JPH1027814A - 樹脂封止型半導体装置及びその樹脂封止方法並びに樹脂封止用金型 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその樹脂封止方法並びに樹脂封止用金型Info
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- JPH1027814A JPH1027814A JP8182968A JP18296896A JPH1027814A JP H1027814 A JPH1027814 A JP H1027814A JP 8182968 A JP8182968 A JP 8182968A JP 18296896 A JP18296896 A JP 18296896A JP H1027814 A JPH1027814 A JP H1027814A
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- sealing
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金型キャビティ内に注入される樹脂の注入ス
ピードが半導体素子を挟んだ上下の位置で略均一になる
ようにしてボイドや未充填を無くし、歩留まりを向上さ
せることができる樹脂封止型半導体装置及びその樹脂封
止方法並びに樹脂封止用金型を提供する。 【解決手段】 互いに型締めされて内部に封止用半導体
素子２が配置される金型キャビティ１１を形成する上下
２つの型１２，１３を有し、前記金型キャビティ１１内
に加熱溶融された封止用樹脂材６が充填・固化されて樹
脂封止型半導体装置１を得るものであって、下型１２の
内面に、金型キャビティ１１内に注入された封止用樹脂
材６が封止用半導体素子２の下側に流れ込むスピードを
コントロールする凸部１６を設けた。
ピードが半導体素子を挟んだ上下の位置で略均一になる
ようにしてボイドや未充填を無くし、歩留まりを向上さ
せることができる樹脂封止型半導体装置及びその樹脂封
止方法並びに樹脂封止用金型を提供する。 【解決手段】 互いに型締めされて内部に封止用半導体
素子２が配置される金型キャビティ１１を形成する上下
２つの型１２，１３を有し、前記金型キャビティ１１内
に加熱溶融された封止用樹脂材６が充填・固化されて樹
脂封止型半導体装置１を得るものであって、下型１２の
内面に、金型キャビティ１１内に注入された封止用樹脂
材６が封止用半導体素子２の下側に流れ込むスピードを
コントロールする凸部１６を設けた。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置及びその樹脂封止方法並びに樹脂封止用金型に関す
るものである。
装置及びその樹脂封止方法並びに樹脂封止用金型に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子や金属細線等を外部か
らの応力や湿気、汚染から保護するのに、樹脂材で被覆
してなる樹脂封止型の半導体装置がある。
らの応力や湿気、汚染から保護するのに、樹脂材で被覆
してなる樹脂封止型の半導体装置がある。
【０００３】図５及び図６は樹脂封止型半導体装置の一
例を示すもので、図５はその外観斜視図、図６は図５の
Ｂ−Ｂ線矢視断面図である。図５及び図６において、こ
の樹脂封止型半導体装置５１はＬＯＣ（Lead On Chip）
構造タイプのもので、半導体素子５２を絶縁性接着テー
プ５３を介してリードフレーム５４に固定するととも
に、半導体素子５２とリードフレーム５４との間を金属
細線５５で接続し、さらに内部の半導体素子５２，金属
細線５５を保護するためにエポキシ樹脂５６により封止
した構造となっている。
例を示すもので、図５はその外観斜視図、図６は図５の
Ｂ−Ｂ線矢視断面図である。図５及び図６において、こ
の樹脂封止型半導体装置５１はＬＯＣ（Lead On Chip）
構造タイプのもので、半導体素子５２を絶縁性接着テー
プ５３を介してリードフレーム５４に固定するととも
に、半導体素子５２とリードフレーム５４との間を金属
細線５５で接続し、さらに内部の半導体素子５２，金属
細線５５を保護するためにエポキシ樹脂５６により封止
した構造となっている。
【０００４】図７は従来における樹脂封止用の金型構造
を示すものである。この金型構造は、互いに型締めされ
て内部に金型キャビティ６１を形成する下型６２と上型
６３とで構成されており、下型６２と上型６３との間に
は金型キャビティ６１内に封止用のエポキシ樹脂５６
（図５及び図６参照）を注入するためのゲート６４が設
けられている。また、下型６２には、樹脂封止後、下型
６２から半導体装置５１を脱着させるためのイジェクタ
ピン６５が設けられている。このイジェクタピン６５
は、下型６２から金型キャビティ６１内に突き出され、
この突き出しにより半導体装置５１を下型６２からイジ
ェクトする。
を示すものである。この金型構造は、互いに型締めされ
て内部に金型キャビティ６１を形成する下型６２と上型
６３とで構成されており、下型６２と上型６３との間に
は金型キャビティ６１内に封止用のエポキシ樹脂５６
（図５及び図６参照）を注入するためのゲート６４が設
けられている。また、下型６２には、樹脂封止後、下型
６２から半導体装置５１を脱着させるためのイジェクタ
ピン６５が設けられている。このイジェクタピン６５
は、下型６２から金型キャビティ６１内に突き出され、
この突き出しにより半導体装置５１を下型６２からイジ
ェクトする。
【０００５】この金型構造で半導体素子５２等を封止す
る場合は、まず半導体素子５２を絶縁性接着テープ５３
を介してリードフレーム５４に固定するとともに、半導
体素子５２とリードフレーム５４との間を金属細線５５
で接続した状態において、これを下型６２と上型６３と
の間に配置し、次いで下型６２と上型６３とを型締めす
る。図７は、この状態を示している。次に、ゲート６４
を通して金型キャビティ６１内に溶融されているエポキ
シ樹脂５６を注入し、固化させる。また、固化したら、
下型６２と上型６３との型締めを解き、さらにイジェク
タピン６５を金型キャビティ６１内に突出させて排出す
る。すると、これにより図５及び図６に示したエポキシ
樹脂５６で封止された樹脂封止型の半導体装置５１が形
成される。
る場合は、まず半導体素子５２を絶縁性接着テープ５３
を介してリードフレーム５４に固定するとともに、半導
体素子５２とリードフレーム５４との間を金属細線５５
で接続した状態において、これを下型６２と上型６３と
の間に配置し、次いで下型６２と上型６３とを型締めす
る。図７は、この状態を示している。次に、ゲート６４
を通して金型キャビティ６１内に溶融されているエポキ
シ樹脂５６を注入し、固化させる。また、固化したら、
下型６２と上型６３との型締めを解き、さらにイジェク
タピン６５を金型キャビティ６１内に突出させて排出す
る。すると、これにより図５及び図６に示したエポキシ
樹脂５６で封止された樹脂封止型の半導体装置５１が形
成される。
【０００６】この半導体装置５１では、パッケージ（エ
ポキシ樹脂５６）の上下面はそれぞれ平面状に形成され
ている。また、金型キャビティ６１内に注入されたエポ
キシ樹脂５６は、半導体素子５２の下側に流れ易く、上
側には流れにくい。このため、上下で注入スピードが異
なり、成形品の表面あるいは樹脂内部に気泡ができるボ
イドや、未充填部分が発生し易い。そこで、パッケージ
の厚みを上下で変えて注入スピードを上下で同じにする
ことも考えられるが、パッケージの厚みｔには統一規格
があるため、厚みを簡単には変更しにくい。
ポキシ樹脂５６）の上下面はそれぞれ平面状に形成され
ている。また、金型キャビティ６１内に注入されたエポ
キシ樹脂５６は、半導体素子５２の下側に流れ易く、上
側には流れにくい。このため、上下で注入スピードが異
なり、成形品の表面あるいは樹脂内部に気泡ができるボ
イドや、未充填部分が発生し易い。そこで、パッケージ
の厚みを上下で変えて注入スピードを上下で同じにする
ことも考えられるが、パッケージの厚みｔには統一規格
があるため、厚みを簡単には変更しにくい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
構造の半導体装置５１では、金型キャビティ６１内に注
入されたエポキシ樹脂５６は、半導体素子５２の下側に
流れ易く、上側には流れにくい。このため、上下で注入
スピードが異なり、ボイドや未充填部分が発生し易く、
歩留まりが悪いと言う問題点があった。
構造の半導体装置５１では、金型キャビティ６１内に注
入されたエポキシ樹脂５６は、半導体素子５２の下側に
流れ易く、上側には流れにくい。このため、上下で注入
スピードが異なり、ボイドや未充填部分が発生し易く、
歩留まりが悪いと言う問題点があった。
【０００８】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は金型キャビティ内に注入される樹
脂の注入スピードが半導体素子を挟んだ上下の位置で略
均一になるようにしてボイドや未充填を無くし、歩留ま
りを向上させることができる樹脂封止型半導体装置及び
その樹脂封止方法並びに樹脂封止用金型を提供すること
にある。
のであり、その目的は金型キャビティ内に注入される樹
脂の注入スピードが半導体素子を挟んだ上下の位置で略
均一になるようにしてボイドや未充填を無くし、歩留ま
りを向上させることができる樹脂封止型半導体装置及び
その樹脂封止方法並びに樹脂封止用金型を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、樹脂封止型半導体装置としては、次の技術手
段を講じたことを特徴とする。すなわち、半導体部品を
樹脂材で封止してなる樹脂封止型半導体装置において、
樹脂封止部分の一面に該樹脂封止部分を形成する樹脂を
金型キャビティ内に注入するときに使用した充填スピー
ドコントロール用の凹部を設けてなる構成としたもので
ある。
するため、樹脂封止型半導体装置としては、次の技術手
段を講じたことを特徴とする。すなわち、半導体部品を
樹脂材で封止してなる樹脂封止型半導体装置において、
樹脂封止部分の一面に該樹脂封止部分を形成する樹脂を
金型キャビティ内に注入するときに使用した充填スピー
ドコントロール用の凹部を設けてなる構成としたもので
ある。
【００１０】また、本発明は上記目的を達成するため、
樹脂封止方法としては、次の技術手段を講じたことを特
徴とする。すなわち、少なくとも上下２つの型を型締め
して閉じられる金型キャビティ内に封止用半導体素子を
搭載して配置し、その後、前記金型キャビティ内に加熱
溶融された封止用樹脂材を注入充填し、固化させ、樹脂
封止型半導体装置を得る樹脂封止方法において、前記金
型キャビティを形成している上下型の何れか一方の内面
に凸部を設け、前記金型キャビティ内に注入された前記
封止用樹脂材が前記封止用半導体素子の上及び下側に流
れ込むスピードを前記凸部によりコントロールするよう
にしたものである。
樹脂封止方法としては、次の技術手段を講じたことを特
徴とする。すなわち、少なくとも上下２つの型を型締め
して閉じられる金型キャビティ内に封止用半導体素子を
搭載して配置し、その後、前記金型キャビティ内に加熱
溶融された封止用樹脂材を注入充填し、固化させ、樹脂
封止型半導体装置を得る樹脂封止方法において、前記金
型キャビティを形成している上下型の何れか一方の内面
に凸部を設け、前記金型キャビティ内に注入された前記
封止用樹脂材が前記封止用半導体素子の上及び下側に流
れ込むスピードを前記凸部によりコントロールするよう
にしたものである。
【００１１】さらに、本発明は上記目的を達成するた
め、樹脂封止方法としては、次の技術手段を講じたこと
を特徴とする。すなわち、互いに型締めされて内部に封
止用半導体素子が配置される金型キャビティを形成する
少なくとも上下２つの型を有し、前記金型キャビティ内
に加熱溶融された封止用樹脂材が充填・固化されて樹脂
封止型半導体装置を得る樹脂封止用金型において、前記
上下型の何れか一方の内面に、前記金型キャビティ内に
注入された前記封止用樹脂材が前記封止用半導体素子の
上及び下側に流れ込むスピードをコントロールする凸部
を設けてなる構成としたものである。
め、樹脂封止方法としては、次の技術手段を講じたこと
を特徴とする。すなわち、互いに型締めされて内部に封
止用半導体素子が配置される金型キャビティを形成する
少なくとも上下２つの型を有し、前記金型キャビティ内
に加熱溶融された封止用樹脂材が充填・固化されて樹脂
封止型半導体装置を得る樹脂封止用金型において、前記
上下型の何れか一方の内面に、前記金型キャビティ内に
注入された前記封止用樹脂材が前記封止用半導体素子の
上及び下側に流れ込むスピードをコントロールする凸部
を設けてなる構成としたものである。
【００１２】これによれば、樹脂封止部分の一面側にお
ける凹部を形成する上または下型に設けた凸部により、
半導体素子成形時における金型キャビティ内の空間を部
分的に狭め、この空間を狭めることによって封止用樹脂
材が半導体素子と金型との間の空間に流れ込む速度を抑
え、半導体素子の上下で充填スピードを調整することが
可能になる。
ける凹部を形成する上または下型に設けた凸部により、
半導体素子成形時における金型キャビティ内の空間を部
分的に狭め、この空間を狭めることによって封止用樹脂
材が半導体素子と金型との間の空間に流れ込む速度を抑
え、半導体素子の上下で充填スピードを調整することが
可能になる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図２及び図３は本発明に係る樹脂
封止型半導体装置の一形態例を示すもので、図２は図３
のＡ−Ａ線矢視断面図、図３はその装置の外観斜視図で
ある。図２及び図３において、この樹脂封止型半導体装
置１はＬＯＣ（Lead On Chip）構造タイプのもので、半
導体素子２を絶縁性接着テープ３を介してリードフレー
ム４に固定するとともに、半導体素子２とリードフレー
ム４との間を金属細線５で接続し、さらに内部の半導体
素子２，金属細線５を保護するためにエポキシ樹脂６に
より封止（パッケージ）した構造となっている。さら
に、半導体素子２の下側となるパッケージ（エポキシ樹
脂６）の下面で、その略中央部分には溝状をした充填ス
ピード調整用の凹部７が形成されている。この凹部７
は、後述するように、パッケージを形成するエポキシ樹
脂６が金型キャビティ１１（図１参照）に注入されたと
きに、この金型キャビティ１１（図１参照）内でエポキ
シ樹脂６が広がる速度、すなわち充填スピードが半導体
素子２を挟んで上下で略同じとなるようにするためのも
のである。したがって、この凹部７の大きさ（面積）及
び深さ寸法は、充填される樹脂（本形態例ではエポキシ
樹脂６）の種類や粘度等を考慮して設定される。しか
し、好ましくは半導体素子２の下側における樹脂封止層
の寸法ｔ（図２参照）は0.1 mm以上設ける必要があり、
また面積は半導体素子２の面積と同等か、それ以下に設
定される。
封止型半導体装置の一形態例を示すもので、図２は図３
のＡ−Ａ線矢視断面図、図３はその装置の外観斜視図で
ある。図２及び図３において、この樹脂封止型半導体装
置１はＬＯＣ（Lead On Chip）構造タイプのもので、半
導体素子２を絶縁性接着テープ３を介してリードフレー
ム４に固定するとともに、半導体素子２とリードフレー
ム４との間を金属細線５で接続し、さらに内部の半導体
素子２，金属細線５を保護するためにエポキシ樹脂６に
より封止（パッケージ）した構造となっている。さら
に、半導体素子２の下側となるパッケージ（エポキシ樹
脂６）の下面で、その略中央部分には溝状をした充填ス
ピード調整用の凹部７が形成されている。この凹部７
は、後述するように、パッケージを形成するエポキシ樹
脂６が金型キャビティ１１（図１参照）に注入されたと
きに、この金型キャビティ１１（図１参照）内でエポキ
シ樹脂６が広がる速度、すなわち充填スピードが半導体
素子２を挟んで上下で略同じとなるようにするためのも
のである。したがって、この凹部７の大きさ（面積）及
び深さ寸法は、充填される樹脂（本形態例ではエポキシ
樹脂６）の種類や粘度等を考慮して設定される。しか
し、好ましくは半導体素子２の下側における樹脂封止層
の寸法ｔ（図２参照）は0.1 mm以上設ける必要があり、
また面積は半導体素子２の面積と同等か、それ以下に設
定される。
【００１４】図１は図２及び図３に示した樹脂封止型半
導体装置を樹脂封止するための金型構造を型締めしてい
る状態で示している縦断側面図である。図１において、
この金型構造は、互いに型締めされて内部に金型キャビ
ティ１１を形成する下型１２と上型１３とで構成されて
おり、下型１２と上型１３との間には金型キャビティ１
１内に封止用のエポキシ樹脂６を注入するためのゲート
１４が設けられている。また、下型１２には、樹脂封止
後、下型１２から半導体装置１を脱着させるためのイジ
ェクタピン１５が設けられている。さらに、下型１２内
には、その中央部分に金型キャビティ１１内に突き出し
た状態にして形成されている凸部１６が設けられてい
る。この凸部１６は図２及び図３に示した樹脂封止型半
導体装置１における凹部７を形成するためのもので、凹
部７に対応している。
導体装置を樹脂封止するための金型構造を型締めしてい
る状態で示している縦断側面図である。図１において、
この金型構造は、互いに型締めされて内部に金型キャビ
ティ１１を形成する下型１２と上型１３とで構成されて
おり、下型１２と上型１３との間には金型キャビティ１
１内に封止用のエポキシ樹脂６を注入するためのゲート
１４が設けられている。また、下型１２には、樹脂封止
後、下型１２から半導体装置１を脱着させるためのイジ
ェクタピン１５が設けられている。さらに、下型１２内
には、その中央部分に金型キャビティ１１内に突き出し
た状態にして形成されている凸部１６が設けられてい
る。この凸部１６は図２及び図３に示した樹脂封止型半
導体装置１における凹部７を形成するためのもので、凹
部７に対応している。
【００１５】次に、この金型構造で半導体素子２等を樹
脂封止する場合は、まず半導体素子２を絶縁性接着テー
プ３を介してリードフレーム４に固定するとともに、半
導体素子２とリードフレーム４との間を金属細線５で接
続した状態において、これを下型１２と上型１３との間
に配置し、次いで下型１２と上型１３とを型締めする。
図１は、この状態を示している。次いで、ゲート１４を
通して金型キャビティ１１内に溶融されているエポキシ
樹脂６を注入し、固化させる。このとき、金型キャビテ
ィ１１内には充填スピード調整用の凸部１６が形成され
ているので、この凸部１６により、金型キャビティ１１
内でエポキシ樹脂６が広がる速度、すなわち充填スピー
ドが半導体素子２を挟んで上下で略同じとなるようにコ
ントロールされる。これにより、この樹脂充填ではボイ
ド及び未充填等の不具合が低減できる。また、樹脂充填
が完了し固化したら、下型１２と上型１３との型締めを
解き、さらにイジェクタピン１５を金型キャビティ１１
内に突出させて半導体装置１を排出させる。すると、こ
れにより図２及び図３に示した処の、エポキシ樹脂６に
より封止された凹部７が設けられている樹脂封止型の半
導体装置１が得られる。
脂封止する場合は、まず半導体素子２を絶縁性接着テー
プ３を介してリードフレーム４に固定するとともに、半
導体素子２とリードフレーム４との間を金属細線５で接
続した状態において、これを下型１２と上型１３との間
に配置し、次いで下型１２と上型１３とを型締めする。
図１は、この状態を示している。次いで、ゲート１４を
通して金型キャビティ１１内に溶融されているエポキシ
樹脂６を注入し、固化させる。このとき、金型キャビテ
ィ１１内には充填スピード調整用の凸部１６が形成され
ているので、この凸部１６により、金型キャビティ１１
内でエポキシ樹脂６が広がる速度、すなわち充填スピー
ドが半導体素子２を挟んで上下で略同じとなるようにコ
ントロールされる。これにより、この樹脂充填ではボイ
ド及び未充填等の不具合が低減できる。また、樹脂充填
が完了し固化したら、下型１２と上型１３との型締めを
解き、さらにイジェクタピン１５を金型キャビティ１１
内に突出させて半導体装置１を排出させる。すると、こ
れにより図２及び図３に示した処の、エポキシ樹脂６に
より封止された凹部７が設けられている樹脂封止型の半
導体装置１が得られる。
【００１６】図４は、図２及び図３に示した樹脂封止型
半導体装置を樹脂封止する金型構造の他の実施例を型締
めしている状態で示している縦断側面図である。また、
図４において図１乃至図３と同一符号を付したものは図
１乃至図３と同一のものを示している。そして、図４に
おいて、この金型構造は、互いに型締めされて内部に金
型キャビティ１１を形成する下型１２と上型１３とで構
成されており、下型１２と上型１３との間には金型キャ
ビティ１１内に封止用のエポキシ樹脂６を注入するため
のゲート１４が設けられている。さらに、下型１２に
は、樹脂封止後、下型１２から半導体装置１を脱着させ
るためのイジェクタピン１５が設けられている。
半導体装置を樹脂封止する金型構造の他の実施例を型締
めしている状態で示している縦断側面図である。また、
図４において図１乃至図３と同一符号を付したものは図
１乃至図３と同一のものを示している。そして、図４に
おいて、この金型構造は、互いに型締めされて内部に金
型キャビティ１１を形成する下型１２と上型１３とで構
成されており、下型１２と上型１３との間には金型キャ
ビティ１１内に封止用のエポキシ樹脂６を注入するため
のゲート１４が設けられている。さらに、下型１２に
は、樹脂封止後、下型１２から半導体装置１を脱着させ
るためのイジェクタピン１５が設けられている。
【００１７】加えて、下型１２には、その中央部分に金
型キャビティ１１内に突き出す凸部２６ａを先端に有す
る可動部材２６が配設されている。この可動部材２６の
凸部２６ａは図２及び図３に示した樹脂封止型半導体装
置１における凹部７を形成するためのもので、凹部７に
対応している。また、可動部材２６は、下型１２に対し
て上下方向に移動可能となっており、その突出量を変え
て凹部７の深さを切り換えることができる構造になって
いる。すなわち、この構造では、樹脂の種類や粘度等に
よって、突出量を変えると、金型キャビティ１１内でエ
ポキシ樹脂６が広がる速度、すなわち充填スピードが半
導体素子２を挟んで上下で略同じとなるように細かくコ
ントロールすることができ、ボイド及び未充填等の不具
合をさらに低減することができる。さらに、可動部材２
６は凸部２６ａの形状等の異なるものが複数用意されて
いて、これらが下型１２に対して交換可能となってい
る。そして、パッケージの形状及び大きさに応じて可動
部材２６を交換することにより、そのパッケージに適し
た凹部７を形成しながら充填スピードをコントロールす
ることができる。したがって、この変形例では、多少形
状が異なるパッケージを形成する場合にも使用すること
ができ、汎用性が向上する。
型キャビティ１１内に突き出す凸部２６ａを先端に有す
る可動部材２６が配設されている。この可動部材２６の
凸部２６ａは図２及び図３に示した樹脂封止型半導体装
置１における凹部７を形成するためのもので、凹部７に
対応している。また、可動部材２６は、下型１２に対し
て上下方向に移動可能となっており、その突出量を変え
て凹部７の深さを切り換えることができる構造になって
いる。すなわち、この構造では、樹脂の種類や粘度等に
よって、突出量を変えると、金型キャビティ１１内でエ
ポキシ樹脂６が広がる速度、すなわち充填スピードが半
導体素子２を挟んで上下で略同じとなるように細かくコ
ントロールすることができ、ボイド及び未充填等の不具
合をさらに低減することができる。さらに、可動部材２
６は凸部２６ａの形状等の異なるものが複数用意されて
いて、これらが下型１２に対して交換可能となってい
る。そして、パッケージの形状及び大きさに応じて可動
部材２６を交換することにより、そのパッケージに適し
た凹部７を形成しながら充填スピードをコントロールす
ることができる。したがって、この変形例では、多少形
状が異なるパッケージを形成する場合にも使用すること
ができ、汎用性が向上する。
【００１８】次に、この変形例における金型構造を使用
して樹脂封止する場合は、その樹脂封止に適した可動部
材２６が選択され、凸部２６ａが金型キャビティ１１内
に突出された状態でセットされる。次いで、半導体素子
２を絶縁性接着テープ３を介してリードフレーム４に固
定するとともに、半導体素子２とリードフレーム４との
間を金属細線５で接続した状態において、これを下型１
２と上型１３との間に配置し、次いで下型１２と上型１
３とを型締めする。図４は、この状態を示している。そ
の後、ゲート１４を通して金型キャビティ１１内に溶融
されているエポキシ樹脂６を注入し、固化させる。この
とき、金型キャビティ１１内には充填スピード調整用の
凸部２６ａが形成されているので、この凸部２６ａによ
り、金型キャビティ１１内でエポキシ樹脂６が広がる速
度、すなわち充填スピードが半導体素子２を挟んで上下
で略同じとなるようにコントロールされる。これによ
り、この樹脂充填ではボイド及び未充填等の不具合が低
減できる。また、樹脂充填が完了し固化したら、下型１
２と上型１３との型締めを解き、さらにイジェクタピン
１５を金型キャビティ１１内に突出させて半導体装置１
を排出する。すると、これにより図２及び図３に示した
ところの、エポキシ樹脂６により封止された凹部７が設
けられている樹脂封止型の半導体装置１が得られる。
して樹脂封止する場合は、その樹脂封止に適した可動部
材２６が選択され、凸部２６ａが金型キャビティ１１内
に突出された状態でセットされる。次いで、半導体素子
２を絶縁性接着テープ３を介してリードフレーム４に固
定するとともに、半導体素子２とリードフレーム４との
間を金属細線５で接続した状態において、これを下型１
２と上型１３との間に配置し、次いで下型１２と上型１
３とを型締めする。図４は、この状態を示している。そ
の後、ゲート１４を通して金型キャビティ１１内に溶融
されているエポキシ樹脂６を注入し、固化させる。この
とき、金型キャビティ１１内には充填スピード調整用の
凸部２６ａが形成されているので、この凸部２６ａによ
り、金型キャビティ１１内でエポキシ樹脂６が広がる速
度、すなわち充填スピードが半導体素子２を挟んで上下
で略同じとなるようにコントロールされる。これによ
り、この樹脂充填ではボイド及び未充填等の不具合が低
減できる。また、樹脂充填が完了し固化したら、下型１
２と上型１３との型締めを解き、さらにイジェクタピン
１５を金型キャビティ１１内に突出させて半導体装置１
を排出する。すると、これにより図２及び図３に示した
ところの、エポキシ樹脂６により封止された凹部７が設
けられている樹脂封止型の半導体装置１が得られる。
【００１９】なお、上記形態例では、半導体装置１の下
面側に充填スピード調整用の凹部７を設けた構成を開示
したが、成型時における金型キャビティ１１内の充填ス
ピードが半導体素子２を挟んで上下で略同じとなるよう
にコントロールされるものであれば、必要によっては半
導体素子２の上面側に凹部７が形成されるようにしても
差し支えないものである。
面側に充填スピード調整用の凹部７を設けた構成を開示
したが、成型時における金型キャビティ１１内の充填ス
ピードが半導体素子２を挟んで上下で略同じとなるよう
にコントロールされるものであれば、必要によっては半
導体素子２の上面側に凹部７が形成されるようにしても
差し支えないものである。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
樹脂封止部分の一面側における凹部を形成する上または
下型に設けた凸部により、半導体素子成形時における金
型キャビティ内の空間を部分的に狭め、この空間を狭め
ることによって封止用樹脂材が半導体素子と金型との間
の空間に流れ込む速度を抑え、半導体素子の上下で充填
スピードを調整して略均一となるようにしているので、
ボイド及び未充填を無くして歩留まりを向上させること
ができる等の効果が期待できる。
樹脂封止部分の一面側における凹部を形成する上または
下型に設けた凸部により、半導体素子成形時における金
型キャビティ内の空間を部分的に狭め、この空間を狭め
ることによって封止用樹脂材が半導体素子と金型との間
の空間に流れ込む速度を抑え、半導体素子の上下で充填
スピードを調整して略均一となるようにしているので、
ボイド及び未充填を無くして歩留まりを向上させること
ができる等の効果が期待できる。
【図１】本発明に係る金型構造の一形態例として示す縦
断側面図である。
断側面図である。
【図２】図３のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図３】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の外観斜視
図である。
図である。
【図４】本発明に係る金型構造の一変形例として示す縦
断側面図である。
断側面図である。
【図５】従来における樹脂封止型半導体装置の外観斜視
図である。
図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図７】従来における樹脂封止用の金型構造を示す図で
ある。
ある。
１ 樹脂封止型半導体装置 ２ 半導体素子 ６ エポキシ樹脂（パッケージ） ７ 凹部 １１ 金型キャビティ １２ 下型 １３ 上型 １６ 凸部 ２６ 可動部材 ２６ａ 凸部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｚ Ｊ // Ｂ２９Ｋ 105:20
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体部品を樹脂材で封止してなる樹脂
封止型半導体装置において、 樹脂封止部分の一面に、該樹脂封止部分を形成する樹脂
を金型キャビティ内に注入したときに使用された充填ス
ピードコントロール用の凹部を設けたことを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記凹部を樹脂封止部分の下面に設けた
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 少なくとも上下２つの型を型締めして閉
じられる金型キャビティ内に封止用半導体素子を搭載し
て配置し、その後、前記金型キャビティ内に加熱溶融さ
れた封止用樹脂材を注入充填し、固化させ、樹脂封止型
半導体装置を得る樹脂封止方法において、 前記金型キャビティを形成している上下型の何れか一方
の内面に凸部を設け、前記金型キャビティ内に注入され
た前記封止用樹脂材が前記封止用半導体素子の上及び下
側に流れ込むスピードを前記凸部によりコントロールす
るようにしたことを特徴とする樹脂封止方法。 - 【請求項４】 少なくとも上下２つの型を型締めして閉
じられる金型キャビティ内に封止用半導体素子を搭載し
て配置し、その後、前記金型キャビティ内に加熱溶融さ
れた封止用樹脂材を注入充填し、固化させ、樹脂封止型
半導体装置を得る樹脂封止方法において、 前記金型キャビティを形成している下型の内面に凸部を
設け、前記金型キャビティ内に注入された前記封止用樹
脂材が前記封止用半導体素子の下側に流れ込むスピード
を前記凸部によりコントロールするようにしたことを特
徴とする樹脂封止方法。 - 【請求項５】 互いに型締めされて内部に封止用半導体
素子が配置される金型キャビティを形成する少なくとも
上下２つの型を有し、前記金型キャビティ内に加熱溶融
された封止用樹脂材が充填・固化されて樹脂封止型半導
体装置を得る樹脂封止用金型において、 前記上下型の何れか一方の内面に、前記金型キャビティ
内に注入された前記封止用樹脂材が前記封止用半導体素
子の上及び下側に流れ込むスピードをコントロールする
凸部を設けたことを特徴とする樹脂封止用金型。 - 【請求項６】 互いに型締めされて内部に封止用半導体
素子が配置される金型キャビティを形成する少なくとも
上下２つの型を有し、前記金型キャビティ内に加熱溶融
された封止用樹脂材が充填・固化されて樹脂封止型半導
体装置を得る樹脂封止用金型において、 前記下型の内面に、前記金型キャビティ内に注入された
前記封止用樹脂材が前記封止用半導体素子の下側に流れ
込むスピードをコントロールする凸部を設けたことを特
徴とする樹脂封止用金型。 - 【請求項７】 前記凸部を前記下型と別体で、かつ可動
式に設けてなる請求項６に記載の樹脂封止用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8182968A JPH1027814A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 樹脂封止型半導体装置及びその樹脂封止方法並びに樹脂封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8182968A JPH1027814A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 樹脂封止型半導体装置及びその樹脂封止方法並びに樹脂封止用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027814A true JPH1027814A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16127478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8182968A Pending JPH1027814A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 樹脂封止型半導体装置及びその樹脂封止方法並びに樹脂封止用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1027814A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7704801B2 (en) | 1999-12-27 | 2010-04-27 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Resin for sealing semiconductor device, resin-sealed semiconductor device and the method of manufacturing the semiconductor device |
| WO2025047114A1 (ja) * | 2023-08-25 | 2025-03-06 | ミネベアパワーデバイス株式会社 | パワーモジュール |
-
1996
- 1996-07-12 JP JP8182968A patent/JPH1027814A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7704801B2 (en) | 1999-12-27 | 2010-04-27 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Resin for sealing semiconductor device, resin-sealed semiconductor device and the method of manufacturing the semiconductor device |
| WO2025047114A1 (ja) * | 2023-08-25 | 2025-03-06 | ミネベアパワーデバイス株式会社 | パワーモジュール |
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