JPH11340125A - 露光方法及び装置 - Google Patents

露光方法及び装置

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JPH11340125A
JPH11340125A JP10146981A JP14698198A JPH11340125A JP H11340125 A JPH11340125 A JP H11340125A JP 10146981 A JP10146981 A JP 10146981A JP 14698198 A JP14698198 A JP 14698198A JP H11340125 A JPH11340125 A JP H11340125A
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JP
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substrate
wafer
stage
inclination angle
optical system
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JP10146981A
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English (en)
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Shinji Wakamoto
信二 若本
Naoyuki Yamamoto
直幸 山本
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 投影光学系の像面がウエハ表面に対して傾斜
している場合であっても、ウエハ表面を投影光学系の像
面に高速に合わせ込んで露光を行う。 【解決手段】 XYステージ13上にZ駆動部12A〜
12Cを介して試料台11が配置され、試料台11上に
ウエハホルダ10を介してウエハWが保持され、ウエハ
W上にレチクルRのパターンが転写される。露光前に、
投影光学系PLの像面22のXYステージ13の走り面
14aに対する傾斜角Itxを計測しておく。露光時に
XYステージ13を例えばステップ移動する際には、像
面22の傾斜角とXYステージ13の位置とに基づいて
Z駆動部12A〜12Cの伸縮量を調整し、ウエハW表
面のZ方向の位置、及び傾斜角の補正を行う。そして、
露光位置において、不図示のオートフォーカスセンサで
検出される残存するデフォーカス量が0になるようにウ
エハW表面の面位置の補正を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するた
めのフォトリソグラフィ工程中でマスクパターンを基板
上に転写する際に使用される露光方法、及び露光装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等を製造する際に、マスクと
してのレチクルのパターンの像を投影光学系を介して、
感光基板としてのレジストが塗布されたウエハ(又はガ
ラスプレート等)上の各ショット領域に転写する露光装
置が使用されている。従来は露光装置として、ステップ
・アンド・リピート方式の縮小投影型の露光装置(ステ
ッパ)が多用されていたが、最近ではレチクルとウエハ
とを同期走査して露光を行うステップ・アンド・スキャ
ン方式の投影露光装置も注目されている。
【0003】従来の露光装置には、ウエハの表面を投影
光学系の像面に対して焦点深度の範囲内に合わせ込む
(合焦させる)ために、ウエハの表面の所定の計測点の
デフォーカス量を計測するオートフォーカスセンサと、
その計測値に基づいてウエハの表面のフォーカス位置
(投影光学系の光軸方向の位置)、及び傾斜角を調整す
る機構とからなる合焦機構が備えられている。また、そ
のウエハのフォーカス位置、及び傾斜角を調整する機構
は、ウエハを所定の走り面に沿って2次元的に駆動する
ためのウエハステージ内に組み込まれている。その走り
面とは、そのウエハステージを介してウエハを2次元的
に駆動する際に、そのウエハの或る一点が通過する面
(軌跡)に平行な所定の面を意味しており、そのウエハ
ステージの可動部が例えば所定の定盤の表面に沿って移
動する場合には、その定盤の表面が走り面となる。
【0004】この場合、投影光学系の像面とその走り面
とが平行でないと、ウエハ上の第1のショット領域への
露光が終了してから、次の第2のショット領域を投影光
学系の露光領域にステップ移動したときのデフォーカス
量が大きくなる。従って、それから合焦機構を動作させ
てウエハ上のその第2のショット領域の表面を像面に合
わせ込むまでの時間が長くなり、露光工程のスループッ
トが低下してしまう。そこで、従来は、例えば露光装置
の組立調整時に、投影光学系自体を傾斜させるか、又は
ウエハステージの走り面の傾斜角を調整する等によっ
て、投影光学系の像面とウエハステージの走り面とをで
きるだけ平行にするための機械的な調整を行っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く従来の露光
装置においては、投影光学系の像面とウエハステージの
走り面とをできるだけ平行にするために、機械的な調整
を行っていたため、調整に長時間を要するという不都合
があった。また、ウエハステージの走り面の傾斜角はウ
エハステージ(ウエハ)の位置に応じて変化する場合が
ある。この場合には、ウエハステージが所定の基準位置
にあるときにその走り面と像面とをほぼ平行に設定して
も、ウエハステージが移動するとその走り面の傾斜角が
その像面に平行でなくなるために、デフォーカス量が大
きくなって合焦までの時間が長くなるという不都合があ
った。
【0006】更に、ステップ・アンド・スキャン方式の
投影露光装置において、そのように像面と走り面とを平
行にするための機械的な調整機構を設けると、その調整
機構によって走査露光時の各部材間の機械的な位置関係
の安定性が低下する恐れがあった。本発明は斯かる点に
鑑み、レチクルの投影像の像面とウエハを駆動するため
の走り面とが平行でない場合であっても、その像面の傾
斜角等を調整するための機械的な調整機構を用いること
なく、ウエハの表面をその像面に高速に合わせ込むこと
ができる露光方法を提供することを第1の目的とする。
【0007】更に本発明は、ウエハの走り面の傾斜角が
変化しているような場合でも、ウエハの位置に依らずに
ウエハの表面をレチクルの投影像の像面に高速に合わせ
込むことができる露光方法を提供することを第2の目的
とする。また、本発明はそのような露光方法を実施でき
る露光装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の露光方法は、マ
スク(R)のパターンの像を投影光学系(PL)を介し
て基板(W)上の各被露光領域に露光する露光方法にお
いて、予めその投影光学系(PL)の像面(22)の傾
斜角を計測しておき、その基板(W)をその投影光学系
(PL)の光軸に実質的に垂直な方向に移動する際に、
その基板(W)のその光軸方向の位置をその像面(2
2)の傾斜角に合わせて補正するものである。
【0009】斯かる本発明の露光方法によれば、予め所
定方向に対してその投影光学系(PL)の像面(22)
のその基板の走り面に対する傾斜角φを計測しておき、
その基板上の1つの被露光領域への露光が終わって、次
の被露光領域を露光位置に移動するために、その基板を
その所定方向に間隔ΔLだけステップ移動するものとす
ると、そのステップ移動の途中でその基板のその光軸方
向の位置をφ・ΔLだけ補正する。これによって、その
像面がその走り面に対して傾斜している場合であって
も、ステップ移動後のデフォーカス量は小さくなってい
るため、露光位置で基板表面を像面に高速に合わせ込ん
で露光を行うことができる。
【0010】また、更に予めその基板(W)を移動する
基板ステージ(13)の走り面(14a)の傾斜角の分
布を計測しておき、この計測結果とその基板ステージ
(13)の位置とに基づいてその基板(W)表面の傾斜
角を補正することが望ましい。この場合、基板ステージ
の走り面の傾斜角が位置によって異なる場合であって
も、各位置でのデフォーカス量が小さくなって、各位置
で基板表面を投影光学系の像面に高速に合わせ込んで露
光を行うことができる。
【0011】また、その基板(W)の傾斜角を補正する
際に、一例としてその基板ステージ(13)の所定の基
準点(P(x,y))のその光軸方向の位置を変化させ
ないようにしてもよい。この場合、基板ステージを移動
する際に基板の傾斜角を補正しても、その基板ステージ
の例えば重心の高さが一定に保たれるため、露光装置の
安定性が向上する。
【0012】また、その基板(W)の傾斜角を補正する
際に、別の例としてその投影光学系(PL)による露光
中心(O)でのその基板ステージ(13)のその光軸方
向の位置を変化させないようにしてもよい。この場合、
残るデフォーカス量は、主に像面と走り面との間の傾斜
角に基づく光軸方向の位置ずれ量となるため、合焦のた
めの制御が容易になる。
【0013】また、最終的にその基板(W)の表面のそ
の像面(22)に対するデフォーカス量を計測し、この
計測されたデフォーカス量を小さくするようにその基板
(W)の位置及び傾斜角を制御することが望ましい。こ
の場合、より高精度に基板表面を投影光学系の像面(2
2)に合わせ込んで露光を行うことができる。また、基
板の表面の凹凸が大きい場合であっても、高精度に基板
を像面に合わせ込んで露光を行うことができる。
【0014】次に、本発明の露光装置は、マスク(R)
のパターンの像を投影光学系(PL)を介して基板
(W)上に露光する露光装置において、その基板(W)
を保持してその基板(W)のその投影光学系(PL)の
光軸方向の位置、及び傾斜角を設定する基板テーブル
(11,12A〜12C)と、この基板テーブルを保持
してその光軸に実質的に垂直な方向に移動させる基板ス
テージ(13)と、この基板ステージ(13)の位置を
計測する計測装置(16X,16Y1,16Y2)と、
その基板(W)表面の所定の計測点でのその投影光学系
(PL)の光軸方向の位置を検出するフォーカス位置検
出系(19A,19B)と、その基板テーブルのその基
板ステージ(13)に対する相対位置、及び傾斜角を検
出するテーブル位置検出系(50A〜50C)と、その
計測装置(16X,16Y1,16Y2)の計測結果と
その投影光学系(PL)の像面(22)の傾斜角とに基
づいてその基板テーブルの動作を制御する制御系(8)
とを有するものである。斯かる本発明の露光装置によれ
ば、本発明の露光方法を実施することができる。また、
本発明の露光装置は、その像面の傾斜角に沿ってその基
板が移動するように上記の各要素を電気的、機械的、及
び光学的に連結することで組み上げられている。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
につき図面を参照して説明する。本例は、ステップ・ア
ンド・リピート方式の投影露光装置に本発明を適用した
ものである。図1は、本例の投影露光装置を示し、この
図1において露光時には、光源、フライアイレンズ、視
野絞り、コンデンサレンズ等を含む照明光学系1からの
水銀ランプのi線、エキシマレーザ光、又はF2 等のハ
ロゲン分子レーザ光等の露光光ILが、レチクルRのパ
ターン面(下面)の矩形の照明領域2を照明する。露光
光ILのもとで、レチクルRの照明領域2内のパターン
の像が投影光学系PLを介して所定の投影倍率β(βは
1/4,1/5等)で、フォトレジストが塗布されたウ
エハW上の矩形の露光領域3内に投影露光される。露光
領域3内にウエハW上の被露光領域としての1つのショ
ット領域が位置している。以下、投影光学系PLの光軸
AXに平行にZ軸を取り、その光軸AXに垂直な平面内
で図1の紙面に平行にX軸を、図1の紙面に垂直にY軸
を取って説明する。
【0016】先ず、レチクルRはレチクルステージ4上
に保持され、レチクルステージ4は例えばリニアモータ
方式で駆動されて、レチクルベース5上でX方向、Y方
向、及び回転方向にレチクルRの位置決めを行う。レチ
クルステージ4上の移動鏡6、及び外部のレーザ干渉計
7によりレチクルステージ4(レチクルR)の2次元的
な位置が計測され、この計測値が装置全体の動作を統轄
制御するコンピュータよりなる主制御系8に供給され、
主制御系8は、その計測値に基づいてレチクルステージ
駆動系9を介してレチクルステージ4の位置を制御す
る。
【0017】一方、ウエハWは、ウエハホルダ10上に
真空吸着によって保持され、ウエハホルダ10が試料台
11上に固定され、試料台11は3個のZ方向に所定範
囲内で伸縮自在のZ駆動部12A〜12Cを介してXY
ステージ13上に固定されている。Z駆動部12A〜1
2Cとしては、例えばロータリモータの回転角をカム機
構で上下方向の移動量に変換する機構や、ボイスコイル
モータ(VCM)方式の駆動機構や圧電素子等を使用で
きる。また、Z駆動部12A〜12Cには、それぞれ変
位センサ50A〜50C(カム機構ではロータリエンコ
ーダ、VCM方式では光学式、又は静電容量型のセンサ
等)が設けられており、Z駆動部12A〜12Cの伸縮
量の情報が主制御系8に供給されている。主制御系8で
は、この3箇所のZ駆動部12A〜12Cの伸縮量の計
測値から、試料台11(ウエハW)のXYステージ14
に対するZ方向の位置、及び2次元的な傾斜角を算出す
る。そして、Z駆動部12A〜12Cの伸縮量は主制御
系8によって制御され、Z駆動部12A〜12Cの伸縮
量を同じにすることによって、ウエハWのZ方向の位置
(フォーカス位置)の制御が行われ、Z駆動部12A〜
12Cの伸縮量を独立に制御することによってウエハW
の表面の2次元の傾斜角の制御(レベリング)が行われ
る。
【0018】また、XYステージ13は、定盤よりなる
ガイド部材14の上面(以下「走り面」という)14a
に空気軸受けを介して載置され、XYステージ13は例
えばリニアモータ方式でその走り面14a上をX方向、
及びY方向にステッピング移動する。ウエハホルダ1
0、試料台11、Z駆動部12A〜12C(変位センサ
50A〜50Cも含む)、及びXYステージ13よりウ
エハステージが構成されている。そして、試料台11
(XYステージ13)の座標計測を行うために、試料台
11の上端にX軸にほぼ垂直な反射面を有するX軸の移
動鏡15X、及びY軸にほぼ垂直な反射面を有するY軸
の移動鏡15Y(図2参照)が固定されている。また、
試料台11上には例えばインクリドメータよりなる水平
度検出装置としての水準器21が設けられており、水準
器21は試料台11の水平面に対する2次元的な傾斜角
を測定し、計測結果をデジタルデータとして主制御系8
に供給する。本例では水準器21を用いてXYステージ
13の走り面14aの傾斜角の分布を計測する。
【0019】図2は、試料台11の座標計測システムを
示し、この図2において、X軸のレーザ干渉計16Xよ
りX軸の移動鏡15Xに対して、計測用のレーザビーム
17XがX軸に沿って照射され、移動鏡15Xで反射さ
れたレーザビーム17Xがレーザ干渉計16Xに戻され
ている。レーザ干渉計16Xでは、戻されたレーザビー
ム17Xと対応する不図示の参照用のレーザビームとの
干渉光を光電検出することによって、レーザビーム17
Xの照射点での移動鏡15XのX座標XWSを検出し、こ
の値を図1の主制御系8に供給する。
【0020】また、図2において、Y軸のレーザ干渉計
16Y1,16Y2よりY軸の移動鏡15Yに対して、
X方向に所定間隔でレーザビーム17Y1,17Y2が
Y軸に沿って照射され、移動鏡15Yで反射されたレー
ザビーム17Y1,17Y2がレーザ干渉計16Y1,
16Y2に戻されている。レーザ干渉計16Y1,16
Y2では、戻されたレーザビームと対応する不図示の参
照用のレーザビームとの干渉光を光電検出することによ
って、それぞれレーザビーム17Y1,17Y2の照射
点での移動鏡15YのY座標Y1,Y2を検出する。こ
れらのY座標Y1,Y2は図1の主制御系8に供給さ
れ、露光時に主制御系8ではレーザビーム17Y1によ
って計測されるY座標Y1を、移動鏡15Y、ひいては
試料台11のY座標YWSとする。更に主制御系8は、Y
座標Y1、及びレーザビーム17Y2により計測される
Y座標Y2の差分より試料台11のZ軸の周りの回転角
(ヨーイング量)を算出する。
【0021】本例では、X軸のレーザビーム17Xの延
長線上、及びY軸のレーザビーム17Y1の延長線上に
投影光学系PLの光軸AXがあり、計測されるX座標、
及びY座標には、アッベ誤差が生じないように構成され
ている。また、レーザビーム17Y1,17Y2を介し
て計測されるY座標の差分から計測される試料台11の
ヨーイング量を相殺するように、例えば図1のレチクル
ステージ4の回転が行われる。図1に戻り、レーザ干渉
計16X,16Y1を介して計測されるX座標XWS、及
びY座標YWSに基づいて主制御系8は、露光時にウエハ
ステージ駆動系18を介してXYステージ13の位置決
め動作を行う。
【0022】また、本例の投影露光装置には、ウエハW
の表面の所定の検出点における投影光学系PLの光軸A
X方向(Z方向)の位置(フォーカス位置)を検出する
ための、光学式で斜め入射方式のオートフォーカスセン
サ(以下「AFセンサ」という)が設置されている。図
1において、本例のAFセンサは照射光学系19A、及
び受光光学系19Bより構成されている。そして、照射
光学系19Aよりフォトレジストに対して非感光性の検
出光DLのもとで、複数のスリット像が投影光学系PL
の光軸AXに対して斜めにウエハW上の複数の検出点に
投影される。それらの検出点はウエハW表面上の投影光
学系PLによる露光領域3の内部の例えば5箇所に設定
されており、それらの検出点からの反射光が、受光光学
系19B内で例えば振動スリット板を介して複数の光電
変換素子上にスリット像を再結像する。これらの光電変
換素子からの検出信号を、例えばその振動スリット板の
駆動信号で同期整流することによって、それらの検出点
のフォーカス位置に所定範囲でほぼ比例して変化するフ
ォーカス信号が生成され、これらのフォーカス信号が主
制御系8に供給されている。本例のフォーカス信号は、
それぞれ対応する検出点が投影光学系PLの像面(ベス
トフォーカス位置)に合致しているときに0になるよう
にキャリブレーションが行われており、主制御系8は、
各フォーカス信号から各検出点でのベストフォーカス位
置からのデフォーカス量(光軸AX方向への位置ずれ
量)を求めることができる。
【0023】ここで、投影光学系PLの像面を決定する
方法の一例につき説明する。この場合、図2の照射光学
系19A、及び受光光学系19BよりなるAFセンサに
よって、投影光学系PLの矩形の露光領域3の中央(光
軸AX上)の検出点51A、及び露光領域3内の4隅の
検出点51B〜51Eでのフォーカス位置が検出される
ものとする。そして、図1のレチクルRの代わりに、そ
れら5個の検出点に対応する位置にそれぞれ評価用パタ
ーンが形成されたテストレチクルを設置し、試料台11
上のウエハホルダ10上にフォトレジストが塗布された
未露光のウエハを載置する。その後、図1のXYステー
ジ13をX方向、Y方向にステップ移動すると共に、ス
テップ移動する毎にZ駆動部12A〜12Cを同じ量だ
け平行に伸縮させて、そのウエハ上の一組のショット領
域に互いにフォーカス位置を一定間隔で変化させた状態
で、それぞれそのテストレチクルのパターン像を露光す
る。その露光に際しては、各ショット領域において、上
記のAFセンサを用いて図2の検出点51A〜51Eに
おけるフォーカス位置を検出して記憶しておく。この段
階では、そのAFセンサのキャリブレーションは必ずし
も行っておく必要は無い。
【0024】次に、露光後のウエハの現像を行ってか
ら、ウエハ上の各ショット領域に形成されるレジストパ
ターンの線幅等を計測して、図2の5個の検出点51A
〜51Eにおける投影像が最良の状態になるときの5個
のフォーカス位置(ベストフォーカス位置)Z1A〜Z
1Eを特定する。その後、例えば最小自乗法によって、
その5個のフォーカス位置Z1A〜Z1Eに最も合致す
る平面を像面として決定し、この像面のその5個の検出
点51A〜51Eにおけるフォーカス位置Z2A〜Z2
Eを求め、検出点51A〜51Eで検出されるフォーカ
ス位置にそれぞれオフセットとして−Z2A〜−Z2E
を付加する。これによって、検出対象のウエハの表面が
投影光学系PLの像面に合致しているときに、そのAF
センサによって検出点51A〜51Eで検出されるフォ
ーカス位置がそれぞれ0になるようにキャリブレーショ
ンが行われたことになる。
【0025】次に、本例の投影露光装置において、XY
ステージ13の走り面14aに対して投影光学系PLの
像面が傾斜している場合の合焦方法について説明する。
図3は、XYステージ13の走り面14aに対して投影
光学系PLの像面22が傾斜している様子を誇張して示
し、この図3において、投影光学系PLの像面22は走
り面14aに対してY軸の周りに(これを「X方向に」
ともいう)角度Itx(rad)傾斜している。また、
像面22の走り面14aに対するY方向への(X軸の周
りの)傾斜角をIty(rad)とする。この走り面1
4aに対する像面22の傾斜角Itx,Ityは、露光
開始前に予め計測されており、主制御系8に記憶されて
いる。
【0026】ここで、走り面14aに対する像面20の
傾斜角Itx,Ityを計測する方法の一例につき説明
する。このためには、上記のAFセンサが投影光学系P
Lの像面22に対してキャリブレーションされているも
のとして、XYステージ13の中心を走り面14a上の
所定の基準点(例えば露光中心(光軸AX)等)に移動
した後、ウエハホルダ10上に平面度の良好なウエハを
載置する。そして、図2の露光領域3の中央の検出点5
1Aにおいて、AFセンサを用いてそのウエハ上の点5
2のフォーカス位置(即ち、ベストフォーカス位置から
のデフォーカス量)Z3Aを検出する。その後、図1の
Z駆動部12A〜12Cをロックした状態で、XYステ
ージ13をX方向、Y方向にステップ移動させてその点
52を順次、露光領域3の4隅の検出点51B〜51E
に移動してそれぞれフォーカス位置Z3B〜Z3Eを検
出する。
【0027】これらの検出結果は主制御系8に供給さ
れ、主制御系8は、例えば最小自乗法を適用して、それ
らのフォーカス位置Z3A〜Z3Eを通過する平面を走
り面14aとして決定し、この平面のY軸の周りの傾斜
角ΘY、及びX軸の周りの傾斜角ΘXを算出する。これ
らの傾斜角ΘY,ΘXは像面22を基準とした走り面1
4aの傾斜角であるため、基準点における走り面14a
に対する像面22の傾斜角Itx,Ityはそれぞれ−
ΘY,−ΘXとなる。同様にして、XYステージ13を
走り面14a上でX方向、Y方向に所定間隔ずつ移動し
た位置で順次、上記の計測を繰り返すことで走り面14
a上の各位置における像面22の傾斜角を求めることが
できる。このように走り面14a上の各位置で像面22
の傾斜角が異なるのは、例えばウエハステージの位置に
よって走り面14aの傾斜角が所定の分布を有すること
による。
【0028】また、より簡便に走り面14aの傾斜角の
分布を計測するためには、試料台11上の水準器21を
使用してもよい。この場合、最初に走り面14a上の所
定の基準点で上記の方法によって走り面14aに対する
像面22の傾斜角を計測した後、水準器21を用いて水
平面に対する2次元の傾斜角の基準値を検出する。次
に、Z駆動部12A〜12Cをロックした状態で、XY
ステージ13を走り面14a上でX方向、Y方向に所定
間隔ずつ移動させてそれぞれ水準器21で2次元の傾斜
角を検出し、この検出結果より上記の傾斜角の基準値を
差し引くことで、その基準点に対する走り面14a上の
各位置での傾斜角の変化量、ひいては走り面14a上で
の傾斜角の分布を迅速に計測することができる。
【0029】そして、図3のように走り面14aに対し
て像面22が傾斜角Itx,Ityで傾斜している場合
の合焦動作の一例は次のようになる。図4は、投影光学
系PLとウエハステージとのXY平面における位置関係
を示し、この図4において、Z駆動部12A〜12Cの
それぞれを頂点とする三角形の重心(以下「Z駆動部1
2A〜12Cの中心」という。)を位置Pとする。この
Z駆動部12A〜12Cの中心位置Pの座標(x,y)
は、試料台11のX座標XWS及びY座標YWSに基づいて
算出される。ここでは、位置Pの座標(x,y)は、位
置Pが投影光学系PLの光軸AX上に有るときに原点O
となる座標(X WS,YWS)とする。
【0030】また、Z駆動部12A〜12Cの中心Pが
原点Oに位置しているときに、ウエハWの表面を走り面
14aに平行に合わせ、光軸AX上でのフォーカス位置
を像面22に合わせた状態で、Z駆動部12A〜12C
に備えられた変位センサ50A〜50Cによって検出さ
れる試料台11のZ方向の位置をz、Y軸の周り(X方
向へ)の傾斜角をTx、X軸の周り(Y方向へ)の傾斜
角をTyとする。即ち、原点Oでの走り面14aの状態
は(Tx,Ty,z)である。更に、簡単のため、原点
Oから位置Pまでの走り面14aの傾斜角が一定である
として、位置P(x,y)における試料台11のZ方向
の位置の駆動量をTz、X方向への傾斜角の駆動量をT
tx、Y方向への傾斜角の駆動量をTtyとする。これ
らの試料台11の駆動量(Ttx,Tty,Tz)は、
位置P(x,y)にて変位センサ50A〜50Cによっ
て検出される姿勢の目標値であり、それぞれ以下の式に
より算出する。 Ttx=Tx+Itx (1) Tty=Ty+Ity (2) Tz=z+(x・Itx+y・Ity) (3)
【0031】主制御系8は、試料台11が原点Oから位
置Pに移動する途中でこの(1)〜(3)式より算出し
た駆動量Ttx,Tty,Tzに基づいてZ駆動部12
A〜12Cの伸縮量を調整し、ウエハW表面のZ方向の
位置、及び傾斜角の補正を行う。これは、走り面14a
に対する像面の傾斜角が(Itx,Ity)であるとき
に、傾斜角の補正が済んでいるものとすると、XYステ
ージ13を駆動して試料台11をX方向に△x、Y方向
に△y移動させるときに、試料台11のZ方向の位置を
(△x・Itx+△y・Ity)だけずらすことを意味
する。即ち、仮想的に像面傾斜の方向に走り面14aの
方向を合わせることを意味している。
【0032】このように(3)式に基づいて試料台11
(ウエハW表面)のZ方向の位置を制御することによ
り、例えば次のショット領域の表面を像面に近づけなが
らウエハWを移動させることができ、露光位置ではウエ
ハW表面を像面22に高速に合わせ込むことができ、ス
ループットの向上を図ることができる。また、本例で
は、XYステージ13を移動して位置Pを(x,y)に
移動する途中で、Z駆動部12A〜12Cの伸縮量を
(1)〜(3)式に基づいて調整した後、位置Pが露光
位置に達したときに、ここでAFセンサにより残存する
ウエハWのデフォーカス量を測定し、そのデフォーカス
量が0になるようにZ駆動部12A〜12Cの伸縮量を
調整してウエハW表面のZ方向の位置、及び傾斜角の最
終的な補正を行う。これにより、ウエハ表面の凹凸が大
きい場合であっても、また、走り面14aの傾斜角の計
測値に誤差があっても、高精度にウエハW表面を像面2
2に合わせ込むことができる。
【0033】次に、XYステージ13の走り面14aが
たわんでいる場合のウエハW表面の合焦動作の一例につ
いて説明する。なお、簡単のため原点Oにおいてウエハ
W表面は像面22に合わせ込まれており、ウエハWのフ
ォーカス位置の補正は行わないものとする。図5は、走
り面14aのたわみの一例を誇張して示し、この図5に
おいて、XYステージ13の走り面14aは緩やかに窪
むように湾曲している。この場合、Z駆動部12A〜1
2Cの伸縮量を一定のまま、XYステージ13を走り面
14aに沿ってX方向に移動すると、XYステージ1
3、ひいては試料台11のY軸に平行な軸の周りでの傾
斜角が変化することになる。
【0034】図6は、走り面14aがX軸に対して傾斜
している様子を示し、この図6において、位置P(x,
y)における走り面14aのX方向への(Y軸の周り
の)傾斜角をPtx(x,y)(rad)とする。ま
た、位置P(x,y)における走り面14aのY方向へ
の(X軸の周りの)傾斜角をPty(x,y)(ra
d)とする。そして、この走り面14a上の各位置にお
ける傾斜角Ptx(x,y),Pty(x,y)は、本
例では図5の試料台11上に設けられている水準器21
により計測される。
【0035】図7は、走り面14aのXY平面における
傾斜角分布を計測する際の計測位置の配列の一例を示
し、この図7において、本例では走り面14aをX方
向、Y方向に所定ピッチで分割して得られるN箇所の計
測区分61−1〜61−Nにおいて、試料台11のX方
向への傾斜角Itxi(i=1〜N)及びY方向への傾
斜角Ityi(i=1〜N)を計測する。計測区分61
−1〜61−Nの配列ピッチは、露光対象のショット配
列の最小ピッチよりも小さく設定されている。この傾斜
角の計測は、露光開始前にZ駆動部12A〜12Cの伸
縮量を固定したままXYステージ13の中心を計測区分
61−1の中心から61−Nの中心まで移動して、それ
ぞれ走り面14aの傾斜角を水準器21により計測する
ことにより行われる。
【0036】そして、各計測区分61−i(i=1〜
N)における傾斜角(Itxi,Ityi)は、主制御
系8に記憶され、露光時には、これらの値に基づいてZ
駆動部12A〜12Cの伸縮量が制御され、ウエハWの
Z方向の位置、及び傾斜角の補正が行われる。この場
合、図6のX方向への傾斜角Ptx(x,y)、及びY
方向への傾斜角Pty(x,y)の値としては、図7の
計測区分61−i中で最も近い計測区分での傾斜角(I
txi,Ityi)、又は周囲の傾斜角の補間値が使用
される。この補正に際しては、ウエハW表面上のどの位
置を回転中心としてウエハWを傾斜させるかによって、
ウエハWのZ方向の位置の補正量が異なる。
【0037】先ず、ウエハW表面上のZ駆動部12A〜
12Cの中心(即ち、位置P)のZ方向の位置が変わら
ないようにウエハW表面の傾斜角の調整を行う場合につ
いて、説明する。この場合には、位置Pが原点Oにあ
り、ウエハW表面が像面22に平行である場合に、Z駆
動部12A〜12Cの変位センサ50A〜50Cによっ
て検出される試料台11のX方向への傾斜角Tx、Y方
向への傾斜角Ty、Z方向の位置zを用いて、位置Pが
(x,y)に移動する際の試料台11(ウエハW)の傾
斜角の駆動量Ttx,Tty、及びZ方向への駆動量T
zをそれぞれ以下の式により算出する。 Ttx=Tx−Ptx(x,y) (4) Tty=Ty−Pty(x,y) (5) Tz=z (6)
【0038】そして、主制御系8はこの(4)〜(6)
式より算出した駆動量Ttx,Tty,Tzに基づい
て、例えばXYステージ13のステップ移動中にZ駆動
部12A〜12Cの伸縮量を調整し、ウエハW表面の傾
斜角の補正を行う。このようにウエハW表面の傾斜角を
走り面14aの傾斜角を相殺するように補正することに
より、走り面14aがたわんでいて走り面14aの傾斜
角が位置によって変化する場合であっても、露光位置で
の傾斜角の残留誤差が小さくなり、露光位置で高速にウ
エハW表面を像面に合わせ込むことができる。また、X
Yステージ13(ウエハW)を移動する際にウエハWの
重心のZ方向の位置が一定に保たれるため、露光装置の
安定性が向上するという利点がある。なお、このような
傾斜角の補正動作と平行に、(1)〜(3)式に基づく
試料台11(ウエハW)のZ方向の位置の補正も行わ
れ、これによって露光位置でのデフォーカス量が更に小
さくなる。
【0039】次に、ウエハW表面上の投影光学系PLに
よる露光中心(光軸AX)のZ方向の位置が変わらない
ようにウエハW表面の傾斜角の調整を行う場合について
説明する。この場合には、(4)〜(6)式に対して位
置Pが(x,y)に移動する際の試料台11(ウエハ
W)の傾斜角の駆動量Ttx,Tty、及びZ方向への
駆動量Tzをそれぞれ以下の式により算出する。 Ttx=Tx−Ptx(x,y) (7) Tty=Ty−Pty(x,y) (8) Tz=z−(x・Ptx(x,y)+y・Pty(x,y)) (9)
【0040】そして、主制御系8は、この(7)〜
(9)式より算出した駆動量Ttx,Tty,Tzに基
づいて、例えばステップ移動中にZ駆動部12A〜12
Cの伸縮量を調整し、ウエハW表面のZ方向の位置、及
び傾斜角の補正を行う。このようにウエハW表面上の投
影光学系PLによる露光中心(光軸AX)を回転中心と
してウエハWを傾斜させることにより、XYステージ1
3(ウエハW)を移動する際に露光中心におけるウエハ
W表面のZ方向の位置が一定に保たれる。従って、更に
(1)〜(3)式に基づいてZ方向の位置を補正する際
には、Z方向への制御量のみを補正すればよいため制御
は容易になることがある。但し、(4)〜(6)式、又
は(7)〜(9)式の何れを用いるかは、制御方式によ
って任意である。
【0041】なお、本発明は、本例のようなステップ・
アンド・リピート方式の投影露光装置のみならず、近年
主流となってきているステップ・アンド・スキャン方式
のような走査露光型の投影露光装置にも適用することが
できる。走査露光型の投影露光装置に本発明を適用する
場合には、ステップ移動中に上記の実施の形態のように
走り面14aの傾斜角に応じた補正を行うのみならず、
走査露光中にも(1)〜(3)式を用いて試料台(ウエ
ハ)のフォーカス位置の制御量の初期値を設定すること
で、ウエハ表面を像面の傾斜方向に沿って走査できる。
従って、残存するデフォーカス量が小さくなる。また、
走査露光型でも投影光学系を傾斜させるための柔構造的
な調整機構を設ける必要がなくなるため、走査露光時の
投影光学系の支持の安定性が向上する。
【0042】また、上記の実施の形態の投影露光装置
は、複数のレンズから構成される照明光学系1、投影光
学系PLを露光装置本体に組み込み光学調整をすると共
に、多数の機械部品からなるレチクルステージ4やXY
ステージ13を露光装置本体に取り付けて配線や配管を
接続し、更に実施の形態で詳述したように投影光学系P
Lの像面の傾斜角の計測やXYステージ13の走り面の
傾斜角の分布を計測し、総合調整(電気調整、動作確認
等)をすることにより製造することができる。また、投
影露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理された
クリーンルームで行うことが望ましい。なお、本発明は
上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【0043】
【発明の効果】本発明の露光方法によれば、例えば基板
をステップ移動する途中で像面の傾斜角に合わせてその
基板の投影光学系の光軸方向の位置を補正するため、露
光位置でのデフォーカス量が小さくなって、基板表面を
像面に高速に合わせ込んで露光を行うことができる。ま
た、基板ステージの走り面の傾斜角の分布を計測してお
き、この結果より基板の傾斜角を補正するときには、そ
の走り面の傾斜角が変化していても、各位置で高速に基
板の合焦を行うことができる。
【0044】次に、本発明の露光装置によれば、本発明
の露光方法を実施することができ、また、投影光学系を
傾斜させるための機構を設ける必要がないため、露光装
置の安定性が向上するという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態の一例で使用される投影
露光装置を示す概略構成図である。
【図2】 図1の試料台11の座標計測システム及びA
Fセンサを示す斜視図である。
【図3】 XYステージ13の走り面14aに対して投
影光学系PLの像面22が傾斜している様子を示す図で
ある。
【図4】 投影光学系PLとウエハステージとのXY平
面における位置関係を示す平面図である。
【図5】 XYステージ13の走り面14aが湾曲して
いる様子を誇張して示す図である。
【図6】 XYステージ13の走り面14aがY軸の周
りに(X方向に)傾斜している様子を示す図である。
【図7】 XYステージ13の走り面14aの傾斜角分
布を計測する際の計測区分の一例を示す図である。
【符号の説明】
R レチクル、W ウエハ、PL 投影光学系、1 照
明光学系、8 主制御系、10 ウエハホルダ、11
試料台、13 XYステージ、14a 走り面、15
X,15Y 移動鏡、16X,16Y1,16Y2 レ
ーザ干渉計、19A AFセンサの照射光学系、19B
AFセンサの受光光学系、21 水準器、50A〜5
0C 変位センサ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクのパターンの像を投影光学系を介
    して基板上の各被露光領域に露光する露光方法におい
    て、 予め前記投影光学系の像面の傾斜角を計測しておき、前
    記基板を前記投影光学系の光軸に実質的に垂直な方向に
    移動する際に、前記基板の前記光軸方向の位置を前記像
    面の傾斜角に合わせて補正することを特徴とする露光方
    法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の露光方法であって、 更に予め前記基板を移動する基板ステージの走り面の傾
    斜角の分布を計測しておき、該計測結果と前記基板ステ
    ージの位置とに基づいて前記基板表面の傾斜角を補正す
    ることを特徴とする露光方法。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の露光方法であって、 前記基板の傾斜角を補正する際に、前記基板ステージの
    所定の基準点の前記光軸方向の位置を変化させないこと
    を特徴とする露光方法。
  4. 【請求項4】 請求項2記載の露光方法であって、 前記基板の傾斜角を補正する際に、前記投影光学系によ
    る露光中心での前記基板ステージの前記光軸方向の位置
    を変化させないことを特徴とする露光方法。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4の何れか一項記載の露光方
    法であって、 最終的に前記基板の表面の前記像面に対するデフォーカ
    ス量を計測し、該計測されたデフォーカス量を小さくす
    るように前記基板の位置及び傾斜角を制御することを特
    徴とする露光方法。
  6. 【請求項6】 マスクのパターンの像を投影光学系を介
    して基板上に露光する露光装置において、 前記基板を保持して前記基板の前記投影光学系の光軸方
    向の位置、及び傾斜角を設定する基板テーブルと、該基
    板テーブルを保持して前記光軸に実質的に垂直な方向に
    移動させる基板ステージと、該基板ステージの位置を計
    測する計測装置と、前記基板表面の所定の計測点での前
    記投影光学系の光軸方向の位置を検出するフォーカス位
    置検出系と、前記基板テーブルの前記基板ステージに対
    する相対位置、及び傾斜角を検出するテーブル位置検出
    系と、前記計測装置の計測結果と前記投影光学系の像面
    の傾斜角とに基づいて前記基板テーブルの動作を制御す
    る制御系と、を有することを特徴とする露光装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006222206A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Canon Inc 位置決め装置
JP2009043865A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Nec Electronics Corp 露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法
JP2016195183A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法

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