JPH10303156A - 基板洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダウンタイムの発生が少なく、効果的な洗浄
処理を行うことができる基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 装置の立ち上げ時に作業者が洗浄スキャ
ンの開始位置および終了位置等のティーチング処理を行
った（ステップＳ１）後、作業者が各カセットをカセッ
トステージ１１に投入し（ステップＳ２）、その後、作
業者が対象とするカセットに応じてブラシ回転速度、洗
浄スキャン速度、洗浄スキャン幅等が異なった洗浄処理
レシピを設定する（ステップＳ３）。その後、順次、カ
セットごとにそれに対応した洗浄処理レシピに従ってそ
れらのカセットに収納された基板に対して洗浄処理が自
動的に行われていく。そのため、カセット毎にブラシ回
転速度の設定が必要ないため、ダウンタイムの発生が少
なく、効果的な洗浄処理を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、回転する半導体
ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス
基板、光ディスク用基板等の基板（以下「基板」とい
う。）表面にブラシを当接又は近接して洗浄する基板洗
浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、基板洗浄装置とりわけスピン
スクラバにおいては基板を回転しながらブラシを押圧し
て回転しつつ、ブラシがその先端に取り付けられた支持
アームを回動することにより洗浄スキャン動作を行い基
板の洗浄を行っている。

【０００３】このような装置においては基板の膜種や膜
厚等の特性に応じてカセット単位でブラシの回転速度を
微妙に設定して洗浄処理を行っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なブラシ回転速度の設定作業においては、例えばカセッ
ト毎に基板種類が異なる場合に１つのカセットにおける
基板の洗浄処理の終了ごとに装置を停止させて、ダイヤ
ル設定を変更させてブラシ回転速度の設定を変更してい
るため、ダウンタイムが頻繁に発生していた。

【０００５】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、ダウンタイムの発生が少なく、
効果的な基板洗浄を行うことができる基板洗浄装置を提
供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項１の装置は、回転する基板表面に
ブラシを当接又は近接しつつ、当該ブラシを回転させて
基板洗浄を行う基板洗浄装置であって、複数のブラシ回
転速度パターンを記憶する記憶手段と、予め記憶手段に
記憶された複数のブラシ回転速度パターンのうちから任
意のものを選択して指定するパターン指定手段と、指定
されたブラシ回転速度パターンに基づいてブラシ回転速
度を制御する制御手段と、を備える。

【０００７】また、この発明の請求項２の装置は、請求
項１の基板洗浄装置であって、記憶手段がブラシ回転速
度パターンを含む基板洗浄の各種パラメータの集合であ
る洗浄処理パラメータ群を複数記憶するものであり、パ
ターン指定手段が任意の洗浄処理パラメータ群を指定す
ることによって任意のブラシ回転速度パターンを指定す
るものであることを特徴とする。

【０００８】さらに、この発明の請求項３の装置は、請
求項１または請求項２の基板洗浄装置であって、複数の
洗浄ブラシ回転速度パターンが回転速度が０であるブラ
シ回転速度パターンを含むことを特徴とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】

【００１０】

【１．実施の形態における機構的構成と装置配列】図１
（ａ）は第１の実施の形態の基板洗浄装置１の平面図で
あり、図１（ｂ）はその正面図である。以下、図１を用
いてこの基板洗浄装置１について説明していく。

【００１１】図１に示すようにこの装置は、主にインデ
クサ１０、基板搬送部２０、スピンスクラバ３０、メイ
ンコンピュータ４０、メインパネル５０、ティーチング
パネル６０、レシピ設定パネル７０を備えている。

【００１２】インデクサ１０はカセットＣＳをその投入
時に載置するカセットステージ１１およびそれらのカセ
ットＣＳと基板搬送部２０の間で基板の搬送を行う搬送
ユニット１２を備えている。

【００１３】基板搬送部２０は図示しない基板搬送ロボ
ットを備えており、インデクサ１０とスピンスクラバ３
０との間の基板の搬送を行う。

【００１４】スピンスクラバ３０は後に詳述するように
カップ内に基板を保持して回転しながら洗浄する。

【００１５】メインコンピュータ４０はその内部にメモ
リを備え、上記各部の制御を行う。

【００１６】さらに、この装置は後に詳述する３種のコ
ンソールパネルであるメインパネル５０、ティーチング
パネル６０、レシピ設定パネル７０を備えている。

【００１７】そして、以上のような装置構成により、イ
ンデクサ１０に投入される各カセットＣＳの基板Ｗを搬
送ユニット１２により取り出し、基板搬送部２０に受け
渡し、基板搬送部２０は基板搬送ロボットによりその基
板をスピンスクラバ３０に搬送し、そこでその基板を洗
浄し、洗浄が終了すると逆の手順でその基板をもとのカ
セットＣＳに戻すといった動作を各基板に対して順次繰
り返して、インデクサ１０に投入された各カセットＣＳ
の基板Ｗを順次洗浄する。

【００１８】つぎに、この実施の形態のスピンスクラバ
３０を図面を用いて説明する。図２はスピンスクラバ３
０の要部の概略縦断面図であり、図３は平面図である。

【００１９】スピンチャック３１は電動モータ３１１が
その駆動軸周りに設けられた軸受け３１２を介して鉛直
方向の軸芯周りで回転する回転軸３１３に連結されてお
り、さらに、その回転軸上端には基板Ｗを吸着保持する
回転台３１４とを備えるとともに、回転軸３１３の内部
には軸方向に沿って図示しない真空経路が設けられてお
り、その一端は回転台３１４上面に設けられた図示しな
い吸引口に連結されているとともに、他端は軸受け３１
４を通じて外部の真空配管３１５に連結され、真空配管
３１５は１つのポートが大気解放された三方弁３１６を
介して外部の真空ラインに連結されている。

【００２０】そして、回転台３１４上面に基板Ｗを載置
した状態で、吸引口から真空経路等を通じて真空源に連
通させることによって基板Ｗを吸着保持した状態で電動
モータ３１１の駆動により鉛直方向の軸芯周りで回転す
る。

【００２１】カップ３２はスピンチャック３１およびそ
れによって保持された基板Ｗ等の周囲を覆うように設け
られ、図示しない昇降駆動機構によって昇降可能となっ
ており、洗浄処理中に上昇して基板Ｗから飛散する洗浄
液の飛沫の外部への飛散を防止し、基板Ｗの搬出入時に
は降下、退避する。

【００２２】バックリンスノズル３３はカップ３２の内
部に設けられており、スピンチャック３１に保持された
基板Ｗの裏面に純水等の洗浄液を噴射する。

【００２３】リンスノズル３４はカップ３２の側方に設
けられており、基板Ｗの回転中心側に向けて純水などの
洗浄液を噴射供給する。

【００２４】ブラシ部３５はカップ３２側方に設けられ
ている。図４はブラシ部３５の機構的構成を示す図であ
る。図４に示すように、アングル形状の支持アーム３５
１の回転支軸３５２が前述のスピンチャック３１、カッ
プ３２、バックリンスノズル３３、リンスノズル３４が
設けられた基台３６に固設された支持体３５３に昇降お
よび鉛直方向の第１の軸芯Ｐ１周りで回動可能に設けら
れるとともに、その回転筒３５４に昇降のみ可能に設け
られ、その支持アーム３５１の先端部分の下部に、鉛直
方向の第２の軸芯Ｐ２周りで回転可能に、基板Ｗ表面を
洗浄する洗浄ブラシ３５５が設けられている。

【００２５】さらに、回転支軸３５２の下方には、出力
ロッド３５６ａを回転支軸３５２の下端に押し当てて進
退させることにより支持アーム３５１を昇降させる昇降
用エアシリンダ３５６が設けられている。また、回転筒
３５４にタイミングベルト３５７を介してアーム回動モ
ータ３５８が連動連結されている。図中、エンコーダ３
５９は、洗浄ブラシ３５５が基板Ｗの中心位置ＣＰ（図
３参照）付近の洗浄スキャン開始位置、基板Ｗの外周縁
位置ＥＰ（図３参照）付近の洗浄スキャン終了位置、お
よび、基板Ｗの上方から外れた非洗浄時の待機位置ＷＰ
のいずれにあるかを検出する。

【００２６】このエンコーダの検出結果を監視しつつ、
アーム回動モータ３５８の駆動を制御することにより後
述する設定された洗浄処理レシピの「洗浄スキャン周
期」や「洗浄スキャン幅」の項目に応じて、洗浄ブラシ
３５５による洗浄スキャン周期や洗浄スキャン幅を変更
することができる。

【００２７】そして、バックリンスノズル３３やリンス
ノズル３４から洗浄液を回転している基板Ｗ上に噴出し
つつ、基板Ｗ上方に洗浄ブラシ３５５が位置するように
支持アーム３５１が移動し（図３参照）、支持アーム３
５１が降下して基板Ｗ上面に当接又は近接した（図２参
照）後、洗浄ブラシ３５５が回転することによって基板
Ｗの洗浄を行う。

【００２８】なお、基板Ｗの洗浄中、洗浄ブラシ３５５
を回転しつつ、支持アーム３５１が図３の矢符Ａ１のよ
うに基板中心付近から基板外周付近へ回動動作を行うこ
とによって基板Ｗ上面の全面を洗浄する。この際の支持
アーム３５１の矢符Ａ１方向の回動を以下、洗浄スキャ
ンと呼ぶ。

【００２９】図５は支持アーム３５１の断面図である。
支持アーム３５１の先端部にはブラシ回転押圧機構３７
が設けられている。ブラシ回転押圧機構３７において、
洗浄ブラシ３５５は角軸として形成された回転軸３７１
下端に設けられ、ベアリング３７２は回転軸３７１の４
つの側面にそれぞれ２個ずつローラ３７２ａの外周面が
当接したベアリングとなっており、回転軸３７１は上下
方向に移動可能であるとともに、ベアリング３７２に取
り付けられた回転体３７３の回転とともに回転軸３７１
は回転可能となっている。

【００３０】回転体３７３の外周に取り付けられたプー
リ３７４と支持アーム３５１のブラシ回転モータ３８１
に取り付けられたプーリ３８２との間にはタイミングベ
ルト３７５が掛けられており、回転スピード可変可能な
ブラシ回転モータ３８１と連動して回転体３７３が回転
し、その回転の駆動力がベアリング３７２を介して回転
軸３７１を回転させ、それによって洗浄ブラシ３５５が
鉛直方向を軸として回転する。ブラシ回転モータ３８１
の回転スピードを制御することにより後述する設定され
た洗浄処理レシピの「ブラシ回転速度」の項目に応じ
て、洗浄ブラシ３５５の回転速度を変更することができ
る。

【００３１】さらに、回転体３７３上部にはバネ３７６
が設けられ、その上部には押圧板３７７が設けられてい
る。そしてエアシリンダ３７８には圧力計３９１、電空
レギュレータ３９２、開閉弁３９３を介して給排気管３
９が連結され、その給排気管３９はエア供給源３９４
（図６参照）に連結している。そして、圧力計３９１に
よる圧力信号をもとにＣＰＵ３００（図６参照）が電空
レギュレータ３９２を制御し、エア流量を調節してエア
シリンダ３７８に供給するエアの圧力を制御する。そし
て、エアシリンダ３７８の押圧力に応じて押圧板３７７
が押下されることによって回転軸３７１が押下され、そ
れにより洗浄ブラシ３５５が基板Ｗ上に押圧される圧力
が制御される。

【００３２】つぎに、主要部についてさらに詳細に説明
していく。

【００３３】図６は第１の実施の形態の基板洗浄装置１
における全体構成図である。ＣＰＵ４１およびメモリ４
２を備えたメインコンピュータ４０にはメインパネル５
０、４機のレシピ設定パネル７０、基板搬送部２０の制
御機構、インデクサ１０の制御機構およびスピンスクラ
バ３０のＣＰＵ３００が接続されており、さらにそのＣ
ＰＵ３００には主に洗浄液供給源３３１，３４１、電動
モータ３１１、三方弁３１６、昇降用エアシリンダ３５
６、アーム回動モータ３５８、エンコーダ３５９、ブラ
シ回転モータ３８１、電空レギュレータ３９２、開閉弁
３９３およびティーチングパネル６０が接続されてい
る。

【００３４】以上各部のうち、メインパネル５０は作業
者が自動モード、手動モードの切換えや、後述する各種
洗浄処理のパラメータをまとめたデータである洗浄処理
レシピを新たに作成したり、洗浄処理レシピの各項目の
部分的変更等を行うためのコンソールパネルである。

【００３５】また、４機のレシピ設定パネル７０は、そ
れぞれカセットステージ１１上の各カセット載置位置に
対応しており、各カセットの基板Ｗの洗浄処理条件を指
定するデータである洗浄処理レシピ（「洗浄処理パラメ
ータ群」に相当）を選択指定するためのコンソールパネ
ルである。

【００３６】さらに、ティーチングパネル６０はその取
り付けられたスピンスクラバ３０の初期設定としてスキ
ャン開始位置および終了位置を設定する作業であるティ
ーチングを作業者が行う際に支持アーム３５１の位置の
移動量等を入力するためのコンソールパネルである。

【００３７】そして、この装置では作業者は初期設定と
して予めティーチングを行っておく。より詳細にはティ
ーチングは、図３のようにブラシアームがスキャン開始
位置の初期設定としてチャック上に保持された基板Ｗの
中心位置ＣＰと、スキャン終了位置の初期設定として洗
浄ブラシ３５５が基板Ｗの周縁に接する外周縁位置ＥＰ
をティーチングしてメモリ４２に記憶させる。なお、中
心位置ＣＰおよび外周縁位置ＥＰが「基準位置」に相当
する。

【００３８】さらに、この装置ではティーチング以外
に、洗浄処理対象の基板Ｗの膜種、膜厚、ブラシ種類、
前工程の種類等の特性に応じて洗浄処理の各種洗浄処理
のパラメータをまとめたデータである洗浄処理レシピを
多数、メインコンピュータ４０内のメモリ４２に予め記
憶している。そして、作業者はレシピ設定パネル７０に
よって洗浄処理にあたり各カセット毎にそれに収納され
た基板Ｗの上記特性に応じた洗浄処理レシピを選択す
る。さらに、その洗浄処理レシピをそのまま利用するこ
ともできるが、基板Ｗの種類によってはさらに微妙な洗
浄処理の条件を指定したい場合などには、作業者はメイ
ンパネル５０により洗浄処理レシピの各項目のデータ
（「洗浄処理パラメータ」に相当）を部分的に変更して
設定することも可能となっている。なお、メインパネル
５０を洗浄処理レシピを選択指定するパネルとして使用
することもできる。

【００３９】具体的には、洗浄処理レシピの例としては
表１〜表３のようなものが挙げられる。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】

【００４２】

【表３】

【００４３】これらの表に示すように、洗浄処理レシピ
には洗浄処理における各ステップ毎に各ステップの「時
間」、「基板回転速度」、「ブラシ回転速度」、「洗浄
スキャン周期」、「洗浄スキャン幅」、「薬液等」、
「ブラシ荷重」といった項目が設けられている。

【００４４】このうち、「ブラシ回転速度」は洗浄ブラ
シ３５５の回転速度を表わしている。なお、表３では洗
浄処理中にもブラシ回転速度を０ｒｐｍに保っている。
すなわち洗浄処理ブラシを回転しないとするものであ
る。このようにこの実施の形態の装置では洗浄処理ブラ
シを回転しないで洗浄スキャンした方が洗浄効率がいい
場合等にもレシピ変更だけで対応することができる。

【００４５】また、「洗浄スキャン周期」の項目は洗浄
ブラシ３５５の１回のスキャンに要する時間を秒単位で
あらわし、洗浄スキャン速度に相当するものである。こ
の実施の形態では１回の洗浄処理に対して１回または複
数回の洗浄スキャンを行うものである。例えば表１のス
テップ３では１回の洗浄スキャンを８秒とし、ステップ
３は２４秒行うものと設定されているため、洗浄スキャ
ンは表１の場合には２４／８回すなわち、３回の洗浄ス
キャンを行うものである。

【００４６】また、「洗浄スキャン幅」の項目は洗浄対
象の基板Ｗに対して洗浄スキャンの開始位置および終了
位置がそれぞれティーチングされた基板Ｗの中心位置Ｃ
Ｐおよび外周縁位置ＥＰとの相対的な位置として設定さ
れる。なお、表１〜表３において「洗浄スキャン幅」の
項目における正負の符号は図３中、反時計回り方向を正
としている。表１のステップ３ではティーチング開始位
置である中心位置ＣＰより１０ｍｍ負側、すなわち洗浄
ブラシ３５５外周が基板Ｗ中心にスキャンの手前側から
接する位置からスキャンを開始し、ティーチング終了位
置である外周縁位置ＥＰより１０ｍｍ正側、すなわち洗
浄ブラシ３５５外周が基板Ｗ周縁に外側で接する位置で
終了することを表わしている。そしてこれらの値（正負
も含めて）は洗浄処理レシピごとに異なる値をとること
が可能となっている。

【００４７】また、「薬液等」の項目は洗浄時に基板Ｗ
の表面および裏面に洗浄液を供給する際に純水リンス、
バックリンスの洗浄液の供給を指定するものである。

【００４８】さらに、「ブラシ荷重」の項目は洗浄時に
基板Ｗに当接される洗浄ブラシの押圧における荷重を表
わし、実際には、前述のブラシ回転押圧機構３７に対す
るＣＰＵによるエア供給圧の制御値を指定するものであ
る。表１、表２では２０ｇであるが表３では１０ｇと異
なっており、これらは前述のブラシ回転押圧機構３７の
ＣＰＵ３００による制御により実現される。

【００４９】また、このような洗浄処理レシピの選択に
際して、メインパネル５０には上記の表１〜表３のよう
な洗浄処理レシピが表示されることができるとともに、
図７のような、その洗浄処理レシピによる基板Ｗの回転
速度の時間変化を表わすグラフを同時に表示させること
もできる。このような表示により作業者は洗浄処理レシ
ピの特徴を捉えて、その選択を容易に行うことができ
る。

【００５０】そして、この装置はこのような洗浄処理レ
シピの指定に従って動作する。このようにこの装置では
容易にそれらの設定を変更することができ、その変更の
度に装置を停止してティーチングを行う必要がない。

【００５１】

【２．実施の形態における処理手順】図７はこの実施の
形態の基板洗浄装置の洗浄処理手順を示すフローチャー
トである。以下、図７に従って基板洗浄処理の手順につ
いて説明していく。

【００５２】まず、装置の立ち上げ時に作業者が洗浄ス
キャンの開始位置および終了位置を前述のように基板Ｗ
中央および外周縁に設定する等のティーチング処理を行
う（ステップＳ１）。

【００５３】つぎに、作業者が各カセットをカセットス
テージ１１に投入する（ステップＳ２）。

【００５４】つぎに、作業者が対象とするカセットに応
じて洗浄処理レシピを設定する（ステップＳ３）。な
お、この設定は前述のように予めメモリ４２に記憶され
た複数の洗浄処理レシピの中から選択してそのまま利用
することもできるし、それに部分的な変更を加えて設定
することもできる。

【００５５】つぎに、自動的に洗浄対象のカセットが設
定される（ステップＳ４）。すなわち、カセットステー
ジ１１のカセット載置順に洗浄対象のカセットが順次設
定される。

【００５６】つぎに、装置が自動的に基板洗浄の対象と
なるカセットが終了したかどうかを判断し、終了してい
れば洗浄処理自体を終了し、終了していなければステッ
プＳ５に進む（ステップＳ５）。

【００５７】つぎに、選択されたカセットにおいてスピ
ンスクラバ３０により、各基板Ｗの洗浄を行い（ステッ
プＳ６）、ステップＳ４に戻る。

【００５８】そして、ステップＳ４〜ステップＳ６の処
理を繰返して各カセットの各基板Ｗの洗浄を行い、洗浄
の対象となるカセットに対して全て洗浄したことを装置
が確認するとステップＳ４において終了に進み洗浄処理
を終了する。

【００５９】以上のようにこの実施の形態の基板洗浄装
置では、予めメモリ４２に記憶された複数の洗浄処理レ
シピのうちから任意のものを選択して指定し、それに基
づいてブラシ回転速度、洗浄スキャン速度および洗浄ス
キャン幅等を制御して基板洗浄を行うので、ブラシ回転
速度、洗浄スキャン速度および洗浄スキャン幅等を容易
に変更できる。

【００６０】また、異なる種類の基板Ｗを収容したカセ
ット毎にそれに対応した洗浄処理レシピを設定しておく
ことにより、洗浄処理対象のカセットが変わる度にティ
ーチングをしたり、ブラシ回転速度や洗浄スキャン周期
等の設定を変更したりする必要がないので、ダウンタイ
ムの発生を抑えることができ、手動操作の機会が少ない
ので人為的ミスの発生も抑えることができる。

【００６１】さらに、カセットごとの基板Ｗの特性に応
じたブラシ回転速度、洗浄スキャン速度および洗浄スキ
ャン幅等の洗浄処理パラメータを含んだ洗浄処理レシピ
を選択することができるので、基板の種類に応じた効果
的な基板洗浄を行うことができる。

【００６２】

【３．変形例】この実施の形態ではスピンスクラバ３０
においてブラシ部３５による洗浄スキャンを基板Ｗの半
径に相当する分だけ行うものとしたが、この発明はこれ
に限られず、基板Ｗの直径に相当する分を行う等その他
の範囲を行うものとしてもよい。

【００６３】また、この実施の形態ではスピンスクラバ
３０においてブラシ部３５による洗浄スキャンを支持ア
ーム３５１を回動させて円弧状に行うものとしたが、こ
の発明はこれに限られず、支持アームに沿ってブラシが
並進移動するものとして直線状に洗浄スキャンを行う等
のものとしてもよい。

【００６４】また、この実施の形態では洗浄処理レシピ
において各ステップではブラシ回転速度および洗浄スキ
ャン速度は一定のものとして指定しているが、この発明
はこれに限られず、ステップ内での初期速度と終了速度
を指定して変化するものとしてもよい。

【００６５】また、この実施の形態ではカセットごとに
洗浄処理レシピを異なるものとしたが、この発明はこれ
に限られず、同一カセット内において異なる特性の基板
Ｗを収納している場合に基板Ｗごとに洗浄処理レシピを
異なるものを指定する等としてもよい。

【００６６】また、この実施の形態では洗浄処理レシピ
を選択した後に各処理毎に微少な設定の変更を行えるも
のとしたが、この発明はこれに限られず、洗浄処理レシ
ピは選択するのみで変更できないものとしてもよい。

【００６７】また、この実施の形態では洗浄処理レシピ
において洗浄スキャン周期の指定を含んでいるが、この
発明はこれに限られず、洗浄スキャン周期の代わりにそ
の速度を指定するものとしてもよい。

【００６８】また、この実施の形態では洗浄ヘッドとし
て洗浄ブラシ３５５を備えるものとしたが、この発明は
これに限られず、高圧の洗浄液を吐出するジェット洗浄
ヘッドや超音波洗浄ヘッド等のその他のものでもよい。

【００６９】さらに、この実施の形態においては、回転
台３１４を吸着式のものとしてスピンチャック３１を構
成しているが、この発明はこれに限られるものではな
く、例えぱ、回転台に基板Ｗの外縁を支持する基板支持
部材を複数設けるとともに、この基板支持部材の上端に
基板Ｗの水平方向位置を規制する位置決めピンを設けて
基板保持手段を成し、基板Ｗを回転台の上面から離隔し
た状態で回転可能に保持させるようにしてもよい。

【００７０】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項３の発明によれば、パターン指定手段により、予め
記憶手段に記憶された複数のブラシ回転速度パターンの
うちから任意のものを選択して指定し、それに基づいて
制御手段がブラシ回転速度を制御するので、ブラシ回転
速度を容易に変更でき、それにより、ダウンタイムの発
生を抑えることができる。

【００７１】さらに、基板の特性に応じたブラシ回転速
度パターンを選択することができるので、効果的な基板
洗浄を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の基板洗浄装置の平
面図および正面図である。

【図２】スピンスクラバの主要部の概略縦断面図であ
る。

【図３】スピンスクラバの平面図である。

【図４】スピンスクラバのブラシ部の機構的構成を示す
図である。

【図５】ブラシアームの断面図である。

【図６】基板洗浄装置の全体構成図である。

【図７】この実施の形態の洗浄処理手順を示すフローチ
ャートである。

【符号の説明】

１ 基板洗浄装置 ４２ メモリ ６０ ティーチングパネル ７０ レシピ設定パネル ３００ ＣＰＵ ３５１ 支持アーム ３５５ 洗浄ブラシ ＣＰ 中心位置 ＥＰ 外周縁位置 Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今西 保夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 辻 雅夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 森田 彰彦 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回転する基板表面にブラシを当接又は近
   接しつつ、当該ブラシを回転させて基板洗浄を行う基板
   洗浄装置であって、 複数のブラシ回転速度パターンを記憶する記憶手段と、 予め前記記憶手段に記憶された前記複数のブラシ回転速
   度パターンのうちから任意のものを選択して指定するパ
   ターン指定手段と、 前記指定されたブラシ回転速度パターンに基づいてブラ
   シ回転速度を制御する制御手段と、を備えることを特徴
   とする基板洗浄装置。
2. 【請求項２】 請求項１の基板洗浄装置であって、 前記記憶手段が前記ブラシ回転速度パターンを含む基板
   洗浄の各種パラメータの集合である洗浄処理パラメータ
   群を複数記憶するものであり、 前記パターン指定手段が任意の洗浄処理パラメータ群を
   指定することによって任意の前記ブラシ回転速度パター
   ンを指定するものであることを特徴とする基板洗浄装
   置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２の基板洗浄装置
   であって、 前記複数の洗浄ブラシ回転速度パターンが回転速度が０
   であるブラシ回転速度パターンを含むことを特徴とする
   基板洗浄装置。