids and non-filling can be reduced in this resin filling. When the resin filling is completed and solidified, the mold clamping between the lower mold 12 and the upper mold 13 is released, and the ejector pin 15 is further moved to the mold cavity 11.
The semiconductor device 1 is ejected so as to protrude inside. Then, the resin-sealed semiconductor device 1 having the concave portion 7 sealed with the epoxy resin 6 as shown in FIGS. 2 and 3 is obtained.
【0016】図4は、図2及び図3に示した樹脂封止型
半導体装置を樹脂封止する金型構造の他の実施例を型締
めしている状態で示している縦断側面図である。また、
図4において図1乃至図3と同一符号を付したものは図
1乃至図3と同一のものを示している。そして、図4に
おいて、この金型構造は、互いに型締めされて内部に金
型キャビティ11を形成する下型12と上型13とで構
成されており、下型12と上型13との間には金型キャ
ビティ11内に封止用のエポキシ樹脂6を注入するため
のゲート14が設けられている。さらに、下型12に
は、樹脂封止後、下型12から半導体装置1を脱着させ
るためのイジェクタピン15が設けられている。FIG. 4 is a longitudinal sectional side view showing another embodiment of a mold structure for resin-sealing the resin-sealed semiconductor device shown in FIGS. 2 and 3 in a state where the mold is clamped. . Also,
In FIG. 4, components denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 3 indicate the same components as those in FIGS. In FIG. 4, this mold structure is composed of a lower mold 12 and an upper mold 13 which are mutually clamped to form a mold cavity 11 therebetween. Is provided with a gate 14 for injecting the epoxy resin 6 for sealing into the mold cavity 11. Further, the lower mold 12 is provided with ejector pins 15 for detaching the semiconductor device 1 from the lower mold 12 after resin sealing.
【0017】加えて、下型12には、その中央部分に金
型キャビティ11内に突き出す凸部26aを先端に有す
る可動部材26が配設されている。この可動部材26の
凸部26aは図2及び図3に示した樹脂封止型半導体装
置1における凹部7を形成するためのもので、凹部7に
対応している。また、可動部材26は、下型12に対し
て上下方向に移動可能となっており、その突出量を変え
て凹部7の深さを切り換えることができる構造になって
いる。すなわち、この構造では、樹脂の種類や粘度等に
よって、突出量を変えると、金型キャビティ11内でエ
ポキシ樹脂6が広がる速度、すなわち充填スピードが半
導体素子2を挟んで上下で略同じとなるように細かくコ
ントロールすることができ、ボイド及び未充填等の不具
合をさらに低減することができる。さらに、可動部材2
6は凸部26aの形状等の異なるものが複数用意されて
いて、これらが下型12に対して交換可能となってい
る。そして、パッケージの形状及び大きさに応じて可動
部材26を交換することにより、そのパッケージに適し
た凹部7を形成しながら充填スピードをコントロールす
ることができる。したがって、この変形例では、多少形
状が異なるパッケージを形成する場合にも使用すること
ができ、汎用性が向上する。In addition, the lower die 12 is provided with a movable member 26 having a convex portion 26a at the front end projecting into the mold cavity 11 at the center thereof. The convex portion 26a of the movable member 26 is for forming the concave portion 7 in the resin-sealed semiconductor device 1 shown in FIGS. 2 and 3, and corresponds to the concave portion 7. The movable member 26 is movable in the vertical direction with respect to the lower mold 12, and has a structure in which the depth of the concave portion 7 can be switched by changing the amount of protrusion. That is, in this structure, when the amount of protrusion is changed depending on the type and viscosity of the resin, the speed at which the epoxy resin 6 spreads in the mold cavity 11, that is, the filling speed becomes substantially the same between the upper and lower sides of the semiconductor element 2. , And defects such as voids and unfilling can be further reduced. Further, the movable member 2
A plurality 6 of different shapes such as the shape of the convex portion 26a are prepared, and these can be exchanged for the lower mold 12. By changing the movable member 26 according to the shape and size of the package, the filling speed can be controlled while forming the concave portion 7 suitable for the package. Therefore, this modified example can be used even when a package having a slightly different shape is formed, and the versatility is improved.
【0018】次に、この変形例における金型構造を使用
して樹脂封止する場合は、その樹脂封止に適した可動部
材26が選択され、凸部26aが金型キャビティ11内
に突出された状態でセットされる。次いで、半導体素子
2を絶縁性接着テープ3を介してリードフレーム4に固
定するとともに、半導体素子2とリードフレーム4との
間を金属細線5で接続した状態において、これを下型1
2と上型13との間に配置し、次いで下型12と上型1
3とを型締めする。図4は、この状態を示している。そ
の後、ゲート14を通して金型キャビティ11内に溶融
されているエポキシ樹脂6を注入し、固化させる。この
とき、金型キャビティ11内には充填スピード調整用の
凸部26aが形成されているので、この凸部26aによ
り、金型キャビティ11内でエポキシ樹脂6が広がる速
度、すなわち充填スピードが半導体素子2を挟んで上下
で略同じとなるようにコントロールされる。これによ
り、この樹脂充填ではボイド及び未充填等の不具合が低
減できる。また、樹脂充填が完了し固化したら、下型1
2と上型13との型締めを解き、さらにイジェクタピン
15を金型キャビティ11内に突出させて半導体装置1
を排出する。すると、これにより図2及び図3に示した
ところの、エポキシ樹脂6により封止された凹部7が設
けられている樹脂封止型の半導体装置1が得られる。Next, when resin molding is performed by using the mold structure in this modification, a movable member 26 suitable for the resin molding is selected, and the convex portion 26a is projected into the mold cavity 11. It is set in the state where it was set. Next, while the semiconductor element 2 is fixed to the lead frame 4 via the insulating adhesive tape 3, and the semiconductor element 2 and the lead frame 4 are connected by the thin metal wire 5,
2 and the upper mold 13 and then the lower mold 12 and the upper mold 1
3 and clamp the mold. FIG. 4 shows this state. Thereafter, the epoxy resin 6 melted into the mold cavity 11 through the gate 14 is injected and solidified. At this time, since the convex portion 26a for adjusting the filling speed is formed in the mold cavity 11, the speed at which the epoxy resin 6 spreads in the mold cavity 11, that is, the filling speed is increased by the convex portion 26a. It is controlled so that it is substantially the same in the upper and lower sides of the two. As a result, defects such as voids and non-filling can be reduced in this resin filling. When resin filling is completed and solidified, lower mold 1
The mold clamping between the upper mold 13 and the upper mold 13 is released, and the ejector pins 15 are further projected into the mold cavity 11 so that the semiconductor device 1
To discharge. As a result, the resin-sealed semiconductor device 1 having the concave portion 7 sealed with the epoxy resin 6 as shown in FIGS. 2 and 3 is obtained.
【0019】なお、上記形態例では、半導体装置1の下
面側に充填スピード調整用の凹部7を設けた構成を開示
したが、成型時における金型キャビティ11内の充填ス
ピードが半導体素子2を挟んで上下で略同じとなるよう
にコントロールされるものであれば、必要によっては半
導体素子2の上面側に凹部7が形成されるようにしても
差し支えないものである。In the above embodiment, the configuration in which the concave portion 7 for adjusting the filling speed is provided on the lower surface side of the semiconductor device 1 has been disclosed. However, the filling speed in the mold cavity 11 during molding is such that the semiconductor element 2 is sandwiched. If necessary, the recess 7 may be formed on the upper surface side of the semiconductor element 2 as long as it is controlled to be substantially the same in the upper and lower directions.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
樹脂封止部分の一面側における凹部を形成する上または
下型に設けた凸部により、半導体素子成形時における金
型キャビティ内の空間を部分的に狭め、この空間を狭め
ることによって封止用樹脂材が半導体素子と金型との間
の空間に流れ込む速度を抑え、半導体素子の上下で充填
スピードを調整して略均一となるようにしているので、
ボイド及び未充填を無くして歩留まりを向上させること
ができる等の効果が期待できる。As described above, according to the present invention,
A convex portion provided on the upper or lower mold forming a concave portion on one surface side of the resin sealing portion partially narrows a space in a mold cavity at the time of molding a semiconductor element, and narrows this space to form a sealing resin. Since the speed at which the material flows into the space between the semiconductor element and the mold is suppressed, and the filling speed is adjusted above and below the semiconductor element so as to be substantially uniform,
It is possible to expect effects such as an improvement in yield by eliminating voids and unfilling.
【図1】本発明に係る金型構造の一形態例として示す縦
断側面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional side view showing one embodiment of a mold structure according to the present invention.
【図2】図3のA−A線矢視断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 3;
【図3】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の外観斜視
図である。FIG. 3 is an external perspective view of a resin-sealed semiconductor device according to the present invention.
【図4】本発明に係る金型構造の一変形例として示す縦
断側面図である。FIG. 4 is a vertical sectional side view showing a modified example of the mold structure according to the present invention.
【図5】従来における樹脂封止型半導体装置の外観斜視
図である。FIG. 5 is an external perspective view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【図6】図5のB−B線矢視断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line BB of FIG. 5;
【図7】従来における樹脂封止用の金型構造を示す図で
ある。FIG. 7 is a view showing a conventional mold structure for resin sealing.
1 樹脂封止型半導体装置 2 半導体素子 6 エポキシ樹脂(パッケージ) 7 凹部 11 金型キャビティ 12 下型 13 上型 16 凸部 26 可動部材 26a 凸部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resin-sealed semiconductor device 2 Semiconductor element 6 Epoxy resin (package) 7 Concave part 11 Mold cavity 12 Lower mold 13 Upper mold 16 Convex part 26 Movable member 26a Convex part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/28 H01L 23/28 Z J // B29K 105:20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location H01L 23/28 H01L 23/28 ZJ // B29K 105: 20
Claims (7)
封止型半導体装置において、 樹脂封止部分の一面に、該樹脂封止部分を形成する樹脂
を金型キャビティ内に注入したときに使用された充填ス
ピードコントロール用の凹部を設けたことを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。In a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor component is sealed with a resin material, a resin forming the resin-sealed portion is injected into a mold cavity on one surface of the resin-sealed portion. A resin-encapsulated semiconductor device provided with a concave portion for controlling a filling speed used in the semiconductor device.
請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。2. The resin-sealed semiconductor device according to claim 1, wherein the recess is provided on a lower surface of the resin-sealed portion.
じられる金型キャビティ内に封止用半導体素子を搭載し
て配置し、その後、前記金型キャビティ内に加熱溶融さ
れた封止用樹脂材を注入充填し、固化させ、樹脂封止型
半導体装置を得る樹脂封止方法において、 前記金型キャビティを形成している上下型の何れか一方
の内面に凸部を設け、前記金型キャビティ内に注入され
た前記封止用樹脂材が前記封止用半導体素子の上及び下
側に流れ込むスピードを前記凸部によりコントロールす
るようにしたことを特徴とする樹脂封止方法。3. A sealing resin which is mounted and arranged in a mold cavity which is closed by closing at least two upper and lower molds, and thereafter, the sealing resin melted by heating in the mold cavity. In a resin sealing method of injecting and filling a material and solidifying to obtain a resin-sealed semiconductor device, a convex portion is provided on one of inner surfaces of upper and lower molds forming the mold cavity, and the mold cavity is provided. A resin sealing method, wherein the speed at which the sealing resin material injected into the semiconductor device flows into the upper and lower sides of the semiconductor device for sealing is controlled by the projections.
じられる金型キャビティ内に封止用半導体素子を搭載し
て配置し、その後、前記金型キャビティ内に加熱溶融さ
れた封止用樹脂材を注入充填し、固化させ、樹脂封止型
半導体装置を得る樹脂封止方法において、 前記金型キャビティを形成している下型の内面に凸部を
設け、前記金型キャビティ内に注入された前記封止用樹
脂材が前記封止用半導体素子の下側に流れ込むスピード
を前記凸部によりコントロールするようにしたことを特
徴とする樹脂封止方法。4. An encapsulating semiconductor element is mounted and arranged in a mold cavity which is closed by closing at least two upper and lower molds, and thereafter the encapsulating resin melted by heating in the mold cavity. In a resin sealing method of injecting and filling a material and solidifying to obtain a resin-sealed semiconductor device, a convex portion is provided on an inner surface of a lower mold forming the mold cavity, and is injected into the mold cavity. A resin sealing method, wherein the speed at which the sealing resin material flows under the sealing semiconductor element is controlled by the projections.
素子が配置される金型キャビティを形成する少なくとも
上下2つの型を有し、前記金型キャビティ内に加熱溶融
された封止用樹脂材が充填・固化されて樹脂封止型半導
体装置を得る樹脂封止用金型において、 前記上下型の何れか一方の内面に、前記金型キャビティ
内に注入された前記封止用樹脂材が前記封止用半導体素
子の上及び下側に流れ込むスピードをコントロールする
凸部を設けたことを特徴とする樹脂封止用金型。5. A sealing resin which has at least two upper and lower dies forming a mold cavity in which a semiconductor element for sealing is arranged by being clamped to each other, and which is heated and melted in the mold cavity. In a resin sealing mold in which a material is filled and solidified to obtain a resin-sealed semiconductor device, the sealing resin material injected into the mold cavity is provided on one of inner surfaces of the upper and lower molds. A resin-sealing mold having a convex portion for controlling a speed of flowing into the upper and lower sides of the semiconductor device for sealing.
素子が配置される金型キャビティを形成する少なくとも
上下2つの型を有し、前記金型キャビティ内に加熱溶融
された封止用樹脂材が充填・固化されて樹脂封止型半導
体装置を得る樹脂封止用金型において、 前記下型の内面に、前記金型キャビティ内に注入された
前記封止用樹脂材が前記封止用半導体素子の下側に流れ
込むスピードをコントロールする凸部を設けたことを特
徴とする樹脂封止用金型。6. A sealing resin which has at least two upper and lower molds which form a mold cavity in which a semiconductor element for sealing is arranged by being clamped to each other, and which is heated and melted in the mold cavity. In a resin-sealing mold in which a material is filled and solidified to obtain a resin-sealed semiconductor device, the sealing resin material injected into the mold cavity is provided on an inner surface of the lower mold. A resin sealing mold having a convex portion for controlling a speed of flowing into a lower side of a semiconductor element.
式に設けてなる請求項6に記載の樹脂封止用金型。7. The resin sealing mold according to claim 6, wherein the projection is provided separately from the lower mold and movably.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8182968A JPH1027814A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Resin-sealed semiconductor device, resin-sealing method thereof, and resin-sealing mold |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8182968A JPH1027814A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Resin-sealed semiconductor device, resin-sealing method thereof, and resin-sealing mold |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027814A true JPH1027814A (en) | 1998-01-27 |
Family
ID=16127478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8182968A Pending JPH1027814A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Resin-sealed semiconductor device, resin-sealing method thereof, and resin-sealing mold |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1027814A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7704801B2 (en) | 1999-12-27 | 2010-04-27 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Resin for sealing semiconductor device, resin-sealed semiconductor device and the method of manufacturing the semiconductor device |
| WO2025047114A1 (en) * | 2023-08-25 | 2025-03-06 | ミネベアパワーデバイス株式会社 | Power module |
-
1996
- 1996-07-12 JP JP8182968A patent/JPH1027814A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7704801B2 (en) | 1999-12-27 | 2010-04-27 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Resin for sealing semiconductor device, resin-sealed semiconductor device and the method of manufacturing the semiconductor device |
| WO2025047114A1 (en) * | 2023-08-25 | 2025-03-06 | ミネベアパワーデバイス株式会社 | Power module |
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