JPH10282300A - 荷電粒子照射装置およびその運転方法 - Google Patents
荷電粒子照射装置およびその運転方法Info
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- JPH10282300A JPH10282300A JP9232111A JP23211197A JPH10282300A JP H10282300 A JPH10282300 A JP H10282300A JP 9232111 A JP9232111 A JP 9232111A JP 23211197 A JP23211197 A JP 23211197A JP H10282300 A JPH10282300 A JP H10282300A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】荷電粒子ビームの照射野の境界における半影ボ
ケを低減し、荷電粒子ビームの照射装置を小型化する。 【解決手段】走査電磁石50,60が発生する磁場の方
向および強度にかかわらず、荷電粒子ビーム中心が常に
散乱体20の中心を通過するように、4極電磁石1〜5
および偏向電磁石6〜8の磁場を制御する。
ケを低減し、荷電粒子ビームの照射装置を小型化する。 【解決手段】走査電磁石50,60が発生する磁場の方
向および強度にかかわらず、荷電粒子ビーム中心が常に
散乱体20の中心を通過するように、4極電磁石1〜5
および偏向電磁石6〜8の磁場を制御する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は照射対象に荷電粒子
を照射する荷電粒子照射装置に関する。荷電粒子照射装
置は、癌の治療,食品の殺菌,植物の品種改良,機械構
造物の非破壊検査などに応用される。
を照射する荷電粒子照射装置に関する。荷電粒子照射装
置は、癌の治療,食品の殺菌,植物の品種改良,機械構
造物の非破壊検査などに応用される。
【0002】
【従来の技術】従来の荷電粒子照射装置においては、線
量分布が一様な広い照射領域を得るために、荷電粒子ビ
ームを散乱体等で拡大していた。例えば、癌を陽子・重
粒子等により治療するためには、陽子の場合、最大で2
30MeV程度のエネルギーのビームを直径20cm程度
まで拡大する必要がある。そして、拡大された荷電粒子
ビームをコリメータで照射対象である患部の形状に成形
して、患部への照射を行う。
量分布が一様な広い照射領域を得るために、荷電粒子ビ
ームを散乱体等で拡大していた。例えば、癌を陽子・重
粒子等により治療するためには、陽子の場合、最大で2
30MeV程度のエネルギーのビームを直径20cm程度
まで拡大する必要がある。そして、拡大された荷電粒子
ビームをコリメータで照射対象である患部の形状に成形
して、患部への照射を行う。
【0003】実開平1−5870 号公報は、2台の偏向磁石
で荷電粒子ビームを走査するウォブラー法を用い、2台
の偏向磁石の上流又は下流に置かれた散乱体に荷電粒子
ビームを通過させて拡大することを記載する。
で荷電粒子ビームを走査するウォブラー法を用い、2台
の偏向磁石の上流又は下流に置かれた散乱体に荷電粒子
ビームを通過させて拡大することを記載する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術では、2台の偏向電磁石がともに照射装置内部に配置
されているために照射装置が大型になる問題があった。
照射装置が大型化すると回転ガントリーの回転半径が大
きくなり、装置全体が大型化し建設コストが増加する問
題がある。
術では、2台の偏向電磁石がともに照射装置内部に配置
されているために照射装置が大型になる問題があった。
照射装置が大型化すると回転ガントリーの回転半径が大
きくなり、装置全体が大型化し建設コストが増加する問
題がある。
【0005】一方、ウォブラー法を用いる場合、ウォブ
ラー用偏向電磁石の焦点と散乱体の位置との距離が大き
いほど、コリメータで成形された荷電粒子ビームの形状
の半影ぼけが大きくなる。
ラー用偏向電磁石の焦点と散乱体の位置との距離が大き
いほど、コリメータで成形された荷電粒子ビームの形状
の半影ぼけが大きくなる。
【0006】本発明の目的は、半影ボケを抑制し、荷電
粒子ビームの照射装置を小型化することにある。
粒子ビームの照射装置を小型化することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の特徴は、荷電粒子ビームが、走査磁石が発生する磁
場の強度によらず、散乱体中のほぼ同じ通過点を通過す
ることにある。
明の特徴は、荷電粒子ビームが、走査磁石が発生する磁
場の強度によらず、散乱体中のほぼ同じ通過点を通過す
ることにある。
【0008】この特徴によれば、以下の作用が生じる。
走査磁石によって走査された荷電粒子ビームは、走査磁
石が発生する磁場の強度によらず、1点の通過点を通過
するので、この通過点は走査磁石が作る焦点位置とみな
せる。この焦点位置が散乱体付近にあるので、焦点位置
と散乱体の位置との距離が小さく、走査磁石に起因する
半影ぼけを低減することができる。焦点位置と散乱体の
位置との距離が小さいほど半影ぼけが少なくなり、焦点
位置が散乱体中にあればさらに半影ぼけが少なく、散乱
体の厚みの中心にあれば、半影ぼけは最少となる。従っ
て、精密なターゲット形状の荷電粒子ビームを照射でき
る。
走査磁石によって走査された荷電粒子ビームは、走査磁
石が発生する磁場の強度によらず、1点の通過点を通過
するので、この通過点は走査磁石が作る焦点位置とみな
せる。この焦点位置が散乱体付近にあるので、焦点位置
と散乱体の位置との距離が小さく、走査磁石に起因する
半影ぼけを低減することができる。焦点位置と散乱体の
位置との距離が小さいほど半影ぼけが少なくなり、焦点
位置が散乱体中にあればさらに半影ぼけが少なく、散乱
体の厚みの中心にあれば、半影ぼけは最少となる。従っ
て、精密なターゲット形状の荷電粒子ビームを照射でき
る。
【0009】また、このとき、走査磁石を荷電粒子ビー
ム装置の上流側に設置すれば、荷電粒子ビーム装置を小
型化できる。
ム装置の上流側に設置すれば、荷電粒子ビーム装置を小
型化できる。
【0010】また、散乱体よりも上流に設置された走査
磁石における荷電粒子ビームのベータトロン振動の位相
と、体散乱体における荷電粒子ビームのベータトロン振
動の位相との差がほぼ180度またはほぼ180度の整
数倍であれば、散乱体における荷電粒子ビームの中心は
ベータトロン振動の節にあるので、走電磁石の磁場の強
度によらず、散乱体中のほぼ同じ通過点を通過するか
ら、半影ぼけを低減することができる。
磁石における荷電粒子ビームのベータトロン振動の位相
と、体散乱体における荷電粒子ビームのベータトロン振
動の位相との差がほぼ180度またはほぼ180度の整
数倍であれば、散乱体における荷電粒子ビームの中心は
ベータトロン振動の節にあるので、走電磁石の磁場の強
度によらず、散乱体中のほぼ同じ通過点を通過するか
ら、半影ぼけを低減することができる。
【0011】また、本発明の他の特徴は、同じ方向に荷
電粒子ビームを走査する2つの走査磁石のほぼ中間点に
配置したことにある。2つの走査電磁石を荷電粒子ビー
ムの進行方向に並べて配置することにより、2つの走査
電磁石の中間点に偏向の焦点ができる。2つの走査磁石
が作る偏向の焦点の位置に散乱体を設置すれば、荷電粒
子ビームは常に散乱体の同じ通過点を通過する。このと
き、2つの走査磁石が発生する磁場の強度によらず、荷
電粒子ビームは散乱体中のほぼ同じ通過点を通過するか
ら、半影ぼけを低減することができる。
電粒子ビームを走査する2つの走査磁石のほぼ中間点に
配置したことにある。2つの走査電磁石を荷電粒子ビー
ムの進行方向に並べて配置することにより、2つの走査
電磁石の中間点に偏向の焦点ができる。2つの走査磁石
が作る偏向の焦点の位置に散乱体を設置すれば、荷電粒
子ビームは常に散乱体の同じ通過点を通過する。このと
き、2つの走査磁石が発生する磁場の強度によらず、荷
電粒子ビームは散乱体中のほぼ同じ通過点を通過するか
ら、半影ぼけを低減することができる。
【0012】本発明の他の特徴は、動き検出器が照射対
象の動きを検出し、制御装置が検出された照射対象の動
きに基づいて荷電粒子ビームの荷電粒子照射装置への供
給と停止を制御することにある。この特徴によれば、照
射対象が動く場合でも、半影ぼけを抑えることができ、
精密なターゲット形状の荷電粒子ビームを、ターゲット
の動きにあわせて照射できる。
象の動きを検出し、制御装置が検出された照射対象の動
きに基づいて荷電粒子ビームの荷電粒子照射装置への供
給と停止を制御することにある。この特徴によれば、照
射対象が動く場合でも、半影ぼけを抑えることができ、
精密なターゲット形状の荷電粒子ビームを、ターゲット
の動きにあわせて照射できる。
【0013】本発明の他の特徴は、ボーラスが荷電粒子
ビームの最大飛程をターゲットの下部の形状に合わせ、
飛程調整装置が荷電粒子ビームのエネルギーを変えて飛
程を調整し、多葉コリメータが荷電粒子ビームの形状を
可変に成形することにある。この特徴によれば、ターゲ
ットが複雑な立体である場合にも、半影ぼけを極めて小
さく抑えて、ターゲットの形状の変化に合わせた精密な
形状の荷電粒子ビームをターゲット全体に照射できる。
ビームの最大飛程をターゲットの下部の形状に合わせ、
飛程調整装置が荷電粒子ビームのエネルギーを変えて飛
程を調整し、多葉コリメータが荷電粒子ビームの形状を
可変に成形することにある。この特徴によれば、ターゲ
ットが複雑な立体である場合にも、半影ぼけを極めて小
さく抑えて、ターゲットの形状の変化に合わせた精密な
形状の荷電粒子ビームをターゲット全体に照射できる。
【0014】
(実施例1)本発明の第1の実施例である荷電粒子照射
装置を図1に示す。本実施例の荷電粒子照射装置は、患
者用ベッド70の回りを回転する回転型照射装置であ
る。
装置を図1に示す。本実施例の荷電粒子照射装置は、患
者用ベッド70の回りを回転する回転型照射装置であ
る。
【0015】加速器などから供給された荷電粒子ビーム
9は、4極電磁石1〜5および偏向電磁石6〜8で偏向
電磁石8の下流に設置された照射ノズル100まで輸送
される。偏向電磁石6〜8は荷電粒子ビームを同じ面内
(xz面)で偏向する。以降、偏向電磁石6〜8が荷電
粒子ビームを偏向する面を偏向電磁石の偏向面と呼ぶ。
9は、4極電磁石1〜5および偏向電磁石6〜8で偏向
電磁石8の下流に設置された照射ノズル100まで輸送
される。偏向電磁石6〜8は荷電粒子ビームを同じ面内
(xz面)で偏向する。以降、偏向電磁石6〜8が荷電
粒子ビームを偏向する面を偏向電磁石の偏向面と呼ぶ。
【0016】4極電磁石3と4極電磁石4の間には、荷
電粒子ビームを走査するための走査電磁石50を設置す
る。偏向電磁石6の上流側に走査電磁石60を設置す
る。走査電磁石50は、偏向磁石の偏向面内(xz面)
ビームを走査するために、偏向磁石の偏向面と垂直な方
向(y方向)の磁場を発生する。走査電磁石60は、偏
向磁石の偏向面と垂直な方向(y方向)にビームを走査
するために、偏向面と平行でかつ走査電磁石50が発生
する磁場と垂直な(z方向)の磁場を発生する。各電磁
石に接続される電源を図2に示す。4極電磁石1〜5に
はそれぞれ、4極電磁石用の電源11〜15が接続され
ている。偏向電磁石6〜8にはそれぞれ、偏向電磁石用
の電源16〜18が接続されている。走査電磁石50,
60には、それぞれの電源51,61が接続されてい
る。電源11〜18,電源51および電源61は、制御
装置10からの信号に基づいて、各4極電磁石1〜5,
各偏向電磁石6〜8,走査電磁石50および60にそれ
ぞれ電流を供給し、磁場を発生させる。
電粒子ビームを走査するための走査電磁石50を設置す
る。偏向電磁石6の上流側に走査電磁石60を設置す
る。走査電磁石50は、偏向磁石の偏向面内(xz面)
ビームを走査するために、偏向磁石の偏向面と垂直な方
向(y方向)の磁場を発生する。走査電磁石60は、偏
向磁石の偏向面と垂直な方向(y方向)にビームを走査
するために、偏向面と平行でかつ走査電磁石50が発生
する磁場と垂直な(z方向)の磁場を発生する。各電磁
石に接続される電源を図2に示す。4極電磁石1〜5に
はそれぞれ、4極電磁石用の電源11〜15が接続され
ている。偏向電磁石6〜8にはそれぞれ、偏向電磁石用
の電源16〜18が接続されている。走査電磁石50,
60には、それぞれの電源51,61が接続されてい
る。電源11〜18,電源51および電源61は、制御
装置10からの信号に基づいて、各4極電磁石1〜5,
各偏向電磁石6〜8,走査電磁石50および60にそれ
ぞれ電流を供給し、磁場を発生させる。
【0017】照射ノズル100には、荷電粒子ビームの
位置を検出するビーム位置モニター30,照射領域を拡
大するために荷電粒子ビームを散乱させる散乱体20、
および荷電粒子ビームの形状モニター40を設置する。
ビーム位置モニター30は散乱体20の上流に、形状モ
ニター40は散乱体20の下流に設置される。
位置を検出するビーム位置モニター30,照射領域を拡
大するために荷電粒子ビームを散乱させる散乱体20、
および荷電粒子ビームの形状モニター40を設置する。
ビーム位置モニター30は散乱体20の上流に、形状モ
ニター40は散乱体20の下流に設置される。
【0018】散乱体20はターンテーブル21上に設置
されている。ターンテーブル21には、散乱の程度が異
なる複数の散乱体20が備えられており、制御装置10
からの信号に基づいて、ターンテーブル駆動装置22が
操作され、散乱体を取り替えることができる。
されている。ターンテーブル21には、散乱の程度が異
なる複数の散乱体20が備えられており、制御装置10
からの信号に基づいて、ターンテーブル駆動装置22が
操作され、散乱体を取り替えることができる。
【0019】各4極電磁石1〜5,各偏向電磁石6〜
8,走査電磁石50,60,ビーム位置モニター30、
および散乱体20を通過する荷電粒子ビームの中心の位
置について説明する。
8,走査電磁石50,60,ビーム位置モニター30、
および散乱体20を通過する荷電粒子ビームの中心の位
置について説明する。
【0020】図3、偏向電磁石の偏向面すなわちxz面
における荷電粒子ビームの中心の位置を示す。
における荷電粒子ビームの中心の位置を示す。
【0021】走査電磁石50が偏向電磁石の偏向面に垂
直な方向すなわちy方向の磁場を発生すると、走査電磁
石50の下流では、荷電粒子ビームはベータトロン振動
しながら進んでいく。従って、xz面における荷電粒子
ビームの軌道勾配が変化する。
直な方向すなわちy方向の磁場を発生すると、走査電磁
石50の下流では、荷電粒子ビームはベータトロン振動
しながら進んでいく。従って、xz面における荷電粒子
ビームの軌道勾配が変化する。
【0022】本実施例では、制御装置10で、走査電磁
石50の下流に配置された4極電磁石4,5および偏向
電磁石7,8の電源14,15および電源17,18を
制御して、荷電粒子ビームの中心が散乱体20のほぼ中
心を通るようにする。電源14,15および電源17,
18の制御は、あらかじめの計算しておいた各電磁石の
励磁量と荷電粒子ビームの中心の位置の関係に基づいて
行う。また、ビーム位置モニター30で荷電粒子ビーム
の中心の位置を測定し、測定された位置に基づいて電源
11〜18を制御するようにしてもよい。
石50の下流に配置された4極電磁石4,5および偏向
電磁石7,8の電源14,15および電源17,18を
制御して、荷電粒子ビームの中心が散乱体20のほぼ中
心を通るようにする。電源14,15および電源17,
18の制御は、あらかじめの計算しておいた各電磁石の
励磁量と荷電粒子ビームの中心の位置の関係に基づいて
行う。また、ビーム位置モニター30で荷電粒子ビーム
の中心の位置を測定し、測定された位置に基づいて電源
11〜18を制御するようにしてもよい。
【0023】荷電粒子ビームの中心が散乱体20のほぼ
中心を通るので、走査電磁石50と散乱体20との間の
荷電粒子ビームのベータトロン振動の位相差は、ほぼ1
80度またはその整数倍である。4極電磁石4,5およ
び偏向電磁石7,8が発生する磁場によって、荷電粒子
ビームの中心が散乱体20のほぼ中心を通るように維持
されていれば、走査電磁石50と散乱体20は、荷電粒
子ビームのベータトロン振動の“節”に位置する。した
がって、走査電磁石50が発生する磁場の方向および強
度にかかわらず、荷電粒子ビーム中心は常に散乱体20
の中心を通過する。
中心を通るので、走査電磁石50と散乱体20との間の
荷電粒子ビームのベータトロン振動の位相差は、ほぼ1
80度またはその整数倍である。4極電磁石4,5およ
び偏向電磁石7,8が発生する磁場によって、荷電粒子
ビームの中心が散乱体20のほぼ中心を通るように維持
されていれば、走査電磁石50と散乱体20は、荷電粒
子ビームのベータトロン振動の“節”に位置する。した
がって、走査電磁石50が発生する磁場の方向および強
度にかかわらず、荷電粒子ビーム中心は常に散乱体20
の中心を通過する。
【0024】図4、偏向電磁石の偏向面と垂直な面すな
わちxy面における荷電粒子ビームの中心の位置を示
す。
わちxy面における荷電粒子ビームの中心の位置を示
す。
【0025】走査電磁石60が偏向面と平行でかつ走査
電磁石50が発生する磁場と垂直な磁場を発生すると、
走査電磁石60の下流では、荷電粒子ビームは偏向面に
垂直にベータトロン振動しながら進んでいく。
電磁石50が発生する磁場と垂直な磁場を発生すると、
走査電磁石60の下流では、荷電粒子ビームは偏向面に
垂直にベータトロン振動しながら進んでいく。
【0026】上述した偏向電磁石の偏向面の場合と同様
に、走査電磁石60が発生する磁場の方向および強度に
かかわらず、荷電粒子ビーム中心が常に散乱体20の中
心を通過するように、4極電磁石1〜5および偏向電磁
石6〜8の磁場を制御する。患者位置でのビーム走査の
方向は、荷電粒子ビーム走査用電磁石と患者位置の間の
ベータトロン振動の位相差できまる。本実施例では、走
査電磁石50と60の散乱体20の間のベータトロン振
動の位相差がともに180度で、散乱体20を通過する
荷電粒子ビームは、直線的に患者位置に到達するので、
患者位置での走査方向は、走査電磁石50および60で
荷電粒子ビームの軌道勾配を変化させる方向とは逆にな
る。
に、走査電磁石60が発生する磁場の方向および強度に
かかわらず、荷電粒子ビーム中心が常に散乱体20の中
心を通過するように、4極電磁石1〜5および偏向電磁
石6〜8の磁場を制御する。患者位置でのビーム走査の
方向は、荷電粒子ビーム走査用電磁石と患者位置の間の
ベータトロン振動の位相差できまる。本実施例では、走
査電磁石50と60の散乱体20の間のベータトロン振
動の位相差がともに180度で、散乱体20を通過する
荷電粒子ビームは、直線的に患者位置に到達するので、
患者位置での走査方向は、走査電磁石50および60で
荷電粒子ビームの軌道勾配を変化させる方向とは逆にな
る。
【0027】本実施例では、走査電磁石50と60のコ
イルには、ほぼ90度の位相差の正弦波の電流を供給す
るように電源51,61を制御する。電流の振幅は、そ
れぞれの走査電磁石による散乱体20における荷電粒子
ビームの軌道勾配の最大値が、ともに等しくなるように
する。このような電流を走査電磁石50と60に供給す
ると、患者位置では荷電粒子ビームの中心が円弧を描
く。
イルには、ほぼ90度の位相差の正弦波の電流を供給す
るように電源51,61を制御する。電流の振幅は、そ
れぞれの走査電磁石による散乱体20における荷電粒子
ビームの軌道勾配の最大値が、ともに等しくなるように
する。このような電流を走査電磁石50と60に供給す
ると、患者位置では荷電粒子ビームの中心が円弧を描
く。
【0028】電源51,61の制御は、あらかじめの計
算しておいた各電磁石の励磁量と荷電粒子ビームの中心
が描く形状の関係に基づいて行う。また、ビーム形状モ
ニター40で荷電粒子ビームの中心が描く形状を測定
し、測定された形状に基づいて電源11〜18を制御す
るようにしてもよい。
算しておいた各電磁石の励磁量と荷電粒子ビームの中心
が描く形状の関係に基づいて行う。また、ビーム形状モ
ニター40で荷電粒子ビームの中心が描く形状を測定
し、測定された形状に基づいて電源11〜18を制御す
るようにしてもよい。
【0029】次に、本実施例の荷電粒子照射装置で照射
される荷電粒子ビームの強度分布について、図5用いて
説明する。
される荷電粒子ビームの強度分布について、図5用いて
説明する。
【0030】散乱体20を通過した荷電粒子ビームの強
度はガウス分布となる。
度はガウス分布となる。
【0031】走査電磁石50,60で荷電粒子ビームを
円形に走査すると、荷電粒子ビームの中心が描く円の内
側領域の大部分で荷電粒子ビームの強度が一様になる。
この照射強度が一様な領域から、患部形状に合わせた領
域をコリメータ90で切り取り、患部に照射する。コリ
メータ90は、治療照射過程で照射範囲を変化させるこ
とができる多葉コリメータでも良い。
円形に走査すると、荷電粒子ビームの中心が描く円の内
側領域の大部分で荷電粒子ビームの強度が一様になる。
この照射強度が一様な領域から、患部形状に合わせた領
域をコリメータ90で切り取り、患部に照射する。コリ
メータ90は、治療照射過程で照射範囲を変化させるこ
とができる多葉コリメータでも良い。
【0032】荷電粒子ビームが散乱体20を通過すると
きに荷電粒子ビームの位置が動くと、コリメータ90で
強度が一様な荷電粒子ビームを患部形状に切り取って
も、患部形状の境界において、照射線量は急峻に減少し
ないで半影ボケが生じる。
きに荷電粒子ビームの位置が動くと、コリメータ90で
強度が一様な荷電粒子ビームを患部形状に切り取って
も、患部形状の境界において、照射線量は急峻に減少し
ないで半影ボケが生じる。
【0033】しかし、本実施例では、荷電粒子ビームが
散乱体20を通過する位置は一定であるので、荷電粒子
ビームの強度の分布は患部形状の境界においてステップ
状に減少し、半影ボケを低減することができる。
散乱体20を通過する位置は一定であるので、荷電粒子
ビームの強度の分布は患部形状の境界においてステップ
状に減少し、半影ボケを低減することができる。
【0034】また、ビーム走査用電磁石を荷電粒子ビー
ム装置の上流側に設置するため、荷電粒子ビーム装置を
小型化できる。
ム装置の上流側に設置するため、荷電粒子ビーム装置を
小型化できる。
【0035】患部の大きさによっては、広い照射野が必
要である。照射範囲を広くするためには、散乱体の厚さ
を増加させる等により散乱を大きくし、ビーム走査電磁
石の電流を増加させる。本実施例では荷電粒子ビーム走
査用に電磁石を用いているが、永久磁石を回転させて回
転磁界を作ってもよい。
要である。照射範囲を広くするためには、散乱体の厚さ
を増加させる等により散乱を大きくし、ビーム走査電磁
石の電流を増加させる。本実施例では荷電粒子ビーム走
査用に電磁石を用いているが、永久磁石を回転させて回
転磁界を作ってもよい。
【0036】また、図6のように偏向電磁石を偏向電磁
石6,7の2台で構成し、走査電磁石50を偏向電磁石
7の上流側に置いてもよい。
石6,7の2台で構成し、走査電磁石50を偏向電磁石
7の上流側に置いてもよい。
【0037】以上は、荷電粒子ビームを円形に走査する
場合について説明したが、ビームを直線的に走査する場
合、およびビームを静止して照射し、ビーム照射停止中
に照射位置を変更してさらに照射する場合でも同様の効
果が得られる。
場合について説明したが、ビームを直線的に走査する場
合、およびビームを静止して照射し、ビーム照射停止中
に照射位置を変更してさらに照射する場合でも同様の効
果が得られる。
【0038】(実施例2)次に、本発明の第2の実施例
である荷電粒子照射装置を図7に示す。第1の実施例で
は走査電磁石60を偏向電磁石6の上流側に設置した
が、本実施例では、照射ノズル100内の散乱体20の
下流側に設置した。第1の実施例と同様に、走査電磁石
60には制御装置10で制御される電源61を接続する
(図2を参照)。
である荷電粒子照射装置を図7に示す。第1の実施例で
は走査電磁石60を偏向電磁石6の上流側に設置した
が、本実施例では、照射ノズル100内の散乱体20の
下流側に設置した。第1の実施例と同様に、走査電磁石
60には制御装置10で制御される電源61を接続する
(図2を参照)。
【0039】本実施例によれば、偏向電磁石の偏向面と
平行については、第1の実施例と同様に、走査電磁石5
0が発生する磁場の方向および強度にかかわらず、荷電
粒子ビーム中心は常に散乱体20の中心を通過するの
で、半影ぼけを低減することができる。また、制御装置
10が、荷電粒子ビームの中心が散乱体20のほぼ中心
を通るように、4極電磁石4,5及び偏向電磁石7,8
の電源14,15,17および18を制御することは、
第1の実施例と同じである。しかし、本実施例において
は、走査電磁石60と散乱体20との間のベータトロン
振動の位相差を考慮しなくてよいので、第1の実施例に
比べて制御が簡単になる。
平行については、第1の実施例と同様に、走査電磁石5
0が発生する磁場の方向および強度にかかわらず、荷電
粒子ビーム中心は常に散乱体20の中心を通過するの
で、半影ぼけを低減することができる。また、制御装置
10が、荷電粒子ビームの中心が散乱体20のほぼ中心
を通るように、4極電磁石4,5及び偏向電磁石7,8
の電源14,15,17および18を制御することは、
第1の実施例と同じである。しかし、本実施例において
は、走査電磁石60と散乱体20との間のベータトロン
振動の位相差を考慮しなくてよいので、第1の実施例に
比べて制御が簡単になる。
【0040】(実施例3)本発明の第3の実施例である
荷電粒子照射装置を図8に示す。本実施例では、第1の
実施例の荷電粒子照射装置に、患者の呼吸を検出する呼
吸センサー71と、検出された患者の呼吸に基づいて呼
吸パターンを求め、荷電粒子ビームの荷電粒子照射装置
への供給と停止を制御する制御装置72を用いる。
荷電粒子照射装置を図8に示す。本実施例では、第1の
実施例の荷電粒子照射装置に、患者の呼吸を検出する呼
吸センサー71と、検出された患者の呼吸に基づいて呼
吸パターンを求め、荷電粒子ビームの荷電粒子照射装置
への供給と停止を制御する制御装置72を用いる。
【0041】患者が呼吸すると、患部は呼吸に合わせて
動く。本実施例の荷電粒子照射装置は、制御装置72の
制御によって、患者が吸気した時、または吐気した時な
どの患部が静止しているときに照射を行う。したがっ
て、呼吸に合わせターゲットが動く場合でも、半影ぼけ
を極めて小さく抑え、ターゲットに精密なターゲット形
状の荷電粒子ビームを照射できる。
動く。本実施例の荷電粒子照射装置は、制御装置72の
制御によって、患者が吸気した時、または吐気した時な
どの患部が静止しているときに照射を行う。したがっ
て、呼吸に合わせターゲットが動く場合でも、半影ぼけ
を極めて小さく抑え、ターゲットに精密なターゲット形
状の荷電粒子ビームを照射できる。
【0042】本実施例では、患者の呼吸に同期して荷電
粒子ビームを照射する場合を説明したが、呼吸以外にも
脈拍に同期することが可能である。ターゲットが動く場
合に、その動きを検出する手段を用いれば、動きに応じ
て照射のON,OFFを制御できる。
粒子ビームを照射する場合を説明したが、呼吸以外にも
脈拍に同期することが可能である。ターゲットが動く場
合に、その動きを検出する手段を用いれば、動きに応じ
て照射のON,OFFを制御できる。
【0043】(実施例4)本発明の第4実施例である荷
電粒子照射装置を図9に示す。本実施例では、第1の実
施例の荷電粒子照射装置に、患部の下部の形状に合わせ
て荷電粒子ビームの飛程を調整する患者ボーラス80、
および、荷電粒子ビームのエネルギーと飛程を変化させ
る飛程調整装置81を用いる。また、第1の実施例で用
いたコリメータの代わりに、荷電粒子ビームを切り取る
形状を変えることができる多葉コリメータ91を用い
る。ふつう患部は立体であり、深さ方向にも形状が異な
る。
電粒子照射装置を図9に示す。本実施例では、第1の実
施例の荷電粒子照射装置に、患部の下部の形状に合わせ
て荷電粒子ビームの飛程を調整する患者ボーラス80、
および、荷電粒子ビームのエネルギーと飛程を変化させ
る飛程調整装置81を用いる。また、第1の実施例で用
いたコリメータの代わりに、荷電粒子ビームを切り取る
形状を変えることができる多葉コリメータ91を用い
る。ふつう患部は立体であり、深さ方向にも形状が異な
る。
【0044】荷電粒子ビームを深さ方向に走査するとき
に、形状の変化に合わせて多葉コリメータ91が荷電粒
子ビームを切り取る形状を変える。従って、複雑な立体
であるターゲットにも、多葉コリメータ91の形状を変
えて、半影ぼけを極めて小さく抑えて、ターゲット全体
に精密なターゲット形状の荷電粒子ビームを照射でき
る。
に、形状の変化に合わせて多葉コリメータ91が荷電粒
子ビームを切り取る形状を変える。従って、複雑な立体
であるターゲットにも、多葉コリメータ91の形状を変
えて、半影ぼけを極めて小さく抑えて、ターゲット全体
に精密なターゲット形状の荷電粒子ビームを照射でき
る。
【0045】(実施例5)本発明の第5の実施例である
荷電粒子照射を図10に示す。本実施例では、偏62の
2台を用いる。第1の実施例では偏向磁石の偏向面に垂
直な方向に走査する走査電磁石60を偏向電磁石6の上
流側に設置したが、本実施例では、走査電磁石60,6
2を照射ノズル100内に設置する。走査電磁石60は
散乱体20の上流側に、走査電磁石62を下流側に設置
する。走査電磁石60,62には第1の実施例と同様に
電源61を接続する。
荷電粒子照射を図10に示す。本実施例では、偏62の
2台を用いる。第1の実施例では偏向磁石の偏向面に垂
直な方向に走査する走査電磁石60を偏向電磁石6の上
流側に設置したが、本実施例では、走査電磁石60,6
2を照射ノズル100内に設置する。走査電磁石60は
散乱体20の上流側に、走査電磁石62を下流側に設置
する。走査電磁石60,62には第1の実施例と同様に
電源61を接続する。
【0046】2つの走査電磁石60,62の偏向の焦点
は各走査電磁石のほぼ中心にある。2つの走査電磁石6
0,62を並べて配置することにより、2つの走査電磁
石60,62の間の中央の距離に偏向の焦点ができる。
2つの走査電磁石60,62が作る偏向の焦点の位置に
散乱体20を設置すれば、荷電粒子ビームの中心は常に
散乱体20の中心を通過する。したがって、走査電磁石
50,60および62が発生する磁場の方向および強度
にかかわらず、荷電粒子ビーム中心は常に散乱体20の
中心を通過するので、第1の実施例と同様に、半影ぼけ
を低減することができる。
は各走査電磁石のほぼ中心にある。2つの走査電磁石6
0,62を並べて配置することにより、2つの走査電磁
石60,62の間の中央の距離に偏向の焦点ができる。
2つの走査電磁石60,62が作る偏向の焦点の位置に
散乱体20を設置すれば、荷電粒子ビームの中心は常に
散乱体20の中心を通過する。したがって、走査電磁石
50,60および62が発生する磁場の方向および強度
にかかわらず、荷電粒子ビーム中心は常に散乱体20の
中心を通過するので、第1の実施例と同様に、半影ぼけ
を低減することができる。
【0047】また、本実施例において、制御装置10
が、荷電粒子ビームの中心が散乱体20のほぼ中心を通
るように、4極電磁石4,5及び偏向電磁石7,8の電
源14,15と電源17,18を制御することは、第1
の実施例と同じである。しかし、本実施例においては、
走査電磁石60,62と散乱体20との間のベータトロ
ン振動の位相差を考慮しなくてよいので、第1の記実施
例に比べて制御が簡単になる。
が、荷電粒子ビームの中心が散乱体20のほぼ中心を通
るように、4極電磁石4,5及び偏向電磁石7,8の電
源14,15と電源17,18を制御することは、第1
の実施例と同じである。しかし、本実施例においては、
走査電磁石60,62と散乱体20との間のベータトロ
ン振動の位相差を考慮しなくてよいので、第1の記実施
例に比べて制御が簡単になる。
【0048】
【発明の効果】本発明によれば、荷電粒子ビームが、磁
場の強度によらず、散乱体付近のほぼ同じ通過点を通過
することにより、走査磁石が作る焦点位置と散乱体の位
置との距離が小さく、走査磁石に起因する半影ぼけを低
減することができ、精密なターゲット形状の荷電粒子ビ
ームを照射できる。
場の強度によらず、散乱体付近のほぼ同じ通過点を通過
することにより、走査磁石が作る焦点位置と散乱体の位
置との距離が小さく、走査磁石に起因する半影ぼけを低
減することができ、精密なターゲット形状の荷電粒子ビ
ームを照射できる。
【0049】また、このとき、走査用磁石を荷電粒子ビ
ーム装置の上流側に設置すれば、荷電粒子ビーム装置を
小型化できる。
ーム装置の上流側に設置すれば、荷電粒子ビーム装置を
小型化できる。
【0050】また、動き検出器がターゲットの動きを検
出し、制御装置が検出されたターゲットの動きに基づい
て荷電粒子ビームの荷電粒子照射装置への供給と停止を
制御することにより、ターゲットが動く場合でも、半影
ぼけを抑えることができ、精密なターゲット形状の荷電
粒子ビームを、ターゲットの動きにあわせて照射でき
る。
出し、制御装置が検出されたターゲットの動きに基づい
て荷電粒子ビームの荷電粒子照射装置への供給と停止を
制御することにより、ターゲットが動く場合でも、半影
ぼけを抑えることができ、精密なターゲット形状の荷電
粒子ビームを、ターゲットの動きにあわせて照射でき
る。
【0051】また、ボーラスが荷電粒子ビームの飛程を
ターゲットの下部形状に合わせ、飛程調整装置が荷電粒
子ビームのエネルギーを変えて飛程を調整し、多葉コリ
メータが荷電粒子ビームを可変に成形することにより、
ターゲットが複雑な立体である場合にも、半影ぼけを極
めて小さく抑えて、ターゲットの形状の変化に合わせた
精密な形状の荷電粒子ビームをターゲット全体に照射で
きる。
ターゲットの下部形状に合わせ、飛程調整装置が荷電粒
子ビームのエネルギーを変えて飛程を調整し、多葉コリ
メータが荷電粒子ビームを可変に成形することにより、
ターゲットが複雑な立体である場合にも、半影ぼけを極
めて小さく抑えて、ターゲットの形状の変化に合わせた
精密な形状の荷電粒子ビームをターゲット全体に照射で
きる。
【図1】本発明の第1の実施例の荷電粒子照射装置を示
す図である。
す図である。
【図2】第1の実施例の荷電粒子照射装置における各電
磁石に接続される電源と制御装置を示す図である。
磁石に接続される電源と制御装置を示す図である。
【図3】第1の実施例の荷電粒子照射装置におけるxz
面のビーム中心の位置を説明する図である。
面のビーム中心の位置を説明する図である。
【図4】第1の実施例の荷電粒子照射装置におけるxy
面のビーム中心の位置を説明する図である。
面のビーム中心の位置を説明する図である。
【図5】第1の実施例の荷電粒子照射装置におけるビー
ム強度分布を示す図。
ム強度分布を示す図。
【図6】第1の実施例の他の荷電粒子照射装置の例を示
す図である。
す図である。
【図7】本発明の第2の実施例の荷電粒子照射装置を示
す図である。
す図である。
【図8】本発明の第3の実施例の荷電粒子照射装置を示
す図。
す図。
【図9】本発明の第4の実施例の荷電粒子照射装置を示
す図である。
す図である。
【図10】本発明の第5の実施例の荷電粒子照射装置を
示す図。
示す図。
1,2,3,4,5…4極電磁石、6,7,8…偏向電
磁石、9…荷電粒子ビーム、10…制御装置、11〜1
8…電源、20…散乱体、21…ターンテーブル、22
…ターンテーブル駆動装置、30…ビーム位置モニタ
ー,40…ビーム形状モニター,50,60,62…走
査電磁石、51,61…電源、70…患者ベッド、71
…呼吸センサー、72…制御装置、80…患者ボーラ
ス、81…飛程調整装置、90…コリメータ、91…多
葉コリメータ、100…照射ノズル。
磁石、9…荷電粒子ビーム、10…制御装置、11〜1
8…電源、20…散乱体、21…ターンテーブル、22
…ターンテーブル駆動装置、30…ビーム位置モニタ
ー,40…ビーム形状モニター,50,60,62…走
査電磁石、51,61…電源、70…患者ベッド、71
…呼吸センサー、72…制御装置、80…患者ボーラ
ス、81…飛程調整装置、90…コリメータ、91…多
葉コリメータ、100…照射ノズル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 乗峯 哲朗 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (10)
- 【請求項1】荷電粒子ビームを走査する走査磁石、およ
び、前記荷電粒子ビームを散乱する散乱体と、前記散乱
体で散乱された前記荷電粒子ビームを照射対象の形状に
形成するコリメータとを備え、前記コリメータで成形さ
れた荷電粒子ビームを前記照射対象に照射する荷電粒子
照射装置において、前記荷電粒子ビームが、前記走査磁
石が発生する磁場の強度によらず、前記散乱体中のほぼ
同じ通過点を通過することを特徴とする荷電粒子照射装
置。 - 【請求項2】4極電磁石,荷電粒子ビームを走査する走
査磁石、および、前記荷電粒子ビームを散乱する散乱体
と、前記散乱体で散乱された前記荷電粒子ビームを照射
対象の形状に形成するコリメータとを備え、前記コリメ
ータで成形された荷電粒子ビームを前記照射対象に照射
する荷電粒子照射装置において、 前記荷電粒子ビームが、前記走査磁石が発生する磁場の
強度によらず、前記散乱体中のほぼ同じ通過点を通過す
るように、前記4極電磁石の励磁量を制御する制御装置
を備えることを特徴とする荷電粒子照射装置。 - 【請求項3】荷電粒子ビームを走査する走査磁石、およ
び、前記走査磁石によって走査された前記荷電粒子ビー
ムを散乱する散乱体と、前記散乱体で散乱された前記荷
電粒子ビームを照射対象の形状に形成するコリメータと
を備え、前記コリメータで成形された荷電粒子ビームを
前記照射対象に照射する荷電粒子照射装置において、 前記走査磁石における前記荷電粒子ビームのベータトロ
ン振動の位相と、前記散乱体における前記荷電粒子ビー
ムのベータトロン振動の位相との差がほぼ180度または
ほぼ180度の整数倍であることを特徴とする荷電粒子
照射装置。 - 【請求項4】4極電磁石,荷電粒子ビームを走査する走
査磁石、および、前記走査磁石によって走査された前記
荷電粒子ビームを散乱する散乱体と、前記散乱体で散乱
された前記荷電粒子ビームを照射対象の形状に形成する
コリメータとを備え、前記コリメータで成形された荷電
粒子ビームを前記照射対象に照射する荷電粒子照射装置
において、 前記走査磁石における前記荷電粒子ビームのベータトロ
ン振動の位相と、前記散乱体における前記荷電粒子ビー
ムのベータトロン振動の位相との差がほぼ180度または
ほぼ180度の整数倍になるように、前記4極電磁石の
励磁量を制御する制御装置を備えることを特徴とする荷
電粒子照射装置。 - 【請求項5】荷電粒子ビームを走査する複数の走査磁
石、および、前記荷電粒子ビームを散乱する散乱体と、
前記散乱体で散乱された前記荷電粒子ビームを照射対象
の形状に形成するコリメータとを備え、前記コリメータ
で成形された荷電粒子ビームを前記照射対象に照射する
荷電粒子照射装置において、 前記散乱体は、前記複数の走査磁石のうち、同じ方向に
荷電粒子ビームを走査する2つの走査磁石のほぼ中間点
に配置されたことを特徴とする荷電粒子照射装置。 - 【請求項6】4極電磁石と、荷電粒子を加速する加速器
から供給された荷電粒子ビームを前記荷電粒子ビームの
進行方向に垂直な方向に走査する2つの走査磁石と、前
記荷電粒子ビームを散乱する散乱体と、前記散乱体で散
乱された前記荷電粒子ビームを照射対象の形状に形成す
るコリメータとを備え、前記コリメータで成形された荷
電粒子ビームを前記照射対象に照射する荷電粒子照射装
置において、 前記2つの走査磁石は、前記荷電粒子ビームを走査する
方向が互いに垂直であり、前記2つの走査磁石のうち少
なくとも1つが前記散乱体の上流に設置され、前記散乱
体の上流に設置された走査磁石における前記荷電粒子ビ
ームのベータトロン振動の位相と、前記散乱体における
前記荷電粒子ビームのベータトロン振動の位相との差が
ほぼ180度またはほぼ180度の整数倍になるよう
に、前記4極電磁石の励磁量を制御する制御装置を備え
ることを特徴とする荷電粒子照射装置。 - 【請求項7】前記照射対象の動きを検出する動き検出器
と、検出された前記ターゲットの動きに基づいて、前記
加速器からの前記荷電粒子ビームの供給と停止を制御す
る供給制御装置とを備えることを特徴とする請求項6の
荷電粒子照射装置。 - 【請求項8】前記荷電粒子ビームの最大飛程を前記照射
対象の下部の形状に合わせるボーラスと、前記荷電粒子
のエネルギーを変えて前記荷電粒子ビームの飛程を調整
する否定調整装置を有し、前記コリメータは散乱された
前記荷電粒子ビームの形状を可変に成形する多葉コリメ
ータであることを特徴とする請求項6の荷電粒子照射装
置。 - 【請求項9】4極電磁石,荷電粒子ビームを走査する走
査磁石、および、前記荷電粒子ビームを散乱する散乱体
と、前記散乱体で散乱された前記荷電粒子ビームを照射
対象の形状に形成するコリメータとを備え、前記コリメ
ータで成形された荷電粒子ビームを前記照射対象に照射
する荷電粒子照射装置の運転方法において、 前記荷電粒子ビームが、前記走査磁石が発生する磁場の
強度によらず、前記散乱体中のほぼ同じ通過点を通過す
るように、前記4極電磁石の励磁量を制御することを特
徴とする荷電粒子照射装置の運転方法。 - 【請求項10】4極電磁石,荷電粒子ビームを走査する
走査磁石、および、前記荷電粒子ビームを散乱する散乱
体と、前記散乱体で散乱された前記荷電粒子ビームを照
射対象の形状に形成するコリメータとを備え、前記コリ
メータで成形された荷電粒子ビームを前記照射対象に照
射する荷電粒子照射装置の運転方法において、 前記走査磁石における前記荷電粒子ビームのベータトロ
ン振動の位相と、前記散乱体における前記荷電粒子ビー
ムのベータトロン振動の位相との差がほぼ180度または
ほぼ180度の整数倍になるように、前記4極電磁石の
励磁量を制御することを特徴とする荷電粒子照射装置の
運転方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23211197A JP3178381B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-08-28 | 荷電粒子照射装置 |
| EP98101645A EP0858080A1 (en) | 1997-02-07 | 1998-01-30 | Charged particle irradiation apparatus and operating method thereof |
| EP01115220A EP1152436A3 (en) | 1997-02-07 | 1998-01-30 | Charged particle irradiation apparatus and operating method thereof |
| US09/018,317 US5986274A (en) | 1997-02-07 | 1998-02-03 | Charged particle irradiation apparatus and an operating method thereof |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-24738 | 1997-02-07 | ||
| JP2473897 | 1997-02-07 | ||
| JP23211197A JP3178381B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-08-28 | 荷電粒子照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10282300A true JPH10282300A (ja) | 1998-10-23 |
| JP3178381B2 JP3178381B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=26362306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23211197A Expired - Fee Related JP3178381B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-08-28 | 荷電粒子照射装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5986274A (ja) |
| EP (2) | EP1152436A3 (ja) |
| JP (1) | JP3178381B2 (ja) |
Cited By (8)
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| JP2002541464A (ja) * | 1999-04-01 | 2002-12-03 | ジー エス アイ ゲゼルシャフト フュア シュベールイオーネンフォルシュンク エム ベー ハー | イオン光学システムを有するガントリ |
| JP2012000232A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 粒子線治療装置および粒子線治療装置の調整方法 |
| CN103079641A (zh) * | 2010-08-20 | 2013-05-01 | 三菱电机株式会社 | 粒子射线照射装置及粒子射线治疗装置 |
| WO2013129194A1 (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | 株式会社 日立製作所 | 小型・軽量ガントリおよびこれを用いた粒子線治療装置 |
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| JP2017086171A (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-25 | 株式会社東芝 | 粒子線照射装置および粒子線照射方法 |
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| JP2024526940A (ja) * | 2021-07-21 | 2024-07-19 | ナショナル キャンサー センター | 対象体の病変を治療するための治療ビームを変換する変換装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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