JPH10300856A - イメージングマイクロストリップガスチャンバー - Google Patents
イメージングマイクロストリップガスチャンバーInfo
- Publication number
- JPH10300856A JPH10300856A JP11262897A JP11262897A JPH10300856A JP H10300856 A JPH10300856 A JP H10300856A JP 11262897 A JP11262897 A JP 11262897A JP 11262897 A JP11262897 A JP 11262897A JP H10300856 A JPH10300856 A JP H10300856A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imaging
- gas chamber
- substrate
- strip
- microstrip gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板（サブストレート）として弾性を有する
有機薄膜を用いて、この有機薄膜の下層に位置し、バッ
クストリップに誘起される信号を使って２次元読み出し
を可能にし、大面積で、形状が柔軟性を有するととも
に、２次元座標の同時計測を可能にするイメージングマ
イクロストリップガスチャンバーを提供する。 【解決手段】 マルチチップモジュール（ＭＣＭ）技術
に基づいて、５ｃｍ×５ｃｍ面積の２次元のマイクロス
トリップガスチャンバー（ＭＳＧＣ）を得た。つまり、
ポリイミド薄膜からなる基板１と、陽極ストリップ２、
バックストリップ５を持ち、大面積化が可能で、形状が
柔軟性を有する。
有機薄膜を用いて、この有機薄膜の下層に位置し、バッ
クストリップに誘起される信号を使って２次元読み出し
を可能にし、大面積で、形状が柔軟性を有するととも
に、２次元座標の同時計測を可能にするイメージングマ
イクロストリップガスチャンバーを提供する。 【解決手段】 マルチチップモジュール（ＭＣＭ）技術
に基づいて、５ｃｍ×５ｃｍ面積の２次元のマイクロス
トリップガスチャンバー（ＭＳＧＣ）を得た。つまり、
ポリイミド薄膜からなる基板１と、陽極ストリップ２、
バックストリップ５を持ち、大面積化が可能で、形状が
柔軟性を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチチップモジ
ュール（ＭＣＭ）技術に基づく、２次元のマイクロスト
リップガスチャンバー（ＭＳＧＣ）に関するものであ
る。
ュール（ＭＣＭ）技術に基づく、２次元のマイクロスト
リップガスチャンバー（ＭＳＧＣ）に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】マイクロストリップガスチャンバーは、
優れた位置分解能を備えた新しいタイプのガス比例検出
器として、１９８８年に提案された。そしてまもなく、
ガス計数検出器とシリコンストリップ検出器の両方の長
所を備えた、すなわち、ガス増幅と高い位置分解能とい
う特性を持つものとして着目された。
優れた位置分解能を備えた新しいタイプのガス比例検出
器として、１９８８年に提案された。そしてまもなく、
ガス計数検出器とシリコンストリップ検出器の両方の長
所を備えた、すなわち、ガス増幅と高い位置分解能とい
う特性を持つものとして着目された。
【０００３】今日では、この新しい検出器が今後１０年
において、トラッキング検出器として要求されるほぼ全
ての要件、すなわち、（１）大強度の放射線照射条件に
おいても安定動作する。（２）数十μｍという高い位置
分解能を有する。（３）放射線の耐性が強い。という条
件を満たすものであることは周知の通りである。
において、トラッキング検出器として要求されるほぼ全
ての要件、すなわち、（１）大強度の放射線照射条件に
おいても安定動作する。（２）数十μｍという高い位置
分解能を有する。（３）放射線の耐性が強い。という条
件を満たすものであることは周知の通りである。
【０００４】これらの要件は、新しいイメージングＸ線
検出器が、大強度の放射線照射環境において動作するた
めにも、また重要である。ＭＳＧＣは、通常、マイクロ
エレクトロニクス技術を用いて製造される。この技術を
用いて、絶縁基板上に数百μｍのピッチで薄い陽極と陰
極が交互に連なって並べられる。電極が接近しているこ
とと構造が単純であることが、これらの要件を達成する
ための重要な要素として考えられている。
検出器が、大強度の放射線照射環境において動作するた
めにも、また重要である。ＭＳＧＣは、通常、マイクロ
エレクトロニクス技術を用いて製造される。この技術を
用いて、絶縁基板上に数百μｍのピッチで薄い陽極と陰
極が交互に連なって並べられる。電極が接近しているこ
とと構造が単純であることが、これらの要件を達成する
ための重要な要素として考えられている。
【０００５】近年、ＭＳＧＣは、次の高エネルギーハド
ロン衝突型加速器のための粒子検出器を実現するため
の、最も信頼性のあるトラッキングデバイスの１つとし
て考えられるようになってきた。ただ、大部分のＭＳＧ
Ｃは、これまでガラスや石英基板上で作製されている。
つまり、厚さ数百μｍのガラスをサブストレートに用い
た１次元ＭＳＧＣの開発が中心となっている。
ロン衝突型加速器のための粒子検出器を実現するため
の、最も信頼性のあるトラッキングデバイスの１つとし
て考えられるようになってきた。ただ、大部分のＭＳＧ
Ｃは、これまでガラスや石英基板上で作製されている。
つまり、厚さ数百μｍのガラスをサブストレートに用い
た１次元ＭＳＧＣの開発が中心となっている。
【０００６】しかしながら、１次元ＭＳＧＣでは、イメ
ージングがとれないので、２次元ＭＳＧＣが随所で検討
された。しかし、石英などの硬い基板を用いると、熱膨
張の違いによる破損を生じるので、大面積化が困難であ
った。
ージングがとれないので、２次元ＭＳＧＣが随所で検討
された。しかし、石英などの硬い基板を用いると、熱膨
張の違いによる破損を生じるので、大面積化が困難であ
った。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、厚さ
数百μｍのガラスを基板とした１次元ＭＳＧＣでは、例
えば、Ｘ線結晶解析の際に要求されるような、ほぼ１０
０ｃｍ2 より大きい検出領域をもつ平らで一様に拡がる
基板を形成することはできなかった。本発明は、上記問
題点を除去し、基板（サブストレート）として、弾性を
有する有機薄膜を用いて、この有機薄膜の下層に位置す
るバックストリップに誘起される信号を使って２次元読
み出しを可能にし、大面積で、形状柔軟性を有するとと
もに、２次元座標の同時計測を可能にするイメージング
マイクロストリップガスチャンバーを提供することを目
的とする。
数百μｍのガラスを基板とした１次元ＭＳＧＣでは、例
えば、Ｘ線結晶解析の際に要求されるような、ほぼ１０
０ｃｍ2 より大きい検出領域をもつ平らで一様に拡がる
基板を形成することはできなかった。本発明は、上記問
題点を除去し、基板（サブストレート）として、弾性を
有する有機薄膜を用いて、この有機薄膜の下層に位置す
るバックストリップに誘起される信号を使って２次元読
み出しを可能にし、大面積で、形状柔軟性を有するとと
もに、２次元座標の同時計測を可能にするイメージング
マイクロストリップガスチャンバーを提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕イメージングマイクロストリップガスチャンバー
において、弾性を有する有機薄膜からなる基板と、この
基板上に形成され、交互に平行に配置される陽極ストリ
ップと陰極ストリップと、この陽極ストリップと陰極ス
トリップ間に印加される高電圧と、前記基板の下面に形
成され、前記陽極ストリップと陰極ストリップに交差す
るバックストリップと、所定の間隔を隔てて配置される
ドリフト板と、前記基板の表面と前記ドリフト板間に流
通するガスとを備え、このガスの電子増幅を起こしてＸ
線又は粒子線の信号を取り出し、２次元座標の同時計測
を行うようにしたものである。
成するために、 〔１〕イメージングマイクロストリップガスチャンバー
において、弾性を有する有機薄膜からなる基板と、この
基板上に形成され、交互に平行に配置される陽極ストリ
ップと陰極ストリップと、この陽極ストリップと陰極ス
トリップ間に印加される高電圧と、前記基板の下面に形
成され、前記陽極ストリップと陰極ストリップに交差す
るバックストリップと、所定の間隔を隔てて配置される
ドリフト板と、前記基板の表面と前記ドリフト板間に流
通するガスとを備え、このガスの電子増幅を起こしてＸ
線又は粒子線の信号を取り出し、２次元座標の同時計測
を行うようにしたものである。
【０００９】〔２〕上記〔１〕記載のイメージングマイ
クロストリップガスチャンバーにおいて、前記陰極スト
リップの両エッジ部を弾性を有する有機薄膜で被覆する
ようにしたものである。 〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載のイメージングマイク
ロストリップガスチャンバーにおいて、前記弾性を有す
る有機薄膜としてポリイミド膜を用いるようにしたもの
である。
クロストリップガスチャンバーにおいて、前記陰極スト
リップの両エッジ部を弾性を有する有機薄膜で被覆する
ようにしたものである。 〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載のイメージングマイク
ロストリップガスチャンバーにおいて、前記弾性を有す
る有機薄膜としてポリイミド膜を用いるようにしたもの
である。
【００１０】〔４〕上記〔１〕記載のイメージングマイ
クロストリップガスチャンバーにおいて、前記基板の表
面に有機チタニウムをコーティングし、表面抵抗を制御
するようにしたものである。 〔５〕上記〔１〕記載のイメージングマイクロストリッ
プガスチャンバーにおいて、前記バックストリップの下
方にＩＣパッケージを設け、このＩＣパッケージをＬＳ
Ｉ高密度パッケージとするようにしたものである。
クロストリップガスチャンバーにおいて、前記基板の表
面に有機チタニウムをコーティングし、表面抵抗を制御
するようにしたものである。 〔５〕上記〔１〕記載のイメージングマイクロストリッ
プガスチャンバーにおいて、前記バックストリップの下
方にＩＣパッケージを設け、このＩＣパッケージをＬＳ
Ｉ高密度パッケージとするようにしたものである。
【００１１】〔６〕上記〔１〕記載のイメージングマイ
クロストリップガスチャンバーにおいて、前記バックス
トリップを微小スルーホールを介して、前記基板の上面
の第１のボンディングパッドに接続し、前記ＩＣパッケ
ージの端部を立ち上げて壁部を設け、この壁部の上面に
第２のボンディングパッドを形成し、この第２のボンデ
ィングパッドと前記第１のボンディングパッドとをボン
ディングワイヤで接続するようにしたものである。
クロストリップガスチャンバーにおいて、前記バックス
トリップを微小スルーホールを介して、前記基板の上面
の第１のボンディングパッドに接続し、前記ＩＣパッケ
ージの端部を立ち上げて壁部を設け、この壁部の上面に
第２のボンディングパッドを形成し、この第２のボンデ
ィングパッドと前記第１のボンディングパッドとをボン
ディングワイヤで接続するようにしたものである。
【００１２】〔７〕上記〔１〕記載のイメージングマイ
クロストリップガスチャンバーにおいて、Ｘ線照射を用
いたＸ線イメージング検出器として構成するようにした
ものである。 〔８〕上記〔１〕記載のイメージングマイクロストリッ
プガスチャンバーにおいて、前記陽極ストリップ、陰極
ストリップ及びバックストリップから出力される信号を
処理する２次元読み出し回路を設けるようにしたもので
ある。
クロストリップガスチャンバーにおいて、Ｘ線照射を用
いたＸ線イメージング検出器として構成するようにした
ものである。 〔８〕上記〔１〕記載のイメージングマイクロストリッ
プガスチャンバーにおいて、前記陽極ストリップ、陰極
ストリップ及びバックストリップから出力される信号を
処理する２次元読み出し回路を設けるようにしたもので
ある。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の実施
例を示すＭＳＧＣの分解斜視図、図２はそのＭＳＧＣの
陰極ストリップのエッジの被覆状態を示す図であり、図
２（ａ）はその部分平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の
Ａ部拡大図である。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の実施
例を示すＭＳＧＣの分解斜視図、図２はそのＭＳＧＣの
陰極ストリップのエッジの被覆状態を示す図であり、図
２（ａ）はその部分平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の
Ａ部拡大図である。
【００１４】なお、この図に示される各部の寸法は一例
に過ぎず、適宜変更可能である。この図において、ＭＳ
ＧＣ２次元イメージ素子は５ｃｍ×５ｃｍの有効面積を
持ち、１は基板（サブストレート）であり、厚さ略１７
μｍのポリイミド薄膜を用いる。２はその基板１上に形
成される陽極ストリップであり、１μｍ厚のＡｕ，Ｔｉ
からなり、その幅Ｄ2 が略１０μｍの形状を有する。３
は陰極ストリップであり、１μｍ厚のＡｕ，Ｔｉからな
り、その幅Ｄ3 が略１００μｍの形状を有する。その陽
極ストリップと陰極ストリップとは、交互に配置され
て、陽極ストリップ２のピッチＤ4 は略２００μｍであ
る。
に過ぎず、適宜変更可能である。この図において、ＭＳ
ＧＣ２次元イメージ素子は５ｃｍ×５ｃｍの有効面積を
持ち、１は基板（サブストレート）であり、厚さ略１７
μｍのポリイミド薄膜を用いる。２はその基板１上に形
成される陽極ストリップであり、１μｍ厚のＡｕ，Ｔｉ
からなり、その幅Ｄ2 が略１０μｍの形状を有する。３
は陰極ストリップであり、１μｍ厚のＡｕ，Ｔｉからな
り、その幅Ｄ3 が略１００μｍの形状を有する。その陽
極ストリップと陰極ストリップとは、交互に配置され
て、陽極ストリップ２のピッチＤ4 は略２００μｍであ
る。
【００１５】また、４はセラミックからなるベース基
板、５はそのベース基板４上に形成されるとともに基板
１の下層に位置するバックストリップであり、１μｍ厚
のＡｕ，Ｔｉからなり、その幅Ｄ5 が略１８０μｍの形
状を有する。更に、このようにして形成される素子上に
ほぼ１ｃｍの間隔Ｄ1 を隔ててドリフト板６が配置さ
れ、例えば、アルゴンとエタンからなるガスが流通する
チャンバーが形成される。なお、一般的には、ここで用
いられるガスは、原子量の大きい希ガスが使用され、こ
れに放電を抑えるガス、例えば、メタン、エタン、炭酸
ガス等を混合して用いることができる。
板、５はそのベース基板４上に形成されるとともに基板
１の下層に位置するバックストリップであり、１μｍ厚
のＡｕ，Ｔｉからなり、その幅Ｄ5 が略１８０μｍの形
状を有する。更に、このようにして形成される素子上に
ほぼ１ｃｍの間隔Ｄ1 を隔ててドリフト板６が配置さ
れ、例えば、アルゴンとエタンからなるガスが流通する
チャンバーが形成される。なお、一般的には、ここで用
いられるガスは、原子量の大きい希ガスが使用され、こ
れに放電を抑えるガス、例えば、メタン、エタン、炭酸
ガス等を混合して用いることができる。
【００１６】このように、基板１として厚さが略約１７
μｍのポリイミド薄膜を用いて、このポリイミド薄膜の
下層にあり、セラミックからなるベース板４上のバック
ストリップ５に誘起される信号を使って２次元読み出し
を可能にしている。つまり、ポリイミド薄膜を基板１に
用いて、２次元座標の同時計測を可能にしている。ポリ
イミドは柔軟性、弾性を持つので、完全に平らで滑らか
な表面を持つ、広くて一様な基板の中に、容易に作製で
きる。
μｍのポリイミド薄膜を用いて、このポリイミド薄膜の
下層にあり、セラミックからなるベース板４上のバック
ストリップ５に誘起される信号を使って２次元読み出し
を可能にしている。つまり、ポリイミド薄膜を基板１に
用いて、２次元座標の同時計測を可能にしている。ポリ
イミドは柔軟性、弾性を持つので、完全に平らで滑らか
な表面を持つ、広くて一様な基板の中に、容易に作製で
きる。
【００１７】さらにポリイミドは、ＭＣＭ技術を用い
て、ミクロのスケールで所望の形状に形成することがで
きる。すなわち、このＭＳＧＣでは陽極ストリップを防
御するガーディングマスクとスルーホールは、この技術
により形成されている。それゆえ、基本的に、２次元Ｍ
ＳＧＣのサイズは２０ｃｍ×２０ｃｍ以上の大きさに拡
張することができる。
て、ミクロのスケールで所望の形状に形成することがで
きる。すなわち、このＭＳＧＣでは陽極ストリップを防
御するガーディングマスクとスルーホールは、この技術
により形成されている。それゆえ、基本的に、２次元Ｍ
ＳＧＣのサイズは２０ｃｍ×２０ｃｍ以上の大きさに拡
張することができる。
【００１８】なお、上記実施例では基板としてポリイミ
ドを用いた場合について述べたが、ポリイミド以外であ
っても、弾性を有する有機膜であれば本発明のＭＳＧＣ
を構成可能であり、その際の弾性を有する有機膜として
は、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、ポ
リカーボネイト等が挙げられる。なかでも、ポリイミド
がより望ましい。この際、弾性を有する有機膜の膜厚
は、５μｍ〜１００μｍであれば、使用可能であるが、
１０〜３０μｍがより望ましい。
ドを用いた場合について述べたが、ポリイミド以外であ
っても、弾性を有する有機膜であれば本発明のＭＳＧＣ
を構成可能であり、その際の弾性を有する有機膜として
は、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、ポ
リカーボネイト等が挙げられる。なかでも、ポリイミド
がより望ましい。この際、弾性を有する有機膜の膜厚
は、５μｍ〜１００μｍであれば、使用可能であるが、
１０〜３０μｍがより望ましい。
【００１９】また、ガスの電子増幅を起こして放射線の
信号を取り出すためには、陽極ストリップと陰極ストリ
ップとの間の約５０μｍ間に５００Ｖの電圧を印加する
必要がある。その時、当然、陽極ストリップ２と陰極ス
トリップ３の間での放電が起き易くなる。この放電は電
極を破壊し、ＭＳＧＣにダメージを与えることになるの
で、これを抑えるために、図２に示すように、放電が起
こる陰極ストリップ３の両エッジ３Ａを、厚さ数μｍの
ポリイミド薄膜８で幅７μｍ程度被覆することによって
放電を抑えるようにしている。
信号を取り出すためには、陽極ストリップと陰極ストリ
ップとの間の約５０μｍ間に５００Ｖの電圧を印加する
必要がある。その時、当然、陽極ストリップ２と陰極ス
トリップ３の間での放電が起き易くなる。この放電は電
極を破壊し、ＭＳＧＣにダメージを与えることになるの
で、これを抑えるために、図２に示すように、放電が起
こる陰極ストリップ３の両エッジ３Ａを、厚さ数μｍの
ポリイミド薄膜８で幅７μｍ程度被覆することによって
放電を抑えるようにしている。
【００２０】ＭＳＧＣのような基板を持つ構造の場合、
陰極ストリップ２近傍で起こる増幅作用で作られる正イ
オンが基板上に付着し、その空間電荷効果でゲインの低
下を引き起こしてしまうことがある。そのため、現在、
ポリイミド薄膜からなる基板の適切な抵抗値を見出すよ
うにしており、ポリイミド薄膜の表面に有機チタニュー
ムをコーティングし、表面抵抗を制御するようにしてい
る。
陰極ストリップ２近傍で起こる増幅作用で作られる正イ
オンが基板上に付着し、その空間電荷効果でゲインの低
下を引き起こしてしまうことがある。そのため、現在、
ポリイミド薄膜からなる基板の適切な抵抗値を見出すよ
うにしており、ポリイミド薄膜の表面に有機チタニュー
ムをコーティングし、表面抵抗を制御するようにしてい
る。
【００２１】ＭＳＧＣは、１００μｍ以下の高い位置分
解能を得るために、２００μｍピッチという微小間隔で
Ｘ，Ｙ両方向から信号を取り出している。そのため、５
ｃｍ□ＭＳＧＣの場合、５００本以上の信号線と増幅器
７の接続が必要になる。そこで、本発明では、ＬＳＩ高
密度パッケージに実装し、ＭＳＧＣと回路基板との接合
を改善するように構成している。
解能を得るために、２００μｍピッチという微小間隔で
Ｘ，Ｙ両方向から信号を取り出している。そのため、５
ｃｍ□ＭＳＧＣの場合、５００本以上の信号線と増幅器
７の接続が必要になる。そこで、本発明では、ＬＳＩ高
密度パッケージに実装し、ＭＳＧＣと回路基板との接合
を改善するように構成している。
【００２２】Ｘ線、粒子線の位置を測定するのに必要な
座標は、バックストリップと陽極ストリップからの信号
を用い、粒子のＭＳＧＣガス中でのエネルギー損失を測
定するために陰極ストリップを使用している。陰極スト
リップは読み出しチャンネルを減らすために十本程度を
クループ化して、読み出すようになっている。信号はＩ
Ｃパッケージ１１（図４参照）から取り出せるようにな
っている。
座標は、バックストリップと陽極ストリップからの信号
を用い、粒子のＭＳＧＣガス中でのエネルギー損失を測
定するために陰極ストリップを使用している。陰極スト
リップは読み出しチャンネルを減らすために十本程度を
クループ化して、読み出すようになっている。信号はＩ
Ｃパッケージ１１（図４参照）から取り出せるようにな
っている。
【００２３】次に、このＭＳＧＣの読み出しエレクトロ
ニクスのシステムについて説明する。図３は、本発明の
実施例を示す５ｃｍ×５ｃｍの２次元ＭＳＧＣが搭載さ
れたＰＧＡパッケージの構造を示す図であり、図３
（ａ）は上面を示す斜視図、図３（ｂ）は下面図であ
る。
ニクスのシステムについて説明する。図３は、本発明の
実施例を示す５ｃｍ×５ｃｍの２次元ＭＳＧＣが搭載さ
れたＰＧＡパッケージの構造を示す図であり、図３
（ａ）は上面を示す斜視図、図３（ｂ）は下面図であ
る。
【００２４】ここで、ＩＣパッケージ１１は、８ｃｍ×
８ｃｍサイズのセラミックで作製され、裏側面に０．１
インチのピッチで５４１本を有する。２５４の陽極と２
５５のバックストリップと１７グループの陰極すべて
が、セラミックパッケージ上に金のワイヤボンディング
により接続され、裏面のピン１２に送られているので、
ＭＳＧＣのプレートに直接取り付けなければならないワ
イヤは存在しない。
８ｃｍサイズのセラミックで作製され、裏側面に０．１
インチのピッチで５４１本を有する。２５４の陽極と２
５５のバックストリップと１７グループの陰極すべて
が、セラミックパッケージ上に金のワイヤボンディング
により接続され、裏面のピン１２に送られているので、
ＭＳＧＣのプレートに直接取り付けなければならないワ
イヤは存在しない。
【００２５】図４は本発明の実施例を示す２次元ＭＳＧ
Ｃが搭載されたＩＣパッケージの部分断面図である。な
お、図１と同じ部分については、同じ符号を付してその
説明は省略する。この図において、１０はポリイミド薄
膜からなる基板１の表面に形成され、微小スルホール１
Ａを介してバックストリップ５に接続される第１のボン
ディングパッド、１１はＩＣパッケージ、このＩＣパッ
ケージ１１は、その端部を立ち上げて壁部１１Ａを設
け、この壁部１１Ａの上面に第２のボンディングパッド
１３を形成する。
Ｃが搭載されたＩＣパッケージの部分断面図である。な
お、図１と同じ部分については、同じ符号を付してその
説明は省略する。この図において、１０はポリイミド薄
膜からなる基板１の表面に形成され、微小スルホール１
Ａを介してバックストリップ５に接続される第１のボン
ディングパッド、１１はＩＣパッケージ、このＩＣパッ
ケージ１１は、その端部を立ち上げて壁部１１Ａを設
け、この壁部１１Ａの上面に第２のボンディングパッド
１３を形成する。
【００２６】そこで、第２のボンディングパッド１３と
第１のボンディングパッド１０とをボンディングワイヤ
１４で接続する。図４に概略的に示すように、ポリイミ
ド薄膜からなる基板１の下に配置されるセラミックから
なるベース板４からの信号が、ＭＣＭ技術を用いて微小
スルーホール１Ａを介して、第１のボンディングパッド
１０から第２のボンディングパッド１３へと導出される
こと、及びＭＳＧＣ上の全ての電極から出た全ての第１
のボンディングパッド１０が同一の基板面に配置される
ということは、特に注目に値する。これにより、ＭＳＧ
ＣとＩＣパッケージ１１との接続が大いに簡単になる。
第１のボンディングパッド１０とをボンディングワイヤ
１４で接続する。図４に概略的に示すように、ポリイミ
ド薄膜からなる基板１の下に配置されるセラミックから
なるベース板４からの信号が、ＭＣＭ技術を用いて微小
スルーホール１Ａを介して、第１のボンディングパッド
１０から第２のボンディングパッド１３へと導出される
こと、及びＭＳＧＣ上の全ての電極から出た全ての第１
のボンディングパッド１０が同一の基板面に配置される
ということは、特に注目に値する。これにより、ＭＳＧ
ＣとＩＣパッケージ１１との接続が大いに簡単になる。
【００２７】隣合うストリップ間のクロストークを測定
した結果、ほぼ５％であり、本発明のＭＳＧＣでのデジ
タル読み出しに関しては問題とはならない。図５は本発
明の実施例を示すＭＳＧＣの読み出しシステムのブロッ
ク図である。この図において、１００はＭＳＧＣ、１０
１は陽極からの信号を増幅する前置増幅器、１０２はバ
ックストリップからの信号を増幅する前置増幅器、１０
３は陰極からの信号を増幅する前置増幅器、１０４は前
置増幅器１０１と１０２に接続される主増幅器と波高弁
別器、１０５は波形整形器、１０６は波形整形器に接続
される弁別器、１０７は弁別器１０６に接続されるＣＡ
ＭＡＣマルチヒットＴＤＣ〔ＬｅＣｒｏｙ２２７７〕、
１０８は波形整形器１０５に接続されるＣＡＭＡＣ Ａ
ＤＣ〔ＨＯＳＨＩＮ Ｃ００９〕、１０９はバス、１１
０はＣＰＵ（中央処理装置）である。
した結果、ほぼ５％であり、本発明のＭＳＧＣでのデジ
タル読み出しに関しては問題とはならない。図５は本発
明の実施例を示すＭＳＧＣの読み出しシステムのブロッ
ク図である。この図において、１００はＭＳＧＣ、１０
１は陽極からの信号を増幅する前置増幅器、１０２はバ
ックストリップからの信号を増幅する前置増幅器、１０
３は陰極からの信号を増幅する前置増幅器、１０４は前
置増幅器１０１と１０２に接続される主増幅器と波高弁
別器、１０５は波形整形器、１０６は波形整形器に接続
される弁別器、１０７は弁別器１０６に接続されるＣＡ
ＭＡＣマルチヒットＴＤＣ〔ＬｅＣｒｏｙ２２７７〕、
１０８は波形整形器１０５に接続されるＣＡＭＡＣ Ａ
ＤＣ〔ＨＯＳＨＩＮ Ｃ００９〕、１０９はバス、１１
０はＣＰＵ（中央処理装置）である。
【００２８】この図に示すように、前置増幅器１０１〜
１０３は、５００ｎｓの時定数を持ち、ＬｅＣｒｏｙ
ＴＲＡ１００のモノリシック増幅器のチップを用いるよ
うに設計した。主増幅器と波高弁別器１０４のシステム
としては、高エネルギー加速器研究機構で開発されたシ
ステムを、高速電流の増幅器と弁別器をもつドリフトチ
ャンバー読み出しシステムの１部分として用いた。弁別
されたパルスはＣＡＭＡＣマルチヒットＴＤＣ１０７へ
送られる。
１０３は、５００ｎｓの時定数を持ち、ＬｅＣｒｏｙ
ＴＲＡ１００のモノリシック増幅器のチップを用いるよ
うに設計した。主増幅器と波高弁別器１０４のシステム
としては、高エネルギー加速器研究機構で開発されたシ
ステムを、高速電流の増幅器と弁別器をもつドリフトチ
ャンバー読み出しシステムの１部分として用いた。弁別
されたパルスはＣＡＭＡＣマルチヒットＴＤＣ１０７へ
送られる。
【００２９】次に、本発明の実施例を示すＭＳＧＣのイ
メージングの性能について説明する。ＭＳＧＣをＸ線イ
メージングデバイスとして用いるために、陽極ストリッ
プの他にもう１つ別の電極が必要である。ＭＳＧＣの場
合、陽極ストリップに加えてさらに３電極がある。すな
わち、陰極ストリップ、ドリフト板、バックストリップ
である。陰極ストリップは確かに大きな誘導信号を持つ
が、ほぼ２００ｎｓという立ち上がり時間というのはか
なり遅く、陰極ストリップの電極列は、陽極ストリップ
の電極列と平行に走っている。
メージングの性能について説明する。ＭＳＧＣをＸ線イ
メージングデバイスとして用いるために、陽極ストリッ
プの他にもう１つ別の電極が必要である。ＭＳＧＣの場
合、陽極ストリップに加えてさらに３電極がある。すな
わち、陰極ストリップ、ドリフト板、バックストリップ
である。陰極ストリップは確かに大きな誘導信号を持つ
が、ほぼ２００ｎｓという立ち上がり時間というのはか
なり遅く、陰極ストリップの電極列は、陽極ストリップ
の電極列と平行に走っている。
【００３０】電子なだれで生成したイオンのうちのある
部分は、ドリフト面に向かって流れ、ドリフト面上に信
号を誘導する。しかしながらこれは、ほぼ１０μｓと大
変遅い。バックプレーンにおいても、あるタイプのＭＳ
ＧＣでは誘導信号が観察された。パルス高とパルス形状
は、各ＭＳＧＣのもつ電極の幾何学的構造、基板の厚さ
や材料に依存しているものの、高速信号は、明らかにバ
ックストリップから獲得されている。
部分は、ドリフト面に向かって流れ、ドリフト面上に信
号を誘導する。しかしながらこれは、ほぼ１０μｓと大
変遅い。バックプレーンにおいても、あるタイプのＭＳ
ＧＣでは誘導信号が観察された。パルス高とパルス形状
は、各ＭＳＧＣのもつ電極の幾何学的構造、基板の厚さ
や材料に依存しているものの、高速信号は、明らかにバ
ックストリップから獲得されている。
【００３１】図６は本発明にかかる同じＸ線事象におけ
る、陽極ストリップから得たパルス形状、陰極ストリッ
プのグループから得たパルス形状、バックストリップか
ら得たパルス形状を示す。パルスの降下時間は、前置増
幅器のもつ時定数による（５００ｎｓ）。バックストリ
ップの立ち上がり時間は、数ｎｓという大変な速さで、
その形状は、陽極パルスから、立ち上がり時間がほぼ２
００ｎｓと考えられる陰極パルスを差し引いた残差であ
ると思われる。
る、陽極ストリップから得たパルス形状、陰極ストリッ
プのグループから得たパルス形状、バックストリップか
ら得たパルス形状を示す。パルスの降下時間は、前置増
幅器のもつ時定数による（５００ｎｓ）。バックストリ
ップの立ち上がり時間は、数ｎｓという大変な速さで、
その形状は、陽極パルスから、立ち上がり時間がほぼ２
００ｎｓと考えられる陰極パルスを差し引いた残差であ
ると思われる。
【００３２】イメージング測定では、陽極ストリップと
陰極ストリップとの間の電位を減じるために、陰極スト
リップの幅を、同じ２００μｍピッチで、１００μｍに
変更した。増幅率は、この改善後も３００に固定したま
まであり、陽極ストリップと陰極ストリップ間の電位が
減少する以外、ＭＳＧＣの全ての性能は６３μｍ幅の場
合と同様にした。Ｘ線へのトリガーは、一般に、検出器
自身から得られる信号を用いて生成される。ここでは、
陰極ストリップグループからの信号をトリガー信号とし
て用いた。各グループからの信号は、前置増幅器、波形
整形増幅器、弁別器で構成される、独立したトリガー回
路へ送られる。全てのトリガー回路から弁別された信号
は、１つに結合され、メイントリガーとして利用され
る。メイントリガーは、ＴＤＣｓに対する共通のストッ
プ信号として、また、データ収集システムを起動させる
のに利用される。ヒット位置は、単に、ヒット電極の平
均位置として得た。Ｘ線カラーイメージを得るために、
陰極ストリップの各グループからの整形信号も、ＡＤＣ
（Ａ／Ｄコンバータ：ＣＡＭＡＣ）へ送られた。
陰極ストリップとの間の電位を減じるために、陰極スト
リップの幅を、同じ２００μｍピッチで、１００μｍに
変更した。増幅率は、この改善後も３００に固定したま
まであり、陽極ストリップと陰極ストリップ間の電位が
減少する以外、ＭＳＧＣの全ての性能は６３μｍ幅の場
合と同様にした。Ｘ線へのトリガーは、一般に、検出器
自身から得られる信号を用いて生成される。ここでは、
陰極ストリップグループからの信号をトリガー信号とし
て用いた。各グループからの信号は、前置増幅器、波形
整形増幅器、弁別器で構成される、独立したトリガー回
路へ送られる。全てのトリガー回路から弁別された信号
は、１つに結合され、メイントリガーとして利用され
る。メイントリガーは、ＴＤＣｓに対する共通のストッ
プ信号として、また、データ収集システムを起動させる
のに利用される。ヒット位置は、単に、ヒット電極の平
均位置として得た。Ｘ線カラーイメージを得るために、
陰極ストリップの各グループからの整形信号も、ＡＤＣ
（Ａ／Ｄコンバータ：ＣＡＭＡＣ）へ送られた。
【００３３】このようにして、ＭＳＧＣは、各事象のエ
ネルギー情報を用いて、いくつかのマルチ−バンドイメ
ージを同時に提供する。図７は本発明にかかるＭＳＧＣ
から得られた小さな金属ペンダントの明瞭な像（イメー
ジ）を示す。ペンダントはＭＳＧＣの丁度前面に配置し
た。図７は、Ｘ線ジェネレーターの放射（Ｃｕ特性のＸ
線）で得られたものである。
ネルギー情報を用いて、いくつかのマルチ−バンドイメ
ージを同時に提供する。図７は本発明にかかるＭＳＧＣ
から得られた小さな金属ペンダントの明瞭な像（イメー
ジ）を示す。ペンダントはＭＳＧＣの丁度前面に配置し
た。図７は、Ｘ線ジェネレーターの放射（Ｃｕ特性のＸ
線）で得られたものである。
【００３４】ガス中のドリフト電子による多重散乱効果
を避けるために、６〜８ｋｅＶの低エネルギーＸ線を用
いて、図７を得た。単純な読み出し法を用いて、ＲＭＳ
位置分解能は、ほぼ６０μｍであると概算した。ヒット
したＸ線の数の密度をグレースケールにより示す。ここ
で、濃いグレーは、対数スケールにおいて、数の密度が
より高いことを示す。像（イメージ）の密度が一様であ
ること、及び境界がはっきりしていることは、領域全体
にわたり、検出効率が十分に一様であることを示してい
る。
を避けるために、６〜８ｋｅＶの低エネルギーＸ線を用
いて、図７を得た。単純な読み出し法を用いて、ＲＭＳ
位置分解能は、ほぼ６０μｍであると概算した。ヒット
したＸ線の数の密度をグレースケールにより示す。ここ
で、濃いグレーは、対数スケールにおいて、数の密度が
より高いことを示す。像（イメージ）の密度が一様であ
ること、及び境界がはっきりしていることは、領域全体
にわたり、検出効率が十分に一様であることを示してい
る。
【００３５】Ｘ線イメージの好適な他の例を図８に示
す。図８は本発明にかかる３００μｍ径、６００μｍピ
ッチの非常に微細なスルーホールが形成される高密度回
路ボードのＸ線透視図である。この図から明らかなよう
に、高密度の信号ラインを前置増幅器へ伝達するため
に、白い点として、ライン状に形成された、３００μｍ
径、６００μｍピッチの非常に微細なスルーホールが、
互いにはっきりと識別された。
す。図８は本発明にかかる３００μｍ径、６００μｍピ
ッチの非常に微細なスルーホールが形成される高密度回
路ボードのＸ線透視図である。この図から明らかなよう
に、高密度の信号ラインを前置増幅器へ伝達するため
に、白い点として、ライン状に形成された、３００μｍ
径、６００μｍピッチの非常に微細なスルーホールが、
互いにはっきりと識別された。
【００３６】これは、ＭＳＧＣにおけるＸ線のデジタル
イメージから、材料の濃度の小さな変化が測定可能であ
ることを意味している。このイメージの統計がまだ十分
でないのは、前記したデータ収集システムのイメージ処
理速度がそんなに速くないためである。イメージの統計
量がより高度になれば、より小さな密度変化をさらに見
分けることが可能となる。
イメージから、材料の濃度の小さな変化が測定可能であ
ることを意味している。このイメージの統計がまだ十分
でないのは、前記したデータ収集システムのイメージ処
理速度がそんなに速くないためである。イメージの統計
量がより高度になれば、より小さな密度変化をさらに見
分けることが可能となる。
【００３７】イメージがシャープであることは、イメー
ジのぼやけが、ほぼ１００μｍ未満であることが要求さ
れるＸ線結晶解析にとって、もっとも重要な要件であ
る。ここで、ＭＳＧＣをテストする際、こうした改善に
伴い、Ｘ線光源として高強度のＸ線ジェネレーターを用
いた。その上で、高い計数率での動作に対するＭＳＧＣ
の能力を調べた。
ジのぼやけが、ほぼ１００μｍ未満であることが要求さ
れるＸ線結晶解析にとって、もっとも重要な要件であ
る。ここで、ＭＳＧＣをテストする際、こうした改善に
伴い、Ｘ線光源として高強度のＸ線ジェネレーターを用
いた。その上で、高い計数率での動作に対するＭＳＧＣ
の能力を調べた。
【００３８】まず、最初に、陽極電流の直線性を、ほぼ
２００までの増幅率において、計数率ほぼ２×１０7 Ｈ
ｚ／ｍｍ2 まで調べた。この測定では、パイルアップ効
果を減じるために、ＬｅＣｒｏｙで開発された高速増幅
器ＭＱＳ１０４（γほぼ２０ｎｓ）を用いた。また、こ
の増幅器のもつ増幅率が高いために、ＭＳＧＣの増幅率
をほぼ２００にまで下げた。
２００までの増幅率において、計数率ほぼ２×１０7 Ｈ
ｚ／ｍｍ2 まで調べた。この測定では、パイルアップ効
果を減じるために、ＬｅＣｒｏｙで開発された高速増幅
器ＭＱＳ１０４（γほぼ２０ｎｓ）を用いた。また、こ
の増幅器のもつ増幅率が高いために、ＭＳＧＣの増幅率
をほぼ２００にまで下げた。
【００３９】図９は本発明にかかるＸ線入射粒子数と陽
極電流との関係を示す特性図であり、横軸に単位面積
（ｍｍ2 ）当りの陽極電流（ｎＡ）、縦軸に単位時間
（秒）単位面積（ｍｍ2 ）当りのＸ線入射粒子数（×１
０16個）を示している。この図に示すように、２×１０
7 Ｈｚ／ｍｍ2 というもっとも高い計数率においてさ
え、直線性を保つことがわかった。
極電流との関係を示す特性図であり、横軸に単位面積
（ｍｍ2 ）当りの陽極電流（ｎＡ）、縦軸に単位時間
（秒）単位面積（ｍｍ2 ）当りのＸ線入射粒子数（×１
０16個）を示している。この図に示すように、２×１０
7 Ｈｚ／ｍｍ2 というもっとも高い計数率においてさ
え、直線性を保つことがわかった。
【００４０】図１０は本発明にかかる大強度Ｘ線照射時
の１陽極から発する出力信号のデジタル−オシロスコー
プのイメージを示す。各パルスは、大変高い計数率にお
いてさえ、はっきりと識別される。こうした高い計数率
のもとでどのようにしてＸ線の座標を引き出すかを考え
る場合、このことは大変重要なことである。このよう
に、本発明は、大面積化を図ることができる２次元ＭＳ
ＧＣを提供するものである。
の１陽極から発する出力信号のデジタル−オシロスコー
プのイメージを示す。各パルスは、大変高い計数率にお
いてさえ、はっきりと識別される。こうした高い計数率
のもとでどのようにしてＸ線の座標を引き出すかを考え
る場合、このことは大変重要なことである。このよう
に、本発明は、大面積化を図ることができる２次元ＭＳ
ＧＣを提供するものである。
【００４１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００４２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、大面積で、しかも
形状が柔軟性を有する２次元ＭＳＧＣを提供することが
できる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、大面積で、しかも
形状が柔軟性を有する２次元ＭＳＧＣを提供することが
できる。
【００４３】（２）請求項２記載の発明によれば、陰極
ストリップの両エッジ部を弾性を有する有機薄膜で被覆
するようにしたので、電極の破壊を有効に防止すること
ができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、弾性を有する有機
薄膜としてポリイミド膜を用いるようにしたので、大面
積化が可能で、形状が柔軟性を有する面上に、均一な像
を描くことができる。
ストリップの両エッジ部を弾性を有する有機薄膜で被覆
するようにしたので、電極の破壊を有効に防止すること
ができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、弾性を有する有機
薄膜としてポリイミド膜を用いるようにしたので、大面
積化が可能で、形状が柔軟性を有する面上に、均一な像
を描くことができる。
【００４４】（４）請求項４記載の発明によれば、基板
の表面に有機チタニウムをコーティングするようにした
ので、その基板表面上の抵抗値を制御し、基板表面チャ
ージングを抑制することができる。 （５）請求項５記載の発明によれば、バックストリップ
の下方にＩＣパッケージを設け、このＩＣパッケージを
ＬＳＩ高密度パッケージとするようにしたので、コンバ
クトで高密度に集積された２次元ＭＳＧＣを提供するこ
とができる。
の表面に有機チタニウムをコーティングするようにした
ので、その基板表面上の抵抗値を制御し、基板表面チャ
ージングを抑制することができる。 （５）請求項５記載の発明によれば、バックストリップ
の下方にＩＣパッケージを設け、このＩＣパッケージを
ＬＳＩ高密度パッケージとするようにしたので、コンバ
クトで高密度に集積された２次元ＭＳＧＣを提供するこ
とができる。
【００４５】大面積、例えば、１０ｃｍ×１０ｃｍの有
効面積をもつ大きな２次元ＭＳＧＣを設計することがで
きる。この２次元ＭＳＧＣはほぼ１０００のチャネルを
有し、回路ボードに直接載置し、その上に増幅器を設け
ることができる。 （６）請求項６記載の発明によれば、バックストリップ
を微小スルーホールを介して、基板の上面の第１のボン
ディングパッドに接続し、ＩＣパッケージの端部を立ち
上げて壁部を設け、この壁部の上面に第２のボンディン
グパッドを形成し、この第２のボンディングパッドと第
１のボンディングパッドとをボンディングワイヤで接続
するようにしたので、高密度化が可能で、しかも配線を
容易に行うことができる。
効面積をもつ大きな２次元ＭＳＧＣを設計することがで
きる。この２次元ＭＳＧＣはほぼ１０００のチャネルを
有し、回路ボードに直接載置し、その上に増幅器を設け
ることができる。 （６）請求項６記載の発明によれば、バックストリップ
を微小スルーホールを介して、基板の上面の第１のボン
ディングパッドに接続し、ＩＣパッケージの端部を立ち
上げて壁部を設け、この壁部の上面に第２のボンディン
グパッドを形成し、この第２のボンディングパッドと第
１のボンディングパッドとをボンディングワイヤで接続
するようにしたので、高密度化が可能で、しかも配線を
容易に行うことができる。
【００４６】また、一般的に、半導体分野で利用されて
いる、スルーホール、マイクロレジスターやキャパシタ
ーの形成などの多岐にわたるマイクロエレクトロニクス
技術を用いることが可能である。 （７）請求項７記載の発明によれば、大Ｘ線強度照射に
おいて安定した動作を行うＸ線イメージング検出器を得
ることができる。
いる、スルーホール、マイクロレジスターやキャパシタ
ーの形成などの多岐にわたるマイクロエレクトロニクス
技術を用いることが可能である。 （７）請求項７記載の発明によれば、大Ｘ線強度照射に
おいて安定した動作を行うＸ線イメージング検出器を得
ることができる。
【００４７】Ｘ線照射で２×１０7 Ｈｚ／ｍｍ2 レベル
の高い計数条件における良好な動作が可能である。同時
に１００μｍ以下の高い位置分解能の非常に鮮明な像を
得ることができる。 （８）請求項８記載の発明によれば、陽極ストリップ、
陰極ストリップ及びバックストリップから出力される信
号を処理する２次元読み出し回路を設けるようにしたの
で、２次元座標の同時計測を可能にすることができる。
の高い計数条件における良好な動作が可能である。同時
に１００μｍ以下の高い位置分解能の非常に鮮明な像を
得ることができる。 （８）請求項８記載の発明によれば、陽極ストリップ、
陰極ストリップ及びバックストリップから出力される信
号を処理する２次元読み出し回路を設けるようにしたの
で、２次元座標の同時計測を可能にすることができる。
【図１】本発明の実施例を示すＭＳＧＣの分解斜視図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例を示すＭＳＧＣの陰極ストリッ
プのエッジの被覆状態を示す図である。
プのエッジの被覆状態を示す図である。
【図３】本発明の実施例を示す５ｃｍ×５ｃｍの２次元
ＭＳＧＣが搭載されたＰＧＡパッケージの構造を示す図
である。
ＭＳＧＣが搭載されたＰＧＡパッケージの構造を示す図
である。
【図４】本発明の実施例を示す２次元ＭＳＧＣが搭載さ
れたＩＣパッケージの部分断面図である。
れたＩＣパッケージの部分断面図である。
【図５】本発明の実施例を示すＭＳＧＣの読み出しシス
テムのブロック図である。
テムのブロック図である。
【図６】本発明の実施例を示す同じＸ線事象における、
陽極ストリップから得たパルス形状、陰極ストリップか
ら得たパルス形状、バックストリップから得たパルス形
状を示す図である。
陽極ストリップから得たパルス形状、陰極ストリップか
ら得たパルス形状、バックストリップから得たパルス形
状を示す図である。
【図７】本発明にかかるＭＳＧＣから得られた小さな金
属ペンダントの明瞭な像（イメージ）を示す図である。
属ペンダントの明瞭な像（イメージ）を示す図である。
【図８】本発明にかかる高密度の回路ボードのボンディ
ング部分のＸ線透視図である。
ング部分のＸ線透視図である。
【図９】本発明にかかる１ｍｍ厚さの鉛プレートで、ほ
ぼ５００μｍ径をもつピンホールを通過するＸ線の、２
次元でのエネルギー別強度分布を示す図である。
ぼ５００μｍ径をもつピンホールを通過するＸ線の、２
次元でのエネルギー別強度分布を示す図である。
【図１０】本発明にかかる大強度Ｘ線照射時の１陽極か
ら発する出力信号のデジタル−オシロスコープのイメー
ジを示す図である。
ら発する出力信号のデジタル−オシロスコープのイメー
ジを示す図である。
１ 基板（サブストレート） １Ａ 微小スルホール ２ 陽極ストリップ ３ 陰極ストリップ ３Ａ 両エッジ ４ セラミックからなるベース基板 ５ バックストリップ ６ ドリフト板 ７ 増幅器 ８ ポリイミド薄膜 １０ 第１のボンディングパッド １１ ＩＣパッケージ １１Ａ 壁部 １２ ピン １３ 第２のボンディングパッド １４ ボンディングワイヤ １００ ＭＳＧＣ １０１，１０２，１０３ 前置増幅器 １０４ 主増幅器と波高弁別器 １０５ 波形整形器 １０６ 弁別器 １０７ ＴＤＣ（デジタル・タイミング・コンバー
タ） １０８ ＡＤＣ（Ａ／Ｄコンバータ） １０９ バス １１０ ＣＰＵ（中央処理装置）
タ） １０８ ＡＤＣ（Ａ／Ｄコンバータ） １０９ バス １１０ ＣＰＵ（中央処理装置）
Claims (8)
- 【請求項１】（ａ）弾性を有する有機薄膜からなる基板
と、（ｂ）該基板上に形成され、交互に平行に配置され
る陽極ストリップと陰極ストリップと、（ｃ）前記陽極
ストリップと陰極ストリップ間に印加される高電圧と、
（ｄ）前記基板の下面に形成され、前記陽極ストリップ
と陰極ストリップに交差するバックストリップと、
（ｅ）所定の間隔を隔てて配置されるドリフト板と、
（ｆ）前記基板の表面と前記ドリフト板間に流通するガ
スとを備え、（ｇ）前記ガスの電子増幅を起こしてＸ線
又は粒子線の信号を取り出し、２次元座標の同時計測を
行うことを特徴とするイメージングマイクロストリップ
ガスチャンバー。 - 【請求項２】 請求項１記載のイメージングマイクロス
トリップガスチャンバーにおいて、前記陰極ストリップ
の両エッジ部を弾性を有する有機薄膜で被覆することを
特徴とするイメージングマイクロストリップガスチャン
バー。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のイメージングマイ
クロストリップガスチャンバーにおいて、前記弾性を有
する有機薄膜はポリイミド膜であることを特徴とするイ
メージングマイクロストリップガスチャンバー。 - 【請求項４】 請求項１記載のイメージングマイクロス
トリップガスチャンバーにおいて、前記基板の表面に有
機チタニウムをコーティングし、表面抵抗を制御するこ
とを特徴とするイメージングマイクロストリップガスチ
ャンバー。 - 【請求項５】 請求項１記載のイメージングマイクロス
トリップガスチャンバーにおいて、前記バックストリッ
プの下方にＩＣパッケージを設け、該ＩＣパッケージを
ＬＳＩ高密度パッケージとしたことを特徴とするイメー
ジングマイクロストリップガスチャンバー。 - 【請求項６】 請求項１記載のイメージングマイクロス
トリップガスチャンバーにおいて、前記バックストリッ
プを微小スルーホールを介して、前記基板の上面の第１
のボンディングパッドに接続し、前記ＩＣパッケージの
端部を立ち上げて壁部を設け、該壁部の上面に第２のボ
ンディングパッドを形成し、該第２のボンディングパッ
ドと前記第１のボンディングパッドとをボンディングワ
イヤで接続することを特徴とするイメージングマイクロ
ストリップガスチャンバー。 - 【請求項７】 請求項１記載のイメージングマイクロス
トリップガスチャンバーにおいて、Ｘ線照射を用いたＸ
線イメージング検出器として構成することを特徴とする
イメージングマイクロストリップガスチャンバー。 - 【請求項８】 請求項１記載のイメージングマイクロス
トリップガスチャンバーにおいて、前記陽極ストリッ
プ、陰極ストリップ及びバックストリップから出力され
る信号を処理する２次元読み出し回路を具備することを
特徴とするイメージングマイクロストリップガスチャン
バー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11262897A JP3254164B2 (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | イメージングマイクロストリップガスチャンバー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11262897A JP3254164B2 (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | イメージングマイクロストリップガスチャンバー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10300856A true JPH10300856A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3254164B2 JP3254164B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=14591497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11262897A Expired - Fee Related JP3254164B2 (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | イメージングマイクロストリップガスチャンバー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3254164B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000206252A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Japan Science & Technology Corp | 導電型キャピラリ―プレ―トによるガス放射線検出器 |
| JP2001013251A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Japan Science & Technology Corp | ＭＳＧＣによる反跳電子の軌跡映像からのγ線入射方向決定方法及びその装置 |
| WO2002001249A1 (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-03 | Japan Science And Technology Corporation | Corpuscular beam image detector using gas amplification by pixel type electrodes |
| JP2003509812A (ja) * | 1999-09-03 | 2003-03-11 | サーモ マスラボ リミテッド | 高ダイナミックレンジ質量分析計 |
| JP2008064664A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電粒子線の線量分布測定装置 |
| JP2011099813A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Nagasaki Institute Of Applied Science | ２次元読み出し回路 |
| JP4815434B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2011-11-16 | アイシス・イノヴェイション・リミテッド | 直接電子検出器 |
| JP2011247602A (ja) * | 2010-05-23 | 2011-12-08 | Kobe Univ | 高抵抗電極を用いたピクセル型電極による粒子線画像検出器 |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP11262897A patent/JP3254164B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000206252A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Japan Science & Technology Corp | 導電型キャピラリ―プレ―トによるガス放射線検出器 |
| JP2001013251A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Japan Science & Technology Corp | ＭＳＧＣによる反跳電子の軌跡映像からのγ線入射方向決定方法及びその装置 |
| JP2003509812A (ja) * | 1999-09-03 | 2003-03-11 | サーモ マスラボ リミテッド | 高ダイナミックレンジ質量分析計 |
| JP4869526B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2012-02-08 | サーモ フィニガン リミテッド ライアビリティ カンパニー | 高ダイナミックレンジ質量分析計 |
| WO2002001249A1 (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-03 | Japan Science And Technology Corporation | Corpuscular beam image detector using gas amplification by pixel type electrodes |
| US6822239B2 (en) | 2000-06-27 | 2004-11-23 | Japan Science And Technology Corporation | Corpuscular beam image detector using gas amplification by pixel type electrodes |
| JP4815434B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2011-11-16 | アイシス・イノヴェイション・リミテッド | 直接電子検出器 |
| JP2008064664A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電粒子線の線量分布測定装置 |
| JP2011099813A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Nagasaki Institute Of Applied Science | ２次元読み出し回路 |
| JP2011247602A (ja) * | 2010-05-23 | 2011-12-08 | Kobe Univ | 高抵抗電極を用いたピクセル型電極による粒子線画像検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3254164B2 (ja) | 2002-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3354551B2 (ja) | ピクセル型電極によるガス増幅を用いた粒子線画像検出器 | |
| JP2843319B1 (ja) | マイクロストリップガスチャンバー高速データ収集システム及びそれを用いた試料の測定方法 | |
| JP6092214B2 (ja) | アバランシェ粒子検出器のための検出器読み出しインターフェイス | |
| Tanimori et al. | Development of an imaging microstrip gas chamber with a 5 cm× 5 cm area based on multi-chip module technology | |
| Antinori et al. | Experience with a 30 cm2 silicon pixel plane in CERN experiment WA97 | |
| JP2005515478A (ja) | 粒子ビーム検出用の検出器と該検出器の製造方法 | |
| US4706018A (en) | Noncontact dynamic tester for integrated circuits | |
| JP3254164B2 (ja) | イメージングマイクロストリップガスチャンバー | |
| US6614025B2 (en) | Radiation sensor and dosimeter incorporating same | |
| JPH11316280A (ja) | 直接変換光子検出器 | |
| Tanimori et al. | Imaging gaseous detector based on micro-processing technology | |
| Mettivier et al. | Tritium digital autoradiography with a Medipix2 hybrid silicon pixel detector | |
| Da Via et al. | 3D active edge silicon detector tests with 120 GeV muons | |
| US20160327656A1 (en) | Different radiation measuring sensor and manufacturing method thereof | |
| JP2005026419A (ja) | 半導体放射線検出器及びこれを用いた画像診断装置 | |
| Fischer et al. | Pad readout for gas detectors using 128-channel integrated preamplifiers | |
| JP2005055372A (ja) | マイクロビア電極構造の多次元位置検出型放射線センサー素子 | |
| JP3479230B2 (ja) | 導電型キャピラリープレートによるガス放射線検出器 | |
| JP3479231B2 (ja) | 補助陽極配線を用いた耐放電破壊型マイクロストリップガスチャンバー | |
| Heijne et al. | Construction and characterization of a 117 cm/sup 2/silicon pixel detector | |
| Tanimori et al. | Development of microstrip gas chamber and application to imaging gamma-ray detector | |
| Heijne et al. | A fast high resolution beam hodoscope using silicon microstrip detectors | |
| Macri et al. | Study of 5 and 10 mm thick CZT strip detectors | |
| Mayer et al. | Performance of CdZnTe strip detectors as sub-millimeter resolution imaging gamma radiation spectrometers | |
| Lambrecht et al. | Evaluation of AC-coupled silicon microstrip detectors and Berkeley SVXD readout with 227 GeV/c pions |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010717 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011113 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |