JPH10303659A - オペレーショナルアンプ回路 - Google Patents

オペレーショナルアンプ回路

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Publication number
JPH10303659A
JPH10303659A JP10627497A JP10627497A JPH10303659A JP H10303659 A JPH10303659 A JP H10303659A JP 10627497 A JP10627497 A JP 10627497A JP 10627497 A JP10627497 A JP 10627497A JP H10303659 A JPH10303659 A JP H10303659A
Authority
JP
Japan
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circuit
transistor
output
collector
transistors
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP10627497A
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English (en)
Inventor
Kenji Takada
憲司 高田
Isao Shimotsuhama
功 下津浜
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 上述した従来のオペアンプ回路は回路を構成
する素子数が多く、コンデンサC1やPNP形トランジ
スタQ3,Q4,Q8,Q9,Q12,Q13,Q20
のように面積の大きな素子を多数含むため、オペアンプ
を形成する半導体チップの面積が大きくなる。 【解決手段】 供給される信号を減衰して出力する減衰
回路と、上記減衰回路より出力される信号を非反転増幅
して出力する差動増幅回路と、差動増幅回路の出力を出
力する出力駆動回路とを複数段縦続接続して構成する。
このため、素子数が減少し、また、コンデンサが不要と
なり、PNP形トランジスタの数が減少し、素子を形成
する面積が小さくなり、小型化が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はオペレーショナルア
ンプ回路に関し、差動入力型のオペレーショナルアンプ
回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図8は従来のオペレーショナルアンプ
(以下「オペアンプ」という)の一例の回路図を示す。
同図中、NPN形トランジスタQ1,Q2が差動入力回
路を構成している。差動入力成分に対して、ベース接地
として動作するPNP形トランジスタQ3,Q4によ
り、直流レベルシフトを行っている。NPN形トランジ
スタQ5,Q6,Q7はカレントミラー回路による単一
出力への変換回路になっている。この出力は次段の高利
得増幅段の入力NPN形トランジスタQ16のベースへ
供給される。PNP形トランジスタQ8,Q9は同相入
力分に対するカレントミラー回路であり、NPN形トラ
ンジスタQ10の能動負荷により高利得を得て、トラン
ジスタQ3,Q4のベースへ負帰還をかけている。ダー
リングトン接続されたNPN形トランジスタQ16,Q
17により、高入力インピーダンスを達成すると同時に
PNP形トランジスタQ13の能動負荷を用いて高利得
を得ている。NPN形トランジスタQ18はレベルシフ
ト回路になっている。C1は位相補償コンデンサになっ
ている。トランジスタQ14,Q20により、プッシュ
プル回路を構成している。トランジスタQ18,抵抗R
6,R7による直流電圧により、トランジスタQ14,
Q20にバイアスを与えている。NPN形トランジスタ
Q15,Q19は出力保護用のトランジスタである。図
9は図8の回路の出力特性図を示す。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のオペア
ンプ回路は大別して、入力差動増幅段、高利得増幅段、
B級プッシュプル出力段の三つに分けられ、その他格段
に直流バイアスを供給する回路で構成されており、CM
RR(同相成分抑圧比)の向上、及び直流バイアス安定
化のためにカレントミラー回路やPNPトランジスタ対
(Q8,Q9,Q3,Q4)を使用し、負帰還をかけて
も発振しないように位相補償用のコンデンサC1を設
け、また、高利得を得るために能動負荷としてPNPト
ランジスタQ13を使っている。このため、回路を構成
する素子数が多く、コンデンサC1やPNP形トランジ
スタQ3,Q4,Q8,Q9,Q12,Q13,Q20
のように面積の大きな素子を多数含むため、オペアンプ
を形成する半導体チップの面積が大きくなり、レイアウ
トスペースに影響を与えるという問題があった。
【0004】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
素子を形成する面積が小さくなり、小型化が可能なオペ
レーショナルアンプ回路を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、供給される信号を減衰して出力する減衰回路と、上
記減衰回路より供給される信号を非反転増幅して出力す
る差動増幅回路と、上記差動増幅回路の出力を出力する
出力駆動回路とを複数段縦続接続して構成する。
【0006】このように、減衰回路の減衰率を変更して
必要な特性を得、また複数段縦続接続することにより歪
み特性が改善されるため、余分な付加回路を設ける必要
がなく、素子数が減少し、また、コンデンサが不要とな
り、PNP形トランジスタの数が減少し、素子を形成す
る面積が小さくなり、小型化が可能となる。
【0007】
【発明の実施の形態】図1は本発明の前提となる実施例
の回路図を示す。同図中、非反転入力端子10,反転入
力端子12夫々は第1段の単一出力差動増幅回路14を
構成するNPN形トランジスタTR1 ,TR2 夫々のベ
ースに接続されている。トランジスタTR1 のコレクタ
は抵抗R2 を介して電源VCCに接続され、トランジスタ
TR2のコレクタは電源VCCに接続されている。トラン
ジスタTR1 ,TR2 のエミッタは定電流源としてのN
PN形トランジスタTR4 のコレクタに共通に接続され
ている。NPN形トランジスタTR3 とTR4 とはカレ
ントミラー回路を構成し、夫々のエミッタは接地されて
いる。トランジスタTR3 のコレクタは抵抗R1を介し
て電源VCCに接続されている。
【0008】上記の単一出力差動増幅回路14のトラン
ジスタTR1 のコレクタは第1段の駆動回路16のPN
P形トランジスタTR5 ,TR6 夫々のベースに接続さ
れている。トランジスタTR5 はエミッタを電源VCC
接続され、コレクタを抵抗R 3 を介して接地されてい
る。トランジスタTR6 はエミッタを電源VCCに接続さ
れ、コレクタをトランジスタTR5 のコレクタと共通接
続されている。
【0009】上記の駆動回路16のトランジスタTR6
のコレクタは第2段の単一出力差動増幅回路18を構成
するNPN形トランジスタTR8 のベースに接続されて
いる。また差動増幅回路18を構成するNPN形トラン
ジスタTR7 のベースは非反転入力端子20に接続され
ている。第1段、第2段の単一出力差動増幅回路14,
18は同一構成とされている。
【0010】トランジスタTR7 のコレクタは抵抗R5
を介して電源VCCに接続され、トランジスタTR8 のコ
レクタは電源VCCに接続されている。トランジスタTR
7 ,TR8 のエミッタは定電流源としてのNPN形トラ
ンジスタTR10のコレクタに共通に接続されている。N
PN形トランジスタTR9 とTR10とはカレントミラー
回路を構成し、夫々のエミッタは接地されている。トラ
ンジスタTR9 のコレクタは抵抗R4 を介して電源VCC
に接続されている。
【0011】上記の単一出力差動増幅回路18のトラン
ジスタTR7 のコレクタは第2段の駆動回路22のPN
P形トランジスタTR11,TR12夫々のベースに接続さ
れている。第1段、第2段の駆動回路16,22は同一
構成とされている。トランジスタTR11はエミッタを電
源VCCに接続され、コレクタを抵抗R6 を介して接地さ
れている。トランジスタTR12はエミッタを電源VCC
接続され、コレクタをトランジスタTR11のコレクタと
共通接続されている。
【0012】上記の駆動回路22のトランジスタTR12
のコレクタは出力端子24に接続されている。ここで、
反転入力端子12、非反転入力端子20夫々の電圧V
in-1,Vin+2夫々は一定電圧に固定する。入力端子1
0,12間に入力された信号電圧は第1段の単一出力差
動増幅回路14で増幅される。トランジスタTR4 のコ
レクタには次式で表わされる電流I4Cが常に一定に流れ
る。
【0013】
【数1】
【0014】但し、IR1は抵抗R1 に流れる電流、VBE
はトランジスタTR3 のベース・エミッタ間電圧降下、
βはトランジスタTR4 の電流増幅率hfeである。ト
ランジスタTR1 ,TR2 夫々のエミッタ電流I1E,I
2Eは、ベース・エミッタ間電圧VBE1 ,VBE2 を用い
て、ダイオードと同様に次式で表わされる。
【0015】
【数2】
【0016】 また、I4C=I1E+I2E ・・・(4) 但し、IS1,IS2は各トランジスタTR1 ,TR2 の飽
和電流であり、IS1=I S2である。故に、
【0017】
【数3】
【0018】上記の(4),(5)式より次の式が得ら
れる。
【0019】
【数4】
【0020】但しV0 はトランジスタTR1 のコレクタ
電圧、α0 は電流増幅率である。上記の(6)式,
(7)式は図7に実線で示す特性となる。このため、V
CC−V0 <{トランジスタTR5 ,TR6 のスレッショ
ルド電圧}の場合にTR5 ,TR6 はオフとなり、逆に
CC−V0 >{トランジスタTR 5 ,TR6 のスレッシ
ョルド電圧}の場合にTR5 ,TR6 はオンとなる。
【0021】つまり、単一出力差動増幅回路14及び駆
動回路16は端子10の入力信号を非反転増幅して単一
出力差動増幅回路18に供給しており、単一出力差動増
幅回路18及び駆動回路22は反転増幅を行い端子24
より出力する。ここで、駆動回路16のトランジスタT
5 ,TR6 夫々は図2に示すように電流増幅率hfe
がコレクタ電流IC によって変化し、出力特性に歪みが
生じる。しかし、第2段の駆動回路22のトランジスタ
TR11,TR12も同一特性であるため、第1段の駆動回
路16による出力特性の歪みは第2段の駆動回路22に
よる出力特性の歪みで相殺され、出力端子24における
出力特性は歪みが小さくなる。
【0022】図1の回路の入出力特性を図3に示す。図
3の実線Iは入力電圧Vin+1に対するトランジスタTR
6 のコレクタ電圧VC6を示し、実線IIは入力電圧Vin+1
に対する出力電圧Vout を示している。図4は本発明の
一実施例の回路図を示す。同図中、図1と同一部分には
同一符号を付す。図4において、非反転入力端子10,
反転入力端子12夫々は第1段の減衰回路30を構成す
る抵抗R14,R17夫々を介して第1段の単一出力差動増
幅回路14のトランジスタTR1 ,TR2 夫々のベース
に接続されている。抵抗R14,R17夫々のトランジスタ
TR1 ,TR2 のベースとの接続点は抵抗R15,R18
々を介して電源VCCに接続されると共に、抵抗R16,R
19夫々を介して接地されている。
【0023】端子10,12夫々の入力電圧Vin+1,V
in-1夫々は減衰回路30で電圧VAT TN1 ,VATTN2 に減
衰されてトランジスタTR1 ,TR2 夫々のベースに供
給される。
【0024】
【数5】
【0025】トランジスタTR1 のコレクタは抵抗R2
を介して電源VCCに接続され、トランジスタTR2 のコ
レクタは電源VCCに接続されている。トランジスタTR
1 ,TR2 のエミッタは定電流源としてのNPN形トラ
ンジスタTR4 のコレクタに共通に接続されている。N
PN形トランジスタTR3 とTR4 とはカレントミラー
回路を構成し、夫々のエミッタは接地されている。トラ
ンジスタTR3 のコレクタは抵抗R1 を介して電源VCC
に接続されている。
【0026】上記の単一出力差動増幅回路14のトラン
ジスタTR1 のコレクタは第1段の駆動回路16のPN
P形トランジスタTR5 ,TR6 夫々のベースに接続さ
れている。トランジスタTR5 はエミッタを電源VCC
接続され、コレクタを抵抗R 3 を介して接地されてい
る。トランジスタTR6 はエミッタを電源VCCに接続さ
れ、コレクタをトランジスタTR5 のコレクタと共通接
続されている。
【0027】上記の駆動回路16のトランジスタTR6
のコレクタは第2段の減衰回路32を構成する抵抗R27
を介して第2段の単一出力差動増幅回路18を構成する
NPN形トランジスタTR8 のベースに接続されてい
る。また非反転入力端子20は第2段の減衰回路32を
構成する抵抗R24を介して差動増幅回路18を構成する
NPN形トランジスタTR7 のベースに接続されてい
る。
【0028】抵抗R24,R27夫々のトランジスタT
7 ,TR8 のベースとの接続点は抵抗R25,R28夫々
を介して電源VCCに接続されると共に、抵抗R26,R29
夫々を介して接地されている。抵抗R24,R27夫々の入
力電圧V24,V27夫々は減衰回路32で電圧VATTN11
ATTN12に減衰されてトランジスタTR7 ,TR8 夫々
のベースに供給される。
【0029】
【数6】
【0030】第1段、第2段の単一出力差動増幅回路1
4,18は同一構成とされている。トランジスタTR7
のコレクタは抵抗R5 を介して電源VCCに接続され、ト
ランジスタTR8 のコレクタは電源VCCに接続されてい
る。トランジスタTR7 ,TR8 のエミッタは定電流源
としてのNPN形トランジスタTR10のコレクタに共通
に接続されている。NPN形トランジスタTR9 とTR
10とはカレントミラー回路を構成し、夫々のエミッタは
接地されている。トランジスタTR9 のコレクタは抵抗
4 を介して電源VCCに接続されている。
【0031】上記の単一出力差動増幅回路18のトラン
ジスタTR7 のコレクタは第2段の駆動回路22のPN
P形トランジスタTR11,TR12夫々のベースに接続さ
れている。第1段、第2段の駆動回路16,22は同一
構成とされている。トランジスタTR11はエミッタを電
源VCCに接続され、コレクタを抵抗R6 を介して接地さ
れている。トランジスタTR12はエミッタを電源VCC
接続され、コレクタをトランジスタTR11のコレクタと
共通接続されている。
【0032】上記の駆動回路22のトランジスタTR12
のコレクタは出力端子24に接続されている。ここで、
反転入力端子12、非反転入力端子20夫々の電圧V
in-1,Vin+2夫々は一定電圧に固定する。入力端子1
0,12間に入力された信号電圧は減衰回路30で減衰
された後、第1段の単一出力差動増幅回路14で増幅さ
れる。トランジスタTR4 のコレクタには次式で表わさ
れる電流I4Cが常に一定に流れる。
【0033】
【数7】
【0034】但し、IR1は抵抗R1 に流れる電流、VBE
はトランジスタTR3 のベース・エミッタ間電圧降下、
βはトランジスタTR4 の電流増幅率hfeである。ト
ランジスタTR1 ,TR2 夫々のエミッタ電流I1E,I
2Eは、ベース・エミッタ間電圧VBE1 ,VBE2 を用い
て、ダイオードと同様に次式で表わされる。
【0035】
【数8】
【0036】 また、I4C=I1E+I2E ・・・(4) 但し、IS1,IS2は各トランジスタTR1 ,TR2 の飽
和電流であり、IS1,I S2である。故に、
【0037】
【数9】
【0038】上記の(4),(5)式より次の式が得ら
れる。
【0039】
【数10】
【0040】但しV0 はトランジスタTR1 のコレクタ
電圧、α0 は電流増幅率である上記の(6)式,(7)
式は図7に実線で示す特性となる。このため、VCC−V
0 <{トランジスタTR5 ,TR6 のスレッショルド電
圧}の場合にTR5 ,TR6 はオフとなり、逆にVCC
0 >{トランジスタTR 5 ,TR6 のスレッショルド
電圧}の場合にTR5 ,TR6 はオンとなる。
【0041】つまり、単一出力差動増幅回路14及び駆
動回路16は端子10の入力信号を非反転増幅して単一
出力差動増幅回路18に供給しており、単一出力差動増
幅回路18及び駆動回路22は反転増幅を行い端子24
より出力する。駆動回路16のトランジスタTR5 ,T
6 夫々は図2に示すように電流増幅率hfeがコレク
タ電流IC によって変化し、出力特性に歪みが生じる。
しかし、第2段の駆動回路22のトランジスタTR11
TR12も同一特性であるため、第1段の駆動回路16に
よる出力特性の歪みは第2段の駆動回路22による出力
特性の歪みで相殺され、出力端子24における出力特性
は歪みが小さくなる。
【0042】図4の回路の入出力特性を図5に示す。図
5の実線III は入力電圧Vin+1に対するトランジスタT
6 のコレクタ電圧VC6を示し、実線IVは入力電圧V
in+1に対する出力電圧Vout を示している。減衰回路3
0は抵抗R14〜R19夫々の抵抗値を変更することにより
入力信号に対する減衰率を可変できる。減衰回路32も
同様である。このように減衰回路30,32の減衰率を
変更することにより、図4に示すオペアンプの出力特性
を図6に示すように可変できる。図6では減衰回路3
0,32の減衰率を大きくしたときの出力特性をVa,
Vb,Vc,Vd,Vdの順に示している。
【0043】このように、本実施例では直流動作を想定
しているためCMRRを考慮する必要がなく、コンデン
サが不要でPNPトランジスタの数を少なくでき、ま
た、要求動作にPNPトランジスタが必要な駆動回路以
外にはPNPトランジスタを使用していない。また、減
衰回路によって出力レベルが可変となり、複数段縦続接
続することによって歪み特性が改善されることから、必
要な特性を回路定数で合わせ込むことが可能となり、余
分な付加回路が不要となり、回路素子数を減少できる。
これによって小型化が可能となる。
【0044】なお、上記実施例では差動増幅回路と駆動
回路、又はこれに減衰回路を付加したものを2段縦続接
続しているが、これは4段、6段等、複数段縦続接続す
る構成であっても良い。
【0045】
【発明の効果】上述の如く、請求項1に記載の発明は、
供給される信号を減衰して出力する減衰回路と、上記減
衰回路より出力される信号を反転増幅して出力する差動
増幅回路と、上記差動増幅回路の出力を出力する出力駆
動回路とを複数段縦続接続して構成する。
【0046】このように、減衰回路の減衰率を変更して
必要な特性を得、また複数段継続接続することにより歪
み特性が改善されるため、余分な付加回路を設ける必要
がなく、素子数が減少し、また、コンデンサが不要とな
り、PNP形トランジスタの数が減少し、素子を形成す
る面積が小さくなり、小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の回路図である。
【図2】トランジスタの特性図である。
【図3】図1の回路の出力特性図である。
【図4】本発明の回路図である。
【図5】図4の回路の出力特性図である。
【図6】出力特性の可変を示す図である。
【図7】本発明を説明するための特性図である。
【図8】従来回路の回路図である。
【図9】図8の回路の出力特性図である。
【符号の説明】
14,18 単一出力差動増幅回路 16,22 駆動回路 30,32 減衰回路 R1 〜R29 抵抗 TR1 〜TR12 トランジスタ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 供給される信号を減衰して出力する減衰
    回路と、 上記減衰回路より供給される信号を非反転増幅して出力
    する差動増幅回路と、 上記差動増幅回路の出力を出力する出力駆動回路とを複
    数段縦続接続して構成したことを特徴とするオペレーシ
    ョナルアンプ回路。
JP10627497A 1997-04-23 1997-04-23 オペレーショナルアンプ回路 Withdrawn JPH10303659A (ja)

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Effective date: 20040706