JPH10193679A

JPH10193679A - レーザ光源装置及びレーザプリンタ

Info

Publication number: JPH10193679A
Application number: JP9001309A
Authority: JP
Inventors: Seiji Maruo; 成司丸尾; Shinichi Nakatsuka; 慎一中塚
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Koki Co Ltd
Current assignee: Koki Holdings Co Ltd; Hitachi Ltd
Priority date: 1997-01-08
Filing date: 1997-01-08
Publication date: 1998-07-28

Abstract

(57)【要約】【課題】高速で高画質の印刷を安定して実現できるレー
ザプリンタを得る。【解決手段】窒化ガリウム系半導体の積層部を550nm以
下の波長で発光する積層構造としたレーザチップを使用
したレーザ光源装置により、550nm以下の波長に高い感
度を有する感光体を走査露光する。そして、露光光線の
波長と感光体の感度の波長を整合させて高速で高画質の
安定した電子写真印刷を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光源装置及
びこの光源装置を使用したレーザプリンタに関する。

【０００２】

【従来の技術】高度情報化時代の進展に伴い、印刷技術
の更なる高速化が求められている。高速印刷にはレーザ
プリンタが好適であるが、高速化を達成するためには、
次の２つの条件の整合を図る必要がある。

【０００３】第１には、光感度が高く寿命の長い感光体
を用いることでビット当たりの照射時間を短く、即ち、
露光走査を高速化すると共に感光体の交代周期を長くす
ることであり、第２には、短波長のレーザ光源を用いる
ことである。

【０００４】レーザプリンタにおいて、感光体を露光す
るレーザビームは、回転多面鏡（以下、ポリゴンミラー
と称す）の反射面に照射され、ポリゴンミラーの回転に
より偏向走査され、感光体層を形成したドラム上に同一
ビームウエスト直径（以下、スポット径と称す）を形成
するようにｆθレンズで集光される。このとき、走査速
度は、ポリゴンミラーの回転数と１回転当たりの反射面
数の積に比例する。ここで、スポット径は解像度に対応
するため、常に一定である必要がある。また、ポリゴン
ミラーの大きさと回転数は装置の仕様で限定され一定と
なる。

【０００５】従って、高速化を達成するためにはポリゴ
ンミラー１回転当たりの反射面数を多くする必要があ
る。ポリゴンミラーの大きさを一定とすると、１回転当
たりの面数を多くするためには反射面が小さくなるか
ら、ビームの直径を小さくすることが必要になる。ここ
で、スポット径は（波長）／（レンズ開口数）で求めら
れ、ビームの直径が小さくなるとレンズの開口数が小さ
くなり、スポット径が大きくなる。従って、同一のスポ
ット径を得るためにはレーザ光線を短波長化する必要が
生じる。これらのことから、高速化するためには、レー
ザ光線の短波長化が必須の条件となる。前記第１の条件
と第２の条件の整合を図るためには、比較的短波長に高
い分光感度特性を有する感光体を用いる必要がある。現
状で前記条件を満足する組み合わせとしては、400nm 近
傍の波長に分光感度特性のピークを有するセレン及びセ
レン感光体と、発振波長が442nmのHe-Cdレーザや488nm
のArレーザがあり、これらは既に製品化されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前述したHe-Cdレーザ
やArレーザのようなガスレーザ光源装置は、次のような
問題がある。

【０００７】第１に、レーザ媒質がガスであるために、
ガス抜けなどによる出力の低下があり、装置に要求され
る長時間の寿命を実現する光源が得られ難かった。

【０００８】第２に、十分な発光出力を得るためには高
電圧の電源による放電が必要で、消費電力が著しく多く
なる。

【０００９】第３に、放電が安定するまでの運転初期の
出力変動や長時間の動作ではドリフトが存在した。

【００１０】第４に、ガスチューブの容積や電源の容積
が大きく、レーザプリンタの小型化の障害となる。

【００１１】第５に、セレン及びセレン系の感光体の分
光感度のピークは、一般に、400nm近傍に存在するため
に、ガスレーザの発振波長との間のずれが大きく、ピー
クへの一致を考慮すると、数十nm 発振波長の短いレー
ザ光源装置が必要であった。

【００１２】本発明の１つの目的は、高速で高画質の印
刷を安定して実現することが可能なレーザプリンタを提
供することにある。具体的には、半導体レーザ光源装置
から放出されるレーザ光線を使用して感光体を走査露光
することにより潜像を形成する電子写真方式のレーザプ
リンタにおいて、半導体レーザ光源装置と感光体の最適
な組み合わせにより、高速で高画質の印刷を安定して実
現しようとすることにある。

【００１３】本発明の他の目的は、複数の発光部からレ
ーザ光線を安定に放出することができるレーザ光源装置
を提供することにある。具体的には、半導体レーザチッ
プアレイによる複数のレーザ光線の安定な発生を簡易な
構成の制御回路により実現できるようにしようとするこ
とにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明のレーザプリンタ
は、レーザ光源装置と、このレーザ光源装置から放出さ
れるレーザ光線により光学系を介して露光されて潜像が
形成される感光体とを備えた電子写真方式のレーザプリ
ンタにおいて、前記レーザ光源装置は、窒化ガリウム系
半導体の積層部を550nm以下の波長で発光する積層構造
としたレーザチップを使用し、前記感光体は、550nm以
下の波長に高い感度を有するものとすることにより、高
速で高画質の安定した印刷を実現する。

【００１５】本発明のレーザプリンタは、印刷情報に従
って点滅制御されるレーザ光源装置と、このレーザ光源
装置から放出されたレーザ光線を集光して回転多面鏡に
より偏向しながら感光体に照射することにより該感光体
に潜像を形成する光学系とを備えた電子写真方式のレー
ザプリンタにおいて、前記レーザ光源装置は、窒化ガリ
ウム系半導体の積層部を550nm以下の波長で発光する積
層構造としたレーザチップを使用し、前記光学系は、レ
ーザ光線を略平行光の状態にして回転多面鏡で反射させ
て偏向するようにし、前記感光体は、550nm以下の波長
に感度のピークを有するものとすることにより、高速で
高画質の安定した印刷を実現する。

【００１６】そして、前記レーザ光源装置は、窒化ガリ
ウム系半導体の積層部を550nm以下の波長で発光する積
層構造とした複数個のレーザチップを並置した状態で内
蔵し、前記光学系は、前記複数個のレーザチップから放
出されるレーザ光線を一括して偏向して前記感光体に照
射するように構成することにより、マルチ露光により更
なる高速化を可能にする。

【００１７】また、本発明のレーザ光源装置は、窒化ガ
リウム系半導体の積層部を550nm以下の波長で発光する
積層構造とした複数個のレーザチップと該複数個のレー
ザチップに共通の１つの発光量検出素子を１つのパッケ
ージに内蔵することにより、複数の発光部からレーザ光
線を安定に放出するための制御を簡易化した。

【００１８】複数個のレーザチップにそれぞれ別個の発
光量検出素子を対設することにより、各レーザチップ毎
の発光量を並行にリアルタイムで検出することができる
ようにすることもできる。

【００１９】本発明において、従来の問題点を解決する
具体的な対策は、次の通りである。第１に、長寿命化
は、レーザ媒質を含む総てのレーザ構成部品を固体化す
ることにより実現した。

【００２０】第２に、効率の向上と消費電力の著しい低
減は、レーザ媒質として、GaN系の媒質を用いることに
より、発振波長550nm以下、特に400nm近傍の半導体レー
ザ光源を実現することにより達成した。

【００２１】第３に、簡略なレーザ制御回路構成での出
力の安定化は、対環境性に安定したGaN系半導体レーザ
チップを光源とすることで達成した。

【００２２】第４に、容積の大幅な低減は、前述GaN系
半導体レーザチップを用いて小型化することで達成し
た。特に、GaN系半導体レーザチップによって得られる
短波長のレーザ光線は、偏向走査光学系の小型化を有利
にする。

【００２３】第５に、更なる高速化は、GaN系半導体レ
ーザチップは製作時に発振波長を広い範囲で容易に設定
可能であることを利用して、感光体の分光感度のピーク
波長へレーザ光源の波長を一致させることで達成した。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて詳細に説明する。

【００２５】図１は、本発明になるレーザプリンタにお
ける走査露光系１００の第１の実施形態を示す斜視図で
ある。

【００２６】GaN系半導体レーザチップを内蔵するレー
ザ光源装置１０１は、光学系制御部１０００に制御され
て短波長のレーザ光線を放出する。レーザ光源装置１０
１から放出されたレーザ光線は、コリメートレンズ１０
２により概略平行光にし、副走査方向のみにパワーを持
ちポリゴンミラー１０４の反射面に副走査方向を結像さ
せるシリンドリカルレンズ１０３を通過させて該ポリゴ
ンミラー１０４で反射させ、更に、ｆθレンズ１０５で
Se系感光体ドラム１０６の表面に一様なスポットを結像
するように照射される。目的の潜像は、レーザ光源装置
１０１のGaN系半導体レーザチップの駆動電流のオン／
オフ変調による発光の断続とポリゴンミラー１０４の等
速回転による偏向走査と感光体ドラム１０６の回転によ
って形成される。駆動電流のオン／オフ変調は、上位の
情報処理装置３０００で作成された印刷情報に基づいて
プリンタ中央制御部２０００で生成した画像信号１０８
に従って光学系制御部１０００により行う。

【００２７】ビームディデクタ（以下、ＢＤと略す）セ
ンサ１０７は、各ライン毎の正確な書き出しタイミング
を検出するために設置される。このＢＤセンサ１０７
は、偏向走査中のレーザビームが照射されるとライン同
期信号１０９を発生する。光学系制御部１０００は、こ
のライン同期信号１０９を基準にして感光体ドラム１０
６上での画像の書き出しタイミング情報を取得し、プリ
ンタ中央制御部２０００に対して各ライン毎に画像信号
１０８の発生開始タイミングとして通知する。

【００２８】レーザプリンタの高速化，高精細化を達成
するためには、前述した２つの条件の整合を図ることが
必要である。第１には、短波長のレーザ光線を用いるこ
とである。第２には、光感度が高く寿命の長い感光体ド
ラムを用いることでビット当たりの照射時間を短く、即
ち、偏向走査速度を高速化すると共に感光体ドラムの交
代周期を長くすることである。

【００２９】ここで、第１の条件を満たす短波長のレー
ザ光線を発生するレーザ光源装置１０１を実現するの
が、窒化ガリウム系化合物半導体（GaN系半導体）レー
ザチップである。GaN系半導体レーザチップは、III−Ｖ
族系の物質を用いており、Ga，In，Al等のIII族元素の
少なくとも１種類とN，P，As，Sb等のＶ族元素の少なく
とも１種類により組成されており、これに必要に応じて
II族のMg，Zn，Cd等の不純物をドープしたものである。
III−Ｖ族系の媒質は、第１の利点として、対環境性が
安定していることから、これらを使用した半導体レーザ
チップは駆動制御回路を簡略化することができるので、
低価格化を狙うことができる。第２の利点は、GaN系半
導体レーザチップは、バンドギャップを調整すること
で、発光波長を自由に設定することができることであ
る。具体的には、GaNのバンドギャップは3.4eVである
が、InN（バンドギャップ=2.0eV）やAlN（同6.3eV）と
の混晶を作ることで、バンドギャップエネルギを2.0eV
から6.3eV程度の範囲で変えることができ、発光波長を
紫外線から緑色までの広い範囲内で任意に設定すること
が可能である。偏向走査光学系に用いるレンズの色収差
とダイクロミックミラーの波長分離性能に鑑みて、最適
な設計を可能にする。第３の利点は、GaN系半導体レー
ザチップは短波長で発光するために、近年の高解像度化
の流れに対応するプリンタの実現に適合していることで
ある。

【００３０】また、第２の条件である感度が高く寿命の
長い感光体ドラムを実現するのが、400nm近傍の波長に
分光感度特性のピークを有するSe系感光体ドラム１０６
である。

【００３１】本発明になるレーザプリンタは、このよう
なGaN系半導体レーザチップを使用したレーザ光源装置
１０１とSe系感光体ドラム１０６を組み合わせた電子写
真方式のプリンタとして構成される。電子写真方式のプ
リンタは、感光体ドラム１０６に対する帯電，露光，現
像のプロセスと、感光体ドラム１０６に形成されたトナ
ー像を記録用紙に転写，定着するプロセスと、トナー像
を転写した後の感光体ドラム１０６に対するイレーズ，
クリーニングのプロセスを実行する。Se系感光体ドラム
１０６は、導電性ドラムの外周面にSe系感光体の感光層
を形成したもので、一定速度で回転される。

【００３２】帯電，露光，現像プロセスにより、感光体
ドラム１０６の表面にトナー像が付着する。このトナー
像は、転写プロセスで記録用紙に移動し、定着プロセス
で記録用紙に溶融固着される。また、感光体ドラム１０
６の表面は、イレーズ，クリーニングプロセスにより初
期化され、これらのプロセスのサイクルが繰り返され
る。

【００３３】このように構成することで、従来のプリン
タとプロセス，制御，主要部品等で互換を保ちつつ、高
寿命，高解像度，高速，簡易制御可能なプリンタを実現
することができる。これは、前述した高対擦特性，高速
応答特性，高感度特性を有するSe系感光体ドラム１０６
と、短波長特性，高対環境特性を有するGaN系半導体レ
ーザチップを使用するレーザ光源装置１０１の組み合わ
せによって実現するものである。

【００３４】図２は、本発明になるレーザプリンタにお
けるSe系感光体ドラム１０６の一特性例である。Se系感
光体ドラム１０６は、400nm近傍の波長に分光感度特性
のピークを持つ。この波長のレーザ光線で書き込み（露
光）を行えば、高速応答，高解像度の潜像作成が可能に
なる。GaN系半導体レーザチップによるレーザ光源装置
１０１の優位な特徴として、バンドギャップを調整する
ことにより、発光波長を最適値に合わせ込むことが可能
となる点を挙げることができる。具体的には、GaNのバ
ンドギャップは3.4eVであるが、InN（バンドギャップ=
2.0eV）やAlN（同6.3eV）との混晶を作ることで、バン
ドギャップエネルギを2.0eVから6.3eV程度の範囲で変え
ることができる。これは、GaN系半導体レーザチップの
発振波長を紫外線から緑色までの広い範囲内で任意に設
定することが可能であることを意味し、Se系感光体ドラ
ム１０６のピーク感度に適合した波長のレーザ光線を放
出するレーザ光源装置１０１となるように、GaN系半導
体レーザチップのバンドギャップを最適設計することが
できる。

【００３５】このように、Se系感光体ドラム１０６を採
用し、GaN系半導体レーザチップによるレーザ光源装置
１０１を組み合わせて構成したシステムとすることによ
り、レーザビームプリンタの小型，高速，高解像度化が
可能になる。

【００３６】図３は、本発明になるレーザプリンタにお
けるGaN系半導体レーザチップを使用したレーザ光源装
置１０１のGaN系半導体レーザチップ３００の第１の実
施形態を示す縦断側面図である。

【００３７】基板３１３にはＣ面サファイア基板を使用
する。その上に、GaNバッファ層３０１，n-GaNコンタク
ト層３０２，n-InGaNクッラク防止層３０３，n-AlGaNク
ラッド層３０４，n-GaNガイド層３０５，InGaN多重量子
井戸構造（MQW）発光層３０６，p-AlGaN内部クッラド層
３０７，p-GaNガイド層３０８，p-AlGaNクラッド層３０
９，p-GaNコンタクト層３１０を形成した構造となって
いる。サファイア基板３１３は絶縁体であるので、n電
極３１２はn-GaNコンタクト層３０２までエッチングし
て該コンタクト層３０２の上面に形成している。また、
Ｃ面サファイア基板３１３は劈開性がないために、従来
のGaAlAs系半導体レーザチップなどで使用されてきた劈
開面をレーザの共振器面とすることができない。そこ
で、本発明になるGaN系半導体レーザチップ３００で
は、前記エピタキシャル層を上部よりドライエッチング
して共振器面を形成した。p-GaNコンタクト層３１０に
電流注入電極（p-電極３１１）を形成し、n-GaNコンタ
クト層３０２にグランドコンタクト電極（n-電極３１
２）を形成している。

【００３８】このような構成のGaN系半導体レーザチッ
プ３００によれば、半導体レーザの安定な発光が得られ
ると共に430nm という短波長化の効果もあり、一層の高
速及び高画質の印刷が可能になる。

【００３９】図４及び図５は、本発明になるレーザ光源
装置１０１におけるGaN系半導体レーザチップ４００の
第２の実施形態を示す平面図及び縦断側面図である。

【００４０】このGaN系半導体レーザチップ４００は、
まず、n-SiC基板４０１上にn-Al_0.2Ga_0.8Nクラッド層４
０２，多重量子井戸活性層４０３，p-Al_0.2Ga_0.8Nクラ
ッド層４０４，p-GaNコンタクト層４０５を順次結晶成
長させた。多重量子井戸活性層４０３は、７層のAl_0.1G
a_0.7In_0.2Nウエル層(2nm)と８層のAl_0.3Ga_0.7Nバリア層
(2nm)を交互に積層して形成している。

【００４１】n-SiC基板４０１の表面には硼素打ち込み
により厚さ約0.5μmのp-SiC層４０６を設けておき、半
導体レーザの導波路となるストライプ状の領域４０９に
幅約3μm，深さ1μmの溝４０７を形成している。このよ
うな段差を持つ基板上に結晶成長を行うと、活性層４０
３にも段差が形成され、これが光導波構造となる。この
ような段差を利用した光導波路構造は、AlGaAs系やAlGa
InP系などの他の材料系では信頼性に問題を起こすが、
一平方cm当たり107個以下の欠陥密度であれば十分な信
頼性が得られるGaN系結晶においては、この構造で充分
な高信頼度の半導体レーザチップを得ることができる。

【００４２】ウエハの表面にはAuを主成分とする電極４
１０を形成し、機械的研磨及び化学エッチングによりSi
C基板４０１を約100μmの厚さにエッチングし、該SiC基
板４０１側にもAuを主成分とする電極４１１を形成し
た。

【００４３】このような半導体ウエハを約600μm間隔
（幅）でバー状に劈開した。劈開位置の誤差は約1μmで
あった。

【００４４】このような構成のGaN系半導体レーザチッ
プ４００によれば、半導体レーザの安定した発光が得ら
れると共に430nmという短波長化の効果もあり、一層の
高速及び高画質の印刷が可能である。また、n-SiC基板
４０１を用いているために劈開が可能となり、ドライエ
ッチングによらずに共振器面を形成することが可能とな
ることから、第１の実施形態における構造に比べて、製
造が簡易になる。

【００４５】図６及び図７は、本発明になるレーザ光源
装置１０１におけるGaN系半導体レーザチップ６００の
第３の実施形態を示す平面図及び縦断側面図である。

【００４６】このGaN系半導体レーザチップ６００は、
まず、n-SiC基板４０１上にn-Al_0.2Ga_0.8Nクラッド層４
０２，多重量子井戸活性層４０３，p-Al_0.2Ga_0.8Nクラ
ッド層４０４，p-GaNコンタクト層４０５を順次結晶成
長させた。多重量子井戸活性層４０３は、５層のGa_0.7I
n_0.3Nウエル層４０５と６層のAl_0.5Ga_0.5In_0.5Nバリア
層４０６を交互に積層して形成している。n-SiC基板４
０１の表面には半導体レーザの導波路となる幅約3μm，
高さ1μmのリッジ７０１を形成している。このようなリ
ッジ７０１は、レーザ端面となる5μmの範囲には形成さ
れていない。リッジ外部の領域には硼素イオン打ち込み
による導電型をp型に反転させたp-SiC層４０６を形成し
ている。ウエハの表面にはAuを主成分とする電極４１０
を形成し、機械的研磨及び化学エッチングによりSiC基
板４０１を約100μmの厚さにエッチングし、SiC基板４
０１側にもAuを主成分とする電極４１１を形成した。こ
のような半導体ウエハを600μm間隔（幅）で劈開してレ
ーザチップとした。

【００４７】このような構成のGaN系半導体レーザチッ
プ６００によれば、半導体レーザの安定した発光が得ら
れると共に430nmという短波長化の効果もあり、一層の
高速及び高画質の印刷が可能となる。また、n-SiC基板
４０１を用いているために劈開が可能となり、ドライエ
ッチングによらずに共振器面を形成することが可能とな
り、第１の実施形態における構造に比べて、製造が簡易
になる。

【００４８】以上、GaN系半導体チップの構造の例につ
いて説明したが、前述した成分を材料としていれば、材
料の組み合わせや製造方法は制約されるものではない。

【００４９】図８は、本発明になるレーザ光源装置１０
１におけるGaN系半導体レーザチップ３００のパッケー
ジ構造の第１の実施形態を示す透視斜視図である。

【００５０】このレーザ光源装置１０１は、通常のレー
ザパッケージとコンパラで接続可能に構成している。Ga
N系半導体レーザチップ３００は、半導体レーザパッケ
ージ８０１の支柱８０７と平行にＣ面サファイア基板３
１３の底面を取り付けて設置する。同様に、半導体レー
ザパッケージ８０１内には、発光パワーを検出するため
のPDセンサ８０２を取り付けている。また、外部電極と
して、半導体レーザパッケージ８０１に電極ピン８０
３，PDモニタピン８０４，グランドピン８０５をガラス
溶着により気密状態に設置している。これらの電極ピン
８０３〜８０５は、それぞれ、GaN系半導体レーザチッ
プ３００における電流注入電極３１１(p-GaNコンタクト
層３１０)，半導体レーザパッケージ８０１の支柱８０
７，モニタフォトダイオード８０２にワイヤボンディン
グされる。半導体レーザパッケージ８０１と支柱８０７
はグランドコモン電極となる。

【００５１】最終的に、乾燥窒素ガス中で金属キャップ
をリングウェルド，シームウェルド，レーザウェルド法
により気密封じすることで完成する。

【００５２】レーザ光線を放出する出口には、例えば、
低融点ガラス封じされた無反射コードガラス８０６を設
ける。

【００５３】図９は、本発明になるレーザ光源装置１０
１におけるGaN系半導体レーザチップ４００（６００）
のパッケージ構造の第１の実施形態を示す透視斜視図で
ある。このレーザ光源装置１０１も通常のレーザパッケ
ージとコンパラで接続可能に構成している。

【００５４】GaN系半導体レーザチップ４００（６０
０）は、半導体レーザパッケージ８０１の支柱８０７と
平行にn-SiC基板４０１の底面の電極４１１が取り付け
られる。同様に、半導体レーザパッケージ８０１内に
は、発光パワーを検出するためのPDセンサ８０２を取り
付けている。また、外部電極として、半導体レーザパッ
ケージ８０１に電極ピン８０３，PDモニタピン８０４，
グランドピン８０５をガラス溶着により気密状態に設置
している。これらの電極８０３〜８０５は、GaN系半そ
れぞれ、GaN系半導体レーザチップ４００（６００）に
おける電流注入電極４１０(p-GaNコンタクト層４０
５)，半導体レーザパッケージ８０１の支柱８０７，モ
ニタフォトダイオード８０５にワイヤボンディングされ
る。半導体レーザパッケージ８０１はグランドコモン電
極となる。

【００５５】最終的に、乾燥窒素ガス中で金属キャップ
をリングウェルド，シームウェルド，レーザウェルド法
により気密封じすることで完成する。

【００５６】レーザ光線を放出する出口には、例えば、
低融点ガラス封じされた無反射コードガラス８０６を設
ける。

【００５７】図１０は、本発明になるレーザプリンタに
おける光学系制御部１０００の第１の実施形態を示すブ
ロック図である。この回路構成は、図８，９に示したレ
ーザ光源装置１０１を使用するように構成している。

【００５８】レーザ駆動電流生成部１００６は、電極ピ
ン８０３に接続する。また、レーザ駆動電流フィードバ
ック制御部１０１０は、PDモニタピン８０４に接続す
る。

【００５９】同期信号・クロック生成部１００１は、BD
センサ１０７からのBDセンサ信号１０９に制御されて、
画像同期クロック１００３及びライン同期信号１００４
を発生する。このとき、基準となる基本クロック１０１
２として、基本クロック発生部１００２の出力信号を使
用する。なお、生成した画像同期クロック１００３とラ
イン同期信号１００４は、プリンタ中央制御部２０００
に送り、この光学系制御部１０００とプリンタ中央制御
部２０００の間の画像信号１０８の転送タイミングに使
用する。合わせて、この光学系制御部１０００内のレー
ザ駆動電流生成部１００６の動作タイミングにも使用す
る。

【００６０】GaN系半導体レーザチップ３００（４０
０，６００）は、レーザ駆動電流１００７により駆動す
る。GaN系半導体レーザチップ３００（４００，６０
０）に流すレーザ駆動電流１００７は、レーザ駆動電流
生成部１００６で生成する。プリント時には、先ず、プ
リンタ中央制御部２０００からGaN系半導体レーザチッ
プ３００（４００，６００）の初期光量を設定する目的
で、初期設定光量信号１０１１が初期駆動電流設定部１
００９に入力される。初期駆動電流設定部１００９は、
入力された設定値に基づいた初期設定電流信号１０１４
をレーザ駆動電流生成部１００６に供給する。その後、
レーザ間の特性バラツキを吸収するために、後述するフ
ィードバック制御で初期光量を合わせ込む。

【００６１】レーザ駆動電流生成部１００６では、前述
した初期光量の合わせ込みと並行して、GaN系半導体レ
ーザチップ３００（４００，６００）の温度変化による
特性を保証するために、該GaN系半導体レーザチップ３
００（４００，６００）からの出力光量（発光量モニタ
信号１００８）をウォッチするレーザ駆動電流フィード
バック制御部１０１０によるＡＰＣ(Auto Power Contro
l)制御が行われる。このとき、レーザ駆動電流フィード
バック制御部１０１０はフィードバック制御信号１０１
３を生成し、レーザ駆動電流生成部１００６では画像信
号１０８に必要な発光断続制御と合わせて光量制御す
る。

【００６２】通常の制御回路では、温度変化による特性
をシビアに保証する必要があるために、各ライン毎にフ
ィードバック制御が必要なケースが多い。しかし、本発
明になるレーザプリンタのレーザ光源装置１０１で使用
するGaN系半導体レーザチップ３００（４００，６０
０）のように対環境特性が安定したものでは、シビアな
フィードバック制御は不要となり、一走査毎の細かなタ
イミング切り替え回路等を持つ必要がなく、回路規模が
縮小し、低価格化につなげることが可能となる。

【００６３】また、GaN系半導体レーザの場合には、１
画素発光時間内を連続して発光する手法によりも、露光
強度を上げてデュティ１０％程度のパルス発光を１画素
発光時間内に複数回行う手法が有利である。これは、レ
ーザチップの寿命，光強度の安定性確保に有効であり、
GaN系半導体レーザチップ３００（４００，６００）の
特質である。このために、レーザ駆動電流生成部１００
６は、ＣＷモードと画素発光用のＣＣＷモードの両方の
ドライブ能力を備えることが望ましい。

【００６４】図１１は、本発明になるレーザプリンタに
おける走査光学系１００の第２の実施形態を示す斜視図
である。この実施形態は、更なる高速化に対応するため
にマルチ露光方式を採用するものである。

【００６５】基本的な構成は前述した実施形態と変わら
ないが、光源として３つの発光部を形成するGaN系半導
体レーザチップアレイを内蔵したレーザ光源装置１１０
１を使用している。現在のレーザプリンタのプリント速
度律速要因は、ポリゴンミラー１０４のメカニカルな回
転速度である。この実施形態は、これをマルチ露光で補
うものである。これに伴い、レーザ光源装置１１０１に
おけるGaN系半導体レーザチップのパッケージ構成と光
学系制御部１１０２の構成が変化している。

【００６６】図１２は、本発明になるレーザプリンタに
おけるGaN系半導体レーザチップアレイを使用したレー
ザ光源装置１１０１のパッケージ構成の第１の実施形態
を示す透視斜視図である。パッケージングの手法等は、
図８及び図９に示したパッケージングと同様である。こ
の実施形態は、前述したレーザ光源装置１０１におい
て、第２，第３の実施形態として説明したGaN系半導体
レーザチップ４００（６００）のアレイを使用するパッ
ケージ構成である。

【００６７】この実施形態では、３つのGaN系半導体レ
ーザチップがアレイ化（GaN系半導体レーザチップアレ
イ１３００）される。GaN系半導体レーザチップアレイ
１３００は、３つの発光部（発光部-1 １３０２，発光
部-2 １３０３，発光部-3 １３０４）を形成する。各発
光部１３０２〜１３０４は、それぞれ対応した電極ピン
（電極ピン-1 １３１３，電極ピン-2 １３１４，電極ピ
ン-3 １３１５）からの電流注入により発光制御が行わ
れる。

【００６８】この実施形態における半導体レーザパッケ
ージ８０１は、通常のレーザパッケージに対して、電極
ピンがカソード部でチップ数量分（電極ピン-1 １３１
３，電極ピン-2 １３１４，電極ピン-3 １３１５）だけ
増えている。PDセンサ８０２は、各発光部１３０２〜１
３０４に対して共用して使用する構成を取っている。こ
れは、GaN系半導体レーザチップアレイ１３００が対環
境性に優れている点を積極的に利用するものである。プ
リンタの電源投入立ち上げ時に、各レーザチップ毎にシ
リアルに光量を設定していけば、通常の印字中は、問題
にならない程度の光量変動で使用できる。より正確な光
量設定が必要な場合は、印刷ページ間で前記シーケンス
を行う方法や印刷ライン毎に光量制御を行うレーザを切
り替える方法を採用すれば良い。

【００６９】各発光部（半導体レーザチップ）１３０２
〜１３０４の発光量をリアルタイムで並列にモニタしよ
うとする場合には、図１３に示すレーザ光源装置１１０
１のパッケージ構成例のように、各発光部１３０２〜１
３０４の発光波長を若干異ならせ（発光部-1 １３０
１：発光波長λ1，発光部-2 １３０２：発光波長λ2，
発光部-3 １３０３：発光波長λ3）て製作，配置し、各
発光部１３０２〜１３０４に対応させた３つのPDセンサ
（PDセンサ-1 １３０７，PDセンサ-2 １３０８，PDセン
サ-3 １３０９）を並列に設けて、各PDセンサ１３０７
〜１３０９に対して３色に対応するバンドパスフィルタ
（バンドパスフィルタ-1 １３０４：フィルタ波長λ1，
バンドパスフィルタ-2 １３０５：フィルタ波長λ2，バ
ンドパスフィルタ-3 １３０６：フィルタ波長λ3）を付
ける構成にする。このような構成にすれば、各発光部１
３０２〜１３０４を同時に発光させ、各PDセンサ１３０
７〜１３０９による個別の光量フィードバック制御が可
能になる。この構成は、レーザチップアレイを３源色の
発光源として用いる場合にも有効である。但し、パッケ
ージのピン（電極ピン-1 １３１３，電極ピン-2 １３１
４，電極ピン-3 １３１５，PDモニタピン-1 １３１０，
PDモニタピン-2 １３１１，PDモニタピン-3１３１２）
が増加する点、構成，実装が複雑になる点、回路規模が
増加する点で不利がある。

【００７０】次に、構成及び実装は、GaN系半導体レー
ザチップとして、図８に示したように、第１の実施形態
で説明したGaN系半導体レーザチップ３００を使用する
場合には、サファイア基板３１３の底面で支柱８０７に
付着するようになる。従って、n-電極３１２から支柱８
０７にグランドボンディングを行うことが必要になる。
また、放熱に関しては、サファイア基板３１３及び雰囲
気中への放熱で実用上の問題はない。

【００７１】しかし、図９に示したように、第２または
第３の実施形態で説明したGaN系半導体レーザチップ４
００（６００）を使用する場合には、コンタクト層４０
１の底面の電極４１１で支柱８０７に付着することにな
るので、付着によりグランド接地が実現する。放熱に関
してもn-SiC基板４０１及び雰囲気中への放熱で実用上
の問題はない。

【００７２】光学系制御部１１０２は、３ライン分の画
像信号１４０２，１４０５，１４０７を並列に入力し、
GaN系半導体レーザチップアレイ１３００の３つの発光
部１３０１〜１３０３を並行して駆動するレーザ駆動電
流を並列に生成する。

【００７３】図１４は、本発明になるレーザプリンタに
おける光学系制御部１１０２の第１の実施形態を示すブ
ロック図である。この回路構成は、基本的には図１０に
示した光学系制御部１０００の構成を３つの発光部に対
応させて３組み設けた構成であり、図１３に示したよう
に、３つの発光部１３０１〜１３０３を備えるGaN系半
導体レーザチップアレイ１３００と３つのPDセンサ１３
０７〜１３０９をパッケージングしたレーザ光源装置１
１０１に適合するものである。

【００７４】３つのレーザ駆動電流生成部（レーザ駆動
電流生成部-1 １４０９，レーザ駆動電流生成部-2 １４
１２，レーザ駆動電流生成部-3 １４１５）は、それぞ
れ、電極ピン（電極ピン-1 １３１３，電極ピン-2 １３
１４，電極ピン-3 １３１５）と接続される。また、レ
ーザ駆動電流フィードバック制御部（レーザ駆動電流フ
ィードバック制御部-1 １４１０，レーザ駆動電流フィ
ードバック制御部-2 １４１３，レーザ駆動電流フィー
ドバック制御部-3１４１６）は、それぞれ、PDモニタピ
ン（PDモニタピン-1 １３１０，PDモニタピン-2 １３１
１，PDモニタピン-3 １３１２）に接続される。

【００７５】同期信号・クロック生成部１００１は、Ｂ
Ｄセンサ１０７からのBDセンサ信号１０９に制御されて
画像同期クロック１００３及びライン同期信号１００４
を発生する。このとき、基準となる基本クロック１０１
２として、基本クロック発生部１００２の出力信号を使
用する。なお、生成した画像同期クロック１００３とラ
イン同期信号１００４はプリンタ中央制御部１４０３に
送り、この光学系制御部１１０２とプリンタ中央制御部
１４０３の間の画像信号（画像信号-1 １４０２，画像
信号-2 １４０５，画像信号-3 １４０７）の転送タイミ
ングに使用する。合わせて、この光学系制御部１１０２
内の３つのレーザ駆動電流生成部（レーザ駆動電流生成
部-1 １４０９，レーザ駆動電流生成部-2 １４１２，レ
ーザ駆動電流生成部-3 １４１５）の動作タイミングに
も使用する。

【００７６】GaN系半導体レーザチップアレイ１３００
の各発光部１３０１〜１３０３は、それぞれ、レーザ駆
動電流（レーザ駆動電流-1 １４１８，レーザ駆動電流-
2 １４２２，レーザ駆動電流-3 １４２６）により駆動
される。これらのレーザ駆動電流１４１８〜１４２６
は、それぞれ、レーザ駆動電流生成部（レーザ駆動電流
生成部-1 １４０９，レーザ駆動電流生成部-2 １４１
２，レーザ駆動電流生成部-3 １４１５）で生成する。

【００７７】プリント時には、先ず、プリンタ中央制御
部１４０３からGaN系半導体レーザアレイチップ１３０
０の各発光部１３０１〜１３０３の初期光量を設定する
目的で、初期設定光量信号（初期設定光量信号-1 １４
０１，初期設定光量信号-2 １４０４，初期設定光量信
号-3 １４０６）が初期駆動電流設定部（初期駆動電流
設定部-1 １４０８，初期駆動電流設定部-2 ４１１，初
期駆動電流設定部-3 １４１４）に入力される。各初期
駆動電流設定部１４０８，１４１１，１４１４）は、入
力された値に基づいた初期設定電流信号（初期設定電流
信号-1 １４１７，初期設定電流信号-2 １４２１，初期
設定電流信号-3 １４２５）を各レーザ駆動電流生成部
１４０９，１４１２，１４１５に対して発生する。その
後、レーザチップ間の特性のバラツキを吸収するため
に、後述するフィードバック制御で初期光量を合わせ込
む。

【００７８】各レーザ駆動電流生成部１４０９，１４１
２，１４１５は、前述した初期光量の合わせ込みと合わ
せて、GaN系半導体レーザチップアレイ１３００の温度
変化による特性を保証するために、GaN系半導体レーザ
アレイチップ１３００の各発光部１３０１〜１３０３か
らの出力光量を発光量モニタ信号-1 １４１９，発光量
モニタ信号-2 １４２３，発光量モニタ信号-3 １４２７
によりウォッチして、各レーザ駆動電流フィードバック
制御部１４１０，１４１３，１４１６において、ＡＰＣ
(Auto Power Control)制御を並行して行う。このとき、
各レーザ駆動電流フィードバック制御部１４１０，１４
１３，１４１６は、フィードバック制御信号（フィード
バック制御信号-1 １４２０，フィードバック制御信号-
2 １４２４，フィードバック制御信号-3 １４２８）を
生成し、各レーザ駆動電流生成部１４０９，１４１２，
１４１５は、各画像信号１４０２，１４０５，１４０７
に必要な発光断続制御と合わせて光量制御する。

【００７９】通常の制御回路では、温度変化による特性
をシビアに保証する必要があるために、毎ライン毎にフ
ィードバック制御が必要なケースが多い。しかし、本発
明になるレーザプリンタのレーザ光源装置１１０１で使
用するGaN系半導体レーザアレイチップ１３００のよう
に対環境特性が安定したものでは、シビアなフィードバ
ック制御は不要となり、一走査内での細かなタイミング
切り替え回路等を持つ必要がなく、回路規模を縮小し、
低価格化につなげることが可能となる。

【００８０】また、単色で使う用途には、回路規模を縮
小することができるだけでなく、各発光部１４０１〜１
４０３の発光波長λをλ1=λ2=λ3とすることを可能と
し、バンドパスフィルタが不要な構成とすることも可能
である。このような構成では、レーザチップアレイを作
る際にも、パッケージングを組み立てる際にも、簡易な
工程で製造することが可能となり、低価格化に結びつく
ものである。

【００８１】ここで、具体的なレーザチップアレイの構
成であるが、GaNは熱伝導性が良いために、隣接発光部
の熱的クロストークを避ける工夫が必要である。このた
めに、各発光部の間に該発光部の幅の５倍程度の間隔が
必要であり、この像が感光ドラムに拡大して結像するこ
とから、必要とするライン間隔以上にライン間隔が開い
てしまう問題がある。この問題を解決するために、通常
はレーザ発光部の並びのラインは鉛直方向に一致させる
ようにしているが、これを発光方向の軸回りに回転させ
てずらすことにより、実効的なライン間隔を狭める手法
を用いることが望ましい。GaN系半導体レーザチップの
場合には、材料，構造面からレーザ駆動ボルテージが大
きくなることは必然的であり、この手法は高解像度化を
実現するために有効である。

【００８２】図１５は、前述したGaN系半導体レーザチ
ップの特性を積極的に利用した光学系制御部１１０２の
第２の実施形態を示すブロック図である。

【００８３】この実施形態は、図１４に示した実施形態
における初期駆動電流設定部１４０８，１４１１，１４
１４とレーザ駆動電流フィードバック制御部１４１０，
１４１３，１４１６を、初期駆動電流設定部１５０１，
レーザ駆動電流フィードバック制御部１５０２に統合し
た構成である。リアルタイム及び並列利用が不要である
ことを利用して、初期駆動電流設定部１５０１とレーザ
駆動電流フィードバック制御部１５０２を各レーザ駆動
電流生成部１４０９，１４１２，１４１５でタイムシェ
アリング（セレクト使用）して利用するものである。初
期駆動電流設定部１５０１及びレーザ駆動電流フィード
バック制御部１５０２からの出力信号である初期設定電
流信号１５０３及びフィードバック制御信号１５０４
は、初期駆動電流設定部１５０１，レーザ駆動電流フィ
ードバック制御部１５０２に３つの出力に対応する出力
バッファを持たせることで、使用時だけ出力値が変化
し、通常は出力値が保持（ラッチ）されているようにす
る。

【００８４】GaN系半導体レーザチップの対環境安定性
を利用してこのような構成を採用することで、回路規模
を縮小し、低価格化につなげることが可能となる。

【００８５】図１５に示す実施形態おいて、発光量モニ
タ信号-2 １４２３と発光量モニタ信号-3 １４２７を省
略した構成とすることにより、図１２に示したレーザ光
源装置１１０１に対応した光学系制御部１１０２とする
ことができる。この実施形態ではレーザ駆動電流生成部
１４０９，１４１２，１４１５は、それぞれ、電極ピン
１３１３〜１３１５に接続し、また、レーザ駆動電流フ
ィードバック制御部１５０２は、PDモニタピン８０４に
接続する。

【００８６】同期信号・クロック生成部１００１は、Ｂ
Ｄセンサ１０７からのBDセンサ信号１０９に制御されて
画像同期クロック１００３及びライン同期信号１００４
を発生する。このとき、基準となる基本クロック１０１
２として、基本クロック発生部１００２の出力を使用す
る。生成した画像同期クロック１００３とライン同期信
号１００４は、プリンタ中央制御部１４０３に送り、光
学系制御部１１０２とプリンタ中央制御部１４０３の間
の、画像信号１４０２，１４０５，１４０７の転送タイ
ミングに使用する。合わせて、光学系制御部１１０２内
のレーザ駆動電流生成部１４０９，１４１２，１４１５
の動作タイミングにも使用する。

【００８７】GaN系半導体レーザチップアレイ１３００
の各発光部１３０１〜１３０３は、レーザ駆動電流１４
１８，１４２２，１４２６により駆動する。そして、こ
のレーザ駆動電流１４１８，１４２２，１４２６は、レ
ーザ駆動電流生成部１４０９，１４１２，１４１５で生
成する。

【００８８】プリント時には、先ず、プリンタ中央制御
部１４０３からGaN系半導体レーザアレイチップ１３０
０の各発光部１３０１〜１３０３の初期光量を設定する
目的で、初期設定光量信号１４０１，１４０４，１４０
６を初期駆動電流設定部１５０１に入力する。初期駆動
電流設定部１５０１では、入力された値に基づいた初期
設定電流信号１５０３を各レーザ駆動電流生成部１４０
９，１４１２，１４１５に供給する。その後、レーザチ
ップ間の特性のバラツキを吸収するために、後述するフ
ィードバック制御で初期光量を合わせ込む。

【００８９】各レーザ駆動電流生成部１４０９，１４１
２，１４１５は、前述した初期光量の合わせ込みと合わ
せて、GaN系半導体レーザチップアレイ１３００の温度
変化による特性を保証するために、GaN系半導体レーザ
チップアレイ１３００の各発光部１３０１〜１３０３で
の出力光量を発光量モニタ信号１４１７によりウォッチ
して、レーザ駆動電流フィードバック制御部１５０２に
おいて、ＡＰＣ(AutoPower Control)制御を並行して行
う。このとき、レーザ駆動電流フィードバック制御部１
５０２は、フィードバック制御信号１５０４を生成し、
各レーザ駆動電流生成部１４０９，１４１２，１４１５
は、画像信号１４０２，１４０５，１４０７に必要な発
光断続制御と合わせて光量制御する。

【００９０】これは、GaN系半導体レーザチップアレイ
１３００の対環境安定性により可能となる構成であり、
回路規模を縮小するのみでなく、発光部１４０１〜１４
０３の発光波長λをλ1=λ2=λ3とすることを可能と
し、レーザチップアレイを作るときにも簡易な工程で製
造することが可能となり、低価格化に結びつくものであ
る。

【００９１】以上に説明したレーザプリンタは、感光体
としてドラムを使用する実施形態を説明したが、ベルト
状に形成した感光体を使用しても同様に実施することが
できる。

【００９２】以上の各実施形態は、レーザチップアレイ
を内蔵したレーザ光源装置を使用して並行露光を行うレ
ーザプリンタの例を説明した。このようなレーザ光源装
置の他の応用例として、３原色の発光源としての応用
（スキャナ光源，１ショットカラープリンタ、白色，カ
ラー光源等）が考えられる。このときには、発光波長と
して、３波長以上が必要となる。このときにも、GaN系
半導体レーザチップアレイもしくはマルチチップ実装を
ベースとして、図１２，図１５を組み合わせた構成を採
用することにより、製作，実装，コスト面で有力な方式
となる。

【００９３】

【発明の効果】本発明は、レーザ光源装置から放出され
るレーザ光線により光学系を介して露光することにより
感光体に潜像を形成する電子写真方式のレーザプリンタ
において、前記レーザ光源装置は、窒化ガリウム系半導
体の積層部を550nm以下の波長で発光する積層構造とし
たレーザチップを使用し、前記感光体は、550nm以下の
波長に高い感度を有するものとすることにより、高速で
高画質の安定した印刷を実現する。また、窒化ガリウム
系半導体レーザチップを使用したレーザ光源装置は、そ
れ自体を小型にすることができ、またこのレーザ光源装
置から放出される短波長のレーザ光線は、偏向走査光学
系の小型化に有効である。

【００９４】また、本発明のレーザ光源装置は、窒化ガ
リウム系半導体の積層部を550nm以下の波長で発光する
積層構造とした複数個のレーザチップと該複数個のレー
ザチップに共通の１つの発光量検出素子を１つのパッケ
ージに内蔵することにより、複数の発光部からレーザ光
線を安定に放出するための制御回路を簡易にする。そし
て、複数個のレーザチップにそれぞれ別個の発光量検出
素子を対設することにより、各レーザチップ毎の発光量
を並行にリアルタイムで検出することができるようにす
ることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明になるレーザプリンタにおける走査光学
系の第１の実施形態を示す斜視図である。

【図２】本発明になるレーザプリンタおけるSe系感光体
ドラムの感度特性図である。

【図３】本発明になるレーザプリンタにおけるレーザ光
源装置のGaN系半導体レーザチップの第１の実施形態を
示す縦断側面図である。

【図４】本発明になるレーザ光源装置におけるGaN系半
導体レーザチップの第２の実施形態を示す平面図であ
る。

【図５】本発明になるレーザ光源装置におけるGaN系半
導体レーザチップの第２の実施形態を示す縦断側面図で
ある。

【図６】本発明になるレーザ光源装置におけるGaN系半
導体レーザチップの第３の実施形態を示す平面図であ
る。

【図７】本発明になるレーザ光源装置におけるGaN系半
導体レーザチップの第３の実施形態を示す縦断側面図で
ある。

【図８】図３に示したGaN系半導体レーザチップのパッ
ケージングの第１の実施形態を示す透視斜視図である。

【図９】図４〜図７に示したGaN系半導体レーザチップ
のパッケージングの第１の実施形態を示す透視斜視図で
ある。

【図１０】本発明になるレーザプリンタにおける光学系
制御部の第１の実施形態を示すブロック図である。

【図１１】本発明になるレーザプリンタにおける走査光
学系の第２の実施形態を示す斜視図である。

【図１２】図１１に示したレーザプリンタのレーザ光源
装置におけるGaN系半導体レーザチップのパッケージン
グの第１の実施形態を示す透視斜視図である。

【図１３】図１１に示したレーザプリンタのレーザ光源
装置におけるGaN系半導体レーザチップのパッケージン
グの第２の実施形態を示す透視斜視図である。

【図１４】図１１に示したレーザプリンタにおける光学
系制御部の第１の実施形態を示すブロック図である。

【図１５】図１１に示したレーザプリンタにおける光学
系制御部の第２の実施形態を示すブロック図である。

【符号の説明】

１００…走査光学系、１０１…GaN系半導体レーザ光源
装置、１０２…コリメートレンズ、１０３…シリンドリ
カルレンズ、１０４…ポリゴンミラー、１０５…ｆθレ
ンズ、１０６…Se系感光体ドラム、１０７…ビームディ
デクタ（ＢＤ）センサ、１０８…画像信号、１０９…ラ
イン同期信号３００。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０４Ｎ 1/113 Ｈ０４Ｎ 1/04 １０４Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光源装置と、このレーザ光源装置か
ら放出されるレーザ光線により光学系を介して露光され
て潜像が形成される感光体とを備えたレーザプリンタに
おいて、前記レーザ光源装置は、窒化ガリウム系半導体の積層部
を550nm以下の波長で発光する積層構造としたレーザチ
ップを備え、前記感光体は、550nm以下の波長に高い感度を有するも
のとしたことを特徴とするレーザプリンタ。
【請求項２】請求項１において、窒化ガリウム系半導体
の積層部における発光層は、n-GaNガイド層とp-Al_0.2Ga
_0.8Nクッラド層に挟まれたInGaN多重量子井戸構造（MQ
W）であることを特徴とするレーザプリンタ。
【請求項３】請求項１において、窒化ガリウム系化合物
半導体の積層部における発光層は、n-Al_0.2Ga_0.8Nクラ
ッド層とp-Al_0.2Ga_0.8Nクラッド層に挟まれた、Ga_0.7In
_0.3Nウエル層とAl_0.5Ga_0.5In_0.5Nバリア層を交互に積層
して形成された多重量子井戸構造であることを特徴とす
るレーザプリンタ。
【請求項４】請求項１〜３の１項において、前記感光体
は、セレン系の感光体を用いたことを特徴とするレーザ
プリンタ。
【請求項５】印刷情報に従って点滅制御されるレーザ光
源装置と、このレーザ光源装置から放出されたレーザ光
線を集光して回転多面鏡により偏向しながら感光体に照
射することにより該感光体に潜像を形成する光学系とを
備えたレーザプリンタにおいて、前記レーザ光源装置は、窒化ガリウム系半導体の積層部
を550nm以下の波長で発光する積層構造としたレーザチ
ップを備え、前記光学系は、レーザ光線を略平行光の状態にして回転
多面鏡で反射させて偏向するようにし、前記感光体は、550nm以下の波長に高い感度を有するも
のとしたことを特徴とするレーザプリンタ。
【請求項６】請求項５において、前記感光体は、550nm
以下の波長に高い感度を有するセレン系のものとしたこ
とを特徴とするレーザプリンタ。
【請求項７】レーザ光源装置と、このレーザ光源装置か
ら放出されたレーザ光線により光学系を介して露光され
て潜像が形成される感光体とを備えたレーザプリンタに
おいて、前記レーザ光源装置は、窒化ガリウム系半導体の積層部
を550nm以下の波長で発光する積層構造とした複数個の
レーザチップを並置した状態に備え、前記光学系は、前記複数個のレーザチップから放出され
るレーザ光線を一括して偏向して前記感光体に照射する
ように構成し、前記感光体は、550nm以下の波長に高い感度を有するも
のとしたことを特徴とするレーザプリンタ。
【請求項８】請求項７において、前記レーザ光源装置
は、並置した複数個のレーザチップと該複数個のレーザ
チップに共通の１つの発光量検出素子を１つのパッケー
ジに内蔵したことを特徴とするレーザプリンタ。
【請求項９】請求項７において、前記レーザ光源装置
は、並置した複数個のレーザチップと該複数個のレーザ
チップ毎に対設した複数個の発光量検出素子を１つのパ
ッケージに内蔵したことを特徴とするレーザプリンタ。
【請求項１０】請求項７において、前記レーザ光源装置
は、発光波長が異なる複数個のレーザチップと、これら
のレーザチップに対設した複数個の発光量検出素子と、
前記各レーザチップと各発光量検出素子の間にそれぞれ
介在されて対応するレーザチップの放出光を透過させる
複数個のバンドパスフィルタを備えたことを特徴とする
レーザプリンタ。
【請求項１１】窒化ガリウム系半導体の積層部を550nm
以下の波長で発光する積層構造とした複数個のレーザチ
ップと該複数個のレーザチップに共通の１つの発光量検
出素子を１つのパッケージに内蔵したことを特徴とする
レーザ光源装置。
【請求項１２】窒化ガリウム系半導体の積層部を550nm
以下の波長で発光する積層構造とした複数個のレーザチ
ップと該複数個のレーザチップ毎に対設した複数個の発
光量検出素子を１つのパッケージに内蔵したことを特徴
とするレーザ光源装置。
【請求項１３】請求項１１または１２において、前記レ
ーザチップと発光量検出素子は、発光量検出素子によっ
て各レーザチップの発光量を検出してレーザチップの発
光量を時分割でフィードバック制御する制御回路に接続
されることを特徴とするレーザ光源装置。