JPH10290024A - 受発光回路 - Google Patents
受発光回路Info
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- JPH10290024A JPH10290024A JP9094125A JP9412597A JPH10290024A JP H10290024 A JPH10290024 A JP H10290024A JP 9094125 A JP9094125 A JP 9094125A JP 9412597 A JP9412597 A JP 9412597A JP H10290024 A JPH10290024 A JP H10290024A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 太陽光等による直流成分をバイパスする為の
ＭＯＳトランジスタを設けて，太陽光下でも，信号成分
に対する感度が低下しない受光回路を提供する。 【解決手段】 受光素子２に直列接続した負荷抵抗４に
並列に，ＭＯＳトランジスタ９のドレイン電極とソース
電極を接続した。ＭＯＳトランジスタ９のゲート電極に
は，負荷抵抗４の両端に発生した電圧をローパスフィル
タ８を通して，直流分だけにした電圧を加えるようにし
た。ＭＯＳトランジスタ９には直流分しか流れなくなる
為，太陽光下のような受光条件下でも，太陽光による直
流成分はＭＯＳトランジスタ９を流れ，信号成分は負荷
抵抗４を流れるので感度低下が少ない。さらにＭＯＳト
ランジスタ９を，発光素子３の駆動用トランジスタと共
用しているので，新たなトランジスタの追加が不要。
ＭＯＳトランジスタを設けて，太陽光下でも，信号成分
に対する感度が低下しない受光回路を提供する。 【解決手段】 受光素子２に直列接続した負荷抵抗４に
並列に，ＭＯＳトランジスタ９のドレイン電極とソース
電極を接続した。ＭＯＳトランジスタ９のゲート電極に
は，負荷抵抗４の両端に発生した電圧をローパスフィル
タ８を通して，直流分だけにした電圧を加えるようにし
た。ＭＯＳトランジスタ９には直流分しか流れなくなる
為，太陽光下のような受光条件下でも，太陽光による直
流成分はＭＯＳトランジスタ９を流れ，信号成分は負荷
抵抗４を流れるので感度低下が少ない。さらにＭＯＳト
ランジスタ９を，発光素子３の駆動用トランジスタと共
用しているので，新たなトランジスタの追加が不要。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，電子回路の内で受
発光回路に関する。より詳しくは光信号を受信，送信す
る回路に関する。
発光回路に関する。より詳しくは光信号を受信，送信す
る回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の赤外線リモコン等の受光回路（例
えば特開平３−１１３９２４）では，図２に示す様に，
信号の背景にある太陽光などの直流的な光入力により受
光素子２に発生した過大な直流電流を，ダイオード１０
を用いてバイパスして，電位Ａが，電源電圧に達しない
ようにしている。
えば特開平３−１１３９２４）では，図２に示す様に，
信号の背景にある太陽光などの直流的な光入力により受
光素子２に発生した過大な直流電流を，ダイオード１０
を用いてバイパスして，電位Ａが，電源電圧に達しない
ようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の受光回路では，
信号以外の太陽光が入射し，電位Ａがダイオード１０が
オンするレベルより大きくなり，ダイオード１０に電流
が流れるようになると，信号成分に対する負荷抵抗は，
抵抗４と抵抗１１とを並列にしたものになり抵抗値が低
下する。したがってダイオード１０がオンすると，信号
に対するゲインが著しく低下するという課題もしくは問
題点があった。
信号以外の太陽光が入射し，電位Ａがダイオード１０が
オンするレベルより大きくなり，ダイオード１０に電流
が流れるようになると，信号成分に対する負荷抵抗は，
抵抗４と抵抗１１とを並列にしたものになり抵抗値が低
下する。したがってダイオード１０がオンすると，信号
に対するゲインが著しく低下するという課題もしくは問
題点があった。
【０００４】また，送信時には，別に設けた回路もしく
はトランジスタを用いて発光素子を駆動する必要もあっ
た。
はトランジスタを用いて発光素子を駆動する必要もあっ
た。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】上記問題点を解決するため
に，本発明では，受光素子の負荷抵抗に並列に入射光の
直流のみをバイパスさせる為のＭＯＳトランジスタを設
け，更に受光素子と発光素子を並列に接続し，送信時に
は該ＭＯＳトランジスタで発光素子を駆動するようにし
た。
に，本発明では，受光素子の負荷抵抗に並列に入射光の
直流のみをバイパスさせる為のＭＯＳトランジスタを設
け，更に受光素子と発光素子を並列に接続し，送信時に
は該ＭＯＳトランジスタで発光素子を駆動するようにし
た。
【０００６】受信時には，負荷抵抗に並列に接続したＭ
ＯＳトランジスタのゲート電極には，負荷抵抗の両端の
電圧から，ローパスフィルタで交流分を減衰させた直流
電圧を加える。ゲート電極には，ほとんど直流がかか
り，交流分は少ない。従ってＭＯＳトランジスタを流れ
る電流は，ほとんど直流だけとなる為，直流分のみをバ
イパスさせることが出来る。
ＯＳトランジスタのゲート電極には，負荷抵抗の両端の
電圧から，ローパスフィルタで交流分を減衰させた直流
電圧を加える。ゲート電極には，ほとんど直流がかか
り，交流分は少ない。従ってＭＯＳトランジスタを流れ
る電流は，ほとんど直流だけとなる為，直流分のみをバ
イパスさせることが出来る。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は，受光素子の負荷抵抗に
並列に，入射光の直流成分のみをバイパスさせる為のＭ
ＯＳトランジスタを設けている。更に受光素子に発光素
子を並列に接続し，送信時にはＭＯＳトランジスタで発
光素子を駆動するようにしている。ＭＯＳトランジスタ
のゲート電圧には，入射光を受光素子で光電変換した電
流の内から，信号として利用する交流成分をローパスフ
ィルタで除いた後の不要な直流成分のみ印可するように
する。ＭＯＳトランジスタには，直流電流しか流れなく
なるので入射光の直流成分をバイパスできる。
並列に，入射光の直流成分のみをバイパスさせる為のＭ
ＯＳトランジスタを設けている。更に受光素子に発光素
子を並列に接続し，送信時にはＭＯＳトランジスタで発
光素子を駆動するようにしている。ＭＯＳトランジスタ
のゲート電圧には，入射光を受光素子で光電変換した電
流の内から，信号として利用する交流成分をローパスフ
ィルタで除いた後の不要な直流成分のみ印可するように
する。ＭＯＳトランジスタには，直流電流しか流れなく
なるので入射光の直流成分をバイパスできる。
【０００８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図１に，本発明の一実施例の具体的な
回路構成をしめす。図１の中で，ローパスフィルタ８は
種々の実現方法があるが，そのうちでもっとも構成が容
易な一例を図４に例示した。
詳細に説明する。図１に，本発明の一実施例の具体的な
回路構成をしめす。図１の中で，ローパスフィルタ８は
種々の実現方法があるが，そのうちでもっとも構成が容
易な一例を図４に例示した。
【０００９】先ず回路構成を図１を用いて説明する。電
源１に直列に受光素子２が接続されている。受光素子２
には発光素子３が並列に接続されている。更に受光素子
２には，負荷抵抗４の一端が接続されている。受光素子
１と負荷抵抗２の接続点Ａと受信出力端子５とＭＯＳト
ランジスタ５のドレイン電極は，ローパスフィルタ８の
入力に共通に接続されている。ＭＯＳトランジスタ５の
ソース電極は，負荷抵抗４の他端と共通にグランドに接
続され，ＭＯＳトランジスタ５のゲート電極は，スイッ
チ７の出力に接続している。スイッチ７はローパスフィ
ルタ８の出力と送信入力６とを選択して出力する。図１
では，スイッチ７は，送信入力６を選択しており回路は
送信状態にある。スイッチ７が，ローパスフィルタ８の
出力を選択した場合には，回路は受信状態になる。
源１に直列に受光素子２が接続されている。受光素子２
には発光素子３が並列に接続されている。更に受光素子
２には，負荷抵抗４の一端が接続されている。受光素子
１と負荷抵抗２の接続点Ａと受信出力端子５とＭＯＳト
ランジスタ５のドレイン電極は，ローパスフィルタ８の
入力に共通に接続されている。ＭＯＳトランジスタ５の
ソース電極は，負荷抵抗４の他端と共通にグランドに接
続され，ＭＯＳトランジスタ５のゲート電極は，スイッ
チ７の出力に接続している。スイッチ７はローパスフィ
ルタ８の出力と送信入力６とを選択して出力する。図１
では，スイッチ７は，送信入力６を選択しており回路は
送信状態にある。スイッチ７が，ローパスフィルタ８の
出力を選択した場合には，回路は受信状態になる。
【００１０】まず送信状態の回路動作について説明す
る。スイッチ７は，送信入力６を選択している。送信入
力６から入力された送信データは，ＭＯＳトランジスタ
９のゲートを駆動する。ＭＯＳトランジスタ９は，ゲー
ト電極に電圧が印可されるとドレイン電極とソース電極
の間が導通し電流が流れる状態になる。ドレイン電極と
ソース電極の間が導通すると，電流は電源１から発光素
子３を通して流れ発光素子３から光が送出される。
る。スイッチ７は，送信入力６を選択している。送信入
力６から入力された送信データは，ＭＯＳトランジスタ
９のゲートを駆動する。ＭＯＳトランジスタ９は，ゲー
ト電極に電圧が印可されるとドレイン電極とソース電極
の間が導通し電流が流れる状態になる。ドレイン電極と
ソース電極の間が導通すると，電流は電源１から発光素
子３を通して流れ発光素子３から光が送出される。
【００１１】次に受信状態の回路動作について説明す
る。スイッチ７は，ローパスフィルタ８の出力を選択し
ている。太陽光等の背景光の入射がなく，信号光のみを
受光している場合は，信号光の入射光を受光素子２によ
り光電変換した電流をｉ１とし，負荷抵抗４の抵抗値を
ＲＬとすると，負荷抵抗４の両端つまり受信出力５には
ｉ１×ＲＬの電圧が発生する。
る。スイッチ７は，ローパスフィルタ８の出力を選択し
ている。太陽光等の背景光の入射がなく，信号光のみを
受光している場合は，信号光の入射光を受光素子２によ
り光電変換した電流をｉ１とし，負荷抵抗４の抵抗値を
ＲＬとすると，負荷抵抗４の両端つまり受信出力５には
ｉ１×ＲＬの電圧が発生する。
【００１２】太陽光等の背景光の入射がある場合は，背
景光の入射強度の増加に伴い，背景光を受光素子２で光
電変換した直流電流が増加し電位Ａの電圧が増加する。
電位Ａの電圧の増加は，ローパスフィルタ８，スイッチ
７を通してＭＯＳトランジスタ９のゲート電圧も増加さ
せる。更に背景光の強度が増すと直流電流も更に増加
し，ＭＯＳトランジスタ９のゲート電圧も更に増加し，
閾値電圧（以下Ｖｔｈ）を超えると，ＭＯＳトランジス
タ９はオンする。ＭＯＳトランジスタ９がオンすると，
背景光による直流電流は，負荷抵抗４だけでなくＭＯＳ
トランジスタ９のドレイン電極とソース電極の間に流れ
るようになる。その結果今までより以上に背景光による
直流電流が増加しても，増加した電流分はＭＯＳトラン
ジスタ９を流れ，電位Ａは，ＭＯＳトランジスタ９のＶ
ｔｈよりあまり増加しなくなる。
景光の入射強度の増加に伴い，背景光を受光素子２で光
電変換した直流電流が増加し電位Ａの電圧が増加する。
電位Ａの電圧の増加は，ローパスフィルタ８，スイッチ
７を通してＭＯＳトランジスタ９のゲート電圧も増加さ
せる。更に背景光の強度が増すと直流電流も更に増加
し，ＭＯＳトランジスタ９のゲート電圧も更に増加し，
閾値電圧（以下Ｖｔｈ）を超えると，ＭＯＳトランジス
タ９はオンする。ＭＯＳトランジスタ９がオンすると，
背景光による直流電流は，負荷抵抗４だけでなくＭＯＳ
トランジスタ９のドレイン電極とソース電極の間に流れ
るようになる。その結果今までより以上に背景光による
直流電流が増加しても，増加した電流分はＭＯＳトラン
ジスタ９を流れ，電位Ａは，ＭＯＳトランジスタ９のＶ
ｔｈよりあまり増加しなくなる。
【００１３】ＭＯＳトランジスタ９が背景光によりオン
している状態で，信号光が背景光に重畳して入力した場
合を考える。信号光は交流なのでローパスフィルタ８の
出力は変化しない。したがって信号光を光電変換した電
流は，ＭＯＳトランジスタ９を流れず負荷抵抗４のみを
流れる。信号光の入射光を受光素子により光電変換した
電流をｉ１とすると，負荷抵抗４の両端，つまり受信出
力５にはｉ１×ＲＬの電圧が発生する。更に詳しく説明
すると，受信出力５の電圧振幅はローパスフィルタ８の
入力振幅に等しく，ローパスフィルタ８の特性は信号光
の周波数をほとんど通過させないように設定してあるの
で，ローパスフィルタ８の入力に，入力振幅があって
も，ローパスフィルタ８の出力は一定電圧のままほとん
ど振れない。ローパスフィルタ８の出力からスイッチ７
を通して接続しているＭＯＳトランジスタ９のゲート電
極も一定電圧のままほとんど振れず，ＭＯＳトランジス
タ９には，ほとんど直流電流のみが流れる。信号光によ
る交流電流ｉ１は，ほとんど負荷抵抗４を流れる為，背
景光により光電流が増してもゲインはあまり低下しな
い。
している状態で，信号光が背景光に重畳して入力した場
合を考える。信号光は交流なのでローパスフィルタ８の
出力は変化しない。したがって信号光を光電変換した電
流は，ＭＯＳトランジスタ９を流れず負荷抵抗４のみを
流れる。信号光の入射光を受光素子により光電変換した
電流をｉ１とすると，負荷抵抗４の両端，つまり受信出
力５にはｉ１×ＲＬの電圧が発生する。更に詳しく説明
すると，受信出力５の電圧振幅はローパスフィルタ８の
入力振幅に等しく，ローパスフィルタ８の特性は信号光
の周波数をほとんど通過させないように設定してあるの
で，ローパスフィルタ８の入力に，入力振幅があって
も，ローパスフィルタ８の出力は一定電圧のままほとん
ど振れない。ローパスフィルタ８の出力からスイッチ７
を通して接続しているＭＯＳトランジスタ９のゲート電
極も一定電圧のままほとんど振れず，ＭＯＳトランジス
タ９には，ほとんど直流電流のみが流れる。信号光によ
る交流電流ｉ１は，ほとんど負荷抵抗４を流れる為，背
景光により光電流が増してもゲインはあまり低下しな
い。
【００１４】図３には，背景光による光電流を横軸と
し，縦軸には電位Ａの電圧およびｉ１×ＲＬの値をゲイ
ンとして示す。背景光による光電流が少ないときには，
背景光による光電流も，受信信号による光電流も負荷抵
抗４を流れるので，電位Ａは光電流に比例して増加す
る。背景光による光電流が増加して電位ＡがＭＯＳトラ
ンジスタ９のＶｔｈを超すと，背景光による光電流は，
ＭＯＳトランジスタ９流れるので電位Ａは増加しなくな
るが，受信信号による光電流は負荷抵抗４を流れるため
ゲインはあまり低下していない。
し，縦軸には電位Ａの電圧およびｉ１×ＲＬの値をゲイ
ンとして示す。背景光による光電流が少ないときには，
背景光による光電流も，受信信号による光電流も負荷抵
抗４を流れるので，電位Ａは光電流に比例して増加す
る。背景光による光電流が増加して電位ＡがＭＯＳトラ
ンジスタ９のＶｔｈを超すと，背景光による光電流は，
ＭＯＳトランジスタ９流れるので電位Ａは増加しなくな
るが，受信信号による光電流は負荷抵抗４を流れるため
ゲインはあまり低下していない。
【００１５】ローパスフィルタ８に要求される特性は，
まず太陽光のような直流もしくは周波数成分の低いもの
は通過させる必要がある。次に，信号光のような交流成
分は十分減衰させる必要がある。又，ローパスフィルタ
８の出力はＭＯＳトランジスタ９と負荷抵抗４とで増幅
されて，ローパスフィルタ８の入力に帰還される形式に
なっている。即ち，ローパスフィルタ８以外で位相が１
８０度回る負帰還ループを構成している。該負帰還ルー
プを安定にする為には，当然ローパスフィルタ８での位
相回りを１８０度以下にする必要があり，その為には，
ローパスフィルタ８の次数は，９０度しか位相が回らな
い一次のフィルタか，又は一次に近似出来るようなフィ
ルタが最適である。一次のフィルタは，最も単純には図
４に示したように，抵抗と容量各々１個づつで構成でき
る。
まず太陽光のような直流もしくは周波数成分の低いもの
は通過させる必要がある。次に，信号光のような交流成
分は十分減衰させる必要がある。又，ローパスフィルタ
８の出力はＭＯＳトランジスタ９と負荷抵抗４とで増幅
されて，ローパスフィルタ８の入力に帰還される形式に
なっている。即ち，ローパスフィルタ８以外で位相が１
８０度回る負帰還ループを構成している。該負帰還ルー
プを安定にする為には，当然ローパスフィルタ８での位
相回りを１８０度以下にする必要があり，その為には，
ローパスフィルタ８の次数は，９０度しか位相が回らな
い一次のフィルタか，又は一次に近似出来るようなフィ
ルタが最適である。一次のフィルタは，最も単純には図
４に示したように，抵抗と容量各々１個づつで構成でき
る。
【００１６】以下図１の回路の特性を定量的に述べる。
ここでローパスフィルタ８は，図４に一例として示した
抵抗１２と容量１３とで構成された最も簡単なものを使
って説明する。受光素子が光を感じて発生する電流を，
ｉ１の電流源で，ＭＯＳトランジスタを，ゲート電極の
入力振幅ｖ１に対し，コンダクタンスｇｍの値を持つ電
圧制御電流源で表現し，抵抗１２，容量１３の値を各々
Ｒｆ，Ｃｆとすると，図１の回路の交流等価回路は，図
７に示したようになる。入出力の伝達関数（Ｖｏｕｔ／
（ｉ１・ＲＬ））は， Vout／i1・RL=(1＋S・Cf・Rf)／(gm・RL＋1＋S・Cf・Rf) （数１） になる。数式１の絶対値（ゲイン）を，横軸を角周波数
として図示すると，図８のようになる。従って（ｇｍ・
ＲＬ＋１）／（Ｃｆ・Ｒｆ）の値が，利用する信号周波
数より十分低くなるように，Ｒｆ，Ｃｆの値を設定すれ
ばよい。そうすれば，太陽光の様に周波数成分が低いも
のは，ゲイン（Ｖｏｕｔ／（ｉ１・ＲＬ））を低く，信
号周波数ではゲインを高くすることができる。
ここでローパスフィルタ８は，図４に一例として示した
抵抗１２と容量１３とで構成された最も簡単なものを使
って説明する。受光素子が光を感じて発生する電流を，
ｉ１の電流源で，ＭＯＳトランジスタを，ゲート電極の
入力振幅ｖ１に対し，コンダクタンスｇｍの値を持つ電
圧制御電流源で表現し，抵抗１２，容量１３の値を各々
Ｒｆ，Ｃｆとすると，図１の回路の交流等価回路は，図
７に示したようになる。入出力の伝達関数（Ｖｏｕｔ／
（ｉ１・ＲＬ））は， Vout／i1・RL=(1＋S・Cf・Rf)／(gm・RL＋1＋S・Cf・Rf) （数１） になる。数式１の絶対値（ゲイン）を，横軸を角周波数
として図示すると，図８のようになる。従って（ｇｍ・
ＲＬ＋１）／（Ｃｆ・Ｒｆ）の値が，利用する信号周波
数より十分低くなるように，Ｒｆ，Ｃｆの値を設定すれ
ばよい。そうすれば，太陽光の様に周波数成分が低いも
のは，ゲイン（Ｖｏｕｔ／（ｉ１・ＲＬ））を低く，信
号周波数ではゲインを高くすることができる。
【００１７】図５には，本発明の他の実施例を示す。受
光素子２に直列にスイッチ１４が接続されている他は，
図１の実施例と同一である。スイッチ１４は，送信状態
すなわち発光素子３から光を放射する場合に開き，受信
状態すなわち受光素子２で信号を受信する場合には閉じ
る。受光素子２と発光素子３の光学的な距離が十分で無
い場合などに，発光素子３からの放出光を受光素子２で
受信し，無駄な電流が流れるのを防止する。スイッチ１
４の動作以外は，図４の回路は，図１の回路とまったく
同一の動作を行う。
光素子２に直列にスイッチ１４が接続されている他は，
図１の実施例と同一である。スイッチ１４は，送信状態
すなわち発光素子３から光を放射する場合に開き，受信
状態すなわち受光素子２で信号を受信する場合には閉じ
る。受光素子２と発光素子３の光学的な距離が十分で無
い場合などに，発光素子３からの放出光を受光素子２で
受信し，無駄な電流が流れるのを防止する。スイッチ１
４の動作以外は，図４の回路は，図１の回路とまったく
同一の動作を行う。
【００１８】図６は，本発明による受発光回路１５を，
赤外線送受信機１６に適用した実施例を示す。赤外線送
受信機１６では，送信データ入力端子１９から入力され
た１又は０の送信データを，符号化回路１７で符号化す
る。符号化回路では，用途に応じ１又は０の送信データ
に対して，発光する時間や発光する回数などを決定す
る。符号化回路１７の出力は，本発明の受発光回路１５
の送信入力端子６に加えられて送信を行う。
赤外線送受信機１６に適用した実施例を示す。赤外線送
受信機１６では，送信データ入力端子１９から入力され
た１又は０の送信データを，符号化回路１７で符号化す
る。符号化回路では，用途に応じ１又は０の送信データ
に対して，発光する時間や発光する回数などを決定す
る。符号化回路１７の出力は，本発明の受発光回路１５
の送信入力端子６に加えられて送信を行う。
【００１９】受発光回路１５で受信した信号は，受信出
力端子５から，符号化回路１７と逆の機能を有する複号
化回路１８で復号して受信データ出力端子２０から出力
する。赤外線送受信機１６では本発明の受光回路１５を
用いているので，前述したように太陽光下のような直流
的な背景光のある環境下でも感度低下が少ない。また，
新たに発光素子を駆動するためのトランジスタを追加す
ることなく送信が可能である。
力端子５から，符号化回路１７と逆の機能を有する複号
化回路１８で復号して受信データ出力端子２０から出力
する。赤外線送受信機１６では本発明の受光回路１５を
用いているので，前述したように太陽光下のような直流
的な背景光のある環境下でも感度低下が少ない。また，
新たに発光素子を駆動するためのトランジスタを追加す
ることなく送信が可能である。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば，入射光の中から直流成
分のみをバイパスするＭＯＳトランジスタを設けたこと
により，直流はＭＯＳトランジスタを流れ，交流は本来
の負荷抵抗を流れる様にしている。したがって太陽光下
のような直流的な背景光のある環境下でも感度低下の少
ない受光回路を提供できる。
分のみをバイパスするＭＯＳトランジスタを設けたこと
により，直流はＭＯＳトランジスタを流れ，交流は本来
の負荷抵抗を流れる様にしている。したがって太陽光下
のような直流的な背景光のある環境下でも感度低下の少
ない受光回路を提供できる。
【００２１】また，信号を光電変換して得られる電流値
よりも，太陽光を光電変換した直流電流値は，はるかに
大きい。したがって，太陽光を光電変換した直流電流を
バイパスするＭＯＳトランジスタ９には，サイズが大き
いものを用いる必要がある。また，発光素子を駆動する
ためには，大きな駆動電流を必要とするので大きなサイ
ズのＭＯＳトランジスタで駆動する必要がある。本発明
によればサイズの大きな ＭＯＳトランジスタを受信と
送信で共用できるので，実装面積を低減できる。
よりも，太陽光を光電変換した直流電流値は，はるかに
大きい。したがって，太陽光を光電変換した直流電流を
バイパスするＭＯＳトランジスタ９には，サイズが大き
いものを用いる必要がある。また，発光素子を駆動する
ためには，大きな駆動電流を必要とするので大きなサイ
ズのＭＯＳトランジスタで駆動する必要がある。本発明
によればサイズの大きな ＭＯＳトランジスタを受信と
送信で共用できるので，実装面積を低減できる。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図２】従来の受発光回路の一例を示す回路図である。
【図３】本発明の受発光回路の特性を示すグラフであ
る。
る。
【図４】本発明の一実施例に使用するローパスフィルタ
の一例をしめす回路図である。
の一例をしめす回路図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す回路図である。
【図６】本発明による受発光回路を適用した赤外線送受
信機のブロック図である。
信機のブロック図である。
【図７】本発明による受光回路の交流等価回路である。
【図８】本発明による受光回路の周波数特性を示すグラ
フである。
フである。
１ 電源 ２ 受光素子 ３ 発光素子 ４、１１，１２ 抵抗 ５ 受信出力端子 ６ 送信入力端子 ７、１４ スイッチ ８ ローパスフィルタ ９ ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ １０ ダイオード １３ 容量 １５ 受発光回路 １６ 赤外線送受信機 １７ 符号化回路 １８ 復号化回路 １９ 送信データ入力端子 ２０ 受信データ出力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/04 10/06
Claims (2)
- 【請求項１】 入射光の強弱を電流の強弱に変換する受
光素子と，前記受光素子に並列に接続した電流の強弱を
光の強弱に変換する発光素子と，前記受光素子に直列に
接続した抵抗と，前記抵抗の両端の電圧を入力とするロ
ーパスフィルタと，前記ローパスフィルタの出力と外部
からの送信信号とを選択して出力とするスイッチと，前
記抵抗の一端がドレイン電極，前記抵抗の他端がソース
電極，前記スイッチの出力がゲート電極に各々接続され
たＭＯＳトランジスタとから成る受発光回路 - 【請求項２】 前記受光素子に直列にスイッチを接続し
たことを特徴とする請求項１記載の受発光回路
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9094125A JP2984917B2 (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 受発光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9094125A JP2984917B2 (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 受発光回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10290024A true JPH10290024A (ja) | 1998-10-27 |
| JP2984917B2 JP2984917B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=14101708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9094125A Expired - Fee Related JP2984917B2 (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 受発光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984917B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002084178A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Keyence Corp | 光電スイッチ |
| JP2013005326A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 増幅回路 |
| CN114586339A (zh) * | 2019-10-31 | 2022-06-03 | 索尼半导体解决方案公司 | 过光量检测电路、光接收元件和电子设备 |
-
1997
- 1997-04-11 JP JP9094125A patent/JP2984917B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002084178A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Keyence Corp | 光電スイッチ |
| JP2013005326A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 増幅回路 |
| CN114586339A (zh) * | 2019-10-31 | 2022-06-03 | 索尼半导体解决方案公司 | 过光量检测电路、光接收元件和电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2984917B2 (ja) | 1999-11-29 |
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