JPH10308467A - ボールグリッドアレイ半導体パッケージ用ユニットｐｃｂキャリヤフレーム及びこれを用いるボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

ボールグリッドアレイ半導体パッケージ用ユニットｐｃｂキャリヤフレーム及びこれを用いるボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法

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JPH10308467A JP8182799A JP18279996A JPH10308467A JP H10308467 A JPH10308467 A JP H10308467A JP 8182799 A JP8182799 A JP 8182799A JP 18279996 A JP18279996 A JP 18279996A JP H10308467 A JPH10308467 A JP H10308467A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高温の組立工程を経て作業を進行しても製品
の曲がり発生を最少化し、ＰＣＢパネルからできるだけ
多くの良品のユニットＰＣＢを作って使用し得るように
して製品の歩留まりを向上する。 【解決手段】 ストリップ又はリール形態のフレーム２
５に長いスロット２３により囲われて形成される複数の
ダイパッド２１を有し、ヒートシンクとして機能する各
々のダイパッド上にユニットＰＣＢ１３をそれぞれ付着
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はヒートシンク付着型
ボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ：ＢＧＡ）半導体パッケージの製作時に使用されるユ
ニットＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏ
ａｒｄ）キャリヤフレームに関するもので、より詳しく
はストリップ又はフープ状のフレームに長いスロットに
より囲われて形成された複数のダイパッド上にユニット
ＰＣＢを搭載して組立工程を遂行し、ダイパッドがヒー
トシンクとして使用されるボールグリッドアレイ半導体
パッケージユニットＰＣＢキャリヤフレーム及びそれを
用いたボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】典型的なヒートシンク付着型ボールグリ
ッドアレイ半導体パッケージ１は、図３に示すように、
半導体チップ４０が実装されるＰＣＢ１０の部分にキャ
ビティ１４が形成されており、ＰＣＢ１０の底面にはヒ
ートシンク３０が付着され、ＰＣＢ１０に形成されたキ
ャビティ１４内の露出されたヒートシンク３０の上面に
は直接半導体チップ４０が付着され、半導体チップ４０
に形成されたボンドパッド（図示せず）とＰＣＢ１０の
上面に形成された配線パターンの端子は電気的導電性の
ボンドワイヤー４３により電気的に接続され、半導体チ
ップ４０とボンドワイヤー４３等を外部環境から保護し
半導体チップ４０とＰＣＢ１０間の比較的大きい熱膨張
係数差に起因する応力及び変形力を緩和させるためにエ
ポキシ樹脂等のような封止剤４５がキャビティ１４を含
んだ周辺領域上にモールディングされ、ＰＣＢ１０の封
止剤４５のない上面には入出力端子として使用される複
数のソルダボール５０が溶着される。このような半導体
パッケージは半導体チップ４０の動作時に発生するヒー
トシンク３０により効果的に放熱し得るようになってい
る。
【０００３】従来、ヒートシンク型ボールグリッドアレ
イ半導体パッケージ１の製作は、図４に示すように、Ｐ
ＣＢパネル１１上に必要な回路パターン及びキャビティ
１４を形成した後、ＰＣＢパネル１１の底面にＰＣＢパ
ネル１１と同大きさのヒートシンク３０をエポキシ又は
接着テープ等を用いて高温、高圧のプレスで接着させた
後、ヒートシンク３０が接着されたＰＣＢパネル１１を
所定大きさに切断してＰＣＢストリップ１２に作る。こ
のように製作された従来のＰＣＢストリップ１２は半導
体チップ４０の付着及び封止剤のモールディング等の後
続組立工程に効率的に利用でき、前記後続組立工程によ
り製作されたボールグリッドアレイ半導体パッケージス
トリップ（図示せず）は各々の半導体チップ４０が実装
された各単位に切断されてボールグリッドアレイ半導体
パッケージ１が最終的に完成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の方法により製作されたＰＣＢストリップ１２
は、高温、高圧のプレスを用いてヒートシンク３０上に
ＰＣＢパネル１１を積層したものを所定大きさに切断し
たもので、封止剤のモールディング等、高温で処理され
る後続工程時に、高温の環境下に反復的に置かれるた
め、ビスマレイミドトリアジン（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉ
ｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ）等の樹脂類で成形されたＰＣ
Ｂパネル１１と銅合金又はアルミニウム等の金属材で形
成されたヒートシンク３０間の比較的大きい熱膨張係数
差に起因する応力及び変形力を受ける。従って、高温下
で処理されるボールグリッドアレイ半導体パッケージ１
の組立工程が進行するにしたがい、従来のＰＣＢストリ
ップ１２の湾曲程度が大きくなり、以後の工程処理を難
しくするか不可能にするという問題点があった。
【０００５】又、ボールグリッドアレイ半導体パッケー
ジ１はソルダボール５０を入出力端子として使用してい
るため、複数のソルダボール５０の先端面の同一平面上
にある精度（Ｃｏｐｌａｎａｒｉｔｙ）が高くなければ
（最大６ｍｉｌ以下）パッケージの不良をもたらす要因
となり、前記従来のＰＣＢストリップ１２は湾曲しやす
いので、その上面に溶着されるソルダボール５０の同一
平面精度も低くなって品質の低下不良をもたらすという
問題点があった。
【０００６】さらに、従来のＰＣＢストリップ１２はヒ
ートシンク３０が接着されたＰＣＢパネル１１からスト
リップ形態に切断され形成されるものであるため、高
温、高圧のプレスによる接着時、所定の規定値以上に湾
曲されたＰＣＢパネル１１部分を切断して形成されたＰ
ＣＢストリップ１２は後続工程で使用できなくて歩留ま
り、生産性が低下する問題点があった。
【０００７】従って、本発明は、前記のような従来の問
題点を解消するためのもので、ヒートシンクとして機能
する複数のダイパッドが周囲を長いスロットにより囲わ
れて一列に形成されたストリップ状あるいはフープ状の
ユニットＰＣＢキャリヤフレームを使用し、前記ダイパ
ッド上にユニットＰＣＢを付着した状態でパッケージの
組立工程を遂行した後、前記ダイパッドをフレーム上に
支持するタイバーを切断することにより、良好な品質を
有するボールグリッドアレイ半導体パッケージを歩留ま
りよく、高生産性で製造することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】従って、本発明の目的を
達成するため、本発明は、熱伝導性材料からなるフレー
ムと、該フレームに穿設された長いスロットと、該長い
スロットに囲われて形成されるダイパッドと、前記長い
スロットに隣接して前記ダイパッドとその周囲のフレー
ムとを連結支持するタイバーとから構成され、前記ダイ
パッドがこの上に接着されるユニットＰＣＢのヒートシ
ンクとして機能することを特徴とするボールグリッドア
レイ半導体パッケージ用ユニットＰＣＢキャリヤフレー
ムを提供する。
【０００９】又、本発明は、ＰＣＢパネル上に所定のパ
ターン及びキャビティを形成する段階と、パターンが形
成されたＰＣＢパネルを複数のユニットＰＣＢに切断す
る段階と、ユニットＰＣＢフレームに長いスロットで囲
われて形成され、且つ、細いタイバーで周囲のフレーム
と連結された複数のダイパッドの各々に、前記ユニット
ＰＣＢと前記キャビティに配置した半導体チップとを接
着する段階と、その後の半導体パッケージの組立工程完
了後、前記タイバーを切断する段階とを包含することを
特徴とするユニットＰＣＢキャリヤフレームを用いるボ
ールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法を提供
する。
【００１０】本発明のユニットＰＣＢキャリヤフレーム
を使用してヒートシンク付着ボールグリッドアレイ半導
体パッケージを製造する場合、各ユニットＰＣＢをキャ
リヤフレーム上の各ダイパッド上に接着した状態で後続
する組立工程を終るので、高温で処理される後工程でも
各ダイパッド上に接着されたユニットＰＣＢの湾曲が非
常に少なく、ボールグリッドアレイ半導体パッケージの
高品質化を達成することができるとともに製品の生産性
を向上し、歩留まりを高めることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面を参照し
てより詳細に説明する。図１は本発明によるユニットＰ
ＣＢの製作過程の一実施形態を示すもので、ＰＣＢパネ
ル１１上に予め決定された所定の回路パターン（図示せ
ず）及びキャビティ１４を形成した後、パターンが形成
されたＰＣＢパネル１１をパッケージに使用される所定
の大きさに切断してユニットＰＣＢ１３を形成する。各
々のユニットＰＣＢ１３には半導体チップ４０（図３参
照）を実装するためのキャビティ１４が、この実施形態
では、一つずつ形成したが、キャビティ１４を二つ以上
としてもよい。
【００１２】図２（Ａ）は本発明のユニットＰＣＢキャ
リヤフレーム２０の平面図で、フレーム２５、複数のダ
イパッド２１及びタイバー２２で構成され、ダイパッド
２１は完成されたパッケージ１におけるヒートシンクと
して機能する。本発明のユニットＰＣＢキャリヤフレー
ム２０に形成された複数のダイパッド２１は、ユニット
ＰＣＢ１３が搭載される部分で、ユニットＰＣＢ１３の
形状に対応させて長いスロット２３が周囲を囲むことに
よって形成される。このスロット２３の形状及び位置
は、この実施の形態に限定されず、多様に選択できる
が、図２（Ａ）では同一形状及び大きさの四つのスロッ
ト２３によって一つのダイパッド２１を形成した一例を
示し、ダイパッド２１，２１の間の一対のスロット２３
間にはスロット２３に平行に第２のスロット２３’が形
成される。各ダイパッド２１に隣接してタイバー２２が
あってこれによりダイパッド２１がフレーム２５に連結
支持される。タイバー２２の形状及び形成位置はこの実
施の形態に限定されるものではなく、パッケージの組立
工程完了後にフレームから容易にダイパッド２１の部分
が切断できればその形状及び位置は任意である。
【００１３】本発明のユニットＰＣＢキャリヤフレーム
２０において、ダイパッド２１の周囲を囲むスロット２
３と第２のスロット２３’とは高温下のパッケージ組立
工程下でユニットＰＣＢキャリヤフレーム２０が熱応力
により湾曲されることを防止する役割をする。ストリッ
プ状あるいはリールに巻かれるフープ状のフレーム２５
には、本発明のユニットＰＣＢキャリヤフレーム２０を
移送したり正確な位置にセッティングする等の用途に使
用される所定間隔の複数の孔２４が形成してある。
【００１４】本発明のユニットＰＣＢキャリヤフレーム
２０の素材としては、熱伝導性に優れた銅、銅合金、ア
ルミニウム又はステンレス等の金属材が好ましい。スト
リップ又はリール形態のパッケージの組立完成後、タイ
バー２２を切断して完成される各ボールグリッドアレイ
半導体パッケージ１（図３参照）でダイパッド２１がヒ
ートシンク３０の役割をする。
【００１５】本発明のユニットＰＣＢキャリヤフレーム
２０に形成された複数のダイパッド２１の各々にユニッ
トＰＣＢ１３を接着して搭載時の接着強度を高めるため
に、ダイパッド２１がアルミニウムである場合は酸化皮
膜処理（Ａｎｏｄｉｚｉｎｇ）してＡｌ2Ｏ3のような薄
膜を被せるか、又は銅合金材である場合はＣｕ2Ｏ、Ｃ
ｕＯ等のような酸化物による薄膜を形成させることが好
ましい。
【００１６】又、ダイパッド２１の底面には表面保護及
び腐蝕防止のためニッケル又はソルダ鍍金処理すること
が好ましい。本発明のユニットＰＣＢキャリヤフレーム
２０に形成されるダイパッド２１の大きさは接着される
ユニットＰＣＢ１３の大きさの±２ｍｍ以内の寸法に形
成することが工程処理上好ましい。
【００１７】図２（Ｂ）は、本発明のユニットＰＣＢキ
ャリアフレーム２０上に複数のユニットＰＣＢ１３を搭
載した状態を示す平面図である。図２（Ｂ）において
は、銀充填エポキシ樹脂等の熱伝導性のよいエポキシ
系、ポリイミド系の樹脂類の接着剤又は接着フィルム等
を用いて、複数のダイパッド２１の各々にユニットＰＣ
Ｂ１３を搭載し、更に、そのキャビティ１４の中央に、
図３に示した半導体チップ４０を配置して、１５０℃以
上の高温でエポキシ樹脂類を硬化させて、これらを接着
する。接着フィルムを用いる場合は、高温、高圧のプレ
スにより接着する。
【００１８】接着剤の硬化後、Ａｕワイヤー４３を用い
て半導体チップ４０上のボンドパッド（図示せず）から
ＰＣＢ１０（ユニットＰＣＢ２０）上のリードフィンガ
ー（図示せず）を互いに連結、接続し、液状の封止用樹
脂を用いてキャビティ１４を包含した周辺領域を封止し
（４５）、高温で硬化する。次いで、ソルダボール５０
の溶着を容易にするため、樹脂系のフラックス又は水溶
性のフラックスをソルダボール５０の溶着部分に塗布し
た後、ソルダボール５０を置き、２２０℃以上の高温に
維持された炉内を通過させて溶着させる（図３参照）。
その後、半水溶性又は水溶性洗剤等を用いてパッケージ
製品に残留するフラックス等をすっかり除去する。
【００１９】以上の半導体パッケージの組立工程は、キ
ャリヤフレーム２０をその長手方向に順次送りながら連
続的に進めて行われる。ユニットＰＣＢキャリヤフレー
ム２０上で半導体パッケージを組み立てた後、その先の
作業ステーションにおいてダイバーを切断して半導体パ
ッケージ１とフレーム２５とを分離する。
【００２０】ユニットＰＣＢ１３が複数のダイパッド２
１の各々に接着された本発明のユニットＰＣＢキャリヤ
フレーム２０は、ボールグリッドアレイ半導体パッケー
ジ１を製造する従来の組立工程にそのまま適用できると
ともに、従来の生産設備をそのまま利用することができ
るので、製造原価を節減し得る利点がある。又、半導体
パッケージの組立工程時、ユニットＰＣＢ１３が本発明
のキャリヤフレーム２０に搭載される部分はダイパッド
２１のみに限定されるので、互に異なる材質のユニット
ＰＣＢ１３とヒートシンク３０（即ち、本発明のユニッ
トＰＣＢキャリヤフレーム２０のダイパッド２１）を接
着して使用しても、熱膨張の差により湾曲される程度が
非常に少なく、高温度で処理される後続工程を経由して
も溶着ソルダボール５０先端面を同一平面上に正確に維
持することができる。
【００２１】ストリップ又はフープ状のＰＣＢキャリヤ
フレーム２０上で順次連続的に組立てられ、完成された
ボールグリッドアレイ半導体パッケージ１は、タイバー
２２を切断することにより、フレーム２５から切り離さ
れて、個々の独立したボールグリッドアレイ半導体パッ
ケージとなる。本発明のユニットＰＣＢキャリヤフレー
ム２０は、既存の半導体パッケージ製造設備及び工程を
そのまま適用し得るように、既存のリードフレームに類
似した形態のストリップ形態に構成されることが好まし
いが、連続工程処理を遂行し得るようにフープ形態に構
成することも好ましい。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よるユニットＰＣＢキャリヤフレーム２０を用いてヒー
トシンク付着型ボールグリッドアレイ半導体パッケージ
１を製造すると、熱伝達が良好なユニットＰＣＢキャリ
ヤフレーム２０に形成された複数のダイパッド２１の各
々にユニットＰＣＢ１３を接着させるので、高温で処理
される後続工程を経由してもパッケージの湾曲発生が非
常に少なくなる。又、ＰＣＢパネル１１から多くのユニ
ットＰＣＢ１３を作ることができるので、生産性を向上
させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるユニットＰＣＢの製作説明図であ
る。
【図２】（Ａ）は、本発明のユニットＰＣＢキャリヤフ
レームの平面図、（Ｂ）は、複数のユニットＰＣＢが搭
載された状態の本発明のユニットＰＣＢキャリヤフレー
ムの平面図である。
【図３】一般的なヒートシンク付着型ボールグリッドア
レイ半導体パッケージの断面図である。
【図４】従来のヒートシンク付着ＰＣＢストリップの製
作説明図である。
【符号の説明】
１ ヒートシンク付着型ボールグリッドアレイ半導体
パッケージ １０ ＰＣＢ １１ ＰＣＢパネル １３ ユニットＰＣＢ １４ キャビティ ２０ ユニットＰＣＢキャリヤフレーム ２１ ダイパッド ２２ タイバー ２３ スロット ２４ 孔 ２５ フレーム ３０ ヒートシンク ４０ 半導体チップ ５０ ソルダボール ６０ ユニットＰＣＢ搭載キャリヤフレーム

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 熱伝導性材料からなるフレームと、該フ
    レームに穿設された長いスロットと、該長いスロットに
    囲われて形成されるダイパッドと、前記長いスロットに
    隣接して前記ダイパッドとその周囲のフレームとを連結
    支持するタイバーとから構成され、 前記ダイパッドがこの上に接着されるユニットＰＣＢの
    ヒートシンクとして機能することを特徴とするボールグ
    リッドアレイ半導体パッケージ用ユニットＰＣＢキャリ
    ヤフレーム。
  2. 【請求項２】 隣り合う一対のダイパッドの間に前記長
    いスロットが一対配置されており、この一対の長いスロ
    ットの間に第２のスロットが穿設されていることを特徴
    とする請求項１に記載のボールグリッドアレイ半導体パ
    ッケージ用ユニットＰＣＢキャリヤフレーム。
  3. 【請求項３】 前記フレームが銅、銅合金、アルミニウ
    ム及びステンレスでなる群から選択される何れか一つの
    金属材料で形成されることを特徴とする請求項１又は２
    に記載のボールグリッドアレイ半導体パッケージ用ユニ
    ットＰＣＢキャリヤフレーム。
  4. 【請求項４】 前記ダイパッドの大きさがこの上に接着
    されるユニットＰＣＢの大きさの±２ｍｍ以内に形成さ
    れることを特徴とする請求項１，２又は３に記載のボー
    ルグリッドアレイ半導体パッケージ用ユニットＰＣＢキ
    ャリヤフレーム。
  5. 【請求項５】 前記ダイパッドが銅または銅合金で形成
    され、このダイパッド上にＣｕ2ＯまたはＣｕＯの薄膜
    を形成させてユニットＰＣＢとの接着強度を増大させた
    ことを特徴とする請求項１，２又は４に記載のボールグ
    リッドアレイ半導体パッケージ用ユニットＰＣＢキャリ
    ヤフレーム。
  6. 【請求項６】 前記ダイパッドがアルミニウムで形成さ
    れ、このダイパッド上に酸化皮膜処理による薄膜を形成
    させたことを特徴とする請求項１，２又は４に記載のボ
    ールグリッドアレイ半導体パッケージ用ユニットＰＣＢ
    キャリヤフレーム。
  7. 【請求項７】 前記ダイパッドの底面がニッケル又はソ
    ルダ鍍金されて表面保護処理されたことを特徴とする請
    求項１乃至５のいずれか一つに記載のボールグリッドア
    レイ半導体パッケージ用ユニットＰＣＢキャリヤフレー
    ム。
  8. 【請求項８】 前記フレームがストリップ又はフープ状
    に形成されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれ
    か一つに記載のボールグリッドアレイ半導体パッケージ
    用ユニットＰＣＢキャリヤフレーム。
  9. 【請求項９】 ＰＣＢパネル上に所定のパターン及びキ
    ャビティを形成する段階と、 パターンが形成されたＰＣＢパネルを複数のユニットＰ
    ＣＢに切断する段階と、 ユニットＰＣＢフレームに長いスロットで囲われて形成
    され、且つ、細いタイバーで周囲のフレームと連結され
    た複数のダイパッドの各々に、前記ユニットＰＣＢと前
    記キャビティに配置した半導体チップとを接着する段階
    と、 その後の半導体パッケージの組立工程完了後、前記タイ
    バーを切断する段階とを包含することを特徴とするユニ
    ットＰＣＢキャリヤフレームを用いるボールグリッドア
    レイ半導体パッケージの製造方法。
  10. 【請求項１０】 ＰＣＢパネルをユニットＰＣＢに切断
    する段階で、ユニットＰＣＢ上の半導体チップが実装さ
    れる部分に一つのキャビティが包含されるように切断す
    ることを特徴とする請求項９記載のユニットＰＣＢキャ
    リヤフレームを用いるボールグリッドアレイ半導体パッ
    ケージの製造方法。
  11. 【請求項１１】 ダイパッド上にユニットＰＣＢを接着
    する段階で、接着がエポキシ系又はポリイミド系の接着
    フィルムを用いた高温、高圧のプレスによる接着である
    ことを特徴とする請求項９または１０記載のユニットＰ
    ＣＢキャリヤフレームを用いるボールグリッドアレイ半
    導体パッケージの製造方法。
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