JPH10303345A - 半導体チップの基板への実装構造 - Google Patents
半導体チップの基板への実装構造Info
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- JPH10303345A JPH10303345A JP12793397A JP12793397A JPH10303345A JP H10303345 A JPH10303345 A JP H10303345A JP 12793397 A JP12793397 A JP 12793397A JP 12793397 A JP12793397 A JP 12793397A JP H10303345 A JPH10303345 A JP H10303345A
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/119—Details of rigid insulating substrates therefor, e.g. three-dimensional details
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching; Mechanical auxiliary parts therefor
- H05K3/326—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching; Mechanical auxiliary parts therefor the printed circuit having integral resilient or deformable parts, e.g. tabs or parts of flexible circuits
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップを基板に圧接接続法により交換
容易に表面実装できる、半導体チップの基板への実装構
造を得る。 【解決手段】 基板１０上に、可撓性部材からなる舌片
２０であって、その直下の基板１０上に舌片２０を撓ま
せて没入させる空隙３０が形成された舌片２０を設け
る。舌片２０表面には、基板１０の接続回路４０に電気
的に接続された接続端子５０を形成する。そして、半導
体チップの電極７２上に形成されたＡｕ等からなる導電
性のバンプ８０を舌片２０表面の接続端子５０に搭載し
た状態で、半導体チップ７０を、ばね材等を用いて、基
板１０方向に押圧する。そして、半導体チップの電極７
２上に形成されたバンプ８０を、舌片２０の持つ弾性力
を用いて、舌片２０表面の接続端子５０に圧接接続す
る。
容易に表面実装できる、半導体チップの基板への実装構
造を得る。 【解決手段】 基板１０上に、可撓性部材からなる舌片
２０であって、その直下の基板１０上に舌片２０を撓ま
せて没入させる空隙３０が形成された舌片２０を設け
る。舌片２０表面には、基板１０の接続回路４０に電気
的に接続された接続端子５０を形成する。そして、半導
体チップの電極７２上に形成されたＡｕ等からなる導電
性のバンプ８０を舌片２０表面の接続端子５０に搭載し
た状態で、半導体チップ７０を、ばね材等を用いて、基
板１０方向に押圧する。そして、半導体チップの電極７
２上に形成されたバンプ８０を、舌片２０の持つ弾性力
を用いて、舌片２０表面の接続端子５０に圧接接続す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを基
板に機械的接続法を用いて取外し可能に実装する、半導
体チップの基板への実装構造に関する。
板に機械的接続法を用いて取外し可能に実装する、半導
体チップの基板への実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面実装型の半導体チップは、一般に、
該チップの電極上に形成されたはんだバンプを、基板上
の接続端子にはんだ付け接続して、半導体チップを基板
に表面実装している。
該チップの電極上に形成されたはんだバンプを、基板上
の接続端子にはんだ付け接続して、半導体チップを基板
に表面実装している。
【０００３】ところで、この方法では、半導体チップの
電極を基板上の接続端子に一体にはんだ付け接続するた
め、半導体チップとそれを実装した基板との間に働く熱
応力により、脆弱な半導体チップ又は基板にクラックが
生ずる虞がある。従って、この方法では、半導体チップ
と基板との熱膨張係数を、ほぼ一致させる必要がある。
そのため、この方法は、基板の形成材料に制約を受け
る。
電極を基板上の接続端子に一体にはんだ付け接続するた
め、半導体チップとそれを実装した基板との間に働く熱
応力により、脆弱な半導体チップ又は基板にクラックが
生ずる虞がある。従って、この方法では、半導体チップ
と基板との熱膨張係数を、ほぼ一致させる必要がある。
そのため、この方法は、基板の形成材料に制約を受け
る。
【０００４】また、基板に表面実装済みの半導体チップ
を交換する際には、半導体チップの電極を基板上の接続
端子に接続しているはんだを、加熱、溶融する必要があ
り、半導体チップの交換作業に多大な手数と時間を要す
る。
を交換する際には、半導体チップの電極を基板上の接続
端子に接続しているはんだを、加熱、溶融する必要があ
り、半導体チップの交換作業に多大な手数と時間を要す
る。
【０００５】このような課題を解消するものとして、従
来より、半導体チップの電極を基板上の接続端子に、機
械的に圧接接続する方法が知られている。
来より、半導体チップの電極を基板上の接続端子に、機
械的に圧接接続する方法が知られている。
【０００６】この方法においては、半導体チップを基板
方向にばね材等を用いて押圧して、半導体チップの電極
上に形成されたＡｕ等からなるバンプを、基板上の接続
端子に圧接接続している。
方向にばね材等を用いて押圧して、半導体チップの電極
上に形成されたＡｕ等からなるバンプを、基板上の接続
端子に圧接接続している。
【０００７】この方法では、半導体チップの電極上に形
成されたバンプを、基板上の接続端子に横方向に移動可
能に圧接接続しているため、半導体チップと基板との間
に熱応力が働いた場合に、その熱応力を緩和する方向
に、半導体チップを基板上で左右等に微動させることが
できる。そして、半導体チップと基板との間に働く熱応
力により、半導体チップ又は基板にクラックが生ずるの
を防ぐことができる。
成されたバンプを、基板上の接続端子に横方向に移動可
能に圧接接続しているため、半導体チップと基板との間
に熱応力が働いた場合に、その熱応力を緩和する方向
に、半導体チップを基板上で左右等に微動させることが
できる。そして、半導体チップと基板との間に働く熱応
力により、半導体チップ又は基板にクラックが生ずるの
を防ぐことができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記圧
接接続法では、半導体チップの複数の各電極上に形成さ
れたバンプを、それに対応する基板上の複数の各接続端
子に確実に電気的に接続するために、一律に研磨等し
て、それらの複数のバンプの高さを同一に揃える必要が
あった。そして、それらの複数の各バンプを、それに対
応する基板上の同一高さで並ぶ複数の各接続端子に、均
等な押圧力で圧接接続する必要があった。
接接続法では、半導体チップの複数の各電極上に形成さ
れたバンプを、それに対応する基板上の複数の各接続端
子に確実に電気的に接続するために、一律に研磨等し
て、それらの複数のバンプの高さを同一に揃える必要が
あった。そして、それらの複数の各バンプを、それに対
応する基板上の同一高さで並ぶ複数の各接続端子に、均
等な押圧力で圧接接続する必要があった。
【０００９】そのため、上記圧接接続法では、その半導
体チップの複数の各電極上に形成されたバンプを研磨等
して、それらの複数のバンプの高さを同一に揃える作業
に、多大な手数と労力とを要した。
体チップの複数の各電極上に形成されたバンプを研磨等
して、それらの複数のバンプの高さを同一に揃える作業
に、多大な手数と労力とを要した。
【００１０】本発明は、このような課題を解消可能な、
半導体チップを基板に圧接接続法により交換容易に表面
実装できる、半導体チップの基板への実装構造（以下、
実装構造という）を提供することを目的としている。
半導体チップを基板に圧接接続法により交換容易に表面
実装できる、半導体チップの基板への実装構造（以下、
実装構造という）を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の実装構造は、基板上に形成された可
撓性部材からなる舌片であって、その直下の基板上に舌
片を没入させる空隙が形成された舌片表面に前記基板の
接続回路に電気的に接続された接続端子が形成され、該
接続端子に、半導体チップの電極上に形成された導電性
のバンプが前記舌片の持つ弾性力を用いて圧接接続され
てなることを特徴としている。
に、本発明の第１の実装構造は、基板上に形成された可
撓性部材からなる舌片であって、その直下の基板上に舌
片を没入させる空隙が形成された舌片表面に前記基板の
接続回路に電気的に接続された接続端子が形成され、該
接続端子に、半導体チップの電極上に形成された導電性
のバンプが前記舌片の持つ弾性力を用いて圧接接続され
てなることを特徴としている。
【００１２】本発明の第２の実装構造は、基板上に形成
された可撓性部材からなる舌片であって、その直下の基
板上に舌片を没入させる空隙が形成された舌片表面に前
記基板の接続回路に電気的に接続された接続端子が形成
され、該接続端子上に形成された導電性のバンプが、半
導体チップの電極に前記舌片の持つ弾性力を用いて圧接
接続されてなることを特徴としている。
された可撓性部材からなる舌片であって、その直下の基
板上に舌片を没入させる空隙が形成された舌片表面に前
記基板の接続回路に電気的に接続された接続端子が形成
され、該接続端子上に形成された導電性のバンプが、半
導体チップの電極に前記舌片の持つ弾性力を用いて圧接
接続されてなることを特徴としている。
【００１３】この第１又は第２の実装構造においては、
半導体チップの複数の各電極上に形成されたバンプ、又
は基板上の複数の各舌片表面の接続端子上に形成された
バンプに高低差があっても、それらの各バンプを、それ
に対応する基板上の複数の各舌片表面の接続端子、又は
それに対応する半導体チップの複数の各電極に押し付け
て、それらの各バンプの高低差に応じて、基板上の複数
の各舌片をその直下の基板上の空隙内に撓ませて適宜深
さ没入させることができる。そして、それらの高低差の
ある複数の各バンプを、それに対応する基板上の複数の
各舌片表面の接続端子、又はそれに対応する半導体チッ
プの電極に、舌片の持つ弾性力を用いて、一定の押圧力
以上で圧接接続できる。
半導体チップの複数の各電極上に形成されたバンプ、又
は基板上の複数の各舌片表面の接続端子上に形成された
バンプに高低差があっても、それらの各バンプを、それ
に対応する基板上の複数の各舌片表面の接続端子、又は
それに対応する半導体チップの複数の各電極に押し付け
て、それらの各バンプの高低差に応じて、基板上の複数
の各舌片をその直下の基板上の空隙内に撓ませて適宜深
さ没入させることができる。そして、それらの高低差の
ある複数の各バンプを、それに対応する基板上の複数の
各舌片表面の接続端子、又はそれに対応する半導体チッ
プの電極に、舌片の持つ弾性力を用いて、一定の押圧力
以上で圧接接続できる。
【００１４】本発明の第３の実装構造は、基板上に形成
された可撓性部材からなる突起であって、その内側に突
起を没入させる空隙が形成された突起表面に前記基板の
接続回路に電気的に接続された接続端子が形成され、該
接続端子に、半導体チップの電極上に形成された導電性
のバンプが前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続され
てなることを特徴としている。
された可撓性部材からなる突起であって、その内側に突
起を没入させる空隙が形成された突起表面に前記基板の
接続回路に電気的に接続された接続端子が形成され、該
接続端子に、半導体チップの電極上に形成された導電性
のバンプが前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続され
てなることを特徴としている。
【００１５】本発明の第４の実装構造は、基板上に形成
された可撓性部材からなる突起であって、その内側に突
起を没入させる空隙が形成された突起表面に前記基板の
接続回路に電気的に接続された接続端子が形成され、該
接続端子上に形成された導電性のバンプが、半導体チッ
プの電極に前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続され
てなることを特徴としている。
された可撓性部材からなる突起であって、その内側に突
起を没入させる空隙が形成された突起表面に前記基板の
接続回路に電気的に接続された接続端子が形成され、該
接続端子上に形成された導電性のバンプが、半導体チッ
プの電極に前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続され
てなることを特徴としている。
【００１６】この第３又は第４の実装構造においては、
半導体チップの複数の各電極上の導電性のバンプ、又は
基板上の複数の各突起表面の接続端子上のバンプに高低
差があっても、それらの各バンプを、それに対応する基
板上の複数の各突起表面の接続端子、又はそれに対応す
る半導体チップの複数の各電極に押し付けて、それらの
各バンプの高低差に応じて、基板上の複数の各突起をそ
の内側の空隙内に撓ませて適宜深さ没入させることがで
きる。そして、それらの高低差のある複数の各バンプ
を、それに対応する基板上の複数の各突起表面の接続端
子、又はそれに対応する半導体チップの複数の各電極
に、突起の持つ弾性力を用いて、一定の押圧力以上でそ
れぞれ圧接接続できる。
半導体チップの複数の各電極上の導電性のバンプ、又は
基板上の複数の各突起表面の接続端子上のバンプに高低
差があっても、それらの各バンプを、それに対応する基
板上の複数の各突起表面の接続端子、又はそれに対応す
る半導体チップの複数の各電極に押し付けて、それらの
各バンプの高低差に応じて、基板上の複数の各突起をそ
の内側の空隙内に撓ませて適宜深さ没入させることがで
きる。そして、それらの高低差のある複数の各バンプ
を、それに対応する基板上の複数の各突起表面の接続端
子、又はそれに対応する半導体チップの複数の各電極
に、突起の持つ弾性力を用いて、一定の押圧力以上でそ
れぞれ圧接接続できる。
【００１７】本発明の第５の実装構造は、半導体チップ
上に形成された弾力性のある突起表面に前記半導体チッ
プの電極に電気的に接続された端子が形成され、該端子
上に形成された導電性のバンプが、基板上の接続端子に
前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続されてなること
を特徴としている。
上に形成された弾力性のある突起表面に前記半導体チッ
プの電極に電気的に接続された端子が形成され、該端子
上に形成された導電性のバンプが、基板上の接続端子に
前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続されてなること
を特徴としている。
【００１８】本発明の第６の実装構造は、半導体チップ
上に形成された弾力性のある突起表面に前記半導体チッ
プの電極に電気的に接続された端子が形成され、該端子
に、基板上の接続端子上に形成された導電性のバンプが
前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続されてなること
を特徴としている。
上に形成された弾力性のある突起表面に前記半導体チッ
プの電極に電気的に接続された端子が形成され、該端子
に、基板上の接続端子上に形成された導電性のバンプが
前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続されてなること
を特徴としている。
【００１９】この第５又は第６の実装構造においては、
半導体チップ上の複数の各突起表面の端子上に形成され
たバンプ、又は基板上の複数の各接続端子上に形成され
たバンプに高低差があっても、それらの各バンプを、そ
れに対応する基板上の複数の各接続端子、又はそれに対
応する半導体チップ上の複数の各突起表面の端子に押し
付けて、半導体チップ上に形成された複数の各突起を、
各バンプの高低差に合わせて、その下方に適宜量偏平に
押し潰すことができる。そして、それらの各バンプを、
それに対応する基板上の複数の各接続端子、又はそれに
対応する半導体チップ上の複数の各突起表面の端子に、
突起の持つ弾性力を用いて、一定の押圧力以上で圧接接
続できる。
半導体チップ上の複数の各突起表面の端子上に形成され
たバンプ、又は基板上の複数の各接続端子上に形成され
たバンプに高低差があっても、それらの各バンプを、そ
れに対応する基板上の複数の各接続端子、又はそれに対
応する半導体チップ上の複数の各突起表面の端子に押し
付けて、半導体チップ上に形成された複数の各突起を、
各バンプの高低差に合わせて、その下方に適宜量偏平に
押し潰すことができる。そして、それらの各バンプを、
それに対応する基板上の複数の各接続端子、又はそれに
対応する半導体チップ上の複数の各突起表面の端子に、
突起の持つ弾性力を用いて、一定の押圧力以上で圧接接
続できる。
【００２０】本発明の第７の実装構造は、半導体チップ
上に形成された可撓性部材からなる突起であって、その
内側に突起を没入させる空隙が形成された突起表面に前
記半導体チップの電極に電気的に接続された端子が形成
され、該端子上に形成された導電性のバンプが、基板上
の接続端子に前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続さ
れてなることを特徴としている。
上に形成された可撓性部材からなる突起であって、その
内側に突起を没入させる空隙が形成された突起表面に前
記半導体チップの電極に電気的に接続された端子が形成
され、該端子上に形成された導電性のバンプが、基板上
の接続端子に前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続さ
れてなることを特徴としている。
【００２１】本発明の第８の実装構造は、半導体チップ
上に形成された可撓性部材からなる突起であって、その
内側に突起を没入させる空隙が形成された突起表面に前
記半導体チップの電極に電気的に接続された端子が形成
され、該端子に、基板上の接続端子上に形成された導電
性のバンプが前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続さ
れてなることを特徴としている。
上に形成された可撓性部材からなる突起であって、その
内側に突起を没入させる空隙が形成された突起表面に前
記半導体チップの電極に電気的に接続された端子が形成
され、該端子に、基板上の接続端子上に形成された導電
性のバンプが前記突起の持つ弾性力を用いて圧接接続さ
れてなることを特徴としている。
【００２２】この第７又は第８の実装構造においては、
半導体チップ上の複数の各突起表面の端子上に形成され
たバンプ、又は基板上の複数の各接続端子上に形成され
たバンプに高低差があっても、それらの各バンプを、そ
れに対応する基板上の複数の各接続端子、又はそれに対
応する半導体チップ上の複数の各突起表面の端子に押し
付けて、半導体チップ上に形成された複数の各突起を、
各バンプの高低差に合わせて、その内側の空隙内に撓ま
せて適宜深さ没入させることができる。そして、それら
の各バンプを、それに対応する基板上の複数の各接続端
子、又はそれに対応する半導体チップ上の複数の各突起
表面の端子に、突起の持つ弾性力を用いて、一定の押圧
力以上で圧接接続できる。
半導体チップ上の複数の各突起表面の端子上に形成され
たバンプ、又は基板上の複数の各接続端子上に形成され
たバンプに高低差があっても、それらの各バンプを、そ
れに対応する基板上の複数の各接続端子、又はそれに対
応する半導体チップ上の複数の各突起表面の端子に押し
付けて、半導体チップ上に形成された複数の各突起を、
各バンプの高低差に合わせて、その内側の空隙内に撓ま
せて適宜深さ没入させることができる。そして、それら
の各バンプを、それに対応する基板上の複数の各接続端
子、又はそれに対応する半導体チップ上の複数の各突起
表面の端子に、突起の持つ弾性力を用いて、一定の押圧
力以上で圧接接続できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に従い説明する。図１ないし図３は本発明の第１の実装
構造の好適な実施の形態を示し、図１はその基板の平面
図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３はその説明図であ
る。以下に、この第１の実装構造を説明する。
に従い説明する。図１ないし図３は本発明の第１の実装
構造の好適な実施の形態を示し、図１はその基板の平面
図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３はその説明図であ
る。以下に、この第１の実装構造を説明する。
【００２４】図の第１の実装構造においては、上層、中
間層及び下層の合成樹脂板１２、１４、１６を３枚積層
して、基板１０を形成している。
間層及び下層の合成樹脂板１２、１４、１６を３枚積層
して、基板１０を形成している。
【００２５】上層の合成樹脂板１２表面には、馬蹄型の
スリット１２ａを、レーザ加工等により、所定ピッチで
縦横に格子状に並べて形成している。そして、その各ス
リット１２ａ内側の基板１０上に、可撓性部材の合成樹
脂板１２からなる舌片２０をそれぞれ形成している。
スリット１２ａを、レーザ加工等により、所定ピッチで
縦横に格子状に並べて形成している。そして、その各ス
リット１２ａ内側の基板１０上に、可撓性部材の合成樹
脂板１２からなる舌片２０をそれぞれ形成している。
【００２６】舌片２０直下の基板１０上の中間層の合成
樹脂板１４には、舌片２０を没入させる空隙３０を、所
定ピッチで縦横に格子状に並べて形成している。
樹脂板１４には、舌片２０を没入させる空隙３０を、所
定ピッチで縦横に格子状に並べて形成している。
【００２７】下層の合成樹脂板１６上面には、接続回路
４０を形成している。舌片２０表面には、導電性の接続
端子５０を層状に形成している。舌片２０の根元部に当
たる上層の合成樹脂板１２部分とその直下の中間層の合
成樹脂板１４部分には、スルーホールに導体を充填して
なるビア６０を、上層及び中間層の合成樹脂板１２、１
４を上下に連続して貫通させて形成している。そして、
そのビア６０を介して、下層の合成樹脂板１６上面の接
続回路４０と舌片２０表面の接続端子５０とを電気に接
続している。
４０を形成している。舌片２０表面には、導電性の接続
端子５０を層状に形成している。舌片２０の根元部に当
たる上層の合成樹脂板１２部分とその直下の中間層の合
成樹脂板１４部分には、スルーホールに導体を充填して
なるビア６０を、上層及び中間層の合成樹脂板１２、１
４を上下に連続して貫通させて形成している。そして、
そのビア６０を介して、下層の合成樹脂板１６上面の接
続回路４０と舌片２０表面の接続端子５０とを電気に接
続している。
【００２８】基板１０上の舌片２０表面の接続端子５０
には、図３に示したように、半導体チップの電極７２上
に形成された導電性のＡｕ等からなるほぼ半球状のバン
プ８０を、舌片２０の持つ弾性力を用いて、圧接接続し
ている。
には、図３に示したように、半導体チップの電極７２上
に形成された導電性のＡｕ等からなるほぼ半球状のバン
プ８０を、舌片２０の持つ弾性力を用いて、圧接接続し
ている。
【００２９】具体的には、図３に示したように、半導体
チップの電極７２上のバンプ８０を、それに対応する基
板１０上の舌片２０表面の接続端子５０に搭載した状態
で、半導体チップ７０をバネ材（図示せず）等を用い
て、基板１０方向に押圧している。そして、半導体チッ
プの電極７２上のバンプ８０を、それに対応する基板１
０上の舌片２０表面の接続端子５０に圧接接続してい
る。
チップの電極７２上のバンプ８０を、それに対応する基
板１０上の舌片２０表面の接続端子５０に搭載した状態
で、半導体チップ７０をバネ材（図示せず）等を用い
て、基板１０方向に押圧している。そして、半導体チッ
プの電極７２上のバンプ８０を、それに対応する基板１
０上の舌片２０表面の接続端子５０に圧接接続してい
る。
【００３０】図１ないし図３に示した第１の実装構造
は、以上のように構成していて、この第１の実装構造に
おいては、図３に示したように、半導体チップ７０の複
数の各電極７２上に形成されたバンプ８０に高低差があ
っても、それらの各バンプ８０を、それに対応する基板
１０上の複数の各舌片２０表面の接続端子５０に押し付
けて、基板１０上の複数の各舌片２０を、各バンプ８０
の高低差に合わせて、その直下の基板１０上の空隙３０
内に撓ませて適宜深さ没入させることができる。そし
て、それらの高低差のある複数の各バンプ８０を、それ
に対応する基板１０上の複数の各舌片２０表面の接続端
子５０に、舌片２０の持つ弾性力を用いて、一定の押圧
力以上で確実に圧接接続できる。
は、以上のように構成していて、この第１の実装構造に
おいては、図３に示したように、半導体チップ７０の複
数の各電極７２上に形成されたバンプ８０に高低差があ
っても、それらの各バンプ８０を、それに対応する基板
１０上の複数の各舌片２０表面の接続端子５０に押し付
けて、基板１０上の複数の各舌片２０を、各バンプ８０
の高低差に合わせて、その直下の基板１０上の空隙３０
内に撓ませて適宜深さ没入させることができる。そし
て、それらの高低差のある複数の各バンプ８０を、それ
に対応する基板１０上の複数の各舌片２０表面の接続端
子５０に、舌片２０の持つ弾性力を用いて、一定の押圧
力以上で確実に圧接接続できる。
【００３１】図４は本発明の第２の実装構造の好適な実
施の形態を示し、図４はその説明図である。以下に、こ
の第２の実装構造を説明する。
施の形態を示し、図４はその説明図である。以下に、こ
の第２の実装構造を説明する。
【００３２】図の第２の実装構造では、半導体チップの
電極７２上にバンプを形成せずに、基板１０上の舌片２
０表面の接続端子５０上に、導電性のＡｕ等からなるほ
ぼ半球状のバンプ９０を形成している。そして、そのバ
ンプ９０を、それに対応する半導体チップの電極７２
に、舌片２０の持つ弾性力を用いて、圧接接続してい
る。
電極７２上にバンプを形成せずに、基板１０上の舌片２
０表面の接続端子５０上に、導電性のＡｕ等からなるほ
ぼ半球状のバンプ９０を形成している。そして、そのバ
ンプ９０を、それに対応する半導体チップの電極７２
に、舌片２０の持つ弾性力を用いて、圧接接続してい
る。
【００３３】その他は、前述図１ないし図３に示した第
１の実装構造に同様に構成していて、この第２の実装構
造においては、基板１０上の複数の各舌片２０表面の接
続端子５０上に形成されたバンプ９０に高低差があって
も、それらの各バンプ９０を、それに対応する半導体チ
ップ７０の複数の各電極７２に押し付けて、基板１０上
の複数の各舌片２０を、各バンプ９０の高低差に合わせ
て、その直下の基板１０上の空隙３０内に撓ませて適宜
深さ没入させることができる。そして、それらの高低差
のある複数の各バンプ９０を、それに対応する半導体チ
ップの複数の各電極７２に、舌片２０の持つ弾性力を用
いて、一定の押圧力以上で確実に押接接続できる。
１の実装構造に同様に構成していて、この第２の実装構
造においては、基板１０上の複数の各舌片２０表面の接
続端子５０上に形成されたバンプ９０に高低差があって
も、それらの各バンプ９０を、それに対応する半導体チ
ップ７０の複数の各電極７２に押し付けて、基板１０上
の複数の各舌片２０を、各バンプ９０の高低差に合わせ
て、その直下の基板１０上の空隙３０内に撓ませて適宜
深さ没入させることができる。そして、それらの高低差
のある複数の各バンプ９０を、それに対応する半導体チ
ップの複数の各電極７２に、舌片２０の持つ弾性力を用
いて、一定の押圧力以上で確実に押接接続できる。
【００３４】図５又は図６は本発明の第３の実装構造の
好適な実施の形態を示し、図５又は図６はその説明図で
ある。以下に、この第３の実装構造を説明する。
好適な実施の形態を示し、図５又は図６はその説明図で
ある。以下に、この第３の実装構造を説明する。
【００３５】図の第３の実装構造においては、基板１０
上に可撓性部材からなる複数の突起１００を所定ピッチ
で縦横に格子状に並べて形成している。突起１００内側
には、突起１００を没入させる空隙１１０を形成してい
る。
上に可撓性部材からなる複数の突起１００を所定ピッチ
で縦横に格子状に並べて形成している。突起１００内側
には、突起１００を没入させる空隙１１０を形成してい
る。
【００３６】突起１００は、可撓性の合成樹脂シートで
形成していて、基板１０上方にドーム状に盛り上がった
形状をしている。突起１００は、可撓性であると共に熱
可塑性の合成樹脂シートを加熱して、軟化させた状態
で、その合成樹脂シートをプレス成形金型で上下に挟み
込むことにより、その合成樹脂シートに縦横に並べて形
成している。
形成していて、基板１０上方にドーム状に盛り上がった
形状をしている。突起１００は、可撓性であると共に熱
可塑性の合成樹脂シートを加熱して、軟化させた状態
で、その合成樹脂シートをプレス成形金型で上下に挟み
込むことにより、その合成樹脂シートに縦横に並べて形
成している。
【００３７】突起１００周囲は、接続回路４０が形成さ
れた基板１０部分及びそれに続く基板１０部分に、熱圧
着している。
れた基板１０部分及びそれに続く基板１０部分に、熱圧
着している。
【００３８】そして、図５に示した第３の実装構造で
は、接続回路４０が形成された基板１０部分直上の突起
１００周縁部分に、スルーホールに導体を充填してなる
ビア１６０を、突起１００周縁部分を上下に貫通させて
形成している。突起１００表面には、金属めっき層等か
らなる接続端子１２０を層状に形成している。そして、
その接続端子１２０を、上記ビア１６０を介して、基板
１０に形成された接続回路４０に電気的に接続してい
る。
は、接続回路４０が形成された基板１０部分直上の突起
１００周縁部分に、スルーホールに導体を充填してなる
ビア１６０を、突起１００周縁部分を上下に貫通させて
形成している。突起１００表面には、金属めっき層等か
らなる接続端子１２０を層状に形成している。そして、
その接続端子１２０を、上記ビア１６０を介して、基板
１０に形成された接続回路４０に電気的に接続してい
る。
【００３９】また、図６に示した第３の実装構造では、
突起１００中央に、スルーホールに導体を充填してなる
ビア１３０を、突起１００を上下に貫通させて形成して
いる。突起１００表面には、金属めっき層等からなる接
続端子１２０を形成している。接続端子１２０は、ビア
１３０に連ねている。突起１００裏面には、金属めっき
層等からなる導体回路１５０を形成している。導体回路
１５０の一端とその他端は、基板１０の接続回路４０と
ビア１３０に連ねている。そして、接続端子１２０を、
ビア１３０と導体回路１５０を介して、基板１０の接続
回路４０に電気的に接続している。
突起１００中央に、スルーホールに導体を充填してなる
ビア１３０を、突起１００を上下に貫通させて形成して
いる。突起１００表面には、金属めっき層等からなる接
続端子１２０を形成している。接続端子１２０は、ビア
１３０に連ねている。突起１００裏面には、金属めっき
層等からなる導体回路１５０を形成している。導体回路
１５０の一端とその他端は、基板１０の接続回路４０と
ビア１３０に連ねている。そして、接続端子１２０を、
ビア１３０と導体回路１５０を介して、基板１０の接続
回路４０に電気的に接続している。
【００４０】突起１００表面に形成した接続端子１２０
には、半導体チップの電極７２上に形成された導電性の
バンプ８０を、突起１００の持つ弾性力を用いて、圧接
接続している。
には、半導体チップの電極７２上に形成された導電性の
バンプ８０を、突起１００の持つ弾性力を用いて、圧接
接続している。
【００４１】具体的には、図５又は図６に示したよう
に、半導体チップの電極７２上のバンプ８０を、それに
対応する突起１００表面の接続端子１２０に搭載した状
態で、半導体チップ７０をバネ材（図示せず）等を用い
て基板１０方向に押圧している。そして、半導体チップ
の電極７２上のバンプ８０を、それに対応する突起１０
０表面の接続端子１２０に圧接接続している。
に、半導体チップの電極７２上のバンプ８０を、それに
対応する突起１００表面の接続端子１２０に搭載した状
態で、半導体チップ７０をバネ材（図示せず）等を用い
て基板１０方向に押圧している。そして、半導体チップ
の電極７２上のバンプ８０を、それに対応する突起１０
０表面の接続端子１２０に圧接接続している。
【００４２】図５又は図６に示した第３の実装構造は、
以上のように構成していて、この第３の実装構造におい
ては、半導体チップ７０の複数の各電極７２上のバンプ
８０に高低差があっても、それらの各バンプ８０を、そ
れに対応する基板１０上の複数の各突起１００表面の接
続端子１２０に押し付けて、基板１０上の複数の各突起
１００を、各バンプ８０の高低差に合わせて、その内側
の窪み１１０内に撓ませて適宜深さ没入させることがで
きる。そして、それらの高低差のある複数の各バンプ８
０を、それに対応する基板１０上の複数の各突起１００
表面の接続端子１２０に、突起１００の持つ弾性力を用
いて、一定の押圧力以上で確実に圧接接続できる。
以上のように構成していて、この第３の実装構造におい
ては、半導体チップ７０の複数の各電極７２上のバンプ
８０に高低差があっても、それらの各バンプ８０を、そ
れに対応する基板１０上の複数の各突起１００表面の接
続端子１２０に押し付けて、基板１０上の複数の各突起
１００を、各バンプ８０の高低差に合わせて、その内側
の窪み１１０内に撓ませて適宜深さ没入させることがで
きる。そして、それらの高低差のある複数の各バンプ８
０を、それに対応する基板１０上の複数の各突起１００
表面の接続端子１２０に、突起１００の持つ弾性力を用
いて、一定の押圧力以上で確実に圧接接続できる。
【００４３】図７又は図８は本発明の第４の実装構造の
好適な実施の形態を示し、図７又は図８はその説明図で
ある。以下に、この第４の実装構造を説明する。
好適な実施の形態を示し、図７又は図８はその説明図で
ある。以下に、この第４の実装構造を説明する。
【００４４】図の第４の実装構造では、半導体チップの
電極７２上にバンプを形成せずに、突起１００表面に形
成した接続端子１２０上に、導電性のＡｕ等からなるバ
ンプ１４０を形成している。そして、そのバンプ１４０
を、半導体チップの電極７２に、突起１００の持つ弾性
力を用いて、圧接接続している。
電極７２上にバンプを形成せずに、突起１００表面に形
成した接続端子１２０上に、導電性のＡｕ等からなるバ
ンプ１４０を形成している。そして、そのバンプ１４０
を、半導体チップの電極７２に、突起１００の持つ弾性
力を用いて、圧接接続している。
【００４５】その他は、図５又は図６に示した第３の実
装構造と同様に構成していて、この第４の実装構造にお
いては、基板１０上の複数の各突起１００表面の接続端
子１２０上のバンプ１４０に高低差があっても、それら
の各バンプ１４０を、それに対応する半導体チップ７０
の複数の各電極７２に押し付けて、基板１０上の複数の
各突起１００を、各バンプ１４０の高低差に合わせて、
その内側の窪み１１０内に撓ませて適宜深さ没入させる
ことができる。そして、それらの高低差のある複数の各
バンプ１４０を、それに対応する半導体チップの複数の
各電極７２に、突起１００の持つ弾性力を用いて、一定
の押圧力以上で確実に圧接接続できる。
装構造と同様に構成していて、この第４の実装構造にお
いては、基板１０上の複数の各突起１００表面の接続端
子１２０上のバンプ１４０に高低差があっても、それら
の各バンプ１４０を、それに対応する半導体チップ７０
の複数の各電極７２に押し付けて、基板１０上の複数の
各突起１００を、各バンプ１４０の高低差に合わせて、
その内側の窪み１１０内に撓ませて適宜深さ没入させる
ことができる。そして、それらの高低差のある複数の各
バンプ１４０を、それに対応する半導体チップの複数の
各電極７２に、突起１００の持つ弾性力を用いて、一定
の押圧力以上で確実に圧接接続できる。
【００４６】図９又は図１０は本発明の第５の実装構造
の好適な実施の形態を示し、図９又は図１０はその説明
図である。以下に、この第５の実装構造を説明する。
の好適な実施の形態を示し、図９又は図１０はその説明
図である。以下に、この第５の実装構造を説明する。
【００４７】図９の第５の実装構造では、電極７２近く
の半導体チップ７０上に、弾力性のあるポリイミド樹脂
等からなるほぼ半球状の突起２００を、ポッティグ等に
より形成している。突起２００表面には、金属めっき層
等からなる端子２１０を形成している。端子２１０の一
端は、突起２００近くの半導体チップの電極７２に一連
に接続している。
の半導体チップ７０上に、弾力性のあるポリイミド樹脂
等からなるほぼ半球状の突起２００を、ポッティグ等に
より形成している。突起２００表面には、金属めっき層
等からなる端子２１０を形成している。端子２１０の一
端は、突起２００近くの半導体チップの電極７２に一連
に接続している。
【００４８】図１０の第５の実装構造では、電極７２近
くの半導体チップ７０上に、弾力性のあるポリイミド樹
脂等からなるほぼ半球状の突起２２０を、ポッティグ等
により２段に重ねて形成している。突起２２０表面に
は、金属めっき層等からなる端子２１０を形成してい
る。端子２１０の一端は、突起２２０近くの半導体チッ
プの電極７２に一連に接続している。
くの半導体チップ７０上に、弾力性のあるポリイミド樹
脂等からなるほぼ半球状の突起２２０を、ポッティグ等
により２段に重ねて形成している。突起２２０表面に
は、金属めっき層等からなる端子２１０を形成してい
る。端子２１０の一端は、突起２２０近くの半導体チッ
プの電極７２に一連に接続している。
【００４９】突起２００、２２０表面の端子２１０上に
は、導電性のＡｕ等からなるバンプ２３０を形成してい
る。そして、そのバンプ２３０を基板１０上の接続端子
５０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を用いて、圧
接接続している。
は、導電性のＡｕ等からなるバンプ２３０を形成してい
る。そして、そのバンプ２３０を基板１０上の接続端子
５０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を用いて、圧
接接続している。
【００５０】具体的には、半導体チップ７０上の複数の
各突起２００、２２０をそれに対応する基板１０上の接
続端子５０に搭載した状態で、半導体チップ７０をバネ
材（図示せず）等を用いて基板１０方向に押圧してい
る。そして、突起２００、２２０表面の端子２１０上に
形成されたバンプ２３０を、それに対応する基板１０上
の接続端子５０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を
用いて、圧接接続している。
各突起２００、２２０をそれに対応する基板１０上の接
続端子５０に搭載した状態で、半導体チップ７０をバネ
材（図示せず）等を用いて基板１０方向に押圧してい
る。そして、突起２００、２２０表面の端子２１０上に
形成されたバンプ２３０を、それに対応する基板１０上
の接続端子５０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を
用いて、圧接接続している。
【００５１】図９又は図１０に示した第５の実装構造
は、以上のように構成していて、この第５の実装構造に
おいては、半導体チップ７０上の複数の各突起２００、
２２０表面の端子２１０上に形成されたバンプ２３０に
高低差があっても、それらの各バンプ２３０を、それに
対応する基板１０上の複数の各接続端子５０に押しつけ
て、半導体チップ７０上の複数の各突起２００、２２０
を、各バンプ２３０の高低差に合わせて、その下方に適
宜量偏平に押し潰すことができる。そして、それらの高
低差のある複数の各バンプ２３０を、それに対応する基
板１０上の複数の各接続端子５０に、突起２００、２２
０の持つ弾性力を用いて、一定の押圧力以上で圧接接続
できる。
は、以上のように構成していて、この第５の実装構造に
おいては、半導体チップ７０上の複数の各突起２００、
２２０表面の端子２１０上に形成されたバンプ２３０に
高低差があっても、それらの各バンプ２３０を、それに
対応する基板１０上の複数の各接続端子５０に押しつけ
て、半導体チップ７０上の複数の各突起２００、２２０
を、各バンプ２３０の高低差に合わせて、その下方に適
宜量偏平に押し潰すことができる。そして、それらの高
低差のある複数の各バンプ２３０を、それに対応する基
板１０上の複数の各接続端子５０に、突起２００、２２
０の持つ弾性力を用いて、一定の押圧力以上で圧接接続
できる。
【００５２】図１１又は図１２は本発明の第６の実装構
造の好適な実施の形態を示し、図１１又は図１２はその
説明図である。以下に、この第６実装構造を説明する。
造の好適な実施の形態を示し、図１１又は図１２はその
説明図である。以下に、この第６実装構造を説明する。
【００５３】図１１又は図１２の第６の実装構造では、
突起２００、２２０表面の端子２１０上にバンプを形成
せずに、基板１０上の接続端子５０上に導電性のＡｕ等
からなるバンプ２４０を形成している。
突起２００、２２０表面の端子２１０上にバンプを形成
せずに、基板１０上の接続端子５０上に導電性のＡｕ等
からなるバンプ２４０を形成している。
【００５４】そして、半導体チップ７０上の突起２０
０、２２０表面に形成された端子２１０を、それに対応
する基板１０上の接続端子５０上に形成されたバンプ２
４０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を用いて、圧
接接続している。
０、２２０表面に形成された端子２１０を、それに対応
する基板１０上の接続端子５０上に形成されたバンプ２
４０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を用いて、圧
接接続している。
【００５５】その他は、図９又は図１０に示した第５の
実装構造と同様に構成していて、この第６の実装構造に
おいては、基板１０上の複数の各接続端子５０上に形成
されたバンプ２４０に高低差があっても、それらの各バ
ンプ２４０を、それに対応する半導体チップ７０上の複
数の各突起２００、２２０表面の端子２１０に押しつけ
て、半導体チップ７０上の複数の各突起２００、２２０
を、各バンプ２４０の高低差に合わせて、その下方に適
宜量偏平に押し潰すことができる。そして、それらの高
低差のある複数の各バンプ２４０を、それに対応する半
導体チップ７０上の複数の各突起２００、２２０表面の
端子２１０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を用い
て、一定の押圧力以上で圧接接続できる。
実装構造と同様に構成していて、この第６の実装構造に
おいては、基板１０上の複数の各接続端子５０上に形成
されたバンプ２４０に高低差があっても、それらの各バ
ンプ２４０を、それに対応する半導体チップ７０上の複
数の各突起２００、２２０表面の端子２１０に押しつけ
て、半導体チップ７０上の複数の各突起２００、２２０
を、各バンプ２４０の高低差に合わせて、その下方に適
宜量偏平に押し潰すことができる。そして、それらの高
低差のある複数の各バンプ２４０を、それに対応する半
導体チップ７０上の複数の各突起２００、２２０表面の
端子２１０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を用い
て、一定の押圧力以上で圧接接続できる。
【００５６】図１３は本発明の第７の実装構造に好適な
実施の形態を示し、図１３はその説明図である。以下
に、この第７の実装構造を説明する。
実施の形態を示し、図１３はその説明図である。以下
に、この第７の実装構造を説明する。
【００５７】図の第７の実装構造では、半導体チップ７
０上に可撓性部材からなる複数の突起２５０を所定ピッ
チで縦横に格子状に並べて形成している。突起２５０内
側には、突起２５０を没入させる空隙２６０を形成して
いる。
０上に可撓性部材からなる複数の突起２５０を所定ピッ
チで縦横に格子状に並べて形成している。突起２５０内
側には、突起２５０を没入させる空隙２６０を形成して
いる。
【００５８】突起２５０は、可撓性の合成樹脂シートで
形成していて、ドーム状をしている。突起２５０は、可
塑性であると共に熱可塑性の合成樹脂シートを加熱して
軟化させた状態で、その合成樹脂シートをプレス成形金
型で上下に挟み込むことにより、その合成樹脂シートに
縦横に並べて形成している。
形成していて、ドーム状をしている。突起２５０は、可
塑性であると共に熱可塑性の合成樹脂シートを加熱して
軟化させた状態で、その合成樹脂シートをプレス成形金
型で上下に挟み込むことにより、その合成樹脂シートに
縦横に並べて形成している。
【００５９】突起２５０周囲の合成樹脂シート部分は、
電極７２が形成された半導体チップ７０部分及びそれに
続く半導体チップ７０部分に熱圧着している。
電極７２が形成された半導体チップ７０部分及びそれに
続く半導体チップ７０部分に熱圧着している。
【００６０】電極７２直上の突起２５０周縁部分には、
スルーホールに導体を充填してなるビア２７０を、突起
２５０周縁部分を上下に貫通させて形成している。突起
２５０表面には、金属めっき層等からなる端子２８０を
形成している。端子２８０は、ビア２７０に連ねてい
る。そして、該端子２８０を、ビア２７０を介して、半
導体チップの電極７２に電気的に接続している。
スルーホールに導体を充填してなるビア２７０を、突起
２５０周縁部分を上下に貫通させて形成している。突起
２５０表面には、金属めっき層等からなる端子２８０を
形成している。端子２８０は、ビア２７０に連ねてい
る。そして、該端子２８０を、ビア２７０を介して、半
導体チップの電極７２に電気的に接続している。
【００６１】突起２５０表面の端子２８０上には、導電
性のＡｕ等からなるバンプ３００を形成している。
性のＡｕ等からなるバンプ３００を形成している。
【００６２】半導体チップ７０上の突起２５０表面の端
子２８０上に形成されたバンプ３００は、基板１０上の
接続端子５０に、突起２５０の持つ弾性力を用いて、圧
接接続している。
子２８０上に形成されたバンプ３００は、基板１０上の
接続端子５０に、突起２５０の持つ弾性力を用いて、圧
接接続している。
【００６３】具体的には、図１３に示したように、半導
体チップ７０上の複数の各突起２５０表面の端子２８０
上のバンプ３００を、それに対応する基板１０上の複数
の各接続端子５０に搭載した状態で、半導体チップ７０
を、バネ材（図示せず）等を用いて、基板１０方向に押
圧している。そして、半導体チップ７０上の複数の各突
起２５０表面の端子２８０上のバンプ３００を、それに
対応する基板１０上の複数の各接続端子５０に、突起２
５０の持つ弾性力を用いて、圧接接続している。
体チップ７０上の複数の各突起２５０表面の端子２８０
上のバンプ３００を、それに対応する基板１０上の複数
の各接続端子５０に搭載した状態で、半導体チップ７０
を、バネ材（図示せず）等を用いて、基板１０方向に押
圧している。そして、半導体チップ７０上の複数の各突
起２５０表面の端子２８０上のバンプ３００を、それに
対応する基板１０上の複数の各接続端子５０に、突起２
５０の持つ弾性力を用いて、圧接接続している。
【００６４】図１３に示した第７の実装構造は、以上の
ように構成していて、この第７の実装構造においては、
半導体チップ７０上の複数の各突起２５０表面の端子２
８０上のバンプ３００に高低差があっても、それらの各
バンプ３００を、それに対応する基板１０上の複数の各
接続端子５０に押し付けて、半導体チップ７０上の複数
の各突起２５０を、各バンプ３００の高低差に合わせ
て、その内側の空隙２６０内に撓ませて適宜深さ没入さ
せることができる。そして、それらの高低差のある複数
の各バンプ３００を、それに対応する基板１０上の複数
の各接続端子５０に、突起２５０の持つ弾性力を用い
て、一定の押圧力以上で圧接接続できる。
ように構成していて、この第７の実装構造においては、
半導体チップ７０上の複数の各突起２５０表面の端子２
８０上のバンプ３００に高低差があっても、それらの各
バンプ３００を、それに対応する基板１０上の複数の各
接続端子５０に押し付けて、半導体チップ７０上の複数
の各突起２５０を、各バンプ３００の高低差に合わせ
て、その内側の空隙２６０内に撓ませて適宜深さ没入さ
せることができる。そして、それらの高低差のある複数
の各バンプ３００を、それに対応する基板１０上の複数
の各接続端子５０に、突起２５０の持つ弾性力を用い
て、一定の押圧力以上で圧接接続できる。
【００６５】図１４は本発明の第８の実装構造の好適な
実施の形態を示し、図１４はその説明図である。以下
に、この第８の実装構造を説明する。
実施の形態を示し、図１４はその説明図である。以下
に、この第８の実装構造を説明する。
【００６６】図の第８の実装構造では、半導体チップ７
０上の突起２５０表面の端子２８０上にバンプを形成せ
ずに、基板１０上の接続端子５０上に導電性のＡｕ等か
らなるバンプ３１０を形成している。そして、そのバン
プ３１０を、半導体チップ７０上の突起２５０表面の端
子２８０に、突起２５０の弾性力を用いて、圧接接続し
ている。
０上の突起２５０表面の端子２８０上にバンプを形成せ
ずに、基板１０上の接続端子５０上に導電性のＡｕ等か
らなるバンプ３１０を形成している。そして、そのバン
プ３１０を、半導体チップ７０上の突起２５０表面の端
子２８０に、突起２５０の弾性力を用いて、圧接接続し
ている。
【００６７】その他は、図１３に示した第７の実装構造
と同様に構成していて、この第８の実装構造において
は、基板１０上の複数の各接続端子５０上のバンプ３１
０に高低差があっても、それらの各バンプ３１０を、そ
れに対応する半導体チップ７０上の複数の各突起２５０
表面の端子２８０に押し付けて、半導体チップ７０上の
複数の各突起２５０を、各バンプ３１０の高低差に合わ
せて、その内側の空隙２６０内に撓ませて適宜深さ没入
させることができる。そして、それらの高低差のある複
数の各バンプ３１０を、それに対応する半導体チップ７
０上の複数の各突起２５０表面の端子２８０に、突起２
５０の持つ弾性力を用いて、一定の押圧力以上で圧接接
続できる。
と同様に構成していて、この第８の実装構造において
は、基板１０上の複数の各接続端子５０上のバンプ３１
０に高低差があっても、それらの各バンプ３１０を、そ
れに対応する半導体チップ７０上の複数の各突起２５０
表面の端子２８０に押し付けて、半導体チップ７０上の
複数の各突起２５０を、各バンプ３１０の高低差に合わ
せて、その内側の空隙２６０内に撓ませて適宜深さ没入
させることができる。そして、それらの高低差のある複
数の各バンプ３１０を、それに対応する半導体チップ７
０上の複数の各突起２５０表面の端子２８０に、突起２
５０の持つ弾性力を用いて、一定の押圧力以上で圧接接
続できる。
【００６８】なお、第１又は第２の実装構造において
は、図１５に示したように、基板１０上の接続回路４０
上に、導電性の可撓性合成樹脂材からなる柱２２を介し
て、接続端子５０を兼ねた導電性の可撓性合成樹脂材か
らなる舌片２０であって、その直下の基板１０上に空隙
３０が形成された舌片２０を横方向に延設しても良い。
そして、その接続端子５０を兼ねた舌片２０に、半導体
チップの電極７２上に形成されたバンプ８０を、舌片２
０の持つ弾性力を用いて、圧接接続したり、その接続端
子５０を兼ねた舌片２０上に形成されたバンプ９０を、
半導体チップの電極７２に、舌片２０の持つ弾性力を用
いて、圧接接続したりしても良い。
は、図１５に示したように、基板１０上の接続回路４０
上に、導電性の可撓性合成樹脂材からなる柱２２を介し
て、接続端子５０を兼ねた導電性の可撓性合成樹脂材か
らなる舌片２０であって、その直下の基板１０上に空隙
３０が形成された舌片２０を横方向に延設しても良い。
そして、その接続端子５０を兼ねた舌片２０に、半導体
チップの電極７２上に形成されたバンプ８０を、舌片２
０の持つ弾性力を用いて、圧接接続したり、その接続端
子５０を兼ねた舌片２０上に形成されたバンプ９０を、
半導体チップの電極７２に、舌片２０の持つ弾性力を用
いて、圧接接続したりしても良い。
【００６９】又は、図１６に示したように、柱２２及び
舌片２０を、導電性のない可撓性合成樹脂材で形成し
て、その柱２２及び舌片２０表面に金属めっき層等から
なる導体層２４であって、基板１０上の接続回路４０に
電気的に接続された接続端子５０用の導体層２４を形成
しても良い。そして、その舌片２０表面の接続端子５０
用の導体層２４に、半導体チップの電極７２上に形成さ
れたバンプ８０を、舌片２０の持つ弾性力を用いて、圧
接接続したり、その舌片２０表面の接続端子５０用の導
体層２４上に形成されたバンプ９０を、半導体チップの
電極７２に、舌片２０の持つ弾性力を用いて、圧接接続
したりしても良い。
舌片２０を、導電性のない可撓性合成樹脂材で形成し
て、その柱２２及び舌片２０表面に金属めっき層等から
なる導体層２４であって、基板１０上の接続回路４０に
電気的に接続された接続端子５０用の導体層２４を形成
しても良い。そして、その舌片２０表面の接続端子５０
用の導体層２４に、半導体チップの電極７２上に形成さ
れたバンプ８０を、舌片２０の持つ弾性力を用いて、圧
接接続したり、その舌片２０表面の接続端子５０用の導
体層２４上に形成されたバンプ９０を、半導体チップの
電極７２に、舌片２０の持つ弾性力を用いて、圧接接続
したりしても良い。
【００７０】また、舌片２０は、図１７に示したよう
に、小舌片２２を基板１０上に複数枚放射状に並べて形
成しても良い。そして、その舌片２０の複数枚の各小舌
片２２表面に形成された接続端子５０に、半導体チップ
の電極７２上に形成された所定のバンプ８０を圧接接続
しても良い。そして、その所定のバンプ８０を基板１０
上の舌片２０表面の接続端子５０に確実に電気的に接続
できるようにしても良い。
に、小舌片２２を基板１０上に複数枚放射状に並べて形
成しても良い。そして、その舌片２０の複数枚の各小舌
片２２表面に形成された接続端子５０に、半導体チップ
の電極７２上に形成された所定のバンプ８０を圧接接続
しても良い。そして、その所定のバンプ８０を基板１０
上の舌片２０表面の接続端子５０に確実に電気的に接続
できるようにしても良い。
【００７１】また、第５又は第６の実装構造において
は、図１８に示したように、突起２００、２２０を、半
導体チップの電極７２上に形成して、その電極７２直上
の突起２００、２２０部分に、スルーホールに導体を充
填してなるビア７４を、突起２００、２２０を上下に貫
通させて形成しても良い。そして、そのビア７４を介し
て、半導体チップの電極７２を突起２００、２２０表面
の端子２１０に電気的に接続しても良い。
は、図１８に示したように、突起２００、２２０を、半
導体チップの電極７２上に形成して、その電極７２直上
の突起２００、２２０部分に、スルーホールに導体を充
填してなるビア７４を、突起２００、２２０を上下に貫
通させて形成しても良い。そして、そのビア７４を介し
て、半導体チップの電極７２を突起２００、２２０表面
の端子２１０に電気的に接続しても良い。
【００７２】また、図９又は図１０に示した第５の実装
構造においては、バンプ２３０を端子２１０上に形成せ
ずに、端子２１０を、基板１０上の接続端子５０に、突
起２００、２２０の持つ弾性力を用いて、直接に圧接接
続しても良く、そのようにしても、図９又は図１０に示
した第５の実装構造とほぼ同様な作用を持つ実装構造を
提供できる。
構造においては、バンプ２３０を端子２１０上に形成せ
ずに、端子２１０を、基板１０上の接続端子５０に、突
起２００、２２０の持つ弾性力を用いて、直接に圧接接
続しても良く、そのようにしても、図９又は図１０に示
した第５の実装構造とほぼ同様な作用を持つ実装構造を
提供できる。
【００７３】同様に、図１１又は図１２に示した第６の
実装構造においても、バンプ２４０を基板１０上の接続
端子５０に形成せずに、端子２１０を、基板１０上の接
続端子５０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を用い
て、直接に圧接接続しても良く、そのようにしても、図
１１又は図１２に示した第６の実装構造とほぼ同様な作
用を持つ実装構造を提供できる。
実装構造においても、バンプ２４０を基板１０上の接続
端子５０に形成せずに、端子２１０を、基板１０上の接
続端子５０に、突起２００、２２０の持つ弾性力を用い
て、直接に圧接接続しても良く、そのようにしても、図
１１又は図１２に示した第６の実装構造とほぼ同様な作
用を持つ実装構造を提供できる。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１ない
し第８の実装構造によれば、半導体チップの複数の各電
極上に形成されたバンプ、基板上の複数の各舌片表面の
接続端子上に形成されたバンプ、基板上の複数の各突起
表面の接続端子上に形成されたバンプ、半導体チップ上
の複数の各突起表面の端子上に形成されたバンプ、又は
基板上の複数の各接続端子上に形成されたバンプに高低
差があっても、それらの各バンプを、それに対応する基
板上の舌片表面に形成された複数の各接続端子、半導体
チップの複数の各電極、基板上の複数の各突起表面の接
続端子、基板上の複数の各接続端子、又は半導体チップ
上の複数の各突起表面の端子に、舌片又は突起の持つ弾
性力を用いて、一定の押圧力以上で確実に圧接接続でき
る。そして、それらの複数の各バンプを研磨等して、そ
れらの各バンプの高さを同一に揃える必要を無くすこと
ができる。
し第８の実装構造によれば、半導体チップの複数の各電
極上に形成されたバンプ、基板上の複数の各舌片表面の
接続端子上に形成されたバンプ、基板上の複数の各突起
表面の接続端子上に形成されたバンプ、半導体チップ上
の複数の各突起表面の端子上に形成されたバンプ、又は
基板上の複数の各接続端子上に形成されたバンプに高低
差があっても、それらの各バンプを、それに対応する基
板上の舌片表面に形成された複数の各接続端子、半導体
チップの複数の各電極、基板上の複数の各突起表面の接
続端子、基板上の複数の各接続端子、又は半導体チップ
上の複数の各突起表面の端子に、舌片又は突起の持つ弾
性力を用いて、一定の押圧力以上で確実に圧接接続でき
る。そして、それらの複数の各バンプを研磨等して、そ
れらの各バンプの高さを同一に揃える必要を無くすこと
ができる。
【図１】本発明の第１の実装構造の基板の平面図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の第１の実装構造の説明図である。
【図４】本発明の第２の実装構造の説明図である。
【図５】本発明の第３の実装構造の説明図である。
【図６】本発明の第３の実装構造の説明図である。
【図７】本発明の第４の実装構造の説明図である。
【図８】本発明の第４の実装構造の説明図である。
【図９】本発明の第５の実装構造の説明図である。
【図１０】本発明の第５の実装構造の説明図である。
【図１１】本発明の第６の実装構造の説明図である。
【図１２】本発明の第６の実装構造の説明図である。
【図１３】本発明の第７の実装構造の説明図である。
【図１４】本発明の第８の実装構造の説明図である。
【図１５】本発明の第１又は第２の実装構造の基板の正
面断面図である。
面断面図である。
【図１６】本発明の第１又は第２の実装構造の基板の正
面断面図である。
面断面図である。
【図１７】本発明の第１又は第２の実装構造の基板の一
部拡大平面図である。
部拡大平面図である。
【図１８】本発明の第５又は第６の実装構造の半導体チ
ップの一部拡大正面断面図である。
ップの一部拡大正面断面図である。
１０ 基板 １２ａ スリット ２０ 舌片 ３０ 空隙 ４０ 接続回路 ５０ 接続端子 ７０ 半導体チップ ７２ 半導体チップの電極 ８０、９０ バンプ １００ 突起 １１０ 空隙 １２０ 接続端子 １３０、１６０ ビア １４０ バンプ ２００、２２０ 突起 ２１０ 端子 ２３０、２４０ バンプ ２５０ 突起 ２６０ 空隙 ２７０ ビア ２８０ 端子 ３００、３１０ バンプ
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に形成された可撓性部材からなる
舌片であって、その直下の基板上に舌片を没入させる空
隙が形成された舌片表面に前記基板の接続回路に電気的
に接続された接続端子が形成され、該接続端子に、半導
体チップの電極上に形成された導電性のバンプが前記舌
片の持つ弾性力を用いて圧接接続されてなる半導体チッ
プの基板への実装構造。 - 【請求項２】 基板上に形成された可撓性部材からなる
舌片であって、その直下の基板上に舌片を没入させる空
隙が形成された舌片表面に前記基板の接続回路に電気的
に接続された接続端子が形成され、該接続端子上に形成
された導電性のバンプが、半導体チップの電極に前記舌
片の持つ弾性力を用いて圧接接続されてなる半導体チッ
プの基板への実装構造。 - 【請求項３】 基板上に形成された可撓性部材からなる
突起であって、その内側に突起を没入させる空隙が形成
された突起表面に前記基板の接続回路に電気的に接続さ
れた接続端子が形成され、該接続端子に、半導体チップ
の電極上に形成された導電性のバンプが前記突起の持つ
弾性力を用いて圧接接続されてなる半導体チップの基板
への実装構造。 - 【請求項４】 基板上に形成された可撓性部材からなる
突起であって、その内側に突起を没入させる空隙が形成
された突起表面に前記基板の接続回路に電気的に接続さ
れた接続端子が形成され、該接続端子上に形成された導
電性のバンプが、半導体チップの電極に前記突起の持つ
弾性力を用いて圧接接続されてなる半導体チップの基板
への実装構造。 - 【請求項５】 半導体チップ上に形成された弾力性のあ
る突起表面に前記半導体チップの電極に電気的に接続さ
れた端子が形成され、該端子上に形成された導電性のバ
ンプが、基板上の接続端子に前記突起の持つ弾性力を用
いて圧接接続されてなる半導体チップの基板への実装構
造。 - 【請求項６】 半導体チップ上に形成された弾力性のあ
る突起表面に前記半導体チップの電極に電気的に接続さ
れた端子が形成され、該端子に、基板上の接続端子上に
形成された導電性のバンプが前記突起の持つ弾性力を用
いて圧接接続されてなる半導体チップの基板への実装構
造。 - 【請求項７】 半導体チップ上に形成された可撓性部材
からなる突起であって、その内側に突起を没入させる空
隙が形成された突起表面に前記半導体チップの電極に電
気的に接続された端子が形成され、該端子上に形成され
た導電性のバンプが、基板上の接続端子に前記突起の持
つ弾性力を用いて圧接接続されてなる半導体チップの基
板への実装構造。 - 【請求項８】 半導体チップ上に形成された可撓性部材
からなる突起であって、その内側に突起を没入させる空
隙が形成された突起表面に前記半導体チップの電極に電
気的に接続された端子が形成され、該端子に、基板上の
接続端子上に形成された導電性のバンプが前記突起の持
つ弾性力を用いて圧接接続されてなる半導体チップの基
板への実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12793397A JPH10303345A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 半導体チップの基板への実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12793397A JPH10303345A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 半導体チップの基板への実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303345A true JPH10303345A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14972233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12793397A Pending JPH10303345A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 半導体チップの基板への実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303345A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001049088A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Intel Corporation | Direct bga attachment without solder reflow |
| JP2003506873A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-02-18 | フォームファクター，インコーポレイテッド | 相互接続アセンブリ及び方法 |
| JP2006098637A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
| US7268430B2 (en) | 2004-08-30 | 2007-09-11 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and process for manufacturing the same |
| JP2009117607A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板と半導体装置及びその製造方法 |
| JP2009238799A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujikura Ltd | 電子部品実装用基板及びその製造方法と、電子回路部品 |
| JP2009252784A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Fujikura Ltd | 電子部品実装用基板及びその製造方法と電子回路部品 |
| JP2011503862A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-01-27 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 機械的に分離されたボール接続を備えた電子部品 |
| US8199516B2 (en) | 2008-03-26 | 2012-06-12 | Fujikura Ltd. | Electronic component mounting board, method for manufacturing the same and electronic circuit unit |
| WO2018159309A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-04-28 JP JP12793397A patent/JPH10303345A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506873A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-02-18 | フォームファクター，インコーポレイテッド | 相互接続アセンブリ及び方法 |
| US6750551B1 (en) | 1999-12-28 | 2004-06-15 | Intel Corporation | Direct BGA attachment without solder reflow |
| WO2001049088A1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Intel Corporation | Direct bga attachment without solder reflow |
| US7776735B2 (en) | 2004-08-30 | 2010-08-17 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and process for manufacturing the same |
| US7268430B2 (en) | 2004-08-30 | 2007-09-11 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and process for manufacturing the same |
| KR100821574B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2008-04-15 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | 반도체 장치의 제조방법 |
| CN100437995C (zh) * | 2004-08-30 | 2008-11-26 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP2006098637A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
| JP2009117607A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板と半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011503862A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-01-27 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 機械的に分離されたボール接続を備えた電子部品 |
| JP2009238799A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujikura Ltd | 電子部品実装用基板及びその製造方法と、電子回路部品 |
| US8199516B2 (en) | 2008-03-26 | 2012-06-12 | Fujikura Ltd. | Electronic component mounting board, method for manufacturing the same and electronic circuit unit |
| JP2009252784A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Fujikura Ltd | 電子部品実装用基板及びその製造方法と電子回路部品 |
| WO2018159309A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2018147995A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
| US11183480B2 (en) | 2017-03-03 | 2021-11-23 | Denso Corporation | Semiconductor device |
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