JPH1029893A - 薄膜形成方法及び記録媒体 - Google Patents
薄膜形成方法及び記録媒体Info
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- JPH1029893A JPH1029893A JP18600796A JP18600796A JPH1029893A JP H1029893 A JPH1029893 A JP H1029893A JP 18600796 A JP18600796 A JP 18600796A JP 18600796 A JP18600796 A JP 18600796A JP H1029893 A JPH1029893 A JP H1029893A
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- Japan
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- film
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被着対象面上に成膜されたダイヤモンド状カ
ーボン（Diamond like carbon, ＤＬＣ）薄膜は、残留
応力が大きく膜剥がれをおこしやすい。そのため、被着
対象面を長期にわたり保護することが困難であった。 【解決手段】 被着対象面が、例えば、光磁気ディスク
の記録層の場合、ポリカーボネート基板１上に誘電体膜
２、磁気膜３、誘電体膜４、反射膜５を順に積層されて
なる記録層６へ、ＲＦ電源を有するプラズマ気層成長
（Chemical Vapor Deposition）法、いわゆるプラズマ
ＣＶＤ法により記録層６に向かって硬度を小さくしてＤ
ＬＣ薄膜を積層させる。すなわち、記録層６上に、硬度
の小さいＤＬＣ薄膜７、硬度の大きいＤＬＣ薄膜８を積
層させる。
ーボン（Diamond like carbon, ＤＬＣ）薄膜は、残留
応力が大きく膜剥がれをおこしやすい。そのため、被着
対象面を長期にわたり保護することが困難であった。 【解決手段】 被着対象面が、例えば、光磁気ディスク
の記録層の場合、ポリカーボネート基板１上に誘電体膜
２、磁気膜３、誘電体膜４、反射膜５を順に積層されて
なる記録層６へ、ＲＦ電源を有するプラズマ気層成長
（Chemical Vapor Deposition）法、いわゆるプラズマ
ＣＶＤ法により記録層６に向かって硬度を小さくしてＤ
ＬＣ薄膜を積層させる。すなわち、記録層６上に、硬度
の小さいＤＬＣ薄膜７、硬度の大きいＤＬＣ薄膜８を積
層させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＲＦプラズマＣＶ
Ｄ法により被着対象上にダイヤモンド状カーボン薄膜を
成膜する薄膜形成方法、及びこの薄膜形成方法によりダ
イヤモンド状カーボン薄膜を記録層上に成膜してなる記
録媒体に関する。
Ｄ法により被着対象上にダイヤモンド状カーボン薄膜を
成膜する薄膜形成方法、及びこの薄膜形成方法によりダ
イヤモンド状カーボン薄膜を記録層上に成膜してなる記
録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば、Ａｌのような被着対象面
の保護を目的として、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた薄
膜形成方法により上記被着対象上にダイヤモンド構造を
持つ炭素系薄膜、いわゆるダイヤモンド状カーボン薄膜
を成膜させていた。
の保護を目的として、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた薄
膜形成方法により上記被着対象上にダイヤモンド構造を
持つ炭素系薄膜、いわゆるダイヤモンド状カーボン薄膜
を成膜させていた。
【０００３】例えば、原料にメタンガスを用いてダイヤ
モンド状カーボン薄膜を形成する従来の薄膜形成方法
は、被着対象面を備えたテストサンプルを減圧された処
理層内に設置し、ついでメタンガスを所定の流量で導入
し、ＲＦ電極に高周波を一定電力、一定時間印加し、ダ
イヤモンド状カーボン薄膜を成膜させていた。
モンド状カーボン薄膜を形成する従来の薄膜形成方法
は、被着対象面を備えたテストサンプルを減圧された処
理層内に設置し、ついでメタンガスを所定の流量で導入
し、ＲＦ電極に高周波を一定電力、一定時間印加し、ダ
イヤモンド状カーボン薄膜を成膜させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、テストサン
プルの被着対象面上に成膜されたダイヤモンド状カーボ
ン薄膜は、成膜後の残留応力が大きいため、膜剥がれを
生じてしまう場合がある。
プルの被着対象面上に成膜されたダイヤモンド状カーボ
ン薄膜は、成膜後の残留応力が大きいため、膜剥がれを
生じてしまう場合がある。
【０００５】そこで本発明は、上記被着対象面上に成膜
されるダイヤモンド状カーボン薄膜の膜剥がれを防ぎ、
上記被着対象面を長期にわたって保護できる薄膜形成方
法の提供を目的とする。また、記録層からのダイヤモン
ド状カーボン薄膜の膜剥がれを防ぎ、記録層を長期にわ
たって保護できる記録媒体の提供を目的とする。
されるダイヤモンド状カーボン薄膜の膜剥がれを防ぎ、
上記被着対象面を長期にわたって保護できる薄膜形成方
法の提供を目的とする。また、記録層からのダイヤモン
ド状カーボン薄膜の膜剥がれを防ぎ、記録層を長期にわ
たって保護できる記録媒体の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜形成方
法は、上記課題を解決するために、被着対象面にダイヤ
モンド状カーボン薄膜を成膜する薄膜形成方法により、
上記被着対象面に向かい硬さが小さくなるダイヤモンド
状カーボン薄膜を成膜させる。これにより、上記被着対
象面に成膜されたダイヤモンド状カーボン薄膜の剥がれ
は少なくなる。
法は、上記課題を解決するために、被着対象面にダイヤ
モンド状カーボン薄膜を成膜する薄膜形成方法により、
上記被着対象面に向かい硬さが小さくなるダイヤモンド
状カーボン薄膜を成膜させる。これにより、上記被着対
象面に成膜されたダイヤモンド状カーボン薄膜の剥がれ
は少なくなる。
【０００７】また、本発明に係る記録媒体は、記録層上
に上記記録層に向かい硬さが小さくなるダイヤモンド状
カーボン薄膜を成膜させる。
に上記記録層に向かい硬さが小さくなるダイヤモンド状
カーボン薄膜を成膜させる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜形成方
法、及び記録媒体の実施の形態について図面を参照しな
がら説明する。
法、及び記録媒体の実施の形態について図面を参照しな
がら説明する。
【０００９】この実施の形態は、上記薄膜形成方法を適
用し、光磁気ディスクの記録層にダイヤモンド状カーボ
ン（Diamond like carbon、ＤＬＣ）薄膜からなるＤＬ
Ｃ保護膜を成膜する図１に示すような薄膜形成装置であ
る。
用し、光磁気ディスクの記録層にダイヤモンド状カーボ
ン（Diamond like carbon、ＤＬＣ）薄膜からなるＤＬ
Ｃ保護膜を成膜する図１に示すような薄膜形成装置であ
る。
【００１０】この薄膜形成装置による上記光磁気ディス
クの記録層へのＤＬＣ薄膜の成膜は、上記光磁気ディス
クの記録層に浮上配置された記録用の磁気ヘッドが何ら
かの外的衝撃により、上記光磁気ディスクと接触する
か、あるいは、上記光磁気ディスクと上記磁気ヘッドと
の間に異物が混入した場合に記録層を保護するために有
効である。
クの記録層へのＤＬＣ薄膜の成膜は、上記光磁気ディス
クの記録層に浮上配置された記録用の磁気ヘッドが何ら
かの外的衝撃により、上記光磁気ディスクと接触する
か、あるいは、上記光磁気ディスクと上記磁気ヘッドと
の間に異物が混入した場合に記録層を保護するために有
効である。
【００１１】この薄膜形成装置は、ＲＦ電源を有するプ
ラズマ気相成長（Chemical Vapor Deposition）法、い
わゆるＲＦプラズマＣＶＤ法を利用しており、減圧系で
原料気体に対して放電電圧を印加することでグロー放電
を起こし、すなわち原料気体をプラズマ化し、電子状態
を活性化させ磁気記録媒体の記録層の表面で分解・結合
等の化学反応を起こさせて薄膜を形成させることがで
き、上記原料気体には、例えばベンゼン、メタン、プロ
パン、エチレン、スチレン、トルエン等の炭素水素が用
いられる。
ラズマ気相成長（Chemical Vapor Deposition）法、い
わゆるＲＦプラズマＣＶＤ法を利用しており、減圧系で
原料気体に対して放電電圧を印加することでグロー放電
を起こし、すなわち原料気体をプラズマ化し、電子状態
を活性化させ磁気記録媒体の記録層の表面で分解・結合
等の化学反応を起こさせて薄膜を形成させることがで
き、上記原料気体には、例えばベンゼン、メタン、プロ
パン、エチレン、スチレン、トルエン等の炭素水素が用
いられる。
【００１２】上記原料気体として例えばメタンガスを用
いて記録層までが形成された未完成の光磁気ディスク
（以下、テストサンプルという）にＤＬＣ薄膜を形成す
る場合について図１を参照しながら説明する。
いて記録層までが形成された未完成の光磁気ディスク
（以下、テストサンプルという）にＤＬＣ薄膜を形成す
る場合について図１を参照しながら説明する。
【００１３】複数枚のテストサンプル２０を処理層２１
内の陽極２５側に設置し、上記処理層２１にガス導入管
２２からメタンガスを流入させ、分子ターボポンプ２３
で上記処理層２１を減圧する。その後、１３．５ＭＨｚ
の高周波の印加により、カーボンがイオン化し、上記イ
オンは陰極２４と陽極２５の間を振動するが、この場
合、電子とイオンの質量が異なり、イオンは陽極２５側
に溜まり、自己バイアス電圧を発生する。この自己バイ
アス電圧、または回路的に加えたＤＣバイアス電圧を可
変電源２６で可変することでＤＬＣ薄膜の形成に最適な
イオンのエネルギー、すなわち２００ｅＶ以下を保持す
る。
内の陽極２５側に設置し、上記処理層２１にガス導入管
２２からメタンガスを流入させ、分子ターボポンプ２３
で上記処理層２１を減圧する。その後、１３．５ＭＨｚ
の高周波の印加により、カーボンがイオン化し、上記イ
オンは陰極２４と陽極２５の間を振動するが、この場
合、電子とイオンの質量が異なり、イオンは陽極２５側
に溜まり、自己バイアス電圧を発生する。この自己バイ
アス電圧、または回路的に加えたＤＣバイアス電圧を可
変電源２６で可変することでＤＬＣ薄膜の形成に最適な
イオンのエネルギー、すなわち２００ｅＶ以下を保持す
る。
【００１４】一般的に、イオンのエネルギーを１０ｅＶ
とすることにより薄膜は生成可能となる。また、自己ス
パッターされて成膜とスパッターが同時に進行すること
により膜生成ができなくなる限界は２００ｅＶである。
このため、成膜エネルギー範囲は、１０ｅＶ〜２００ｅ
Ｖとされる。
とすることにより薄膜は生成可能となる。また、自己ス
パッターされて成膜とスパッターが同時に進行すること
により膜生成ができなくなる限界は２００ｅＶである。
このため、成膜エネルギー範囲は、１０ｅＶ〜２００ｅ
Ｖとされる。
【００１５】また、上記成膜エネルギーは、処理層の真
空度とＲＦの電力に密接な関わりを持ち、薄膜エネルギ
ーを１０ｅＶ〜２００ｅＶ内に設定するには、上記真空
度を１Ｐａ〜９０Ｐａ、上記ＲＦ電力を１０Ｗ〜２００
Ｗとし、自己バイアス電圧を−１０Ｖ〜−５００Ｖの範
囲内で変化させる。
空度とＲＦの電力に密接な関わりを持ち、薄膜エネルギ
ーを１０ｅＶ〜２００ｅＶ内に設定するには、上記真空
度を１Ｐａ〜９０Ｐａ、上記ＲＦ電力を１０Ｗ〜２００
Ｗとし、自己バイアス電圧を−１０Ｖ〜−５００Ｖの範
囲内で変化させる。
【００１６】図１で、例えば、ＲＦパワーを５００Ｗで
投入することで、５０ｅＶのエネルギーでビッカース硬
さが例えば８００Ｋｇ／ｃｍ2 のＤＬＣ保護膜を陽極２
５側に配置された光磁気ディスクの記録層上に成膜す
る。
投入することで、５０ｅＶのエネルギーでビッカース硬
さが例えば８００Ｋｇ／ｃｍ2 のＤＬＣ保護膜を陽極２
５側に配置された光磁気ディスクの記録層上に成膜す
る。
【００１７】さらに、上記ＤＬＣ保護膜の上にＲＦパワ
ーを例えば１５００Ｗとすることで２００ｅＶのエネル
ギーでビッカース硬さが例えば１５００Ｋｇ／ｃｍ2 の
ＤＬＣ保護膜を重ねて成膜する。
ーを例えば１５００Ｗとすることで２００ｅＶのエネル
ギーでビッカース硬さが例えば１５００Ｋｇ／ｃｍ2 の
ＤＬＣ保護膜を重ねて成膜する。
【００１８】図２は、上記方法によりＤＬＣ保護膜が成
膜された光磁気ディスクを示す。すなわち、ポリカーボ
ネート基板１上に順に積層された誘電体膜２、磁気膜
３、誘電体膜４、反射膜５からなる記録層６上に、ビッ
カース硬さが例えば８００Ｋｇ／ｃｍ2のＤＬＣ保護膜
７とビッカース硬さが例えば１５００Ｋｇ／ｃｍ2のＤ
ＬＣ保護膜８が積層された光磁気ディスクが実施の形態
となる薄膜形成装置により得られる。
膜された光磁気ディスクを示す。すなわち、ポリカーボ
ネート基板１上に順に積層された誘電体膜２、磁気膜
３、誘電体膜４、反射膜５からなる記録層６上に、ビッ
カース硬さが例えば８００Ｋｇ／ｃｍ2のＤＬＣ保護膜
７とビッカース硬さが例えば１５００Ｋｇ／ｃｍ2のＤ
ＬＣ保護膜８が積層された光磁気ディスクが実施の形態
となる薄膜形成装置により得られる。
【００１９】ここで、記録層６上に柔らかいＤＬＣ薄膜
７と硬いＤＬＣ薄膜８を積層することで、膜剥がれを防
止でき、上記のように積層された薄膜は保護膜として長
期にわたり有効に作用する。これにより、記録層が長期
にわたり保護される光磁気ディスクを提供できる。
７と硬いＤＬＣ薄膜８を積層することで、膜剥がれを防
止でき、上記のように積層された薄膜は保護膜として長
期にわたり有効に作用する。これにより、記録層が長期
にわたり保護される光磁気ディスクを提供できる。
【００２０】なお、上記薄膜形成装置によって硬さの異
なるＤＬＣ薄膜を二層に積層させた光磁気ディスクに限
定されることなく種々の被着対象面について変更が可能
であり、例えば、磁気ディスク、磁気テープ、さらに磁
気記録再生用ドラムのリード面上にも適用できる。
なるＤＬＣ薄膜を二層に積層させた光磁気ディスクに限
定されることなく種々の被着対象面について変更が可能
であり、例えば、磁気ディスク、磁気テープ、さらに磁
気記録再生用ドラムのリード面上にも適用できる。
【００２１】次に、上記実施の形態のＲＦのパワーを連
続的に、例えば５００Ｗから１５００Ｗに成膜処理中に
変化させると、膜の硬さが上記記録層に向かい連続的に
小さくなるＤＬＣ保護膜が成膜され、図３に示すよう
に、記録層６上に積層される。
続的に、例えば５００Ｗから１５００Ｗに成膜処理中に
変化させると、膜の硬さが上記記録層に向かい連続的に
小さくなるＤＬＣ保護膜が成膜され、図３に示すよう
に、記録層６上に積層される。
【００２２】ここで、記録層６上に硬さが連続的に異な
るＤＬＣ薄膜を成膜することで、膜剥がれを防止でき、
上記のように成膜された薄膜は保護膜として長期にわた
り有効に作用する。これにより、記録層が長期にわたり
保護される光磁気ディスクを提供できる。
るＤＬＣ薄膜を成膜することで、膜剥がれを防止でき、
上記のように成膜された薄膜は保護膜として長期にわた
り有効に作用する。これにより、記録層が長期にわたり
保護される光磁気ディスクを提供できる。
【００２３】なお、上記薄膜形成装置によって硬さが連
続的に変化するＤＬＣ薄膜を成膜させた光磁気ディスク
に限定されることなく種々の被着対象面について変更が
可能であり、例えば、磁気ディスク、磁気テープ、さら
に磁気記録再生用ドラムのリード面等にも適応できる。
続的に変化するＤＬＣ薄膜を成膜させた光磁気ディスク
に限定されることなく種々の被着対象面について変更が
可能であり、例えば、磁気ディスク、磁気テープ、さら
に磁気記録再生用ドラムのリード面等にも適応できる。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係る薄膜形成方法により、被着
対象面の上記被着対象面に向かい硬さが小さくなるダイ
ヤモンド状カーボン薄膜を成膜することができる。これ
により、上記被着対象面に接するダイヤモンド状カーボ
ン薄膜の膜剥がれを防ぐことができ、長期にわたって上
記対被着象面を保護することが可能となる。
対象面の上記被着対象面に向かい硬さが小さくなるダイ
ヤモンド状カーボン薄膜を成膜することができる。これ
により、上記被着対象面に接するダイヤモンド状カーボ
ン薄膜の膜剥がれを防ぐことができ、長期にわたって上
記対被着象面を保護することが可能となる。
【００２５】また、本発明に係る薄膜形成方法により記
録層にダイヤモンド状カーボン薄膜を成膜した記録媒体
は、上記記録層上のダイヤモンド状カーボン薄膜の膜剥
がれを防げるので、長期にわたり記録層が保護され続け
る記録媒体の提供が可能となる。
録層にダイヤモンド状カーボン薄膜を成膜した記録媒体
は、上記記録層上のダイヤモンド状カーボン薄膜の膜剥
がれを防げるので、長期にわたり記録層が保護され続け
る記録媒体の提供が可能となる。
【図１】本発明の実施の形態となる薄膜形成装置の正面
図である。
図である。
【図２】上記薄膜形成装置により薄膜が形成された光磁
気ディスクの断面図である。
気ディスクの断面図である。
【図３】上記薄膜形成装置により薄膜が形成された他の
光磁気ディスクの断面図である。
光磁気ディスクの断面図である。
１ ポリカーボネート基板、２ 誘電体膜、３ 磁気
膜、４ 誘電体膜、５ 反射膜、６ 記録層、７，８，
９ ＤＬＣ保護膜
膜、４ 誘電体膜、５ 反射膜、６ 記録層、７，８，
９ ＤＬＣ保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 11/10 ５４１ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５４１Ｆ
Claims (3)
- 【請求項１】 ＲＦプラズマＣＶＤにより被着対象面上
にダイヤモンド状カーボン薄膜を成膜する薄膜形成方法
において、 上記被着対象面に向かって硬度を小さくしてダイヤモン
ド状カーボン薄膜を成膜することを特徴とする薄膜形成
方法。 - 【請求項２】 上記被着対象面側では、ＲＦ電力を小と
し、膜表面側では、大とすることを特徴とする請求項１
記載の薄膜形成方法。 - 【請求項３】 ＲＦプラズマＣＶＤにより記録層上にダ
イヤモンド状カーボン薄膜を成膜してなる記録媒体にお
いて、 上記ダイヤモンド状カーボン薄膜は、上記記録層に向か
って硬度を小さくしてなることを特徴とする記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18600796A JPH1029893A (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | 薄膜形成方法及び記録媒体 |
| US08/871,378 US6110610A (en) | 1996-06-10 | 1997-06-09 | Photomagnetic recording medium and film forming method |
| CN97105446.0A CN1170196A (zh) | 1996-06-10 | 1997-06-09 | 光盘记录媒体及保护膜形成方法 |
| US09/138,046 US6177150B1 (en) | 1996-06-10 | 1998-08-21 | Photomagnetic recording medium and film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18600796A JPH1029893A (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | 薄膜形成方法及び記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1029893A true JPH1029893A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16180745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18600796A Abandoned JPH1029893A (ja) | 1996-06-10 | 1996-07-16 | 薄膜形成方法及び記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1029893A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030004747A (ko) * | 2001-07-06 | 2003-01-15 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광 디스크의 적층구조 |
-
1996
- 1996-07-16 JP JP18600796A patent/JPH1029893A/ja not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030004747A (ko) * | 2001-07-06 | 2003-01-15 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광 디스크의 적층구조 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060301 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060516 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060718 |