JPH10284304A - 正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタInfo
- Publication number
- JPH10284304A JPH10284304A JP8948097A JP8948097A JPH10284304A JP H10284304 A JPH10284304 A JP H10284304A JP 8948097 A JP8948097 A JP 8948097A JP 8948097 A JP8948097 A JP 8948097A JP H10284304 A JPH10284304 A JP H10284304A
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- JP
- Japan
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- temperature coefficient
- cycle
- coefficient thermistor
- positive temperature
- epoxy resin
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性が高く、安価な正特性サーミスタを提
供する。 【解決手段】 正特性サーミスタ素子の両主面に設けた
電極にリード線が半田付され、エポキシ樹脂で外装を施
してなることを特徴としている。
供する。 【解決手段】 正特性サーミスタ素子の両主面に設けた
電極にリード線が半田付され、エポキシ樹脂で外装を施
してなることを特徴としている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、信頼性が高く、低
価格化が可能な正特性サーミスタに関するものである。
価格化が可能な正特性サーミスタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】正特性サーミスタは、消磁回路用、過電
流保護用、ヒーター用等に用いられている。特に、消磁
回路用はON−OFFサイクルが長く、一般的に30,
000サイクルの寿命が要求されている。消磁回路用と
しては、一般に、図1に示すケースタイプと図2に示す
リード半田付タイプがある。前者の構造は、正特性サー
ミスタがバネ端子で圧接されており、正特性サーミスタ
素子の発熱が端子を通じて放熱し難く、そのため素子表
層部と素子内部の温度差が小さく出来、フラッシュ耐圧
が高く、ON−OFFサイクル寿命が長く信頼性が高い
特長を有するが、ケースや端子部材のためにコストアッ
プとなる欠点を有している。一方、後者のリード半田付
タイプは一般に低コスト化可能であるが、正特性サーミ
スタ素子の発熱が半田を介してリード線から放熱するた
め、フラッシュ耐圧が低く、ON−OFFの冷熱サイク
ルで半田脆化を生じ、寿命が短いという欠点を有してい
た。
流保護用、ヒーター用等に用いられている。特に、消磁
回路用はON−OFFサイクルが長く、一般的に30,
000サイクルの寿命が要求されている。消磁回路用と
しては、一般に、図1に示すケースタイプと図2に示す
リード半田付タイプがある。前者の構造は、正特性サー
ミスタがバネ端子で圧接されており、正特性サーミスタ
素子の発熱が端子を通じて放熱し難く、そのため素子表
層部と素子内部の温度差が小さく出来、フラッシュ耐圧
が高く、ON−OFFサイクル寿命が長く信頼性が高い
特長を有するが、ケースや端子部材のためにコストアッ
プとなる欠点を有している。一方、後者のリード半田付
タイプは一般に低コスト化可能であるが、正特性サーミ
スタ素子の発熱が半田を介してリード線から放熱するた
め、フラッシュ耐圧が低く、ON−OFFの冷熱サイク
ルで半田脆化を生じ、寿命が短いという欠点を有してい
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年、消磁回路の低コ
スト化を目的として消磁コイルの巻線数を小さくするた
め正特性サーミスタ素子の低抵抗化が望まれ、尚かつ、
低コスト化が要求されている。ケースタイプの場合、例
えば100〜120V用の場合、抵抗値が3Ωのものが
実用化されているが、リード半田付タイプの場合は、フ
ラッシュ耐圧が低くなり、かつ、又、ON−OFFサイ
クル時の冷熱温度差が大きくなり、半田が脆化するため
低抵抗化は困難であった。
スト化を目的として消磁コイルの巻線数を小さくするた
め正特性サーミスタ素子の低抵抗化が望まれ、尚かつ、
低コスト化が要求されている。ケースタイプの場合、例
えば100〜120V用の場合、抵抗値が3Ωのものが
実用化されているが、リード半田付タイプの場合は、フ
ラッシュ耐圧が低くなり、かつ、又、ON−OFFサイ
クル時の冷熱温度差が大きくなり、半田が脆化するため
低抵抗化は困難であった。
【0004】
【課題を解決するための手段】正特性サーミスタは電源
のON−OFFサイクル、つまり素子の発熱−冷却によ
る膨張−収縮が生じるため、この膨張−収縮に追随可能
な柔らかいシリコン樹脂やシリコンゴム系樹脂が外装材
料として一般に用いられてきた。本発明はこれに対し、
硬質のエポキシ樹脂を外装材料として用いることによ
り、フラッシュ耐圧やON−OFFサイクルにおける信
頼性を大幅に向上させることが可能となることを見い出
した。
のON−OFFサイクル、つまり素子の発熱−冷却によ
る膨張−収縮が生じるため、この膨張−収縮に追随可能
な柔らかいシリコン樹脂やシリコンゴム系樹脂が外装材
料として一般に用いられてきた。本発明はこれに対し、
硬質のエポキシ樹脂を外装材料として用いることによ
り、フラッシュ耐圧やON−OFFサイクルにおける信
頼性を大幅に向上させることが可能となることを見い出
した。
【0005】
【作用】外装材料に硬質のエポキシ樹脂を用いるとフラ
ッシュ耐圧やON−OFFサイクル寿命が長くなる理由
は明確ではないがフラッシュ耐圧の向上については以下
のように考えられる。正特性サーミスタ素子は電圧印加
時に素子表層部が半田を介して放熱するため素子内部と
表層部の温度差が大きくなり、そのため素子内部に剪断
応力が生じ、素子の厚み方向で層状に破壊する。ところ
が、エポキシ樹脂を焼付けると、収縮応力が素子厚み方
向に加わっているため、電圧印加時に生じる剪断応力を
緩和していると推察される。
ッシュ耐圧やON−OFFサイクル寿命が長くなる理由
は明確ではないがフラッシュ耐圧の向上については以下
のように考えられる。正特性サーミスタ素子は電圧印加
時に素子表層部が半田を介して放熱するため素子内部と
表層部の温度差が大きくなり、そのため素子内部に剪断
応力が生じ、素子の厚み方向で層状に破壊する。ところ
が、エポキシ樹脂を焼付けると、収縮応力が素子厚み方
向に加わっているため、電圧印加時に生じる剪断応力を
緩和していると推察される。
【0006】
【実施例】両面にニッケルメッキ及び半田付するための
錫メッキ電極を施した素子直径14.7φmm、素子厚
2.1tmmの正特性サーミスタ素子に0.6φmmの
CP線を半田付した状態の無外装品と、この無外装品を
エポキシ樹脂に浸漬し、150℃、30分間焼付した図
2の本発明品と、更に比較例として、この無外装品をシ
リコン樹脂に浸漬し、160℃、30分間焼付した図2
のシリコン樹脂外装品を各々10個作成し、以下の試験
に供した。 ・フラッシュ耐圧:素子に瞬時に電圧を印加し、素子が
破壊する迄の電圧を測定する。 ・ON−OFFテスト:室温で素子に140V.AC.
を1分間印加(ON)し、5分間冷却(OFF)する。
これを1サイクルとして繰り返し、半田脆化状態を確認
する。 尚、抵抗値、フラッシュ耐圧値の試験結果、及びON−
OFFテスト結果を表1に示す。
錫メッキ電極を施した素子直径14.7φmm、素子厚
2.1tmmの正特性サーミスタ素子に0.6φmmの
CP線を半田付した状態の無外装品と、この無外装品を
エポキシ樹脂に浸漬し、150℃、30分間焼付した図
2の本発明品と、更に比較例として、この無外装品をシ
リコン樹脂に浸漬し、160℃、30分間焼付した図2
のシリコン樹脂外装品を各々10個作成し、以下の試験
に供した。 ・フラッシュ耐圧:素子に瞬時に電圧を印加し、素子が
破壊する迄の電圧を測定する。 ・ON−OFFテスト:室温で素子に140V.AC.
を1分間印加(ON)し、5分間冷却(OFF)する。
これを1サイクルとして繰り返し、半田脆化状態を確認
する。 尚、抵抗値、フラッシュ耐圧値の試験結果、及びON−
OFFテスト結果を表1に示す。
【0007】
【表1】
【0008】上記表1より、フラッシュ耐圧は従来のシ
リコン樹脂外装品よりも高く、放熱量が最も小さいと思
われる無外装品よりもフラッシュ耐圧が高いことが分か
る。また、ON−OFFテストにおいても従来のシリコ
ン樹脂に比し、優れた信頼性を有していることが分か
る。
リコン樹脂外装品よりも高く、放熱量が最も小さいと思
われる無外装品よりもフラッシュ耐圧が高いことが分か
る。また、ON−OFFテストにおいても従来のシリコ
ン樹脂に比し、優れた信頼性を有していることが分か
る。
【0009】
【発明の効果】本発明の正特性サーミスタは正特性サー
ミスタ素子にリードを半田付し、エポキシ樹脂で外装す
ることにより、信頼性を高くすることができ、かつ、ケ
ースタイプに比し、安価であり工業上有益なものであ
る。
ミスタ素子にリードを半田付し、エポキシ樹脂で外装す
ることにより、信頼性を高くすることができ、かつ、ケ
ースタイプに比し、安価であり工業上有益なものであ
る。
【図1】図1は本発明のケースタイプの断面図である。
【図2】図2は本発明のリード半田付タイプの断面図で
ある。
ある。
1 正特性サーミスタ素子 2 ケース 3 端子 4 リード 5 半田 6 外装樹脂
Claims (1)
- 【請求項1】 正特性サーミスタ素子の両主面に設けた
電極にリード線が半田付され、エポキシ樹脂で外装を施
してなることを特徴とする正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8948097A JPH10284304A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | 正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8948097A JPH10284304A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | 正特性サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284304A true JPH10284304A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=13971910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8948097A Pending JPH10284304A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | 正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10284304A (ja) |
-
1997
- 1997-04-08 JP JP8948097A patent/JPH10284304A/ja active Pending
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