JPH10293207A - Color filter and method of manufacturing color filter - Google Patents
Color filter and method of manufacturing color filterInfo
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- JPH10293207A JPH10293207A JP2983298A JP2983298A JPH10293207A JP H10293207 A JPH10293207 A JP H10293207A JP 2983298 A JP2983298 A JP 2983298A JP 2983298 A JP2983298 A JP 2983298A JP H10293207 A JPH10293207 A JP H10293207A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】カラーフィルター製造工程および液晶パネル製
造工程での基板の搬送性を改良し、基板の位置ずれある
いは基板の破損を防止する。また、静電気を原因とする
プラスチックビーズ(スペーサー)の偏在による表示ム
ラ欠陥のないカラーフィルターを得る。
【解決手段】透明基板の表面に少なくとも3色の画素を
有するカラーフィルターにおいて、透明基板裏面側に透
明導電膜を有することを特徴とするカラーフィルター。(57) Abstract: To improve the transportability of a substrate in a color filter manufacturing process and a liquid crystal panel manufacturing process, and to prevent a substrate from being displaced or being damaged. Further, a color filter free from display unevenness defects due to uneven distribution of plastic beads (spacers) due to static electricity is obtained. A color filter having pixels of at least three colors on the surface of a transparent substrate, wherein the color filter has a transparent conductive film on the back side of the transparent substrate.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置用等の
カラーフィルターおよび液晶表示装置に関する。更に詳
しくは、本発明は、カラーフィルターの製造工程および
アクティブマトリクス型カラー液晶表示装置の製造工程
において、静電気帯電によって基板表面に異物が付着す
るのを防止したり、基板搬送不良が発生するのを防止し
たり、薄膜トランジスタの劣化を防止する目的で、帯電
防止性を付与したカラーフィルターに関する。The present invention relates to a color filter for a liquid crystal display device and the like, and a liquid crystal display device. More specifically, the present invention prevents a foreign substance from adhering to the substrate surface due to electrostatic charging and prevents a substrate transport failure from occurring in a color filter manufacturing process and an active matrix type color liquid crystal display device manufacturing process. The present invention relates to a color filter provided with an antistatic property for the purpose of preventing the deterioration of the thin film transistor.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、特開昭60−184202号公報
や特開昭61−180203号公報に示されるように、
耐熱性樹脂であるポリイミド中に顔料を分散し、ポジ型
フォトレジストを用いたパターン加工技術を使用して形
成されたカラーフィルターは、250℃以上の耐熱性を
有し、耐光性、高精細、透過性等に優れているカラーフ
ィルターを得ることができる。しかしながら、フォトリ
ソグラフィ法、その他の方法とも透明基板上に樹脂組成
物でカラーフィルター膜を形成するが、この場合、工程
を高湿度コントロールできないため、工程上で静電気帯
電する。特に、基板サイズが大きくなるにしたがって帯
電しやすく、はなはだしい時は、温度制御板の上でガラ
スが密着して、搬送不良を起こす。また、搬送に問題が
ないとしても、帯電した基板を用いてセル組みしたパネ
ルの品位は、その静電気帯電によって、散布したビーズ
(セルギャップ用スペーサー)が偏在しやすく、表示ム
ラ欠陥を発現し、不良品となる割合が高い。また、静電
気帯電は異物付着を増大させ、この点でも歩留まりを低
下させる。はなはだしい場合には、対向側であるアクテ
ィブマトリックス基板のトランジスタを劣化させること
もある。表示ムラ欠陥防止や工程上での良好な搬送性を
維持するために、帯電防止や除電といった改善がカラー
フィルターや液晶表示装置の製造上、非常に重要であ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, as disclosed in JP-A-60-184202 and JP-A-61-180203,
A color filter formed by dispersing a pigment in polyimide which is a heat-resistant resin and using a pattern processing technique using a positive photoresist has heat resistance of 250 ° C. or higher, light resistance, high definition, A color filter having excellent transparency and the like can be obtained. However, in both the photolithography method and other methods, a color filter film is formed of a resin composition on a transparent substrate. In this case, however, the process cannot be controlled to a high humidity, and thus the process is electrostatically charged. In particular, the larger the size of the substrate, the easier it is to be charged. In an extreme case, the glass adheres to the temperature control plate, causing poor conveyance. Even if there is no problem in transportation, the quality of the panel assembled by using the charged substrate is such that the beads (cell gap spacers) scattered are apt to be unevenly distributed due to the electrostatic charging, and display unevenness defects appear. High percentage of defective products. In addition, electrostatic charging increases the adhesion of foreign substances, and in this regard, the yield also decreases. In extreme cases, the transistors on the opposing active matrix substrate may be degraded. In order to prevent display unevenness defects and maintain good transportability in the process, improvements such as antistatic and static elimination are very important in the production of color filters and liquid crystal display devices.
【0003】通常の液晶表示装置の液晶のモードである
ツイストネマチックでなく、基板面に平行に電圧を印加
して液晶を基板面と平行な面内で回転させる横電界駆動
方式が提案されている。この方式は視野角が広くできる
特徴があるが、カラーフィルター側に電極を設けずTF
Tなどの駆動素子が形成された基板にのみ電極が置かれ
るために、カラーフィルター側からの外部電界が侵入し
て表示に悪影響を与えやすい問題がある。本発明はカラ
ーフィルター基板裏面に透明導電膜を形成するので表示
に影響を与えずに有害な外部電界を遮断することができ
る。また、基板が不均一に帯電してスペーサー散布時に
スペーサー分布にムラが発生することも抑制する効果が
ある。ガラス基板上に直接透明導電膜を形成できること
から、カラーフィルター基板裏面に貼る偏光フィルム上
などに透明導電膜を形成するのに比べて、基板温度を高
くできたり、下地層からの脱ガスがなかったりすること
で、低抵抗、高透明の透明導電膜を得やすい利点があ
る。Instead of twisted nematic, which is a mode of liquid crystal of a normal liquid crystal display device, a lateral electric field driving method in which a voltage is applied in parallel to a substrate surface to rotate the liquid crystal in a plane parallel to the substrate surface has been proposed. . This method has the feature that the viewing angle can be widened, but without using an electrode on the color filter side, TF
Since the electrodes are placed only on the substrate on which the driving element such as T is formed, there is a problem that an external electric field from the color filter invades and easily affects the display. In the present invention, since a transparent conductive film is formed on the back surface of the color filter substrate, a harmful external electric field can be cut off without affecting the display. Further, there is also an effect of suppressing uneven charging of the substrate due to uneven charging of the substrate when the spacer is sprayed. Because a transparent conductive film can be formed directly on a glass substrate, the substrate temperature can be raised and there is no outgassing from the underlayer, compared to forming a transparent conductive film on a polarizing film attached to the back of a color filter substrate. This has the advantage that a transparent conductive film having low resistance and high transparency can be easily obtained.
【0004】カラーフィルターを構成するブラックマト
リックスが金属の場合は、カラーフィルター基板表面に
導電性のメッシュが形成されたのと等価になるが、樹脂
ブラックマトリックスでは高い導電率が期待できず、本
発明の効果が特に大きい。When the black matrix constituting the color filter is made of a metal, it is equivalent to forming a conductive mesh on the surface of the color filter substrate. However, a high conductivity cannot be expected with a resin black matrix. The effect is particularly large.
【0005】これに対して、一般的な帯電防止性付与と
しては、表面の親水化処理(界面活性剤などで電荷をに
がす)や、電荷の中和(コロナ放電などで+−の中和を
する)や、金属(導電品の繊維・粒子の混入)等の混合
などが知られている。しかしながら、液晶デイスプレイ
やカラーフィルターに関しては、不純物のイオン増大
や、ミスト付着、あるいは、透明性を損なう処理は適さ
ないため、製造装置上での改善がなされている。例え
ば、導電性ゴムシート等を透明基板の裏面に使用して搬
送する事も考えられるが、カラーフィルター製造工程上
での耐熱性を有していないものは、不向きである。特開
平7−318878号公報では、ガラス基板の下に金属
板を置いたり、導電性フィルムを張り付けたりして帯電
防止・除電を実施して対処している。[0005] On the other hand, general antistatic properties can be imparted by hydrophilizing the surface (removing the charge with a surfactant or the like) or neutralizing the charge (+- And mixing of metals (mixing of fibers and particles of conductive articles) and the like are known. However, liquid crystal displays and color filters are not suitable for treatments that increase impurity ions, adhere mist, or impair transparency, so that improvements have been made on manufacturing equipment. For example, it is conceivable to use a conductive rubber sheet or the like on the back surface of the transparent substrate for transportation. However, a material that does not have heat resistance in the color filter manufacturing process is not suitable. In Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-31878, a countermeasure is performed by placing a metal plate under a glass substrate or attaching a conductive film to prevent static electricity and eliminate static electricity.
【0006】しかし、既存の装置を使用する場合や、新
たに改造するスペースのない工程では、実施不可能であ
り、また、張り付けたフィルムを剥がした際に、剥離帯
電を生じる場合があるという問題があった。However, this method cannot be performed in the case where an existing apparatus is used or in a step where there is no space for newly remodeling, and there is a problem that peeling-off charging may occur when the attached film is peeled off. was there.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特に
カラーフィルター作製において、工程上の搬送性を確保
し、得られるカラーフィルターの光透過性を保持しつ
つ、かつ水やアルカリ、有機溶剤などの耐溶剤性に優
れ、工程通過性の良好な新規カラーフィルターを提供す
ることにあり、既存の装置を使用し、新たな設備投資を
しないで、作業性の高いカラーフィルターを提供するこ
とにある。また、セル組み工程上帯電することによって
生じる液晶パネルでの表示ムラ欠陥を防止し、生産性の
高いカラーフィルターを提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a color filter, in particular, to ensure the transportability in the process, to maintain the light transmittance of the obtained color filter, and to use water, an alkali or an organic solvent. To provide new color filters with excellent solvent resistance and good process passability, such as using existing equipment, and providing high workability color filters without investing in new equipment. is there. Another object of the present invention is to provide a color filter with high productivity by preventing display unevenness defects in a liquid crystal panel caused by charging in a cell assembling process.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は下記構成からなる。Means for Solving the Problems To solve the above problems, the present invention comprises the following constitutions.
【0009】(1)透明基板の表面側に少なくとも3色
の画素を有するカラーフィルターにおいて、透明基板裏
面側に透明導電膜を有することを特徴とするカラーフィ
ルター。(1) A color filter having pixels of at least three colors on the front surface side of a transparent substrate, wherein a transparent conductive film is provided on the rear surface side of the transparent substrate.
【0010】(2)透明基板裏面側の透明導電膜の比抵
抗値が2kΩ・cm以下であることを特徴とする(1)
に記載のカラーフィルター。(2) The transparent conductive film on the back side of the transparent substrate has a specific resistance of 2 kΩ · cm or less.
The color filter according to 1.
【0011】(3)透明基板裏面側の透明導電膜の透過
率が96%以上であることを特徴とする(1)に記載の
カラーフィルター。(3) The color filter according to (1), wherein the transmittance of the transparent conductive film on the back side of the transparent substrate is 96% or more.
【0012】(4)透明基板裏面側の透明導電膜の膜厚
が10nm以上100nm以下であることを特徴とする
(1)に記載のカラーフィルター。(4) The color filter according to (1), wherein the thickness of the transparent conductive film on the rear surface side of the transparent substrate is from 10 nm to 100 nm.
【0013】(5)透明基板の表面側にオーバーコート
を設けることを特徴とする(1)に記載のカラーフィル
ター。(5) The color filter according to (1), wherein an overcoat is provided on the surface side of the transparent substrate.
【0014】(6)カラーフィルターを構成するブラッ
クマトリックスが樹脂ブラックマトリックスであること
を特徴とする(1)に記載のカラーフィルター。(6) The color filter according to (1), wherein the black matrix constituting the color filter is a resin black matrix.
【0015】(7)透明基板裏面側に透明導電膜を設け
た後、表面側に樹脂ブラックマトリックスと画素を設け
ることを特徴とするカラーフィルターの製造方法。 (8)透明基板の表面側に金属ブラックマトリックスを
形成した後、裏面側に透明導電膜を設け、さらに表面側
に画素を設けることを特徴とするカラーフィルターの製
造方法。(7) A method for manufacturing a color filter, comprising: providing a transparent conductive film on the back side of a transparent substrate and then providing a resin black matrix and pixels on the front side. (8) A method for producing a color filter, comprising forming a metal black matrix on the front side of a transparent substrate, providing a transparent conductive film on the back side, and further providing pixels on the front side.
【0016】(9)上記(1)〜(5)に記載のカラー
フィルターを用いたことを特徴とする液晶表示装置。(9) A liquid crystal display device using the color filters described in (1) to (5).
【0017】(10)液晶表示装置が横電界駆動方式で
あることを特徴とする(9)記載の液晶表示装置。(10) The liquid crystal display device according to (9), wherein the liquid crystal display device is of a horizontal electric field drive type.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】ここでいう金属ブラックマトリッ
クスとは、金属膜をパターニングして得られる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The metal black matrix mentioned here is obtained by patterning a metal film.
【0019】金属膜としては、単層膜でも、あるいは、
低反射特性が向上された酸化金属/金属の2層膜でも、
あるいはさらに、低反射特性が改善された、酸化金属/
金属/酸化金属などの3層膜でも良い。金属としては、
クロム、ニッケルなどが好ましく用いられる。The metal film may be a single layer film or
Even with a metal oxide / metal two-layer film with improved low reflection characteristics,
Alternatively or additionally, metal oxide /
A three-layer film of metal / metal oxide may be used. As metal,
Chromium, nickel and the like are preferably used.
【0020】これらの金属膜は、フォトレジストと酸性
エッチング液を用いたエッチングによりパターニングが
可能である。These metal films can be patterned by etching using a photoresist and an acidic etching solution.
【0021】本発明の樹脂ブラックマトリックスとは、
黒色着色材を含む樹脂をパターニングしたものである。
該樹脂としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、アル
キド樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアルコール、フェ
ノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂な
どを採用することができる。黒色着色材としては、カー
ボンブラック、グラファイトや黒色染料などが採用でき
る。さらに色調を整えるために紫などの着色材を添加す
ることも適宜許される。The resin black matrix of the present invention is:
It is obtained by patterning a resin containing a black coloring material.
As the resin, a polyimide resin, an acrylic resin, an alkyd resin, a melamine resin, a polyvinyl alcohol, a phenol resin, a polyamide resin, a polyamideimide resin, or the like can be used. As the black coloring material, carbon black, graphite, black dye, or the like can be used. Further, addition of a coloring material such as purple for adjusting the color tone is appropriately permitted.
【0022】透明導電膜は、比抵抗値が大きい場合、膜
厚を大きくしないと静電気のため温度制御板上でガラス
基板が密着し、工程上の搬送不良が生じやすが、一方、
膜厚の増大は透明性を低下させる。本発明では、2kΩ
・cm以下の比抵抗値、好ましくは600Ω・cm以
下、さらに好ましくは300Ω・cm以下になるように
成膜した透明導電膜を用いることによって、1000枚
連続搬送テストにおいても、全く搬送不良は生じないカ
ラーフィルターを得ることができる。When the transparent conductive film has a large specific resistance, unless the film thickness is increased, the glass substrate adheres to the temperature control plate due to static electricity due to static electricity.
Increasing the film thickness reduces transparency. In the present invention, 2 kΩ
The use of a transparent conductive film formed so as to have a specific resistance of less than or equal to .OMEGA.cm, preferably less than or equal to 600 .OMEGA.cm, and more preferably less than or equal to 300 .OMEGA.cm, causes no transport failure even in a 1000-sheet continuous transport test. No color filters can be obtained.
【0023】また、透明導電膜の厚みを変更したサンプ
ルでは、厚い場合で透過率が90%未満であると、明視
野の画素透過率が低くなること、またコントラスト的に
も、不利となる事が分かった。特に、表面側にも透明導
電膜(透明電極)を必要とする場合には、その透過率も
影響するので、実質的に透明性を有する基板として用い
るには、裏面側透明導電膜が96%以上の透過率、好ま
しくは98%以上であれば、光学特性値など特に問題は
生じないことを見出した。In a sample in which the thickness of the transparent conductive film is changed, if the transmittance is less than 90% when the thickness is large, the pixel transmittance in the bright field is reduced, and the contrast is disadvantageous. I understood. In particular, when a transparent conductive film (transparent electrode) is also required on the front side, the transmittance is also affected. It has been found that if the transmittance is above the above, preferably 98% or more, there is no particular problem such as the optical characteristic value.
【0024】透明導電膜の具体例としては、次の(1)
〜(4)が有効である。Specific examples of the transparent conductive film include the following (1)
(4) is effective.
【0025】(1)金属および/または金属酸化物とを
主成分とする透明導電膜。(1) A transparent conductive film mainly containing a metal and / or a metal oxide.
【0026】(2)金属数種および/または金属酸化物
数種を組み合わせて得られる合金を主成分とする透明導
電膜。(2) A transparent conductive film mainly composed of an alloy obtained by combining several kinds of metals and / or several kinds of metal oxides.
【0027】(3)金属および/または金属酸化物とビ
ヒクルを主成分とする透明導電膜。(3) A transparent conductive film mainly containing a metal and / or a metal oxide and a vehicle.
【0028】(4)金属数種および/あるいは金属酸化
物数種を組み合わせて得られる合金とビヒクルを主成分
とする透明導電膜。(4) A transparent conductive film mainly composed of a vehicle and an alloy obtained by combining several kinds of metals and / or several kinds of metal oxides.
【0029】本発明の透明基板としては、プラスチック
基板、ガラス基板を用いる。カラーフィルター用途に
は、主にガラス基板を用いる場合が多い。本発明の透明
導電膜はディッピング(Dip)法、化学気相成長(C
VD)法、物理気相成長(PVD)法、真空蒸着法、ス
パッタリング法、イオンプレーティング法などのいずれ
かの方法によって成膜され、主としてカラーフィルター
用ガラスの裏面側の電荷を除去するために用いられる。
本発明に特に使用される透明導電膜としては、透明性が
高く、カラー表示適性を損なわない優れたものが好まし
い。代表的な透明導電膜の具体例を示すと、Al、M
o、Cr、Ta、Cu、W、Ti、Au、Ag、In、
Ge、Tb、ITO、In2 O3 、SnO2 、ZnO、
ZnO−Ga、NiCr、等の公知の金属または金属酸
化物が挙げられる。実用的には、上記金属または金属酸
化物の数種組み合わせた合金などが挙げられる。As the transparent substrate of the present invention, a plastic substrate or a glass substrate is used. In many cases, glass substrates are mainly used for color filters. The transparent conductive film of the present invention can be formed by dipping (Dip) or chemical vapor deposition (C).
VD), physical vapor deposition (PVD), vacuum deposition, sputtering, ion plating, etc., to form a film, and mainly to remove the charge on the back side of the color filter glass. Used.
As the transparent conductive film used particularly in the present invention, an excellent transparent conductive film which does not impair the suitability for color display is preferable. Specific examples of typical transparent conductive films include Al, M
o, Cr, Ta, Cu, W, Ti, Au, Ag, In,
Ge, Tb, ITO, In 2 O 3 , SnO 2 , ZnO,
Known metals or metal oxides such as ZnO-Ga, NiCr and the like can be mentioned. Practically, an alloy or the like obtained by combining several kinds of the above metals or metal oxides is used.
【0030】なかでも、ITOについては、透明性を損
なう事なく、導電性に優れており、より好ましく用いら
れる。これらの原料は、必要に応じて酸化処理などの表
面処理がなされている場合もある。Above all, ITO is more preferably used because it has excellent conductivity without impairing the transparency. These raw materials may be subjected to a surface treatment such as an oxidation treatment as necessary.
【0031】本発明の透明導電膜において、カラーフィ
ルター上における透明導電膜の膜厚は、10nm以上1
00nm以下、好ましくは15nm以上80nm以下、
さらに好ましくは、20nm以上50nm以下が適して
いる。これより厚いと透過率が下がりすぎてしまい、こ
れより薄いと導電性が不十分となって、搬送性などが問
題となる。In the transparent conductive film of the present invention, the thickness of the transparent conductive film on the color filter is 10 nm or more and 1
00 nm or less, preferably 15 nm or more and 80 nm or less,
More preferably, 20 nm or more and 50 nm or less are suitable. If it is thicker than this, the transmittance will be too low, and if it is thinner than this, the conductivity will be insufficient and the transportability will be a problem.
【0032】これらの透明導電膜の多くは、金属ブラッ
クマトリックスの形成の際に用いられるエッチング液に
侵される。したがって、金属ブラックマトリックスを基
板に形成パターニング後、裏面側に成膜されるのが好ま
しい。しかし、一方、樹脂ブラックマトリックスの形成
に用いられる現像液には侵されない。したがって、予め
基板裏面側に透明導電膜が形成されても、何ら問題な
く、むしろブラックマトリックス工程での除電効果が発
揮される。Most of these transparent conductive films are affected by an etching solution used in forming a metal black matrix. Therefore, it is preferable that the metal black matrix is formed on the substrate and then patterned on the back side after the patterning. However, on the other hand, it is not affected by the developer used for forming the resin black matrix. Therefore, even if the transparent conductive film is formed on the back surface of the substrate in advance, there is no problem, but rather, the static elimination effect in the black matrix process is exhibited.
【0033】次に、本発明で用いられる透明導電膜の形
成について、具体例を示す。Next, specific examples of the formation of the transparent conductive film used in the present invention will be described.
【0034】(1)カラーフィルターの裏面側に導電ペ
ーストを塗布し、例えばITOペーストの硬化膜を形成
する。塗布はスピンナー、デイップコーテイング、ロー
ルコーテイング、ダイコーテイング等の方法が適用さ
れ、加熱によって乾燥硬化させる。基材にもよるが、乾
燥はオーブン、ホットプレートあるいは赤外線を使用し
60℃以上300℃の範囲で数時間から数秒実施する。
硬度を損なわない温度範囲として、乾燥温度は最終的に
80℃以上250℃、特に100℃以上200℃が好ま
しく、熱処理時間は、数時間から数分実施する。これよ
り高温度では、クラックなどの不都合が生じ、低温度で
は、乾燥硬化が不十分となる。(1) A conductive paste is applied to the back side of the color filter to form a cured film of, for example, an ITO paste. The coating is performed by a method such as spinner, dip coating, roll coating, and die coating, and is dried and cured by heating. Depending on the base material, drying is carried out for several hours to several seconds in the range of 60 ° C. or more and 300 ° C. using an oven, a hot plate or infrared rays.
As a temperature range that does not impair the hardness, the drying temperature is finally preferably 80 ° C. to 250 ° C., particularly preferably 100 ° C. to 200 ° C., and the heat treatment time is several hours to several minutes. If the temperature is higher than this, inconveniences such as cracks occur, and if the temperature is lower, the drying and curing become insufficient.
【0035】(2)カラーフィルターの裏面側に透明導
電膜をスパッタリングし、例えばITOの膜を形成す
る。スパッタリングは、市販されている機器を用い、枚
葉装置やインライン装置等の方法が適用される。基板温
度が20℃以上300℃以下の範囲になるよう数分から
数秒加熱が行なわれ、導電性を損なわない範囲が好まし
い。基板温度が好ましくは150℃以上280℃以下の
範囲になるよう数秒加熱が行なわれる。特に180℃以
上250℃以下の範囲になるよう数秒の加熱が好まし
い。基板温度に応じて数分から数秒の加熱が適用され
る。上記の範囲より高温では、カラーフィルター表面で
のクラック発生などの不都合が生じる。(2) A transparent conductive film is sputtered on the back side of the color filter to form, for example, an ITO film. For the sputtering, a commercially available apparatus is used, and a method such as a single-wafer apparatus or an in-line apparatus is applied. Heating is performed for several minutes to several seconds so that the substrate temperature is in a range of 20 ° C. or more and 300 ° C. or less, and a range in which conductivity is not impaired is preferable. Heating is performed for several seconds so that the substrate temperature is preferably in the range of 150 ° C. to 280 ° C. In particular, heating for several seconds is preferable so as to be in the range of 180 ° C. to 250 ° C. Heating for several minutes to several seconds is applied depending on the substrate temperature. If the temperature is higher than the above range, inconveniences such as generation of cracks on the color filter surface occur.
【0036】(3)カラーフィルターの裏面側に透明導
電膜を蒸着し、例えばITOの膜を形成する。蒸着は、
市販されている機器を用い、枚葉装置等の方法が適用さ
れる。基板温度が20℃以上300℃以下の範囲になる
よう数分から数秒加熱が行なわれ、導電性を損なわない
範囲が好ましい。基板温度が好ましくは150℃以上2
80℃以下の範囲になるよう数秒加熱が行なわれる。特
に180℃以上250℃以下の範囲になるよう数秒の加
熱が好ましい。基板温度に応じて数分から数秒の加熱が
適用される。上記の範囲より高温では、カラーフィルタ
ー表面でのクラック発生などの不都合が生じる。(3) A transparent conductive film is deposited on the back surface of the color filter to form, for example, an ITO film. Evaporation
Using a commercially available device, a method such as a single-wafer device is applied. Heating is performed for several minutes to several seconds so that the substrate temperature is in a range of 20 ° C. or more and 300 ° C. or less, and a range in which conductivity is not impaired is preferable. Substrate temperature is preferably 150 ° C. or higher 2
Heating is performed for several seconds so as to be in the range of 80 ° C. or less. In particular, heating for several seconds is preferable so as to be in the range of 180 ° C. to 250 ° C. Heating for several minutes to several seconds is applied depending on the substrate temperature. If the temperature is higher than the above range, inconveniences such as generation of cracks on the color filter surface occur.
【0037】[0037]
【実施例】次に、実施例によって本発明をさらに詳細説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0038】また、各物性値の測定は下記の通り行っ
た。The measurement of each physical property value was performed as follows.
【0039】(1)膜厚測定 株式会社小坂研究所(製)表面粗さ測定機“Surfc
ordar”SE−3300を用いて、透明導電膜の有
無による段差測定にて、膜厚を求めた。(1) Film thickness measurement Kosaka Laboratory Co., Ltd. (manufactured by) Co., Ltd. "Surfc"
Using order “SE-3300”, the film thickness was determined by measuring the level difference depending on the presence or absence of the transparent conductive film.
【0040】(2)比抵抗 三菱油化株式会社(製)表面抵抗測定機“Lorest
a”または”Hiresta”を用いて、4探針法によ
って表面抵抗値(シート抵抗)を測定し、膜厚を乗じて
比抵抗値を求めた。(2) Specific resistance Mitsubishi Yuka Co., Ltd. (manufactured by Mitsubishi Electric Corporation) "Lorest"
Using "a" or "Hiresta", the surface resistance (sheet resistance) was measured by a four-point probe method, and the specific resistance was determined by multiplying the film thickness.
【0041】(3)透過率測定 大塚電子株式会社(製)顕微分光測定機“MCPD−2
000”C光源を用いて測定を行った。JIS Z87
01−1982に定めるXYZ表色系における三刺激値
のY値は、視感透過率を表す。透明基板裏面側の透明導
電膜の透過率は透明基板上に透明導電膜みを形成した試
料を用いて測定する。透明基板をリファレンスとして算
出した透明導電膜だけのY値を透過率とした。(3) Measurement of Transmittance Microspectrophotometer “MCPD-2” manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.
The measurement was performed using a 000 "C light source. JIS Z87
The Y value of the tristimulus value in the XYZ color system defined in 01-1982 represents the luminous transmittance. The transmittance of the transparent conductive film on the back side of the transparent substrate is measured using a sample in which the transparent conductive film is formed on the transparent substrate. The Y value of only the transparent conductive film calculated using the transparent substrate as a reference was defined as the transmittance.
【0042】(4)電位測定 春日電機株式会社(製)デジタル低電位測定機“KSD
−0101”を用いてサンプルからの検出距離10mm
での帯電電位を求めた。(4) Potential measurement Kasuga Denki Co., Ltd. digital low-potential measuring instrument "KSD"
Detecting distance from sample using 01001 "10mm
Was obtained.
【0043】(5)搬送性 大日本スクリーン製造株式会社(製)赤外線ヒーター付
き基板洗浄機を用いて、水洗、水きり後、赤外線乾燥、
2段の冷却板での冷却後の基板搬送性を評価した。(5) Transportability Using a substrate washer equipped with an infrared heater, manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd., water washing, draining, infrared drying,
The substrate transportability after cooling with the two-stage cooling plate was evaluated.
【0044】参考例1 透明なポリイミド先駆体溶液(東レ(株)製セミコファ
インSP−910)にカーボンブラックを分散混合した
ペーストを用意。本分散混合ペーストを透明基板上に、
キュア後の膜厚が1.0μmとなるようにスピナーで塗
布後、120℃で20分間セミキュアし、冷却後、ポジ
型フォトレジスト(東京応化(製)OFPR−800)
を乾燥後の膜厚が1.0μmとなるようにスピナーで塗
布後、90℃で10分間セミキュアした。キャノン
(株)製紫外線露光機PLA−501Fを用いて、格子
状パターンのクロム製のフォトマスクを介して150m
J/cm2(365nmの紫外線強度)露光した。露光
後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの
2.38%の水溶液からなる現像液に浸漬し、フォトレ
ジストの現像、ポリイミド前駆体塗膜のエッチングを同
時に行った。エッチング後、不要となったフォトレジス
ト層を、アセトンにて剥離した。このようにして開口部
を形成した後、エッチングされたポリイミド前駆体塗膜
を260℃で30分間キュアして、ポリイミドに転換
し、樹脂ブラックマトリックス(遮光)層を形成した。Reference Example 1 A paste prepared by dispersing and mixing carbon black in a transparent polyimide precursor solution (Semico Fine SP-910, manufactured by Toray Industries, Inc.) was prepared. Put this dispersion mixed paste on a transparent substrate,
After coating with a spinner so that the film thickness after curing becomes 1.0 μm, semi-curing is performed at 120 ° C. for 20 minutes, and after cooling, a positive photoresist (Tokyo Ohka (PRF-800) OFPR-800)
Was applied with a spinner so that the film thickness after drying was 1.0 μm, and was semi-cured at 90 ° C. for 10 minutes. Using an ultraviolet exposure machine PLA-501F manufactured by Canon Inc., 150 m through a chromium photomask having a lattice pattern.
J / cm 2 (ultraviolet light intensity of 365 nm) was exposed. After the exposure, the film was immersed in a developing solution consisting of a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide to simultaneously develop the photoresist and etch the polyimide precursor coating. After the etching, the unnecessary photoresist layer was removed with acetone. After the opening was formed in this manner, the etched polyimide precursor coating film was cured at 260 ° C. for 30 minutes to be converted to polyimide, thereby forming a resin black matrix (light shielding) layer.
【0045】参考例2 スパッタリング法にて透明基板上に形成したクロム薄膜
(膜厚110nm)を通常のフォトリソグラフィー法を
用いて、クロムブラックマトリックス層を形成した。パ
ターン形成は、フォトレジストの塗布、乾燥、紫外線露
光機を用いて露光、アルカリ現像液に浸漬した後、クロ
ムの酸エッチング、不要となったフォトレジストをアセ
トンにて剥離、表面乾燥という工程を経て、クロムブラ
ックマトリックス層を形成した。Reference Example 2 A chromium black matrix layer was formed from a chromium thin film (thickness: 110 nm) formed on a transparent substrate by a sputtering method using a usual photolithography method. Pattern formation is performed through the steps of photoresist coating, drying, exposure using an ultraviolet exposure machine, immersion in an alkali developer, chromic acid etching, unnecessary photoresist stripped with acetone, and surface drying And a chromium black matrix layer.
【0046】参考例3 透明なポリイミド先駆体溶液(東レ(株)製セミコファ
インSP−910)に赤、緑、青、のそれぞれの顔料を
ホモジナイザーにて分散混合し、更に溶媒にて希釈し
て、R、G、Bペーストをそれぞれ調製した。Reference Example 3 Red, green, and blue pigments were dispersed and mixed in a transparent polyimide precursor solution (Semico Fine SP-910, manufactured by Toray Industries, Inc.) using a homogenizer, and further diluted with a solvent. , R, G, and B pastes were respectively prepared.
【0047】参考例4 参考例1で得た樹脂ブラックマトリックス(遮光)層
に、参考例3の赤顔料のペーストを全面塗布、セミキュ
ア後、フォトリソグラフィー法(参考例1と同様)によ
って、ストライプ状にパターン形成し、ブラックマトリ
ックス開口部の1/3を埋めるように形成した後、キュ
アして、赤画素を完成した。次に、ブラックマトリック
スと赤画素を有する透明基板上に、赤画素を形成するの
と同様にして、参考例3の緑顔料のペーストを全面塗
布、セミキュア後、フォトリソグラフィー法によってブ
ラックマトリックス開口部の他の1/3に対して、スト
ライプ状に緑画素を形成した後、キュアして、緑画素を
完成した。さらに、同様にしてブラックマトリックスと
赤画素と緑画素を有する透明基板上に、青顔料のペース
トを全面塗布、セミキュア後、フォトリソグラフィー法
によって、ブラックマトリックス開口部の他の1/3に
対して、ストライプ状に青画素を形成した後、キュアし
て、青画素を完成した。このようにして、樹脂ブラック
マトリックスとR、G、Bストライプを有する透明基板
を得た。REFERENCE EXAMPLE 4 The red pigment paste of Reference Example 3 was applied to the entire surface of the resin black matrix (light-shielding) layer obtained in Reference Example 1, semi-cured, and then striped by photolithography (same as Reference Example 1). After forming a pattern so as to fill one third of the black matrix opening, curing was performed to complete a red pixel. Next, on the transparent substrate having the black matrix and the red pixels, the green pigment paste of Reference Example 3 was applied over the entire surface in the same manner as the formation of the red pixels, and after semi-curing, the black matrix openings were formed by photolithography. Green pixels were formed in stripes for the other 1/3 and then cured to complete green pixels. Further, similarly, on a transparent substrate having a black matrix, a red pixel and a green pixel, a paste of a blue pigment is applied over the entire surface, and after semi-curing, the other one-third of the opening of the black matrix is removed by photolithography. After forming blue pixels in a stripe shape, curing was performed to complete the blue pixels. Thus, a transparent substrate having a resin black matrix and R, G, and B stripes was obtained.
【0048】参考例5 参考例2で得たクロムブラックマトリックスを用いた他
は、参考例4と全く同様にして、クロムブラックマトリ
ックスとR、G、Bストライプを有する透明基板を得
た。Reference Example 5 A transparent substrate having a chromium black matrix and R, G, and B stripes was obtained in exactly the same manner as in Reference Example 4, except that the chromium black matrix obtained in Reference Example 2 was used.
【0049】参考例6 参考例1で得た、樹脂ブラックマトリックスを表面側と
し、裏面側の透明基板上に、スパッタリング法(スパッ
タ装置は、株式会社シンクロン製・マグネトロン型BS
C−7033)にてITO層を形成した。スパッタ装置
内でのITO層形成前の真空排気時間は30分、ITO
の層形成中の基板温度は200℃とした。DC電源を使
用し、磁場は400ガウス、酸素分圧は1%、出力は
1.4kwで、ITO膜を形成した。その後、参考例4
と同様に、表面側にフォトリソグラフィー法によって、
R、G、Bストライプ状に画素を形成させ、透明基板サ
ンプルを得た。Reference Example 6 The resin black matrix obtained in Reference Example 1 was used as a front side, and a sputtering method (a sputtering apparatus manufactured by SYNCHRON Co., Ltd., magnetron type BS) was used on a transparent substrate on the back side.
C-7033) to form an ITO layer. The evacuation time before forming the ITO layer in the sputtering apparatus is 30 minutes,
The substrate temperature during the formation of the layer was 200 ° C. Using a DC power supply, the magnetic field was 400 gauss, the oxygen partial pressure was 1%, the output was 1.4 kw, and an ITO film was formed. Then, Reference Example 4
Similarly to the above, the surface side by photolithography method,
Pixels were formed in the form of R, G, and B stripes to obtain a transparent substrate sample.
【0050】参考例7 参考例2で得た、クロムブラックマトリックスを表面側
とした他は、参考例6と全く同様にして、R、G、Bス
トライプ状に画素を形成させ透明基板サンプルを得た。Reference Example 7 Transparent substrate samples were obtained by forming pixels in the form of R, G, and B stripes in exactly the same manner as in Reference Example 6, except that the chromium black matrix obtained in Reference Example 2 was used as the surface side. Was.
【0051】参考例8 シラン加水分解物の参考例を示す。γ−グリシドキシプ
ロピルメトキシシラン23.6gを10℃に冷却し、撹
拌しながら0.01N規定塩酸水溶液5.4gを徐々に
滴下し、滴下後、室温にてさらに1時間撹拌を続けてシ
ラン加水分解物を得た。Reference Example 8 A reference example of a silane hydrolyzate is shown. 23.6 g of γ-glycidoxypropylmethoxysilane was cooled to 10 ° C., and 5.4 g of a 0.01N aqueous hydrochloric acid solution was gradually added dropwise with stirring. After the addition, stirring was continued at room temperature for another 1 hour. A hydrolyzate was obtained.
【0052】参考例9 導電ペーストコーティング液の参考例を示す。参考例8
で得たシラン加水分解物にエチルアルコ−ル7.5g、
フェネチルアルコ−ル42.5g、シリコ−ン系界面活
性剤0.05gを添加混合し、アルミニウムアセチルア
セトナ−ト0.5gを添加し、充分に撹拌した後、さら
に導電微粒子として、平均粒子径0.05μmの酸化イ
ンジウム/酸化スズ系混合無機酸化物を20.5g添加
し、充分に分散して導電ペーストコーティング液を得
た。Reference Example 9 A reference example of the conductive paste coating liquid is shown. Reference Example 8
7.5 g of ethyl alcohol was added to the silane hydrolyzate obtained in
42.5 g of phenethyl alcohol and 0.05 g of a silicone surfactant were added and mixed, 0.5 g of aluminum acetylacetonate was added, and the mixture was sufficiently stirred. 20.5 g of an indium oxide / tin oxide mixed inorganic oxide of 0.05 μm was added and sufficiently dispersed to obtain a conductive paste coating liquid.
【0053】参考例10 参考例5で得たクロムブラックマトリックスとR、G、
Bストライプを有する透明基板の表面側に市販のアクリ
ル系保護膜材料をスピナーで塗布し、100℃で10分
間、さらに250℃で60分間キュアを実施して、厚さ
1.0μmの保護膜を形成させた。Reference Example 10 The chromium black matrix obtained in Reference Example 5 and R, G,
A commercially available acrylic protective film material is applied to the surface side of a transparent substrate having a B stripe by a spinner, and cured at 100 ° C. for 10 minutes and further at 250 ° C. for 60 minutes to form a protective film having a thickness of 1.0 μm. Formed.
【0054】実施例1 参考例4で得た樹脂ブラックマトリックスと赤画素と緑
画素と青画素とを有するカラーフィルター側を表面と
し、透明基板の裏面上に、スピンコ−ト法にて参考例9
で得た導電ペーストコーティング液を塗布。回転数は最
初400回転/分で2秒間、次に1000回転/分で8
秒間とした。この後、80℃で10分間、さらに120
℃で4時間加熱キュアした。本実施例において得られた
カラーフィルター基板は、透明導電膜の厚みが260n
mであった。緑画素の透過率は53.5%と良好であっ
た。該透明導電膜の比抵抗は1.95kΩ・cmであっ
た。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の電位は
−0.03KVであり、搬送性は良好であった。同様に
して素ガラス上に該透明導電膜を形成し透明導電膜のみ
の透過率を測定したところ、96.1%であった。Example 1 The color filter side having the resin black matrix, red pixels, green pixels and blue pixels obtained in Reference Example 4 was used as the front side, and the back side of the transparent substrate was used as a reference in the ninth embodiment by the spin coating method.
Apply the conductive paste coating liquid obtained in Step 2. The rotation speed is 400 s / min for 2 seconds, then 1000 s / min for 8 seconds.
Seconds. After that, at 80 ° C. for 10 minutes,
The mixture was heated and cured at 4 ° C. for 4 hours. In the color filter substrate obtained in this example, the thickness of the transparent conductive film was 260 n.
m. The transmittance of the green pixel was as good as 53.5%. The specific resistance of the transparent conductive film was 1.95 kΩ · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer was -0.03 KV, and the transportability was good. Similarly, the transparent conductive film was formed on the base glass, and the transmittance of only the transparent conductive film was measured. As a result, it was 96.1%.
【0055】実施例2 実施例1と同様にしてカラーフィルター側を表面とし、
透明基板の裏面上に、スピンコート法にて導電ペースト
コーティング液を塗布後、回転数を変更してサンプルを
得た。回転数は最初400回転/分で2秒間、次に80
0回転/分で8秒間とした。この後、実施例1と同様に
加熱キュアした。透明導電膜の厚みは410nmで、緑
画素の透過率は52.9%と実施例1に比べ不良であっ
た。該透明導電膜の比抵抗は1.80kΩ・cmであっ
た。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の電位は
−0.03KVで、搬送性は良好であった。同様にして
素ガラス上に該透明導電膜を形成し透明導電膜のみの透
過率を測定したところ、95.0%であった。Example 2 In the same manner as in Example 1, the color filter side was used as the surface.
After applying a conductive paste coating liquid on the back surface of the transparent substrate by a spin coating method, a sample was obtained by changing the rotation speed. The rotation speed is 400 rpm / min for 2 seconds, then 80 rpm.
It was 8 revolutions at 0 revolutions / minute. Thereafter, heating and curing were performed in the same manner as in Example 1. The thickness of the transparent conductive film was 410 nm, and the transmittance of the green pixel was 52.9%, which was poorer than Example 1. The specific resistance of the transparent conductive film was 1.80 kΩ · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer was -0.03 KV, and the transportability was good. Similarly, the transparent conductive film was formed on the base glass, and the transmittance of only the transparent conductive film was measured. As a result, it was 95.0%.
【0056】実施例3 実施例1と同様にしてカラーフィルター側を表面とし、
透明基板の裏面上に、スピンコート法にて導電ペースト
コーティング液を塗布後、回転数を変更してサンプルを
得た。回転数は最初400回転/分で2秒間、次に60
0回転/分で8秒間とした。この後、実施例1と同様に
加熱キュアした。透明導電膜の厚みは570nmで、緑
画素の透過率は52.2%と実施例1に比べ不良であっ
た。該透明導電膜の比抵抗は1.48kΩ・cmであっ
た。、基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の電位
は−0.03KVで、搬送性は良好であった。同様にし
て素ガラス上に該透明導電膜を形成し透明導電膜のみの
透過率を測定したところ、93.8%であった。Example 3 In the same manner as in Example 1, the color filter side was used as the surface.
After applying a conductive paste coating liquid on the back surface of the transparent substrate by a spin coating method, a sample was obtained by changing the rotation speed. The rotation speed is 400 rpm / min for 2 seconds, then 60 rpm.
It was 8 revolutions at 0 revolutions / minute. Thereafter, heating and curing were performed in the same manner as in Example 1. The thickness of the transparent conductive film was 570 nm, and the transmittance of the green pixel was 52.2%, which was poorer than Example 1. The specific resistance of the transparent conductive film was 1.48 kΩ · cm. After passing through the substrate washer, the potential of the color filter substrate was -0.03 KV, and the transportability was good. Similarly, when the transparent conductive film was formed on the base glass and the transmittance of only the transparent conductive film was measured, it was 93.8%.
【0057】実施例4 参考例4で得た樹脂ブラックマトリックスと赤画素と緑
画素と青画素とを有するカラーフィルター側を表面と
し、透明基板の裏面上に酸化錫微粒子を分散させた導電
性塗料(触媒化成工業(株)製”ELCOM”P304
7)をスピンコート法にて塗布し、110℃ で5分間
乾燥し、厚さ1μmの透明導電膜を得た。緑画素の透過
率は52.3%と実施例1に比べて小さく不良であっ
た。該透明導電膜の比抵抗値は104Ω・cmと大きか
った。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の電位
は−0.1kVで、静電気のため温度制御冷却板上でか
らリフトピンにてガラス基板を剥離しにくく位置ずれが
おきることがあり、搬送性は不良であった。同様にして
素ガラスに上に該透明導電膜を形成し透明導電膜のみの
透過率を測定したところ、透過率は94%であった。Example 4 A conductive paint having the color filter side having the resin black matrix, red pixels, green pixels, and blue pixels obtained in Reference Example 4 as the front surface and tin oxide fine particles dispersed on the back surface of the transparent substrate. ("ELCOM" P304 manufactured by Catalyst Chemical Industry Co., Ltd.)
7) was applied by a spin coating method, and dried at 110 ° C. for 5 minutes to obtain a transparent conductive film having a thickness of 1 μm. The transmittance of the green pixel was 52.3%, which was smaller than that of Example 1 and was defective. The specific resistance value of the transparent conductive film was as large as 10 4 Ω · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer is -0.1 kV, and it is difficult to peel off the glass substrate with the lift pins from the temperature control cooling plate due to static electricity, and the position may be displaced. there were. Similarly, the transparent conductive film was formed on the base glass, and the transmittance of the transparent conductive film alone was measured. As a result, the transmittance was 94%.
【0058】実施例5 透明導電膜の厚さを3μmとしたこと以外は実施例4と
同様にして透明導電膜が裏面に形成されたカラーフィル
ターを得た。該カラーフィルターの緑画素の透過率は4
8%で実施例1に比べて小さく不良であった。該透明導
電膜の比抵抗値は104Ω・cmと大きかった。基板洗
浄機通過後のカラーフィルター基板の電位は−0.04
kVで、搬送性は良好でった。同様にして素ガラスに上
に該透明導電膜を形成し透明導電膜のみの透過率を測定
したところ、透過率は86%であった。Example 5 A color filter having a transparent conductive film formed on the back surface was obtained in the same manner as in Example 4 except that the thickness of the transparent conductive film was changed to 3 μm. The transmittance of the green pixel of the color filter is 4
At 8%, it was smaller than that of Example 1 and was defective. The specific resistance value of the transparent conductive film was as large as 10 4 Ω · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer is -0.04
At kV, the transportability was good. Similarly, the transparent conductive film was formed on the base glass, and the transmittance of the transparent conductive film alone was measured. As a result, the transmittance was 86%.
【0059】実施例6 参考例4で得た樹脂ブラックマトリックス、赤画素、緑
画素、青画素を有するカラーフィルターにおいて、画素
を形成した側を表面として、透明基板の裏面上に、スパ
ッタリング法にてITO膜を形成したサンプルを得た。
スパッタリング時の基板温度は200℃ とした。IT
O膜厚みは、10nmで、緑画素の透過率は55.5%
であった。該ITO膜の比抵抗値は6×10-2Ω・cm
であった。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の
電位は−0.03KVで、搬送性は良好であった。同様
にして素ガラス上に該ITO膜を形成しITO膜のみの
透過率を測定したところ、99.7%であった。Example 6 In the color filter having the resin black matrix, the red pixel, the green pixel, and the blue pixel obtained in Reference Example 4, on the back surface of the transparent substrate, with the side on which the pixels were formed as the front surface, by sputtering. A sample on which an ITO film was formed was obtained.
The substrate temperature during sputtering was 200 ° C. IT
The thickness of the O film is 10 nm, and the transmittance of the green pixel is 55.5%.
Met. The specific resistance of the ITO film is 6 × 10 −2 Ω · cm.
Met. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer was -0.03 KV, and the transportability was good. Similarly, the ITO film was formed on the base glass, and the transmittance of only the ITO film was measured. As a result, it was 99.7%.
【0060】実施例7 実施例6と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてITO膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ITO膜の厚みは、15nmとした。
緑画素の透過率は55.5%であった。該ITO膜の比
抵抗値は3.15×10-2Ω・cmであった。基板洗浄
機通過後のカラーフィルター基板の電位は−0.03K
Vで、搬送性は良好であった。同様にして素ガラス上に
該ITO膜を形成しITO膜のみの透過率を測定したと
ころ、99.6%であった。Example 7 In the same manner as in Example 6, in a color filter having a resin black matrix, red pixels, green pixels, and blue pixels, a sputtering method was performed on the back surface of a transparent substrate with the pixel formation side as the front surface. A sample on which an ITO film was formed was obtained. However, the thickness of the ITO film was 15 nm.
The transmittance of the green pixel was 55.5%. The specific resistance of the ITO film was 3.15 × 10 −2 Ω · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer is -0.03K
At V, the transportability was good. Similarly, the ITO film was formed on the base glass, and the transmittance of the ITO film alone was measured. As a result, it was 99.6%.
【0061】実施例8 実施例6と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてITO膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ITO膜の厚みは、21nmとした。
緑画素の透過率は55.4%であった。該ITO膜の比
抵抗値は8.61×10-3Ω・cmであった。基板洗浄
機通過後のカラーフィルター基板の電位は−0.03K
Vで、搬送性は良好であった。同様にして素ガラス上に
該ITO膜を形成しITO膜のみの透過率を測定したと
ころ、99.5%であった。Example 8 In the same manner as in Example 6, in a color filter having a resin black matrix, a red pixel, a green pixel, and a blue pixel, a sputtering method was performed on the back surface of the transparent substrate with the pixel forming side as the front surface. A sample on which an ITO film was formed was obtained. However, the thickness of the ITO film was 21 nm.
The transmittance of the green pixel was 55.4%. The specific resistance of the ITO film was 8.61 × 10 −3 Ω · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer is -0.03K
At V, the transportability was good. Similarly, the ITO film was formed on the base glass, and the transmittance of only the ITO film was measured. As a result, it was 99.5%.
【0062】実施例9 実施例6と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてITO膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ITO膜の厚みは、30nmとした。
緑画素の透過率は54.0%であった。該ITO膜の比
抵抗値は4×10-3Ω・cmであった。基板洗浄機通過
後のカラーフィルター基板の電位は−0.03KVで、
搬送性は良好であった。同様にして素ガラス上に該IT
O膜を形成しITO膜のみの透過率を測定したところ、
99.1%であった。Example 9 In the same manner as in Example 6, in a color filter having a resin black matrix, red pixels, green pixels, and blue pixels, a sputtering method was performed on the back surface of a transparent substrate with the pixel formation side as the front surface. A sample on which an ITO film was formed was obtained. However, the thickness of the ITO film was 30 nm.
The transmittance of the green pixel was 54.0%. The specific resistance of the ITO film was 4 × 10 −3 Ω · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer is -0.03 KV,
The transportability was good. In the same manner, the IT
When the O film was formed and the transmittance of only the ITO film was measured,
99.1%.
【0063】実施例10 実施例6と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてITO膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ITO膜の厚みは、48nmとした。
緑画素の透過率は57.0%であった。該ITO膜の比
抵抗値は9.1×10-4Ω・cmであった。基板洗浄機
通過後のカラーフィルター基板の電位は−0.03KV
であり、搬送性は、良好であった。同様にして素ガラス
上に該ITO膜を形成しITO膜のみの透過率を測定し
たところ、98.3%であった。Example 10 In the same manner as in Example 6, in a color filter having a resin black matrix, red pixels, green pixels, and blue pixels, a sputtering method was performed on the back side of a transparent substrate with the side on which the pixels were formed facing. A sample on which an ITO film was formed was obtained. However, the thickness of the ITO film was 48 nm.
The transmittance of the green pixel was 57.0%. The specific resistance of the ITO film was 9.1 × 10 −4 Ω · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer is -0.03 KV
And the transportability was good. Similarly, the ITO film was formed on the base glass, and the transmittance of only the ITO film was measured. As a result, it was 98.3%.
【0064】実施例11 実施例6と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてITO膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ITO膜の厚みは、82nmとした。
緑画素の透過率は54.3%であった。該ITO膜の比
抵抗値は5.4×10-4Ω・cmであった。基板洗浄機
通過後のカラーフィルター基板の電位は−0.03KV
であり、搬送性は、良好であった。同様にして素ガラス
上に該ITO膜を形成しITO膜のみの透過率を測定し
たところ、97.4%であった。Embodiment 11 In the same manner as in Embodiment 6, in a color filter having a resin black matrix, red pixels, green pixels, and blue pixels, a sputtering method A sample on which an ITO film was formed was obtained. However, the thickness of the ITO film was 82 nm.
The transmittance of the green pixel was 54.3%. The specific resistance of the ITO film was 5.4 × 10 −4 Ω · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer is -0.03 KV
And the transportability was good. Similarly, the ITO film was formed on the base glass, and the transmittance of the ITO film alone was measured. As a result, it was 97.4%.
【0065】実施例12 実施例6と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてITO膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ITO膜の厚みは、100nmとし
た。緑画素の透過率は54.0%であった。該ITO膜
の比抵抗値は3.6×10-4Ω・cmであった。基板洗
浄機通過後のカラーフィルター基板の電位は−0.03
KVであり、搬送性は良好であった。同様にして素ガラ
ス上に該ITO膜を形成しITO膜のみの透過率を測定
したところ、97.0%であった。Example 12 In the same manner as in Example 6, in a color filter having a resin black matrix, red pixels, green pixels, and blue pixels, a sputtering method was performed on the back surface of a transparent substrate with the side on which the pixels were formed facing. A sample on which an ITO film was formed was obtained. However, the thickness of the ITO film was 100 nm. The transmittance of the green pixel was 54.0%. The specific resistance of the ITO film was 3.6 × 10 −4 Ω · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer is -0.03.
KV and transportability was good. Similarly, the ITO film was formed on the base glass, and the transmittance of the ITO film alone was measured. As a result, it was 97.0%.
【0066】実施例13 実施例6と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてITO膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ITO膜の厚みは、145nmとし
た。緑画素の透過率は53.8%であった。比抵抗値は
2.18×10-4Ω・cmであった。基板洗浄機通過後
のカラーフィルター基板の電位は−0.03KVであ
り、搬送性は、良好であった。同様にして素ガラス上に
該ITO膜を形成しITO膜のみの透過率を測定したと
ころ、96.5%であった。Example 13 In the same manner as in Example 6, in a color filter having a resin black matrix, red pixels, green pixels, and blue pixels, a sputtering method was performed on the back surface of the transparent substrate with the side on which the pixels were formed facing. A sample on which an ITO film was formed was obtained. However, the thickness of the ITO film was 145 nm. The transmittance of the green pixel was 53.8%. The specific resistance was 2.18 × 10 −4 Ω · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer was -0.03 KV, and the transportability was good. Similarly, the ITO film was formed on the base glass, and the transmittance of only the ITO film was measured. As a result, it was 96.5%.
【0067】実施例14 実施例6と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてITO膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ITO膜の厚みは、180nmとし
た。緑画素の透過率は53.5%であった。該ITO膜
の比抵抗値は2.16×10-4Ω・cmであった。基板
洗浄機通過後のカラーフィルター基板の電位は−0.0
3KVであり、搬送性は良好であった。同様にして素ガ
ラス上に該ITO膜を形成しITO膜のみの透過率を測
定したところ、96.0%であった。Example 14 In the same manner as in Example 6, in a color filter having a resin black matrix, red pixels, green pixels, and blue pixels, a sputtering method was performed on the back side of a transparent substrate with the side on which the pixels were formed facing. A sample on which an ITO film was formed was obtained. However, the thickness of the ITO film was 180 nm. The transmittance of the green pixel was 53.5%. The specific resistance of the ITO film was 2.16 × 10 −4 Ω · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer is -0.0
It was 3 KV and the transportability was good. Similarly, the ITO film was formed on the base glass, and the transmittance of only the ITO film was measured. As a result, it was 96.0%.
【0068】実施例15 参考例6で得た樹脂ブラックマトリックス形成後で、赤
画素、緑画素、青画素形成前に透明基板裏面にITO膜
を形成したカラーフィルターサンプルの裏面のITO膜
の厚みは、12nmで、緑画素の透過率は55.5%で
あった。該ITO膜の比抵抗値は5.64×10-2Ω・
cmであった。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基
板の電位は−0.03KVであり、搬送性は良好であっ
た。同様にして素ガラス上に該ITO膜を形成しITO
膜のみの透過率を測定したところ、99.7%であっ
た。Example 15 After forming the resin black matrix obtained in Reference Example 6, but before forming the red, green and blue pixels, the thickness of the ITO film on the back surface of the color filter sample having the ITO film formed on the back surface of the transparent substrate was as follows. , 12 nm, and the transmittance of the green pixel was 55.5%. The specific resistance value of the ITO film is 5.64 × 10 −2 Ω ·
cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer was -0.03 KV, and the transportability was good. In the same manner, the ITO film is formed
The transmittance of the film alone was measured and found to be 99.7%.
【0069】実施例16 参考例7で得たクロムブラックマトリックス形成後で、
赤画素、緑画素、青画素形成前に透明基板裏面にITO
膜を形成したカラーフィルターサンプルのITO膜の厚
みは、12nmで、緑画素の透過率は55.5%であっ
た。該ITO膜の比抵抗値は5.40×10-2Ω・cm
であった。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の
電位は−0.03KVであり、搬送性は良好であった。
同様にして素ガラス上に該ITO膜を形成しITO膜の
みの透過率を測定したところ、99.7%であった。Example 16 After forming the chromium black matrix obtained in Reference Example 7,
Before the formation of red, green and blue pixels, ITO was formed on the back of the transparent substrate.
The thickness of the ITO film of the color filter sample on which the film was formed was 12 nm, and the transmittance of the green pixel was 55.5%. The specific resistance value of the ITO film is 5.40 × 10 -2 Ω · cm.
Met. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer was -0.03 KV, and the transportability was good.
Similarly, the ITO film was formed on the base glass, and the transmittance of only the ITO film was measured. As a result, it was 99.7%.
【0070】実施例17 参考例10で得たクロムブラックマトリックス、赤画
素、緑画素、青画素を形成し、さらにアクリル系保護膜
を積層したサンプルの裏面側にスパッタリング法にてI
TO膜を形成した。ITO膜の厚みは、13nmで緑画
素の透過率は55.5%であった。該ITO膜の比抵抗
値は4.30×10-2Ω・cmであった。基板洗浄機通
過後のカラーフィルター基板の電位は−0.03KVで
あり、搬送性テストは、良好であった。同様にして素ガ
ラス上に該ITO膜を形成しITO膜のみの透過率を測
定したところ、99.6%であった。Example 17 The chromium black matrix, the red pixel, the green pixel, and the blue pixel obtained in Reference Example 10 were formed, and an acrylic protective film was laminated thereon.
A TO film was formed. The thickness of the ITO film was 13 nm, and the transmittance of the green pixel was 55.5%. The specific resistance of the ITO film was 4.30 × 10 −2 Ω · cm. The potential of the color filter substrate after passing through the substrate washer was -0.03 KV, and the transportability test was good. Similarly, the ITO film was formed on the base glass, and the transmittance of the ITO film alone was measured. As a result, it was 99.6%.
【0071】比較例1 参考例4で得たカラーフィルター(樹脂ブラックマトリ
ックスと赤画素と緑画素と青画素とを有し、透明基板の
裏面上に透明導電膜のない)を比較サンプルとしてテス
トした。基板洗浄機通過後のサンプルの電位は、−0.
06KVと実施例に比べてやや大きかった。緑画素の透
過率は55.7%であった。搬送性テストは、静電気の
ため冷却板からリフトピンにてガラス基板を剥離しにく
く、大きくガラスが撓むなど、搬送性は不良であった。Comparative Example 1 The color filter (having a resin black matrix, red pixels, green pixels, and blue pixels and having no transparent conductive film on the back surface of a transparent substrate) obtained in Reference Example 4 was tested as a comparative sample. . The potential of the sample after passing through the substrate washer was −0.0.
06 KV, which was slightly larger than that of the example. The transmittance of the green pixel was 55.7%. In the transportability test, the transportability was poor such that the glass substrate was hardly peeled off from the cooling plate by the lift pins due to static electricity, and the glass was largely bent.
【0072】比較例2 素ガラスを比較サンプルとしてテストした。基板洗浄機
通過後のサンプルの電位は、−2.1kVと大きかっ
た。搬送性テストは、静電気のため冷却板からリフトピ
ンにてガラス基板を剥離しにくく、大きくガラスが撓む
など、搬送性は不良であった。Comparative Example 2 A raw glass was tested as a comparative sample. The potential of the sample after passing through the substrate washer was as large as -2.1 kV. In the transportability test, the transportability was poor such that the glass substrate was hardly peeled off from the cooling plate by the lift pins due to static electricity, and the glass was largely bent.
【0073】[0073]
【発明の効果】透明基板の色層を設けた側を表面として
透明基板の裏面に透明導電膜を設けることによって、帯
電防止効果を有することを特徴とするカラーフィルター
は、搬送性が良好で、しかも透明性が良好であり、かつ
静電気を原因とするプラスチックビーズ(スペーサー)
の偏在による表示ムラ欠陥のないカラーフィルターを得
ることができる。また、横電界駆動方式の液晶表示装置
において、外部からの電界の侵入を抑制することができ
表示品質を改善できる。The color filter having an antistatic effect by providing a transparent conductive film on the back surface of the transparent substrate with the side on which the color layer of the transparent substrate is provided as a front surface has good transportability, In addition, plastic beads (spacers) with good transparency and static electricity
A color filter free from display unevenness defects due to uneven distribution of. Further, in the liquid crystal display device of the lateral electric field driving method, the invasion of an electric field from the outside can be suppressed, and the display quality can be improved.
【図1】本発明の実施例を示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
1・・・ 透明基板 2・・・ 透明導電膜裏面側 3・・・ 透明導電膜表面側 4・・・ 画素 5・・・ ブラックマトリックス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Transparent substrate 2 ... Back side of transparent conductive film 3 ... Front side of transparent conductive film 4 ... Pixel 5 ... Black matrix
Claims (10)
を有するカラーフィルターにおいて、透明基板裏面側に
透明導電膜を有することを特徴とするカラーフィルタ
ー。1. A color filter having pixels of at least three colors on the front side of a transparent substrate, comprising a transparent conductive film on the back side of the transparent substrate.
2kΩ・cm以下であることを特徴とする請求項1に記
載のカラーフィルター。2. The color filter according to claim 1, wherein the specific resistance of the transparent conductive film on the back side of the transparent substrate is 2 kΩ · cm or less.
6%以上であることを特徴とする請求項1に記載のカラ
ーフィルター。3. The transparent conductive film on the back side of the transparent substrate has a transmittance of 9
The color filter according to claim 1, wherein the content is 6% or more.
nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項
1に記載のカラーフィルター。4. The transparent conductive film on the back side of the transparent substrate has a thickness of 10
The color filter according to claim 1, wherein the thickness of the color filter is not less than 100 nm and not more than 100 nm.
ることを特徴とする請求項1に記載のカラーフィルタ
ー。5. The color filter according to claim 1, wherein an overcoat is provided on the surface side of the transparent substrate.
リックスが樹脂ブラックマトリックスであることを特徴
とする請求項1に記載のカラーフィルター。6. The color filter according to claim 1, wherein the black matrix constituting the color filter is a resin black matrix.
表面側に樹脂ブラックマトリックスと画素を設けること
を特徴とするカラーフィルターの製造方法。7. After providing a transparent conductive film on the back side of the transparent substrate,
A method for producing a color filter, comprising providing a resin black matrix and pixels on the front side.
クスを形成した後、裏面側に透明導電膜を設け、さらに
表面側に画素を設けることを特徴とするカラーフィルタ
ーの製造方法。8. A method for manufacturing a color filter, comprising: forming a metal black matrix on the front side of a transparent substrate, providing a transparent conductive film on the back side, and further providing pixels on the front side.
用いたことを特徴とする液晶表示装置。9. A liquid crystal display device using the color filter according to claim 1.
とを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。10. The liquid crystal display device according to claim 9, wherein the liquid crystal display device is of a lateral electric field driving type.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2983298A JPH10293207A (en) | 1997-02-24 | 1998-02-12 | Color filter and method of manufacturing color filter |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3929997 | 1997-02-24 | ||
| JP9-39299 | 1997-02-24 | ||
| JP2983298A JPH10293207A (en) | 1997-02-24 | 1998-02-12 | Color filter and method of manufacturing color filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10293207A true JPH10293207A (en) | 1998-11-04 |
Family
ID=26368083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2983298A Pending JPH10293207A (en) | 1997-02-24 | 1998-02-12 | Color filter and method of manufacturing color filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10293207A (en) |
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