JPH10282440A - 光走査装置及び電子写真記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】小型で高精度のマルチポイント露光が可能な光
走査装置を実現する。 【解決手段】発光波長が異なる複数の半導体レーザチッ
プを並べて設置したマルチチップ半導体レーザ光源１０
１を使用し、この光源から出力される複合レーザ光を１
つの走査光学系１００で偏向した後に波長に応じて分離
して感光体ドラム１１０〜１１３に振り分けてマルチポ
イント露光を実行することにより、小型化と高精度化を
実現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光走査装置及び電
子写真記録装置に係り、特に、複数種類のレーザ光を偏
向走査するのに好適な小型で高精度の光走査装置とこの
光走査装置を使用した電子写真記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子写真記録装置のカラー化が進
んでおり、多色現像が必要になってきている。このため
に、マルチポイント（異なる複数の感光体）を同時に露
光（一次元光走査）することが必要になっている。これ
を実現するための手段として、レーザ光源と光走査光学
系の複数のセットを使用する光走査装置や複数のレーザ
光源で単一の走査光学系を共用する光走査装置が提案さ
れている。

【０００３】このような光走査装置は、カラーディスプ
レイやスキャナの光源としても使用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
光源と光走査光学系の複数のセットを使用するように構
成する光走査装置は、各セットを並置することになるこ
とから、装置が大型化する問題がある。また、複数のレ
ーザ光源を１つの走査光学系で走査処理する構成の光走
査装置は、装置の小型化は実現するものの、光軸のズレ
等により走査精度が悪くなる問題点がある。

【０００５】本発明の１つの目的は、小型で光走査精度
が高い光走査装置を提供することにある。

【０００６】本発明の他の目的は、小型で高精細（高解
像度）画像を記録することができるの電子写真記録装置
を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ光源か
ら出力された複数のレーザ光を纏めて偏向する偏向手段
を備えた光走査装置及び該光走査装置を備えた電子写真
記録装置において、前記レーザ光源には互いに異なった
波長のレーザ光を発生する複数の半導体レーザチップを
並べて設置し、前記偏向手段によって偏向されたレーザ
光を波長毎に分離して複数の走査位置に差し向ける分離
手段を設けたことを特徴とする。

【０００８】異なった波長の複数の半導体レーザチップ
は、光軸を一致させて単一の走査光学系で偏向走査する
構成とすることで、高精度の光走査を可能にする。ま
た、異なった波長の走査光を分離することで、マルチポ
イント露光を可能にする。

【０００９】異なった波長の複合レーザ光を偏光する偏
光手段と偏光に応じてレーザ光を分離する偏光分離手段
を設け、偏光に応じてレーザ光を分離して異なる露光位
置に差し向けることにより、１つの半導体レーザチップ
から出力されるレーザ光を２か所に差し向けて独立に走
査することを可能にする。

【００１０】また、各半導体レーザチップは、対環境特
性が安定なGaN系半導体レーザチップとすることによ
り、制御系の簡素化を実現する。

【００１１】

【発明の実施の形態】最近のフルカラープリンタは、Ｙ
ＭＣＫ(Yellow,Magenta,Cyan,blacK)の４種類（４色）
の現像剤を用い、各色毎に作成した潜像を各色の現像剤
で現像してトナー像を作って合成する構成であるため
に、使用するカラー数に合わせて、４か所で露光して潜
像を作成することが必要である。

【００１２】図１は、本発明になる光走査装置を使用し
た電子写真記録装置の第１の実施形態の基本構成を示す
斜視図である。この電子写真記録装置は、回転する光導
電性の４本の感光体ドラムの表面に対してそれぞれ各色
の記録情報に従って帯電，露光，現像を行って各感光体
ドラムの表面に対応色のトナー像を形成し、これらのト
ナー像を記録媒体である記録紙に重ねるように転写した
後に定着してフルカラー画像を記録し、トナー像を転写
した後の感光体ドラムは清掃して再使用する構成であ
る。帯電，現像，転写，定着，清掃については、従来の
装置と同様に構成するので、詳細な図示説明は省略す
る。

【００１３】走査光学系１００において、GaN系マルチ
チップ半導体レーザ光源１０１は、４種類の波長のレー
ザ光を含んだ複合レーザ光を出力する。この半導体レー
ザ光源１０１から出力された複合レーザ光は、コリメー
トレンズ１０２により概略平行の複合レーザ光にする。
シリンドリカルレンズ１０３は、コリメートレンズ１０
２によって概略平行状態にされた複合レーザ光を副走査
方向のみポリゴンミラー１０４の反射面に集光するよう
に照射する。駆動モータに駆動されて高速回転状態にあ
るポリゴンミラー１０４は、照射された複合レーザ光を
反射面の角度の変化によって偏向走査する。ポリゴンミ
ラー１０４で偏向走査された複合レーザ光は、Ｆθレン
ズ１０５を通過させた後に、レーザ光源１０１が出力す
る複合レーザ光の波長に合わせたダイクロイックミラー
（−１〜−４）１０６，１０７，１０８，１０９により
分光して４本の単一レーザ光とする。分光された４本の
単一レーザ光は、４か所の露光位置にある感光体ドラム
（−１〜−４）１１０，１１１，１１２，１１３上にそ
れぞれ結像してスポットを形成する。このスポットは、
ポリゴンミラー１０４により偏向される複合レーザ光の
偏向走査に従って各感光体ドラム１１０〜１１３の表面
をそれぞれ軸方向に移動（走査）する。

【００１４】ビームディテクタ（ＢＤ）センサ（−１〜
−４）１１４，１１５，１１６，１１７は、ポリゴンミ
ラー１０４による各偏向走査における各走査ラインでの
画像信号の書き出しタイミングの同期を得るために設置
される。このＢＤセンサ１１４〜１１７の位置をレーザ
光が通過することによって該ＢＤセンサ１１４〜１１７
から出力されるＢＤセンサ信号（−１〜−４）１１８，
１１９，１２０，１２１は、光学系制御部１０００に入
力する。

【００１５】光学系制御部１０００は、レーザ制御信号
１２３によってGaN系マルチチップ半導体レーザ光源１
０１の発光を制御する。このレーザ制御信号１２３は、
光学系制御部１０００が発生するレーザ駆動電流と、Ga
N系マルチチップ半導体レーザ光源１０１が発生する発
光量モニタ信号を含む。また、この光学系制御部１００
０は、画像関連信号１２２でプリンタ中央制御部１００
４と連係し、上位の情報処理装置からの指示に応じた印
字制御を実行する。

【００１６】このような構成の光走査装置は、半導体レ
ーザ光源１０１から出力される複合レーザ光の光軸が一
致しているために、高精度の光走査を実現することがで
きる。また、複数のレーザ光源が１つの走査光学系を共
用しているために、装置の小型化を実現することができ
る。なお、半導体レーザ光源１０１の内部構成について
は後述する。

【００１７】図２は、本発明になる光走査装置の第２の
実施形態の基本構成を示す斜視図である。この実施の形
態は、図１に示した光走査装置に対して、走査露光（書
き出し）開始位置をメカニカルに高精度に初期設定する
ことができる場合に有効である。この実施の形態は、１
つのビームディテクタ（ＢＤ）センサ２０１によるＢＤ
センサ信号２０２を使用して４か所の露光位置での位置
精度を合わせるように構成したところに特徴がある。そ
の他の構成は、図１に示した実施の形態と同様である。

【００１８】このような構成を採用することができれ
ば、より一層の小型化と簡易な制御を実現することがで
きる。

【００１９】ここで、半導体レーザ光源１０１としてGa
N系半導体レーザを用いる理由を説明する。GaN系半導体
レーザは、III−V族系の媒質を用いたものである。この
III−V族系半導体レーザは、Ga，In，Al等のIII族元素
の少なくとも一種類とN，P，As，Sb等のV族元素の少な
くとも一種類を使用して組成され、これに必要に応じて
II族のMg，Zn，Cd等を不純物としてドープしたものであ
る。

【００２０】III−V族系の媒質は、対環境性で安定して
いる特徴がある。そのために、第１の利点として、GaN
系半導体レーザの対環境安定性を利用して駆動制御回路
を簡略化することにより低価格化を狙うことができる。
第２の利点として、GaN系半導体レーザの優位な特徴と
して、バンドギャップを調整することにより、発光波長
を自由に設定することができる点を挙げることができ
る。具体的には、GaN半導体レーザにおけるＧａＮのバ
ンドギャップエネルギは3.4eVであるが、InN（バンドギ
ャップ＝2.0eV）やAlN（同6.3eV）との混晶を作ること
でバンドギャップエネルギを2.0eVから6.3eV程度の範囲
で変えることができる。これにより、紫外線から緑色ま
での広い範囲の光を発生することができ、光走査に用い
るレンズの色収差とダイクロックミラーによる波長分離
性能に鑑みて、最適な設計を可能にする。第３の利点と
して、近年の高解像度化の流れに対して、GaN系半導体
レーザの発光は短波長であるために、スポットを小さく
して高解像度化を図る目的に適合している。

【００２１】また、走査光学系を考えた場合、レンズの
色収差によるスポットの結像位置のずれは、大きな問題
となる。この問題に関しても、GaN系半導体レーザは、
近接した発光波長の複数のレーザチップを作成して正確
に実装することが可能であり、対環境特性安定性も含め
て、このシステムには好適である。

【００２２】この色収差の対策に関しては、色収差を完
全になくするようにレンズ系を設計する手法があるが、
各色の使われ方や人間の目の視感度に鑑みて、これまで
のレンズ系と同程度の設計により多少の色収差（スポッ
トのボケ）を見込んだものとすることも考えられる。具
体的には、文字等に使用される黒色はできる限り高い解
像度が要求されるが、文字以外に使用されることが多
く、目の視感度が弱い黄色等はスポットが若干ボケるよ
うにしても良い。

【００２３】図３は、本発明になる光走査装置及び電子
写真記録装置に使用するGaN系マルチチップ半導体レー
ザ光源１０１における１つのGaN系半導体レーザチップ
３００の第１の実施形態を示す縦断側面図である。GaN
系マルチチップ半導体レーザ光源１０１は、レーザパッ
ケージの中に発光波長の異なる複数（４個）のGaN系半
導体レーザチップ３００を内蔵する構成である。以下、
１つのGaN系半導体レーザチップ３００の構成例を説明
するが、実際の使用時には、同じ様な製法で作られた複
数のレーザチップがレーザパッケージ内に実装されこと
になる。

【００２４】以下、１つのGaN系半導体レーザチップ３
００を詳細に説明する。基板３１３にはＣ面サファイア
基板を使用し、その上に、GaNバッファ層３０１，n−Ga
Nコンタクト層３０２，n−InGaNクッラク防止層３０
３，n−AlGaNクラッド層３０４，n−GaNガイド層３０
５，InGaN多重量子井戸構造（MQW）発光層３０６，p−A
lGaN内部クッラド層３０７，p−GaNガイド層３０８，p
−AlGaNクラッド層３０９，p−GaNコンタクト層３１０
を形成している。サファイア基板３１３は絶縁体である
ので、n−電極３１２は、前記各層をn−GaNコンタクト
層３０２までエッチングして該n−GaNコンタクト層３０
２の露出した上面に設けている。

【００２５】Ｃ面サファイア基板３１３は劈開性がない
ために、従来のGaAlAs系半導体レーザなどで使用してき
た劈開面をレーザの共振器面とすることができない。そ
こで、前記エピタキシャル層を上部からドライエッチン
グして共振器面を形成した。

【００２６】電流注入電極（p−電極３１１）はp−GaN
コンタクト層３１０に設け、グランドコンタクト電極
（n−電極３１２）は前述したようにn−GaNコンタクト
層３０２に設けている。

【００２７】なお、複数個のGaN系半導体レーザチップ
３００を平行に高精度に並べて設置するためには、各Ga
N系半導体レーザチップ３００に合わせマークを付して
おけば良い。

【００２８】このような構成によれば、半導体レーザの
安定した発光が得られると共に発光波長も短波長化が可
能であり、一層の高速，高画質の印刷が可能となる。

【００２９】図４及び図５は、GaN系マルチチップ半導
体レーザ光源１０１における１つのGaN系半導体レーザ
チップ４００の第２の実施の形態を示す平面図と縦断側
面図である。

【００３０】この実施の形態は、n−SiC基板４０１上
に、n−Al_0.2Ga_0.8Nクラッド層４０２，多重量子井戸活
性層４０３，p−Al_0.2Ga_0.8Nクラッド層４０４，p−GaN
コンタクト層４０５を順次結晶成長させた構成である。
多重量子井戸活性層４０３は、７層のAl_0.1Ga_0.7In_0.2N
ウエル層(2nm)と８層のAl_0.3Ga_0.7Nバリア層(2nm)を交
互に積層して構成している。n−SiC基板４０１の表面に
は硼素打ち込みにより厚さ約0.5μmのp−SiC層４０６を
設け、半導体レーザの導波路を形成するためにストライ
プ状の領域４０９（図４参照）を、幅約3μm，深さ1μm
の溝４０７により形成した。このような段差を持つ基板
上に結晶成長を行うと、活性層４０３にも段差（図５参
照）が形成され、これが光導波構造となる。このような
段差を利用した光導波路構造は、AlGaAs系やAlGaInP系
などの他の材料系では信頼性に問題を起こすが、１平方
cm当たり10⁷個以下の欠陥密度であれば十分な信頼性が
得られるGaN系結晶においては、この構造で充分に高信
頼度の半導体レーザを得ることができる。

【００３１】p−GaNコンタクト層４０５の表面にはAuを
主成分とするP−電極４１０を形成し、SiC基板４０１は
機械的研磨及び化学エッチングにより約100μmの厚さに
整形し、該SiC基板４０１側にもAuを主成分とするn−電
極４１１を形成した。

【００３２】なお、n−電極４１１の表面には、実装時
の位置合わせのための突起４１１ａ，４１１ｂを形成す
る。実装面に突起を形成する場合には、このn−電極４
１１には位置合わせ穴を形成する。また、この位置合わ
せのための突起は、ｐ−電極４１０を実装面に取り付け
るレーザチップでは、このｐ−電極４１０の表面に形成
するようにする。

【００３３】このようなGaN系半導体レーザチップ４０
０を作製するために、複数個分の大きさの半導体ウエハ
として構成し、ダイアモンドスクライバで結晶に傷を付
けて劈開誘導溝を形成し、これを用いて約600μm間隔
（幅）でバー状に劈開した。劈開位置の誤差は約1μmで
あった。

【００３４】このような構成のGaN系半導体レーザチッ
プ４００によれば、半導体レーザの安定した発光が得ら
れると共に発光波長の短波長化も可能であり、一層の高
速，高画質の印刷が可能である。また、n−SiC基板４０
１を用いているために劈開が可能となり、ドライエッチ
ングを行うことなく共振器面を形成することが可能とな
ることから、第１の実施形態に比べて製造が簡易にな
る。

【００３５】図６及び図７は、本発明になるGaN系マル
チチップ半導体レーザ光源１０１における１つのGaN系
半導体レーザチップ６００の第３の実施形態を示す平面
図及び縦断側面図である。

【００３６】この実施の形態は、n−SiC基板４０１の上
に、n−Al_0.2Ga_0.8Nクラッド層４０２，多重量子井戸活
性層４０３，p−Al_0.2Ga_0.8Nクラッド層４０４，p−GaN
コンタクト層４０５を順次結晶成長させた構成である。
多重量子井戸活性層４０３は、５層のGa_0.7In_0.3Nウエ
ル層４０５と６層のAl_0.5Ga_0.5In_0.5Nバリア層４０６を
交互に積層して形成している。n−SiC基板４０１の表面
には、半導体レーザの導波路を形成する2〜3μmの幅の
ストライプ状の領域４０９に対応させて、幅約3μm，高
さ1μmのリッジ７０１を形成している。リッジ部以外の
領域には硼素イオン打ち込みにより導電型をp型に反転
させたp−SiC層４０６が形成されている。ウエハの表面
には、Auを主成分とする電極４１０を形成し、機械的研
磨及び化学エッチングによりSiC基板４０１を約100μm
にエッチングして該SiC基板側にもAuを主成分とする電
極４１１を形成した。このような半導体ウエハを600μm
の間隔（幅）で劈開してレーザチップとした。

【００３７】このような構成のGaN系半導体レーザチッ
プ６００によれば、半導体レーザの安した定発光が得ら
れると共に短発光波長化が可能となり、一層の高速，高
画質の印刷が可能となる。また、n−SiC基板を用いてい
るために劈開が可能となり、ドライエッチングを行うこ
となしに共振器面の形成が可能となることから、第１の
実施形態における構造に比べて製造が簡易になる。

【００３８】図８は、本発明になる光走査装置及び電子
写真記録装置におけるGaN系マルチチップ半導体レーザ
光源１０１のパッケージングの第１の実施形態を示す透
視斜視図である。この実施形態は、図４，図５に示すよ
うな半導体レーザチップ４００及び図６，図７に示すよ
うな半導体レーザチップ６００を実装する例である。

【００３９】GaN系マルチチップ半導体レーザ光源１０
１は、４か所での露光に使用する４種類のレーザ光を発
生するために、発光波長の異なる４つのGaN系半導体レ
ーザチップ（−１〜−４）８０１〜８０４を、半導体レ
ーザパッケージ８２２のグランドコンタクトを兼ねた支
柱８２４に平行に取り付けてGaN系半導体レーザチップ
アレイ８００を構成する。各半導体レーザチップ８０１
〜８０４の平行度は前述した突起４１１ａ，４１１ｂと
支柱８２４に形成した位置合わせ穴の嵌合により確保す
るようにする。この突起と穴を使用する位置合わせ手法
は、正確な位置決めに有力であるが、突起と穴の加工に
手間がかかる難点があるので、支柱５２３に印刷したマ
ークと半導体レーザチップ８０１〜８０４のストライプ
部を光学的透過手法で位置合わせしながら取り付ける簡
易な手法も有効である。また、半導体レーザパッケージ
８２２内には、各半導体レーザチップ８０１〜８０４の
発光パワーを検出するためのモニタセンサとして４つの
フォトダイオード（PD）(−１〜−４)８０９〜８１２を
前記各半導体レーザチップ８０１〜８０４にバンドパス
フィルタ(−１〜−４)８０４〜８０５を介在させて対向
するように取り付け、更に、外部の電極として、この半
導体レーザパッケージ８２２を貫通するように、電極ピ
ン（−１〜−４）８１７〜８２０，PDモニタピン（−１
〜−４）８１３〜８１６，グランドピン８２１をガラス
溶着する。これらの各ピンと半導体レーザチップ８０１
〜８０４の電流注入電極，半導体レーザパッケージ８２
２の支柱８２４，フォトダイオード８０９〜８１２はワ
イヤボンディングにより接続し、外部からの電流注入に
よる発光制御及びレーザパワーのモニタリングを行うこ
とができるようにする。半導体レーザパッケージ８２２
は、グランドコモン電極する。最終的に、金属キャップ
を乾燥窒素ガス中でリングウェルド，シームウェルド，
レーザウェルド法等により取り付けて気密封じする。各
半導体レーザチップ８０１〜８０４で発生したレーザ光
の出口には、例えば低融点ガラス封じされた無反射コー
トガラス８２３を設ける。

【００４０】GaN系半導体レーザチップアレイ８００を
構成する各半導体レーザチップ８０１〜８０４の発光量
をリアルタイムで並列にモニタリングして制御しようと
する場合には、図８に示すパッケージングのように、各
半導体レーザチップ８０１〜８０４の発光波長を若干異
ならせて製作（レーザチップ８０１：発光波長λ1，レ
ーザチップ８０２：発光波長λ2，レーザチップ８０
３：発光波長λ3，レーザチップ８０４：発光波長λ4）
して配置し、各半導体レーザチップ８０１〜８０４とこ
れに対応する４つのフォトダイオード８０９〜８１２の
間に介在させた前記発光波長に対応するバンドパスフィ
ルタ（バンドパスフィルタ８０５：フィルタ波長λ1，
バンドパスフィルタ８０６：フィルタ波長λ2，バンド
パスフィルタ８０７：フィルタ波長λ3，バンドパスフ
ィルタ８０８：フィルタ波長λ4）を付けることによ
り、各半導体レーザチップ８０１〜８０４を同時に発光
させて各フォトダイオード８０９〜８１２による個別の
光量フィードバック制御が可能になる。

【００４１】このような構成の半導体レーザ光源１０１
は、このGaN系半導体レーザチップアレイ８００を４原
色の発光源として応用するディスプレイ，スキャナ等に
も有効である。

【００４２】図９は、本発明になる光走査装置における
GaN系マルチチップ半導体レーザ光源１０１のパッケー
ジングの第２の実施の形態である。この実施形態は、Ga
N系半導体レーザチップアレイ８００の対環境安定性を
積極的に利用して制御回路を簡略化するための構成であ
り、実装する半導体レーザチップは、図４，図５に示す
ような半導体レーザチップ４００及び図６，図７に示す
ような半導体レーザチップ６００の例である。

【００４３】この実施形態では、通常の１チップレーザ
パッケージに対して、カソード部がチップ数量分（電極
ピン８１７〜８２０）だけ増え、モニタ部（フォトダイ
オード９０１，PDモニタピン９０２）は１つで共用する
構成をとっている。すなわち、この実施の形態における
GaN系マルチチップ半導体レーザ光源１０１は、４つのG
aN系半導体レーザチップ８０１〜８０４と１つのフォト
ダイオード（PD）９０１を使用して構成される。

【００４４】プリンタの電源投入立ち上げ時に、各半導
体レーザチップ８０１〜８０４の光量を設定する各制御
処理をシリアルに実行しておけば、通常の印字中は、問
題にならない程度の光量変動で動作を継続させることが
できる。これにより同じ機能を持った複数の制御回路を
設ける必要がなくなり、制御回路が簡略化して低価格化
が可能となる。

【００４５】更に正確な光量制御が必要な場合には、各
印刷ページ間で光量設定制御処理を行う手法や各印刷ラ
イン毎に制御の対象とする半導体レーザチップを切り替
えて光量制御を実行する手法により、１つの制御回路を
共用して４つの半導体レーザチップ８０１〜８０４を安
定に動作させる制御を実現することができる。

【００４６】図８及び図９に示したようなパッケージン
グにおいて、図３に示したようにGaN系半導体レーザチ
ップ３００を実装する場合には、各GaN系半導体レーザ
チップ３００は位置合わせマークを使用してサファイア
基板３１３の底面で支柱８２４に付着するすることにな
る。従って、このGaN系半導体レーザチップ３００のｎ
−電極３１２から支柱８２４へのグランドボンディング
を行うことが必要になる。放熱に関しては、サファイア
基板３１３及び雰囲気中への放熱で実用上の問題はな
い。

【００４７】因に、前述したように図４〜図７に示した
ようなGaN系半導体レーザチップ４００，６００を実装
する場合には、これらのGaN系半導体レーザチップ４０
０，６００は、n−SiC基板４０１の下面に形成したn-電
極４１１で支柱８２４に付着することにより直接的にグ
ランド接地する。放熱に関してもn-SiC基板４０１及び
雰囲気中への放熱で実用上の問題はない。

【００４８】図１０は、本発明になる電子写真記録装置
における前記光学系制御部１０００の第１の実施形態を
示すブロック図である。この光学系制御部１０００の回
路構成は、４つの半導体レーザチップに対応して４つの
制御系を並設したものであり、光源としては図８に示し
たようなパッケージングのGaN系マルチチップ半導体レ
ーザ光源１０１に対応している。

【００４９】レーザ駆動電流生成部（−１〜−４）１０
０５，１００６，１００７，１００８は、それぞれ、図
８に示したGaN系マルチチップ半導体レーザ光源１０１
における電極ピン（−１〜−４）８１７，８１８，８１
９，８２０と接続され、また、レーザ駆動電流フィード
バック制御部（−１〜−４）１０１３，１０１４，１０
１５，１０１６は、PDモニタピン（−１〜−４）８１
３，８１４，８１５，８１６に接続される。

【００５０】同期信号・クロック生成部１００１は、Ｂ
Ｄセンサ（−１〜−４）１１４〜１１７からのＢＤセン
サ信号（−１〜−４）１１８，１１９，１２０，１２１
を入力して、ライン同期信号（−１〜−４）１０２５，
１０２６，１０２７，１０２８及び画像同期クロック
（−１〜−４）１０２１，１０２２，１０２３，１０２
４を発生する。このときの基準となる基本クロックとし
ては、基本クロック発生部１００２から出力される基本
クロック１００３を使用する。なお、生成したライン同
期信号（−１〜−４）１０２５〜１０２８と画像同期ク
ロック（−１〜−４）１０２１〜１０２４はプリンタ中
央制御部１００４に送り、この光学系制御部１０００と
プリンタ中央制御部１００４の間の画像信号（−１〜−
４）１０２９，１０３０，１０３１，１０３２の転送タ
イミングの制御と、この光学系制御部１０００内のレー
ザ駆動電流生成部（−１〜−４）１００５〜１００８の
動作タイミングの制御に使用する。

【００５１】GaN系マルチチップ半導体レーザ光源１０
１の各半導体レーザチップ（−１〜−４）８０１〜８０
４は、レーザ駆動電流生成部（−１〜−４）１００５７
〜１００８で生成するレーザ駆動電流（−１〜−４）１
０３７，１０３８，１０３９，１０４０により駆動す
る。

【００５２】初期駆動電流設定部（−１〜−４）１００
９，１０１０，１０１１，１０１２は、プリント時に、
先ず、GaN系半導体レーザチップアレイ８００の各半導
体レーザチップ（−１〜−４）８０１〜８０４の初期発
光量を設定する目的で、プリンタ中央制御部１００４か
ら供給される初期設定光量信号（−１〜−４）１０１
７，１０１８，１０１９，１０２０を入力する。そして
各初期駆動電流設定部（−１〜−４）１００９〜１０１
２は、入力した初期設定光量信号の値に基づいた初期設
定電流信号（−１〜−４）１０３３，１０３４，１０３
５，１０３６を前記各レーザ駆動電流生成部（−１〜−
４）１００５〜１００８に供給する。その後、各半導体
レーザチップ間の特性のバラツキを吸収するために、後
述するフィードバック制御により初期光量を合わせ込む
制御を行う。

【００５３】レーザ駆動電流生成部（−１〜−４）１０
０５〜１００８は、前述した初期光量の合わせ込みと合
わせて、各GaN系半導体レーザチップ（−１〜−４）８
０１〜８０４の温度変化による動作特性の変動を保証す
るためのフィードバック制御を行う。このフィードバッ
ク制御のために、レーザ駆動電流フィードバック制御部
（−１〜−４）１０１３，１０１４，１０１５，１０１
６は、各半導体レーザチップ８０１〜８０４に対設した
フォトダイオード（−１〜−４）８０９〜８１２から出
力される発光量モニタ信号（−１〜−４）１０４１，１
０４２，１０４３，１０４４に基づいて各半導体レーザ
チップ８０１〜８０４からの出力光量を監視し、各半導
体レーザチップ８０１〜８０４の発光量が設定値となる
ように各レーザ駆動電流生成部１００５〜１００８を制
御（ＡＰＣ＝Auto Power Control）するフィードバック
制御信号（−１〜−４）１０４５，１０４６，１０４
７，１０４８を生成して該各レーザ駆動電流生成部１０
０５〜１００８に供給する。そして、各レーザ駆動電流
生成部１００５〜１００８は、このフィードバック制御
信号１０４５〜１０４８と画像信号（−１〜−４）１０
２９〜１０３２に基づいて必要な発光制御（フィードバ
ック用一定時間点灯制御と画像信号用点滅制御）を合わ
せて実行する。

【００５４】通常の制御回路では、温度変化による特性
変動をシビアに保証する必要があるために、光量制御
は、各ライン毎にフィードバック制御が必要なケースが
多い。しかし、本発明のように対環境特性に安定なGaN
系マルチチップ半導体レーザ光源１０１を用いること
で、シビアなAPC制御は不要となり、一走査内での細か
なタイミング切り替え回路等を設ける必要がなく、回路
規模を縮小し、低価格化に繋げることができる。

【００５５】図１１は、GaN系マルチチップ半導体レー
ザ光源１０１の安定した対環境特性を積極的に利用して
回路構成を簡略化した光学系制御部１０００の第２の実
施形態を示すブロック図である。この第２の実施形態
は、１つの初期駆動電流設定部１１０１と１つのレーザ
駆動電流フィードバック制御部１１０２を４つのレーザ
駆動電流生成部１００５〜１００８に共用してこれらを
時分割制御するようにしたことに特徴がある。その他の
構成は、図１０に示した第１の実施形態と同様であるの
で、重複する説明は省略する。なお、図示符号（※２）
は、プリンタ中央制御部１００４との連係系統を示して
いる。

【００５６】この実施形態における初期駆動電流設定部
１１０１は、前述した実施形態における４つの初期駆動
電流設定部１００９〜１０１２の機能を実現し、１つの
レーザ駆動電流フィードバック制御部１１０２は、同様
に、４つのレーザ駆動電流フィードバック制御部１０１
３〜１０１６の機能を実現する構成である。安定した動
作特性のGaN系マルチチップ半導体レーザ光源１０１に
おける各GaN系半導体レーザチップ８０１〜８０４で
は、リアルタイム及び並列制御の必要性がないことを利
用して、初期駆動電流設定部１１０１とレーザ駆動電流
フィードバック制御部１１０２は、レーザ駆動電流生成
部（−１〜−４）１００５〜１００８で時分割（セレク
ト使用）して利用する。初期駆動電流設定部１１０１，
レーザ駆動電流フィードバック制御部１１０２からの出
力信号である初期設定電流信号（−１〜−４）１０３
３，１０３４，１０３５，１０３６とフィードバック制
御信号（−１〜−４）１０４５，１０４６，１０４７，
１０４８は、初期駆動電流設定部１１０１，レーザ駆動
電流フィードバック制御部１１０２に４つの出力に対応
して内蔵させた出力バッファを介して出力するようにし
て、制御時にその出力値を変化させ、通常はその出力値
を保持（ラッチ）するように構成する。

【００５７】ＧａＮ系半導体レーザの対環境安定性を利
用ししてこのような構成とすることにより、回路規模を
縮小して低価格化に繋げることが可能となる。

【００５８】図１２は、図９に示したようなパッケージ
ングのGaN系マルチチップ半導体レーザ光源１０１と組
み合わせて使用するのに適するように構成した本発明に
なる光学系制御部１０００の第３の実施形態を示すブロ
ック図である。この第３の実施形態は、GaN系マルチチ
ップ半導体レーザ光源１０１の安定した対環境特性を利
用し、１つのフォトダイオード９０１からの発光量モニ
タ信号１２０４によって４つのGaN系半導体レーザチッ
プ８０１〜８０４の発光量を監視してフィードバック制
御を行うようにしたところに特徴がある。その他の構成
は、図１１に示した第２の実施形態と同様であるので、
重複する説明は省略する。

【００５９】基本的な動作は、図１１と同様である。図
１１と比較して、フォトダイオード（PD）が４個から１
個に減ったのに伴って、発光量モニタ信号（図１１にお
ける発光量モニタ信号１０４１〜１０４４），初期光量
設定信号（図１１における初期光量設定信号１０１７〜
１０２０）が、発光量モニタ信号１２０４，初期光量設
定信号１２０３に統合された構成になっている。これに
伴い、図１１を参照して説明したタイムシェアリング制
御は同じであるが、初期駆動電流設定部１２０１，レー
ザ駆動電流フィードバック制御部１２０２のインタフェ
ース部の入出力数が異なる。

【００６０】GaN系半導体レーザの環境安定性を利用し
てこのような構成とすることで、回路規模を縮小し、低
価格化に繋げることが可能となる。

【００６１】図１０〜図１２に示した光学系制御部１０
００の３つの実施形態は、図１に示すように各走査露光
部毎にビームディテクタ（BD）センサ１１４〜１１７を
設けて走査露光開始位置を検出する電子写真記録装置に
適合する構成であるが、図２に示すように１つのBDセン
サ２０１に対応する光学系制御部１０００の構成は、各
図における４つのBDセンサ，BDセンサ信号，画像同期ク
ロック，ライン同期信号が、それぞれ、１つにまとめら
れた構成となる。所期のメカニカルな精度が達成できれ
ば、より一層簡易な制御回路で構成することが可能にな
る。

【００６２】図１３は、本発明になる光走査装置を使用
した電子写真記録装置の第３の実施形態の基本構成を示
す斜視図である。図１に示した電子写真記録装置と比較
して、偏光制御を新たに用いる構成となっている。発光
波長の異なる２種類のレーザチップ（発光波長λ1，発
光波長λ2）に対して、それぞれ偏光及び光量制御を行
うことで、（２つの波長情報）×（Ｓ，Ｐ偏光情報）に
よって４か所を独立して露光する方式になっている。

【００６３】GaN系マルチチップ半導体レーザ光源１０
１は、２つの波長（発光波長λ1，発光波長λ2）のレー
ザ光を出力する。異なった波長のレーザ光源１０１は時
分割で発光制御される。このレーザ光源１０１から出力
されるレーザ光は、コリメートレンズ１０２により概略
平行レーザ光にする。その後、この平行レーザ光を偏光
スイッチ１３０１を通過させて偏光制御する。シリンド
リカルレンズ１０３は、偏光制御された平行レーザ光を
副走査方向のみポリゴンミラー１０４に集光するように
照射される。ポリゴンミラー１０４は、照射されたレー
ザ光を偏向走査さし、Ｆθレンズ１０５を通過させた後
に、レーザ光源１０１で設定された波長に合わせたダイ
クロイックミラー（−１〜２）１０６，１０７に入光さ
せて分光させる。更に、偏光ビームスプリッタ１３０
２，１３０３において偏光状態に応じて分光する。この
分光されたレーザ光は、それぞれ、４か所の露光地点で
ある感光体ドラム（−１〜４）１１０，１１１，１１
２，１１３の表面上にスポットを結像する。

【００６４】偏光に応じてレーザ光を分離する手段によ
り、異なった波長の走査光を分離する手段と合わせて、
２つの光源数の２倍の数の走査光を独立にマルチポイン
トに走査することが可能になる。最終的には、波長，偏
光に応じてレーザ光は分離される。これは、異なった波
長のレーザ光源を時分割に発光制御する手段と異なった
波長の複合レーザ光の偏光を制御する手段において、波
長による光の独立性を確保することができるためであ
る。

【００６５】このような構成は、光軸を一致させること
が容易であるために、高精度の光走査を実現することが
できる。また、複数の光源で１つの走査光学系を共用す
るために、小型化を実現することができる。更に、光学
部品点数は同じでありながら、発光源（レーザチップ）
を４個から２個に低減することができる。

【００６６】図１４は、このような偏光及び光量の制御
方法の一例を示している。

【００６７】例えば、レ−ザ光（発光波長λ1）は、S偏
光のときは感光体ドラム（−１）に向かい、P偏光のと
きには感光体ドラム（−２）に向かうものとする。例え
ば、感光体ドラム（−１）のみを露光をするときには、
レーザ光をS偏光に制御し、１つの潜像形成に必要な露
光量に相当するような発光量に制御する。同じく、感光
体ドラム（−２）のみを露光するときには、レーザ光を
P偏光に制御し、１つの潜像形成に必要な露光量に相当
するような発光量に制御する。そして、２つの感光体ド
ラム（−１，−２）を共通に露光をするときには、レー
ザ光を円偏光に制御し、１つの潜像形成に必要な露光量
の２倍に相当するような発光量に制御する。露光を必要
としない場合には、露光量を零に制御する。

【００６８】このように、レーザ光の偏光と発光量を制
御することで、２つの感光体ドラム（−１，−２）の露
光を独立に制御することができる。

【００６９】これと同様に、レ−ザ光（発光波長λ2）
は、S偏光のときには感光体ドラム（−３）に向かい、P
偏光のときには感光体ドラム（−４）に向かうものとす
る。例えば、感光体ドラム（−３）のみを露光をすると
きには、レーザ光をS偏光に制御し、１つの潜像形成に
必要な露光量に相当するような発光量に制御する。同じ
く、感光体ドラム（−４）のみを露光するときには、レ
ーザ光をP偏光に制御し、１つの潜像形成に必要な露光
量に相当するような発光量に制御する。そして、２つの
感光体ドラム（−３，−４）を露光するときには、レー
ザ光を円偏光に制御し、１つの潜像形成に必要な露光量
の２倍に相当するような発光量に制御する。露光を必要
としない場合には、露光量を零に制御する。

【００７０】このように、レーザ光の偏光と発光量を制
御することで、２つの感光体ドラム（−３，−４）の露
光を独立に制御することができる。

【００７１】この実施形態では、２波長の複合レーザ光
が偏光制御部を共用するために、同時に偏光制御を行う
ことができない。そのために、偏光制御は時分割で行う
ことが必要であるが、図に示すように、合計７通りの露
光パターンを実現することができる。

【００７２】時分割制御を行うことで、簡易な構成，制
御で４か所の独立露光を実現することができる。

【００７３】図１５は、このような偏光及び発光量制御
を実行する光学系制御部１５００の一実施形態を示すブ
ロック図である。この光学系制御部１５００は、レーザ
駆動関連に関しては、図１０〜図１２に示した光学系制
御部１０００の動作と同様である。但し、レーザ駆動電
流生成部（−１，−２）１５０１，１５０２は、図１４
に示したように、それぞれ、画像信号（−１，−２）と
画像信号（−３，−４）の入力に応じて制御される。

【００７４】偏光スイッチ１３０１は、電気光学効果を
有した材料をベースとして構成されており、電圧により
制御される。この駆動電圧は、偏光スイッチ駆動電圧生
成部１５０３で制御する。偏光スイッチ駆動電圧生成部
１５０３は、画像同期クロック（−１，−２）１０２
１，１０２２と、ライン同期信号（−１，−２）１０２
５，１０２６と、画像信号（−１〜−４）１０２９，１
０３０，１０３１，１０３２を入力し、図１４に示した
駆動電圧，発生タイミングを決定する。なお、偏光スイ
ッチ１３０１の初期状態を制定するために、プリンタ中
央制御部１００４から初期偏光設定信号１５０４が初期
駆動電圧設定部１５０５に入力され、これに応じた初期
設定電圧信号１５０６が偏光スイッチ駆動電圧生成部１
５０３に入力される。偏光スイッチ１３０１は、最終的
には、偏光スイッチ駆動電圧生成部１５０３から出力さ
れる偏光スイッチ駆動電圧１５０７により制御される。
偏光スイッチ１３０１を導波路化等することにより、低
電圧での制御が可能になる。また、レーザチップの直後
に偏光を制御するチップを直列実装することも、小型
化，低電圧駆動化の面で極めて有効である。

【００７５】図１６は、本発明になる光走査装置を使用
した電子写真記録装置の第４の実施形態の基本構成を示
す斜視図である。図１３に示した電子写真記録装置の構
成では、２つの光源が偏光スイッチ１３０１を共用して
いるために、偏光スイッチ１３０１を時分割で利用しな
ければならない問題ががあった。この実施形態は、２つ
の光源のそれぞれに専用の偏光スイッチを使用するとす
ることで前記欠点の解決を狙っている。

【００７６】GaN系半導体レーザ光源（−１）１６０１
を出た光（発光波長λ1）は、コリメートレンズ（−
１）１６０３により概略平行レーザ光にし、その後、こ
のレーザ光の偏光を制御する偏光スイッチ-1１６０５を
通過すようにする。同様に、GaN系半導体レーザ光源
（−２）１６０２を出た光（発光波長λ2）は、コリメ
ートレンズ（−２）１６０４により概略平行レーザ光に
し、その後、このレーザ光の偏光を制御する偏光スイッ
チ（−２）１６０６を通過するようにする。これらの２
つのレーザ光は、その後、それぞれの偏光状態を保った
まま光を合成する光合成部１６０７に入力させて、光軸
を合わせた１本の複合レーザ光に合成する。その後、こ
の複合レーザ光をシリンドリカルレンズ１０３により副
走査方向のみポリゴンミラー１０４に集光するように照
射する。ポリゴンミラー１０４で偏向走査された複合レ
ーザ光は、Ｆθレンズ１０５を通過した後に、レーザ光
源１６０１，１６０２で設定された波長に合わせたダイ
クロイックミラー（−１〜−２）１０６，１０７により
分光する。更に、偏光ビームスプリッタ１３０２，１３
０３において偏光状態に応じて、単一レーザ光に分光す
る。そして、分光された単一レーザ光は、それぞれ、４
か所の露光地点である感光体ドラム（−１〜−４）１１
０，１１１，１１２，１１３の表面上にスポットを結像
する。

【００７７】偏光に応じてレーザ光を分離する手段によ
り、異なった波長の走査光を分離する手段と合わせて、
２つの光源数の２倍の走査光を独立にマルチポイントに
走査することが可能になる。最終的には、レーザ光が波
長，偏光に応じて分離されて異なる露光地点に分配され
る。

【００７８】このような構成は、光軸を一致させること
が容易であるために、高精度の光走査を実現することが
できる。また、複数の光源が走査光学系を共用するため
に、小型化を実現することができる。

【００７９】図１７は、このような偏光及び光量の制御
方法の一例を示している。

【００８０】基本的な動作は、図１４を参照して説明し
た偏光及び光量制御と同様である。この例では、２波長
のレーザ光が個別の偏光制御部により個別に制御される
ために、時分割制御の必要が無くなり、２つのレーザ光
源と偏光スイッチを併用することにより、図に示すよう
に４露光の総ての発光パターンの組み合わせ、合計１６
通りの総ての露光パターンを同時に実現することができ
る。これにより、より高精度の露光制御が可能となり、
印刷画像の高画質化を実現することができる。

【００８１】図１８は、このような偏光及び発光量制御
を実行する光学系制御部１８００の一実施形態を示すブ
ロック図である。レーザ光源，偏光スイッチ駆動関連に
関しては、図１５を参照して説明した光学系制御部の動
作と同様である。但し、レーザ駆動電流生成部（−１，
−２）１５０１，１５０２は、図１７に示したように、
それぞれ、画像信号（−１，−２）１０２９，１０３０
と画像信号（−３，−４）１０３１，１０３２の入力に
応じて制御される。レーザ駆動電流生成部（−１，−
２）１５０１，１５０２は、それぞれＧａＮ系半導体レ
ーザ光源（−１，−２）１６０１,１６０２と接続され
る。

【００８２】偏光スイッチ（−１，−２）１６０５，１
６０６は、電気光学効果を有した材料をベースとして構
成されており、駆動電圧により制御される。この駆動電
圧は、偏光スイッチ駆動電圧生成部（−１，−２）１８
０１，１８０２で制御する。偏光スイッチ駆動電圧生成
部１８０１は、画像同期クロック（−１）１０２１，ラ
イン同期信号（−１）１０２５，画像信号（−１，−
２）１０２９，１０３０を入力し、偏光スイッチ駆動電
圧生成部１８０２は、画像同期クロック（−２）１０２
２ライン同期信号（−２）１０２６，画像信号（−３，
−４）１０３１，１０３２を入力し、図１７に示したよ
うな駆動電圧とその発生タイミングを決定する。なお、
偏光スイッチ（−１，−２）１６０５，１６０６の初期
状態を制定するために、プリンタ中央制御部１００４か
ら初期偏光設定信号（−１，−２）１８０３，１８０４
が初期駆動電圧設定部（−１，−２）１８０５，１８０
６に入力され、これに応じた初期設定電圧信号（−１，
−２）１８０７，１８０８が偏光スイッチ駆動電圧生成
部（−１，−２）１８０１，１８０２に入力される。偏
光スイッチ（−１，−２）１６０５，１６０６は、最終
的には、偏光スイッチ駆動電圧生成部（−１，−２）１
８０１，１８０２から出力される偏光スイッチ駆動電圧
（−１，−２）１８０９，１８１０により制御される。

【００８３】この光学系制御部１８００は、図１５に示
した光学系制御部１５００に比べて、回路負荷をほとん
ど増やさずに実現することが可能である。

【００８４】以上、フルカラーレーザプリンタとその走
査光学系に関して述べてきが、本発明はディスプレイや
スキャナ等への応用も有力である。更に、GaN系半導体
レーザ光源の近接した異波長の光源を作成できる特徴を
利用して、種々の応用展開が可能である。

【００８５】

【発明の効果】本発明は、複数か所を照射するレーザ光
の高精度の偏向走査を実行する光走査装置を実現するこ
とができる。また、複数の光源が１つの走査光学系を共
用するために、装置の小型化が可能となる。

【００８６】そして、このような光走査装置は、複数か
所で静電潜像を形成するマルチポイント露光を実行する
フルカラーの電子写真記録装置において、小型で高精細
画像記録を実現するのに好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明になる光走査装置を使用した電子写真記
録装置の第１の実施形態の基本構成を示す斜視図であ
る。

【図２】本発明になる光走査装置を使用した電子写真記
録装置の第２の実施形態の基本構成を示す斜視図であ
る。

【図３】本発明になる光走査装置及び電子写真記録装置
に使用するGaN系マルチチップ半導体レーザ光源におけ
る１つのGaN系半導体レーザチップの第１の実施形態を
示す縦断側面図である。

【図４】本発明になる光走査装置及び電子写真記録装置
に使用するGaN系マルチチップ半導体レーザ光源におけ
る１つのGaN系半導体レーザチップの第２の実施形態を
示す平面図である。

【図５】図４に示したGaN系半導体レーザチップの縦断
側面図である。

【図６】本発明になる光走査装置及び電子写真記録装置
に使用するGaN系マルチチップ半導体レーザ光源におけ
る１つのGaN系半導体レーザチップの第３の実施形態を
示す平面図である。

【図７】図６に示したGaN系半導体レーザチップの縦断
側面図である。

【図８】本発明になる光走査装置におけるGaN系マルチ
チップ半導体レーザ光源のパッケージングの第１の実施
形態を示す透視斜視図である。

【図９】本発明になる光走査装置におけるGaN系マルチ
チップ半導体レーザ光源のパッケージングの第２の実施
形態を示す透視斜視図である。

【図１０】本発明になる電子写真記録装置における光学
系制御部の第１の実施形態を示すブロック図である。

【図１１】本発明になる電子写真記録装置における光学
系制御部の第２の実施形態を示すブロック図である。

【図１２】本発明になる電子写真記録装置における光学
系制御部の第３の実施形態を示すブロック図である。

【図１３】本発明になる光走査装置を使用した電子写真
記録装置の第３の実施形態の基本構成を示す斜視図であ
る。

【図１４】図１３に示した電子写真記録装置において実
行する偏光及び光量の制御方法の一例を示すタイムチャ
ートである。

【図１５】図１３に示した電子写真記録装置における光
学系制御部の一実施形態を示すブロック図である。

【図１６】本発明になる光走査装置を使用した電子写真
記録装置の第４の実施形態の基本構成を示す斜視図であ
る。

【図１７】図１６に示した電子写真記録装置において実
行する偏光及び光量の制御方法の一例を示すタイムチャ
ートである。

【図１８】図１６に示した電子写真記録装置における光
学系制御部の一実施形態を示すブロック図である。

【符号の説明】

１００…走査光学系、１０１…GaN系マルチチップ半導
体レーザ光源、１０２…コリメートレンズ、１０３…リ
ンドリカルレンズ、１０４…ポリゴンミラー、１０５…
ｆθレンズ、１０６〜１０９…ダイクロイックミラー、
１１０〜１１３…感光体ドラム、１１４〜１１７…ビー
ムディテクタ（ＢＤ）センサ、１１８〜１２１…ＢＤセ
ンサ信号、１２２…画像関連信号。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 信也 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レーザ光源から出力された複数のレーザ光
   を纏めて偏向する偏向手段を備えた光走査装置におい
   て、 前記レーザ光源には互いに異なった波長のレーザ光を発
   生する複数の半導体レーザチップを並べて設置し、前記
   偏向手段によって偏向されたレーザ光を波長毎に分離し
   て複数の走査位置に差し向ける分離手段を設けたことを
   特徴とする光走査装置。
2. 【請求項２】請求項１において、前記複数の半導体レー
   ザチップから出力された複数のレーザ光を纏めて平行光
   にして前記偏向手段に差し向ける各レーザ光に共通のコ
   リメートレンズを設けたことを特徴とする光走査装置。
3. 【請求項３】請求項１において、前記分離手段は、前記
   レーザ光源から出力されたレーザ光をその波長に応じて
   分離して走査位置に差し向けるダイクロイックミラーを
   備えたことを特徴とする光走査装置。
4. 【請求項４】請求項１〜３の１項において、前記複数の
   半導体レーザチップは、それぞれGaN系半導体レーザチ
   ップとしたことを特徴とする光走査装置。
5. 【請求項５】レーザ光源装置から出力される複数のレー
   ザ光を纏めて偏向して複数の走査位置に差し向ける偏向
   走査手段を備えた光走査装置において、 前記レーザ光源装置は、互いに異なった波長のレーザ光
   を発生する複数の半導体レーザチップを並べて設置した
   半導体レーザチップアレイと、前記各半導体レーザチッ
   プを発光制御する発光制御手段とを備え、 前記偏向走査手段は、異なった波長の複合レーザ光の偏
   光を制御する偏光制御手段と、偏光に応じてレーザ光を
   分離する偏光分離手段と、異なった波長の走査レーザ光
   をその波長に応じて分離する波長分離手段を備えたとを
   特徴とする光走査装置。
6. 【請求項６】請求項５において、前記複数の半導体レー
   ザチップは、それぞれGaN系半導体レーザチップとした
   ことを特徴とする光走査装置。
7. 【請求項７】請求項５において、前記発光制御手段は、
   各半導体レーザチップの発光制御を時分割制御で行うこ
   とを特徴とする光走査装置。
8. 【請求項８】請求項５において、前記偏光制御手段は、
   半導体レーザ光源からのレーザ光の偏光を時分割制御で
   行うことを特徴とする光走査装置。
9. 【請求項９】レーザ光源から出力された複数のレーザ光
   を纏めて偏向して感光体に差し向ける偏向手段を備えた
   電子写真記録装置において、 前記レーザ光源には互いに異なった波長のレーザ光を発
   生する複数の半導体レーザチップを並べて設置し、前記
   偏向手段によって偏向されたレーザ光を波長毎に分離し
   て複数の感光体に差し向ける分離手段を設けたことを特
   徴とする電子写真記録装置。
10. 【請求項１０】レーザ光源装置から出力される複数のレ
    ーザ光を纏めて偏向して複数の感光体に差し向ける偏向
    走査手段を備えた電子写真記録装置において、 前記レーザ光源装置は、互いに異なった波長のレーザ光
    を発生する複数の半導体レーザチップを並べて設置した
    半導体レーザチップアレイと、前記各半導体レーザチッ
    プを発光制御する発光制御手段とを備え、 前記偏向走査手段は、異なった波長の複合レーザ光の偏
    光を制御する偏光制御手段と、偏光に応じてレーザ光を
    分離する偏光分離手段と、異なった波長の走査レーザ光
    をその波長に応じて分離する波長分離手段を備えたとを
    特徴とする電子写真記録装置。
11. 【請求項１１】請求項９または１０において、前記レー
    ザ光源は、発光波長の異なる複数のGaN系半導体レーザ
    チップを備えたことを特徴とする電子写真記録装置。