JPH10290040A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 異種の半導体基板に成長させた半導体層を直
接接着法により接着して形成される半導体レーザ装置の
接着界面における界面準位の発生を防ぎ、界面準位の影
響による特性の劣化をなくす。 【解決手段】 ＩnＰやＧaＡs等の異種基板にそれぞれ
成長させた半導体層の直接接着される界面に、その接着
界面における互いの格子定数を一致、または接近させる
接着層を設ける。特に活性層よりもバンドギャップが大
きく、且つ活性層とは格子定数が異なるクラッド層をｐ
側に備えた半導体レーザ装置の直接接着される半導体層
間に、Ｉn_1-xＧa_xＰ（但し、ｘは０.５以下）、或いは
ＩnＧaＡsＰからなる接着層を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、異種の半導体基板
にそれぞれ成長させた半導体層を直接接着法により互い
に接着して形成される半導体レーザ装置に係り、特に接
着界面での界面準位の発生を防いだ構造の半導体レーザ
装置に関する。

【０００２】

【関連する背景技術】長波長帯の半導体レーザ装置は、
例えば異種の半導体基板にそれぞれ成長させた半導体層
を直接接着法により互いに接着して形成され、活性層よ
りもバンドギャップが大きく、且つ該活性層とは格子定
数が異なるクラッド層をｐ側に備えた構造を有する。

【０００３】この種の半導体レーザ装置は、図１にその
概略的な製作工程とその素子構造を模式的に示すよう
に、先ず図１(ａ)に示すようにｎ-ＩnＰ基板１上に有機
金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によりｎ-ＩnＰクラッ
ド層２、発振波長１.３μｍのＧＲＩＮ-ＳＣＨ-ＭＱＷ
（多重量子井戸）活性層３、そしてＩnＰ層４を順に成
長させる。一方、図１(ｂ)に示すようにＧaＡs基板５上
に同様にしてＭＯＣＶＤ法によりＩnＧaＰエッチング停
止層６、ｐ-ＧaＡsコンタクト層７、ｐ-ＩnＧaＰクラッ
ド層８を順に成長させる。

【０００４】しかる後、上記各半導体層をそれぞれ成長
させたエピタキシャル基板を、例えば［３:１:１］に混
合されたＨ₂ＳＯ₄，Ｈ₂Ｏ₂，Ｈ₂Ｏ、およびフッ酸によ
り処理する。そしてこれらの各基板をそれぞれ乾燥させ
た後、図１(ｃ)に示すように前記ＩnＰ層４と前記ｐ-Ｉ
nＧaＰクラッド層８とを、その劈開面を揃えて室温大気
中にて張り合わせる。次いで上記の如く張り合わせた２
枚の基板上に、例えば約３０ｇ/ｃｍ²程度のモリブデン
（Ｍo）からなる重りを載せ、水素雰囲気中にて５００
℃程度の温度で３０分間の熱処理を施して前記ＩnＰ層
４とｐ-ＩnＧaＰクラッド層８とを直接接着する。

【０００５】その後、図１(ｄ)に示すように前記ｐ-Ｇa
Ａs基板５をアンモニア系のエッチング液を用いて除去
する。この際、前記ＩnＧaＰエッチング停止層６は上記
アンモニア系のエッチング液ではエッチングされないた
め、前記ｐ-ＧaＡs基板５のエッチングはＩnＧaＰエッ
チング停止層６の表面にて自動的に停止する。そこで次
に塩酸（ＨＣl）を用いて前記ＩnＧaＰエッチング停止
層６をエッチング除去する。このとき前記ｐ-ＧaＡsコ
ンタクト層７は上記塩酸ではエッチングされないため、
上記ＩnＧaＰエッチング停止層６のエッチングはｐ-Ｇa
Ａsコンタクト層７の表面にて自動的に停止する。

【０００６】しかる後、幅５μｍ程度のＳiＮ_x膜（図示
せず）をマスクとして用い、硫酸系エッチング液と塩酸
系のエッチング液とを用いて、図１(ｅ)に示すようにｐ
-ＧaＡsコンタクト層７とｐ-ＩnＧaＰクラッド層８の途
中までをエッチングする。そしてこのエッチングにより
ストライプ状の逆メサを、例えばメサ底部の幅が約３μ
ｍ程度となるように形成する。その後、その全面にＳi
Ｎ_x膜９を形成した後、メサの上部のＳiＮ_x膜９を開口
して電流通路を形成する。そして前記ｎ-ＩnＰ基板１の
裏面側を研磨してその厚みを１００μｍ程度とした後、
ｐ側電極１０とｎ側電極１１とをそれぞれ形成する。

【０００７】かくして上述した如く異種の半導体基板に
それぞれ成長させた半導体層を直接接着法により接着し
て製作され、図１(ｅ)に示す如き素子構造を有する半導
体レーザ装置によれば、ＭＱＷ活性層３に比較して、ｐ
-ＩnＧaＰクラッド層８のバンドギャップが十分に大き
く、価電子帯と伝導帯とのバンドオフセットを（１：
２）と仮定した場合においても。導電帯のバンドギャッ
プ差ΔＥcが３００ｍｅＶ以上大きく、しかもこのクラ
ッド層８をｐ側に有するので、電子のオーバーフローを
効果的に抑制することができる。この結果、長波長帯の
半導体レーザ装置において問題となっている温度特性の
劣化を防ぎ、温度特性の向上を図ることが可能となる。

【０００８】また上述した如くワイドバンドのギャップ
を持つクラッド層８を、その基板であるｎ-ＩnＰ基板１
とは異種のｐ-ＧaＡs基板５上に形成し、これをｎ-Ｉn
Ｐ基板１上に成長させた半導体層に直接接着しているの
で、格子定数が大きく異なる半導体材料を適宜用いて半
導体レーザ装置を実現することができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで格子定数の異
なる半導体材料を接合した場合、その接合界面には、所
謂ダングリングボンドが発生し易い。このダングリング
ボンドの密度は面方位によって異なるが、例えばその接
合界面が（１００）面同士である場合、その格子定数が
ａ1,ａ2（ａ1＜ａ2）で与えられるとき ４［（ａ2²−ａ1²）／ａ2²ａ1²］ として求めることができる。ちなみにダイヤモンド結晶
構造では、ダングリングボンドの密度（表面準位密度）
が１０¹³ｃｍ^-2以上である場合、接合面でのフェルミ準
位は、その禁制帯幅（バンドギャップ）の約１／３の点
でクランプされる。また半導体におけるヘテロ接合の場
合にも、空乏層が形成される。

【００１０】前述した図１に示す素子構造の半導体レー
ザ装置にあっては、その接着界面が前述したようにＩn
Ｐ層４と、ｐ-ＧaＡs基板５に格子整合したｐ-ＩnＧaＰ
クラッド層８とによって形成される。従ってＧaＡsの格
子定数ａ1は５.６５３２Åであり、ＩnＰの格子定数ａ2
が５.８６８７Åであるので、当該接着界面でのダング
リングボンドの密度は、約９×１０¹³ｃｍ^-2となる。こ
れ故、その接着界面における界面準位の影響によってキ
ャリアの非発光再結合が誘起されることが否めず、特性
の劣化が懸念される。

【００１１】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たもので、その目的は、異種の半導体基板にそれぞれ成
長させた半導体層を直接接着法により互いに接着して形
成される半導体レーザ装置において、特にその接着界面
における界面準位の発生を防ぎ、界面準位の影響による
特性の劣化をなくした構造の半導体レーザ装置を提供す
ることにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
べく本発明に係る半導体レーザ装置は、異種の半導体基
板にそれぞれ成長させた半導体層を直接接着法により互
いに接着して形成されるものであって、特に活性層より
もバンドギャップが大きく、且つ前記活性層とは格子定
数が異なるクラッド層をｐ側に備えた半導体レーザ装置
に係り、前記直接接着される半導体層間に、その接着界
面における互いの格子定数を一致、または接近させる接
着層を設けたことを特徴としている。

【００１３】特に前記接着層を、異種の半導体基板にそ
れぞれ成長されて直接接着される半導体層の一方に、ま
たはその双方にそれぞれ形成するようにし、また前記接
着層をＩn_1-xＧa_xＰ層（但し、ｘは０.５以下）とし
て、或いはＩnＧaＡsＰ層として実現することを特徴と
している。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態に係る半導体レーザ装置について説明する。図２
は本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の概
略的な製作工程とその素子構造を模式的に示している。
この半導体レーザ装置は、先ず図２(ａ)に示すように、
ｎ-ＩnＰ基板２１上にＭＯＣＶＤ法によりｎ-ＩnＰクラ
ッド層２２、発振波長１.３μｍのＧＲＩＮ-ＳＣＨ-Ｍ
ＱＷ（多重量子井戸）活性層２３、そしてＩn_0.7Ｇa_0.3
Ｐ接着層２４を順次成長させる。一方、図２(ｂ)に示す
ようにＧaＡs基板２５上に、同様にしてＭＯＣＶＤ法に
よりＩn_0.5Ｇa_0.5Ｐエッチング停止層２６、ｐ-ＧaＡs
コンタクト層２７、ｐ-Ｉn_0.5Ｇa_0.5Ｐクラッド層２
８、更にＩn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層２９を順に成長させる。

【００１５】しかる後、上記各半導体層をそれぞれ成長
させたエピタキシャル基板を、例えば［３:１:１］に混
合された[Ｈ₂ＳＯ₄，Ｈ₂Ｏ₂，Ｈ₂Ｏ]、およびフッ酸に
より処理する。そしてこれらの各基板をそれぞれ乾燥さ
せた後、図２(ｃ)に示すように前記ｎ-ＩnＰ基板２１上
のＩn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層２４と、前記ＧaＡs基板２５上
のＩn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層２９とを、その劈開面を揃えて
室温大気中にて張り合わせる。次いで上記の如く張り合
わせた２枚の基板上に、例えば約３０ｇ／ｃｍ ²程度の
モリブデン（Ｍo）からなる重りを載せ、水素雰囲気中
にて５００℃程度の温度で３０分間の熱処理を施して前
記両Ｉn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層２４,２９を互いに直接接着
する。

【００１６】その後、図２(ｄ)に示すように前記ＧaＡs
基板２５をアンモニア系のエッチング液を用いて除去す
る。この際、前記ＩnＧaＰエッチング停止層２６は上記
アンモニア系のエッチング液でエッチングされることが
ないので、前記ｐ-ＧaＡs基板２５のエッチングはＩn
_0.5Ｇa_0.5Ｐエッチング停止層２６の表面にて自動的に
停止する。そこで次に塩酸（ＨＣl）を用いて前記Ｉn
_0.5Ｇa_0.5Ｐエッチング停止層２６をエッチング除去す
る。このとき前記ｐ-ＧaＡsコンタクト層２７は上記塩
酸ではエッチングされないため、上記Ｉn_0.5Ｇa_0.5Ｐエ
ッチング停止層２６のエッチングはｐ-ＧaＡsコンタク
ト層２７の表面にて自動的に停止する。

【００１７】しかる後、幅５μｍ程度のＳiＮ_x膜（図示
せず）をマスクとして用い、硫酸系エッチング液と塩酸
系のエッチング液とを用いて、図２(ｅ)に示すようにｐ
-ＧaＡsコンタクト層２７とｐ-Ｉn_0.5Ｇa_0.5Ｐクラッド
層２８の途中までをエッチングし、ストライプ状の逆メ
サを、例えばメサ底部の幅が約３μｍ程度となるように
形成する。その後、その全面にＳiＮ_x膜３０を形成した
後、メサの上部の上記ＳiＮ_x膜３０を開口して電流通路
を形成する。そして前記ｎ-ＩnＰ基板２１の裏面側を研
磨してその厚みを１００μｍ程度とした後、ｐ側電極３
１とｎ側電極３２とをそれぞれ蒸着形成する。

【００１８】かくしてこのようにして製作される半導体
レーザ装置によれば、直接接着されて接合界面をなす半
導体層が、前記ｎ-ＩnＰ基板２１上のＩn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接
着層２４と、前記ｐ-ＧaＡs基板２５上のＩn_0.7Ｇa_0.3
Ｐ接着層２９であり、その格子定数が同じである。従っ
て従来のように格子定数の差に起因して発生するダング
リングボンドの密度は、実質的に無視できる程度まで小
さくなり、その接着界面での界面準位に起因する悪影響
が発生しなくなる。具体的にはキャリアの非発光再結合
の発生を防ぐことが可能となる。

【００１９】また上述した素子構造であれば、図１に示
した従来構造の半導体レーザ装置と同様にバンドギャッ
プの大きいクラッド層をｐ側に備えるので、電子のオー
バーフローを抑制することができ、長波長帯の半導体レ
ーザ装置で問題となっていた温度特性の劣化を効果的に
防ぐことができる。つまり温度特性に優れた半導体レー
ザ装置を効果的に実現することができる。

【００２０】尚、上述した実施形態においては、Ｉn_xＧ
a_1-xＰ接着層２４,２９における組成比ｘを（０.３）と
したが、実際的には組成比ｘを（０.５）以下に設定す
れば良い。即ち、接着層２４,２９の格子定数が必ずし
も一致していなくても、その間の格子定数が接近してい
れば、その接着界面に生じるダングリングボンドの密度
を十分に小さくすることができるので、接着界面での界
面準位に起因する悪影響を十分に抑え得る。

【００２１】但し、例えばＭＱＷ活性層２３やｐ-Ｉn
_0.5Ｇa_0.5Ｐクラッド層２８等との格子定数の差が大き
い場合には、Ｉn_xＧa_1-xＰ接着層２４,２９の結晶成長
自体が困難となるので、例えば上記組成比ｘを（０.２
〜０.３）程度に設定した接着層を、その双方に設ける
ことが好ましい。またこの接着層２４,２９における組
成比ｘを、その厚み方向に徐々に変えることも好まし
い。

【００２２】ところで上述した第１の実施形態に係る半
導体レーザ装置は、ＧaＡs基板２５をエッチング除去
し、最終的にはＩnＰ基板２１上にエピタキシャル層を
形成した構造として実現されが、逆にＩnＰ基板を除去
してＧaＡs基板上にエピタキシャル層を形成して半導体
レーザ装置を実現することもできる。図３は本発明に係
る第２の実施形態を示すもので、ＩnＰ基板を除去して
ＧaＡs基板上に半導体レーザ装置を実現する例を示して
いる。この場合には、先ず図３(ａ)に示すように、ｎ-
ＩnＰ基板４１上にＭＯＣＶＤ法によりｎ-ＩnＧaＡsコ
ンタクト層４２、ｎ-ＩnＰクラッド層４３、発振波長
１.３μｍのＧＲＩＮ-ＳＣＣ-ＭＱＷ（多重量子井戸）
活性層４４、そしてＩn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層４５を順次成
長させる。一方、図３(ｂ)に示すようにｐ-ＧaＡs基板
４６上に、同様にしてＭＯＣＶＤ法によりｐ-Ｉn_0.5Ｇa
_0.5Ｐクラッド層４７、Ｉn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層４８を順
に成長させる。

【００２３】しかる後、上記各半導体層をそれぞれ成長
させたエピタキシャル基板を前述した第１の実施形態と
同様にして処理し、図３(ｃ)に示すように前記ｐ-ＧaＡ
s基板４６上のＩn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層４８と前記ｎ-Ｉn
Ｐ基板４１上のＩn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層４５とをその劈開
面を揃えて室温大気中にて張り合わせ、荷重を加えた状
態で水素雰囲気中にて加熱処理を施すことで、前記両Ｉ
n_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層４８,４５を互いに直接接着する。

【００２４】その後、ｎ-ＩnＰ基板４１を塩素系のエッ
チング液で除去する。このとき前記ｎ-ＩnＧaＡsコンタ
クト層４２は上記塩酸ではエッチングされないため、上
記ｎ-ＩnＰ基板４１のエッチングは上記ｐ-ＩnＧaＡsコ
ンタクト層４２の表面にて自動的に停止する。しかる
後、先の第１の実施形態と同様にして、例えば図３(ｄ)
に示すようにｎ-ＩnＧaＡsコンタクト層４２とｎ-ＩnＰ
クラッド層４３の途中までをエッチングし、リッジ型構
造に加工する。その後、その全面にＳiＮ_x膜４９を形成
した後、リッジ上部の上記ＳiＮ_x膜４９を開口して電流
通路を形成する。そして前記ｐ-ＧaＡs基板４６の裏面
側を研磨してその厚みを１００μｍ程度とした後、ｐ側
電極５１とｎ側電極５０とをそれぞれ形成する。

【００２５】このようにしてｐ-ＧaＡs基板４６上に形
成される素子構造の半導体レーザ装置であれば、前述し
た第１の実施形態に係る半導体レーザ装置と同様な効果
が奏せられる。しかも最終的にはｎ-ＩnＰ基板４１をエ
ッチング除去し、ＧaＡs基板４６上に素子が形成される
ことになるので、ＧaＡs基板上に形成される他の電子デ
バイスとの同時集積化が容易になる等の効果が奏せられ
る。

【００２６】ところで本発明は、面発光型の半導体レー
ザ装置にも適用することができる。図３および図４はそ
の実施形態を示すもので、活性層の両側に格子定数の異
なる半導体層を接合形成した例を示している。即ち、こ
の面発光型の半導体レーザ装置は、先ず図４(ａ)に示す
ようにＧaＡs基板６１上にＭＯＣＶＤ法を用いてＩn_0.5
Ｇa_0.5Ｐエッチング停止層６２、ｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)
Ａs-ＤＢＲミラー層６３、Ｉn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層６４を
順に成長させる。一方、ｎ-ＩnＰ基板６５上には、図４
(ｂ)に示すようにＩnＧaＡsエッチング停止層６６、Ｉn
_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層６７、量子井戸活性層６８、更にＩn
_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層６９を順次成長させる。これに加え
て更に第３の基板として、図４(ｃ)に示すようにｎ-Ｇa
Ａs基板７０上に、同様にしてＭＯＣＶＤ法によりｎ-Ｇ
aＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層７１、Ｉn_0.7Ｇa_0.3
Ｐ接着層７２を順に成長させる。

【００２７】しかる後、これらの各半導体層をそれぞれ
成長させたエピタキシャル基板を、例えば［３:１:１］
に混合された[Ｈ₂ＳＯ₄，Ｈ₂Ｏ₂，Ｈ₂Ｏ]、およびフッ
酸により処理する。そして先ず、図４(ｄ)に示すように
ｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層６３を有する
ＧaＡs基板６１のＩn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層６４と、前記ｎ
-ＩnＰ基板６５のＩn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層６９とを直接接
着法により接着する。そして塩素系のエッチング液を用
いてｎ-ＩnＰ基板６５をエッチング除去し、更に硫酸系
エッチング液を用いて前記ＩnＧaＡsエッチング停止層
６６をエッチング除去する。

【００２８】次いで図５(ａ)に示すように上記ｎ-ＩnＰ
基板６５とＩnＧaＡsエッチング停止層６６とを除去す
ることで露出したＩn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層６７と、前記ｎ
-ＧaＡs基板７０上のＩn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層７２とを、
先と同様にして直接接着する。そして前記ＧaＡs基板６
１とＩn_0.5Ｇa_0.5Ｐエッチング停止層６２とを順にエッ
チング除去する。

【００２９】しかる後、図５(ｂ)に示すようにｐ-ＧaＡ
s／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層６３を、例えばＳiＮ_x
膜（図示せず）をマスクとして用いてドライエッチング
し、該ｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層６３を
円柱状のメサに加工する。そしてこのｐ-ＧaＡs／Ａl
(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層６３の、特にＡl(Ｇa)Ａs層の
側面を酸化し、メサに電流および光の閉じ込め機能を持
たせる。そして前記ｎ-ＧaＡs基板７０の裏面を研磨し
た後、前記ｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層６
３の上面にｐ側電極７３を蒸着形成し、更にｎ-ＧaＡs
基板７０の裏面にｎ側電極７４を円環状に蒸着形成す
る。

【００３０】このように量子井戸層６８の両側にＧaＡs
／Ａl(Ｇa)ＡsからなるＤＢＲミラー層６３,７１を接着
した素子構造の半導体レーザ装置によれば、ミラー部に
おける損失が少なく、熱放散性も良いので、長波長帯の
面発光型レーザとして優れた効果を発揮する。しかも室
温環境での動作特性に優れている等の効果が奏せられ
る。更には接着界面が２箇所も存在するにも拘わらず、
接着界面での界面準位の影響がないので、その特性の向
上を図ることが可能となる。

【００３１】尚、本発明は上述した各実施形態に限定さ
れるものではない。例えば長波長帯の半導体レーザ装置
に限らず、他の波長帯の半導体レーザ装置にも同様に適
用することができる。また活性層の構造としても、上述
した例に限られるものではない。更には接着層としてＩ
nＧaＡsＰを用いることも可能であり、要は接着界面を
なす接着層の格子定数が一致、若しくは接近しており、
ダングリングボンドによる界面準位の影響が生じないよ
うにすれば良い。その他、本発明はその要旨を逸脱しな
い範囲で種々変形して実施することができる。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、異
種の半導体基板にそれぞれ成長させた半導体層を直接接
着法により互いに接着して形成される半導体レーザ装置
において、直接接着される半導体層間に、その接着界面
における互いの格子定数を一致または接近させる接着層
を設けているので、格子定数の異なり起因するダングリ
ングボンドの密度を無視できる程度に小さくすることが
でき、接着界面での界面準位の影響を抑えてキャリアの
非発光再結合を防ぐことができる。特に活性層よりもバ
ンドギャップが大きく、且つ活性層とは格子定数が異な
るクラッド層をｐ側に備えた半導体レーザ装置にあって
は、電子のオーバーフローを抑制し、その温度特性の向
上を図ることができる等の効果が奏せられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】直接接着法を用いて製作される従来の半導体レ
ーザ装置の素子構造とその製作工程とを模式的に示す
図。

【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装
置の素子構造とその製作工程とを模式的に示す図。

【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装
置の素子構造とその製作工程とを模式的に示す図。

【図４】本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装
置の製作工程の一部を模式的に示す図。

【図５】本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装
置の図４に示す製作工程に続く工程と、その素子構造と
を模式的に示す図。

【符号の説明】

２１ ｎ-ＩnＰ基板 ２２ ｎ-ＩnＰクラッド層 ２３ ＧＲＩＮ-ＳＣＨ-ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層 ２４ Ｉn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層 ２５ ＧaＡs基板 ２６ Ｉn_0.5Ｇa_0.5Ｐエッチング停止層 ２７ ｐ-ＧaＡsコンタクト層 ２８ ｐ-Ｉn_0.5Ｇa_0.5Ｐクラッド層 ２９ Ｉn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層２９ ３０ ＳiＮ_x膜 ３１ ｐ側電極 ３２ ｎ側電極 ４１ ｎ-ＩnＰ基板 ４２ ｎ-ＩnＧaＡsコンタクト層 ４３ ｎ-ＩnＰクラッド層 ４４ ＧＲＩＮ-ＳＣＣ-ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層 ４５ Ｉn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層 ４６ ＧaＡs基板４６ ４７ ｐ-Ｉn_0.5Ｇa_0.5Ｐクラッド層 ４８ Ｉn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層 ４９ ＳiＮ_x膜 ５０ ｎ側電極 ５１ ｐ側電極 ６１ ＧaＡs基板 ６２ Ｉn_0.5Ｇa_0.5Ｐエッチング停止層 ６３ ｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層 ６４ Ｉn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層 ６５ ｎ-ＩnＰ基板 ６６ Ｉn_0.5Ｇa_0.5Ｐエッチング停止層 ６７ Ｉn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層 ６８ 量子井戸活性層 ６９ Ｉn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層 ７０ ｎ-ＧaＡs基板 ７１ ｎ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層 ７２ Ｉn_0.7Ｇa_0.3Ｐ接着層 ７３ ｐ側電極 ７４ ｎ側電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 粕川 秋彦 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 異種の半導体基板にそれぞれ成長させた
   半導体層を直接接着法により互いに接着して形成され、
   活性層よりもバンドギャップが大きく、且つ前記活性層
   とは格子定数が異なるクラッド層をｐ側に備えた半導体
   レーザ装置であって、 前記直接接着される半導体層間に、その接着界面の格子
   定数を一致、または接近させる接着層を設けたことを特
   徴とする半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】 前記接着層は、異種の半導体基板にそれ
   ぞれ成長されて直接接着される半導体層の一方、または
   双方に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半
   導体レーザ装置。
3. 【請求項３】 前記接着層は、Ｉn_1-xＧa_xＰ層（但し、
   ｘは０.５以下）からなることを特徴とする請求項１に
   記載の半導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 前記接着層は、ＩnＧaＡsＰ層からなる
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。