JPH10294315A

JPH10294315A - 金属配線の形成方法

Info

Publication number: JPH10294315A
Application number: JP10122797A
Authority: JP
Inventors: Masateru Hara; 昌輝原
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-04-18
Filing date: 1997-04-18
Publication date: 1998-11-04

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な工程でＡｌやＣｕなどの金属配線材料
をリフローや高圧埋め込みを可能とする金属配線の形成
方法を提供する。【解決手段】ＳｉＯ₂膜３をエッチングして溝配線を
形成するための溝２を形成したのち、Ｃｕ膜４をスパッ
タ法で成膜する。次に、水素プラズマ５で処理すること
により、Ｃｕ膜４中に水素を拡散させる。その後、水素
雰囲気中でＣｕ膜４についてリフローを行うと、気相中
の水素だけでなく、Ｃｕ膜４中から脱離してゆく水素に
よっても酸化されたＣｕが効率よく還元される。これに
より、低温でＣｕ膜４のリフローが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属配線の形成方
法に関する。詳しくは、半導体装置の作製に用いる埋込
み配線やプラグ等の金属配線の形成方法に係るものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置において、素子と素子、ある
いは素子と外部配線とを電気的に接続するための配線や
プラグ（本明細書では、これらを総称して「金属配線」
又は「配線」と呼ぶ）としては、一般にアルミニウム
（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの金属が用いられる。金属配
線を形成する方法の一つとして、ダマシン（ｄａｍａｓ
ｃｅｎｅ）法が知られている。ダマシン法は、金属配線
の形状に対応した溝を層間絶縁膜に形成してから金属膜
を成膜し、ＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉ
ｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などで上部の不要部分
を削除することによって溝配線を形成する方法である。
ダマシン法を実施するには、カバレッジを向上させるた
めに、細い溝や小さい開口部に金属配線材料を十分に埋
め込ませることが必要があり、そのための方法としてリ
フロー技術や高圧埋込み技術などが用いられている。

【０００３】リフロー技術は、絶縁材料の表面に配線形
成領域となる溝やホールなどの凹部を形成し、この上に
金属膜を成膜し、その後にこの金属を流動化させて溝内
に流し込んで所望の配線とする方法である。リフロー技
術については、Ｐａｒｋ，Ｃ．Ｓ．ｅｔａｌ：Ｖ−
ＭＩＣＣｏｎｆ．，３２６（１９９１）を参照するこ
とができる。一方、高圧埋込み技術は、金属膜の成膜後
に高温を保って金属を流動化させ、不活性ガスであるア
ルゴン（Ａｒ）ガス等を高圧にして金属を溝に押し込む
という方法である。この高圧埋込み技術については、保
坂真弥他：第５０回応用物理学会学術講演会講演予稿集
第２分冊６３６（１９８９）などを参照することができ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、配線材料が
アルミニウム（Ａｌ）の場合、Ａｌを溝などの凹部の上
に成膜した後に大気などの酸化雰囲気にさらすと、低い
温度でのリフローや高圧埋込みがうまくいかないという
問題がある。これはＡｌを成膜したあとに大気にさらす
と表面に酸化膜ができ、これがリフローや高圧埋込みを
阻害するからである。かかる点については、『ロジック
ＬＳＩ技術の革新』（サイエンスフォーラム社）２１１
〜２１４ページを参照することができる。配線材料が銅
（Ｃｕ）の場合にも同様の問題がある。

【０００５】しかし、ＡｌやＣｕを成膜したあとに同じ
真空を維持したまま別の装置へ搬送し、リフローや真空
埋込みを行うのは困難を伴う。Ｃｕの場合については、
真空アニール法や還元法などを用いてリフロー温度を下
げる工夫がなされている（これについては、『ロジック
ＬＳＩ技術の革新』（サイエンスフォーラム社）２１５
〜２２０ページを参照することができる）。しかし、こ
れらの方法も、実際の製造ラインにおいて実行するに
は、種々の問題がある。

【０００６】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、簡単な工程で銅やアルミニウムなどの金属配線
材料についてリフローや高圧埋込みを可能とする金属配
線の形成方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの第１の発明である金属配線の形成方法は、金属配線
を形成するための凹部領域の上に配線材料を成膜する成
膜工程と、成膜された配線材料中に水素イオン及び水素
原子を含むイオンのうち少なくとも一方を注入する注入
工程と、前記イオン注入後の配線材料を前記凹部領域内
に埋め込む埋込み工程とを具備することを特徴とする。

【０００８】第２の発明である金属配線の形成方法は、
金属配線を形成するための凹部領域の上に配線材料を成
膜する成膜工程と、成膜された配線材料の上に水素を吸
蔵した水素吸蔵金属を成膜する水素吸蔵金属成膜工程
と、上部に水素を吸蔵した水素吸蔵金属を成膜した前記
配線材料を前記凹部領域中に埋め込む埋込み工程とを具
備することを特徴とする。

【０００９】第３の発明である金属配線の形成方法は、
金属配線を形成するための凹部領域の上に配線材料を成
膜する成膜工程と、成膜した配線材料の酸化を防止しな
がら前記配線材料の上部に耐酸化性の金属膜を成膜する
耐酸化性金属膜成膜工程と、前記耐酸化性金属膜成膜工
程後の配線材料を前記凹部領域内に埋め込む埋込み工程
とを具備することを特徴とする。

【００１０】第１の発明は、前記のように、成膜された
配線材料中に水素イオンや水素原子を含むイオンを注入
することにより、配線材料中の水素が配線材料から脱離
してゆくときに酸化された配線材料を効果的に還元する
ので、配線材料のリフローや高圧埋込み技術の適用が可
能となり、配線材料を配線形成領域となる凹部領域に確
実に埋め込むことができる。

【００１１】第２の発明は、前記のように、配線材料の
上に水素を吸蔵した水素吸蔵金属を成膜することによ
り、水素吸蔵金属中の水素が脱離してゆくときに酸化さ
れた配線材料を効果的に還元するので、配線材料のリフ
ローや高圧埋込み技術の適用が可能となり、配線材料を
配線形成領域となる凹部領域に確実に埋め込むことがで
きる。

【００１２】第３の発明は、前記のように、成膜した配
線材料の酸化を防止しながら配線材料の上に耐酸化性の
金属膜を成膜することにより、配線材料の酸化が防止さ
れ、したがって配線材料のリフローや高圧埋込み技術の
適用が可能となり、配線材料を配線形成領域となる凹部
領域に確実に埋め込むことができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して、本発明の
一実施形態について説明する。第１実施形態図１は、本出願に係る発明の第１実施形態である銅（Ｃ
ｕ）の溝配線を形成する方法を工程順に説明するための
断面図である。まず、図１（ａ）に示したシリコン基板
１にシラン（ＳｉＨ₄）とＮ₂Ｏを用いて、プラズマＣ
ＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法で０．５μｍのＳｉＯ₂膜３を成膜し、ドラ
イエッチング法で幅０．５μｍの溝２を形成する。図１
（ｂ）にこの状態を示す。尚、実際はＳｉＯ₂膜３の下
には、金属ビアプラグ等があるが、本発明には直接関係
しないので、図では省略している。後述の図２及び図３
についても同様である。

【００１４】次に、図１（ｂ）の上に、厚さ約１．５μ
ｍのＣｕ膜４をスパッタ法により成膜する。但し、図１
（ｃ）に示すように、この段階のＣｕ膜４は平坦ではな
く、ＳｉＯ₂膜３の上では蒲鉾状に、また溝２の底部で
は断面が三角形状になっている。次に、このＣｕ膜４を
成膜したシリコン基板１を３００℃に加熱し、Ｈ₂ガス
１ＳＬＭ、圧力５００ｍＴｏｒｒの雰囲気中で、基板側
に８００Ｖの負のバイアスを印加した状態で、１５００
ＷのＲＦ電力を投入して、水素プラズマ５を発生させ
る。図１（ｄ）は、このときの状態を示している。この
水素プラズマ中には、水素イオンおよび水素ラディカル
が含まれており、これらがＣｕ膜４と反応する。これに
より、Ｃｕ膜４の表層部分（表面から数百オングストロ
ーム程度の深さまで）に、水素が拡散して留まる。処理
時間は約１０分である。

【００１５】続いて、このシリコン基板１を１ＳＬＭ，
１Ｔｏｒｒの水素雰囲気中で約４００℃に加熱し、５分
間保持する。このとき、気相雰囲気中の水素がＣｕ膜４
の酸化物を還元するのに加え、更に水素プラズマによっ
てＣｕ膜４中に導入された水素が表面から脱離してゆく
ときに、Ｃｕ膜４の酸化物を有効に還元する。これによ
り、単に水素雰囲気中で処理した場合に比べて、より効
果的にＣｕ膜４を還元することができ、リフロー前にＣ
ｕ膜を大気にさらしたとしても、脱離する水素がＣｕの
酸化物を還元することによって、確実にＣｕ膜４をリフ
ローさせることができる。このため、Ｃｕ膜４は、Ｃｕ
の融点である１０８０℃よりも大幅に低い４００℃程度
でリフローする。Ｃｕは、リフローすることにより、溝
２の内部に確実に埋め込まれてゆく。

【００１６】Ｃｕ膜４をリフローすると、図１（ｅ）に
示すようにほぼ平坦なＣｕ膜６になると同時に、Ｃｕは
溝２の内部に確実に埋め込まれてゆく。その後、ＣＭＰ
法によってＣｕ膜６の表面を研削することにより、図１
（ｆ）に示すような平坦な埋込み溝配線７が得られる。
ところで、上記では、図１（ｄ）に示したように、Ｃｕ
膜４中に水素を拡散させる方法として水素プラズマを発
生させたが、他の方法として、例えばイオンクラスター
ビームを利用し、水素イオン或いは水素原子を含むイオ
ン（水素原子を構成元素とするイオン、たとえばＳｉＨ
₄やＰＨ₃等のイオン）を注入してもよい。このイオン
クラスタービームについては、例えば、イオンビーム応
用技術編集委員会「イオンビーム応用技術」（シーエム
シー）などを参照することができる。

【００１７】また、第１実施形態で用いた膜の種類や膜
厚の具体的な値などはあくまでも一例にすぎず、これら
は発明の要旨を逸脱しない範囲で変更できる。例えば、
上記では、配線材料としてＣｕを用いたが、Ｃｕの代わ
りにＡｌを用いることもできる。また、Ｃｕを溝内へ埋
め込む方法としてＣｕをリフローさせる方法を用いた
が、高圧埋込み法を適用することもできる。この方法
は、例えばＡｌを成膜した後、溝２の上部にＡｌのブリ
ッジを作り、アルゴン等の不活性ガスの高圧室（６０Ｍ
Ｐａ、４００℃）でＡｌを溝２の内部へ押し込むことに
よって実現できる。この高圧埋込み法は、Ｃｕにも適用
できる。

【００１８】第２実施形態図２は、本出願に係る発明の第２実施形態のＣｕの溝配
線を形成する方法を工程順に説明するための断面図であ
る。まず、図２（ａ）に示したシリコン基板１１にＳｉ
Ｈ₄とＮ₂Ｏを用いて、プラズマＣＶＤ法で０．５μｍ
のＳｉＯ₂膜１３を成膜し、ドライエッチング法で幅
０．５μｍの溝１２を形成する。図２（ｂ）にこの状態
を示す。

【００１９】次に、図２（ｂ）の溝１２の上に、厚さ約
１．５μｍのＣｕ膜１４をスパッタ法により成膜する。
但し、図２（ｃ）に示すようにこの段階のＣｕ膜１４は
平坦ではなく、ＳｉＯ₂膜１３の上では蒲鉾状に、また
溝１２の底部では断面が三角形状になっている。この
後、シリコン基板１１を１００℃の温度に保持し、プラ
ズマ発生用のＡｒガスとＨ₂ガスとの混合ガス（Ａｒ／
Ｈ₂ガス）中で、スパッタ法により、Ｃｕ膜１４の上に
膜厚０．１μｍのパラジウム（Ｐｄ）膜１５を成膜す
る。Ｐｄは水素吸蔵金属であるため、かかる処理によっ
て成膜されたＰｄ膜１５には水素が取り込まれている。

【００２０】続いて、このシリコン基板１１を１ＳＬ
Ｍ，１Ｔｏｒｒの水素雰囲気中で４００℃に加熱し、５
分間保持する。このとき、気相雰囲気中の水素がＣｕ膜
１４の酸化物を還元するのに加え、更にＰｄ膜１５中の
水素が脱離してゆくときにＣｕ膜１４の酸化物を有効に
還元する。これにより、単に水素雰囲気中で処理した場
合に比べて、より効果的にＣｕ膜１４を還元することが
でき、リフロー前にＣｕ膜１４を大気にさらしたとして
も、確実にＣｕ膜１４をリフローさせることができる。
このときＣｕ膜１４は、Ｃｕの融点である１０８０℃よ
りも大幅に低い４００℃程度でリフローする。これによ
り、Ｃｕは溝１２の内部に確実に埋め込まれてゆく。

【００２１】また、Ｃｕをリフローするとき、Ｐｄ膜１
５はそのほとんどが、平坦なＣｕ膜１６の上層に集中し
たままとなっている。したがって、ＣＭＰ法によってＣ
ｕ膜１６の表面を研削するとＰｄはほぼ完全に除去さ
れ、結果的に図２（ｆ）に示すように、Ｃｕの平坦な埋
込み溝配線１７が得られる。ところで、上記では、Ｃｕ
膜１５の上に形成する膜としてＰｄ膜１５を用いた。こ
れは混合ガス（Ａｒ／Ｈ₂ガス）中でＰｄを成膜すると
きに、水素を吸蔵するという性質がある点に着目したも
のである。水素を吸蔵する金属、合金その他の物質（本
明細書では、これらを総称して「水素吸蔵金属」とい
う）は、Ｐｄ以外にも例えばＺｒＭｎ₂、ＬａＣｏ₅、
Ｍｇ₂Ｃｕ、ＬａＮｉなどが知られている。したがっ
て、これらをＰｄの代わりにＣｕ膜１４上に成膜して
も、Ｐｄの場合と同様の効果が期待できる。

【００２２】第２実施形態で用いた膜の種類や膜厚の具
体的な値などはあくまでも一例にすぎず、これらは発明
の要旨を逸脱しない範囲で変更できる。例えば、水素吸
蔵金属に水素を吸蔵させる方法としては、上記のように
スパッタ法による成膜時に同時に水素を吸蔵させる方法
の他、例えば成膜後に水素雰囲気中で加熱するという方
法をとることもできる。また、上記の第２実施形態で
は、配線材料としてＣｕを用いたが、Ｃｕの代わりにＡ
ｌを用いることもできる。更に、Ｃｕを溝内へ埋め込む
方法としてＣｕをリフローさせる方法を用いたが、第１
実施形態の場合と同様に、不活性ガスを用いた高圧埋込
み法を適用することもできる。

【００２３】第３実施形態図３は、本出願に係る発明の第３実施形態であるＣｕの
溝配線を形成する方法を工程順に説明するための断面図
である。まず、図３（ａ）に示したシリコン基板２１に
ＳｉＨ₄とＮ₂Ｏを用いて、プラズマＣＶＤ法で０．５
μｍのＳｉＯ₂膜２３を成膜し、ドライエッチング法で
幅０．５μｍの溝２２を形成する。図３（ｂ）にこの状
態を示す。

【００２４】次に、図３（ｂ）の上に、厚さ約１．５μ
ｍのＣｕ膜２４をスパッタ法により成膜する。但し、図
３（ｃ）に示すようにこの段階のＣｕ膜２４は平坦では
なく、ＳｉＯ₂膜２３の上では蒲鉾状に、溝２２の底部
では断面が三角形状になっている。続いて、Ｃｕ膜２４
を成膜した後のシリコン基板２１を真空中に保持したま
ま、銀（Ａｇ）膜２５を０．２μｍの膜厚で成膜する。
この成膜後の状態を図３（ｄ）に示す。ＡｇはＣｕに比
べて酸化しにくい耐酸化性の金属であるため、Ａｇ膜２
５を成膜したシリコン基板２１を大気にさらしても、Ａ
ｇ膜２５の表面に形成される酸化物層は極めて薄く、ま
たＣｕ膜２４はＡｇ膜２５で覆われているのでほとんど
酸化しない。

【００２５】このシリコン基板２１を１ＳＬＭ、１Ｔｏ
ｒｒの水素雰囲気中て４００℃に加熱して５分間保持す
る。このとき、上にＡｇ膜２５があるためほとんど酸化
していないＣｕ膜は、この程度の比較的低温で容易にリ
フローすることができる。リフローの結果、図３（ｅ）
に示すようにほぼ平坦なＣｕ膜２６になると同時に、Ｃ
ｕは溝２２の内部に均一に埋め込まれてゆく。尚、この
リフローの際にＣｕの中にＡｇが一部混入することがあ
るが、Ａｇの導電性は高いので、Ｃｕを配線に使う場合
であれば、特に不都合は生じない。最後に、ＣＭＰ法に
よってＣｕ膜２６の表面を研削することにより、図１
（ｆ）に示すような平坦な埋込み溝配線２７が得られ
る。

【００２６】このように、本実施形態によれば、Ｃｕ膜
２４を成膜した後、真空中に保持したまま耐酸化性金属
であるＡｇ膜２５を成膜するので、Ｃｕ膜２４はほとん
ど酸化せず、このため配線層となるＣｕ膜２４を４００
℃という低温でリフローすることができ、高いカバレッ
ジを維持しながら微細な金属配線が可能となる。尚、第
３実施形態で用いた膜の種類や膜厚の具体的な値などは
あくまでも一例にすぎず、これらは発明の要旨を逸脱し
ない範囲で変更できる。例えば、上記ではＣｕ膜２４を
成膜した後のシリコン基板２１にＡｇ膜２５を成膜した
が、これ以外の耐酸化性の金属、例えば金（Ａｕ）を成
膜しても同様の効果が得られる。また、上記では、配線
材料としてＣｕを用いたが、Ｃｕの代わりにＡｌを用い
ることもできる。また、Ｃｕを溝内へ埋め込む方法とし
てＣｕをリフローさせる方法を用いたが、第１及び第２
実施形態の場合と同様に、不活性ガスを用いた高圧埋込
み法を適用することもできる。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように、第１の発明によれ
ば、成膜された配線材料中に、例えば水素イオン或いは
水素原子を含むイオンを注入することにより、簡単な方
法でＣｕ、Ａｌ等の金属配線材料の酸化防止及び還元を
比較的低温で、かつ、単に水素雰囲気中で還元した場合
に比べてより効果的に行うことができるので、金属配線
材料のリフローや高圧埋込み技術の適用が可能となり、
このため高いカバレッジを維持しながら微細なピッチの
金属配線が可能となる。

【００２８】また、第２の発明によれば、配線材料の上
に水素を吸蔵した水素吸蔵金属を成膜することにより、
水素吸蔵金属中の水素が脱離してゆくときに酸化された
配線材料を効果的に還元するので、簡単な方法でＣｕ、
Ａｌ等の金属配線材料の酸化防止及び還元を比較的低温
で、かつ、単に水素雰囲気中で還元した場合に比べてよ
り効果的に行うことができるので、金属配線材料のリフ
ローや高圧埋込み技術の適用が可能となり、このため高
いカバレッジを維持しながら微細なピッチの金属配線が
可能となる。

【００２９】更に、第３の発明によれば、配線材料の上
に耐酸化性の金属膜を成膜することによって配線材料の
酸化が防止され、したがって配線材料のリフローや高圧
埋込み技術の適用が可能となり、配線材料を配線形成領
域となる凹部領域に確実に埋め込むことができ、このた
め高いカバレッジを維持しながら微細なピッチの金属配
線が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本出願に係る発明の第１実施形態であるＣｕの
溝配線を形成する方法を工程順に説明するための断面図
であり、（ａ）はシリコン基板１を示し、（ｂ）は成膜
したＳｉＯ₂膜３に溝２を形成した状態を示し、（ｃ）
はＣｕ膜４を成膜した状態を示し、（ｄ）は水素プラズ
マを照射している様子を示し、（ｅ）はＣｕをリフロー
して平坦にした状態を示し、（ｆ）はＣＭＰ法によって
Ｃｕ膜の表面を研削して平坦な埋込み溝配線７を形成し
た状態を示す。

【図２】本出願に係る発明の第２実施形態であるＣｕの
溝配線を形成する方法を工程順に説明するための断面図
であり、（ａ）はシリコン基板１１を示し、（ｂ）は成
膜したＳｉＯ₂膜１３に溝１２を形成した状態を示し、
（ｃ）はＣｕ膜１４を成膜した状態を示し、（ｄ）はＣ
ｕ膜の上にＰｄ膜１５を成膜した状態を示し、（ｅ）は
Ｃｕをリフローして平坦にした状態を示し、（ｆ）はＣ
ＭＰ法によってＣｕ膜の表面を研削して平坦な埋込み溝
配線１７を形成した状態を示す。

【図３】本出願に係る発明の第３実施形態であるＣｕの
溝配線を形成する方法を工程順に説明するための断面図
であり、（ａ）はシリコン基板２１を示し、（ｂ）は成
膜したＳｉＯ₂膜２３に溝２２を形成した状態を示し、
（ｃ）はＣｕ膜２４を成膜した状態を示し、（ｄ）はＣ
ｕ膜の上にＡｇ膜２５を成膜した状態を示し、（ｅ）は
Ｃｕをリフローして平坦にした状態を示し、（ｆ）はＣ
ＭＰ法によってＣｕ膜の表面を研削して平坦な埋込み溝
配線２７を形成した状態を示す。

【符号の説明】

１，１１，２１シリコン基板２，１２，２２溝３，１３，２３ＳｉＯ₂膜４，１４，２４Ｃｕ膜５水素プラズマ６，１６，２６平坦なＣｕ膜７，１７，２７埋込み溝配線１５Ｐｄ膜２５Ａｇ膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属配線を形成するための凹部領域の上
に配線材料を成膜する成膜工程と、成膜された配線材料中に水素イオン及び水素原子を含む
イオンのうち少なくとも一方を注入する注入工程と、前記イオン注入後の配線材料を前記凹部領域内に埋め込
む埋込み工程と、を具備することを特徴とする金属配線の形成方法。
【請求項２】前記注入工程は、イオンクラスタービー
ム法によって水素イオン及び水素原子を含むイオンのう
ち少なくとも一方を注入するものである請求項１記載の
金属配線の形成方法。
【請求項３】前記注入工程は、前記成膜された配線材
料に水素を含むガスで発生されたプラズマを照射するも
のである請求項１記載の金属配線の形成方法。
【請求項４】前記埋込み工程は、前記配線材料を高温
に保つことにより前記配線材料を前記凹部領域に流れ込
ませるものである請求項１記載の金属配線の形成方法。
【請求項５】前記埋込み工程は、所定の温度で前記配
線材料に不活性ガスにより高圧をかけて前記凹部領域中
に前記配線材料を押し込むことによって行うものである
請求項１記載の金属配線の形成方法。
【請求項６】前記埋込み工程の後に、前記配線材料の
不要部分を除去する工程を具備することを特徴とする請
求項１記載の金属配線の形成方法。
【請求項７】前記配線材料は、銅又はアルミニウムで
ある請求項１記載の金属配線の形成方法。
【請求項８】前記凹部領域は、金属配線用の溝又は金
属プラグ用のホールである請求項１記載の金属配線の形
成方法。
【請求項９】前記成膜工程は、スパッタ法により行う
ものである請求項１記載の金属配線の形成方法。
【請求項１０】金属配線を形成するための凹部領域の
上に配線材料を成膜する成膜工程と、成膜された配線材料の上に水素を吸蔵した水素吸蔵金属
を成膜する水素吸蔵金属成膜工程と、上部に水素を吸蔵した水素吸蔵金属を成膜した前記配線
材料を前記凹部領域中に埋め込む埋込み工程と、を具備することを特徴とする金属配線の形成方法。
【請求項１１】前記埋込み工程は、前記配線材料を高
温に保つことにより前記配線材料を前記凹部領域に流れ
込ませるものである請求項１０記載の金属配線の形成方
法。
【請求項１２】前記埋込み工程は、所定の温度で前記
配線材料に不活性ガスにより高圧をかけて前記凹部領域
中に前記配線材料を押し込むことによって行うものであ
る請求項１０記載の金属配線の形成方法。
【請求項１３】前記水素吸蔵金属成膜工程は、プラズ
マ発生用のアルゴンガスに水素を含むガスを添加したガ
ス中でスパッタ法により水素吸蔵金属を成膜するもので
ある請求項１０記載の金属配線の形成方法。
【請求項１４】前記水素吸蔵金属成膜工程は、水素吸
蔵金属を成膜したあとに水素雰囲気下で加熱して前記水
素吸蔵金属に水素を吸蔵させるものである請求項１０記
載の金属配線の形成方法。
【請求項１５】前記埋込み工程の後に、前記配線材料
の不要部分を除去する工程を具備することを特徴とする
請求項１０記載の金属配線の形成方法。
【請求項１６】前記配線材料は、銅又はアルミニウム
である請求項１０記載の金属配線の形成方法。
【請求項１７】前記凹部領域は、金属配線用の溝又は
金属プラグ用のホールである請求項１０記載の金属配線
の形成方法。
【請求項１８】前記成膜工程は、スパッタ法により行
うものである請求項１０記載の金属配線の形成方法。
【請求項１９】金属配線を形成するための凹部領域の
上に配線材料を成膜する成膜工程と、成膜した配線材料の酸化を防止しながら前記配線材料の
上部に耐酸化性の金属膜を成膜する耐酸化性金属膜成膜
工程と、前記耐酸化性金属膜成膜工程後の配線材料を前記凹部領
域内に埋め込む埋込み工程と、を具備することを特徴とする金属配線の形成方法。
【請求項２０】前記埋込み工程は、前記配線材料を高
温に保つことにより前記配線材料を前記凹部領域に流れ
込ませるものである請求項１９記載の金属配線の形成方
法。
【請求項２１】前記埋込み工程は、所定の温度で前記
配線材料に不活性ガスにより高圧をかけて前記凹部領域
中に前記配線材料を押し込むことによって行うものであ
る請求項１９記載の金属配線の形成方法。
【請求項２２】前記埋込み工程の後に、前記配線材料
の不要部分を除去する工程を具備することを特徴とする
請求項１９記載の金属配線の形成方法。
【請求項２３】前記配線材料は、銅又はアルミニウム
である請求項１９記載の金属配線の形成方法。
【請求項２４】前記凹部領域は、金属配線用の溝又は
金属プラグ用のホールである請求項１９記載の金属配線
の形成方法。
【請求項２５】前記成膜工程は、スパッタ法により行
うものである請求項１９記載の金属配線の形成方法。