JPH10293207A - カラーフィルターおよびカラーフィルターの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】カラーフィルター製造工程および液晶パネル製
造工程での基板の搬送性を改良し、基板の位置ずれある
いは基板の破損を防止する。また、静電気を原因とする
プラスチックビーズ（スペーサー）の偏在による表示ム
ラ欠陥のないカラーフィルターを得る。 【解決手段】透明基板の表面に少なくとも３色の画素を
有するカラーフィルターにおいて、透明基板裏面側に透
明導電膜を有することを特徴とするカラーフィルター。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置用等の
カラーフィルターおよび液晶表示装置に関する。更に詳
しくは、本発明は、カラーフィルターの製造工程および
アクティブマトリクス型カラー液晶表示装置の製造工程
において、静電気帯電によって基板表面に異物が付着す
るのを防止したり、基板搬送不良が発生するのを防止し
たり、薄膜トランジスタの劣化を防止する目的で、帯電
防止性を付与したカラーフィルターに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、特開昭６０−１８４２０２号公報
や特開昭６１−１８０２０３号公報に示されるように、
耐熱性樹脂であるポリイミド中に顔料を分散し、ポジ型
フォトレジストを用いたパターン加工技術を使用して形
成されたカラーフィルターは、２５０℃以上の耐熱性を
有し、耐光性、高精細、透過性等に優れているカラーフ
ィルターを得ることができる。しかしながら、フォトリ
ソグラフィ法、その他の方法とも透明基板上に樹脂組成
物でカラーフィルター膜を形成するが、この場合、工程
を高湿度コントロールできないため、工程上で静電気帯
電する。特に、基板サイズが大きくなるにしたがって帯
電しやすく、はなはだしい時は、温度制御板の上でガラ
スが密着して、搬送不良を起こす。また、搬送に問題が
ないとしても、帯電した基板を用いてセル組みしたパネ
ルの品位は、その静電気帯電によって、散布したビーズ
（セルギャップ用スペーサー）が偏在しやすく、表示ム
ラ欠陥を発現し、不良品となる割合が高い。また、静電
気帯電は異物付着を増大させ、この点でも歩留まりを低
下させる。はなはだしい場合には、対向側であるアクテ
ィブマトリックス基板のトランジスタを劣化させること
もある。表示ムラ欠陥防止や工程上での良好な搬送性を
維持するために、帯電防止や除電といった改善がカラー
フィルターや液晶表示装置の製造上、非常に重要であ
る。

【０００３】通常の液晶表示装置の液晶のモードである
ツイストネマチックでなく、基板面に平行に電圧を印加
して液晶を基板面と平行な面内で回転させる横電界駆動
方式が提案されている。この方式は視野角が広くできる
特徴があるが、カラーフィルター側に電極を設けずＴＦ
Ｔなどの駆動素子が形成された基板にのみ電極が置かれ
るために、カラーフィルター側からの外部電界が侵入し
て表示に悪影響を与えやすい問題がある。本発明はカラ
ーフィルター基板裏面に透明導電膜を形成するので表示
に影響を与えずに有害な外部電界を遮断することができ
る。また、基板が不均一に帯電してスペーサー散布時に
スペーサー分布にムラが発生することも抑制する効果が
ある。ガラス基板上に直接透明導電膜を形成できること
から、カラーフィルター基板裏面に貼る偏光フィルム上
などに透明導電膜を形成するのに比べて、基板温度を高
くできたり、下地層からの脱ガスがなかったりすること
で、低抵抗、高透明の透明導電膜を得やすい利点があ
る。

【０００４】カラーフィルターを構成するブラックマト
リックスが金属の場合は、カラーフィルター基板表面に
導電性のメッシュが形成されたのと等価になるが、樹脂
ブラックマトリックスでは高い導電率が期待できず、本
発明の効果が特に大きい。

【０００５】これに対して、一般的な帯電防止性付与と
しては、表面の親水化処理（界面活性剤などで電荷をに
がす）や、電荷の中和（コロナ放電などで＋−の中和を
する）や、金属（導電品の繊維・粒子の混入）等の混合
などが知られている。しかしながら、液晶デイスプレイ
やカラーフィルターに関しては、不純物のイオン増大
や、ミスト付着、あるいは、透明性を損なう処理は適さ
ないため、製造装置上での改善がなされている。例え
ば、導電性ゴムシート等を透明基板の裏面に使用して搬
送する事も考えられるが、カラーフィルター製造工程上
での耐熱性を有していないものは、不向きである。特開
平７−３１８８７８号公報では、ガラス基板の下に金属
板を置いたり、導電性フィルムを張り付けたりして帯電
防止・除電を実施して対処している。

【０００６】しかし、既存の装置を使用する場合や、新
たに改造するスペースのない工程では、実施不可能であ
り、また、張り付けたフィルムを剥がした際に、剥離帯
電を生じる場合があるという問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特に
カラーフィルター作製において、工程上の搬送性を確保
し、得られるカラーフィルターの光透過性を保持しつ
つ、かつ水やアルカリ、有機溶剤などの耐溶剤性に優
れ、工程通過性の良好な新規カラーフィルターを提供す
ることにあり、既存の装置を使用し、新たな設備投資を
しないで、作業性の高いカラーフィルターを提供するこ
とにある。また、セル組み工程上帯電することによって
生じる液晶パネルでの表示ムラ欠陥を防止し、生産性の
高いカラーフィルターを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は下記構成からなる。

【０００９】（１）透明基板の表面側に少なくとも３色
の画素を有するカラーフィルターにおいて、透明基板裏
面側に透明導電膜を有することを特徴とするカラーフィ
ルター。

【００１０】（２）透明基板裏面側の透明導電膜の比抵
抗値が２ｋΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする（１）
に記載のカラーフィルター。

【００１１】（３）透明基板裏面側の透明導電膜の透過
率が９６％以上であることを特徴とする（１）に記載の
カラーフィルター。

【００１２】（４）透明基板裏面側の透明導電膜の膜厚
が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする
（１）に記載のカラーフィルター。

【００１３】（５）透明基板の表面側にオーバーコート
を設けることを特徴とする（１）に記載のカラーフィル
ター。

【００１４】（６）カラーフィルターを構成するブラッ
クマトリックスが樹脂ブラックマトリックスであること
を特徴とする（１）に記載のカラーフィルター。

【００１５】（７）透明基板裏面側に透明導電膜を設け
た後、表面側に樹脂ブラックマトリックスと画素を設け
ることを特徴とするカラーフィルターの製造方法。 （８）透明基板の表面側に金属ブラックマトリックスを
形成した後、裏面側に透明導電膜を設け、さらに表面側
に画素を設けることを特徴とするカラーフィルターの製
造方法。

【００１６】（９）上記（１）〜（５）に記載のカラー
フィルターを用いたことを特徴とする液晶表示装置。

【００１７】（１０）液晶表示装置が横電界駆動方式で
あることを特徴とする（９）記載の液晶表示装置。

【００１８】

【発明の実施の形態】ここでいう金属ブラックマトリッ
クスとは、金属膜をパターニングして得られる。

【００１９】金属膜としては、単層膜でも、あるいは、
低反射特性が向上された酸化金属／金属の２層膜でも、
あるいはさらに、低反射特性が改善された、酸化金属／
金属／酸化金属などの３層膜でも良い。金属としては、
クロム、ニッケルなどが好ましく用いられる。

【００２０】これらの金属膜は、フォトレジストと酸性
エッチング液を用いたエッチングによりパターニングが
可能である。

【００２１】本発明の樹脂ブラックマトリックスとは、
黒色着色材を含む樹脂をパターニングしたものである。
該樹脂としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、アル
キド樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアルコール、フェ
ノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂な
どを採用することができる。黒色着色材としては、カー
ボンブラック、グラファイトや黒色染料などが採用でき
る。さらに色調を整えるために紫などの着色材を添加す
ることも適宜許される。

【００２２】透明導電膜は、比抵抗値が大きい場合、膜
厚を大きくしないと静電気のため温度制御板上でガラス
基板が密着し、工程上の搬送不良が生じやすが、一方、
膜厚の増大は透明性を低下させる。本発明では、２ｋΩ
・ｃｍ以下の比抵抗値、好ましくは６００Ω・ｃｍ以
下、さらに好ましくは３００Ω・ｃｍ以下になるように
成膜した透明導電膜を用いることによって、１０００枚
連続搬送テストにおいても、全く搬送不良は生じないカ
ラーフィルターを得ることができる。

【００２３】また、透明導電膜の厚みを変更したサンプ
ルでは、厚い場合で透過率が９０％未満であると、明視
野の画素透過率が低くなること、またコントラスト的に
も、不利となる事が分かった。特に、表面側にも透明導
電膜（透明電極）を必要とする場合には、その透過率も
影響するので、実質的に透明性を有する基板として用い
るには、裏面側透明導電膜が９６％以上の透過率、好ま
しくは９８％以上であれば、光学特性値など特に問題は
生じないことを見出した。

【００２４】透明導電膜の具体例としては、次の（１）
〜（４）が有効である。

【００２５】（１）金属および／または金属酸化物とを
主成分とする透明導電膜。

【００２６】（２）金属数種および／または金属酸化物
数種を組み合わせて得られる合金を主成分とする透明導
電膜。

【００２７】（３）金属および／または金属酸化物とビ
ヒクルを主成分とする透明導電膜。

【００２８】（４）金属数種および／あるいは金属酸化
物数種を組み合わせて得られる合金とビヒクルを主成分
とする透明導電膜。

【００２９】本発明の透明基板としては、プラスチック
基板、ガラス基板を用いる。カラーフィルター用途に
は、主にガラス基板を用いる場合が多い。本発明の透明
導電膜はディッピング（Ｄｉｐ）法、化学気相成長（Ｃ
ＶＤ）法、物理気相成長（ＰＶＤ）法、真空蒸着法、ス
パッタリング法、イオンプレーティング法などのいずれ
かの方法によって成膜され、主としてカラーフィルター
用ガラスの裏面側の電荷を除去するために用いられる。
本発明に特に使用される透明導電膜としては、透明性が
高く、カラー表示適性を損なわない優れたものが好まし
い。代表的な透明導電膜の具体例を示すと、Ａｌ、Ｍ
ｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｎ、
Ｇｅ、Ｔｂ、ＩＴＯ、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、ＳｎＯ₂ 、ＺｎＯ、
ＺｎＯ−Ｇａ、ＮｉＣｒ、等の公知の金属または金属酸
化物が挙げられる。実用的には、上記金属または金属酸
化物の数種組み合わせた合金などが挙げられる。

【００３０】なかでも、ＩＴＯについては、透明性を損
なう事なく、導電性に優れており、より好ましく用いら
れる。これらの原料は、必要に応じて酸化処理などの表
面処理がなされている場合もある。

【００３１】本発明の透明導電膜において、カラーフィ
ルター上における透明導電膜の膜厚は、１０ｎｍ以上１
００ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以上８０ｎｍ以下、
さらに好ましくは、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が適して
いる。これより厚いと透過率が下がりすぎてしまい、こ
れより薄いと導電性が不十分となって、搬送性などが問
題となる。

【００３２】これらの透明導電膜の多くは、金属ブラッ
クマトリックスの形成の際に用いられるエッチング液に
侵される。したがって、金属ブラックマトリックスを基
板に形成パターニング後、裏面側に成膜されるのが好ま
しい。しかし、一方、樹脂ブラックマトリックスの形成
に用いられる現像液には侵されない。したがって、予め
基板裏面側に透明導電膜が形成されても、何ら問題な
く、むしろブラックマトリックス工程での除電効果が発
揮される。

【００３３】次に、本発明で用いられる透明導電膜の形
成について、具体例を示す。

【００３４】（１）カラーフィルターの裏面側に導電ペ
ーストを塗布し、例えばＩＴＯペーストの硬化膜を形成
する。塗布はスピンナー、デイップコーテイング、ロー
ルコーテイング、ダイコーテイング等の方法が適用さ
れ、加熱によって乾燥硬化させる。基材にもよるが、乾
燥はオーブン、ホットプレートあるいは赤外線を使用し
６０℃以上３００℃の範囲で数時間から数秒実施する。
硬度を損なわない温度範囲として、乾燥温度は最終的に
８０℃以上２５０℃、特に１００℃以上２００℃が好ま
しく、熱処理時間は、数時間から数分実施する。これよ
り高温度では、クラックなどの不都合が生じ、低温度で
は、乾燥硬化が不十分となる。

【００３５】（２）カラーフィルターの裏面側に透明導
電膜をスパッタリングし、例えばＩＴＯの膜を形成す
る。スパッタリングは、市販されている機器を用い、枚
葉装置やインライン装置等の方法が適用される。基板温
度が２０℃以上３００℃以下の範囲になるよう数分から
数秒加熱が行なわれ、導電性を損なわない範囲が好まし
い。基板温度が好ましくは１５０℃以上２８０℃以下の
範囲になるよう数秒加熱が行なわれる。特に１８０℃以
上２５０℃以下の範囲になるよう数秒の加熱が好まし
い。基板温度に応じて数分から数秒の加熱が適用され
る。上記の範囲より高温では、カラーフィルター表面で
のクラック発生などの不都合が生じる。

【００３６】（３）カラーフィルターの裏面側に透明導
電膜を蒸着し、例えばＩＴＯの膜を形成する。蒸着は、
市販されている機器を用い、枚葉装置等の方法が適用さ
れる。基板温度が２０℃以上３００℃以下の範囲になる
よう数分から数秒加熱が行なわれ、導電性を損なわない
範囲が好ましい。基板温度が好ましくは１５０℃以上２
８０℃以下の範囲になるよう数秒加熱が行なわれる。特
に１８０℃以上２５０℃以下の範囲になるよう数秒の加
熱が好ましい。基板温度に応じて数分から数秒の加熱が
適用される。上記の範囲より高温では、カラーフィルタ
ー表面でのクラック発生などの不都合が生じる。

【００３７】

【実施例】次に、実施例によって本発明をさらに詳細説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００３８】また、各物性値の測定は下記の通り行っ
た。

【００３９】（１）膜厚測定 株式会社小坂研究所（製）表面粗さ測定機“Ｓｕｒｆｃ
ｏｒｄａｒ”ＳＥ−３３００を用いて、透明導電膜の有
無による段差測定にて、膜厚を求めた。

【００４０】（２）比抵抗 三菱油化株式会社（製）表面抵抗測定機“Ｌｏｒｅｓｔ
ａ”または”Ｈｉｒｅｓｔａ”を用いて、４探針法によ
って表面抵抗値（シート抵抗）を測定し、膜厚を乗じて
比抵抗値を求めた。

【００４１】（３）透過率測定 大塚電子株式会社（製）顕微分光測定機“ＭＣＰＤ−２
０００”Ｃ光源を用いて測定を行った。ＪＩＳ Ｚ８７
０１−１９８２に定めるＸＹＺ表色系における三刺激値
のＹ値は、視感透過率を表す。透明基板裏面側の透明導
電膜の透過率は透明基板上に透明導電膜みを形成した試
料を用いて測定する。透明基板をリファレンスとして算
出した透明導電膜だけのＹ値を透過率とした。

【００４２】（４）電位測定 春日電機株式会社（製）デジタル低電位測定機“ＫＳＤ
−０１０１”を用いてサンプルからの検出距離１０ｍｍ
での帯電電位を求めた。

【００４３】（５）搬送性 大日本スクリーン製造株式会社（製）赤外線ヒーター付
き基板洗浄機を用いて、水洗、水きり後、赤外線乾燥、
２段の冷却板での冷却後の基板搬送性を評価した。

【００４４】参考例１ 透明なポリイミド先駆体溶液（東レ（株）製セミコファ
インＳＰ−９１０）にカーボンブラックを分散混合した
ペーストを用意。本分散混合ペーストを透明基板上に、
キュア後の膜厚が１．０μｍとなるようにスピナーで塗
布後、１２０℃で２０分間セミキュアし、冷却後、ポジ
型フォトレジスト（東京応化（製）ＯＦＰＲ−８００）
を乾燥後の膜厚が１．０μｍとなるようにスピナーで塗
布後、９０℃で１０分間セミキュアした。キャノン
（株）製紫外線露光機ＰＬＡ−５０１Ｆを用いて、格子
状パターンのクロム製のフォトマスクを介して１５０ｍ
Ｊ／cm²（３６５ｎｍの紫外線強度）露光した。露光
後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの
２．３８％の水溶液からなる現像液に浸漬し、フォトレ
ジストの現像、ポリイミド前駆体塗膜のエッチングを同
時に行った。エッチング後、不要となったフォトレジス
ト層を、アセトンにて剥離した。このようにして開口部
を形成した後、エッチングされたポリイミド前駆体塗膜
を２６０℃で３０分間キュアして、ポリイミドに転換
し、樹脂ブラックマトリックス（遮光）層を形成した。

【００４５】参考例２ スパッタリング法にて透明基板上に形成したクロム薄膜
（膜厚１１０ｎｍ）を通常のフォトリソグラフィー法を
用いて、クロムブラックマトリックス層を形成した。パ
ターン形成は、フォトレジストの塗布、乾燥、紫外線露
光機を用いて露光、アルカリ現像液に浸漬した後、クロ
ムの酸エッチング、不要となったフォトレジストをアセ
トンにて剥離、表面乾燥という工程を経て、クロムブラ
ックマトリックス層を形成した。

【００４６】参考例３ 透明なポリイミド先駆体溶液（東レ（株）製セミコファ
インＳＰ−９１０）に赤、緑、青、のそれぞれの顔料を
ホモジナイザーにて分散混合し、更に溶媒にて希釈し
て、Ｒ、Ｇ、Ｂペーストをそれぞれ調製した。

【００４７】参考例４ 参考例１で得た樹脂ブラックマトリックス（遮光）層
に、参考例３の赤顔料のペーストを全面塗布、セミキュ
ア後、フォトリソグラフィー法（参考例１と同様）によ
って、ストライプ状にパターン形成し、ブラックマトリ
ックス開口部の１／３を埋めるように形成した後、キュ
アして、赤画素を完成した。次に、ブラックマトリック
スと赤画素を有する透明基板上に、赤画素を形成するの
と同様にして、参考例３の緑顔料のペーストを全面塗
布、セミキュア後、フォトリソグラフィー法によってブ
ラックマトリックス開口部の他の１／３に対して、スト
ライプ状に緑画素を形成した後、キュアして、緑画素を
完成した。さらに、同様にしてブラックマトリックスと
赤画素と緑画素を有する透明基板上に、青顔料のペース
トを全面塗布、セミキュア後、フォトリソグラフィー法
によって、ブラックマトリックス開口部の他の１／３に
対して、ストライプ状に青画素を形成した後、キュアし
て、青画素を完成した。このようにして、樹脂ブラック
マトリックスとＲ、Ｇ、Ｂストライプを有する透明基板
を得た。

【００４８】参考例５ 参考例２で得たクロムブラックマトリックスを用いた他
は、参考例４と全く同様にして、クロムブラックマトリ
ックスとＲ、Ｇ、Ｂストライプを有する透明基板を得
た。

【００４９】参考例６ 参考例１で得た、樹脂ブラックマトリックスを表面側と
し、裏面側の透明基板上に、スパッタリング法（スパッ
タ装置は、株式会社シンクロン製・マグネトロン型ＢＳ
Ｃ−７０３３）にてＩＴＯ層を形成した。スパッタ装置
内でのＩＴＯ層形成前の真空排気時間は３０分、ＩＴＯ
の層形成中の基板温度は２００℃とした。ＤＣ電源を使
用し、磁場は４００ガウス、酸素分圧は１％、出力は
１．４ｋｗで、ＩＴＯ膜を形成した。その後、参考例４
と同様に、表面側にフォトリソグラフィー法によって、
Ｒ、Ｇ、Ｂストライプ状に画素を形成させ、透明基板サ
ンプルを得た。

【００５０】参考例７ 参考例２で得た、クロムブラックマトリックスを表面側
とした他は、参考例６と全く同様にして、Ｒ、Ｇ、Ｂス
トライプ状に画素を形成させ透明基板サンプルを得た。

【００５１】参考例８ シラン加水分解物の参考例を示す。γ−グリシドキシプ
ロピルメトキシシラン２３．６ｇを１０℃に冷却し、撹
拌しながら０．０１Ｎ規定塩酸水溶液５．４ｇを徐々に
滴下し、滴下後、室温にてさらに１時間撹拌を続けてシ
ラン加水分解物を得た。

【００５２】参考例９ 導電ペーストコーティング液の参考例を示す。参考例８
で得たシラン加水分解物にエチルアルコ−ル７．５ｇ、
フェネチルアルコ−ル４２．５ｇ、シリコ−ン系界面活
性剤０．０５ｇを添加混合し、アルミニウムアセチルア
セトナ−ト０．５ｇを添加し、充分に撹拌した後、さら
に導電微粒子として、平均粒子径０．０５μｍの酸化イ
ンジウム／酸化スズ系混合無機酸化物を２０．５ｇ添加
し、充分に分散して導電ペーストコーティング液を得
た。

【００５３】参考例１０ 参考例５で得たクロムブラックマトリックスとＲ、Ｇ、
Ｂストライプを有する透明基板の表面側に市販のアクリ
ル系保護膜材料をスピナーで塗布し、１００℃で１０分
間、さらに２５０℃で６０分間キュアを実施して、厚さ
１．０μｍの保護膜を形成させた。

【００５４】実施例１ 参考例４で得た樹脂ブラックマトリックスと赤画素と緑
画素と青画素とを有するカラーフィルター側を表面と
し、透明基板の裏面上に、スピンコ−ト法にて参考例９
で得た導電ペーストコーティング液を塗布。回転数は最
初４００回転／分で２秒間、次に１０００回転／分で８
秒間とした。この後、８０℃で１０分間、さらに１２０
℃で４時間加熱キュアした。本実施例において得られた
カラーフィルター基板は、透明導電膜の厚みが２６０ｎ
ｍであった。緑画素の透過率は５３．５％と良好であっ
た。該透明導電膜の比抵抗は１．９５ｋΩ・ｃｍであっ
た。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の電位は
−０．０３ＫＶであり、搬送性は良好であった。同様に
して素ガラス上に該透明導電膜を形成し透明導電膜のみ
の透過率を測定したところ、９６．１％であった。

【００５５】実施例２ 実施例１と同様にしてカラーフィルター側を表面とし、
透明基板の裏面上に、スピンコート法にて導電ペースト
コーティング液を塗布後、回転数を変更してサンプルを
得た。回転数は最初４００回転／分で２秒間、次に８０
０回転／分で８秒間とした。この後、実施例１と同様に
加熱キュアした。透明導電膜の厚みは４１０ｎｍで、緑
画素の透過率は５２．９％と実施例１に比べ不良であっ
た。該透明導電膜の比抵抗は１．８０ｋΩ・ｃｍであっ
た。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の電位は
−０．０３ＫＶで、搬送性は良好であった。同様にして
素ガラス上に該透明導電膜を形成し透明導電膜のみの透
過率を測定したところ、９５．０％であった。

【００５６】実施例３ 実施例１と同様にしてカラーフィルター側を表面とし、
透明基板の裏面上に、スピンコート法にて導電ペースト
コーティング液を塗布後、回転数を変更してサンプルを
得た。回転数は最初４００回転／分で２秒間、次に６０
０回転／分で８秒間とした。この後、実施例１と同様に
加熱キュアした。透明導電膜の厚みは５７０ｎｍで、緑
画素の透過率は５２．２％と実施例１に比べ不良であっ
た。該透明導電膜の比抵抗は１．４８ｋΩ・ｃｍであっ
た。、基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の電位
は−０．０３ＫＶで、搬送性は良好であった。同様にし
て素ガラス上に該透明導電膜を形成し透明導電膜のみの
透過率を測定したところ、９３．８％であった。

【００５７】実施例４ 参考例４で得た樹脂ブラックマトリックスと赤画素と緑
画素と青画素とを有するカラーフィルター側を表面と
し、透明基板の裏面上に酸化錫微粒子を分散させた導電
性塗料（触媒化成工業（株）製”ＥＬＣＯＭ”Ｐ３０４
７）をスピンコート法にて塗布し、１１０℃ で５分間
乾燥し、厚さ１μｍの透明導電膜を得た。緑画素の透過
率は５２．３％と実施例１に比べて小さく不良であっ
た。該透明導電膜の比抵抗値は１０⁴Ω・ｃｍと大きか
った。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の電位
は−０．１ｋＶで、静電気のため温度制御冷却板上でか
らリフトピンにてガラス基板を剥離しにくく位置ずれが
おきることがあり、搬送性は不良であった。同様にして
素ガラスに上に該透明導電膜を形成し透明導電膜のみの
透過率を測定したところ、透過率は９４％であった。

【００５８】実施例５ 透明導電膜の厚さを３μｍとしたこと以外は実施例４と
同様にして透明導電膜が裏面に形成されたカラーフィル
ターを得た。該カラーフィルターの緑画素の透過率は４
８％で実施例１に比べて小さく不良であった。該透明導
電膜の比抵抗値は１０⁴Ω・ｃｍと大きかった。基板洗
浄機通過後のカラーフィルター基板の電位は−０．０４
ｋＶで、搬送性は良好でった。同様にして素ガラスに上
に該透明導電膜を形成し透明導電膜のみの透過率を測定
したところ、透過率は８６％であった。

【００５９】実施例６ 参考例４で得た樹脂ブラックマトリックス、赤画素、緑
画素、青画素を有するカラーフィルターにおいて、画素
を形成した側を表面として、透明基板の裏面上に、スパ
ッタリング法にてＩＴＯ膜を形成したサンプルを得た。
スパッタリング時の基板温度は２００℃ とした。ＩＴ
Ｏ膜厚みは、１０ｎｍで、緑画素の透過率は５５．５％
であった。該ＩＴＯ膜の比抵抗値は６×１０^-2Ω・ｃｍ
であった。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の
電位は−０．０３ＫＶで、搬送性は良好であった。同様
にして素ガラス上に該ＩＴＯ膜を形成しＩＴＯ膜のみの
透過率を測定したところ、９９．７％であった。

【００６０】実施例７ 実施例６と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてＩＴＯ膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ＩＴＯ膜の厚みは、１５ｎｍとした。
緑画素の透過率は５５．５％であった。該ＩＴＯ膜の比
抵抗値は３．１５×１０^-2Ω・ｃｍであった。基板洗浄
機通過後のカラーフィルター基板の電位は−０．０３Ｋ
Ｖで、搬送性は良好であった。同様にして素ガラス上に
該ＩＴＯ膜を形成しＩＴＯ膜のみの透過率を測定したと
ころ、９９．６％であった。

【００６１】実施例８ 実施例６と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてＩＴＯ膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ＩＴＯ膜の厚みは、２１ｎｍとした。
緑画素の透過率は５５．４％であった。該ＩＴＯ膜の比
抵抗値は８．６１×１０^-3Ω・ｃｍであった。基板洗浄
機通過後のカラーフィルター基板の電位は−０．０３Ｋ
Ｖで、搬送性は良好であった。同様にして素ガラス上に
該ＩＴＯ膜を形成しＩＴＯ膜のみの透過率を測定したと
ころ、９９．５％であった。

【００６２】実施例９ 実施例６と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてＩＴＯ膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ＩＴＯ膜の厚みは、３０ｎｍとした。
緑画素の透過率は５４．０％であった。該ＩＴＯ膜の比
抵抗値は４×１０^-3Ω・ｃｍであった。基板洗浄機通過
後のカラーフィルター基板の電位は−０．０３ＫＶで、
搬送性は良好であった。同様にして素ガラス上に該ＩＴ
Ｏ膜を形成しＩＴＯ膜のみの透過率を測定したところ、
９９．１％であった。

【００６３】実施例１０ 実施例６と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてＩＴＯ膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ＩＴＯ膜の厚みは、４８ｎｍとした。
緑画素の透過率は５７．０％であった。該ＩＴＯ膜の比
抵抗値は９．１×１０^-4Ω・ｃｍであった。基板洗浄機
通過後のカラーフィルター基板の電位は−０．０３ＫＶ
であり、搬送性は、良好であった。同様にして素ガラス
上に該ＩＴＯ膜を形成しＩＴＯ膜のみの透過率を測定し
たところ、９８．３％であった。

【００６４】実施例１１ 実施例６と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてＩＴＯ膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ＩＴＯ膜の厚みは、８２ｎｍとした。
緑画素の透過率は５４．３％であった。該ＩＴＯ膜の比
抵抗値は５．４×１０^-4Ω・ｃｍであった。基板洗浄機
通過後のカラーフィルター基板の電位は−０．０３ＫＶ
であり、搬送性は、良好であった。同様にして素ガラス
上に該ＩＴＯ膜を形成しＩＴＯ膜のみの透過率を測定し
たところ、９７．４％であった。

【００６５】実施例１２ 実施例６と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてＩＴＯ膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ＩＴＯ膜の厚みは、１００ｎｍとし
た。緑画素の透過率は５４．０％であった。該ＩＴＯ膜
の比抵抗値は３．６×１０^-4Ω・ｃｍであった。基板洗
浄機通過後のカラーフィルター基板の電位は−０．０３
ＫＶであり、搬送性は良好であった。同様にして素ガラ
ス上に該ＩＴＯ膜を形成しＩＴＯ膜のみの透過率を測定
したところ、９７．０％であった。

【００６６】実施例１３ 実施例６と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてＩＴＯ膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ＩＴＯ膜の厚みは、１４５ｎｍとし
た。緑画素の透過率は５３．８％であった。比抵抗値は
２．１８×１０^-4Ω・ｃｍであった。基板洗浄機通過後
のカラーフィルター基板の電位は−０．０３ＫＶであ
り、搬送性は、良好であった。同様にして素ガラス上に
該ＩＴＯ膜を形成しＩＴＯ膜のみの透過率を測定したと
ころ、９６．５％であった。

【００６７】実施例１４ 実施例６と同様にして、樹脂ブラックマトリックス、赤
画素、緑画素、青画素を有するカラーフィルターにおい
て、画素を形成した側を表面として、透明基板の裏面上
に、スパッタリング法にてＩＴＯ膜を形成したサンプル
を得た。ただし、ＩＴＯ膜の厚みは、１８０ｎｍとし
た。緑画素の透過率は５３．５％であった。該ＩＴＯ膜
の比抵抗値は２．１６×１０^-4Ω・ｃｍであった。基板
洗浄機通過後のカラーフィルター基板の電位は−０．０
３ＫＶであり、搬送性は良好であった。同様にして素ガ
ラス上に該ＩＴＯ膜を形成しＩＴＯ膜のみの透過率を測
定したところ、９６．０％であった。

【００６８】実施例１５ 参考例６で得た樹脂ブラックマトリックス形成後で、赤
画素、緑画素、青画素形成前に透明基板裏面にＩＴＯ膜
を形成したカラーフィルターサンプルの裏面のＩＴＯ膜
の厚みは、１２ｎｍで、緑画素の透過率は５５．５％で
あった。該ＩＴＯ膜の比抵抗値は５．６４×１０^-2Ω・
ｃｍであった。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基
板の電位は−０．０３ＫＶであり、搬送性は良好であっ
た。同様にして素ガラス上に該ＩＴＯ膜を形成しＩＴＯ
膜のみの透過率を測定したところ、９９．７％であっ
た。

【００６９】実施例１６ 参考例７で得たクロムブラックマトリックス形成後で、
赤画素、緑画素、青画素形成前に透明基板裏面にＩＴＯ
膜を形成したカラーフィルターサンプルのＩＴＯ膜の厚
みは、１２ｎｍで、緑画素の透過率は５５．５％であっ
た。該ＩＴＯ膜の比抵抗値は５．４０×１０^-2Ω・ｃｍ
であった。基板洗浄機通過後のカラーフィルター基板の
電位は−０．０３ＫＶであり、搬送性は良好であった。
同様にして素ガラス上に該ＩＴＯ膜を形成しＩＴＯ膜の
みの透過率を測定したところ、９９．７％であった。

【００７０】実施例１７ 参考例１０で得たクロムブラックマトリックス、赤画
素、緑画素、青画素を形成し、さらにアクリル系保護膜
を積層したサンプルの裏面側にスパッタリング法にてＩ
ＴＯ膜を形成した。ＩＴＯ膜の厚みは、１３ｎｍで緑画
素の透過率は５５．５％であった。該ＩＴＯ膜の比抵抗
値は４．３０×１０^-2Ω・ｃｍであった。基板洗浄機通
過後のカラーフィルター基板の電位は−０．０３ＫＶで
あり、搬送性テストは、良好であった。同様にして素ガ
ラス上に該ＩＴＯ膜を形成しＩＴＯ膜のみの透過率を測
定したところ、９９．６％であった。

【００７１】比較例１ 参考例４で得たカラーフィルター（樹脂ブラックマトリ
ックスと赤画素と緑画素と青画素とを有し、透明基板の
裏面上に透明導電膜のない）を比較サンプルとしてテス
トした。基板洗浄機通過後のサンプルの電位は、−０．
０６ＫＶと実施例に比べてやや大きかった。緑画素の透
過率は５５．７％であった。搬送性テストは、静電気の
ため冷却板からリフトピンにてガラス基板を剥離しにく
く、大きくガラスが撓むなど、搬送性は不良であった。

【００７２】比較例２ 素ガラスを比較サンプルとしてテストした。基板洗浄機
通過後のサンプルの電位は、−２．１ｋＶと大きかっ
た。搬送性テストは、静電気のため冷却板からリフトピ
ンにてガラス基板を剥離しにくく、大きくガラスが撓む
など、搬送性は不良であった。

【００７３】

【発明の効果】透明基板の色層を設けた側を表面として
透明基板の裏面に透明導電膜を設けることによって、帯
電防止効果を有することを特徴とするカラーフィルター
は、搬送性が良好で、しかも透明性が良好であり、かつ
静電気を原因とするプラスチックビーズ（スペーサー）
の偏在による表示ムラ欠陥のないカラーフィルターを得
ることができる。また、横電界駆動方式の液晶表示装置
において、外部からの電界の侵入を抑制することができ
表示品質を改善できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示す断面図

【符号の説明】

１・・・ 透明基板 ２・・・ 透明導電膜裏面側 ３・・・ 透明導電膜表面側 ４・・・ 画素 ５・・・ ブラックマトリックス

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明基板の表面側に少なくとも３色の画素
   を有するカラーフィルターにおいて、透明基板裏面側に
   透明導電膜を有することを特徴とするカラーフィルタ
   ー。
2. 【請求項２】透明基板裏面側の透明導電膜の比抵抗値が
   ２ｋΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記
   載のカラーフィルター。
3. 【請求項３】透明基板裏面側の透明導電膜の透過率が９
   ６％以上であることを特徴とする請求項１に記載のカラ
   ーフィルター。
4. 【請求項４】透明基板裏面側の透明導電膜の膜厚が１０
   ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項
   １に記載のカラーフィルター。
5. 【請求項５】透明基板の表面側にオーバーコートを設け
   ることを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルタ
   ー。
6. 【請求項６】カラーフィルターを構成するブラックマト
   リックスが樹脂ブラックマトリックスであることを特徴
   とする請求項１に記載のカラーフィルター。
7. 【請求項７】透明基板裏面側に透明導電膜を設けた後、
   表面側に樹脂ブラックマトリックスと画素を設けること
   を特徴とするカラーフィルターの製造方法。
8. 【請求項８】透明基板の表面側に金属ブラックマトリッ
   クスを形成した後、裏面側に透明導電膜を設け、さらに
   表面側に画素を設けることを特徴とするカラーフィルタ
   ーの製造方法。
9. 【請求項９】請求項１〜５に記載のカラーフィルターを
   用いたことを特徴とする液晶表示装置。
10. 【請求項１０】液晶表示装置が横電界駆動方式であるこ
    とを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。