JPH10289895A

JPH10289895A - 基板処理方法及び同装置

Info

Publication number: JPH10289895A
Application number: JP9620897A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Kimura; 雅洋基村
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-04-14
Filing date: 1997-04-14
Publication date: 1998-10-27
Anticipated expiration: 2017-04-14
Also published as: JP3892102B2

Abstract

(57)【要約】【課題】水洗処理後の水や処理残渣を基板の表面全体
にわたって良好に除去する。【解決手段】密閉チャンバ１２内に配設した処理槽１
４内に処理液（薬液や純水）を供給しつつオーバーフロ
ーさせるようにし、基板Ｗをこの処理槽１４内の処理液
に浸漬させて表面処理を施すように基板処理装置１０を
構成した。そして、処理槽１４へ順次異なる処理液を供
給することにより複数種類の処理を基板Ｗに施すように
した。最終処理は純水による水洗処理とした。そして、
この処理が終了した後は、純水の供給を停止させた状態
で密閉チャンバ１２内にＩＰＡ（２-プロパノール）蒸
気を一定時間供給し、これにより純水の表面にＩＰＡの
液層を形成するようにした。そして、ＩＰＡ蒸気の供給
を停止させた状態で基板Ｗを処理槽１４から取り出すこ
とにより基板表面にＩＰＡの液膜を形成させるようにし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
用ガラス基板等の基板に処理を施す方法及び同装置、特
に、基板を処理槽内に浸漬して水洗処理を施すようにし
た基板処理方法及び同装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体基板や液晶ガラス基板
等の基板の製造において、基板を処理槽に貯留された薬
液や純水（双方をまとめて「処理液」という）に浸漬
し、処理槽内の処理液を順次異なる処理液と入れ替える
ことにより基板に薬液処理や水洗処理を施す方法や装置
は一般に知られている。

【０００３】この種の基板処理装置の一つとして、例え
ば、特開平７−１３０６９９号公報に記載された装置が
ある。この基板処理装置は、処理槽を密閉チャンバ内に
納め、水洗処理が完了した後、基板を処理槽から引き上
げながら、２-プロパノール（イソプロピルアルコー
ル：「ＩＰＡ」という）蒸気をチャンバ内に吹き込むこ
とによって基板に付着した水や処理残渣を除去するもの
である。この装置によれば、処理槽から基板が取り出さ
れる際に、ＩＰＡ蒸気が基板表面で凝縮し、この凝縮熱
により基板表面に付着した水が蒸発するとともに、凝縮
により基板表面に形成されたＩＰＡ膜により基板表面の
ぬれ性が高められて処理残渣が剥離、除去される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
装置では、処理槽から基板を取り出しながら密閉チャン
バ内にＩＰＡ蒸気を供給するようにしているため、基板
表面の水や処理残渣を基板全面にわたって良好に取り除
くことが困難である。

【０００５】すなわち、基板表面に付着した水や処理残
渣を除去するには、基板の表面全体にできるだけムラな
くＩＰＡ蒸気を凝縮させることが重要であるが、上記従
来の装置のように基板を取り出しながらＩＰＡ蒸気を密
閉チャンバ内に吹き込むと、密閉チャンバ内にＩＰＡ蒸
気による気流が発生し、この気流の影響でＩＰＡ蒸気の
凝縮箇所が基板表面で偏ったり、あるいは凝縮する量が
不均一になったりする場合がある。そして、例えば、Ｉ
ＰＡ蒸気が部分的に凝縮しなかったり、あるいは凝縮す
るＩＰＡ蒸気の量が少ないと、基板表面に水や処理残渣
が部分的に残り、これがそのまま乾燥して基板の品質を
低下させたり、あるいは次工程でパーティクルを発生さ
せる原因となる場合がある。

【０００６】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、水洗処理後の水や処理残渣を基板表面
全体にわたって良好に除去できる基板処理方法及び同装
置を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の基板処理方法は、密閉チャンバ内に収容さ
れた処理槽に基板を浸漬して基板に対して水洗処理を施
す基板処理方法において、水を貯留した前記処理槽に基
板を浸漬した状態で、前記密閉チャンバ内に有機溶媒を
供給し、前記密閉チャンバ内への有機溶媒の供給を停止
し、有機溶媒の供給を停止した状態で、基板を前記処理
槽から引き上げるようにしたものである（請求項１）。

【０００８】この方法によれば、密閉チャンバ内に有機
溶媒を供給した後に、密閉チャンバ内への有機溶媒の供
給を停止して基板を処理層から引き上げているので、密
閉チャンバ内が低濃度の有機溶媒雰囲気の状態とされ
て、気液界面通過時に基板が乾燥されずに引き上げられ
る。その結果、基板表面全体にわたって有機溶媒の液膜
が形成され、これにより基板のぬれ性が高められる。そ
のため、基板の表面に付着した水や処理残渣、特に、水
洗処理で除去され難い疎水性の処理残渣等が効果的に除
去される。

【０００９】また、本発明の基板処理方法は、基板を前
記処理槽から引き上げた後、密閉チャンバ内に有機溶媒
あるいは不活性ガスを供給するようにしたものである
（請求項２）。

【００１０】この方法によれば、基板を処理槽から引き
上げた後、基板に有機溶媒あるいは不活性ガスが供給さ
れるので、ウォーターマークが低減し、基板の乾燥効率
が向上する。

【００１１】また、本発明の基板処理方法は、基板を前
記処理槽から引き上げた後、前記密閉チャンバ内を減圧
するようにしたものである（請求項３）。

【００１２】この方法によれば、基板を前記処理槽から
引き上げた後、基板が減圧状態にさらされるので、基板
の乾燥効率がさらに向上する。

【００１３】また、本発明の基板処理装置は、水を貯留
する処理槽と、前記処理槽を収容する密閉チャンバと、
前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給する有機溶媒供給
手段と、前記処理槽から基板を引き上げるハンドリング
手段と、前記処理槽に基板を浸漬した状態で、前記有機
溶媒供給手段により前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供
給させた後、有機溶媒の供給を停止し、有機溶媒の供給
を停止した状態で、前記ハンドリング手段により基板を
前記処理槽から引き上げさせる制御手段とを備えたもの
である（請求項４）。

【００１４】この装置によれば、処理槽に基板を浸漬し
た状態で、有機溶媒供給手段が密閉チャンバ内に有機溶
媒を供給した後、有機溶媒の供給を停止し、有機溶媒の
供給を停止した状態で、ハンドリング手段が基板を処理
槽から引き上げているので、密閉チャンバ内が低能度の
有機溶媒雰囲気の状態となって、気液界面通過時に基板
が乾燥されずに引き上げられる。その結果、基板表面全
体にわたって有機溶媒の液膜が形成され、これにより基
板のぬれ性が高められる。そのため、基板の表面に付着
した水や処理残渣、特に、水洗処理で除去され難い疎水
性の処理残渣等が効果的に除去される。

【００１５】また、本発明の基板処理装置は、前記制御
手段が、基板を前記処理槽から引き上げた後、前記有機
溶媒供給手段により前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供
給させるものである（請求項５）。

【００１６】この装置によれば、基板を処理槽から引き
上げた後、有機溶媒供給手段により有機溶媒が基板に供
給されるので、ウォーターマークが低減し、基板の乾燥
効率が向上する。

【００１７】また、本発明の基板処理装置は、前記密閉
チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
をさらに備え、前記制御手段が、基板を前記処理槽から
引き上げた後、前記不活性ガス供給手段により前記密閉
チャンバ内に不活性ガスを供給させるものである（請求
項６）。

【００１８】この装置によれば、基板を処理槽から引き
上げた後、不活性ガス供給手段により基板に不活性ガス
が供給されるので、ウォーターマークが低減し、基板の
乾燥効率が向上する。

【００１９】また、本発明の基板処理装置は、前記密閉
チャンバ内を減圧する減圧手段をさらに備え、前記制御
手段が、基板を前記処理槽から引き上げた後、前記減圧
手段により前記密閉チャンバ内を減圧させるものである
（請求項７）。

【００２０】この装置によれば、基板を処理槽から引き
上げた後、減圧手段により密閉チャンバ内が減圧されて
基板が減圧状態にさらされるので、基板の乾燥効率がさ
らに向上する。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を用いて説明する。

【００２２】図１は、本発明に係る基板処理装置の一例
を概略的に示している。この図に示す基板処理装置１０
は、単一の処理槽に各種薬液や純水を順次貯留しなが
ら、半導体ウエハ等の基板をこの処理液に浸漬して表面
処理を行う、いわゆるワンバス方式の基板処理装置であ
る。

【００２３】同図に示すように、基板処理装置１０は、
密閉チャンバ１２を有し、この密閉チャンバ１２内に処
理液を貯留するための処理槽１４を備えるとともに、有
機溶媒蒸気の供給系、チャンバ内を真空にするための減
圧系及び処理液の給排系を備えた構成となっている。

【００２４】密閉チャンバ１２には、その上部に、開口
部１６が形成されるとともに、この開口部１６を開閉す
る扉１８がスライド自在に設けられており、基板Ｗがこ
の開口部１６を介して密閉チャンバ１２に出し入れされ
るようになっている。

【００２５】処理槽１４は、上部開口を有するととも
に、その周囲に液受け部１４ａを備えた断面矩形の箱型
に形成されており、その全体は例えばＰＴＦＥ（ポリテ
トラフロロエチレン）、ＰＶＤＦ（フッ化ビニリデン）
等の耐侵食性に優れた樹脂材料から構成されている。

【００２６】処理槽１４には、処理液の給排系を構成す
る給水管２０及び排水管２１がそれぞれ接続されてい
る。給水管２０は、その上流端側が図外の純水供給源に
接続される一方、下流端側が処理槽１４の底部に接続さ
れて処理槽１４内に連通しており、その途中には、開閉
バルブ２２、ミキシングバルブ２４及び三方弁２６がそ
の上流側から順に介設されている。

【００２７】ミキシングバルブ２４には、薬液供給管２
８ａ〜２８ｄが接続されており、これら薬液供給管２８
ａ〜２８ｄの上流端側がそれぞれ異なる種類の薬液の供
給源（図示せず）に接続されるとともに、その途中に、
それぞれ開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが介設されている。
すなわち、給水管２０の開閉弁２２が開かれた状態で開
閉バルブ３０ａ〜３０ｄのうちのいずれかの開閉バルブ
が開かれることにより、給水管２０を通じて供給される
純水に一種類の薬液が混合されて処理槽１４に供給され
る一方、全ての開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが閉じられる
ことにより、純水のみが処理槽１４に供給されるように
なっている。これにより給水管２０が純水及び各薬液の
供給通路として共通化されている。

【００２８】排水管２１は、上流端側が上記処理槽１４
の液受け部１４ａに接続される一方、下流端側が図外の
廃液タンクに接続されている。また、排水管２１には、
その途中に分岐管２１ａが設けられ、この分岐管２１ａ
が給水管２０の三方弁２６に接続されている。すなわ
ち、処理槽１４から液受け部１４ａにオーバーフローし
た液を排水管２１を介して廃液タンクに導入しつつ、例
えば、処理槽１４内の処理液を全て排出する必要がある
場合には、三方弁２６を切替えることにより、給水管２
０、三方弁２６、分岐管２１ａ及び排水管２１を介して
処理槽１４内の処理液を廃液タンクに導入するようにな
っている。

【００２９】有機溶媒蒸気の供給系としては蒸気供給管
３２が設けられている。この蒸気供給管３２は、上流端
側が窒素ガスの供給源に接続される一方、下流端側が密
閉チャンバ１２に接続されてその内部に連通しており、
その間には、一対の三方弁３４ａ，３４ｂを介してバイ
パス通路３６が設けられ、このバイパス通路３６に有機
溶媒の蒸気発生器３８が介設されている。そして、各三
方弁３４ａ，３４ｂの切替えに応じて、窒素ガスをバイ
パス通路３６を介して密閉チャンバ１２内に導入する状
態と、これを遮断する状態とに切替えられるように有機
溶媒蒸気の供給系が構成されている。

【００３０】蒸気発生器３８は、アルコール系有機溶媒
の蒸気、本実施形態においてはＩＰＡ蒸気を生成するよ
うに構成されており、上述のように窒素ガスがバイパス
通路３６を介して密閉チャンバ１２に導入されることに
より、この窒素ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気が
密閉チャンバ１２内に導入されるようになっている。

【００３１】密閉チャンバ１２内を真空するための減圧
系としては減圧管４０が設けられている。この減圧管４
０は、上流端側が密閉チャンバ１２に接続されてその内
部に連通している一方、下流端側が例えば水封式の真空
ポンプ４４に接続されており、その途中には、三方弁４
６が介設されてこの三方弁４６に図外のフィルターを備
えた排気管４７が接続されている。そして、上記三方弁
４６の切替えに応じて、密閉チャンバ１２を真空ポンプ
４４に接続してその内部を減圧する状態と、排気管４７
を介して密閉チャンバ１２内を大気に開放する状態とに
切替えられるようになっている。

【００３２】なお、密閉チャンバ１２内には、複数枚の
基板Ｗを保持するハンドリング手段４８（図２に示す）
が上下動可能に設けられており、このハンドリング手段
４８が下降端位置に移動させられることにより同図中実
線で示すように基板Ｗが処理槽１４内の処理液に浸漬さ
せられる一方、ハンドリング手段４８がこの位置から上
昇させられることにより基板Ｗが処理液から取り出され
るようになっている。

【００３３】また、密閉チャンバ１２の上部外側には、
ハンドリング手段４８との間で基板Ｗを授受する移載機
構が移動可能に設けられており、開口部１６を介してこ
の移載機構とハンドリング手段４８との間で基板Ｗが授
け受されることにより、基板Ｗが基板処理装置１０に対
して出し入れされるようになっている。

【００３４】ところで、基板処理装置１０には、図２に
示すようなコントローラ５０が設けられており、有機溶
媒蒸気の供給系、減圧系及び処理液の給排系の各バル
ブ、ハンドリング手段４８及び上記移載機構等がこのコ
ントローラ５０に電気的に接続されている。コントロー
ラ５０には、主制御手段５２が設けられるとともに、駆
動制御手段５４及びバルブ制御手段５６が設けられ、駆
動制御手段５４に対してハンドリング手段４８が、バル
ブ制御手段５６に対して有機溶媒蒸気の供給系等の各バ
ルブがそれぞれ接続されている。

【００３５】そして、基板処理装置１０の作動時には、
駆動制御手段５４を介してハンドリング手段４８が、ま
た、バルブ制御手段５６を介して有機溶媒蒸気の供給系
等の各バルブがそれぞれ主制御手段５２によって統括的
に制御されることにより、以下のような基板Ｗの処理動
作が行われるようになっている。

【００３６】次に、基板処理装置１０による基板Ｗの処
理動作について作用と共に図３のフローチャートを用い
て説明する。

【００３７】先ず、ハンドリング手段４８が上昇端位置
にセットされた状態で密閉チャンバ１２の開口部１６が
開放され、密閉チャンバ１２の上方に搬送されてきた複
数枚の基板Ｗが移載機構により一括してハンドリング手
段４８に引き渡されて開口部１６が閉じられる。このと
き、密閉チャンバ１２内は大気圧とされ、ＩＰＡ蒸気の
供給は行われていない。また、処理槽１４には純水が供
給されつつ液受け部１４ａにオーバーフローさせられて
おり、これによって処理槽１４内に純水の上昇流が形成
されている。

【００３８】密閉チャンバ１２の開口部１６が閉じられ
ると、ハンドリング手段４８が下降端位置まで移動させ
られ、基板Ｗが一括して処理槽１４内の純水に浸漬させ
られる。そして、基板Ｗがこのような純水による上昇流
のなかに配置されることにより、基板Ｗに対して水洗処
理が施される（ステップＳ１，２）。

【００３９】基板Ｗに対して一定時間水洗処理が施され
ると、次に、薬液供給管２８ａ〜２８ｄのいずれかの開
閉バルブ３０ａ〜３０ｄａが開かれることにより薬液が
処理槽１４に供給されて基板Ｗに対して薬液処理が施さ
れる。このときも、薬液が処理槽１４に連続的に供給さ
れて液受け部１４ａにオーバーフローさせられており、
これにより処理残渣が処理槽１４外へと導出される。そ
して、以後、開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが順次択一的に
開かれることにより、異なる薬液が処理槽１４内に供給
され、これによって基板Ｗに対して複数種類の薬液処理
が順次施される（ステップＳ３，４）。

【００４０】すべての薬液処理が終了すると、再び純水
が処理槽１４に供給されて基板Ｗに対して水洗処理が施
され、一定時間、水洗処理が行われると、処理槽１４へ
の純水の供給が停止される（ステップＳ５，６）。

【００４１】そして、有機溶媒蒸気の供給系において三
方弁３４ａ，３４ｂが切替えられることにより密閉チャ
ンバ１２内にＩＰＡ蒸気が一定時間導入される（ステッ
プＳ７，８）。このようにＩＰＡ蒸気が導入されること
により、密閉チャンバ１２内空間がＩＰＡ蒸気で満たさ
れるとともに、ＩＰＡ蒸気が処理槽１４内の純水に溶け
込み、純水表面にほぼ均一なＩＰＡの液層が形成され
る。なお、ＩＰＡ蒸気の導入時間は、基板Ｗの数等によ
っても異なるが、本実施形態においては、１０分程度行
うようにしている。

【００４２】ＩＰＡ蒸気の導入が停止させられると、次
いで、ハンドリング手段４８が上昇端位置に移動させら
ることにより基板Ｗが処理槽１４から取り出される（ス
テップＳ９）。この際、処理槽１４内の純水の表面には
上述のようにＩＰＡの液層が形成されているため、この
ようなＩＰＡの液層を介して基板Ｗが取り出されること
により、水洗処理で除去されなかった例えば疎水性の処
理残渣等が効果的に除去される。また、基板Ｗの取り出
しに伴い基板Ｗの表面全体にわたって均一なＩＰＡの液
膜が形成され、これにより基板表面のぬれ性が高められ
る結果、基板表面に強固に付着した処理残渣や水がＩＰ
Ａと共に処理槽１４内に流下する。そのため、処理槽１
４から取り出される基板Ｗにおいては、これらの作用に
より、その表面全体にわたって水洗処理後の水や処理残
渣が良好に除去されることとなる。

【００４３】処理槽１４から基板Ｗが取り出されると、
処理液の給排系において三方弁２６が切替えられて処理
槽１４内の純水が急速排水されるとともに、再度、上記
三方弁３４ａ，３４ｂが切替えられて密閉チャンバ１２
内に一定時間だけＩＰＡ蒸気が導入される（ステップＳ
１０，１１）。このようにＩＰＡ蒸気が密閉チャンバ１
２内に導入されることにより、ＩＰＡ蒸気が基板表面で
凝縮して、その凝縮熱により基板表面のＩＰＡ液膜内に
含まれる純水が蒸発させられる。そして、ウォーターマ
ークが低減し、基板の乾燥効率が向上する。なお、この
ときのＩＰＡ蒸気の導入は、本実施形態においては５分
程度行うようにしている。

【００４４】次いで、減圧系の三方弁４６が切替えられ
て密閉チャンバ１２が真空ポンプ４４に接続されて密閉
チャンバ１２内が減圧される（ステップＳ１２）。これ
により基板表面のＩＰＡが蒸発させられて基板Ｗが乾燥
させられる。

【００４５】こうして一定時間密閉チャンバ１２内が減
圧されると、開閉バルブ４６が切替えられて密閉チャン
バ１２内が大気に開放されるとともに（ステップＳ１
３）、開口部１６が開放されて、基板Ｗが一括して移載
装置により密閉チャンバ１２外へと搬出される。こうし
て基板処理装置１０による基板Ｗの処理動作が終了す
る。

【００４６】以上説明した基板処理装置１０によれば、
純水による最終的な水洗処理が終了した後、処理槽１４
内にＩＰＡ蒸気を供給して純水の表面にＩＰＡの液層を
形成し、この液層を介して基板Ｗを取り出すことによっ
て、上述のように基板表面の水や処理残渣を除去するよ
うにしているので、基板を純水から取り出しながらＩＰ
Ａ蒸気を密閉チャンバ内に吹き込み、これによって基板
表面にＩＰＡ蒸気を凝縮させて水や処理残渣を除去する
従来のこの種の装置と比較すると、基板に付着した水や
処理残渣を基板表面全体にわたって良好に除去すること
ができる。

【００４７】すなわち、従来の装置では、密閉チャンバ
１２へのＩＰＡ蒸気の導入により、密閉チャンバ内にＩ
ＰＡ蒸気の気流が生じている。そのため、この気流の影
響で基板表面でのＩＰＡの凝縮位置が偏る等して、ＩＰ
Ａによる処理残渣等の除去効果が基板全体で均一に発揮
されない虞れがある。これに対し、この基板処理装置１
０によれば、純水表面に形成されたＩＰＡの液層を介し
て基板Ｗを処理槽１４から取り出すことで基板Ｗの表面
全体にわたってＩＰＡの液膜を均一に形成するため、Ｉ
ＰＡによる処理残渣の除去効果が基板全体でほぼ均一に
発揮される。そのため、基板Ｗに付着した水や処理残渣
がより確実に除去されることとなり、水洗処理の水や処
理残渣を基板表面全体にわたって良好に除去することが
できる。

【００４８】なお、当実施形態の基板処理装置１０と従
来装置とは、ＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ内に供給する点
で構成が共通しているが、基板表面に付着している処理
残渣を一定レベルまで除去するのに要する時間、具体的
には、基板表面に付着している処理残渣を３０個以下に
までするのに要する時間が、従来装置では１５分かかる
ところを、当実施形態の装置では５分で行うことがで
き、大幅に処理残渣の除去効果を高め得ることが実験的
に確認できた。そして、このように効率良く処理残渣を
除去できるようになった結果、ＩＰＡの消費量も従来装
置に比べると半分以下に低減することができた。

【００４９】また、複数の基板Ｗを一括して処理する基
板処理装置１０においては、次のような特徴もある。す
なわち、複数枚の基板を一括に処理する場合、従来の装
置では、基板の位置によっては気流の影響を受けること
により、ＩＰＡによる処理残渣等の除去効果が基板同士
の間で均一に発揮されない虞れがあるが、基板処理装置
１０によれば、全ての基板Ｗについてその表面全体にＩ
ＰＡの液膜を均一に形成することが可能であるため、Ｉ
ＰＡによる処理残渣等の除去効果が基板間でほぼ均一に
発揮される。そのため、基板Ｗの品質を均一にすること
ができるという利点がある。

【００５０】なお、上記実施形態の基板処理装置１０
は、本発明に係る基板処理装置の一例であって、その具
体的な構成や制御（動作）は本発明の要旨を逸脱しない
範囲で適宜変更可能である。

【００５１】例えば、基板処理装置１０では、最終的な
純水による水洗処理後、密閉チャンバ１２内にＩＰＡ蒸
気を導入し、この蒸気を純水に溶け込ませることによっ
てＩＰＡの液層を形成するようにしているが、上記処理
液の給排系を利用したり、あるいは別途、専用の供給系
を設けて処理槽１４内に直接ＩＰＡを流し込むようにし
てもよい。但し、上記実施形態のようにすれば、純水表
面に均一なＩＰＡの液層を形成し易いという利点があ
る。また、密閉チャンバ１２内がＩＰＡ蒸気により満た
されるため、基板Ｗの取り出し時には、これに伴いＩＰ
Ａ蒸気が基板表面で凝縮して基板表面のＩＰＡ液膜に含
まれる純水が蒸発するため、基板表面の水を効果的に除
去することができるという利点がある。

【００５２】また、当実施形態では、基板Ｗを処理槽１
４から取り出した後、処理槽１４内の純水を急速排水す
るようにしているが、排水タイミングは、必ずしも基板
Ｗを処理槽１４から取り出した直後である必要はなく、
基板Ｗを引き上げた後の適当なタイミングで排水するよ
うにすればよい。この際、必ずしも純水を急速で排水す
る必要はないが、急速で排水するようにすれば液中に浮
遊する処理残渣が処理槽１４の壁面に付着し難くなり、
処理残渣の処理槽１４内への残留を軽減することができ
るという利点がある。なお、このように純水を排出する
代わりに、処理槽１４に純水を連続的に供給して液受け
部１４ａにオーバーフローさせ、これにより液中の処理
残渣を排出するようにしてもよい。

【００５３】また、上記実施形態では、有機溶媒として
ＩＰＡを用いているが、使用する有機溶媒の種類は、勿
論生産する基板の種類等に応じて適宜選定するようにす
ればよく、処理槽１４に向けて供給することで、処理槽
１４の水面に液層を形成するとともに、基板Ｗを処理槽
１４から取り出した際に、基板表面に液膜を形成して基
板表面の水や処理残渣の除去に寄与する機能を有する限
り任意の有機溶媒を用いてもよい。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理方法
によれば、密閉チャンバ内に有機溶媒を供給した後に、
密閉チャンバ内への有機溶媒の供給を停止して基板を処
理層から引き上げているので、気液界面通過時に基板が
乾燥されずに引き上げられて基板表面全体にわたって有
機溶媒の液膜が形成され、これにより基板のぬれ性が高
められる。その結果、基板の表面に付着した水や処理残
渣、特に、水洗処理で除去され難い疎水性の処理残渣等
を効果的に除去することができる（請求項１）。

【００５５】また、本発明の基板処理方法によれば、基
板を前記処理槽から引き上げた後、基板に有機溶媒ある
いは不活性ガスを供給するので、ウォーターマークを低
減でき、基板の乾燥効率を向上させることができる（請
求項２）。

【００５６】また、本発明の基板処理方法によれば、基
板を前記処理槽から引き上げた後、基板が減圧状態にさ
らされるので、基板の乾燥効率をさらに向上させること
ができる（請求項３）。

【００５７】また、本発明の基板処理装置によれば、処
理槽に基板を浸漬した状態で、有機溶媒供給手段が密閉
チャンバ内に有機溶媒を供給した後、有機溶媒の供給を
停止し、有機溶媒の供給を停止した状態で、ハンドリン
グ手段が基板を処理槽から引き上げているので、気液界
面通過時に基板が乾燥されずに引き上げられて、基板表
面全体にわたって有機溶媒の液膜が形成され、これによ
り基板のぬれ性が高められる。その結果、基板の表面に
付着した水や処理残渣、特に、水洗処理で除去され難い
疎水性の処理残渣等を効果的に除去することができる
（請求項４）。

【００５８】また、本発明の基板処理装置は、基板を処
理槽から引き上げた後、有機溶媒供給手段により有機溶
媒が基板に供給されるので、ウォーターマークを低減で
き、基板の乾燥効率を向上させることができる（請求項
５）。

【００５９】また、本発明の基板処理装置は、基板を処
理槽から引き上げた後、不活性ガス供給手段により基板
に不活性ガスが供給されるので、ウォーターマークを低
減でき、基板の乾燥効率を向上させることができる（請
求項６）。

【００６０】また、本発明の基板処理装置は、本発明の
基板を処理槽から引き上げた後、減圧手段により密閉チ
ャンバ内を減圧し、基板を減圧状態にさらしているの
で、基板の乾燥効率をさらに向上させることができる
（請求項７）。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の一例を示す概略構
成図である。

【図２】上記基板処理装置の制御系を示すブロック図で
ある。

【図３】上記基板処理装置における基板処理動作の一例
を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１０基板処理装置１２密閉チャンバ１４処理槽２０給水管２１排水管２１ａ分岐管２８ａ〜２８ｄ薬液供給管３０ａ〜３０ｄ開閉バルブ３２蒸気供給管４０減圧管４４真空ポンプ４７排気管４８ハンドリング手段５０コントローラ５２主制御手段５４駆動制御手段５６バルブ制御手段Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】密閉チャンバ内に収容された処理槽に基
板を浸漬して基板に対して水洗処理を施す基板処理方法
において、水を貯留した前記処理槽に基板を浸漬した状
態で、前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給し、前記密
閉チャンバ内への有機溶媒の供給を停止し、有機溶媒の
供給を停止した状態で、基板を前記処理槽から引き上げ
ることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理方法におい
て、基板を前記処理槽から引き上げた後、前記密閉チャ
ンバ内に有機溶媒あるいは不活性ガスを供給することを
特徴とする基板処理方法。
【請求項３】請求項１又は２に記載の基板処理方法に
おいて、基板を前記処理槽から引き上げた後、前記密閉
チャンバ内を減圧することを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】水を貯留する処理槽と、前記処理槽を収
容する密閉チャンバと、前記密閉チャンバ内に有機溶媒
を供給する有機溶媒供給手段と、前記処理槽から基板を
引き上げるハンドリング手段と、前記処理槽に基板を浸
漬した状態で、前記有機溶媒供給手段により前記密閉チ
ャンバ内に有機溶媒を供給させた後、有機溶媒の供給を
停止し、有機溶媒の供給を停止した状態で、前記ハンド
リング手段により基板を前記処理槽から引き上げさせる
制御手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】請求項４に記載の基板処理装置におい
て、前記制御手段は、基板を前記処理槽から引き上げた
後、前記有機溶媒供給手段により前記密閉チャンバ内に
有機溶媒を供給させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】請求項４又は５に記載の基板処理装置に
おいて、前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給する不
活性ガス供給手段をさらに備え、前記制御手段は、基板
を前記処理槽から引き上げた後、前記不活性ガス供給手
段により前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給させる
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】請求項４乃至６のいずれかに記載の基板
処理装置において、前記密閉チャンバ内を減圧する減圧
手段をさらに備え、前記制御手段は、基板を前記処理槽
から引き上げた後、前記減圧手段により前記密閉チャン
バ内を減圧させることを特徴とする基板処理装置。