JPH10284385A - 電子線描画方法 - Google Patents
電子線描画方法Info
- Publication number
- JPH10284385A JPH10284385A JP9092092A JP9209297A JPH10284385A JP H10284385 A JPH10284385 A JP H10284385A JP 9092092 A JP9092092 A JP 9092092A JP 9209297 A JP9209297 A JP 9209297A JP H10284385 A JPH10284385 A JP H10284385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- electron beam
- drawn
- variable
- exposure amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3175—Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. program control
- H01J37/3023—Program control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 図形一括で描画するパターンと可変成形で描
画するパターンとを最適露光量で描画する。 【解決手段】 図形一括で描画するパターンと可変成形
で描画するパターンとに異なった露光量を設定して、各
々のパターンを最適露光量で描画する。
画するパターンとを最適露光量で描画する。 【解決手段】 図形一括で描画するパターンと可変成形
で描画するパターンとに異なった露光量を設定して、各
々のパターンを最適露光量で描画する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線によって微
細パターンを形成する電子線描画方法に関し、特に高速
に微細パターンを形成する図形一括方式と従来の可変成
形方式とを併用する場合の描画方法に関する。
細パターンを形成する電子線描画方法に関し、特に高速
に微細パターンを形成する図形一括方式と従来の可変成
形方式とを併用する場合の描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの進歩に伴い、半導体デバイスに
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
線を用いた描画方式は、今後必要となる０．２５μｍ以
下のパターンを形成できる有効なものである。
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
線を用いた描画方式は、今後必要となる０．２５μｍ以
下のパターンを形成できる有効なものである。
【０００３】従来例の電子線露光装置を、図４に示す本
発明に用いた電子ビーム露光装置を使って説明する。従
来例の電子線露光装置は、第１アパーチャー３と複数個
の矩形から構成される図形一括用開口６Ａと１個の開口
から構成される可変成形用開口６Ｂを設けた第２アパー
チャー６とにより、電子銃１からの電子ビーム５０Ａを
複数個のパターンを有する電子ビーム５０Ｂ、あるいは
１個の矩形を有する電子ビーム５０Ｃに成形し、レジス
トを塗布した半導体ウエハ１１上に照射して微細パター
ンを形成するようになっていた。
発明に用いた電子ビーム露光装置を使って説明する。従
来例の電子線露光装置は、第１アパーチャー３と複数個
の矩形から構成される図形一括用開口６Ａと１個の開口
から構成される可変成形用開口６Ｂを設けた第２アパー
チャー６とにより、電子銃１からの電子ビーム５０Ａを
複数個のパターンを有する電子ビーム５０Ｂ、あるいは
１個の矩形を有する電子ビーム５０Ｃに成形し、レジス
トを塗布した半導体ウエハ１１上に照射して微細パター
ンを形成するようになっていた。
【０００４】図４において、電子銃１を発した電子ビー
ム５０がブランキング電極２、第１アパーチャー３、成
形レンズ４、成形偏向器５、第２アパーチャー６、縮小
レンズ７、主偏向器８、副偏向器９、投影レンズ１０を
通って試料台１２上の半導体ウエハ１１に照射される。
ム５０がブランキング電極２、第１アパーチャー３、成
形レンズ４、成形偏向器５、第２アパーチャー６、縮小
レンズ７、主偏向器８、副偏向器９、投影レンズ１０を
通って試料台１２上の半導体ウエハ１１に照射される。
【０００５】第１アパーチャー３には四角形の開口３Ａ
が形成されており、四角形の開口３Ａを通して矩形ビー
ム５０Ａが形成される。第２アパーチャー６上には図形
一括用開口６Ａと可変成形用開口６Ｂが予め設けられて
いる。第１アパーチャー３を通して四角形に成形された
電子ビーム５０Ａは、第２アパーチャー６上の図形一括
用開口６Ａ、あるいは可変成型用開口６Ｂに照射され、
図形一括ビーム５０Ｂ、あるいは可変成形ビーム５０Ｃ
となる。
が形成されており、四角形の開口３Ａを通して矩形ビー
ム５０Ａが形成される。第２アパーチャー６上には図形
一括用開口６Ａと可変成形用開口６Ｂが予め設けられて
いる。第１アパーチャー３を通して四角形に成形された
電子ビーム５０Ａは、第２アパーチャー６上の図形一括
用開口６Ａ、あるいは可変成型用開口６Ｂに照射され、
図形一括ビーム５０Ｂ、あるいは可変成形ビーム５０Ｃ
となる。
【０００６】複数個のパターン形状を有する電子ビーム
５０Ｂを半導体ウエハ１１上のレジストに照射した場合
は、一回のショットにより１個もしくは複数のパターン
の潜像をレジストに形成することができ、これによりス
ループットの向上を図ることができる。一方、可変成形
ビーム５０Ｃの大きさは、第１アパーチャ上の四角形開
口３Ａと第２アパーチャ上の可変成型用開口６Ｂとの重
なり具合によって決定され、任意の大きさのパターンの
潜像を半導体ウエハ１１上に塗布したレジストに形成す
ることが出来る。
５０Ｂを半導体ウエハ１１上のレジストに照射した場合
は、一回のショットにより１個もしくは複数のパターン
の潜像をレジストに形成することができ、これによりス
ループットの向上を図ることができる。一方、可変成形
ビーム５０Ｃの大きさは、第１アパーチャ上の四角形開
口３Ａと第２アパーチャ上の可変成型用開口６Ｂとの重
なり具合によって決定され、任意の大きさのパターンの
潜像を半導体ウエハ１１上に塗布したレジストに形成す
ることが出来る。
【０００７】図形データは記憶装置１５に保存されてお
り、計算機１４により図形データ用メモリ１７に読み出
された後、データの展開、ソート等の必要な処理が行わ
れる。これらのデータは、制御装置１６を通して、ブラ
ンキング電極２、成形偏向器５、主偏向器８、副偏向器
９に転送され、半導体ウエハ１１上の所望位置に所望形
状の電子ビーム５０Ｂ、あるいは５０Ｃを照射すること
が出来る。
り、計算機１４により図形データ用メモリ１７に読み出
された後、データの展開、ソート等の必要な処理が行わ
れる。これらのデータは、制御装置１６を通して、ブラ
ンキング電極２、成形偏向器５、主偏向器８、副偏向器
９に転送され、半導体ウエハ１１上の所望位置に所望形
状の電子ビーム５０Ｂ、あるいは５０Ｃを照射すること
が出来る。
【０００８】随時書き込み読み出しメモリ（ＤＲＡＭ）
は図７に示すように、同形状のパターンが繰り返し配置
されているセルアレイ部３０と、ランダムなパターンが
配置されている周辺回路部３１とから構成されている。
は図７に示すように、同形状のパターンが繰り返し配置
されているセルアレイ部３０と、ランダムなパターンが
配置されている周辺回路部３１とから構成されている。
【０００９】電子ビーム露光装置を用いて、ＤＲＡＭの
ようなデバイスを露光する場合は、メモリセル部３０に
対しては、第２アパーチャ上の図形一括用開口６Ａを選
択して図形一括描画を行い、周辺回路部３１に対しては
第２アパーチャ上の可変成形用開口６Ｂを選択して可変
成形描画を行う。
ようなデバイスを露光する場合は、メモリセル部３０に
対しては、第２アパーチャ上の図形一括用開口６Ａを選
択して図形一括描画を行い、周辺回路部３１に対しては
第２アパーチャ上の可変成形用開口６Ｂを選択して可変
成形描画を行う。
【００１０】従来、電子線描画に用いるパターンデータ
は、図６に示すようなフローチャートに従って作成され
ていた。すなわち、ＣＡＤデータ１８から一定領域内に
存在するパターン密度を計算し（ステップ２０）、この
値を元に近接効果補正を行い最適露光量を計算する（ス
テップ２１）。このとき、一定領域内の描画パターンに
対しては、そのパターンが図形一括で描画されるか、可
変成形で描画されるかに関係なく、同一の露光量Ｄ0が
設定される（ステップ２２）。このようにして作成され
た電子線直描用データ１９を用いて、電子線描画が行わ
れる（ステップ２３）。
は、図６に示すようなフローチャートに従って作成され
ていた。すなわち、ＣＡＤデータ１８から一定領域内に
存在するパターン密度を計算し（ステップ２０）、この
値を元に近接効果補正を行い最適露光量を計算する（ス
テップ２１）。このとき、一定領域内の描画パターンに
対しては、そのパターンが図形一括で描画されるか、可
変成形で描画されるかに関係なく、同一の露光量Ｄ0が
設定される（ステップ２２）。このようにして作成され
た電子線直描用データ１９を用いて、電子線描画が行わ
れる（ステップ２３）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図形一括方
式で描画するパターンと可変成形方式で描画するパター
ンとでは、最適露光量が異なるため、同一の露光量Ｄ0
で描画した場合は、出来上がりのレジスト寸法が異な
る。
式で描画するパターンと可変成形方式で描画するパター
ンとでは、最適露光量が異なるため、同一の露光量Ｄ0
で描画した場合は、出来上がりのレジスト寸法が異な
る。
【００１２】例えば、図５に示すような基本繰り返し部
３２が多数アレイ展開配置された図形一括描画領域３３
と可変成形描画領域３４とを同一露光量Ｄ0で描画した
場合、可変成形方式で描画したパターンの寸法Ｌ2が図
形一括で描画したパターンの寸法Ｌ1より細くなってし
まう。
３２が多数アレイ展開配置された図形一括描画領域３３
と可変成形描画領域３４とを同一露光量Ｄ0で描画した
場合、可変成形方式で描画したパターンの寸法Ｌ2が図
形一括で描画したパターンの寸法Ｌ1より細くなってし
まう。
【００１３】特開平５−２５１３１８号では、デバイス
製造プロセスにおけるウエハ面内のばらつきがもたらす
線幅変動を低減するために、各フィールド毎に露光量を
変化させる方法を提案している。しかしながら、この方
法によれば、同一フィールドに図形一括方式で描画する
パターンと可変成形方式で描画するパターンとが混在し
た場合に、同等の寸法を得ることができないという課題
があった。
製造プロセスにおけるウエハ面内のばらつきがもたらす
線幅変動を低減するために、各フィールド毎に露光量を
変化させる方法を提案している。しかしながら、この方
法によれば、同一フィールドに図形一括方式で描画する
パターンと可変成形方式で描画するパターンとが混在し
た場合に、同等の寸法を得ることができないという課題
があった。
【００１４】本発明の目的は、図形一括で描画するパタ
ーンと可変成形で描画するパターンとを最適露光量で描
画する電子線描画方法を提供することにある。
ーンと可変成形で描画するパターンとを最適露光量で描
画する電子線描画方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る電子線描画方法は、電子線によって微
細パターンを形成する電子線描画方法であって、複数パ
ターンが予め形成されたマスクを用いて、電子ビームを
ショットする毎に前記複数パターンをレジストの一領域
に繰り返し形成する図形一括描画方式と、単一のパター
ンを順次ショットする可変成形方式とを併用し、それぞ
れのパターンを異なった露光量で描画するものである。
め、本発明に係る電子線描画方法は、電子線によって微
細パターンを形成する電子線描画方法であって、複数パ
ターンが予め形成されたマスクを用いて、電子ビームを
ショットする毎に前記複数パターンをレジストの一領域
に繰り返し形成する図形一括描画方式と、単一のパター
ンを順次ショットする可変成形方式とを併用し、それぞ
れのパターンを異なった露光量で描画するものである。
【００１６】また前記異なった露光量で描画する方法と
して、図形一括で描画するパターンと可変成形で描画す
るパターンとに、予めそれぞれ異なったランクを付けた
パターンデータを用いるものである。
して、図形一括で描画するパターンと可変成形で描画す
るパターンとに、予めそれぞれ異なったランクを付けた
パターンデータを用いるものである。
【００１７】また前記異なった露光量で描画する方法と
して、パターンデータが使用する図形一括アパーチャの
開口位置によって異なった露光量を割り当てるものであ
る。
して、パターンデータが使用する図形一括アパーチャの
開口位置によって異なった露光量を割り当てるものであ
る。
【００１８】
【作用】本発明によれば、図形一括で描画するパターン
と可変成形で描画するパターンとに、それぞれ異なった
露光量を設定し、各々を最適露光量で描画する。
と可変成形で描画するパターンとに、それぞれ異なった
露光量を設定し、各々を最適露光量で描画する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００２０】（実施形態１）本発明の実施形態１につい
て、図１に示すような基本繰り返し部３２が多数アレイ
展開配置されている図形一括描画領域３３と可変成形描
画領域３４とが混在しているパターンを露光する場合を
例にとって説明する。
て、図１に示すような基本繰り返し部３２が多数アレイ
展開配置されている図形一括描画領域３３と可変成形描
画領域３４とが混在しているパターンを露光する場合を
例にとって説明する。
【００２１】まず、図２に示すように、ＣＡＤデータ１
８から一定領域内に存在するパターン密度を計算する
（ステップ２０）。パターン密度は、上記一定領域の面
積に対して該領域に存在する描画パターンの総面積で定
義している。
８から一定領域内に存在するパターン密度を計算する
（ステップ２０）。パターン密度は、上記一定領域の面
積に対して該領域に存在する描画パターンの総面積で定
義している。
【００２２】次に、描画パターンが図形一括で描画され
るセル名であるか、可変成形で描画されるセル名である
かを判断し（ステップ２４）、図形一括で描画されるパ
ターンに対しては、露光量Ｄ0を設定する（ステップ２
５）。一方、可変成形で描画されるパターンに対して
は、露光量Ｄ1を設定する（ステップ２６）。
るセル名であるか、可変成形で描画されるセル名である
かを判断し（ステップ２４）、図形一括で描画されるパ
ターンに対しては、露光量Ｄ0を設定する（ステップ２
５）。一方、可変成形で描画されるパターンに対して
は、露光量Ｄ1を設定する（ステップ２６）。
【００２３】上述したような露光量設定は、図８に示す
ような電子線直描用データ３５，３６のヘッダ部に存在
するパラメータＴにそれぞれの値を書き込むことによ
り、実現可能である。図形一括セル名、および可変成形
セル名は、ＣＡＤデータ１８に定義されているセル名を
そのまま用いても良いし、またＣＡＤデータ１８から図
形一括セル、および可変成形セルとして抜き出した際に
定義したセル名であっても良い。
ような電子線直描用データ３５，３６のヘッダ部に存在
するパラメータＴにそれぞれの値を書き込むことによ
り、実現可能である。図形一括セル名、および可変成形
セル名は、ＣＡＤデータ１８に定義されているセル名を
そのまま用いても良いし、またＣＡＤデータ１８から図
形一括セル、および可変成形セルとして抜き出した際に
定義したセル名であっても良い。
【００２４】次に、これらのパターンデータを合成して
電子線直描用データ１９とし、描画を行う（ステップ２
３）。パラメータＴに設定された値は図４に示す計算機
１４で露光時間に変換され、図４の制御装置１６を通し
て図４のブランキング電極２に伝えられる。制御装置１
６は、設定された露光時間だけブランキング電極２をＯ
ＦＦにし、図形一括ビーム５０Ｂ、あるいは可変成形ビ
ーム５０Ｃを半導体ウエハ１１に照射する。
電子線直描用データ１９とし、描画を行う（ステップ２
３）。パラメータＴに設定された値は図４に示す計算機
１４で露光時間に変換され、図４の制御装置１６を通し
て図４のブランキング電極２に伝えられる。制御装置１
６は、設定された露光時間だけブランキング電極２をＯ
ＦＦにし、図形一括ビーム５０Ｂ、あるいは可変成形ビ
ーム５０Ｃを半導体ウエハ１１に照射する。
【００２５】その結果、図１に示すように、図形一括描
画領域３３に存在するパターンは露光量Ｄ0で描画さ
れ、可変成形描画領域３４に存在するパターンは露光量
Ｄ1で描画される。Ｂａｒｅ−Ｓｉ基板上に化学増幅型
ネガレジスト０．５μｍを塗布した試料においては、Ｄ
0＝２０μＣ／ｃｍ2、Ｄ1＝２２．４μＣ／ｃｍ2であっ
た。それぞれのパターンが最適露光量で描画されるた
め、出来上がりのレジスト寸法はＬ1＝Ｌ2＝０．１６μ
ｍとなった。
画領域３３に存在するパターンは露光量Ｄ0で描画さ
れ、可変成形描画領域３４に存在するパターンは露光量
Ｄ1で描画される。Ｂａｒｅ−Ｓｉ基板上に化学増幅型
ネガレジスト０．５μｍを塗布した試料においては、Ｄ
0＝２０μＣ／ｃｍ2、Ｄ1＝２２．４μＣ／ｃｍ2であっ
た。それぞれのパターンが最適露光量で描画されるた
め、出来上がりのレジスト寸法はＬ1＝Ｌ2＝０．１６μ
ｍとなった。
【００２６】（実施形態２）次に本発明の実施形態２に
ついて説明する。まず、図３に示すようにＣＡＤデータ
１８から一定領域内に存在するパターン密度を計算する
（ステップ２０）。パターン密度の定義は上記実施形態
１と同様である。
ついて説明する。まず、図３に示すようにＣＡＤデータ
１８から一定領域内に存在するパターン密度を計算する
（ステップ２０）。パターン密度の定義は上記実施形態
１と同様である。
【００２７】次に、このパターンデータを描画する場合
に用いる第２アパーチャ上の開口６Ａの位置を示すイン
ディケータ値を設定する（ステップ２７）。これは図８
に示すような電子線直描用データ３５，３６のヘッダ部
に存在するパラメータＫにそれぞれの値を書き込むこと
により、実現可能である。使用開口インディケータの値
は予め第２アパーチャ作成時に使用した図形一括セル
名、および可変成形セル名との間で対応がとられてい
る。図形一括セル名、および可変成形セル名はＣＡＤデ
ータ１８に定義されているセル名をそのまま用いても良
いし、またＣＡＤデータ１８から図形一括セル、および
可変成形セルとして抜き出した際に定義したセル名であ
っても良い。
に用いる第２アパーチャ上の開口６Ａの位置を示すイン
ディケータ値を設定する（ステップ２７）。これは図８
に示すような電子線直描用データ３５，３６のヘッダ部
に存在するパラメータＫにそれぞれの値を書き込むこと
により、実現可能である。使用開口インディケータの値
は予め第２アパーチャ作成時に使用した図形一括セル
名、および可変成形セル名との間で対応がとられてい
る。図形一括セル名、および可変成形セル名はＣＡＤデ
ータ１８に定義されているセル名をそのまま用いても良
いし、またＣＡＤデータ１８から図形一括セル、および
可変成形セルとして抜き出した際に定義したセル名であ
っても良い。
【００２８】次に、これらのパターンデータを合成して
電子線直描用データ１９とする。実際に前記データを用
いて描画する際に、開口インディケータの値を読み出
し、図形一括方式を用いるパターンの場合は露光量Ｄ0
を設定し（ステップ２５）、可変成形方式を用いるパタ
ーンの場合は露光量Ｄ1を設定し（ステップ２６）、描
画を行う（ステップ２３）。設定された露光量は、図４
に示す計算機１４で露光時間に変換され、図４の制御装
置１６を通して図４のブランキング電極２に伝えられ
る。制御装置１６は設定された露光時間だけブランキン
グ電極２をＯＦＦにし、図形一括ビーム５０Ｂ、あるい
は可変成形ビーム５０Ｃを半導体ウエハ１１に照射す
る。
電子線直描用データ１９とする。実際に前記データを用
いて描画する際に、開口インディケータの値を読み出
し、図形一括方式を用いるパターンの場合は露光量Ｄ0
を設定し（ステップ２５）、可変成形方式を用いるパタ
ーンの場合は露光量Ｄ1を設定し（ステップ２６）、描
画を行う（ステップ２３）。設定された露光量は、図４
に示す計算機１４で露光時間に変換され、図４の制御装
置１６を通して図４のブランキング電極２に伝えられ
る。制御装置１６は設定された露光時間だけブランキン
グ電極２をＯＦＦにし、図形一括ビーム５０Ｂ、あるい
は可変成形ビーム５０Ｃを半導体ウエハ１１に照射す
る。
【００２９】その結果、図１に示すように図形一括描画
領域３３に存在するパターンは露光量Ｄ0で描画され、
可変成形描画領域に存在するパターンは露光量Ｄ1で描
画される。Ｂａｒｅ−Ｓｉ基板上に化学増幅型ネガレジ
スト０．５μｍを塗布した試料においては、Ｄ0＝２０
μＣ／ｃｍ2、Ｄ1＝２２．４μＣ／ｃｍ2であった。そ
れぞれのパターンが最適露光量で描画されるため、出来
上がりのレジスト寸法はＬ1＝Ｌ2＝０．１６μｍとなっ
た。
領域３３に存在するパターンは露光量Ｄ0で描画され、
可変成形描画領域に存在するパターンは露光量Ｄ1で描
画される。Ｂａｒｅ−Ｓｉ基板上に化学増幅型ネガレジ
スト０．５μｍを塗布した試料においては、Ｄ0＝２０
μＣ／ｃｍ2、Ｄ1＝２２．４μＣ／ｃｍ2であった。そ
れぞれのパターンが最適露光量で描画されるため、出来
上がりのレジスト寸法はＬ1＝Ｌ2＝０．１６μｍとなっ
た。
【００３０】なお、上記実施形態においては、図形一括
方式を用いる場合と、可変成形方式を用いる場合とで異
なった露光量を設定したが、図形一括の開口毎に異なっ
た露光量、開口インディケータ値を設定してもよいこと
はいうまでもない。
方式を用いる場合と、可変成形方式を用いる場合とで異
なった露光量を設定したが、図形一括の開口毎に異なっ
た露光量、開口インディケータ値を設定してもよいこと
はいうまでもない。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、図
形一括で描画するパターンと可変成形で描画するパター
ンとに異なった露光量を設定するため、各々を最適露光
量で描画することができ、両描画方式で同一の寸法を得
ることができる。
形一括で描画するパターンと可変成形で描画するパター
ンとに異なった露光量を設定するため、各々を最適露光
量で描画することができ、両描画方式で同一の寸法を得
ることができる。
【図１】本発明において、図形一括領域と可変成形領域
とにおける寸法差を説明する図である。
とにおける寸法差を説明する図である。
【図２】本発明の実施形態１を説明するためのフローチ
ャートである。
ャートである。
【図３】本発明の実施形態２を説明するためのフローチ
ャートである。
ャートである。
【図４】本発明の実施形態に用いた電子線描画装置を示
す構成図である。
す構成図である。
【図５】従来技術を用いた場合の図形一括領域と可変成
形領域とにおける寸法差を説明する図である。
形領域とにおける寸法差を説明する図である。
【図６】従来技術を説明するためのフローチャートであ
る。
る。
【図７】本発明の実施形態に用いるＤＲＡＭの構成を示
す説明図である。
す説明図である。
【図８】本発明の実施形態に用いるパターンデータの構
成を示す説明図である。
成を示す説明図である。
１ 電子銃 ２ ブランキング電極 ３ 第１アパーチャー ３Ａ 第１アパーチャー開口部 ４ 成形レンズ ５ 成形偏向器 ６ 第２アパーチャー ６Ａ，６Ｂ 第２アパーチャー開口部 ７ 縮小レンズ ８ 主偏向器 ９ 副偏向器 １０ 投影レンズ １１ 半導体ウエハ １２ 試料台 １３ データバス １４ 計算機 １５ 記憶装置 １６ 制御装置 １７ 図形データ用メモリ １８ ＣＡＤデータ １９ 電子線直描用データ ２０〜２８ 処理ステップ ３０ セルアレイ部 ３１ 周辺回路部 ３２ 基本繰り返し部 ３３ 図形一括描画領域 ３４ 可変成形描画領域 ５０Ａ 矩形ビーム ５０Ｂ 図形一括ビーム ５０Ｃ 可変成形ビーム
Claims (3)
- 【請求項１】 電子線によって微細パターンを形成する
電子線描画方法であって、 複数パターンが予め形成されたマスクを用いて、電子ビ
ームをショットする毎に前記複数パターンをレジストの
一領域に繰り返し形成する図形一括描画方式と、単一の
パターンを順次ショットする可変成形方式とを併用し、
それぞれのパターンを異なった露光量で描画することを
特徴とする電子線描画方法。 - 【請求項２】 前記異なった露光量で描画する方法とし
て、図形一括で描画するパターンと可変成形で描画する
パターンとに、予めそれぞれ異なったランクを付けたパ
ターンデータを用いることを特徴とする請求項１に記載
の電子線描画方法。 - 【請求項３】 前記異なった露光量で描画する方法とし
て、パターンデータが使用する図形一括アパーチャの開
口位置によって異なった露光量を割り当てることを特徴
とする請求項１に記載の電子線描画方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9092092A JPH10284385A (ja) | 1997-04-10 | 1997-04-10 | 電子線描画方法 |
| US09/055,755 US6211528B1 (en) | 1997-04-10 | 1998-04-07 | Electron beam drawing method in which cell projection manner and variably shaped beam manner are used in combination |
| KR1019980012553A KR100273855B1 (ko) | 1997-04-10 | 1998-04-09 | 셀 투영 방식 및 가변 성형 빔 방식을 병용하는 전자 빔 제도방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9092092A JPH10284385A (ja) | 1997-04-10 | 1997-04-10 | 電子線描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284385A true JPH10284385A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=14044812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9092092A Pending JPH10284385A (ja) | 1997-04-10 | 1997-04-10 | 電子線描画方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6211528B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10284385A (ja) |
| KR (1) | KR100273855B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7368737B2 (en) | 2005-04-26 | 2008-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electron beam writing method, electron beam writing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6376847B1 (en) * | 1998-08-24 | 2002-04-23 | Matsushia Electric Industrial Co., Ltd. | Charged particle lithography method and system |
| JP2000173897A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 露光精度制御方法、装置および記録媒体 |
| JPWO2002103765A1 (ja) * | 2001-06-18 | 2004-10-07 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、半導体素子製造方法、及び電子ビーム形状測定方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2907527B2 (ja) | 1990-11-09 | 1999-06-21 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光装置および露光方法 |
| JPH05251318A (ja) | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画によるパターン形成方法 |
| JPH07142360A (ja) | 1993-11-22 | 1995-06-02 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置及び描画方法 |
| JP3082662B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | 荷電ビーム露光装置および露光方法 |
-
1997
- 1997-04-10 JP JP9092092A patent/JPH10284385A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-07 US US09/055,755 patent/US6211528B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-09 KR KR1019980012553A patent/KR100273855B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7368737B2 (en) | 2005-04-26 | 2008-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electron beam writing method, electron beam writing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6211528B1 (en) | 2001-04-03 |
| KR100273855B1 (ko) | 2001-01-15 |
| KR19980081227A (ko) | 1998-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59208719A (ja) | 粒子ビ−ム装置における集積回路製造方法 | |
| JP2006294794A (ja) | 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光方法 | |
| JP4570400B2 (ja) | 露光データ作成方法及び露光データ作成装置 | |
| JP3930411B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 | |
| JP2785811B2 (ja) | 電子線露光装置用露光マスクデータの作成方法および電子線露光装置用マスク | |
| JPH09199389A (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| JP2647000B2 (ja) | 電子ビームの露光方法 | |
| JPH1140475A (ja) | 露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体 | |
| JPH10284385A (ja) | 電子線描画方法 | |
| JP2874688B2 (ja) | マスク及びそれを用いた電子線露光方法 | |
| JPH1167648A (ja) | 荷電粒子線描画用のパターンデータ作成方法 | |
| JP3146996B2 (ja) | マスクパターンの加工処理方法及び電子線露光装置用マスク | |
| KR20010051381A (ko) | 부분 일괄 전사 노광용 마스크 데이터 작성 방법, 및 노광방법 | |
| US6352802B1 (en) | Mask for electron beam exposure and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
| JP2008244196A (ja) | 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体 | |
| JP2756202B2 (ja) | 露光データの生成方法、露光方法及び露光データの生成装置 | |
| JP3353766B2 (ja) | パターンデータ処理方法及びプログラムを記憶した記憶媒体 | |
| JP2004281508A (ja) | 荷電ビーム描画データ作成方法と荷電ビーム描画方法及び荷電ビーム描画データ作成用プログラム | |
| JP4876299B2 (ja) | フォトマスクパタンデータ作成方法 | |
| JP5357530B2 (ja) | 描画用データの処理方法、描画方法、及び描画装置 | |
| JP2001035770A (ja) | 図形一括電子線露光用データ処理方法及び電子線露光方法 | |
| JPH1064794A (ja) | 電子ビーム露光補正方法 | |
| JP3366686B2 (ja) | 光露光用マスクの検査方法 | |
| JP3191710B2 (ja) | 図形一括電子線描画用マスク及び図形一括電子線描画用マスク作成方法並びに図形一括電子線描画装置 | |
| JP2000208409A (ja) | 電子線描画用デ―タの処理方法、電子線露光用マスク及び記録媒体 |