JPH10289859A - 走査露光方法及び装置 - Google Patents
走査露光方法及び装置Info
- Publication number
- JPH10289859A JPH10289859A JP9098755A JP9875597A JPH10289859A JP H10289859 A JPH10289859 A JP H10289859A JP 9098755 A JP9098755 A JP 9098755A JP 9875597 A JP9875597 A JP 9875597A JP H10289859 A JPH10289859 A JP H10289859A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- optical system
- projection optical
- inclination angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光対象の基板の走り面と投影光学系の像面
とが平行でない場合であっても、その基板の表面を像面
に高精度に合わせ込んで露光を行う。 【解決手段】 多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂによって
照野フィールド３内の検出点、及び照野フィールド３に
対して走査方向に手前側の先読み領域内の検出点でウエ
ハＷの表面のフォーカス位置を検出する。更に、レーザ
干渉計１６ＸからウエハＷが載置される試料台１１の移
動鏡１５ＸにＺ方向の間隔Ｄでレーザビーム１７Ｘ，１
８Ｘを照射し、レーザビーム１７Ｘ，１８Ｘによって計
測されるＸ座標の差分を間隔Ｄで除算して移動鏡１５Ｘ
の回転角、ひいては試料台１１の走り面１４ａの傾斜角
を検出する。この傾斜角に基づいて先読みされたフォー
カス位置を補正した値に基づいて、ウエハＷの表面を投
影光学系ＰＬの像面に合わせ込んで走査露光を行う。
とが平行でない場合であっても、その基板の表面を像面
に高精度に合わせ込んで露光を行う。 【解決手段】 多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂによって
照野フィールド３内の検出点、及び照野フィールド３に
対して走査方向に手前側の先読み領域内の検出点でウエ
ハＷの表面のフォーカス位置を検出する。更に、レーザ
干渉計１６ＸからウエハＷが載置される試料台１１の移
動鏡１５ＸにＺ方向の間隔Ｄでレーザビーム１７Ｘ，１
８Ｘを照射し、レーザビーム１７Ｘ，１８Ｘによって計
測されるＸ座標の差分を間隔Ｄで除算して移動鏡１５Ｘ
の回転角、ひいては試料台１１の走り面１４ａの傾斜角
を検出する。この傾斜角に基づいて先読みされたフォー
カス位置を補正した値に基づいて、ウエハＷの表面を投
影光学系ＰＬの像面に合わせ込んで走査露光を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、撮像素子（ＣＣＤ等）、液晶表示素子、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのリソグラフィ工程でマスク
パターンを感光性の基板上に転写するための露光方法及
び露光装置に関し、更に詳しくはマスク及び基板を投影
光学系に対して同期して移動することによりマスクパタ
ーンを基板上に転写する所謂ステップ・アンド・スキャ
ン方式等の走査露光方法及び走査露光装置に関する。
子、撮像素子（ＣＣＤ等）、液晶表示素子、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのリソグラフィ工程でマスク
パターンを感光性の基板上に転写するための露光方法及
び露光装置に関し、更に詳しくはマスク及び基板を投影
光学系に対して同期して移動することによりマスクパタ
ーンを基板上に転写する所謂ステップ・アンド・スキャ
ン方式等の走査露光方法及び走査露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイス等の一層の微細
化、及びチップ面積の拡大に伴って、マスクとしてのレ
チクルとフォトレジストが塗布されたウエハとを投影光
学系に対して同期して移動することにより、投影光学系
の有効フィールドより広い範囲のショット領域への露光
が可能なステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装
置が注目されている。この種の投影露光装置において
は、解像度を高めるためにエキシマレーザ光のようによ
り短波長の露光光が使用され、投影光学系の開口数（N.
A.）も大きくなっているのに応じて、焦点深度、ひいて
はオートフォーカス方式でウエハの表面を像面に合わせ
込む際の許容範囲（フォーカスマージン）が狭くなって
いる。
化、及びチップ面積の拡大に伴って、マスクとしてのレ
チクルとフォトレジストが塗布されたウエハとを投影光
学系に対して同期して移動することにより、投影光学系
の有効フィールドより広い範囲のショット領域への露光
が可能なステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装
置が注目されている。この種の投影露光装置において
は、解像度を高めるためにエキシマレーザ光のようによ
り短波長の露光光が使用され、投影光学系の開口数（N.
A.）も大きくなっているのに応じて、焦点深度、ひいて
はオートフォーカス方式でウエハの表面を像面に合わせ
込む際の許容範囲（フォーカスマージン）が狭くなって
いる。
【０００３】更に、ステップ・アンド・スキャン方式の
ような走査露光型の投影露光装置（走査露光装置）で
は、レチクルのパターンの一部の投影領域（以下、「照
野フィールド」と呼ぶ）に対してウエハの表面が連続的
に走査されているため、一括露光型の投影露光装置（ス
テッパ等）のように、照野フィールド内のみでウエハの
表面を像面に合わせ込むのでは、ウエハの表面（ウエハ
面）の凹凸が大きいような場合にはデフォーカスが発生
する恐れがある。そこで、従来よりステップ・アンド・
スキャン方式の投影露光装置では、その照野フィールド
内の所定の検出点の他に、その照野フィールドに対して
走査方向に手前側の先読み領域内でもウエハ面のフォー
カス位置（投影光学系の光軸方向の位置）を先読みし、
これらのフォーカス位置の情報に基づいてその照野フィ
ールド内のウエハ面を像面に合わせ込む方式が提案され
ている。
ような走査露光型の投影露光装置（走査露光装置）で
は、レチクルのパターンの一部の投影領域（以下、「照
野フィールド」と呼ぶ）に対してウエハの表面が連続的
に走査されているため、一括露光型の投影露光装置（ス
テッパ等）のように、照野フィールド内のみでウエハの
表面を像面に合わせ込むのでは、ウエハの表面（ウエハ
面）の凹凸が大きいような場合にはデフォーカスが発生
する恐れがある。そこで、従来よりステップ・アンド・
スキャン方式の投影露光装置では、その照野フィールド
内の所定の検出点の他に、その照野フィールドに対して
走査方向に手前側の先読み領域内でもウエハ面のフォー
カス位置（投影光学系の光軸方向の位置）を先読みし、
これらのフォーカス位置の情報に基づいてその照野フィ
ールド内のウエハ面を像面に合わせ込む方式が提案され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く従来のステ
ップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置では、ウエ
ハ面の凹凸に追従するため、フォーカス位置の先読みを
行っている。そのようにフォーカス位置を検出する際の
基準面は、投影光学系の像面（ベストフォーカス位置）
であり、各検出点においてその像面からのデフォーカス
量が検出される。この場合、ウエハを載置して移動する
ステージの走り面がその像面に平行である場合には、検
出されるデフォーカス量をそのまま使用することによっ
て、高精度に合焦を行うことができる。
ップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置では、ウエ
ハ面の凹凸に追従するため、フォーカス位置の先読みを
行っている。そのようにフォーカス位置を検出する際の
基準面は、投影光学系の像面（ベストフォーカス位置）
であり、各検出点においてその像面からのデフォーカス
量が検出される。この場合、ウエハを載置して移動する
ステージの走り面がその像面に平行である場合には、検
出されるデフォーカス量をそのまま使用することによっ
て、高精度に合焦を行うことができる。
【０００５】しかしながら、その走り面が像面に平行で
ない場合には、先読み領域内の検出点で検出されたデフ
ォーカス量に基づいて合焦を行っても、その走り面の像
面に対する傾斜角に応じたオフセットが生じるため、ウ
エハ面が正確に像面に合わせ込まれない恐れがある。こ
れに関して、通常はその先読み領域の他に照野フィール
ド内でもフォーカス位置の検出が行われており、ウエハ
面の最終的な位置はその照野フィールド内でのフォーカ
ス位置の検出結果に基づいて設定されるため、その走り
面の像面に対する傾斜角が小さい場合には、ウエハ面を
像面に追従させることが可能である。ところが、その傾
斜角が大きい場合、又はウエハ面の凹凸が大きいような
場合には、オートフォーカス機構の追従速度によっては
デフォーカスが生ずる恐れがあった。
ない場合には、先読み領域内の検出点で検出されたデフ
ォーカス量に基づいて合焦を行っても、その走り面の像
面に対する傾斜角に応じたオフセットが生じるため、ウ
エハ面が正確に像面に合わせ込まれない恐れがある。こ
れに関して、通常はその先読み領域の他に照野フィール
ド内でもフォーカス位置の検出が行われており、ウエハ
面の最終的な位置はその照野フィールド内でのフォーカ
ス位置の検出結果に基づいて設定されるため、その走り
面の像面に対する傾斜角が小さい場合には、ウエハ面を
像面に追従させることが可能である。ところが、その傾
斜角が大きい場合、又はウエハ面の凹凸が大きいような
場合には、オートフォーカス機構の追従速度によっては
デフォーカスが生ずる恐れがあった。
【０００６】本発明は斯かる点に鑑み、ウエハ等の露光
対象の基板の走り面と投影光学系の像面とが平行でない
場合であっても、その基板の表面を像面に高精度に合わ
せ込んで露光を行うことができる走査露光方法を提供す
ることを目的とする。更に本発明は、そのような走査露
光方法を実施できる走査露光装置を提供することをも目
的とする。
対象の基板の走り面と投影光学系の像面とが平行でない
場合であっても、その基板の表面を像面に高精度に合わ
せ込んで露光を行うことができる走査露光方法を提供す
ることを目的とする。更に本発明は、そのような走査露
光方法を実施できる走査露光装置を提供することをも目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による走査露光方
法は、マスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを同期して移動する
ことにより、そのマスクのパターンの像を投影光学系
（ＰＬ）を介してその基板上に露光する走査露光方法に
おいて、その基板上で投影光学系（ＰＬ）による露光領
域（３）に対して走査方向に手前側の先読み領域（２１
Ｆ，２１Ｂ）内で投影光学系（ＰＬ）の光軸方向の位置
（フォーカス位置）を検出すると共に、その基板の走査
方向への走り面の傾斜角を検出し、このように検出され
る傾斜角に基づいて先読み領域（２１Ｆ，２１Ｂ）内で
検出されるその光軸方向の位置を補正し、この補正結果
に基づいてその基板の表面を投影光学系（ＰＬ）の像面
に合わせ込むものである。
法は、マスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを同期して移動する
ことにより、そのマスクのパターンの像を投影光学系
（ＰＬ）を介してその基板上に露光する走査露光方法に
おいて、その基板上で投影光学系（ＰＬ）による露光領
域（３）に対して走査方向に手前側の先読み領域（２１
Ｆ，２１Ｂ）内で投影光学系（ＰＬ）の光軸方向の位置
（フォーカス位置）を検出すると共に、その基板の走査
方向への走り面の傾斜角を検出し、このように検出され
る傾斜角に基づいて先読み領域（２１Ｆ，２１Ｂ）内で
検出されるその光軸方向の位置を補正し、この補正結果
に基づいてその基板の表面を投影光学系（ＰＬ）の像面
に合わせ込むものである。
【０００８】斯かる本発明によれば、例えば図５に示す
ように、その基板の露光領域（３）に対する移動方向が
矢印（３２）で示す方向であるとして、その基板の走り
面（１４ａ）の像面（３１）に対する傾斜角をΔθ（ｒ
ａｄ）、その移動方向での先読み領域（２１Ｆ）と露光
領域（３）内の所定の基準点、例えば中心との距離をＬ
とすると、先読み領域（２１Ｆ）内のフォーカス位置の
像面からのオフセット量ΔＺはほぼ次のようになる。な
お、その走り面（１４ａ）が像面（３１）より低い位置
にある状態で、その基板の移動方向でその走り面が像面
に次第に近付くときの傾斜角Δθの符号を正とする。
ように、その基板の露光領域（３）に対する移動方向が
矢印（３２）で示す方向であるとして、その基板の走り
面（１４ａ）の像面（３１）に対する傾斜角をΔθ（ｒ
ａｄ）、その移動方向での先読み領域（２１Ｆ）と露光
領域（３）内の所定の基準点、例えば中心との距離をＬ
とすると、先読み領域（２１Ｆ）内のフォーカス位置の
像面からのオフセット量ΔＺはほぼ次のようになる。な
お、その走り面（１４ａ）が像面（３１）より低い位置
にある状態で、その基板の移動方向でその走り面が像面
に次第に近付くときの傾斜角Δθの符号を正とする。
【０００９】ΔＺ＝Ｌ・Δθ （１） そこで、或る時点でその先読み領域内にある基板の表面
の位置Ｐで検出されるデフォーカス量をΔＦとすると、
その位置Ｐが露光領域（３）の中心に来たときの実際の
デフォーカス量は（ΔＦ＋ΔＺ）となるため、この（Δ
Ｆ＋ΔＺ）分だけその基板のフォーカス位置を補正すれ
ばよいことになる。これによって、走り面と像面とが平
行でない場合でも、その基板の表面が高精度に像面に合
わせ込まれて走査露光が行われる。
の位置Ｐで検出されるデフォーカス量をΔＦとすると、
その位置Ｐが露光領域（３）の中心に来たときの実際の
デフォーカス量は（ΔＦ＋ΔＺ）となるため、この（Δ
Ｆ＋ΔＺ）分だけその基板のフォーカス位置を補正すれ
ばよいことになる。これによって、走り面と像面とが平
行でない場合でも、その基板の表面が高精度に像面に合
わせ込まれて走査露光が行われる。
【００１０】この際に、その基板の表面のフォーカス位
置を像面（ベストフォーカス位置）に合わせ込むオート
フォーカス制御の他に、検出されるフォーカス位置の分
布に基づいてその基板の表面の傾斜角を像面に平行にす
るオートレベリング制御を加えてもよい。また、例えば
検出されるフォーカス位置の分布に基づくオートレベリ
ング制御を行わない場合であっても、その走り面の検出
される傾斜角に基づいてその基板（Ｗ）の傾斜角の補正
（レベリング制御）を行うようにしてもよい。即ち、例
えば走り面が走査方向においてうねっているような場合
には、その基板が走査方向に沿った或る位置に有るとき
にその露光領域（３）内でのその基板の表面の傾斜角を
像面に平行にしておいても、その基板の位置が変化する
とその基板の表面が像面に平行でなくなる。そこで、検
出される走り面の傾斜角を相殺するようにその基板の表
面の傾きを補正することによって、容易に実質的なオー
トレベリング制御も行われる。
置を像面（ベストフォーカス位置）に合わせ込むオート
フォーカス制御の他に、検出されるフォーカス位置の分
布に基づいてその基板の表面の傾斜角を像面に平行にす
るオートレベリング制御を加えてもよい。また、例えば
検出されるフォーカス位置の分布に基づくオートレベリ
ング制御を行わない場合であっても、その走り面の検出
される傾斜角に基づいてその基板（Ｗ）の傾斜角の補正
（レベリング制御）を行うようにしてもよい。即ち、例
えば走り面が走査方向においてうねっているような場合
には、その基板が走査方向に沿った或る位置に有るとき
にその露光領域（３）内でのその基板の表面の傾斜角を
像面に平行にしておいても、その基板の位置が変化する
とその基板の表面が像面に平行でなくなる。そこで、検
出される走り面の傾斜角を相殺するようにその基板の表
面の傾きを補正することによって、容易に実質的なオー
トレベリング制御も行われる。
【００１１】また、本発明による走査露光装置は、マス
ク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを同期して移動することによ
り、マスク（Ｒ）のパターンの像を投影光学系（ＰＬ）
を介して基板（Ｗ）上の各ショット領域に露光する走査
露光装置において、その基板上の投影光学系（ＰＬ）の
露光領域（３）に対して走査方向に手前側の先読み領域
（２１Ｆ，２１Ｂ）で投影光学系（ＰＬ）の光軸方向の
位置（フォーカス位置）を検出するフォーカス位置検出
系（１９Ａ，１９Ｂ）と、その基板を載置してその基板
表面の面位置を設定するステージ（１１，１２Ａ〜１２
Ｃ，１３）と、このステージの走り面（１４ａ）の傾斜
角を検出する傾斜角検出系（１５Ｘ，１６Ｘ，２０）
と、その基板の走査露光中にその傾斜角検出系、及びそ
のフォーカス位置検出系の検出結果に基づいてそのステ
ージを制御する制御系（８）と、を有するものである。
ク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを同期して移動することによ
り、マスク（Ｒ）のパターンの像を投影光学系（ＰＬ）
を介して基板（Ｗ）上の各ショット領域に露光する走査
露光装置において、その基板上の投影光学系（ＰＬ）の
露光領域（３）に対して走査方向に手前側の先読み領域
（２１Ｆ，２１Ｂ）で投影光学系（ＰＬ）の光軸方向の
位置（フォーカス位置）を検出するフォーカス位置検出
系（１９Ａ，１９Ｂ）と、その基板を載置してその基板
表面の面位置を設定するステージ（１１，１２Ａ〜１２
Ｃ，１３）と、このステージの走り面（１４ａ）の傾斜
角を検出する傾斜角検出系（１５Ｘ，１６Ｘ，２０）
と、その基板の走査露光中にその傾斜角検出系、及びそ
のフォーカス位置検出系の検出結果に基づいてそのステ
ージを制御する制御系（８）と、を有するものである。
【００１２】斯かる本発明によれば、その傾斜角検出系
の検出結果に基づいて、本発明の走査露光方法が実施で
きる。この場合、その傾斜角検出系の一例は、そのステ
ージに対して投影光学系（ＰＬ）の像面に垂直な方向に
所定間隔だけ離れた光ビーム（１７Ｘ，１８Ｘ）を照射
する２軸の干渉計（１６Ｘ）と、この２軸の干渉計の計
測値の差分より傾斜角を算出する演算系（２０）と、を
有するものである。これによって、容易にその走り面の
傾斜角が算出される。
の検出結果に基づいて、本発明の走査露光方法が実施で
きる。この場合、その傾斜角検出系の一例は、そのステ
ージに対して投影光学系（ＰＬ）の像面に垂直な方向に
所定間隔だけ離れた光ビーム（１７Ｘ，１８Ｘ）を照射
する２軸の干渉計（１６Ｘ）と、この２軸の干渉計の計
測値の差分より傾斜角を算出する演算系（２０）と、を
有するものである。これによって、容易にその走り面の
傾斜角が算出される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
につき図面を参照して説明する。本例は、ステップ・ア
ンド・スキャン方式の投影露光装置で露光を行う場合に
本発明を適用したものである。図１は、本例の投影露光
装置を示し、この図１において露光時には、光源、フラ
イアイレンズ、視野絞り、コンデンサレンズ等を含む照
明光学系１からの水銀ランプのｉ線、又はエキシマレー
ザ光等の露光光ＩＬが、レチクルＲのパターン面（下
面）の矩形の照明領域２を照明する。露光光ＩＬのもと
で、レチクルＲの照明領域２内のパターンの像が投影光
学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは１／４，１／
５等）で、フォトレジストが塗布されたウエハＷ上の矩
形の照野フィールド３内に投影露光される。以下、投影
光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、その光軸Ａ
Ｘに垂直な平面内で図１の紙面に平行にＸ軸を、図１の
紙面に垂直にＹ軸を取って説明する。
につき図面を参照して説明する。本例は、ステップ・ア
ンド・スキャン方式の投影露光装置で露光を行う場合に
本発明を適用したものである。図１は、本例の投影露光
装置を示し、この図１において露光時には、光源、フラ
イアイレンズ、視野絞り、コンデンサレンズ等を含む照
明光学系１からの水銀ランプのｉ線、又はエキシマレー
ザ光等の露光光ＩＬが、レチクルＲのパターン面（下
面）の矩形の照明領域２を照明する。露光光ＩＬのもと
で、レチクルＲの照明領域２内のパターンの像が投影光
学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは１／４，１／
５等）で、フォトレジストが塗布されたウエハＷ上の矩
形の照野フィールド３内に投影露光される。以下、投影
光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、その光軸Ａ
Ｘに垂直な平面内で図１の紙面に平行にＸ軸を、図１の
紙面に垂直にＹ軸を取って説明する。
【００１４】先ず、レチクルＲはレチクルステージ４上
に保持され、レチクルステージ４は例えばリニアモータ
方式で駆動されて、レチクルベース５上でＸ方向（走査
方向）に連続移動すると共に、ＸＹ平面内でレチクルＲ
の位置の微調整を行う。レチクルステージ４上の移動鏡
６、及び外部のレーザ干渉計７によりレチクルステージ
４（レチクルＲ）の２次元的な位置が計測され、この計
測値が装置全体の動作を統轄制御するコンピュータより
なる主制御系８に供給され、主制御系８は、その計測値
に基づいてレチクルステージ駆動系９を介してレチクル
ステージ４の位置や移動速度を制御する。
に保持され、レチクルステージ４は例えばリニアモータ
方式で駆動されて、レチクルベース５上でＸ方向（走査
方向）に連続移動すると共に、ＸＹ平面内でレチクルＲ
の位置の微調整を行う。レチクルステージ４上の移動鏡
６、及び外部のレーザ干渉計７によりレチクルステージ
４（レチクルＲ）の２次元的な位置が計測され、この計
測値が装置全体の動作を統轄制御するコンピュータより
なる主制御系８に供給され、主制御系８は、その計測値
に基づいてレチクルステージ駆動系９を介してレチクル
ステージ４の位置や移動速度を制御する。
【００１５】一方、ウエハＷは、ウエハホルダ１０上に
真空吸着によって保持され、ウエハホルダ１０が試料台
１１上に固定され、試料台１１は３個のＺ方向に所定範
囲内で伸縮自在のＺ駆動部１２Ａ〜１２Ｃを介してＸＹ
ステージ１３上に固定されている。Ｚ駆動部１２Ａ〜１
２Ｃとしては、例えばロータリモータの回転角をカム機
構で上下方向の移動量に変換する機構や、圧電素子等を
使用できる。Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量は主制御
系８によって制御され、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮
量を同じにすることによって、ウエハＷのＺ方向の位置
（フォーカス位置）の制御が行われ、Ｚ駆動部１２Ａ〜
１２Ｃの伸縮量を独立に制御することによってウエハＷ
の表面の傾斜角の制御（レベリング）が行われる。
真空吸着によって保持され、ウエハホルダ１０が試料台
１１上に固定され、試料台１１は３個のＺ方向に所定範
囲内で伸縮自在のＺ駆動部１２Ａ〜１２Ｃを介してＸＹ
ステージ１３上に固定されている。Ｚ駆動部１２Ａ〜１
２Ｃとしては、例えばロータリモータの回転角をカム機
構で上下方向の移動量に変換する機構や、圧電素子等を
使用できる。Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量は主制御
系８によって制御され、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮
量を同じにすることによって、ウエハＷのＺ方向の位置
（フォーカス位置）の制御が行われ、Ｚ駆動部１２Ａ〜
１２Ｃの伸縮量を独立に制御することによってウエハＷ
の表面の傾斜角の制御（レベリング）が行われる。
【００１６】また、ＸＹステージ１３は、定盤よりなる
ガイド部材１４の上面（以下、「走り面」と呼ぶ）１４
ａに空気軸受けを介して載置され、ＸＹステージ１３は
例えばリニアモータ方式でその走り面１４ａ上をＸ方
向、及びＹ方向に連続移動することができる。その連続
移動によってステッピングも行うことができる。ウエハ
ホルダ１０、試料台１１、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃ、及
びＸＹステージ１３よりウエハステージが構成されてい
る。そして、試料台１１（ＸＹステージ１３）の座標計
測を行うために、試料台１１の上端にＸ軸にほぼ垂直な
反射面を有するＸ軸の移動鏡１５Ｘ、及びＹ軸にほぼ垂
直な反射面を有するＹ軸の移動鏡１５Ｙ（図２参照）が
固定されている。
ガイド部材１４の上面（以下、「走り面」と呼ぶ）１４
ａに空気軸受けを介して載置され、ＸＹステージ１３は
例えばリニアモータ方式でその走り面１４ａ上をＸ方
向、及びＹ方向に連続移動することができる。その連続
移動によってステッピングも行うことができる。ウエハ
ホルダ１０、試料台１１、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃ、及
びＸＹステージ１３よりウエハステージが構成されてい
る。そして、試料台１１（ＸＹステージ１３）の座標計
測を行うために、試料台１１の上端にＸ軸にほぼ垂直な
反射面を有するＸ軸の移動鏡１５Ｘ、及びＹ軸にほぼ垂
直な反射面を有するＹ軸の移動鏡１５Ｙ（図２参照）が
固定されている。
【００１７】図２は、試料台１１の座標計測システムを
示し、この図２において、Ｘ軸の２軸のレーザ干渉計１
６ＸよりＸ軸の移動鏡１５Ｘに対して、投影光学系ＰＬ
の像面に垂直な方向、即ちＺ方向に間隔Ｄで２本の計測
用のレーザビーム１７Ｘ，１８ＸがＸ軸に沿って平行に
照射され、移動鏡１５Ｘで反射されたレーザビーム１７
Ｘ，１８Ｘがレーザ干渉計１６Ｘに戻されている。レー
ザ干渉計１６Ｘでは、戻されたレーザビーム１７Ｘ，１
８Ｘとそれぞれ対応する不図示の参照用のレーザビーム
との干渉光を光電検出することによって、レーザビーム
１７Ｘの照射点での移動鏡１５ＸのＸ座標Ｘ１、及びレ
ーザビーム１８Ｘの照射点での移動鏡１５ＸのＸ座標Ｘ
２を検出する。これらのＸ座標Ｘ１，Ｘ２は図１の主制
御系８、及び傾斜角演算系２０に供給されている。主制
御系８は、例えばそれら２つのＸ座標Ｘ１，Ｘ２の平均
値を移動鏡１５Ｘ、ひいては試料台１１のＸ座標ＸWSと
する。また、マイクロコンピュータよりなる傾斜角演算
系２０では、後述のようにそれらのＸ座標Ｘ１，Ｘ２よ
りＸＹステージ１３の走り面１４ａの傾斜角を算出す
る。
示し、この図２において、Ｘ軸の２軸のレーザ干渉計１
６ＸよりＸ軸の移動鏡１５Ｘに対して、投影光学系ＰＬ
の像面に垂直な方向、即ちＺ方向に間隔Ｄで２本の計測
用のレーザビーム１７Ｘ，１８ＸがＸ軸に沿って平行に
照射され、移動鏡１５Ｘで反射されたレーザビーム１７
Ｘ，１８Ｘがレーザ干渉計１６Ｘに戻されている。レー
ザ干渉計１６Ｘでは、戻されたレーザビーム１７Ｘ，１
８Ｘとそれぞれ対応する不図示の参照用のレーザビーム
との干渉光を光電検出することによって、レーザビーム
１７Ｘの照射点での移動鏡１５ＸのＸ座標Ｘ１、及びレ
ーザビーム１８Ｘの照射点での移動鏡１５ＸのＸ座標Ｘ
２を検出する。これらのＸ座標Ｘ１，Ｘ２は図１の主制
御系８、及び傾斜角演算系２０に供給されている。主制
御系８は、例えばそれら２つのＸ座標Ｘ１，Ｘ２の平均
値を移動鏡１５Ｘ、ひいては試料台１１のＸ座標ＸWSと
する。また、マイクロコンピュータよりなる傾斜角演算
系２０では、後述のようにそれらのＸ座標Ｘ１，Ｘ２よ
りＸＹステージ１３の走り面１４ａの傾斜角を算出す
る。
【００１８】また、図２において、Ｙ軸の２軸のレーザ
干渉計１６Ｙ１よりＹ軸の移動鏡１５Ｙに対して、Ｚ方
向に間隔Ｄで２本の計測用のレーザビーム１７Ｙ１，１
８ＹがＹ軸に沿って平行に照射され、移動鏡１５Ｙで反
射されたレーザビーム１７Ｙ１，１８Ｙがレーザ干渉計
１６Ｙ１に戻されている。レーザ干渉計１６Ｙ１では、
戻されたレーザビーム１７Ｙ１，１８Ｙとそれぞれ対応
する不図示の参照用のレーザビームとの干渉光を光電検
出することによって、レーザビーム１７Ｙ１の照射点で
の移動鏡１５ＹのＹ座標Ｙ１、及びレーザビーム１８Ｙ
の照射点での移動鏡１５ＹのＹ座標Ｙ２を検出する。更
に、Ｙ軸の別のレーザ干渉計１６Ｙ２より移動鏡１５Ｙ
に対して、レーザビーム１７Ｙ１にＸ方向に所定間隔で
Ｙ軸に平行にレーザビーム１７Ｙ２が照射され、このレ
ーザビーム１７Ｙ２の照射点でも移動鏡１５ＹのＹ座標
Ｙ３が計測されている。これらのＹ座標Ｙ１〜Ｙ３は図
１の主制御系８に供給され、主制御系８では例えばレー
ザビーム１７Ｙ１，１８Ｙによって計測されるＹ座標Ｙ
１，Ｙ２の平均値を、移動鏡１５Ｙ、ひいては試料台１
１のＹ座標ＹWSとする。更に主制御系８は、Ｙ座標Ｙ
１，Ｙ２の差分より試料台１１のＸ軸の周りの回転角を
算出し、Ｙ座標Ｙ１、及びレーザビーム１７Ｙ２により
計測されるＹ座標Ｙ３の差分より試料台１１のＺ軸の周
りの回転角（ヨーイング量）を算出する。
干渉計１６Ｙ１よりＹ軸の移動鏡１５Ｙに対して、Ｚ方
向に間隔Ｄで２本の計測用のレーザビーム１７Ｙ１，１
８ＹがＹ軸に沿って平行に照射され、移動鏡１５Ｙで反
射されたレーザビーム１７Ｙ１，１８Ｙがレーザ干渉計
１６Ｙ１に戻されている。レーザ干渉計１６Ｙ１では、
戻されたレーザビーム１７Ｙ１，１８Ｙとそれぞれ対応
する不図示の参照用のレーザビームとの干渉光を光電検
出することによって、レーザビーム１７Ｙ１の照射点で
の移動鏡１５ＹのＹ座標Ｙ１、及びレーザビーム１８Ｙ
の照射点での移動鏡１５ＹのＹ座標Ｙ２を検出する。更
に、Ｙ軸の別のレーザ干渉計１６Ｙ２より移動鏡１５Ｙ
に対して、レーザビーム１７Ｙ１にＸ方向に所定間隔で
Ｙ軸に平行にレーザビーム１７Ｙ２が照射され、このレ
ーザビーム１７Ｙ２の照射点でも移動鏡１５ＹのＹ座標
Ｙ３が計測されている。これらのＹ座標Ｙ１〜Ｙ３は図
１の主制御系８に供給され、主制御系８では例えばレー
ザビーム１７Ｙ１，１８Ｙによって計測されるＹ座標Ｙ
１，Ｙ２の平均値を、移動鏡１５Ｙ、ひいては試料台１
１のＹ座標ＹWSとする。更に主制御系８は、Ｙ座標Ｙ
１，Ｙ２の差分より試料台１１のＸ軸の周りの回転角を
算出し、Ｙ座標Ｙ１、及びレーザビーム１７Ｙ２により
計測されるＹ座標Ｙ３の差分より試料台１１のＺ軸の周
りの回転角（ヨーイング量）を算出する。
【００１９】本例では、Ｘ軸のレーザビーム１７Ｘ，１
８Ｘの延長線上、及びＹ軸のレーザビーム１７Ｙ１，１
８Ｙの延長線上に投影光学系ＰＬの光軸ＡＸがあり、計
測されるＸ座標ＸWS、及びＹ座標ＹWSには、アッベ誤差
が生じないように構成されている。また、レーザビーム
１７Ｙ１，１７Ｙ２を介して計測されるＹ座標の差分か
ら計測される試料台１１のヨーイング量を相殺するよう
に、例えば図１のレチクルステージ４の回転が行われ
る。
８Ｘの延長線上、及びＹ軸のレーザビーム１７Ｙ１，１
８Ｙの延長線上に投影光学系ＰＬの光軸ＡＸがあり、計
測されるＸ座標ＸWS、及びＹ座標ＹWSには、アッベ誤差
が生じないように構成されている。また、レーザビーム
１７Ｙ１，１７Ｙ２を介して計測されるＹ座標の差分か
ら計測される試料台１１のヨーイング量を相殺するよう
に、例えば図１のレチクルステージ４の回転が行われ
る。
【００２０】図１に戻り、レーザ干渉計１６Ｘ，１６Ｙ
１を介して計測されるＸ座標ＸWS、及びＹ座標ＹWSに基
づいて主制御系８は、ウエハステージ駆動系１８を介し
てＸＹステージ１３の移動速度や位置決め動作を制御す
る。走査露光時には、投影倍率βを用いて、レチクルス
テージ４を介してレチクルＲが照明領域２に対して＋Ｙ
方向（又は−Ｙ方向）に速度ＶR で走査されるのと同期
して、ＸＹステージ１３を介してウエハＷが照野フィー
ルド３に対して−Ｙ方向（又は＋Ｙ方向）に速度ＶW(＝
β・ＶR ）で走査される。
１を介して計測されるＸ座標ＸWS、及びＹ座標ＹWSに基
づいて主制御系８は、ウエハステージ駆動系１８を介し
てＸＹステージ１３の移動速度や位置決め動作を制御す
る。走査露光時には、投影倍率βを用いて、レチクルス
テージ４を介してレチクルＲが照明領域２に対して＋Ｙ
方向（又は−Ｙ方向）に速度ＶR で走査されるのと同期
して、ＸＹステージ１３を介してウエハＷが照野フィー
ルド３に対して−Ｙ方向（又は＋Ｙ方向）に速度ＶW(＝
β・ＶR ）で走査される。
【００２１】次に本例の投影露光装置には、ウエハＷの
表面の所定の検出点における投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ
方向（Ｚ方向）の位置（フォーカス位置）を検出するた
めの、光学式で斜め入射方式の多点オートフォーカスセ
ンサ（以下、「多点ＡＦセンサ」と呼ぶ）が設置されて
いる。図１において、本例の多点ＡＦセンサは照射光学
系１９Ａ、及び受光光学系１９Ｂより構成されている。
そして、照射光学系１９Ａよりフォトレジストに対して
非感光性の検出光ＤＬのもとで、複数のスリット像が投
影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して斜めにウエハＷ上の複
数の検出点に投影される。図２に示すように、それらの
検出点は、照野フィールド３の内部、照野フィールド３
の中心に対して＋Ｘ方向に間隔Ｌだけ離れた先読み領域
２１Ｆ、及び照野フィールド３の中心に対して−Ｘ方向
に間隔Ｌだけ離れた先読み領域２１Ｂ内に設定されてい
る。
表面の所定の検出点における投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ
方向（Ｚ方向）の位置（フォーカス位置）を検出するた
めの、光学式で斜め入射方式の多点オートフォーカスセ
ンサ（以下、「多点ＡＦセンサ」と呼ぶ）が設置されて
いる。図１において、本例の多点ＡＦセンサは照射光学
系１９Ａ、及び受光光学系１９Ｂより構成されている。
そして、照射光学系１９Ａよりフォトレジストに対して
非感光性の検出光ＤＬのもとで、複数のスリット像が投
影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して斜めにウエハＷ上の複
数の検出点に投影される。図２に示すように、それらの
検出点は、照野フィールド３の内部、照野フィールド３
の中心に対して＋Ｘ方向に間隔Ｌだけ離れた先読み領域
２１Ｆ、及び照野フィールド３の中心に対して−Ｘ方向
に間隔Ｌだけ離れた先読み領域２１Ｂ内に設定されてい
る。
【００２２】図１に戻り、それらの検出点からの反射光
が、受光光学系１９Ｂ内で例えば振動スリット板を介し
て複数の光電変換素子上に対応するスリット像を再結像
する。これらの光電変換素子からの検出信号を、例えば
その振動スリット板の駆動信号で同期整流することによ
って、対応する検出点のフォーカス位置に所定範囲でほ
ぼ比例して変化するフォーカス信号が生成され、これら
のフォーカス信号が主制御系８に供給されている。本例
では、照野フィールド３内の検出点に対応するフォーカ
ス信号は、対応する検出点が投影光学系ＰＬの像面（ベ
ストフォーカス位置）に合致しているときに０になるよ
うにキャリブレーションが行われており、主制御系８
は、各フォーカス信号から対応する検出点でのベストフ
ォーカス位置からのデフォーカス量（ずれ量）を求める
ことができる。
が、受光光学系１９Ｂ内で例えば振動スリット板を介し
て複数の光電変換素子上に対応するスリット像を再結像
する。これらの光電変換素子からの検出信号を、例えば
その振動スリット板の駆動信号で同期整流することによ
って、対応する検出点のフォーカス位置に所定範囲でほ
ぼ比例して変化するフォーカス信号が生成され、これら
のフォーカス信号が主制御系８に供給されている。本例
では、照野フィールド３内の検出点に対応するフォーカ
ス信号は、対応する検出点が投影光学系ＰＬの像面（ベ
ストフォーカス位置）に合致しているときに０になるよ
うにキャリブレーションが行われており、主制御系８
は、各フォーカス信号から対応する検出点でのベストフ
ォーカス位置からのデフォーカス量（ずれ量）を求める
ことができる。
【００２３】図４は、本例の多点ＡＦセンサ（以下、
「多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂ」と呼ぶ）によるフォ
ーカス位置の検出点の配置の一例を示し、この図４にお
いて、照野フィールド３の中央部にＹ方向に一列の３個
の検出点２２Ａ〜２２Ｃが設定され、照野フィールド３
に対して＋Ｘ方向に間隔Ｌの先読み領域２１Ｆ内にＹ方
向に一列に３個の検出点２３ＦＡ〜２３ＦＣが設定さ
れ、照野フィールド３に対して−Ｘ方向に間隔Ｌの先読
み領域２１Ｂ内にもＹ方向に一列に３個の検出点２３Ｂ
Ａ〜２３ＢＣが設定されている。これらの検出点に図１
の多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂからスリット像が投影
されて、それぞれフォーカス位置が所定のサンプリング
レートで計測されている。
「多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂ」と呼ぶ）によるフォ
ーカス位置の検出点の配置の一例を示し、この図４にお
いて、照野フィールド３の中央部にＹ方向に一列の３個
の検出点２２Ａ〜２２Ｃが設定され、照野フィールド３
に対して＋Ｘ方向に間隔Ｌの先読み領域２１Ｆ内にＹ方
向に一列に３個の検出点２３ＦＡ〜２３ＦＣが設定さ
れ、照野フィールド３に対して−Ｘ方向に間隔Ｌの先読
み領域２１Ｂ内にもＹ方向に一列に３個の検出点２３Ｂ
Ａ〜２３ＢＣが設定されている。これらの検出点に図１
の多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂからスリット像が投影
されて、それぞれフォーカス位置が所定のサンプリング
レートで計測されている。
【００２４】この場合、照野フィールド３に対してウエ
ハＷを矢印３２で示すように−Ｘ方向に移動して走査露
光を行うものとすると、主制御系８では、＋Ｘ方向側の
先読み領域２１Ｆ内の検出点２３ＦＡ〜２３ＦＣにおけ
るフォーカス位置、及び傾斜角演算系２０で検出される
走り面１４ａの傾斜角に基づいて、後述のように試料台
１１（ウエハＷ）のＸ座標に対応させて、照野フィール
ド３内のウエハＷの表面を投影光学系ＰＬの像面に合わ
せ込むための、ウエハＷのフォーカス位置ＺW、及びウ
エハＷのＸ軸の周りの傾斜角ΦX とＹ軸の周りの傾斜角
ΦY とを算出し、これらの値よりＺ駆動部１２Ａ〜１２
Ｃの制御量を設定する。
ハＷを矢印３２で示すように−Ｘ方向に移動して走査露
光を行うものとすると、主制御系８では、＋Ｘ方向側の
先読み領域２１Ｆ内の検出点２３ＦＡ〜２３ＦＣにおけ
るフォーカス位置、及び傾斜角演算系２０で検出される
走り面１４ａの傾斜角に基づいて、後述のように試料台
１１（ウエハＷ）のＸ座標に対応させて、照野フィール
ド３内のウエハＷの表面を投影光学系ＰＬの像面に合わ
せ込むための、ウエハＷのフォーカス位置ＺW、及びウ
エハＷのＸ軸の周りの傾斜角ΦX とＹ軸の周りの傾斜角
ΦY とを算出し、これらの値よりＺ駆動部１２Ａ〜１２
Ｃの制御量を設定する。
【００２５】更に主制御系８は、実際の露光領域である
照野フィールド３内の検出点２２Ａ〜２２Ｃでのフォー
カス位置をフィードバックして、その制御量を補正しつ
つＺ駆動部１２Ａ〜１２Ｃを駆動することによって、照
野フィールド３内のウエハＷの表面の平均的なフォーカ
ス位置、及び傾斜角を投影光学系ＰＬの像面に合わせ込
む。従って、照野フィールド３内の検出点２２Ａ〜２２
Ｃでのフォーカス位置は追従制御用に使用される。これ
によって、オートフォーカス方式、及びオートレベリン
グ方式で照野フィールド３内のウエハＷの表面が連続的
に像面に合わせ込まれる。
照野フィールド３内の検出点２２Ａ〜２２Ｃでのフォー
カス位置をフィードバックして、その制御量を補正しつ
つＺ駆動部１２Ａ〜１２Ｃを駆動することによって、照
野フィールド３内のウエハＷの表面の平均的なフォーカ
ス位置、及び傾斜角を投影光学系ＰＬの像面に合わせ込
む。従って、照野フィールド３内の検出点２２Ａ〜２２
Ｃでのフォーカス位置は追従制御用に使用される。これ
によって、オートフォーカス方式、及びオートレベリン
グ方式で照野フィールド３内のウエハＷの表面が連続的
に像面に合わせ込まれる。
【００２６】一方、照野フィールド３に対してウエハＷ
を＋Ｘ方向に移動して走査露光を行う際には、照野フィ
ールド３内の検出点２２Ａ〜２２Ｃでのフォーカス位置
と共に、−Ｘ方向側の先読み領域２１Ｂ内の検出点２３
ＢＡ〜２３ＢＣにおけるフォーカス位置を連続的に検出
することによって、オートフォーカス方式、及びオート
レベリング方式でウエハＷの表面が像面に合わせ込まれ
る。なお、照野フィールド３において、中央の検出点２
２Ａ〜２２Ｃの他に、点線で示すように更に±Ｘ方向の
検出点２２Ｄ〜２２Ｉ等におけるフォーカス位置を検出
し、これらのフォーカス位置を用いて追従制御を行って
もよい。
を＋Ｘ方向に移動して走査露光を行う際には、照野フィ
ールド３内の検出点２２Ａ〜２２Ｃでのフォーカス位置
と共に、−Ｘ方向側の先読み領域２１Ｂ内の検出点２３
ＢＡ〜２３ＢＣにおけるフォーカス位置を連続的に検出
することによって、オートフォーカス方式、及びオート
レベリング方式でウエハＷの表面が像面に合わせ込まれ
る。なお、照野フィールド３において、中央の検出点２
２Ａ〜２２Ｃの他に、点線で示すように更に±Ｘ方向の
検出点２２Ｄ〜２２Ｉ等におけるフォーカス位置を検出
し、これらのフォーカス位置を用いて追従制御を行って
もよい。
【００２７】このようにオートフォーカス方式、及びオ
ートレベリング方式でウエハＷの表面を像面に合わせこ
ませる際に、ＸＹステージ１３の走り面１４ａが走査方
向（Ｘ方向）に対してうねっているような場合には、単
に先読み領域２１Ｆ，２１Ｂ内でのフォーカス位置に基
づいてウエハＷの表面のフォーカス位置の目標値等を設
定しても、実際にウエハＷの表面が照野フィールド３内
に達したときに像面との間にオフセットが残り、追従制
御を行ってもウエハＷの表面を像面に合わせ込むことが
できない恐れがある。
ートレベリング方式でウエハＷの表面を像面に合わせこ
ませる際に、ＸＹステージ１３の走り面１４ａが走査方
向（Ｘ方向）に対してうねっているような場合には、単
に先読み領域２１Ｆ，２１Ｂ内でのフォーカス位置に基
づいてウエハＷの表面のフォーカス位置の目標値等を設
定しても、実際にウエハＷの表面が照野フィールド３内
に達したときに像面との間にオフセットが残り、追従制
御を行ってもウエハＷの表面を像面に合わせ込むことが
できない恐れがある。
【００２８】図３は、走り面１４ａの走査方向へのうね
りの一例を誇張して示し、この図３において、ＸＹステ
ージ１３の走り面１４ａは緩やかに窪むように湾曲して
いる。この際に、走り面１４ａの湾曲量は、照野フィー
ルド３と先読み領域２１Ｆ，２１Ｂとの走査方向の間隔
Ｌ程度の範囲では殆ど無視できる程度であるが、その間
隔Ｌを超える範囲で次第にその湾曲量が大きくなってい
る。この場合、ＸＹステージ１３が走り面１４ａに沿っ
てＸ方向に移動するにつれて、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃ
の伸縮量が一定であるとすると、ＸＹステージ１３、ひ
いては試料台１１のＹ軸に平行な軸の周りでの傾斜角が
変化することになる。そして、この傾斜角の変化は、そ
のままＸ軸の移動鏡１５ＸのＹ軸に平行な軸の周りでの
回転角の変化となる。
りの一例を誇張して示し、この図３において、ＸＹステ
ージ１３の走り面１４ａは緩やかに窪むように湾曲して
いる。この際に、走り面１４ａの湾曲量は、照野フィー
ルド３と先読み領域２１Ｆ，２１Ｂとの走査方向の間隔
Ｌ程度の範囲では殆ど無視できる程度であるが、その間
隔Ｌを超える範囲で次第にその湾曲量が大きくなってい
る。この場合、ＸＹステージ１３が走り面１４ａに沿っ
てＸ方向に移動するにつれて、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃ
の伸縮量が一定であるとすると、ＸＹステージ１３、ひ
いては試料台１１のＹ軸に平行な軸の周りでの傾斜角が
変化することになる。そして、この傾斜角の変化は、そ
のままＸ軸の移動鏡１５ＸのＹ軸に平行な軸の周りでの
回転角の変化となる。
【００２９】本例では、図１のレーザ干渉計１６Ｘによ
ってＺ方向の間隔がＤのレーザビーム１７Ｘ及び１８Ｘ
を介して、それぞれ移動鏡１５Ｘ（試料台１１）のＸ座
標Ｘ１，Ｘ２が計測され、この計測値が図１の傾斜角演
算系２０に供給されている。そこで、傾斜角演算系２０
では、移動鏡１５ＸのＹ軸に平行な軸の周りでの回転
角、ひいては走り面１４ａの傾斜角Δθ’（ｒａｄ）を
次式より算出する。
ってＺ方向の間隔がＤのレーザビーム１７Ｘ及び１８Ｘ
を介して、それぞれ移動鏡１５Ｘ（試料台１１）のＸ座
標Ｘ１，Ｘ２が計測され、この計測値が図１の傾斜角演
算系２０に供給されている。そこで、傾斜角演算系２０
では、移動鏡１５ＸのＹ軸に平行な軸の周りでの回転
角、ひいては走り面１４ａの傾斜角Δθ’（ｒａｄ）を
次式より算出する。
【００３０】Δθ’＝（Ｘ１−Ｘ２）／Ｄ （２） 但し、この傾斜角Δθ’には、或るオフセットが含まれ
ているため、以下のようにしてそのオフセットの補正
（原点補正）を行う。このため、先ず多点ＡＦセンサ１
９Ａ，１９Ｂで計測されるフォーカス位置のキャリブレ
ーションを行う。即ち、図３において、ＸＹステージ１
３を走り面１４ａ上で例えばＸ方向の中央部に位置決め
した状態で、多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂを用いて照
野フィールド３内の３つの検出点でベストフォーカス位
置からのデフォーカス量を検出し、これらのデフォーカ
ス量が０となるようにＺ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量
を設定する。これによって、照野フィールド３内のウエ
ハＷの表面が像面に合わせこまれる。
ているため、以下のようにしてそのオフセットの補正
（原点補正）を行う。このため、先ず多点ＡＦセンサ１
９Ａ，１９Ｂで計測されるフォーカス位置のキャリブレ
ーションを行う。即ち、図３において、ＸＹステージ１
３を走り面１４ａ上で例えばＸ方向の中央部に位置決め
した状態で、多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂを用いて照
野フィールド３内の３つの検出点でベストフォーカス位
置からのデフォーカス量を検出し、これらのデフォーカ
ス量が０となるようにＺ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量
を設定する。これによって、照野フィールド３内のウエ
ハＷの表面が像面に合わせこまれる。
【００３１】次に、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量を
固定した状態で、ＸＹステージ１３を走り面１４ａに沿
って＋Ｘ方向に移動することによって、そのウエハＷ上
で先ほどデフォーカス量が検出された位置を、先読み領
域２１Ｆ内のフォーカス位置の検出点に移動し、この状
態で３つの検出点のデフォーカス量がそれぞれ０になる
ように、フォーカス信号のオフセットを調整する。その
後同様に、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量を固定した
状態で、ＸＹステージ１３を走り面１４ａに沿って−Ｘ
方向に移動することによって、そのウエハＷ上で先ほど
デフォーカス量が検出された位置を、先読み領域２１Ｂ
内のフォーカス位置の検出点に移動し、この状態で３つ
の検出点のデフォーカス量がそれぞれ０になるように、
フォーカス信号のオフセットを調整する。これによっ
て、走り面１４ａの中央部でのその走り面１４ａの傾斜
角（走り方向）に平行な面上で、多点ＡＦセンサ１９
Ａ，１９Ｂによる照野フィールド３、及び先読み領域２
１Ｆ，２１Ｂ内の各検出点でのデフォーカス量がそれぞ
れ０になるように、キャリブレーションが行われたこと
になる。その多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂの各検出点
でのデフォーカス量が０になる面を「ＡＦ基準面」と呼
ぶ。
固定した状態で、ＸＹステージ１３を走り面１４ａに沿
って＋Ｘ方向に移動することによって、そのウエハＷ上
で先ほどデフォーカス量が検出された位置を、先読み領
域２１Ｆ内のフォーカス位置の検出点に移動し、この状
態で３つの検出点のデフォーカス量がそれぞれ０になる
ように、フォーカス信号のオフセットを調整する。その
後同様に、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量を固定した
状態で、ＸＹステージ１３を走り面１４ａに沿って−Ｘ
方向に移動することによって、そのウエハＷ上で先ほど
デフォーカス量が検出された位置を、先読み領域２１Ｂ
内のフォーカス位置の検出点に移動し、この状態で３つ
の検出点のデフォーカス量がそれぞれ０になるように、
フォーカス信号のオフセットを調整する。これによっ
て、走り面１４ａの中央部でのその走り面１４ａの傾斜
角（走り方向）に平行な面上で、多点ＡＦセンサ１９
Ａ，１９Ｂによる照野フィールド３、及び先読み領域２
１Ｆ，２１Ｂ内の各検出点でのデフォーカス量がそれぞ
れ０になるように、キャリブレーションが行われたこと
になる。その多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂの各検出点
でのデフォーカス量が０になる面を「ＡＦ基準面」と呼
ぶ。
【００３２】また、その走り面１４ａの中央部で照野フ
ィールド３内の検出点を像面に合わせ込んだ状態で、図
１のＸ軸のレーザ干渉計１６Ｘの計測値より検出される
走り面１４ａの傾斜角を求めて記憶する。即ち、レーザ
ビーム１７Ｘ及び１８Ｘを介して検出される移動鏡１５
ＸのＸ座標をそれぞれＸ１0 及びＸ２0 とすると、図１
の傾斜角演算系２０では次式より走り面１４ａの傾斜角
の基準値θ0 を算出して記憶する。
ィールド３内の検出点を像面に合わせ込んだ状態で、図
１のＸ軸のレーザ干渉計１６Ｘの計測値より検出される
走り面１４ａの傾斜角を求めて記憶する。即ち、レーザ
ビーム１７Ｘ及び１８Ｘを介して検出される移動鏡１５
ＸのＸ座標をそれぞれＸ１0 及びＸ２0 とすると、図１
の傾斜角演算系２０では次式より走り面１４ａの傾斜角
の基準値θ0 を算出して記憶する。
【００３３】 θ0 ＝（Ｘ１0 −Ｘ２0 ）／Ｄ （３） 次に、ＸＹステージ１３の位置が走り面１４ａ上でＸ方
向に大きく移動して、走り面１４ａの傾斜角がその基準
値θ0 から変化した場合につき説明する。図５は、その
ように走り面１４ａの傾斜角がその基準値θ0 から変化
した状態を示し、この図５において、照野フィールド３
に対するウエハＷの移動方向は矢印３２で示すように−
Ｘ方向であり、＋Ｘ方向側の先読み領域２１Ｆ内のフォ
ーカス位置が検出されるものとする。また、３１は先に
求めたＡＦ基準面であり、このＡＦ基準面３１に対する
走り面１４ａの傾斜角をΔθ（ｒａｄ）として、この傾
斜角Δθの符号は、矢印３２の方向に向かって走り面１
４ａとＡＦ基準面３１とが次第に近づく場合に正である
とする。
向に大きく移動して、走り面１４ａの傾斜角がその基準
値θ0 から変化した場合につき説明する。図５は、その
ように走り面１４ａの傾斜角がその基準値θ0 から変化
した状態を示し、この図５において、照野フィールド３
に対するウエハＷの移動方向は矢印３２で示すように−
Ｘ方向であり、＋Ｘ方向側の先読み領域２１Ｆ内のフォ
ーカス位置が検出されるものとする。また、３１は先に
求めたＡＦ基準面であり、このＡＦ基準面３１に対する
走り面１４ａの傾斜角をΔθ（ｒａｄ）として、この傾
斜角Δθの符号は、矢印３２の方向に向かって走り面１
４ａとＡＦ基準面３１とが次第に近づく場合に正である
とする。
【００３４】この場合、或る時点で先読み領域２１Ｆ内
の検出点２３ＦＡと合致しているウエハＷ上の位置Ｐで
検出される、ＡＦ基準面３１からのデフォーカス量がΔ
Ｆであるとする。その後、ウエハＷが走り面１４ａに沿
って矢印３３で示す方向に移動して、ウエハＷ上の位置
Ｐが照野フィールド３内の検出点２２Ａに達したものと
すると、ウエハＷのＸ方向への移動量はＬであるため、
そのウエハＷ上の位置ＰのＺ方向への移動量ΔＺは、ほ
ぼ次のようになる。
の検出点２３ＦＡと合致しているウエハＷ上の位置Ｐで
検出される、ＡＦ基準面３１からのデフォーカス量がΔ
Ｆであるとする。その後、ウエハＷが走り面１４ａに沿
って矢印３３で示す方向に移動して、ウエハＷ上の位置
Ｐが照野フィールド３内の検出点２２Ａに達したものと
すると、ウエハＷのＸ方向への移動量はＬであるため、
そのウエハＷ上の位置ＰのＺ方向への移動量ΔＺは、ほ
ぼ次のようになる。
【００３５】ΔＺ＝Δθ・Ｌ （４） また、このときに図３において、レーザビーム１７Ｘ，
１８Ｘを介して検出される移動鏡１５ＸのＸ座標をＸ
１，Ｘ２とすると、傾斜角演算系２０では（２）式の傾
斜角Δθ’から（３）式の基準値θ0 を差し引いた傾斜
角Δθを次のように算出して、主制御系８に供給する。
１８Ｘを介して検出される移動鏡１５ＸのＸ座標をＸ
１，Ｘ２とすると、傾斜角演算系２０では（２）式の傾
斜角Δθ’から（３）式の基準値θ0 を差し引いた傾斜
角Δθを次のように算出して、主制御系８に供給する。
【００３６】 Δθ＝（Ｘ１−Ｘ２）／Ｄ−θ0 （５） そして、主制御系８では、図５のウエハＷ上の位置Ｐで
検出されるデフォーカス量ΔＦに（４）式のＺ方向への
移動量ΔＺを加算した値を、位置Ｐでの実際のデフォー
カス量とみなし、このデフォーカス量が０になるように
Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの駆動を行う。これによって、
ウエハＷ上の位置Ｐが照野フィールド３内に入るときに
は、走り面１４ａの傾斜角に応じてウエハＷのフォーカ
ス位置が補正されているため、位置Ｐは像面に高精度に
合わせ込まれる。同様にして、ウエハＷの各ショット領
域の全面が高精度に像面に合わせ込まれて走査露光が行
われる。従って、各ショット領域の全面にそれぞれレチ
クルＲのパターン像が高い解像度で転写される。
検出されるデフォーカス量ΔＦに（４）式のＺ方向への
移動量ΔＺを加算した値を、位置Ｐでの実際のデフォー
カス量とみなし、このデフォーカス量が０になるように
Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの駆動を行う。これによって、
ウエハＷ上の位置Ｐが照野フィールド３内に入るときに
は、走り面１４ａの傾斜角に応じてウエハＷのフォーカ
ス位置が補正されているため、位置Ｐは像面に高精度に
合わせ込まれる。同様にして、ウエハＷの各ショット領
域の全面が高精度に像面に合わせ込まれて走査露光が行
われる。従って、各ショット領域の全面にそれぞれレチ
クルＲのパターン像が高い解像度で転写される。
【００３７】なお、本例ではウエハＷの表面のレベリン
グも行われているため、ウエハＷの傾斜角も考慮した走
り面１４ａのより正確な傾斜角Δθは次のようになる。
即ち、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量を制御して、ウ
エハＷの表面のＹ軸に平行な軸の周りの傾斜角をＴＸだ
け変化させた場合、（５）式に対応する傾斜角Δθは次
のようになる。
グも行われているため、ウエハＷの傾斜角も考慮した走
り面１４ａのより正確な傾斜角Δθは次のようになる。
即ち、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量を制御して、ウ
エハＷの表面のＹ軸に平行な軸の周りの傾斜角をＴＸだ
け変化させた場合、（５）式に対応する傾斜角Δθは次
のようになる。
【００３８】 Δθ＝（Ｘ１−Ｘ２）／Ｄ−θ0 −ＴＸ （６） この場合には、この傾斜角Δθを（４）式に代入して得
られる変化量ΔＺだけ先読み領域２１Ｆで検出されるデ
フォーカス量を補正すればよい。なお、本例では移動鏡
１５Ｘの傾斜角、ひいては試料台１１の傾斜角が直接検
出されているため、この傾斜角に基づいてウエハＷのレ
ベリングを行うことも可能である。この場合には、図４
に示すように、照野フィールド３及び先読み領域２１
Ｆ，２１Ｂで検出されるフォーカス位置に基づいて、オ
ートレベリング方式で連続的にウエハＷの表面を像面に
平行に合わせる制御は行う必要がない。その代わりに、
例えば（３）式の傾斜角の基準値θ0 を求める際に予め
ウエハＷの表面を像面に平行にしておき、その後は、
（５）式より検出される走り面１４ａの傾斜角Δθを相
殺するように、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量を制御
することによって、ウエハＷの表面は像面に平行に維持
される。
られる変化量ΔＺだけ先読み領域２１Ｆで検出されるデ
フォーカス量を補正すればよい。なお、本例では移動鏡
１５Ｘの傾斜角、ひいては試料台１１の傾斜角が直接検
出されているため、この傾斜角に基づいてウエハＷのレ
ベリングを行うことも可能である。この場合には、図４
に示すように、照野フィールド３及び先読み領域２１
Ｆ，２１Ｂで検出されるフォーカス位置に基づいて、オ
ートレベリング方式で連続的にウエハＷの表面を像面に
平行に合わせる制御は行う必要がない。その代わりに、
例えば（３）式の傾斜角の基準値θ0 を求める際に予め
ウエハＷの表面を像面に平行にしておき、その後は、
（５）式より検出される走り面１４ａの傾斜角Δθを相
殺するように、Ｚ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量を制御
することによって、ウエハＷの表面は像面に平行に維持
される。
【００３９】また、上述の実施の形態では照野フィール
ド３内の検出点２２Ａ〜２２Ｃでのフォーカス位置の検
出結果を用いてＺ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの制御量を補正
している。しかしながら、本例では走り面１４ａの傾斜
角が検出され、これに基づいて先読みされたフォーカス
位置が補正されているため、必ずしも照野フィールド３
内の検出点でフォーカス位置を検出する必要はない。こ
のように照野フィールド３内ではフォーカス位置の検出
を行わない場合には、多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂの
構成が簡素化できる。但し、照野フィールド３内の検出
点でのフォーカス位置に基づいて追従制御を行うことに
よって、より高精度にウエハＷの表面を像面に合わせ込
むことができる。
ド３内の検出点２２Ａ〜２２Ｃでのフォーカス位置の検
出結果を用いてＺ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの制御量を補正
している。しかしながら、本例では走り面１４ａの傾斜
角が検出され、これに基づいて先読みされたフォーカス
位置が補正されているため、必ずしも照野フィールド３
内の検出点でフォーカス位置を検出する必要はない。こ
のように照野フィールド３内ではフォーカス位置の検出
を行わない場合には、多点ＡＦセンサ１９Ａ，１９Ｂの
構成が簡素化できる。但し、照野フィールド３内の検出
点でのフォーカス位置に基づいて追従制御を行うことに
よって、より高精度にウエハＷの表面を像面に合わせ込
むことができる。
【００４０】なお、上述の実施の形態では、多点ＡＦセ
ンサ１９Ａ，１９Ｂによる先読み領域２１Ｆ，２１Ｂで
のフォーカス位置の検出点はそれぞれ一列の３点である
が、これらの検出点の個数及び配置はそれに限定される
ことはない。このように、本発明は上述の実施の形態に
限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構
成を取り得る。
ンサ１９Ａ，１９Ｂによる先読み領域２１Ｆ，２１Ｂで
のフォーカス位置の検出点はそれぞれ一列の３点である
が、これらの検出点の個数及び配置はそれに限定される
ことはない。このように、本発明は上述の実施の形態に
限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構
成を取り得る。
【００４１】
【発明の効果】本発明の走査露光方法によれば、走り面
の傾斜角を検出し、この検出結果に基づいて先読み領域
内で検出される光軸方向の位置（フォーカス位置）を補
正しているため、ウエハ等の露光対象の基板の走り面と
投影光学系の像面とが平行でない場合であっても、その
基板の表面を像面に高精度に合わせ込んで露光を行うこ
とができる利点がある。
の傾斜角を検出し、この検出結果に基づいて先読み領域
内で検出される光軸方向の位置（フォーカス位置）を補
正しているため、ウエハ等の露光対象の基板の走り面と
投影光学系の像面とが平行でない場合であっても、その
基板の表面を像面に高精度に合わせ込んで露光を行うこ
とができる利点がある。
【００４２】また、その走り面の検出される傾斜角に基
づいてその基板の傾斜角の補正を行う場合には、容易に
その基板のレベリングをも行うことができる。また、本
発明の走査露光装置によれば、本発明の走査露光方法が
実施できる。そして、傾斜角検出系は、ステージに対し
て投影光学系の像面に垂直な方向に所定間隔だけ離れた
光ビームを照射する２軸の干渉計と、この２軸の干渉計
の計測値の差分より傾斜角を算出する演算系と、を有す
る場合には、簡単な構成で高精度にその走り面の傾斜角
を検出できる利点がある。
づいてその基板の傾斜角の補正を行う場合には、容易に
その基板のレベリングをも行うことができる。また、本
発明の走査露光装置によれば、本発明の走査露光方法が
実施できる。そして、傾斜角検出系は、ステージに対し
て投影光学系の像面に垂直な方向に所定間隔だけ離れた
光ビームを照射する２軸の干渉計と、この２軸の干渉計
の計測値の差分より傾斜角を算出する演算系と、を有す
る場合には、簡単な構成で高精度にその走り面の傾斜角
を検出できる利点がある。
【図１】本発明の実施の形態の一例で使用される投影露
光装置を示す概略構成図である。
光装置を示す概略構成図である。
【図２】図１の試料台１１の座標計測システムを示す斜
視図である。
視図である。
【図３】ＸＹステージ１３の走り面１４ａが湾曲してい
る様子を誇張して示す図である。
る様子を誇張して示す図である。
【図４】その実施の形態における照野フィールド３及び
先読み領域２１Ｆ，２１Ｂ内のフォーカス位置の検出点
の配置の一例を示す図である。
先読み領域２１Ｆ，２１Ｂ内のフォーカス位置の検出点
の配置の一例を示す図である。
【図５】走り面１４ａの傾斜角によってウエハＷの表面
のフォーカス位置が変化することの説明図である。
のフォーカス位置が変化することの説明図である。
Ｒ レチクル ＰＬ 投影光学系 Ｗ ウエハ ３ 照野フィールド ４ レチクルステージ ８ 主制御系 １１ 試料台 １２Ａ〜１２Ｃ Ｚ駆動部 １３ ＸＹステージ １４ａ 走り面 １５Ｘ，１５Ｙ 移動鏡 １６Ｘ，１６Ｙ１，１６Ｙ２ レーザ干渉計 １９Ａ 多点ＡＦセンサの照射光学系 １９Ｂ 多点ＡＦセンサの受光光学系 ２０ 傾斜角演算系 ２１Ｆ，２１Ｂ 先読み領域 ２２Ａ〜２２Ｃ，２３ＦＡ〜２３ＦＣ，２３ＢＡ〜２３
ＢＣ フォーカス位置の検出点 ３１ ＡＦ基準面
ＢＣ フォーカス位置の検出点 ３１ ＡＦ基準面
Claims (4)
- 【請求項１】 マスクと基板とを同期して移動すること
により、前記マスクのパターンの像を投影光学系を介し
て前記基板上に露光する走査露光方法において、 前記基板上で前記投影光学系による露光領域に対して走
査方向に手前側の先読み領域内で前記投影光学系の光軸
方向の位置を検出すると共に、前記基板の走査方向への
走り面の傾斜角を検出し、 該検出される傾斜角に基づいて前記先読み領域内で検出
される前記光軸方向の位置を補正し、該補正結果に基づ
いて前記基板の表面を前記投影光学系の像面に合わせ込
むことを特徴とする走査露光方法。 - 【請求項２】 前記走り面の検出される傾斜角に基づい
て前記基板の傾斜角の補正を行うことを特徴とする請求
項１記載の走査露光方法。 - 【請求項３】 マスクと基板とを同期して移動すること
により、前記マスクのパターンの像を投影光学系を介し
て前記基板上の各ショット領域に露光する走査露光装置
において、 前記基板上の前記投影光学系の露光領域に対して走査方
向に手前側の先読み領域で前記投影光学系の光軸方向の
位置を検出するフォーカス位置検出系と、 前記基板を載置して前記基板表面の面位置を設定するス
テージと、 該ステージの走り面の傾斜角を検出する傾斜角検出系
と、 前記基板の走査露光中に前記傾斜角検出系、及び前記フ
ォーカス位置検出系の検出結果に基づいて前記ステージ
を制御する制御系と、を有することを特徴とする走査露
光装置。 - 【請求項４】 前記傾斜角検出系は、前記ステージに対
して前記投影光学系の像面に垂直な方向に所定間隔だけ
離れた光ビームを照射する２軸の干渉計と、 該２軸の干渉計の計測値の差分より傾斜角を算出する演
算系と、を有することを特徴とする請求項３記載の走査
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9098755A JPH10289859A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | 走査露光方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9098755A JPH10289859A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | 走査露光方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289859A true JPH10289859A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14228267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9098755A Pending JPH10289859A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | 走査露光方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10289859A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10386736B2 (en) | 2017-09-14 | 2019-08-20 | Toshiba Memory Corporation | Exposure apparatus and method |
-
1997
- 1997-04-16 JP JP9098755A patent/JPH10289859A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10386736B2 (en) | 2017-09-14 | 2019-08-20 | Toshiba Memory Corporation | Exposure apparatus and method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100365602B1 (ko) | 노광방법및장치와반도체디바이스제조방법 | |
| US6277533B1 (en) | Scanning exposure method | |
| KR101444981B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 | |
| JP2679186B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP3308063B2 (ja) | 投影露光方法及び装置 | |
| JPH06283403A (ja) | 面位置設定装置 | |
| JPH06260391A (ja) | 露光方法 | |
| JPH1145846A (ja) | 走査型露光方法及び装置 | |
| USH1774H (en) | Projecting exposure apparatus and method of exposing a circuit substrate | |
| JPH11186129A (ja) | 走査型露光方法及び装置 | |
| US6816239B2 (en) | Exposure apparatus, method of controlling same, and method of manufacturing devices | |
| JP3305448B2 (ja) | 面位置設定装置、露光装置、及び露光方法 | |
| JP3387074B2 (ja) | 走査露光方法、及び走査型露光装置 | |
| JP3460131B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3428639B2 (ja) | 走査型露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPH11168050A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JPH10289859A (ja) | 走査露光方法及び装置 | |
| JPH09115820A (ja) | 走査型露光装置及び露光方法 | |
| JP3428638B2 (ja) | 走査型露光装置、走査露光方法、及びデバイス製造方法。 | |
| JPH097915A (ja) | 面傾斜検出装置 | |
| JP3362700B2 (ja) | 走査露光方法、走査型露光装置、及び前記方法を用いるデバイス製造方法 | |
| JP2000252192A (ja) | 投影露光方法および投影露光装置 | |
| JPH11340125A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP3230675B2 (ja) | 走査露光方法、走査型露光装置、及び前記方法を用いるデバイス製造方法 | |
| JP3381258B2 (ja) | 投影露光装置、投影露光方法、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040414 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060124 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060531 |