JPH10294286A - 半導体製造装置の反応炉 - Google Patents
半導体製造装置の反応炉Info
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- JPH10294286A JPH10294286A JP11752697A JP11752697A JPH10294286A JP H10294286 A JPH10294286 A JP H10294286A JP 11752697 A JP11752697 A JP 11752697A JP 11752697 A JP11752697 A JP 11752697A JP H10294286 A JPH10294286 A JP H10294286A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製造装置の反応炉に於いて、反応炉から
外部へのガスの漏出を防ぎ、又、ガスの漏出を瞬時に検
知する。 【解決手段】炉口部をＯリング７０を介して炉口蓋６１
により気密に閉塞可能とし、前記炉口蓋と炉口部との境
界で前記Ｏリングの外側に検知用流路６７を設け、該検
知用流路に検知ポート６８を連通させ、該検知ポートよ
り吸引する様構成した半導体製造装置の反応炉により、
前記検知用流路内の前記Ｏリング側の排気抵抗を小さく
し、該反応炉から外部へのガスの漏出を防ぎ、又、ガス
の漏出を瞬時に検知する。
外部へのガスの漏出を防ぎ、又、ガスの漏出を瞬時に検
知する。 【解決手段】炉口部をＯリング７０を介して炉口蓋６１
により気密に閉塞可能とし、前記炉口蓋と炉口部との境
界で前記Ｏリングの外側に検知用流路６７を設け、該検
知用流路に検知ポート６８を連通させ、該検知ポートよ
り吸引する様構成した半導体製造装置の反応炉により、
前記検知用流路内の前記Ｏリング側の排気抵抗を小さく
し、該反応炉から外部へのガスの漏出を防ぎ、又、ガス
の漏出を瞬時に検知する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造工程の前
処理工程に属する拡散、化学気相成長を行う為の半導体
製造装置の反応炉に関するものである。
処理工程に属する拡散、化学気相成長を行う為の半導体
製造装置の反応炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程の処理工程の１つに拡
散、化学気相成長工程があり、斯かる処理を行う装置と
して縦型反応炉がある。
散、化学気相成長工程があり、斯かる処理を行う装置と
して縦型反応炉がある。
【０００３】図２により、縦型炉を具備した縦型半導体
製造装置の概略を説明する。
製造装置の概略を説明する。
【０００４】筐体１内部の後部上方に縦型炉２が設けら
れ、該縦型炉２の下方にボートエレベータ３が設けられ
ている。該ボートエレベータ３の昇降スライダ４には前
記縦型炉２の一部を成す炉口蓋５が取付けられ、該炉口
蓋５にはボートキャップ６を介して石英製のボート７が
載置される。該ボート７には被処理物であるウェーハ８
が水平姿勢で多段に装填され保持されている。
れ、該縦型炉２の下方にボートエレベータ３が設けられ
ている。該ボートエレベータ３の昇降スライダ４には前
記縦型炉２の一部を成す炉口蓋５が取付けられ、該炉口
蓋５にはボートキャップ６を介して石英製のボート７が
載置される。該ボート７には被処理物であるウェーハ８
が水平姿勢で多段に装填され保持されている。
【０００５】前記ボートエレベータ３の前方にウェーハ
移載機９が設けられ、該ウェーハ移載機９の更に前方に
遮熱シャッタ１０を介在してカセット棚１１が設けられ
ている。
移載機９が設けられ、該ウェーハ移載機９の更に前方に
遮熱シャッタ１０を介在してカセット棚１１が設けられ
ている。
【０００６】該カセット棚１１はウェーハカセット１２
を所要数収納し、前記ウェーハ８の半導体製造装置への
搬入、搬出は前記ウエーハカセット１２に装填した状態
で行われる。
を所要数収納し、前記ウェーハ８の半導体製造装置への
搬入、搬出は前記ウエーハカセット１２に装填した状態
で行われる。
【０００７】前記ボートエレベータ３は前記ウェーハ８
が装填されたボート７を前記縦型炉２に装入し、又、前
記ボート７を装入することで前記炉口蓋５が前記縦型炉
２の炉口部を閉塞する。前記縦型炉２内で前記ウェーハ
８に所要の処理がなされ、処理が完了すると前記ボート
エレベータ３により前記ボート７が引出される。
が装填されたボート７を前記縦型炉２に装入し、又、前
記ボート７を装入することで前記炉口蓋５が前記縦型炉
２の炉口部を閉塞する。前記縦型炉２内で前記ウェーハ
８に所要の処理がなされ、処理が完了すると前記ボート
エレベータ３により前記ボート７が引出される。
【０００８】前記ボート７引出し直後は、該ボート７及
び前記ウェーハ８は高温となっており、前記遮熱シャッ
タ１０は前記カセット棚１１の前記ウェーハ８への熱影
響を防止する。又、前記ウェーハ移載機９は未処理ウェ
ーハを前記カセット棚１１から前記ボート７へ移載し、
処理ウェーハを前記ボート７から前記カセット棚１１へ
移載する。
び前記ウェーハ８は高温となっており、前記遮熱シャッ
タ１０は前記カセット棚１１の前記ウェーハ８への熱影
響を防止する。又、前記ウェーハ移載機９は未処理ウェ
ーハを前記カセット棚１１から前記ボート７へ移載し、
処理ウェーハを前記ボート７から前記カセット棚１１へ
移載する。
【０００９】次に従来の縦型炉２について図３により説
明する。
明する。
【００１０】図中１３は均熱管であり、該均熱管１３の
内部には石英製の反応管１４が同心に配設され、該反応
管１４により反応室１５が画成されている。前記均熱管
１３の周囲を囲繞する様に筒状のヒータ１６が同心に設
けられ、該ヒータ１６はヒータベース１７に立設され、
該ヒータベース１７には座受け１８を介してリング座１
９が固着され、該リング座１９に前記均熱管１３が立設
されている。
内部には石英製の反応管１４が同心に配設され、該反応
管１４により反応室１５が画成されている。前記均熱管
１３の周囲を囲繞する様に筒状のヒータ１６が同心に設
けられ、該ヒータ１６はヒータベース１７に立設され、
該ヒータベース１７には座受け１８を介してリング座１
９が固着され、該リング座１９に前記均熱管１３が立設
されている。
【００１１】前記反応管１４は下端に外鍔状のフランジ
部２０を有し、該フランジ部２０の外周端と上端を覆う
フランジカバー２１と、前記フランジ部２０の下面外周
端部に当接するフランジ受けリング２２とにより、前記
フランジ部２０は挾持されている。前記フランジカバー
２１内部には全周に亘り断面が横長の矩形の第１冷却水
路２３が同心で２重に形成され、該第１冷却水路２３に
は図示しない冷却水供給管が接続されている。
部２０を有し、該フランジ部２０の外周端と上端を覆う
フランジカバー２１と、前記フランジ部２０の下面外周
端部に当接するフランジ受けリング２２とにより、前記
フランジ部２０は挾持されている。前記フランジカバー
２１内部には全周に亘り断面が横長の矩形の第１冷却水
路２３が同心で２重に形成され、該第１冷却水路２３に
は図示しない冷却水供給管が接続されている。
【００１２】前記反応管１４の下端開口部を閉塞可能な
炉口蓋５は脚柱２４を介して前記ボートエレベータ３の
前記昇降スライダ４に支持される。前記脚柱２４にボー
ト受台２５が嵌着され、該ボート受台２５上にキャップ
受けリング２６が同心に固着される。キャップ受けリン
グ２６の上面にはベース２７が同心に配設され、該ベー
ス２７は周縁部を前記ベース２７の板厚より僅かに厚い
環状のＯリング押え２８により挾持され、該Ｏリング押
え２８は前記キャップ受けリング２６に固着されてい
る。前記ベース２７の上面には外周縁に沿って、全周に
亘り溝２９が刻設され、該溝２９にＯリング３０が嵌入
され、前記フランジ部２０と前記Ｏリング押え２８は前
記Ｏリング３０を介在させて、気密に密着可能となって
いる。又、前記キャップ受けリング２６の内部には全周
に亘り同心に外側部分と内側部分に２重に断面が横長の
矩形の第２冷却水路３１が形成され、該第２冷却水路３
１には図示しない冷却水供給管が接続されている。
炉口蓋５は脚柱２４を介して前記ボートエレベータ３の
前記昇降スライダ４に支持される。前記脚柱２４にボー
ト受台２５が嵌着され、該ボート受台２５上にキャップ
受けリング２６が同心に固着される。キャップ受けリン
グ２６の上面にはベース２７が同心に配設され、該ベー
ス２７は周縁部を前記ベース２７の板厚より僅かに厚い
環状のＯリング押え２８により挾持され、該Ｏリング押
え２８は前記キャップ受けリング２６に固着されてい
る。前記ベース２７の上面には外周縁に沿って、全周に
亘り溝２９が刻設され、該溝２９にＯリング３０が嵌入
され、前記フランジ部２０と前記Ｏリング押え２８は前
記Ｏリング３０を介在させて、気密に密着可能となって
いる。又、前記キャップ受けリング２６の内部には全周
に亘り同心に外側部分と内側部分に２重に断面が横長の
矩形の第２冷却水路３１が形成され、該第２冷却水路３
１には図示しない冷却水供給管が接続されている。
【００１３】前記ヒータベース１７下面に前記フランジ
受けリング２２下端迄の前記反応管１４の周囲を覆う
様、板金製のスカベンジャ３２が設けられ、該スカベン
ジャ３２の内周端は前記フランジ受けリング２２の外周
端に近接して設けられ、前記スカベンジャ３２には図示
しないダクトが連通されている。
受けリング２２下端迄の前記反応管１４の周囲を覆う
様、板金製のスカベンジャ３２が設けられ、該スカベン
ジャ３２の内周端は前記フランジ受けリング２２の外周
端に近接して設けられ、前記スカベンジャ３２には図示
しないダクトが連通されている。
【００１４】前記ボートエレベータ３により前記昇降ス
ライダ４が昇降することで前記ボート７の前記反応室１
５への装入、引出しが行われ、前記炉口蓋５により前記
反応管１４下端開口部が閉塞されることにより、前記反
応室１５内は気密に保たれる。該反応室１５内で処理中
発生するＮＯ、ＮＯX ガス等が前記反応管１４下端開口
部から漏出した場合にガスの漏出を検知できる様、処理
中、前記スカベンジャ３２内を前記ダクト（図示せず）
を介して吸引する。
ライダ４が昇降することで前記ボート７の前記反応室１
５への装入、引出しが行われ、前記炉口蓋５により前記
反応管１４下端開口部が閉塞されることにより、前記反
応室１５内は気密に保たれる。該反応室１５内で処理中
発生するＮＯ、ＮＯX ガス等が前記反応管１４下端開口
部から漏出した場合にガスの漏出を検知できる様、処理
中、前記スカベンジャ３２内を前記ダクト（図示せず）
を介して吸引する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の反応炉
では前記Ｏリング３０だけで炉口部開閉部分の気密性を
保っている為、該反応室１５内のガスが該炉口部開閉部
分より漏出する可能性がある。又、漏出しても検知する
迄にある程度時間が掛かり、漏出確認後、ガスの供給を
停止させた時には既にガスが半導体装置内に充満した状
態となっており、漏出箇所の特定が困難となる為、復旧
に長時間を要するという問題点があった。
では前記Ｏリング３０だけで炉口部開閉部分の気密性を
保っている為、該反応室１５内のガスが該炉口部開閉部
分より漏出する可能性がある。又、漏出しても検知する
迄にある程度時間が掛かり、漏出確認後、ガスの供給を
停止させた時には既にガスが半導体装置内に充満した状
態となっており、漏出箇所の特定が困難となる為、復旧
に長時間を要するという問題点があった。
【００１６】又、漏出を抑制し、而も漏出があった場合
に直ちに検出を可能とするものに図４に示すものがあ
る。これは、前記ベース２７の上面に全周に亘り２条の
同心の第１Ｏリング溝３３、第２Ｏリング溝３４を刻設
し、該第１Ｏリング溝３３、第２Ｏリング溝３４にそれ
ぞれ第１Ｏリング３５と第２Ｏリング３６を嵌設し、前
記フランジ部２０と前記べ−ス２７間を前記第１Ｏリン
グ３５、第２Ｏリング３６を介して気密に保ち、該第１
Ｏリング３５と第２Ｏリング３６との間に形成した空隙
３７に吸引管３８を連通し、該吸引管３８を介して前記
空隙３７内を真空引きすることにより該空隙３７内を負
圧とし、炉口部から外部へガスが漏出するのを防止する
ものである。しかし、この場合には、炉口部の構造が複
雑となり生産コストが上昇し、又、メンテナンスも困難
となるという問題があった。
に直ちに検出を可能とするものに図４に示すものがあ
る。これは、前記ベース２７の上面に全周に亘り２条の
同心の第１Ｏリング溝３３、第２Ｏリング溝３４を刻設
し、該第１Ｏリング溝３３、第２Ｏリング溝３４にそれ
ぞれ第１Ｏリング３５と第２Ｏリング３６を嵌設し、前
記フランジ部２０と前記べ−ス２７間を前記第１Ｏリン
グ３５、第２Ｏリング３６を介して気密に保ち、該第１
Ｏリング３５と第２Ｏリング３６との間に形成した空隙
３７に吸引管３８を連通し、該吸引管３８を介して前記
空隙３７内を真空引きすることにより該空隙３７内を負
圧とし、炉口部から外部へガスが漏出するのを防止する
ものである。しかし、この場合には、炉口部の構造が複
雑となり生産コストが上昇し、又、メンテナンスも困難
となるという問題があった。
【００１７】本発明は斯かる実情に鑑み、炉口部から外
部へガスが漏出することを防止し、又、ガスの漏出を瞬
時に検知することができ、メンテナンスの容易化を図ろ
うとするものである。
部へガスが漏出することを防止し、又、ガスの漏出を瞬
時に検知することができ、メンテナンスの容易化を図ろ
うとするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、炉口部をＯリ
ングを介して炉口蓋により気密に閉塞可能とし、前記炉
口蓋と炉口部との境界で前記Ｏリングの外側に検知用流
路を設け、該検知用流路に検知ポートを連通させ、該検
知ポートより吸引する様構成した半導体製造装置の反応
炉に係り、又、前記Ｏリングと前記検知用流路の中心側
壁面との距離を該検知用流路の外周側壁面と前記炉口蓋
外周端との距離より短くした半導体製造装置の反応炉に
係り、更に、前記検知用流路の断面形状の前記Ｏリング
側部分を外周側部分より大きくした半導体製造装置の反
応炉に係るものであり、前記検知用流路内の前記Ｏリン
グ側の排気抵抗を小さくし、該反応炉から外部へのガス
の漏出を防ぎ、ガスの漏出を瞬時に検知する。
ングを介して炉口蓋により気密に閉塞可能とし、前記炉
口蓋と炉口部との境界で前記Ｏリングの外側に検知用流
路を設け、該検知用流路に検知ポートを連通させ、該検
知ポートより吸引する様構成した半導体製造装置の反応
炉に係り、又、前記Ｏリングと前記検知用流路の中心側
壁面との距離を該検知用流路の外周側壁面と前記炉口蓋
外周端との距離より短くした半導体製造装置の反応炉に
係り、更に、前記検知用流路の断面形状の前記Ｏリング
側部分を外周側部分より大きくした半導体製造装置の反
応炉に係るものであり、前記検知用流路内の前記Ｏリン
グ側の排気抵抗を小さくし、該反応炉から外部へのガス
の漏出を防ぎ、ガスの漏出を瞬時に検知する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図１を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００２０】図中４５は有天筒状のヒータであり、該ヒ
ータ４５の内部には石英製の均熱管４６、石英製の反応
管４７が同心多重に配設され、該反応管４７により反応
室４８が画成されている。前記ヒータ４５はヒータベー
ス４９に立設され、該ヒータベース４９には座受け５０
を介してリング座５１が固着され、該リング座５１に均
熱管４６が立設されている。
ータ４５の内部には石英製の均熱管４６、石英製の反応
管４７が同心多重に配設され、該反応管４７により反応
室４８が画成されている。前記ヒータ４５はヒータベー
ス４９に立設され、該ヒータベース４９には座受け５０
を介してリング座５１が固着され、該リング座５１に均
熱管４６が立設されている。
【００２１】前記反応管４７は下端に外鍔状を成すフラ
ンジ部５２を有し、該フランジ部５２を介し前記反応管
４７が炉口フランジ５３に立設されている。該炉口フラ
ンジ５３の上面には前記反応管４７と同心で全周に亘
り、第１Ｏリング溝５４が刻設され、該第１Ｏリング溝
５４には中心側から第１Ｏリング５５、バックアップ材
５６が嵌設される。前記フランジ部５２は前記炉口フラ
ンジ５３に固着されるフランジカバー５７と炉口フラン
ジ５３とで挾持され、前記フランジ部５２と前記炉口フ
ランジ５３との間は前記第１Ｏリング５５を介して気密
にシールされる。前記フランジカバー５７内部には円環
状の第１冷却水路５８が全周に亘り設けられ、該第１冷
却水路５８には冷却水供給管（図示せず）が接続され、
前記炉口フランジ５３内部の前記第１Ｏリング溝５４下
方には全周に亘り、円環上の第２冷却水路５９が設けら
れ、該第２冷却水路５９は図示しない冷却水供給管と接
続され、前記炉口フランジ５３の下面には全周に亘り、
円環状の第１検知用溝６０が刻設されている。
ンジ部５２を有し、該フランジ部５２を介し前記反応管
４７が炉口フランジ５３に立設されている。該炉口フラ
ンジ５３の上面には前記反応管４７と同心で全周に亘
り、第１Ｏリング溝５４が刻設され、該第１Ｏリング溝
５４には中心側から第１Ｏリング５５、バックアップ材
５６が嵌設される。前記フランジ部５２は前記炉口フラ
ンジ５３に固着されるフランジカバー５７と炉口フラン
ジ５３とで挾持され、前記フランジ部５２と前記炉口フ
ランジ５３との間は前記第１Ｏリング５５を介して気密
にシールされる。前記フランジカバー５７内部には円環
状の第１冷却水路５８が全周に亘り設けられ、該第１冷
却水路５８には冷却水供給管（図示せず）が接続され、
前記炉口フランジ５３内部の前記第１Ｏリング溝５４下
方には全周に亘り、円環上の第２冷却水路５９が設けら
れ、該第２冷却水路５９は図示しない冷却水供給管と接
続され、前記炉口フランジ５３の下面には全周に亘り、
円環状の第１検知用溝６０が刻設されている。
【００２２】前記反応管４７の下端開口部を閉塞可能な
炉口蓋６１は脚柱６２を介して図示しないボートエレベ
ータの昇降エレベータに支持される。前記脚柱６２にボ
ート受台６３が嵌着され、該ボート受台６３上にキャッ
プ受けリング６４が同心に固着され、キャップ受けリン
グ６４の上面にはベース６５が同心に配設されている。
該ベース６５は前記炉口フランジ５３の下面を前記炉口
蓋６１が閉塞された時、前記ベース６５の外周面が前記
炉口フランジ５３と非接触で前記反応管４７の内面より
外側に位置し、且前記ベース６５の周縁上面が前記フラ
ンジ部５２の下面に非接触となる様、前記ベース６５の
周縁部の厚みは前記炉口フランジ５３の厚みより僅かに
薄くなっている。
炉口蓋６１は脚柱６２を介して図示しないボートエレベ
ータの昇降エレベータに支持される。前記脚柱６２にボ
ート受台６３が嵌着され、該ボート受台６３上にキャッ
プ受けリング６４が同心に固着され、キャップ受けリン
グ６４の上面にはベース６５が同心に配設されている。
該ベース６５は前記炉口フランジ５３の下面を前記炉口
蓋６１が閉塞された時、前記ベース６５の外周面が前記
炉口フランジ５３と非接触で前記反応管４７の内面より
外側に位置し、且前記ベース６５の周縁上面が前記フラ
ンジ部５２の下面に非接触となる様、前記ベース６５の
周縁部の厚みは前記炉口フランジ５３の厚みより僅かに
薄くなっている。
【００２３】前記キャップ受けリング６４の上面には全
周に亘り、円環状の第２検知用溝６６が刻設され、該第
２検知用溝６６の中心側壁面は前記第１検知用溝６０の
中心側壁面と同位置であり、前記第２検知用溝６６の幅
は前記第１検知用溝６０の幅より大きく、前記炉口蓋６
１が前記炉口フランジ５３の下面を閉塞した時、前記第
１検知用溝６０と前記第２検知用溝６６により検知用流
路６７が形成され、該検知用流路６７の断面は中心側に
凸部を有するＬ字形を成す。前記炉口フランジ５３を貫
通する検知ポート６８は対称位置に２箇所、前記検知用
流路６７の段差面から該検知用流路６７に連通してい
る。
周に亘り、円環状の第２検知用溝６６が刻設され、該第
２検知用溝６６の中心側壁面は前記第１検知用溝６０の
中心側壁面と同位置であり、前記第２検知用溝６６の幅
は前記第１検知用溝６０の幅より大きく、前記炉口蓋６
１が前記炉口フランジ５３の下面を閉塞した時、前記第
１検知用溝６０と前記第２検知用溝６６により検知用流
路６７が形成され、該検知用流路６７の断面は中心側に
凸部を有するＬ字形を成す。前記炉口フランジ５３を貫
通する検知ポート６８は対称位置に２箇所、前記検知用
流路６７の段差面から該検知用流路６７に連通してい
る。
【００２４】前記キャップ受けリング６４の上面で前記
第２検知用溝６６より中心側、且該第２検知用溝６６近
傍には全周に亘り第２Ｏリング溝６９が設けられ、該第
２Ｏリング溝６９と前記第２検知用溝６６中心側壁面と
の距離は、該第２検知用溝６６外周側壁面と前記キャッ
プ受けリング６４の外周端との距離より短い。前記第２
Ｏリング溝６９内に第２Ｏリング７０が嵌設され、前記
炉口フランジ５３と前記炉口蓋６１は前記第２Ｏリング
７０を介して気密に閉塞可能となっている。又、前記キ
ャップ受けリング６４の内部で前記第２Ｏリング溝６９
の下方直近には、全周に亘り円環状の第３冷却水路７１
が設けられている。
第２検知用溝６６より中心側、且該第２検知用溝６６近
傍には全周に亘り第２Ｏリング溝６９が設けられ、該第
２Ｏリング溝６９と前記第２検知用溝６６中心側壁面と
の距離は、該第２検知用溝６６外周側壁面と前記キャッ
プ受けリング６４の外周端との距離より短い。前記第２
Ｏリング溝６９内に第２Ｏリング７０が嵌設され、前記
炉口フランジ５３と前記炉口蓋６１は前記第２Ｏリング
７０を介して気密に閉塞可能となっている。又、前記キ
ャップ受けリング６４の内部で前記第２Ｏリング溝６９
の下方直近には、全周に亘り円環状の第３冷却水路７１
が設けられている。
【００２５】以下、作動を説明する。
【００２６】前記ボートエレベータ（図示せず）により
前記炉口蓋６１を昇降させることで前記反応室４８内へ
のボート（図示せず）の装入、引出しを行う。
前記炉口蓋６１を昇降させることで前記反応室４８内へ
のボート（図示せず）の装入、引出しを行う。
【００２７】前記反応室４８へ前記ボート（図示せず）
を完全に装入した状態では、前記キャップ受けリング６
４が前記炉口フランジ５３の下面に当接し、前記第２Ｏ
リング７０が前記炉口フランジ５３に密着することによ
り前記反応室４８の内外を気密に保つ。
を完全に装入した状態では、前記キャップ受けリング６
４が前記炉口フランジ５３の下面に当接し、前記第２Ｏ
リング７０が前記炉口フランジ５３に密着することによ
り前記反応室４８の内外を気密に保つ。
【００２８】前記検知ポート６８を介して図示しないポ
ンプにより前記検知用流路６７内が真空引され、負圧に
保たれる。吸引されたガスの成分は常時ガス検知器（図
示せず）によって検知されている。更に、該検知用流路
６７の断面形状は前記第２Ｏリング７０側部分が前記検
知ポート６８を連通させた外周側部分より大きく、該検
知用流路６７と前記第２Ｏリング７０との距離が短い
為、該第２Ｏリング７０側の排気抵抗は小さくなる。従
って、前記第２Ｏリング７０の気密性が低下して前記反
応室４８内のガスが前記検知用流路６７内に漏出して
も、該検知用流路６７内のガスを外部に漏出することが
なく、又、吸引されたガスの成分は常時ガス検知器によ
って検知されているので、ガスの漏出を瞬時に検知す
る。
ンプにより前記検知用流路６７内が真空引され、負圧に
保たれる。吸引されたガスの成分は常時ガス検知器（図
示せず）によって検知されている。更に、該検知用流路
６７の断面形状は前記第２Ｏリング７０側部分が前記検
知ポート６８を連通させた外周側部分より大きく、該検
知用流路６７と前記第２Ｏリング７０との距離が短い
為、該第２Ｏリング７０側の排気抵抗は小さくなる。従
って、前記第２Ｏリング７０の気密性が低下して前記反
応室４８内のガスが前記検知用流路６７内に漏出して
も、該検知用流路６７内のガスを外部に漏出することが
なく、又、吸引されたガスの成分は常時ガス検知器によ
って検知されているので、ガスの漏出を瞬時に検知す
る。
【００２９】尚、上記実施の形態に於いては、縦型炉に
ついて説明したが、他の反応炉の炉口部に使用してもよ
い。又、検知用溝は炉口蓋又は炉口フランジのどちらか
一方に刻設してもよい。
ついて説明したが、他の反応炉の炉口部に使用してもよ
い。又、検知用溝は炉口蓋又は炉口フランジのどちらか
一方に刻設してもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、炉口部
開閉部分のＯリングの気密性が低下しても外部にガスが
漏出することなく、前記検知用流路内へ漏出した場合も
瞬時に検知できると共に漏れ箇所の特定も容易で、ガス
漏出後の半導体製造装置の復旧、立上げが容易となる。
又、気密性を高める為に要する生産コストの上昇を抑
え、更に、メンテナンスが容易となる等、種々の優れた
効果を発揮する。
開閉部分のＯリングの気密性が低下しても外部にガスが
漏出することなく、前記検知用流路内へ漏出した場合も
瞬時に検知できると共に漏れ箇所の特定も容易で、ガス
漏出後の半導体製造装置の復旧、立上げが容易となる。
又、気密性を高める為に要する生産コストの上昇を抑
え、更に、メンテナンスが容易となる等、種々の優れた
効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す断面図である。
【図２】従来の縦型半導体製造装置の概略説明図であ
る。
る。
【図３】従来例を示す断面図である。
【図４】他の従来例を示す断面図である。
５３ 炉口フランジ ５７ フランジカバー ６０ 第１検知用溝 ６１ 炉口蓋 ６４ キャップ受けリング ６５ ベース ６６ 第２検知用溝 ６７ 検知用流路 ６８ 検知ポート
Claims (3)
- 【請求項１】 炉口部をＯリングを介して炉口蓋により
気密に閉塞可能とし、前記炉口蓋と炉口部との境界で前
記Ｏリングの外側に検知用流路を設け、該検知用流路に
検知ポートを連通させ、該検知ポートより吸引する様構
成したことを特徴とする半導体製造装置の反応炉。 - 【請求項２】 前記Ｏリングと前記検知用流路の中心側
壁面との距離を該検知用流路の外周側壁面と前記炉口蓋
外周端との距離より短くした請求項１の半導体製造装置
の反応炉。 - 【請求項３】 前記検知用流路の断面形状の前記Ｏリン
グ側部分を外周側部分より大きくした請求項１の半導体
製造装置の反応炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11752697A JP3657386B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11752697A JP3657386B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294286A true JPH10294286A (ja) | 1998-11-04 |
| JPH10294286A5 JPH10294286A5 (ja) | 2005-02-24 |
| JP3657386B2 JP3657386B2 (ja) | 2005-06-08 |
Family
ID=14713977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11752697A Expired - Lifetime JP3657386B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3657386B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009079A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式処理装置 |
-
1997
- 1997-04-21 JP JP11752697A patent/JP3657386B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009079A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3657386B2 (ja) | 2005-06-08 |
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