JPH06140358A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06140358A JPH06140358A JP28973692A JP28973692A JPH06140358A JP H06140358 A JPH06140358 A JP H06140358A JP 28973692 A JP28973692 A JP 28973692A JP 28973692 A JP28973692 A JP 28973692A JP H06140358 A JPH06140358 A JP H06140358A
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】安定したコンタクト抵抗を有するタングステン
等により充填されたコンタクト孔の形成方法を提供す
る。 【構成】コンタクト孔４底部に露出した拡散層２表面に
チタニウムイオン注入層５ａを形成し、熱処理によりチ
タニウムシリサイド層６ａを形成する。さらに全面にス
パッタリング法による窒化チタニウム膜７ａを形成す
る。
等により充填されたコンタクト孔の形成方法を提供す
る。 【構成】コンタクト孔４底部に露出した拡散層２表面に
チタニウムイオン注入層５ａを形成し、熱処理によりチ
タニウムシリサイド層６ａを形成する。さらに全面にス
パッタリング法による窒化チタニウム膜７ａを形成す
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にコンタクト孔に金属膜が充填されてなる半導
体装置の製造方法に関する。
関し、特にコンタクト孔に金属膜が充填されてなる半導
体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化に伴って課題となる
ものの１つに、コンタクト孔における配線の信頼性と平
坦化とがある。この平坦化の解決手段として、コンタク
ト孔への気相成長法によるタングステン膜の埋め込みが
行なわれている。このとき、タングステン膜と絶縁膜と
の密着性を良好にするために、コンタクト孔の表面に密
着層が設けられる。密着層としては、窒化チタニウム膜
が用いられている。
ものの１つに、コンタクト孔における配線の信頼性と平
坦化とがある。この平坦化の解決手段として、コンタク
ト孔への気相成長法によるタングステン膜の埋め込みが
行なわれている。このとき、タングステン膜と絶縁膜と
の密着性を良好にするために、コンタクト孔の表面に密
着層が設けられる。密着層としては、窒化チタニウム膜
が用いられている。
【０００３】コンタクト孔に直接に窒化チタニウム膜を
形成した場合、コンタクト抵抗が高くなる。このため、
窒化チタニウム膜を形成する前に、コンタクト孔の底部
にチタニウムシリサイド層を設ける必要がある。半導体
装置の断面図である図４を参照すると、コンタクト孔４
底部の拡散層２表面へのチタニウムシリサイド膜１６の
形成は、以下のように行なわれる。まず、シリコン基板
１の表面に選択的に拡散層２を形成し、全面に層間絶縁
膜３を形成し、上記拡散層２に達するコンタクト孔４を
形成する。次に、全面にチタニウム膜８ａを形成し、熱
処理を行なってこのチタニウム膜８ａと上記拡散層２の
シリコンとの固相反応を起し、このチタニウムシリサイ
ド膜１６を形成する。
形成した場合、コンタクト抵抗が高くなる。このため、
窒化チタニウム膜を形成する前に、コンタクト孔の底部
にチタニウムシリサイド層を設ける必要がある。半導体
装置の断面図である図４を参照すると、コンタクト孔４
底部の拡散層２表面へのチタニウムシリサイド膜１６の
形成は、以下のように行なわれる。まず、シリコン基板
１の表面に選択的に拡散層２を形成し、全面に層間絶縁
膜３を形成し、上記拡散層２に達するコンタクト孔４を
形成する。次に、全面にチタニウム膜８ａを形成し、熱
処理を行なってこのチタニウム膜８ａと上記拡散層２の
シリコンとの固相反応を起し、このチタニウムシリサイ
ド膜１６を形成する。
【０００４】コンタクト孔４での拡散層とこのコンタク
ト孔４を充填する金属膜との間の接続において、安定な
電気特性を得るためには、このチタニウムシリサイド膜
１６がコンタクト孔５底部の拡散層２表面全面に均一な
膜厚で形成されることが必要となる。このためには、コ
ンタクト孔４表面を覆って形成されるチタン膜の表面被
覆性が良好でなければならない。
ト孔４を充填する金属膜との間の接続において、安定な
電気特性を得るためには、このチタニウムシリサイド膜
１６がコンタクト孔５底部の拡散層２表面全面に均一な
膜厚で形成されることが必要となる。このためには、コ
ンタクト孔４表面を覆って形成されるチタン膜の表面被
覆性が良好でなければならない。
【０００５】半導体装置の断面図である図５を参照する
と、通常のスパッタリング法により形成したチタニウム
膜８ｂは、表面被覆性が悪いため、コンタクト孔４底部
の拡散層２表面でのこのチタニウム膜８ｂの膜厚の均一
性が悪く、特にコンタクト孔４底部の端部におけるチタ
ニウム膜８ｂの膜厚は極めて薄くなる。このため、スパ
ッタリング法によるチタニウム膜の形成は、高アスペク
ト比となる微細コンタクト孔への適用が困難となる。
と、通常のスパッタリング法により形成したチタニウム
膜８ｂは、表面被覆性が悪いため、コンタクト孔４底部
の拡散層２表面でのこのチタニウム膜８ｂの膜厚の均一
性が悪く、特にコンタクト孔４底部の端部におけるチタ
ニウム膜８ｂの膜厚は極めて薄くなる。このため、スパ
ッタリング法によるチタニウム膜の形成は、高アスペク
ト比となる微細コンタクト孔への適用が困難となる。
【０００６】近年、微細コンタクト孔へのチタニウム膜
の形成方法の１つとして、コリメートスパッタリング法
がある。半導体装置の断面図である図６を参照すると、
このコリメートスパッタリング法は、ターゲット（図示
せず）とシリコン基板１との間にコリメータ（図示せ
ず）を設けてスパッタリング粒子の方向をそろえ、チタ
ニウム膜８ｃを成膜する。このため、通常のスパッタリ
ング法に比べて、コンタクト孔４底部で良好な表面被覆
性を得ることができる。
の形成方法の１つとして、コリメートスパッタリング法
がある。半導体装置の断面図である図６を参照すると、
このコリメートスパッタリング法は、ターゲット（図示
せず）とシリコン基板１との間にコリメータ（図示せ
ず）を設けてスパッタリング粒子の方向をそろえ、チタ
ニウム膜８ｃを成膜する。このため、通常のスパッタリ
ング法に比べて、コンタクト孔４底部で良好な表面被覆
性を得ることができる。
【０００７】微細コンタクト孔へのチタニウム膜の別の
形成方法として、例えば赤堀らにより１９９１年の秋季
第５２回応用物理学会学術講演会予稿集６７２頁（講演
番号１０ａ−Ｄ−４）に報告されたように、ＥＣＲプラ
ズマ気相成長法によるチタニウム膜の形成方法がある。
半導体装置の断面図である図７を参照すると、上記報告
は、反応ガスとして４塩化チタニウム（ＴｉＣｌ4 ）と
窒素（Ｎ2 ）とを用いた低温のＥＣＲプラズマによりチ
タニウム膜８ｄを成膜することが可能となり、コンタク
ト孔４底部での良好な表面被覆性を得ることができる。
形成方法として、例えば赤堀らにより１９９１年の秋季
第５２回応用物理学会学術講演会予稿集６７２頁（講演
番号１０ａ−Ｄ−４）に報告されたように、ＥＣＲプラ
ズマ気相成長法によるチタニウム膜の形成方法がある。
半導体装置の断面図である図７を参照すると、上記報告
は、反応ガスとして４塩化チタニウム（ＴｉＣｌ4 ）と
窒素（Ｎ2 ）とを用いた低温のＥＣＲプラズマによりチ
タニウム膜８ｄを成膜することが可能となり、コンタク
ト孔４底部での良好な表面被覆性を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】コンタクト孔底部での
表面被覆性の良好なチタニウム膜の形成方法には、以下
のような問題がある。まず、コリメートスパッタリング
法では、スパッタリングの際にコリメータの穴にもチタ
ニウムが付着するため、コリメータのスリット幅が時間
とともに狭くなり、シリコン基板へのチタニウム膜の成
膜速度が時間とともに低下する。このため、長期にわた
る安定したチタニウム膜の形成は困難となる。一方、Ｅ
ＣＲプラズマ気相成長法では、反応ガスとして４塩化チ
タニウム（ＴｉＣｌ4 ）を用いるため、チタニウム膜中
に塩素がとりこまれやすくなり、後工程で形成されるア
ルミニウム配線の腐食の原因となる。
表面被覆性の良好なチタニウム膜の形成方法には、以下
のような問題がある。まず、コリメートスパッタリング
法では、スパッタリングの際にコリメータの穴にもチタ
ニウムが付着するため、コリメータのスリット幅が時間
とともに狭くなり、シリコン基板へのチタニウム膜の成
膜速度が時間とともに低下する。このため、長期にわた
る安定したチタニウム膜の形成は困難となる。一方、Ｅ
ＣＲプラズマ気相成長法では、反応ガスとして４塩化チ
タニウム（ＴｉＣｌ4 ）を用いるため、チタニウム膜中
に塩素がとりこまれやすくなり、後工程で形成されるア
ルミニウム配線の腐食の原因となる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、表面に選択的に形成された拡散層を有するシ
リコン基板上に絶縁膜を形成し、拡散層に達するコンタ
クト孔を絶縁膜に形成する工程の後に、コンタクト孔底
部に露出した前記拡散層表面へのチタニウムのイオン注
入し、熱処理によるコンタクト孔底部に露出した拡散層
表面へのチタニウムシリサイド層の形成し、コンタクト
孔表面を覆う窒化チタニウム膜の形成する工程，コンタ
クト孔底部に露出した前記拡散層表面へのチタニウムの
イオン注入し、コンタクト孔表面を覆う窒化チタニウム
膜の形成し、熱処理によるコンタクト孔底部に露出した
拡散層表面へのチタニウムシリサイド層の形成する工
程，およびコンタクト孔表面を覆う窒化チタニウム膜の
形成し、窒化チタニウム膜を介してコンタクト孔底部に
露出した前記拡散層表面へのチタニウムのイオン注入
し、熱処理によるコンタクト孔底部に露出した拡散層表
面へのチタニウムシリサイド層の形成する工程のうちの
１つの工程を有し、少なくとも前記コンタクト孔を充填
する金属膜を形成する工程を有する。
造方法は、表面に選択的に形成された拡散層を有するシ
リコン基板上に絶縁膜を形成し、拡散層に達するコンタ
クト孔を絶縁膜に形成する工程の後に、コンタクト孔底
部に露出した前記拡散層表面へのチタニウムのイオン注
入し、熱処理によるコンタクト孔底部に露出した拡散層
表面へのチタニウムシリサイド層の形成し、コンタクト
孔表面を覆う窒化チタニウム膜の形成する工程，コンタ
クト孔底部に露出した前記拡散層表面へのチタニウムの
イオン注入し、コンタクト孔表面を覆う窒化チタニウム
膜の形成し、熱処理によるコンタクト孔底部に露出した
拡散層表面へのチタニウムシリサイド層の形成する工
程，およびコンタクト孔表面を覆う窒化チタニウム膜の
形成し、窒化チタニウム膜を介してコンタクト孔底部に
露出した前記拡散層表面へのチタニウムのイオン注入
し、熱処理によるコンタクト孔底部に露出した拡散層表
面へのチタニウムシリサイド層の形成する工程のうちの
１つの工程を有し、少なくとも前記コンタクト孔を充填
する金属膜を形成する工程を有する。
【００１０】好ましくは、窒化チタニウム膜の形成方法
が、スパッタリング法である。
が、スパッタリング法である。
【００１１】
【作用】本発明の半導体装置の製造方法では、コンタク
ト孔底部の拡散層表面にチタニウムのイオン注入を行な
い、熱処理を行なってチタニウムシリサイド層を形成す
るため、高アスペクト比の微細コンタクト孔の底部に
も、膜厚の均一なチタニウムシリサイド層の形成が可能
となる。
ト孔底部の拡散層表面にチタニウムのイオン注入を行な
い、熱処理を行なってチタニウムシリサイド層を形成す
るため、高アスペクト比の微細コンタクト孔の底部に
も、膜厚の均一なチタニウムシリサイド層の形成が可能
となる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１３】半導体装置の製造工程の断面図である図１
を参照すると、本発明の第１の実施例は、以下のように
なる。
を参照すると、本発明の第１の実施例は、以下のように
なる。
【００１４】まず、シリコン基板１表面に選択的に拡散
層２を形成し、全面に膜厚２μｍ程度の層間絶縁膜３を
形成した後、この拡散層２に達するコンタクト孔４を層
間絶縁膜３に形成する。このコンタクト孔４の径は、
０．４μｍ程度である。次に、エネルギー２０〜４０ｋ
ｅＶ，ドーズ量５×１０15〜５×１０16ｃｍ-2の条件で
チタニウムのイオン注入を行ない、コンタクト孔４底部
に露出した拡散層２の表面にチタニウムイオン注入層５
ａを形成する〔図１（ａ）〕。
層２を形成し、全面に膜厚２μｍ程度の層間絶縁膜３を
形成した後、この拡散層２に達するコンタクト孔４を層
間絶縁膜３に形成する。このコンタクト孔４の径は、
０．４μｍ程度である。次に、エネルギー２０〜４０ｋ
ｅＶ，ドーズ量５×１０15〜５×１０16ｃｍ-2の条件で
チタニウムのイオン注入を行ない、コンタクト孔４底部
に露出した拡散層２の表面にチタニウムイオン注入層５
ａを形成する〔図１（ａ）〕。
【００１５】次に、６００〜８００℃の窒素雰囲気での
熱処理を行ない、上記チタニウムイオン注入層５ａのチ
タニウムと拡散層２のシリコンとを反応させ、コンタク
ト孔４底部に露出した拡散層２の表面にチタニウムシリ
サイド層６ａを形成する〔図１（ｂ）〕。
熱処理を行ない、上記チタニウムイオン注入層５ａのチ
タニウムと拡散層２のシリコンとを反応させ、コンタク
ト孔４底部に露出した拡散層２の表面にチタニウムシリ
サイド層６ａを形成する〔図１（ｂ）〕。
【００１６】次に、全面にスパッタリング法による膜厚
５０ｎｍ程度の窒化チタニウム膜７ａを形成する〔図１
（ａ）〕。続いて、全面に例えば膜厚０．１５μｍ程度
をタングステン膜（図示せず）をスパッタリング法によ
り形成し、層間絶縁膜３上面のタングステン膜および窒
化チタニウム膜７ａをエッチバックし、コンタクト孔４
をタングステン膜と窒化チタニウム膜７ａとにより充填
する。
５０ｎｍ程度の窒化チタニウム膜７ａを形成する〔図１
（ａ）〕。続いて、全面に例えば膜厚０．１５μｍ程度
をタングステン膜（図示せず）をスパッタリング法によ
り形成し、層間絶縁膜３上面のタングステン膜および窒
化チタニウム膜７ａをエッチバックし、コンタクト孔４
をタングステン膜と窒化チタニウム膜７ａとにより充填
する。
【００１７】半導体装置の製造工程の断面図である図２
を参照すると、本発明の第２の実施例は、以下のように
なる。
を参照すると、本発明の第２の実施例は、以下のように
なる。
【００１８】まず、上記第１の実施例と同様に、チタニ
ウムのイオン注入によりチタニウムイオン注入層５ｂを
形成する〔図２（ｂ）〕。次に、上記第１の実施例と同
様の方法により、全面に膜厚５０ｎｍ程度の窒化チタニ
ウム膜７ｂを形成し〔図２（ｂ）〕、６００〜８００℃
の窒素雰囲気での熱処理を行なってコンタクト孔４底部
の拡散層２表面にチタニウムシリサイド層６ｂを形成す
る〔図２（ｃ）〕。さらに上記第１の実施例と同様に、
全面に例えば膜厚０．１５μｍ程度をタングステン膜を
スパッタリング法により形成し、層間絶縁膜３上面のタ
ングステン膜および窒化チタニウム膜７ｂをエッチバッ
クし、コンタクト孔４をタングステン膜と窒化チタニウ
ム膜７ｂとにより充填する。
ウムのイオン注入によりチタニウムイオン注入層５ｂを
形成する〔図２（ｂ）〕。次に、上記第１の実施例と同
様の方法により、全面に膜厚５０ｎｍ程度の窒化チタニ
ウム膜７ｂを形成し〔図２（ｂ）〕、６００〜８００℃
の窒素雰囲気での熱処理を行なってコンタクト孔４底部
の拡散層２表面にチタニウムシリサイド層６ｂを形成す
る〔図２（ｃ）〕。さらに上記第１の実施例と同様に、
全面に例えば膜厚０．１５μｍ程度をタングステン膜を
スパッタリング法により形成し、層間絶縁膜３上面のタ
ングステン膜および窒化チタニウム膜７ｂをエッチバッ
クし、コンタクト孔４をタングステン膜と窒化チタニウ
ム膜７ｂとにより充填する。
【００１９】上記第２の実施例は、上記第１の実施例に
比べて、チタニウムシリサイド層６ｂを形成するための
熱処理を行なうに際して、表面に窒化チタニウム膜７ｂ
が形成されているため、この拡散層２に含まれる導電型
不純物，およびチタニウム原子の外方拡散が抑制され、
コンタクト抵抗の増大が低減されるという利点がある。
比べて、チタニウムシリサイド層６ｂを形成するための
熱処理を行なうに際して、表面に窒化チタニウム膜７ｂ
が形成されているため、この拡散層２に含まれる導電型
不純物，およびチタニウム原子の外方拡散が抑制され、
コンタクト抵抗の増大が低減されるという利点がある。
【００２０】半導体装置の製造工程の断面図である図３
を参照すると、本発明の第３の実施例は、以下のように
なる。
を参照すると、本発明の第３の実施例は、以下のように
なる。
【００２１】まず、コンタクト孔４を形成した後、上記
第１の実施例と同様の方法により、全面に膜厚５０ｎｍ
程度の窒化チタニウム膜７ｃを形成し、続いて、チタニ
ウムのイオン注入によりチタニウムイオン注入層５ｃを
形成する〔図３（ａ）〕。次に、熱処理を行ない、チタ
ニウムシリサイド層６ｃを形成する〔図３（ｂ）〕。続
いて、上記第１の実施例と同様に、全面に例えば膜厚
０．１５μｍ程度をタングステン膜をスパッタリング法
により形成し、層間絶縁膜３上面のタングステン膜およ
び窒化チタニウム膜７ｃをエッチバックし、コンタクト
孔４をタングステン膜と窒化チタニウム膜７ｃとにより
充填する。本実施例は、上記第２の実施例の有する効果
を有している。
第１の実施例と同様の方法により、全面に膜厚５０ｎｍ
程度の窒化チタニウム膜７ｃを形成し、続いて、チタニ
ウムのイオン注入によりチタニウムイオン注入層５ｃを
形成する〔図３（ａ）〕。次に、熱処理を行ない、チタ
ニウムシリサイド層６ｃを形成する〔図３（ｂ）〕。続
いて、上記第１の実施例と同様に、全面に例えば膜厚
０．１５μｍ程度をタングステン膜をスパッタリング法
により形成し、層間絶縁膜３上面のタングステン膜およ
び窒化チタニウム膜７ｃをエッチバックし、コンタクト
孔４をタングステン膜と窒化チタニウム膜７ｃとにより
充填する。本実施例は、上記第２の実施例の有する効果
を有している。
【００２２】
【発明の効果】以上説明しなように本発明の半導体装置
の製造方法は、コンタクト孔底部の拡散層表面にチタニ
ウムのイオン注入を行ない、熱処理を行なってチタニウ
ムシリサイド層を形成するため、高アスペクト比の微細
コンタクト孔の底部にも、塩素を含まない膜厚の均一な
チタニウムシリサイド層を制御性良く形成することが可
能となる。
の製造方法は、コンタクト孔底部の拡散層表面にチタニ
ウムのイオン注入を行ない、熱処理を行なってチタニウ
ムシリサイド層を形成するため、高アスペクト比の微細
コンタクト孔の底部にも、塩素を含まない膜厚の均一な
チタニウムシリサイド層を制御性良く形成することが可
能となる。
【図１】本発明の第１の実施例の製造工程の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２の実施例の製造工程の断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第３の実施例の製造工程の断面図であ
る。
る。
【図４】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図５】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図６】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図７】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
断面図である。
断面図である。
１ シリコン基板 ２ 拡散層 ３ 層間絶縁膜 ４ コンタクト孔 ５ａ，５ｂ，５ｃ チタニウムイオン注入層 ６ａ，６ｂ，６ｃ，１６ チタニウムシリサイド層 ７ａ，７ｂ，７ｃ 窒化チタニウム膜 ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ チタニウム膜
Claims (6)
- 【請求項１】 表面に選択的に形成された拡散層を有す
るシリコン基板上に絶縁膜を形成し、前記拡散層に達す
るコンタクト孔を絶縁膜に形成する工程と、 前記コンタクト孔底部に露出した前記拡散層表面に、チ
タニウムをイオン注入する工程と、 熱処理を行ない、前記コンタクト孔底部に露出した前記
拡散層表面にチタニウムシリサイド層を形成する工程
と、 少なくとも前記コンタクト孔表面を覆う窒化チタニウム
膜を形成する工程と、 少なくとも前記コンタクト孔を充填する金属膜を形成す
る工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記窒化チタニウム膜の形成方法が、ス
パッタリング法であることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置。 - 【請求項３】 表面に選択的に形成された拡散層を有す
るシリコン基板上に絶縁膜を形成し、前記拡散層に達す
るコンタクト孔を絶縁膜に形成する工程と、 前記コンタクト孔底部に露出した前記拡散層表面に、チ
タニウムをイオン注入する工程と、 少なくとも前記コンタクト孔表面を覆う窒化チタニウム
膜を形成する工程と、 熱処理を行ない、前記コンタクト孔底部に露出した前記
拡散層表面にチタニウムシリサイド層を形成する工程
と、 少なくとも前記コンタクト孔を充填する金属膜を形成す
る工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記窒化チタニウム膜の形成方法が、ス
パッタリング法であることを特徴とする請求項３記載の
半導体装置。 - 【請求項５】 表面に選択的に形成された拡散層を有す
るシリコン基板上に絶縁膜を形成し、前記拡散層に達す
るコンタクト孔を絶縁膜に形成する工程と、 少なくとも前記コンタクト孔表面を覆う窒化チタニウム
膜を形成する工程と、 前記コンタクト孔底部に露出した前記拡散層表面に、前
記窒化チタニウム膜を介してチタニウムをイオン注入す
る工程と、 熱処理を行ない、前記コンタクト孔底部の前記拡散層表
面にチタニウムシリサイド層を形成する工程と、 少なくとも前記コンタクト孔を充填する金属膜を形成す
る工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記窒化チタニウム膜の形成方法が、ス
パッタリング法であることを特徴とする請求項５記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28973692A JPH06140358A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28973692A JPH06140358A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140358A true JPH06140358A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17747093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28973692A Pending JPH06140358A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140358A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5700717A (en) * | 1995-11-13 | 1997-12-23 | Vlsi Technology, Inc. | Method of reducing contact resistance for semiconductor manufacturing processes using tungsten plugs |
| US6027990A (en) * | 1996-07-08 | 2000-02-22 | Micron Technology, Inc. | Using implants to lower anneal temperatures |
| US6406998B1 (en) * | 1996-02-05 | 2002-06-18 | Micron Technology, Inc. | Formation of silicided contact by ion implantation |
| JP2002289554A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100459235B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자에서금속배선의장벽금속층형성방법 |
| JP2007287899A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP28973692A patent/JPH06140358A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5700717A (en) * | 1995-11-13 | 1997-12-23 | Vlsi Technology, Inc. | Method of reducing contact resistance for semiconductor manufacturing processes using tungsten plugs |
| US6406998B1 (en) * | 1996-02-05 | 2002-06-18 | Micron Technology, Inc. | Formation of silicided contact by ion implantation |
| US6027990A (en) * | 1996-07-08 | 2000-02-22 | Micron Technology, Inc. | Using implants to lower anneal temperatures |
| KR100459235B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자에서금속배선의장벽금속층형성방법 |
| JP2002289554A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007287899A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990223 |