JPH10284672A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH10284672A JPH10284672A JP9086232A JP8623297A JPH10284672A JP H10284672 A JPH10284672 A JP H10284672A JP 9086232 A JP9086232 A JP 9086232A JP 8623297 A JP8623297 A JP 8623297A JP H10284672 A JPH10284672 A JP H10284672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- downset
- inner lead
- parts
- semiconductor device
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/853—On the same surface
- H10W72/865—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ダウンセット加工部のダウンセット量が規定の
量より深めに加工された場合には、ワイヤボンディング
工程においてインナーリードが半導体チップを治具に押
し付けるため、インナーリードのダウンセット加工部に
望ましくない傾きを与える。 【解決手段】インナーリード１のダウンセット加工部１
０にインナーリード１の幅方向に対してくびれ２１を形
成してダウンセット加工部１０の変形力を他の部分より
小さくした。
量より深めに加工された場合には、ワイヤボンディング
工程においてインナーリードが半導体チップを治具に押
し付けるため、インナーリードのダウンセット加工部に
望ましくない傾きを与える。 【解決手段】インナーリード１のダウンセット加工部１
０にインナーリード１の幅方向に対してくびれ２１を形
成してダウンセット加工部１０の変形力を他の部分より
小さくした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ（以
下、ＩＣという）を搭載するための半導体装置用リード
フレームに関し、特に、ボンディングワイヤの断裂やボ
ンディングワイヤとインナーリードの接合性の低下等の
ワイヤボンディング工程に与える影響を低減させること
ができる半導体装置用リードフレームに関するものであ
る。
下、ＩＣという）を搭載するための半導体装置用リード
フレームに関し、特に、ボンディングワイヤの断裂やボ
ンディングワイヤとインナーリードの接合性の低下等の
ワイヤボンディング工程に与える影響を低減させること
ができる半導体装置用リードフレームに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣパッケージではリードフレー
ムの中央部にアイランドと呼ばれる平坦部が設けられ、
このアンランドに半導体チップが搭載される。このた
め、ＩＣパッケージのサイズは、半導体チップのサイズ
に対して大きくならざるを得ない。ところが、近年の携
帯用電子機器の普及あるいは需要の増大に伴い、このよ
うな電子機器に用いられるＩＣパッケージも小型化する
ことが要請されている。この要請に対応するために、リ
ードフレームにおけるインナーリードの先端部に傾斜し
たダウンセット加工部を形成し、ワイヤボンディング面
と反対側の面に絶縁性接着フィルムによって半導体チッ
プを接着するようにしてＩＣパッケージの小型化を図っ
たＬＯＣ（Lead on Chip) 構造の半導体装置用リードフ
レームが用いられている。
ムの中央部にアイランドと呼ばれる平坦部が設けられ、
このアンランドに半導体チップが搭載される。このた
め、ＩＣパッケージのサイズは、半導体チップのサイズ
に対して大きくならざるを得ない。ところが、近年の携
帯用電子機器の普及あるいは需要の増大に伴い、このよ
うな電子機器に用いられるＩＣパッケージも小型化する
ことが要請されている。この要請に対応するために、リ
ードフレームにおけるインナーリードの先端部に傾斜し
たダウンセット加工部を形成し、ワイヤボンディング面
と反対側の面に絶縁性接着フィルムによって半導体チッ
プを接着するようにしてＩＣパッケージの小型化を図っ
たＬＯＣ（Lead on Chip) 構造の半導体装置用リードフ
レームが用いられている。
【０００３】図３は、このＬＯＣ構造の半導体装置用リ
ードフレームの構造を示す。図に示すように、ダウンセ
ット加工部１０が形成されたインナーリード１のボンデ
ィング面１１の反対面に接着性のある絶縁性フィルム２
を設けて半導体チップ５を接着し、インナーリード１を
治具３により位置決めしながら半導体チップ５を治具４
に載置し、インナーリード１のボンディング面１１と半
導体チップ５をボンディングワイヤ６で接合する。
ードフレームの構造を示す。図に示すように、ダウンセ
ット加工部１０が形成されたインナーリード１のボンデ
ィング面１１の反対面に接着性のある絶縁性フィルム２
を設けて半導体チップ５を接着し、インナーリード１を
治具３により位置決めしながら半導体チップ５を治具４
に載置し、インナーリード１のボンディング面１１と半
導体チップ５をボンディングワイヤ６で接合する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＬＯＣ構造の半導体装置用リードフレームによると、ダ
ウンセット加工部１０のダウンセット量が規定の量より
深めに加工された場合には、ワイヤボンディング工程に
おいてインナーリード１が半導体チップ５を治具４に押
し付けるため、インナーリード１のダウンセット加工部
１０に望ましくない傾きを与える。
ＬＯＣ構造の半導体装置用リードフレームによると、ダ
ウンセット加工部１０のダウンセット量が規定の量より
深めに加工された場合には、ワイヤボンディング工程に
おいてインナーリード１が半導体チップ５を治具４に押
し付けるため、インナーリード１のダウンセット加工部
１０に望ましくない傾きを与える。
【０００５】即ち、ダウンセット量が深めであると、半
導体チップ５がワイヤボンディングの際に治具（金型）
４に押し付けられることとなり、インナーリード１の先
端部を押し上げ、ダウンセット加工部１０に傾きを生じ
させる力が働く。傾きが生じた場合には、例えば、図４
に示すように、ボンディングワイヤ６を供給するキャピ
ラリ７とインナーリード１のダウンセット加工部１０が
接触してボンディングワイヤ６が断裂したり、図５に示
すように、キャピラリ７とインナーリード１の先端部と
の間に規定よりも大きな間隔が生じてしまい、ボンディ
ングワイヤ６とインナーリード１との接合性が低下する
などワイヤボンディングに重大な影響を与える。
導体チップ５がワイヤボンディングの際に治具（金型）
４に押し付けられることとなり、インナーリード１の先
端部を押し上げ、ダウンセット加工部１０に傾きを生じ
させる力が働く。傾きが生じた場合には、例えば、図４
に示すように、ボンディングワイヤ６を供給するキャピ
ラリ７とインナーリード１のダウンセット加工部１０が
接触してボンディングワイヤ６が断裂したり、図５に示
すように、キャピラリ７とインナーリード１の先端部と
の間に規定よりも大きな間隔が生じてしまい、ボンディ
ングワイヤ６とインナーリード１との接合性が低下する
などワイヤボンディングに重大な影響を与える。
【０００６】
【発明の目的】従って、本発明の目的は、ボンディング
ワイヤの断裂やボンディングワイヤとインナーリードの
接合性の低下等のワイヤボンディング工程に与える影響
を低減させることができる半導体装置用リードフレーム
を提供することにある。
ワイヤの断裂やボンディングワイヤとインナーリードの
接合性の低下等のワイヤボンディング工程に与える影響
を低減させることができる半導体装置用リードフレーム
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、インナーリードの先端部にダウンセット
加工部を形成して前記先端部を半導体チップにボンディ
ングしてなる半導体装置用リードフレームにおいて、前
記ダウンセット加工部は、前記先端部の他の部分より変
形が容易な変形容易部が形成されていることを特徴とす
る半導体装置用リードフレームを提供するものである。
成するために、インナーリードの先端部にダウンセット
加工部を形成して前記先端部を半導体チップにボンディ
ングしてなる半導体装置用リードフレームにおいて、前
記ダウンセット加工部は、前記先端部の他の部分より変
形が容易な変形容易部が形成されていることを特徴とす
る半導体装置用リードフレームを提供するものである。
【０００８】この場合、前記変形容易部は、前記インナ
ーリードの幅方向に形成されたくびれであることが望ま
しく、また、前記インナーリードの板厚方向に形成され
たくびれであることが望ましい。
ーリードの幅方向に形成されたくびれであることが望ま
しく、また、前記インナーリードの板厚方向に形成され
たくびれであることが望ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照しながら詳細に説明する。
図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】図１（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明の
実施の形態に係る半導体装置用リードフレームを示す。
図３と同一の部分には同一の引用数字，符号を付したの
で重複する説明は省略するが、この実施の形態では、図
１（ｃ）に一部拡大して示したように、インナーリード
１のダウンセット加工部１０にインナーリード１の幅方
向に対してくびれ２１を形成してダウンセット加工部１
０の変形力を他の部分より小さくした点において従来の
ＬＯＣ構造の半導体装置用リードフレームと異なる。
実施の形態に係る半導体装置用リードフレームを示す。
図３と同一の部分には同一の引用数字，符号を付したの
で重複する説明は省略するが、この実施の形態では、図
１（ｃ）に一部拡大して示したように、インナーリード
１のダウンセット加工部１０にインナーリード１の幅方
向に対してくびれ２１を形成してダウンセット加工部１
０の変形力を他の部分より小さくした点において従来の
ＬＯＣ構造の半導体装置用リードフレームと異なる。
【００１１】この半導体装置用リードフレームによる
と、ダウンセット量が深めの場合、半導体チップ５が治
具４に押し付けられ、インナーリード１のダウンセット
加工部１０を押し上げて傾きを生じさせる力が働こうと
するが、ダウンセット加工部１０にインナーリード１の
幅方向に対して形成されたくびれ２１が変形を起こし、
ダウンセット加工部１０を板厚方向へ押し上げて傾かせ
ようとする力を吸収し、それによってインナーリード１
のボンディング面１１の傾きを抑制する。
と、ダウンセット量が深めの場合、半導体チップ５が治
具４に押し付けられ、インナーリード１のダウンセット
加工部１０を押し上げて傾きを生じさせる力が働こうと
するが、ダウンセット加工部１０にインナーリード１の
幅方向に対して形成されたくびれ２１が変形を起こし、
ダウンセット加工部１０を板厚方向へ押し上げて傾かせ
ようとする力を吸収し、それによってインナーリード１
のボンディング面１１の傾きを抑制する。
【００１２】図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明の
実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの他の例
を示す。図１（ａ），（ｂ），（ｃ）と同一の部分には
同一の引用数字，符号を付したので重複する説明は省略
するが、この例によると、図２（ｃ）に一部拡大して示
したように、インナーリード１のダウンセット加工部１
０にインナーリード１の板厚方向に対してくびれ２２を
形成した点に特徴がある。
実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの他の例
を示す。図１（ａ），（ｂ），（ｃ）と同一の部分には
同一の引用数字，符号を付したので重複する説明は省略
するが、この例によると、図２（ｃ）に一部拡大して示
したように、インナーリード１のダウンセット加工部１
０にインナーリード１の板厚方向に対してくびれ２２を
形成した点に特徴がある。
【００１３】この半導体装置用リードフレームによれ
ば、図１に示した半導体装置用リードフレームと同様
に、くびれ２２が形成されたインナーリード１のダウン
セット加工部１０が変形を起こして、ダウンセット加工
部１０を板厚方向へ押し上げて傾かせようとする力を吸
収し、インナーリード１のボンディング面１１の傾きを
抑制する。
ば、図１に示した半導体装置用リードフレームと同様
に、くびれ２２が形成されたインナーリード１のダウン
セット加工部１０が変形を起こして、ダウンセット加工
部１０を板厚方向へ押し上げて傾かせようとする力を吸
収し、インナーリード１のボンディング面１１の傾きを
抑制する。
【００１４】以上の実施の形態において、ダウンセット
加工部に設けられたインナーリードの幅方向のくびれ
は、リードフレームの打ち抜きと同時に形成することが
できる。また、板厚方向のくびれは、切削，エッチング
等によって形成することができる。ただし、ダウンセッ
ト加工部に形成される変形容易な構造はこれに限定され
るものではない。
加工部に設けられたインナーリードの幅方向のくびれ
は、リードフレームの打ち抜きと同時に形成することが
できる。また、板厚方向のくびれは、切削，エッチング
等によって形成することができる。ただし、ダウンセッ
ト加工部に形成される変形容易な構造はこれに限定され
るものではない。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体装置
用リードフレームによれば、ダウンセット加工部に、イ
ンナーリード先端部の他の部分より変形が容易な変形容
易部を形成するようにしたので、ボンディングワイヤの
断裂やボンディングワイヤとインナーリードの接合性の
低下等のワイヤボンディング工程に与える影響を低減さ
せることができる。
用リードフレームによれば、ダウンセット加工部に、イ
ンナーリード先端部の他の部分より変形が容易な変形容
易部を形成するようにしたので、ボンディングワイヤの
断裂やボンディングワイヤとインナーリードの接合性の
低下等のワイヤボンディング工程に与える影響を低減さ
せることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置用リード
フレームを示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）はその平
面図、（ｃ）はダウンセット加工部の一部拡大図であ
る。
フレームを示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）はその平
面図、（ｃ）はダウンセット加工部の一部拡大図であ
る。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置用リード
フレームの他の例を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）
はその平面図、（ｃ）はダウンセット加工部の一部拡大
図である。
フレームの他の例を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）
はその平面図、（ｃ）はダウンセット加工部の一部拡大
図である。
【図３】従来の半導体装置用リードフレームを示す図で
ある。
ある。
【図４】従来の半導体装置用リードフレームの問題点を
示す図であり、ワイヤボンディング工程においてボンデ
ィング面が傾斜してボンディングワイヤが断裂する状態
を示す。
示す図であり、ワイヤボンディング工程においてボンデ
ィング面が傾斜してボンディングワイヤが断裂する状態
を示す。
【図５】従来の半導体装置用リードフレームの問題点を
示す図であり、ワイヤボンディング工程においてボンデ
ィング面が傾斜してボンディングワイヤとインナーリー
ドの接合性が低下する状態を示す。
示す図であり、ワイヤボンディング工程においてボンデ
ィング面が傾斜してボンディングワイヤとインナーリー
ドの接合性が低下する状態を示す。
１ インナーリード ２ 絶縁性フィルム ３ 治具 ４ 治具 ５ 半導体チップ ６ ボンディングワイヤ １０ ダウンセット加工部 １１ ボンディング面 ２１ くびれ ２２ くびれ
Claims (3)
- 【請求項１】インナーリードの先端部にダウンセット加
工部を形成して前記先端部を半導体チップにボンディン
グしてなる半導体装置用リードフレームにおいて、 前記ダウンセット加工部は、前記先端部の他の部分より
変形が容易な変形容易部が形成されていることを特徴と
する半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】前記変形容易部は、前記インナーリードの
幅方向に形成されたくびれである請求項１に記載の半導
体装置用リードフレーム。 - 【請求項３】前記変形容易部は、前記インナーリードの
板厚方向に形成されたくびれである請求項１に記載の半
導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9086232A JPH10284672A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9086232A JPH10284672A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284672A true JPH10284672A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=13881056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9086232A Pending JPH10284672A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10284672A (ja) |
-
1997
- 1997-04-04 JP JP9086232A patent/JPH10284672A/ja active Pending
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