JPH1027816A - マルチチップモジュールの修復方法 - Google Patents

マルチチップモジュールの修復方法

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Publication number
JPH1027816A
JPH1027816A JP17960596A JP17960596A JPH1027816A JP H1027816 A JPH1027816 A JP H1027816A JP 17960596 A JP17960596 A JP 17960596A JP 17960596 A JP17960596 A JP 17960596A JP H1027816 A JPH1027816 A JP H1027816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
defective
semiconductor element
bonding
mcm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17960596A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Yokoo
正宏 横尾
C Kim Peter
シー キム ピーター
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
N CHIP Inc
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
N CHIP Inc
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by N CHIP Inc, Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical N CHIP Inc
Priority to JP17960596A priority Critical patent/JPH1027816A/ja
Publication of JPH1027816A publication Critical patent/JPH1027816A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップに不要な熱履歴を与えることなく、M
CMの修復ができ、かつ、チップを三次元的に積層した
MCMでも良品を無駄にすることなく修復ができ、か
つ、修復時に他のチップに与える損傷の可能性を少なく
する方法を提供することにある。 【解決手段】 本発明は、まずワイヤボンディングまで
が終了したモジュールの電気特性検査を行い、不良チッ
プを特定し、次に不良チップと基板とを接続しているボ
ンディングワイヤを除去し、その後、不良チップの上に
良品を接着し、ワイヤボンディングを行うことでMCM
の修復を行っている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体素子
を同一基板上に実装したマルチチップモジュールの製造
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の高速化、小型化を図る
ために、同一基板内に複数個の半導体素子(以後、単に
チップと呼ぶ)を実装したマルチチップモジュール(以
後、MCMと略す)が用いられている。
【0003】さて、LSI等のチップはベアチップだと
高周波特性を精度良く測定できない。したがって、チッ
プのきちんとした試験はMCMに組み立ててからにな
る。このためMCMの良品率は、搭載する個々のチップ
の良品率の積となり、不良チップを除外する技術がない
場合は、個々のチップの良品率と比較すると大幅に低く
なる。
【0004】低コストのMCMを実現するには、不良チ
ップを良品に置き換える必要があり、以下に示す修復方
法が用いられていた。まず不良チップのボンディングワ
イヤを切断し、次いで該チップを加熱した状態で、チッ
プに横方向からせん断力を加えて、不良チップを基板か
ら引き剥がしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法では不良チップの除去のためにチップを加熱している
が、このときの温度は基板にチップを搭載するときの接
着剤の硬化温度より高く、良品のチップにも不要な熱履
歴を与えるという欠点があった。また、チップを引き剥
がす際に、チップ周辺に機械的損傷を与える場合もあっ
た。さらに、チップを三次元的に積層したMCMでは、
不良チップのみを取り除くことができないため、修復を
断念するか、良品のチップを含む積層体ごと基板から取
り除かなければならなかった。
【0006】上記問題点を鑑みて本発明の課題は、チッ
プに不要な熱履歴を与えることなく、MCMの修復がで
き、かつ、チップを三次元的に積層したMCMでも良品
を無駄にすることなく修復ができ、かつ、修復時に他の
チップに与える損傷の可能性を少なくする方法を提供す
ることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、まずワイヤボンディングまでが終了したモ
ジュールの電気特性検査を行い、不良チップを特定し、
次に不良チップと基板とを接続しているボンディングワ
イヤを除去し、その後、不良チップの上に良品を接着
し、ワイヤボンディングを行うことでMCMの修復を行
っている。
【0008】修復で必要なのは、不良チップが他のチッ
プに悪影響を与えないようにし、不良チップが果たすは
ずであった機能を担う新しい良品のチップを搭載するこ
とであり、不良チップを物理的に取り除くことは必ずし
も必要としていないのである。
【0009】また、チップを三次元的に積層した積層体
が実装されているMCMの修復で、不良チップが積層体
の最上部にない場合には、不良チップのボンディングワ
イヤを除去した後、積層体の最上部に良品を厚さ25μ
m以上、300μm以下の接着層を介して接着し、良品
にワイヤボンディングを行うことでMCMの修復してい
る。
【0010】ここで接着層の厚さを25μm以上とした
のは、この値以下では積層体の最上部のボンディングワ
イヤが良品を積層したことにより押し潰され、ワイヤに
損傷が生じてしまうからである。また、接着層厚さを3
00μm以下としたのは、それ以上では接着剤等の使用
量が増し、経済的に見合わず、MCM小型化の要求にも
逆行するからである。
【0011】
【発明の実施の形態】MCMの修復工程を図1を用い、
以下に説明する。
【0012】まず、ワイヤボンディングまでが終了した
モジュールの電気特性検査を行い、不良のチップを特定
する。次に不良チップと基板とを接続しているボンディ
ングワイヤをピンセットにより、ワイヤが残存すると短
絡の原因となりうるからである。その後、不良チップの
上に接着剤を塗布し、良品を接着する。そして最後に、
良品にワイヤボンディングを行うことでMCMの修復が
終了する。
【0013】修復用の良品チップを接着する接着剤は特
に限定しないがエポキシ樹脂がよい。ただし、チップの
三次元的積層体が実装されているMCMの修復で、不良
チップが積層体の最上部にない場合には、該積層体の最
上部の良品のボンディングワイヤに修復用チップを接着
するための接着剤が接触する恐れがあるため、エポキシ
樹脂等の絶縁性接着剤でなければならない。
【0014】
【実施例】本実施例において、6.6mm×13.3m
mのLSIチップが4枚実装され、その内1枚が不良で
あったMCMを例に、MCMの修復をより詳しく説明す
る。
【0015】まず、不良チップのボンディングワイヤを
ピンセットで除去した。次に不良チップの中心部の4m
m×10.7mmの領域にエポキシ樹脂(Ablebo
nd社製 商品名 Ablestic 968−1)を
塗布し、不良であったLSIチップと同じ型式のチップ
を、接着剤のキュア温度150℃、キュア時間2時間と
して接着した。その後、新たに実装したチップに、直径
25μmのアルミニウムワイヤをウエッジボンディング
法によりボンディングし、修復を終了した。
【0016】上記のように修復したMCMの電気特性検
査を行ったが、不良チップを基板上に残しても異常は見
られなかった。
【0017】
【発明の効果】以上のように、本発明を用いることによ
り、チップに不要な熱履歴を与えることなく、MCMの
修復ができ、かつ、チップを三次元的に積層したMCM
でも良品を無駄にすることなく簡単に修復ができた。ま
た本発明は、不良チップを基板上から取り外さないた
め、MCMの修復にチップを基板から引き剥がすための
特別な装置も必要としない。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明のMCM修復のための工程図であ
る。
フロントページの続き (72)発明者 ピーター シー キム アメリカ合衆国,カリフォルニア 95132, サン ノゼ,ノース キャピタル アベニ ュー 1971,エヌチップ インコーポレイ テッド内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 同一基板上に複数個の半導体素子を実装
    したマルチチップモジュールの修復において、まずワイ
    ヤボンディングまでが終了したモジュールの電気特性検
    査を行い、不良の半導体素子を特定し、次に不良の半導
    体素子と基板とを接続しているボンディングワイヤを取
    り除き、その後、不良の半導体素子の上に良品の半導体
    素子を接着し、良品の半導体素子にワイヤボンディング
    を行うことを特徴とするマルチチップモジュールの修復
    方法。
  2. 【請求項2】 同一基板上に複数個の半導体素子を実装
    したマルチチップモジュールの修復において、まずワイ
    ヤボンディングまでが終了したモジュールの電気特性検
    査を行い、不良の半導体素子を特定し、次に不良の半導
    体素子と基板とを接続しているボンディングワイヤを取
    り除き、不良の半導体素子が半導体素子を三次元的に積
    層した積層体の最上部に実装されていない場合、良品の
    半導体素子を該積層体の上に厚さ25μm以上、300
    μm以下の接着層を介して接着し、良品の半導体素子に
    ワイヤボンディングを行うことを特徴とするマルチチッ
    プモジュールの修復方法。
JP17960596A 1996-07-09 1996-07-09 マルチチップモジュールの修復方法 Pending JPH1027816A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220308564A1 (en) 2021-03-23 2022-09-29 International Business Machines Corporation Multicomponent module design and fabrication

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220308564A1 (en) 2021-03-23 2022-09-29 International Business Machines Corporation Multicomponent module design and fabrication
US12504747B2 (en) 2021-03-23 2025-12-23 International Business Machines Corporation Multicomponent module design and fabrication

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