JPH10289934A - Probe device and probe method - Google Patents
Probe device and probe methodInfo
- Publication number
- JPH10289934A JPH10289934A JP10027705A JP2770598A JPH10289934A JP H10289934 A JPH10289934 A JP H10289934A JP 10027705 A JP10027705 A JP 10027705A JP 2770598 A JP2770598 A JP 2770598A JP H10289934 A JPH10289934 A JP H10289934A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chamber
- opening
- air
- hot air
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 大口径(例えば12インチクラス)の被検査
体であっても結露に起因した水分を確実に除去し、被検
査体の汚染を確実に防止することができるプローブ装置
及びプローブ方法を提供する。
【解決手段】 ウエハWを搬送するピンセット3を有す
るローダ室1と、このローダ室1と隣接し且つX、Y、
Z及びθ方向に移動可能なメインチャック5を有するプ
ローバ室2と、このプローバ室2とローダ室1を区画す
る隔壁と、この隔壁のウエハWの搬出入口を開閉する開
閉扉とを備え、メインチャック5を介してウエハWを冷
却すると共にウエハWの冷却温度では結露しない乾燥空
気をプローバ室2内に供給しながらウエハWの電気的特
性検査を行うプローブ装置において、開閉扉10が開い
た時に搬出入口9Aを通過するウエハWに熱風を吹き付
ける熱風吹き付け装置11を設けたことを特徴とする。
(57) [Summary] (with correction) [Problem] To reliably remove moisture caused by dew condensation even in a large-diameter (for example, 12-inch class) test object, and to surely prevent contamination of the test object. A probe device and a probe method are provided. SOLUTION: A loader chamber 1 having tweezers 3 for transporting a wafer W, and X, Y,
A prober chamber 2 having a main chuck 5 movable in the Z and θ directions; a partition partitioning the prober chamber 2 and the loader chamber 1; and an opening / closing door for opening / closing a wafer W loading / unloading port of the partition. When the opening / closing door 10 is opened in the probe device that cools the wafer W through the chuck 5 and inspects the electrical characteristics of the wafer W while supplying dry air that does not dew at the cooling temperature of the wafer W into the prober chamber 2. A hot air blowing device 11 for blowing hot air onto the wafer W passing through the loading / unloading port 9A is provided.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、低温下で半導体ウ
エハ(以下、単に「ウエハ」と称す。)等の被検査体の
電気的特性検査を行う場合に好適に用いられるプローブ
装置及びプローブ方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe apparatus and a probe method which are suitably used for inspecting electrical characteristics of an object to be inspected such as a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer") at a low temperature. About.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のこの種のプローブ装置は、通常、
図5、図6に示すように、ウエハWを搬送すると共にウ
エハWをプリアライメントするローダ室1と、このロー
ダ室1からウエハWを受け取って電気的特性検査行うプ
ローバ室2とを備えて構成されている。ローダ室1には
ピンセット3及びサブチャック4が配設され、ピンセッ
ト3でウエハWを搬送する間にサブチャック4において
オリエンテーションフラットを基準にしてウエハWをプ
リアライメントするようにしてある。また、プローバ室
2にはメインチャック5及びアライメント機構6が配設
され、ウエハWを載置したメインチャック5がX、Y、
Z及びθ方向で移動しながらアライメント機構6により
ウエハWをメインチャック5上方のプローブカード7の
プローブ針7Aに対してアライメントし、ウエハWとプ
ローブ針7Aとを電気的に接触させ、テストヘッドTを
介してウエハWの電気的特性検査を行うようにしてあ
る。尚、プローブカード7はプローバ室2の天面を形成
するヘッドプレート8に対して着脱可能に取り付けられ
ている。2. Description of the Related Art A conventional probe apparatus of this kind is usually
As shown in FIGS. 5 and 6, a loader chamber 1 for transferring the wafer W and pre-aligning the wafer W is provided, and a prober chamber 2 for receiving the wafer W from the loader chamber 1 and inspecting the electrical characteristics. Have been. Tweezers 3 and a sub chuck 4 are provided in the loader chamber 1, and the wafer W is pre-aligned in the sub chuck 4 with reference to an orientation flat while the wafer W is carried by the tweezers 3. Further, a main chuck 5 and an alignment mechanism 6 are provided in the prober chamber 2, and the main chuck 5 on which the wafer W is placed is X, Y,
The wafer W is aligned with the probe needles 7A of the probe card 7 above the main chuck 5 by the alignment mechanism 6 while moving in the Z and θ directions, and the wafer W and the probe needles 7A are brought into electrical contact with each other. , An electrical characteristic inspection of the wafer W is performed. The probe card 7 is detachably attached to a head plate 8 forming the top surface of the prober chamber 2.
【0003】また、上記ローダ室1とプローバ室2は隔
壁9によって区画され、更に、この隔壁9のウエハWの
搬出入口9Aには図示しない開閉扉が取り付けられてい
る。この開閉扉はピンセット3を介してローダ室1とプ
ローバ室2との間でウエハWを搬送する時に開くように
なっている。The loader chamber 1 and the prober chamber 2 are partitioned by a partition wall 9, and an opening / closing door (not shown) is attached to a loading / unloading opening 9A of the wafer W of the partition wall 9. The opening / closing door is opened when the wafer W is transferred between the loader chamber 1 and the prober chamber 2 via the tweezers 3.
【0004】また、ウエハWの検査には常温検査は勿論
のこと、低温検査及び高温検査がある。そのため、メイ
ンチャック5には温度調整機構が内蔵され、この温度調
整機構を用いてウエハWの温度を例えば−数10から+
160℃の広い範囲で温度設定できるようにしてある。
例えば、−40℃の低温下でウエハWの検査を行う場合
には、温度調整機構を介してメインチャック5上のウエ
ハWを−40℃に冷却して検査を行うようにしている。
この場合にはプローバ室2内に露点が−40℃以下の乾
燥空気を供給し、ウエハW表面で結露、氷結しないよう
にしている。そして、検査後にはウエハWをピンセット
3でメインチャック5から持ち上げ、プローバ室2から
ローダ室1へウエハWを搬出するようにしている。Inspection of the wafer W includes not only a normal temperature inspection but also a low temperature inspection and a high temperature inspection. For this reason, the main chuck 5 has a built-in temperature adjusting mechanism, and the temperature of the wafer W is reduced by using this temperature adjusting mechanism, for example, from −tens to +10.
The temperature can be set in a wide range of 160 ° C.
For example, when the inspection of the wafer W is performed at a low temperature of −40 ° C., the inspection is performed by cooling the wafer W on the main chuck 5 to −40 ° C. via a temperature adjusting mechanism.
In this case, dry air having a dew point of −40 ° C. or less is supplied into the prober chamber 2 so that dew condensation and freezing do not occur on the surface of the wafer W. After the inspection, the wafer W is lifted from the main chuck 5 with tweezers 3 and the wafer W is carried out from the prober chamber 2 to the loader chamber 1.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プローブ装置を用いて今後の主流となる12インチのウ
エハWの低温検査を行う場合には、現在の8インチウエ
ハWまでは想定していない現象、つまりウエハWをプロ
ーバ室2からローダ室1へ搬送する間にウエハW表面で
結露、氷結して全面に霜が付着するという現象が生じ
た。このウエハWをそのままローダ室1へ搬送すると、
この間にウエハWの霜が融け、パーティクル等の塵埃が
付着してウエハW表面が汚染されるという課題が生じて
来た。However, when a low-temperature inspection of a 12-inch wafer W, which will become the mainstream in the future, using a conventional probe device, a phenomenon that is not assumed up to the current 8-inch wafer W is considered. In other words, during the transfer of the wafer W from the prober chamber 2 to the loader chamber 1, a phenomenon has occurred in which the surface of the wafer W is dewed and frozen and frost adheres to the entire surface. When the wafer W is transferred to the loader chamber 1 as it is,
During this time, the problem has arisen that the frost on the wafer W melts, dusts such as particles adhere, and the surface of the wafer W is contaminated.
【0006】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、例えば12インチクラスの大口径の被検査
体であっても結露に起因した水分を確実に除去し、被検
査体の汚染を確実に防止することができるプローブ装置
及びプローブ方法を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems. For example, even for a large-diameter test object of a 12-inch class, water caused by condensation is reliably removed, and contamination of the test object is prevented. It is an object of the present invention to provide a probe device and a probe method that can surely prevent the occurrence of an error.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のプローブ装置は、被検査体を搬送する搬送機構を有す
るローダ室と、このローダ室と隣接し且つX、Y、Z及
びθ方向に移動可能な載置台を有するプローバ室と、こ
のプローバ室と上記ローダ室を区画する隔壁と、この隔
壁の上記被検査体の搬出入口を開閉する開閉扉とを備
え、上記載置台を介して上記被検査体を冷却すると共に
上記被検査体の冷却温度では結露しない乾燥空気を上記
プローバ室内に供給しながら上記被検査体の電気的特性
検査を行うプローブ装置において、上記開閉扉が開いた
時に上記搬出入口を通過する上記被検査体に熱風を吹き
付ける熱風吹き付け装置を設けたことを特徴とするもの
である。According to a first aspect of the present invention, there is provided a probe apparatus including a loader chamber having a transport mechanism for transporting an object to be inspected, and X, Y, Z, and θ adjacent to the loader chamber. A prober chamber having a mounting table movable in the direction, a partition that divides the prober chamber and the loader chamber, and an opening / closing door that opens and closes a loading / unloading port for the object to be inspected of the partition. In the probe device that cools the test object and supplies the dry air that does not dew at the cooling temperature of the test object into the prober chamber and performs an electrical characteristic test of the test object, the opening and closing door is opened. A hot air blowing device for blowing hot air to the object to be inspected which sometimes passes through the carry-in / out port is provided.
【0008】また、本発明の請求項2に記載のプローブ
装置は、請求項1に記載の発明において、上記熱風吹き
付け装置は、上記開閉扉と一体化した熱風噴出機構と、
この熱風噴出機構に接続された気体加熱機構とを備えた
ことを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in the probe device according to the first aspect, the hot air blowing device includes a hot air blowing mechanism integrated with the opening and closing door;
A gas heating mechanism connected to the hot air blowing mechanism is provided.
【0009】また、本発明の請求項3に記載のプローブ
装置は、請求項1または請求項2に記載の発明におい
て、上記気体加熱機構がボルテックスチューブであるこ
とを特徴とするものである。A probe device according to a third aspect of the present invention is the probe device according to the first or second aspect, wherein the gas heating mechanism is a vortex tube.
【0010】また、本発明の請求項4に記載のプローブ
装置は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発
明において、上記開閉扉を開閉するエアシリンダを設け
ると共に上記熱風吹き付け装置にソレノイドバルブを設
け、且つ、上記エアシリンダの開駆動用の圧縮空気の圧
力で上記ソレノイドバルブを開放することを特徴とする
ものである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a probe device according to any one of the first to third aspects, further comprising an air cylinder for opening and closing the opening and closing door, and blowing the hot air. A solenoid valve is provided in the device, and the solenoid valve is opened by the pressure of compressed air for driving the air cylinder to open.
【0011】また、本発明の請求項5に記載のプローブ
方法は、ローダ室とプローバ室間の隔壁の開閉扉を開
き、上記ローダ室から上記プローバ室内の載置台上へ被
検査体を搬送して上記開閉扉を閉じた後、上記載置台を
介して上記被検査体を所定の検査温度まで冷却すると共
に上記被検査体の冷却温度では結露しない乾燥空気を上
記プローバ室内に供給しながら上記被検査体の低温検査
を行うプローブ方法において、上記開閉扉を開き上記被
検査体を上記プローバ室から上記ローダ室へ搬送する過
程で上記被検査体に熱風を吹き付けることを特徴とする
ものである。In the probe method according to a fifth aspect of the present invention, an opening / closing door of a partition wall between the loader chamber and the prober chamber is opened, and the device to be inspected is transferred from the loader chamber to a mounting table in the prober chamber. After closing the opening / closing door, the test object is cooled to a predetermined test temperature through the mounting table, and dry air that does not form dew at the cooling temperature of the test object is supplied into the prober chamber. In a probe method for performing a low-temperature inspection of an inspection object, a hot air is blown to the inspection object in a process of opening the opening / closing door and transporting the inspection object from the prober chamber to the loader chamber.
【0012】また、本発明の請求項6に記載のプローブ
方法は、請求項5に記載の発明において、上記プローバ
室側で水平に開いた上記開閉扉から熱風を吹き付けるこ
とを特徴とするものである。A probe method according to a sixth aspect of the present invention is characterized in that, in the invention according to the fifth aspect, hot air is blown from the opening / closing door that opens horizontally on the prober chamber side. is there.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図1〜図4に示す実施形態
に基づいて従来と同一または相当部分には同一符号を附
して本発明の特徴を中心に説明する。本実施形態のプロ
ーブ装置は、図1に示すように、ローダ室1、プローバ
室2、ピンセット3、サブチャック4、メインチャック
5、アライメント機構(図示せず)及びプローブカード
7等を備えて構成されている。また、ローダ室1とプロ
ーバ室2の隔壁9を介して区画されている。そして、こ
の隔壁9には搬出入口9Aが形成され、この搬出入口9
Aを開閉扉10によって開閉するようにしてある。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The same or corresponding parts as those of the prior art will be designated by the same reference numerals based on the embodiments shown in FIGS. As shown in FIG. 1, the probe device of the present embodiment includes a loader chamber 1, a prober chamber 2, tweezers 3, a sub chuck 4, a main chuck 5, an alignment mechanism (not shown), a probe card 7, and the like. Have been. Further, it is partitioned by a partition wall 9 of the loader room 1 and the prober room 2. The bulkhead 9 is formed with a loading / unloading port 9A.
A is opened and closed by a door 10.
【0014】また、プローバ室2には乾燥空気を受給す
る受給孔2Aが形成され、この受給孔2Aに乾燥空気を
供給する配管(図示せず)が接続されている。そして、
この孔から例えば露点−70℃の乾燥空気をプローバ室
2内に供給すると共にプローバ室2内の乾燥空気を図示
しない排出孔から排出し、プローバ室2内の乾燥空気を
−70℃の露点で保持すると共に常に清浄な状態にして
ある。また、メインチャック5には温度調整機構(図示
せず)が内蔵され、この温度調整機構によりメインチャ
ック5上に載置されたウエハWを例えば−60℃程度の
低温まで設定し、低温検査を行えるようにしてある。ま
た、温度調整機構によりウエハWを加熱し、+160℃
程度までの高温検査を行えるようにしてある。A receiving hole 2A for receiving dry air is formed in the prober chamber 2, and a pipe (not shown) for supplying dry air is connected to the receiving hole 2A. And
From this hole, for example, dry air having a dew point of -70 ° C is supplied into the prober chamber 2 and the dry air in the prober chamber 2 is discharged from a discharge hole (not shown), and the dry air in the prober chamber 2 is discharged at a dew point of -70 ° C. It is kept clean and always clean. Further, a temperature adjustment mechanism (not shown) is built in the main chuck 5, and the temperature adjustment mechanism sets the wafer W mounted on the main chuck 5 to a low temperature of, for example, about −60 ° C. to perform a low-temperature inspection. I can do it. Further, the wafer W is heated by the temperature adjusting mechanism, and is heated to + 160 ° C.
High-temperature inspection up to the extent is possible.
【0015】さて、本実施形態のプローブ装置の場合に
は、上記開閉扉10が開いた時に搬出入口9Aを通過す
るウエハWに熱風を吹き付ける熱風吹き付け装置11が
設けられている。この熱風吹き付け装置11は、開閉扉
10と一体化した熱風噴出機構12と、この熱風噴出機
構12に配管13Aを介して接続された気体加熱機構
(例えばボルテックスチューブ)14と、このボルテッ
クスチューブ14に配管13Bを介して接続されたソレ
ノイドバルブ15とを備えている。ボルテックスチュー
ブ14は、例えば30℃前後の高圧空気を受給すると、
80℃前後の高温空気と−30℃前後の空気を生成する
ように構成されている。また、ソレノイドバルブ15
は、開閉扉10を開閉する後述のエアシリンダの開動作
と同期して開動作し、ボルテックスチューブ14へ高圧
空気を供給するようにしてある。尚、ボルテックスチュ
ーブ14は従来公知のため具体的な説明は省略する。In the probe device of the present embodiment, a hot air blowing device 11 for blowing hot air to the wafer W passing through the loading / unloading opening 9A when the opening / closing door 10 is opened is provided. The hot-air blowing device 11 includes a hot-air blowing mechanism 12 integrated with the opening / closing door 10, a gas heating mechanism (for example, a vortex tube) 14 connected to the hot-air blowing mechanism 12 via a pipe 13 </ b> A, and a vortex tube 14. A solenoid valve 15 connected via a pipe 13B. When the vortex tube 14 receives high-pressure air of, for example, about 30 ° C.,
It is configured to generate high-temperature air around 80 ° C. and air around -30 ° C. Also, the solenoid valve 15
The opening operation is performed in synchronization with the opening operation of an air cylinder, which opens and closes the opening / closing door 10, which will be described later, and supplies high-pressure air to the vortex tube 14. Since the vortex tube 14 is conventionally known, a detailed description is omitted.
【0016】上記開閉扉10と熱風噴出機構12は、図
2、図3に示すように、フレーム16を介して隔壁9の
搬出入口9Aに取り付けられ、これら両者は側方に設け
られたエアシリンダ17を介して搬出入口9Aを開閉す
るようにしてある。開閉扉10と熱風噴出機構12との
関係を示したのが図4(a)の分解斜視図である。この
図にも示すように、熱風噴出機構12は、内側(ローダ
室1側)が全面開口し薄く形成された矩形状の箱体12
Aと、この箱体12Aの開口を塞ぐノズルプレート12
Bと、上記配管13Aを箱体12Aに連結する連結部品
12Cとを備えている。箱体12A、ノズルプレート1
2B及び開閉扉10はこの順序で重ね合わされ、それぞ
れの周縁部でネジ12Dによって一体化され、図4の
(b)で示すように内部に狭い空間12Eを形成してい
る。ノズルプレート12Bには多数のノズル孔がほぼ全
面に渡って均等に分散して形成され、これらのノズルか
ら熱風を噴出するようにしてある。更に、開閉扉10に
は開口部10Aが形成され、各ノズル孔を開閉扉10に
よって塞がないようにしてある。このように熱風噴出機
構12が開閉扉10と一体化して隔壁9の搬出入口9A
を開閉すると共に、搬出口9Aを開放した時に熱風を真
下に噴出するようにしてある。従って、配管13Aから
熱風が供給されると、連結部品13Cを介して箱体12
Aの空間12Eへ熱風が流入し、ノズルプレート12B
の各ノズル孔から熱風が均等に噴出するようにしてあ
る。As shown in FIGS. 2 and 3, the opening and closing door 10 and the hot air blowing mechanism 12 are attached to a loading / unloading port 9A of the partition 9 via a frame 16, and both are air cylinders provided on the side. The loading / unloading entrance 9A is opened and closed via the opening 17. FIG. 4A is an exploded perspective view showing a relationship between the opening / closing door 10 and the hot air blowing mechanism 12. As shown in this figure, the hot-air blowing mechanism 12 has a rectangular box body 12 that is thinly formed with the inner side (the loader chamber 1 side) entirely open.
A and a nozzle plate 12 for closing the opening of the box body 12A.
B and a connecting part 12C for connecting the pipe 13A to the box 12A. Box body 12A, nozzle plate 1
2B and the door 10 are overlapped in this order, and are integrated by screws 12D at their respective peripheral edges, forming a narrow space 12E inside as shown in FIG. 4B. A large number of nozzle holes are formed in the nozzle plate 12B so as to be evenly distributed over substantially the entire surface, and hot air is blown from these nozzles. Further, an opening 10A is formed in the door 10 so that each nozzle hole is not closed by the door 10. As described above, the hot air blowing mechanism 12 is integrated with the opening / closing door 10 to carry out the entrance 9A of the partition 9.
Are opened and closed, and when the carry-out port 9A is opened, hot air is blown directly below. Therefore, when hot air is supplied from the pipe 13A, the box body 12 is connected via the connecting part 13C.
A hot air flows into the space 12E of A, and the nozzle plate 12B
Hot air is blown out from each nozzle hole evenly.
【0017】また、上記フレーム16にはプローバ室2
側に矩形状に膨らむ凹陥部16Aが形成され、この凹陥
部16Aに対して上記熱風噴出機構12と一体化した開
閉扉10が複数のヒンジ18を介して開閉自在に連結さ
れ、開閉扉10は上端のヒンジ18を介して搬出入口9
Aからプローバ室2側にほぼ90°回転し、水平位置で
停止するようにしてある。尚、図4の(a)において、
19はヒンジ止め板、20はマイラーである。The prober chamber 2 is provided in the frame 16.
A concave portion 16A bulging into a rectangular shape is formed on the side, and an opening / closing door 10 integrated with the hot air jetting mechanism 12 is connected to the concave portion 16A via a plurality of hinges 18 so as to be openable and closable. The loading / unloading port 9 via the hinge 18 at the upper end
It rotates about 90 ° from A to the prober chamber 2 side and stops at a horizontal position. In FIG. 4A,
19 is a hinge stop plate, and 20 is a mylar.
【0018】また、図1に示すように上記熱風吹き付け
装置11のソレノイドバルブ15と開閉扉10の開閉に
用いるエアシリンダ17とは空気配管21を介して連結
されている。即ち、エアシリンダ17は、開閉扉10を
開く時に圧縮空気を供給する第1配管17Aと、開閉扉
10を閉じる時に圧縮空気を供給する第2配管17Bと
を有している。そして、上記空気配管21は第1配管1
7Aから分岐している。従って、開閉扉10を開く時に
は空気配管21を介してソレノイドバルブ15へ圧縮空
気が供給され、この圧縮空気の圧力でソレノイドバルブ
15が駆動してバルブを開放し、ボルテックスチューブ
14へ高圧空気を供給し、熱風噴出機構12から熱風を
真下へ噴出するようにしてある。As shown in FIG. 1, a solenoid valve 15 of the hot air blowing device 11 and an air cylinder 17 used for opening and closing the door 10 are connected via an air pipe 21. That is, the air cylinder 17 has a first pipe 17A that supplies compressed air when the door 10 is opened, and a second pipe 17B that supplies compressed air when the door 10 is closed. The air pipe 21 is the first pipe 1
It branches off from 7A. Therefore, when the door 10 is opened, compressed air is supplied to the solenoid valve 15 through the air pipe 21, and the pressure of the compressed air drives the solenoid valve 15 to open the valve and supply high-pressure air to the vortex tube 14. Then, hot air is blown out from the hot air blowing mechanism 12 directly below.
【0019】次に、本発明のプローブ方法の一実施形態
を上記プローブ装置の動作と共に説明する。ローダ室1
においてピンセット3がカセット内から12インチのウ
エハWを1枚取り出し、サブチャック3上でウエハWの
プリアライメントを行った後、ウエハWをプローバ室2
へ搬入する。この際、コントローラのシーケンシャル制
御に基づいてエアシリンダ17が駆動して開閉扉10を
開き隔壁9の搬出入口9Aを開放する。これにより熱風
噴出機構12から熱風が真下に噴出する。その後、ピン
セット3がサブチャック3上のウエハWを引き取り、搬
出入口9Aからプローバ室2内へ搬入するが、ピンセッ
ト3は開閉扉10の真下を例えば2秒程度で通過し、ウ
エハWが熱風により極力加熱されないようしてメインチ
ャック5上にウエハWを引き渡す。その後、ピンセット
3はプローバ室2から退出し検査後のウエハWを搬出す
るためにローダ室1内で待機すると共にエアシリンダ1
7が駆動して開閉扉10で搬出入口9Aを閉じ、プロー
バ室2をローダ室1から隔絶する。Next, an embodiment of the probe method of the present invention will be described together with the operation of the above-described probe device. Loader room 1
, The tweezers 3 takes out one 12-inch wafer W from the cassette, performs pre-alignment of the wafer W on the sub chuck 3, and then moves the wafer W into the prober chamber 2.
Carry in. At this time, based on the sequential control of the controller, the air cylinder 17 is driven to open the opening / closing door 10 and open the carry-in / out entrance 9A of the partition 9. As a result, the hot air blows out from the hot air blowing mechanism 12 directly below. After that, the tweezers 3 picks up the wafer W on the sub-chuck 3 and carries it into the prober chamber 2 from the loading / unloading opening 9A. The wafer W is delivered onto the main chuck 5 so as not to be heated as much as possible. Thereafter, the tweezers 3 are withdrawn from the prober chamber 2 and stand by in the loader chamber 1 to carry out the wafer W after the inspection, and the air cylinder 1
7 is driven to close the carry-in / out entrance 9A by the opening / closing door 10, and isolates the prober chamber 2 from the loader chamber 1.
【0020】一方、プローバ室2内では連続的に受給孔
2Aから露点−70℃の乾燥空気を受給すると共に排出
孔から排出してプローバ室2内の空気を常にその露点で
保持すると共に内部にパーティクルが滞留せず清浄な環
境を保持している。このような環境下でピンセット3か
らウエハWを受け取ったメインチャック5はウエハWを
真空吸着してウエハWを保持し、ウエハWを例えば−6
0℃まで冷却する一方、X、Y、Z及びθ方向に移動し
てアライメント機構(図示せず)の作用下でウエハWの
電極パッドとプローブ針7Aとをアライメントする。次
いで、メインチャック5がZ方向に上昇し、プローブ針
7Aと接触してウエハWの低温検査を−60℃で行い、
検査後にはZ方向に下降し、引き続き、メインチャック
5をインデックス送りしてウエハWの全ICチップにつ
いて検査を行う。On the other hand, in the prober chamber 2, dry air having a dew point of -70 ° C. is continuously received from the receiving hole 2A and discharged from the discharge hole to always maintain the air in the prober chamber 2 at the dew point and to store the air therein. Particles do not stay and maintain a clean environment. In such an environment, the main chuck 5 receiving the wafer W from the tweezers 3 holds the wafer W by vacuum suction of the wafer W, and holds the wafer W at, for example, −6.
While cooling to 0 ° C., the wafer is moved in the X, Y, Z and θ directions to align the electrode pads of the wafer W with the probe needles 7A under the action of an alignment mechanism (not shown). Next, the main chuck 5 is moved up in the Z direction, and is brought into contact with the probe needle 7A to perform a low-temperature inspection of the wafer W at −60 ° C.
After the inspection, the wafer is lowered in the Z direction, and subsequently, the main chuck 5 is index-fed to inspect all the IC chips on the wafer W.
【0021】全ICチップの検査が終了すると、メイン
チャック5がウエハWの搬出位置まで移動し、停止す
る。これと同期してエアシリンダ17が駆動して開閉扉
10を開き、搬出入口9Aを開放する。この時、第1配
管17Aから圧縮空気をエアシリンダ17へ供給して開
閉扉10を開くと共に、熱風吹き付け装置11が作動す
る。即ち、圧縮空気が第1配管17Aから分岐した空気
配管21を経由して熱風吹き付け装置11のソレノイド
バルブ15に達し、ソレノイドバルブ15を開き、例え
ば30℃の高圧空気を配管13Bを介してボルテックス
チューブ14へ供給する。ボルテックスチューブ14で
は高圧空気から例えば80℃前後の高温空気を生成し、
この高温空気を配管13Aを介して熱風噴出機構12へ
供給する一方、高温空気と同時に生成した低温空気を系
外へ排気する。熱風噴出機構12では箱体12Aの空間
12Eに流入した高温空気がノズルプレート12Bの各
ノズル孔から熱風を真下へ噴出する。When the inspection of all the IC chips is completed, the main chuck 5 moves to the unloading position of the wafer W and stops. In synchronization with this, the air cylinder 17 is driven to open the opening / closing door 10 and open the carry-in / out entrance 9A. At this time, compressed air is supplied to the air cylinder 17 from the first pipe 17A to open the door 10, and the hot air blowing device 11 operates. That is, the compressed air reaches the solenoid valve 15 of the hot-air blowing device 11 via the air pipe 21 branched from the first pipe 17A, opens the solenoid valve 15, and supplies high-pressure air of, for example, 30 ° C. to the vortex tube via the pipe 13B. 14. The vortex tube 14 generates high-temperature air of, for example, about 80 ° C. from high-pressure air,
The high-temperature air is supplied to the hot-air blowing mechanism 12 via the pipe 13A, and the low-temperature air generated at the same time as the high-temperature air is exhausted to the outside of the system. In the hot-air jetting mechanism 12, the high-temperature air that has flowed into the space 12E of the box 12A jets hot air from directly below each nozzle hole of the nozzle plate 12B.
【0022】熱風吹き付け装置11の熱風噴出機構12
から80℃の熱風が噴出した状態で、ピンセット3が駆
動してローダ室1からプローバ室2へ進出し、メインチ
ャック5上のウエハWを引き取り、プローバ室2からロ
ーダ室1へウエハWを搬出する。この間に露点の高い空
気が搬出入口9Aを介してローダ室1からプローバ室2
内に流入するため、プローバ室2内の露点がかなり上昇
する。更に、低温のウエハWは露点の高い空気雰囲気に
あるローダ室1内に搬入される。仮に、ウエハWが低温
のままであれば、ウエハWが上述の露点の高い空気に触
れるとその表面に着霜し、氷結してウエハWが霜で被わ
れて真っ白になる。つまり、ピンセット3によりウエハ
Wをメインチャック5から持ち上げるとウエハWの温度
が−60℃から急激に上昇するが、このウエハWは口径
が12インチと大きいため、8インチまでのウエハと異
なりその温度上昇が緩やかで室温よりかなり低い温度の
ままであるため、ウエハWが霜で被われて真っ白にな
る。The hot air blowing mechanism 12 of the hot air blowing device 11
The tweezers 3 is driven to advance from the loader chamber 1 to the prober chamber 2 in a state in which hot air of 80 ° C. is blown out, the wafer W on the main chuck 5 is taken out, and the wafer W is unloaded from the prober chamber 2 to the loader chamber 1. I do. During this time, air with a high dew point is transferred from the loader chamber 1 to the prober chamber 2 through the carry-in / out port 9A.
Therefore, the dew point in the prober chamber 2 rises considerably. Further, the low-temperature wafer W is carried into the loader chamber 1 in an air atmosphere with a high dew point. If the wafer W is kept at a low temperature, when the wafer W comes into contact with the above-mentioned air having a high dew point, it frosts on its surface, freezes, and the wafer W becomes covered with frost and becomes pure white. That is, when the wafer W is lifted from the main chuck 5 by the tweezers 3, the temperature of the wafer W sharply rises from −60 ° C. However, since the diameter of the wafer W is as large as 12 inches, the temperature of the wafer W differs from that of a wafer up to 8 inches. Since the temperature rises slowly and remains at a temperature considerably lower than the room temperature, the wafer W becomes covered with frost and becomes pure white.
【0023】しかしながら本実施形態では、ウエハWを
ローダ室1へ搬出する際、コントローラの制御下でピン
セット3がウエハ搬入時よりもかなり遅い速度でプロー
バ室2からローダ室1へ退出し、熱風噴出機構12の真
下を例えば13秒程度を掛けて通過する。この間に熱風
噴出機構12からウエハWに80℃の熱風を吹き付け、
ウエハW表面の霜を融解、蒸発させ、あるいは水分を飛
散させてウエハWから水分を確実に除去することができ
る。更に、この熱風によりウエハWが常温よりかなり高
い温度に達するため、ウエハWがプローバ室2からロー
ダ室1へ搬出されて露点の高い空気に触れてもその表面
での結露、着霜を防止することができる。従って、ピン
セット3でウエハWをカセット内へ収納する時にはウエ
ハW表面には水分の付着はなく、完全に乾燥した状態に
なっている。However, in the present embodiment, when the wafer W is unloaded into the loader chamber 1, the tweezers 3 retreat from the prober chamber 2 to the loader chamber 1 at a considerably slower speed than when the wafer is loaded under the control of the controller under the control of the controller. It passes under the mechanism 12 for about 13 seconds, for example. During this time, hot air of 80 ° C. is blown from the hot air blowing mechanism 12 to the wafer W,
The frost on the surface of the wafer W is melted and evaporated, or the water is scattered, so that the water can be reliably removed from the wafer W. Furthermore, since the wafer W reaches a temperature considerably higher than the normal temperature due to the hot air, even if the wafer W is carried out from the prober chamber 2 to the loader chamber 1 and comes into contact with air having a high dew point, dew condensation and frost formation on the surface are prevented. be able to. Therefore, when the wafer W is stored in the cassette by the tweezers 3, no moisture adheres to the surface of the wafer W, and the wafer W is completely dried.
【0024】以上説明したように本実施形態によれば、
プローバ室2からローダ室1へウエハWを搬出する時に
熱風吹き付け装置11によりウエハWに80℃前後の熱
風を吹き付け、しかもゆっくりとした速度でプローバ室
2からローダ室1へ搬出するため、プローバ室2からロ
ーダ室1へ達した時点では熱風によりウエハWでの結
露、着霜を防止することができ、しかもウエハWの温度
が上昇し完全に乾燥している。従って、ローダ室1内で
ウエハWがパーティクル等の塵埃により汚染される虞が
ない。According to the present embodiment as described above,
When the wafer W is unloaded from the prober chamber 2 to the loader chamber 1, hot air of about 80 ° C. is blown onto the wafer W by the hot air blowing device 11, and the wafer W is unloaded from the prober chamber 2 to the loader chamber 1 at a slow speed. When the wafer 2 reaches the loader chamber 1, dew condensation and frost formation on the wafer W can be prevented by the hot air, and the temperature of the wafer W has risen and is completely dried. Therefore, there is no possibility that the wafer W is contaminated by dust such as particles in the loader chamber 1.
【0025】上記実施形態では、熱風吹き付け装置11
の気体加熱機構として空気を加熱するボルテックスチュ
ーブ14を利用したが、ヒータ等を加熱源としても良
く、また空気に代えて窒素等の不活性ガスを用いても良
い。また、熱風を供給用のバルブとしてソレノイドバル
ブ15を利用したが、電動バルブを利用しても良い。In the above embodiment, the hot air blowing device 11
Although the vortex tube 14 that heats air is used as the gas heating mechanism, a heater or the like may be used as a heating source, or an inert gas such as nitrogen may be used instead of air. Further, although the solenoid valve 15 is used as a valve for supplying hot air, an electric valve may be used.
【0026】[0026]
【発明の効果】本発明の請求項1〜請求項6に記載の発
明によれば、例えば12インチクラスの大口径の被検査
体であっても低温検査後の結露に起因した水分を確実に
除去し、被検査体の汚染を確実に防止することができる
プローブ装置及びプローブ方法を提供することができ
る。According to the first to sixth aspects of the present invention, even for a large-diameter test object of, for example, a 12-inch class, water caused by dew condensation after a low-temperature test can be reliably removed. It is possible to provide a probe device and a probe method that can remove the sample and reliably prevent contamination of the test object.
【図1】本発明のプローブ装置の一実施形態の要部を示
す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a main part of an embodiment of a probe device of the present invention.
【図2】図1に示す熱風吹き付け装置の熱風噴出機構を
隔壁に取り付ける状態を示す分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view showing a state in which a hot air blowing mechanism of the hot air blowing device shown in FIG. 1 is attached to a partition.
【図3】図2に示すエアシリンダを拡大して示す斜視図
である。FIG. 3 is an enlarged perspective view showing the air cylinder shown in FIG. 2;
【図4】(a)は図2に示す熱風噴出機構及び開閉扉の
分解斜視図、(b)は熱風噴出機構の一部の断面図であ
る。4A is an exploded perspective view of the hot air blowing mechanism and the opening / closing door shown in FIG. 2, and FIG. 4B is a cross-sectional view of a part of the hot air blowing mechanism.
【図5】従来のプローブ装置の一例をプローバ室を破断
して示す部分断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing an example of a conventional probe device in which a prober chamber is cut away.
【図6】図5に示すプローブ装置の内部を示す構成図で
ある。FIG. 6 is a configuration diagram showing the inside of the probe device shown in FIG. 5;
1 ローダ室 2 プローバ室 3 ピンセット(搬送機構) 5 メインチャック(載置台) 9 隔壁 9A 搬出入口 10 開閉扉 11 熱風吹き付け装置 12 熱風噴出機構 14 ボルテックスチューブ(気体加熱機構) 15 ソレノイドバルブ 17 エアシリンダ REFERENCE SIGNS LIST 1 loader room 2 prober room 3 tweezers (transfer mechanism) 5 main chuck (mounting table) 9 partition 9A loading / unloading door 10 opening / closing door 11 hot air blowing device 12 hot air blowing mechanism 14 vortex tube (gas heating mechanism) 15 solenoid valve 17 air cylinder
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/68 G01R 31/28 K ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/68 G01R 31/28 K
Claims (6)
ーダ室と、このローダ室と隣接し且つX、Y、Z及びθ
方向に移動可能な載置台を有するプローバ室と、このプ
ローバ室と上記ローダ室を区画する隔壁と、この隔壁の
上記被検査体の搬出入口を開閉する開閉扉とを備え、上
記載置台を介して上記被検査体を冷却すると共に上記被
検査体の冷却温度では結露しない乾燥空気を上記プロー
バ室内に供給しながら上記被検査体の電気的特性検査を
行うプローブ装置において、上記開閉扉が開いた時に上
記搬出入口を通過する上記被検査体に熱風を吹き付ける
熱風吹き付け装置を設けたことを特徴とするプローブ装
置。1. A loader chamber having a transport mechanism for transporting an object to be inspected, and X, Y, Z, and θ adjacent to the loader chamber.
A prober chamber having a mounting table movable in the direction, a partition that divides the prober chamber and the loader chamber, and an opening / closing door that opens and closes a loading / unloading port for the object to be inspected of the partition. In the probe device that cools the test object and supplies the dry air that does not dew at the cooling temperature of the test object into the prober chamber and performs an electrical characteristic test of the test object, the opening and closing door is opened. A probe device, further comprising a hot air blowing device for blowing hot air onto the object to be inspected, which sometimes passes through the carry-in / out port.
一体化した熱風噴出機構と、この熱風噴出機構に接続さ
れた気体加熱機構とを備えたことを特徴とする請求項1
に記載のプローブ装置。2. The hot-air blowing device according to claim 1, further comprising a hot-air blowing mechanism integrated with the door, and a gas heating mechanism connected to the hot-air blowing mechanism.
The probe device according to claim 1.
ブであることを特徴とする請求項1または請求項2に記
載のプローブ装置。3. The probe device according to claim 1, wherein the gas heating mechanism is a vortex tube.
けると共に上記熱風吹き付け装置にソレノイドバルブを
設け、且つ、上記エアシリンダの開駆動用の圧縮空気の
圧力で上記ソレノイドバルブを開放することを特徴とす
る請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のプローブ
装置。4. An air cylinder that opens and closes the door, a solenoid valve is provided in the hot air blowing device, and the solenoid valve is opened by a pressure of compressed air for driving the air cylinder to open. The probe device according to any one of claims 1 to 3, wherein
を開き、上記ローダ室から上記プローバ室内の載置台上
へ被検査体を搬送して上記開閉扉を閉じた後、上記載置
台を介して上記被検査体を所定の検査温度まで冷却する
と共に上記被検査体の冷却温度では結露しない乾燥空気
を上記プローバ室内に供給しながら上記被検査体の低温
検査を行うプローブ方法において、上記開閉扉を開き上
記被検査体を上記プローバ室から上記ローダ室へ搬送す
る過程で上記被検査体に熱風を吹き付けることを特徴と
するプローブ方法。5. An opening / closing door of a partition wall between a loader chamber and a prober chamber is opened, a test object is transported from the loader chamber to a mounting table in the prober chamber, and the opening / closing door is closed. A probe method for performing a low-temperature inspection of the inspected object while supplying dry air that does not dew at the cooling temperature of the inspected object into the prober chamber while cooling the inspected object to a predetermined inspection temperature through the inspection method; A probe method, wherein a door is opened and hot air is blown to the test object in a process of transferring the test object from the prober chamber to the loader chamber.
閉扉から熱風を吹き付けることを特徴とする請求項5に
記載のプローブ方法。6. The probe method according to claim 5, wherein hot air is blown from the opening / closing door that opens horizontally on the prober chamber side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02770598A JP3494871B2 (en) | 1997-02-12 | 1998-01-26 | Probe device and probe method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-42981 | 1997-02-12 | ||
| JP4298197 | 1997-02-12 | ||
| JP02770598A JP3494871B2 (en) | 1997-02-12 | 1998-01-26 | Probe device and probe method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289934A true JPH10289934A (en) | 1998-10-27 |
| JP3494871B2 JP3494871B2 (en) | 2004-02-09 |
Family
ID=26365664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02770598A Expired - Fee Related JP3494871B2 (en) | 1997-02-12 | 1998-01-26 | Probe device and probe method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3494871B2 (en) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1418438A3 (en) * | 2002-11-08 | 2004-10-06 | Spillecke Ralf | Environmental test chamber |
| JP2007059727A (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Nidec-Read Corp | Substrate inspection device and substrate inspection method |
| JP2007155460A (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Shimadzu Corp | Low temperature type hardness tester |
| WO2007136023A1 (en) * | 2006-05-24 | 2007-11-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder, method for producing the same and semiconductor production apparatus |
| JP2008251678A (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | Inspected object transport device and inspection device |
| US7564253B2 (en) | 2005-12-12 | 2009-07-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Temperature characteristic inspection device |
| TWI405983B (en) * | 2005-08-25 | 2013-08-21 | Nidec Read Corp | Substrate inspection device and substrate inspection method |
| JP2013167486A (en) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Seiko Epson Corp | Component inspection apparatus and handler |
| WO2016157711A1 (en) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | Electronic component conveyance device and electronic component inspection device |
| TWI585419B (en) * | 2016-12-15 | 2017-06-01 | Test equipment for electronic components operating equipment with anti - condensation unit and its application | |
| JP2018067719A (en) * | 2015-02-27 | 2018-04-26 | 株式会社東京精密 | Prober |
| US20180231582A1 (en) | 2016-02-26 | 2018-08-16 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Transfer unit and prober |
| JP2019169547A (en) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 株式会社東京精密 | Cooling system of prober |
| CN110780176A (en) * | 2018-07-12 | 2020-02-11 | 东京毅力科创株式会社 | Inspection device and cleaning method for inspection device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110058102A (en) * | 2019-05-16 | 2019-07-26 | 黄先日 | Electronic component temperature-detecting device |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP02770598A patent/JP3494871B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1418438A3 (en) * | 2002-11-08 | 2004-10-06 | Spillecke Ralf | Environmental test chamber |
| TWI405983B (en) * | 2005-08-25 | 2013-08-21 | Nidec Read Corp | Substrate inspection device and substrate inspection method |
| JP2007059727A (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Nidec-Read Corp | Substrate inspection device and substrate inspection method |
| JP2007155460A (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Shimadzu Corp | Low temperature type hardness tester |
| US7564253B2 (en) | 2005-12-12 | 2009-07-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Temperature characteristic inspection device |
| WO2007136023A1 (en) * | 2006-05-24 | 2007-11-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder, method for producing the same and semiconductor production apparatus |
| US8905700B2 (en) | 2007-03-29 | 2014-12-09 | Tokyo Electron Limited | Transfer and inspection devices of object to be inspected |
| JP2008251678A (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | Inspected object transport device and inspection device |
| JP2013167486A (en) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Seiko Epson Corp | Component inspection apparatus and handler |
| JP2018067719A (en) * | 2015-02-27 | 2018-04-26 | 株式会社東京精密 | Prober |
| WO2016157711A1 (en) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | Electronic component conveyance device and electronic component inspection device |
| US20180231582A1 (en) | 2016-02-26 | 2018-08-16 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Transfer unit and prober |
| US10605829B2 (en) | 2016-02-26 | 2020-03-31 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Transfer unit and prober |
| TWI585419B (en) * | 2016-12-15 | 2017-06-01 | Test equipment for electronic components operating equipment with anti - condensation unit and its application | |
| JP2019169547A (en) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 株式会社東京精密 | Cooling system of prober |
| CN110780176A (en) * | 2018-07-12 | 2020-02-11 | 东京毅力科创株式会社 | Inspection device and cleaning method for inspection device |
| CN110780176B (en) * | 2018-07-12 | 2022-10-04 | 东京毅力科创株式会社 | Inspection device and cleaning method for inspection device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3494871B2 (en) | 2004-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10289934A (en) | Probe device and probe method | |
| US8905700B2 (en) | Transfer and inspection devices of object to be inspected | |
| EP0462459A1 (en) | Method of heat treatment of substrate | |
| JP6681565B2 (en) | Prober | |
| JP7390934B2 (en) | Inspection equipment | |
| US5563520A (en) | Probe system | |
| JP2009105339A (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
| JP6681572B2 (en) | Transport unit and prober | |
| KR19980071258A (en) | Inspection method and apparatus for inspecting the characteristics of the subject | |
| JP7699329B2 (en) | Prober | |
| TWI723325B (en) | Photomask purging system and method | |
| US20200225282A1 (en) | Chuck top, inspection apparatus, and chuck top recovery method | |
| JP4832151B2 (en) | Probe card delivery method, prober and probe card supply / collection system | |
| JPH01157544A (en) | Probing apparatus | |
| CN114325006B (en) | Probe test machine and test system, and method for replacing probe card | |
| JP2001060610A (en) | Substrate transfer device, processing device, substrate processing system, transfer method, storage device and storage box | |
| JPH02134579A (en) | Transfer method | |
| JP7829134B2 (en) | Transport unit | |
| JP6982774B2 (en) | Prober | |
| JP2011100883A (en) | Probe device | |
| JPH03286544A (en) | Probe device | |
| JPH1068756A (en) | Constant temperature oven fro ic testing | |
| JPH0692447A (en) | Transferring device for ic device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151121 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |