JPH10308555A - ハイブリッド導波形光回路とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストで防湿性と信頼性に優れた封止を可
能とする構造を備えたハイブリッド導波形光回路とその
製造方法を提供する。 【解決手段】 光素子（ＬＤ）２５等の長期信頼性に劣
る素材が搭載される切り欠き部２３を囲むように上部ク
ラッド層２２ｃ内部に表面平坦化層３１を設け、この表
面平坦化層３１によって切り欠き部２３周囲の上部クラ
ッド層２２ｃ表面を平らにする。この平らになった領域
に固定剤を介して封止蓋を固定し、切り欠き部２３を局
所的に気密封止する。この際、封止蓋は平担なクラッド
表面に固定され、封止蓋とクラッド表面との間隙を極め
て薄く設定できるので、固定剤の量を最小限にでき、例
えば固定剤として樹脂を用いた場合にも優れた防湿効果
を発揮でき、従来の半田やＹＡＧ溶接によってパッケー
ジ全体を気密封止していた光モジュールと比べて、封止
にかかるコストが格段に安くなり、低価格なモジュール
を実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野におい
て急速に導入が進んでいるハイブリッド導波形光回路と
その製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、波長多重光通信用光合分波器とし
てアレイ導波路格子の導入が、また、光加入者用の送受
信モジュールとして石英系ガラス導波路型光部品の導入
が進んでおり、その信頼性向上が重要となってきてい
る。

【０００３】一方、回路がガラスのみで構成される１ｘ
Ｎ光分岐回路等では、石英系ガラス導波路自身は湿熱に
対し極めて安定であることから、部品の信頼性は、光回
路と光ファイバの接続部のみで定まっていた。

【０００４】しかし光回路の高機能化に件い、例えば、
前記アレイ導波路格子回路では、偏波依存特性を解消す
るための波長板、若しくは温度依存特性を補償するため
の有機材料を導波路中に挟み込みかつ素材によってはこ
れを接着剤で固定している。

【０００５】また、光送受信モジュールでは、光半導体
を石英系ガラス導波路と集積化しているなど、部品を構
成する素材の数が増加している。しかもこれらの複合す
る材料は石英系ガラスに比べ特に高湿時の長期信頼性に
劣る欠点を有している。このため、光半導体単一の素子
では、一般に気密封止などで対応している。

【０００６】上記複合型光回路でも部品全体を気密封止
することも考えられるが、回路形状が大型で、封止パッ
ケージのコスト増を招いたり、さらには、有機材料によ
って被覆されている光ファイバを外部に取り出すため封
止自体が技術的に困難であったり、可能であっても大幅
なコスト増加を招く問題がある。

【０００７】そこで、部品内の一部を封止する対策が有
効となる。ところが、石英系ガラス導波路や半導体光導
波路では、導波路構造を作り込む場合、光の導波層とな
るコア部が露出している場合はもちちん、コア部をより
屈折率の低いクラッディング層で覆う場合にも平面回路
上部の表面には微妙な凹凸が存在する。

【０００８】従って、部分的に封止蓋などで回路の一部
を保護する場合、蓋と平面回路表面のギャップが、回路
パターンによって変化し、これら両者を半田や接着剤で
封止、固定する場合隙間ができ、封止効果が減少したり
また、初期的には封止できてもヒートサイクルなどで劣
化が進むといった欠点を有していた。

【０００９】図１は、従来のハイブリッド導波形光回路
の断面模式図である。これは火炎直接堆積法（ＦＨＤ）
によって製造された石英系ガラス導波路の断面を模式的
に示している。図において、１はＳｉ基板、２は下部ク
ラッド層、３は導波路コア層、４は上部クラッド層であ
る。

【００１０】図１に示すようにコア層３の存在する部分
の表面は他の部分に比べて盛り上がっている。原理的に
はこの凹凸の深さは、コア層３の厚みｔにほぼ等しくな
る。このような断面構造を有する導波路によって製造し
たアレイ導波路格子回路の上面図を図２の（ａ）（ｂ）
に示す。図において、５は入力導波路群、６は第一のス
ラブレンズ、７はアレイ導波路で、長さの異なる１０本
から数百本に至る導波路が密に配置されている。８は偏
波依存特性解消のための１／２波長板で、基板１に垂直
に溝を形成して導波路の一部を除去し、その間隙に例え
ばポリイミド製の１／２波長坂を挿入し、接着剤で固定
してある。

【００１１】また、９は温度依存特性補償回路で、機械
的又はドライエッチングによって加工した溝に有機材料
等を埋め込んで形成してある。１０は第二のスラブレン
ズ、１１は出カ導波路群、１２は封止蓋搭載部である。

【００１２】図２の（ｂ）には、（ａ）に示した光回路
の表面の凹凸を模式的に示してある。図において、斜線
部分が凸部である。

【００１３】次に、ＬＤなどの光素子を基板上に集積し
た光集積回路について、さらに詳細に説明する。この光
集積回路としてはたとえば、照井 他著「１９９５年電
子通信学会秋季大会予稿集Ｃ−１８２」には、石英系平
面光波回路（ＰＬＣ）の切リ欠き部に光半導体素子を搭
載し、ガラスキャップと樹脂で局所的に封止する構造が
提案されている。図３及び図４は、この提案に基づいた
ハイブリッド光集積回路の模式図である。図３は封止前
の斜視図、図４は封止後の斜視図である。

【００１４】図において、２１は基板、２２は基板２１
上に形成された光導波路である。本例では、基板２１と
してＳｉ基板を用い、光導波路２２として石英系光導波
路を用いた。下部クラッド層２２ｂ及び上部クラッド層
２２ｃの厚さはともに３０ミクロン、コア２２ａの寸法
は幅６ミクロンｘ高さ６ミクロンである。

【００１５】また、２３は切り欠き部であり、光導波路
２２の一部を底面長方形にエッチングして除去すること
により形成したものである。この切り欠き部２３は平坦
な底面２３ａ及び側壁２３ｂを有し、底面２３ａ上には
電極２４が形成され、その上には光素子、ここでは半導
体レーザー（ＬＤ）２５が搭載されて固定されている。

【００１６】また、切り欠き部２３近傍の光導波路２２
の表面、即ち上部クラッド層２２ｃの上面には電気配線
２６，２７が形成されており、この電気配線２６と電極
２４及び電気配線２７とＬＤ２５はワイヤボンディング
され、電気的に接続されている。電気配線２７はＬＤ２
５と最短距離で接続するため、コア２２ａの上に配置さ
れている。

【００１７】また、２８は封止蓋であり、前記切り欠き
部２３を完全に覆う大きさを有すると共に前述したボン
ディング部分及び光素子（ＬＤ）２５を逃がすための凹
部（図示せず）を備えている。

【００１８】さらに、封止蓋２８は、電気配線２６，２
７との短絡を防ぐために、ガラス製である。該封止蓋２
８は、前述した凹部を下向きとして、図４に示すように
切り欠き部２３をボンディング部分を含めて覆う如く、
光導波路２２の上部クラッド層２２ｃ上に固定剤２９、
ここでは樹脂を介して固定されている。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現実の
ハイブリッド光集積回路の表面には、導波路のコアや電
気配線などの影響で部分的に凹凸が生じ、封止蓋を固定
する際に封止性能の低下を引き起こす可能性がある。

【００２０】即ち、図１及び図２に示したような複合素
材よりなる光回路において特に長期信頼性に劣る有機材
料を用いた要素、即ち１／２波長板８及び温度依存特性
補償回路９を部分的に封止する場合、従来は、封止蓋搭
載部１２の表面にそのまま半田層を形成して封止蓋１３
を固定気密化しようとしていた。ところが封止蓋搭載部
１２の平面には凹凸が存在するために、固定剤を介して
導波路表面と接する封止蓋１３の縁取り部１４とのギャ
ップが一定せず気密固定を困難にしている。

【００２１】図５は、図３に示したハイブリッド光集積
回路のＡ−Ａ’線矢視方向の断面の模式図である。図に
おいて、上部クラッド層２２ｃの表面がコア２２ａのあ
る部分（１）は、コア２２ａの無い部分（３）（４）に
比べてわずかに盛り上がる。盛り上がる高さは、コア２
２ａの大きさ、上部クラッド層２２ｃの厚さ、クラッド
層の作製条件等によって異なるが、図５に示すようにか
なりなだらかなものである。また、上部クラッド層２２
ｃ上の電気配線２７の厚みは概ね１μｍ以下であるが、
コア２２ａの真上に電気配線がある場合（２）は、両者
が足されるので無視できない凹凸になる可能性がある。

【００２２】図６は、その封止後の断面模式図である。
表面の凹凸は固定剤２９を十分厚くすれば埋め込んでし
まえるが、図３及び図４に示したような回路の場合、封
止部の大部分はコア２２ａも電気配線２６，２７も無
い、図５における（４）に相当する部分であるため、次
のような問題がある。

【００２３】ひとつには、このような断面を持つ上部ク
ラッド層２２ｃの表面に封止蓋２８を固定する場合、封
止蓋２８は表面の最も高い部分、即ち図５においては、
コア２２ａと電気配線２７の重なった部分（２）で支え
られる。このため、封止時に封止蓋２８と上部クラッド
層２２ｃ表面を高精度で平行に保つ必要があり、さもな
いと上部クラッド層２２ｃ表面に対して封止蓋２８が傾
いてしまう危険がある。

【００２４】封止部の幅を３ｍｍ、凹凸を２μｍ、凹凸
の位置を封止部の中間と仮定すると、封止蓋の傾きは最
大０．０８度になる。封止蓋２８が傾くと、図７に示す
ように、封止蓋２８の一方の端は、上部クラッド層２２
ｃの表面に直接接するため、固定剤２９がなくなり、反
対の端では封止蓋２８と上部クラッド層２２ｃ表面の間
隙が４μｍと大きくなってしまう。

【００２５】このような場合、封止蓋２８と上部クラッ
ド層２２ｃの表面が乖離した部分で固定剤２９の不足す
る可能性が高くなり、歩留まりの低下を招く。

【００２６】尚、図７では、固定剤２９を封止蓋２８に
形成した後に封止する例を示したが、固定剤２９を光導
波路側に形成した後に封止蓋２８で覆う場合でも同様で
ある。

【００２７】また、封止蓋２８の傾きを避けるために
は、前記の場合で０．０８度以下の高い精度で封止蓋２
８と上部クラッド層２２ｃ表面を平行に保つ必要がある
が、このためには高精度の搭載装置が必要となり、コス
ト上昇の要因となる。

【００２８】また、封止蓋２８と上部クラッド層２２ｃ
表面を平行に保って固定できるとしても、最も高い部分
（２）と最も低い部分（４）との間隙を固定剤２９で埋
めなくてはならず、固定剤２９を厚くする必要がある。

【００２９】しかし、固定剤２９を厚くすると、固定剤
２９が樹脂である場合には樹脂の透湿性のために封止性
能の低下を招き、固定剤２９が半田の場合にはクラック
発生の危険が高まるなど信頼性の低下を招くという問題
があった。

【００３０】また、固定剤２９が厚い場合には、固定時
に固定剤２９が内部或いは外部にはみ出す可能性が大き
くなり、電極２４や光路に掛かってしまう可能性があ
る。このためハイブリッド光集積回路の集積度を高める
ことが困難になるという問題があった。

【００３１】さらに、ハイブリッド光集積回路の上部ク
ラッド層２２ｃの表面に電気配線２６，２７が存在して
いると、そのままでは半田など導電性の固定剤を用いる
ことができず、樹脂など非導電性の固定剤を使わざるを
得ず、信頼性の高い気密封止が困難であった。

【００３２】非導電性の固定剤としては低融点ガラスも
あり、その場合には気密封止が可能であるが、封止温度
が４００℃近い高温であるため、搭載している光半導体
素子（ＬＤ）２５の固定に通常使われているＡｕ−Ｓｎ
半田が溶融してしまうという問題がある。

【００３３】また、電気配線２６，２７の表面は金であ
ることが多いが、多くの樹脂は金との接着性が低く、特
に耐湿信頼性に乏しい。このため、封止用樹脂には金と
の接着性に優れた樹脂を選定しなければならず、その他
の特性の低下を招いたり、コスト高になるなどの問題が
あつた。

【００３４】また、封止蓋２８に金属やＳｉなど導電性
の材質を用いると、封止作業時に電気配線２６，２７の
間に短絡を起こす可能性があり、封止蓋２８の表面に絶
線膜を設けたり、精密加エが困難なガラス製の封止蓋２
８を用いるなどの対策が必要であるという問題があっ
た。

【００３５】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、低コ
ストで防湿性と信頼性に優れた封止を可能とする構造を
備えたハイブリッド導波形光回路とその製造方法を提供
することにある。

【００３６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、コアと該コアを囲むように
形成されたクラッドとからなり、光素子が搭載される光
素子搭載領域を有するハイブリッド導波形光回路におい
て、前記クラッドの表面及び／又は内部に前記光素子搭
載領域を囲むように表面平坦化層が設けられているハイ
ブリッド導波形光回路を提案する。

【００３７】該ハイブリッド導波形光回路によれば、前
記クラッドの表面及び／又は内部に前記光素子搭載領域
を囲むように表面平坦化層が設けられているので、前記
光素子搭載領域を囲む領域において前記クラッド表面は
ほぼ平坦化される。これにより、クラッド表面で最も高
さの低い部分の面積を減少させることができるので、前
記光素子搭載領域を封止する際にクラッド表面と封止蓋
の底面とをほぼ平行にすることができ、固定剤の量を減
らすことができる。

【００３８】また、請求項２では、請求項１記載のハイ
ブリッド導波形光回路において、前記表面平坦化層によ
り表面が平坦化されたクラッド上に、前記光素子搭載領
域を覆う如く固定剤を介して封止蓋が固定されているハ
イブリッド導波形光回路を提案する。

【００３９】該ハイブリッド導波形光回路によれば、前
記光素子搭載領域を覆う如く固定剤を介して封止蓋が固
定されるので、前記クラッド表面と封止蓋の底面とがほ
ぼ平行な状態で封止蓋が固定される。

【００４０】また、請求項３では、請求項１又は２記載
のハイブリッド導波形光回路において、前記クラッド内
部に設けられる表面平坦化層は、前記コアと同一材料に
よって同時形成されているハイブリッド導波形光回路を
提案する。

【００４１】該ハイブリッド導波形光回路によれば、コ
アと同時に同じ材料で同じ厚みの表面平坦化層をクラッ
ド内部に形成することで、コア等の厚みに起因するクラ
ッド表面の凹凸を緩和し、クラッド表面の最も高い部分
を平坦化することができると共に、コア形成のためのフ
ォトマスクに表面平坦化層を形成するようパ夕ーンをつ
け加えるだけで表面平坦化層を形成することができるの
で、製造工程数が増加せず、経済的で信頼性に優れた封
止を実現することができる。

【００４２】また、請求項４では、請求項３記載のハイ
ブリッド導波形光回路において、前記クラッド内部に設
けられる表面平坦化層は、前記コアと交差する閉曲線若
しくは閉多角形をなしているハイブリッド導波形光回路
を提案する。

【００４３】該ハイブリッド導波形光回路によれば、前
記クラッド内部に設けられる表面平坦化層が前記コアと
交差する閉曲線若しくは閉多角形をなしているので、前
記光素子搭載領域を囲むクラッド表面は、その凹凸が緩
和されて平坦化される。これにより、前記光素子搭載領
域を封止する際に前記平坦化されたクラッド表面と封止
蓋底面とを固定剤を介して密着させることができる。

【００４４】また、請求項５では、請求項１又は２記載
のハイブリッド導波形光回路において、前記表面平坦化
層により表面が平坦化されたクラッド上に、下地金属と
半田層から成る多層金属層が形成されているハイブリッ
ド導波形光回路を提案する。

【００４５】該ハイブリッド導波形光回路によれば、前
記表面平坦化層により表面が平坦化されたクラッド上に
下地金属と半田層から成る多層金属層が形成されている
ので、前記光素子搭載領域を封止蓋によって封止する際
に、前記多層金属層と封止蓋との間を半田リフロー等の
容易な手段を用いて密着させることができる。

【００４６】また、請求項６では、請求項２記載のハイ
ブリッド導波形光回路において、前記固定剤が樹脂固定
剤若しくは金属固定剤であるハイブリッド導波形光回路
を提案する。

【００４７】該ハイブリッド導波形光回路によれば、前
記表面平坦化層によって表面が平坦化されたクラッド上
に前記光素子搭載領域を覆う如く樹脂固定剤若しくは金
属固定剤を介して封止蓋が固定される。

【００４８】また、請求項７では、請求項１乃至６の何
れかに記載のハイブリッド導波形光回路において、前記
光素子搭載領域が前記クラッド表面に存在するハイブリ
ッド導波形光回路を提案する。

【００４９】該ハイブリッド導波形光回路によれば、光
素子はクラッド表面に搭載され、該光素子搭載領域を囲
むクラッド表面が前記表面平坦化層によって平坦化され
る。

【００５０】また、請求項８では、請求項１乃至６の何
れかに記載のハイブリッド導波形光回路において、前記
光素子搭載領域には、少なくともコアを越える深さを以
て設けられた底面が平坦な切り欠き部と、該切り欠き部
の底面に設けられた電極と、該電極上に搭載された光素
子と、前記クラッドの表面に設けられ且つ前記電極と電
気的に接続された電気配線とが存在するハイブリッド導
波形光回路を提案する。

【００５１】該ハイブリッド導波形光回路によれば、前
記切り欠き部に電極を介して光素子が塔載され、該光素
子及び電極とクラッド表面に設けられた電気配線との接
続部分を含めて、前記切り欠き部を固定剤を介して封止
蓋で覆うことにより光素子を局所的に封止する際、クラ
ッド表面の凹凸の原因である導波路コア及び／又は電気
配線と同じ厚みの表面平坦化層がクラッド表面及び／又
は内部に形成されることで、クラッド表面で最も高さの
低い部分の面積を減少させることができ、封止蓋により
前記光素子搭載領域を封止する際の固定剤の量を減らす
ことができる。これにより、信頼性に優れた封止を実現
することができる。また、前記表面平坦化層によってク
ラッド表面の最も高い部分が広く平坦な面となるため、
コアや電気配線のみが最も高い部分である場合と比べ
て、封止蓋と光導波路との平行を保ったまま封止蓋を固
定することが容易になり、作業性と信頼性を向上させる
ことができる。

【００５２】また、請求項９では、請求項８記載のハイ
ブリッド導波形光回路において、前記クラッド表面に設
けられた平坦化層は、電気配線と同時に同じ材料でクラ
ッド表面に形成されているハイブリッド導波形光回路を
提案する。

【００５３】該ハイブリッド導波形光回路によれば、ク
ラッド表面の電気配線と同時に同じ材料で同じ厚みの表
面平坦化層をクラッド表面に形成することで、コアや電
気配線等の厚みに起因する凹凸を緩和し、クラッド表面
を平坦化することができると共に、電気配線形成のため
のフォトマスクに表面平坦化層を形成するようパ夕ーン
をつけ加えるだけで表面平坦化層を形成することができ
るので、製造工程数が増加せず、経済的に信頼性に優れ
た封止を実現することができる。

【００５４】また、請求項１０では、請求項８又は９記
載のハイブリッド導波形光回路において、電気配線上を
含む前記クラッドの表面に絶縁膜が形成され、前記封止
蓋が前記絶縁膜上に固定されているハイブリッド導波形
光回路を提案する。

【００５５】該ハイブリッド導波形光回路によれば、表
面平坦化層を備えたうえでクラッド表面に絶縁膜を形成
することにより、クラッド表面の電気配線が露出しない
ので、絶縁処理をしないままの封止蓋を用いることがで
きる。また電気配線表面の接着力の低い金が露出しない
ため、固定剤の接着力への要求特性を軽減でき、経済的
な封止が可能となる。

【００５６】また、請求項１１では、請求項１０記載の
ハイブリッド導波形光回路において、前記絶縁膜上に金
属膜が形成され、前記封止蓋が前記金属膜上に半田で固
定されているハイブリッド導波形光回路を提案する。

【００５７】該ハイブリッド導波形光回路によれば、絶
縁膜上に金属膜を設けることにより、固定剤に半田を用
いることが可能となり極めて信頼性の高い封止が実現で
きる。

【００５８】また、請求項１２では、請求項８乃至１１
の何れかに記載のハイブリッド導波形光回路において、
前記コアと電気配線が重ならないように配置されている
ハイブリッド導波形光回路を提案する。

【００５９】該ハイブリッド導波形光回路によれば、コ
アと電気配線が重ならないようにすることで、クラッド
表面の高低差を小さくすることができ、信頼性の高い封
止が実現できる。この構造は、コアによる表面の盛り上
がりが電気配線の厚みより小さく、表面平坦化層とし
て、クラッド表面に表面平坦化層３０のみを設ける場合
に、持に有効である。

【００６０】また、請求項１３では、請求項１乃至１２
の何れかに記載のハイブリッド導波形光回路において、
前記クラッド層とコア層とクラッド内部の表面平坦化層
の少なくとも一つは火炎直接堆積法で形成されているハ
イブリッド導波形光回路を提案する。

【００６１】該ハイブリッド導波形光回路によれば、ク
ラッド層とコア層とクラッド内部の平坦化層の少なくと
も一つは火炎直接堆積法で形成される。

【００６２】また、請求項１４では、コアと該コアを囲
むように形成されたクラッドとからなり、光素子が搭載
される光素子搭載領域を有するハイブリッド導波形光回
路の製造方法において、前記コアと同一材料によって前
記クラッドの内部に前記光素子搭載領域を囲むように前
記コアとほぼ同じ厚さの表面平坦化層を前記コアと同時
に形成するハイブリッド導波形光回路の製造方法を提案
する。

【００６３】該ハイブリッド導波形光回路の製造方法に
よれば、コアと同時に同じ材料で同じ厚みの表面平坦化
層がクラッド内部に形成される。これにより、コア等の
厚みに起因するクラッド表面の凹凸を緩和してクラッド
表面の最も高い部分を平坦化することができると共に、
コア形成のためのフォトマスクに前記表面平坦化層を形
成するパ夕ーンをつけ加えるだけで前記表面平坦化層を
形成することができるので、製造工程数が増加せず、経
済的に信頼性に優れた封止を実現することができる。

【００６４】また、請求項１５では、コアと該コアを囲
むように形成されたクラッドとからなり、光素子が搭載
される光素子搭載領域を有し、該光素子搭載領域には、
少なくともコアを越える深さを以て設けられた底面が平
坦な切り欠き部と、該切り欠き部の底面に設けられた電
極と、該電極上に搭載された光素子と、前記クラッドの
表面に設けられ且つ前記電極と電気的に接続された電気
配線とが存在するハイブリッド導波形光回路の製造方法
において、前記電気配線と同一材料によって前記クラッ
ドの表面に前記光素子搭載領域を囲むように前記電気配
線とほぼ同じ厚さの表面平坦化層を前記電気配線と同時
に形成するハイブリッド導波形光回路の製造方法を提案
する。

【００６５】該ハイブリッド導波形光回路の製造方法に
よれば、クラッド表面の電気配線と同時に同じ材料で同
じ厚みの表面平坦化層がクラッド表面に形成される。こ
れにより、コアや電気配線等の厚みに起因する凹凸を緩
和し、クラッド表面を平坦化することができると共に、
電気配線形成のためのフォトマスクに表面平坦化層を形
成するパ夕ーンをつけ加えるだけで表面平坦化層を形成
することができるので、製造工程数が増加せず、経済的
に信頼性に優れた封止を実現することができる。

【００６６】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。図８は、本発明の第１の実施形態
のハイブリッド導波形光回路を示す構成図で、図８の
（ａ）はアレイ導波路格子回路の上面図、図８の（ｂ）
はその表面の凹凸を示す模式図である。図において、前
述した従来例（図１及び図２に示す例）と同一構成部分
は同一符号をもって表す。

【００６７】また、従来例と本実施形態との相違点は、
封止蓋搭載部１２にアレイ導波路７と交差するように表
面凹凸補正のための閉多角形の表面平坦化層１５を有し
ていることである。

【００６８】即ち、表面平坦化層１５はアレイ導波路７
と同一の材料にて形成され、同一の構造を有している
が、光の伝搬には用いられず、その機能は上部クラッド
層４の表面を平坦化することにある。

【００６９】また、表面平坦化層１５は、機能性を有す
るアレイ導波路７と同時に形成することができる。アレ
イ導波路７をフォトリソグラフィで製造する場合は、マ
スク上に表面平坦化層１５のパターンを付加しておくだ
けでよく、プロセスの複雑化はない。

【００７０】図８の（ｂ）に表面の凹凸を模式的に示し
た。表面平坦化層１５によって、封止蓋１３の縁取り部
１４が接する封止蓋搭載部１２の表面が平坦化され、こ
れにより封止蓋１３の縁取り部１４と接する回路表面
（封止蓋搭載部１２の表面）の密着性が向上する。この
結果封止蓋１３の縁取り部１４と回路表面のギヤップが
一定に保たれ気密封止が容易に可能となる。

【００７１】一方、このように光回路（アレイ導波路
７）と表面平坦化層１５が交差する場合には、これらの
交差に件う光機能回路部の特性劣化が懸念される。図９
及び図１０は、比屈折率差０．７％、コア寸法約７μｍ
角の導波路に対し、別の導波路が交差する場合の損失、
及びクロストークを実験的に測定した結果である。

【００７２】図に示すように、交差角度θを６０度以上
に設計することにより、ＴＥ波、ＴＭ波共に、交差点１
個当たりの損失は０．０５ｄＢ以下、クロストークは−
６０ｄＢ以下となる。前述の表面平坦化層１５とアレイ
導波路７との交差点は、一経路（１つの導波路）当たり
高々２点であり、影響は極めて少ないことが分かる。

【００７３】従って、本実施形態によれば、複合素材よ
りなる光回路において特に長期信頼性に劣る有機材料を
用いた要素、即ち１／２波長板８及び温度依存特性補償
回路９を部分的に封止する場合、アレイ導波路７と交差
しかつ閉曲線若しくは閉多角形である光回路（導波路）
と同様の構造よりなる表面平坦化層１５を形成して表面
凹凸補正を行うことにより、封止蓋１３を回路表面（上
部クラッド層表面）に密着させることができる。これに
より、回路表面と封止蓋１３の縁取り部１４のギヤップ
が均一化するので、半田又は接着剤等で容易に封止固定
できる。また、表面平坦化層１５による光機能回路特性
の劣化も極めて軽微である。

【００７４】図１１は、第２の実施形態のハイブリッド
導波形光回路を示す構成図で、前述した第１の実施形態
と同一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省
略する。また、第２の実施形態は、封止蓋１３を半田を
用いて密着固定する場合の例である。図１１において、
１６は、封止蓋１３の縁取り部１４が接する封止蓋搭載
部１２の表面に形成された金属層で、下地金属（例えば
クロム金の２重層）と薄膜半田層より構成される金属層
であり、例えば真空蒸着法等により形成される。この金
属層１６の上に封止蓋１３の縁取り部１４を仮固定し、
リフロー等の手段を講じれば気密封止が容易に完成す
る。

【００７５】次に、本発明の第３の実施形態を説明す
る。図１２及び図１３は第３の実施形態のハイブリッド
導波形光回路を示す構成図で、図１２は封止前の斜視
図、図１３は図１２におけるＡ−Ａ’線矢視方向の断面
模式図である。第３の実施形態は、コアと同時に同じ材
料、同じ厚さでクラッド内部に平坦化層を形成した例で
ある。また、図３乃至図６に示した従来例と同一構成部
分は同一符号をもって表す。

【００７６】即ち、図１２及び図１３において、２１は
Ｓｉ基板、２２は基板２１上に形成された石英系光導波
路である。下部クラッド層２２ｂ及び上部クラッド層２
２ｃの厚さはともに３０ミクロン、コア２２ａの寸法は
幅６ミクロンｘ高さ６ミクロンである。

【００７７】また、第３の実施形態では封止用樹脂２９
（図示せず）として信頼性に優れるＥＶＡ系の耐水性熱
溶融接着剤（ＥＥｇＳ）を用いた。さらに、光導波路コ
ア２２ａと電気配線２７が重ならないようにそれぞれを
配置すると共に、封止蓋２８（図示せず）は加工性に優
れるＳｉで形成し、光導波路と接する表面には電気配線
の短絡を防ぐために熱酸化Ｓｉ０₂層を設けた。

【００７８】また、３１は表面平坦化層で、 光導波路
コア２２ａと同時に同一材質、同じ厚さでクラッド層内
部に形成され、且つ光導波路コア２２ａとは独立になっ
ている。表面平坦化層３１は、幅３００μｍであり、コ
ア２２ａと電気配線２６，２７の存在しない場所を埋め
るように且つ切り欠き部２３を囲うように配置され、全
体の平坦性を高めるようにした。図３に示した構成と比
べれば、封止蓋２８の固定される導波路表面で、最も低
い部分の面積が格段に小さくなっているのが明らかであ
る。

【００７９】このような配置にある光導波路２２の表面
は、表面平坦化層３１の上で表面平坦化層３１の厚みの
分、即ち６μｍだけ盛り上がる。幅６μｍしかないコア
２２ａとは異なり、表面平坦化層３１は幅３００μｍも
あるため、その上にほぼそっくり上部クラッド層２２ｃ
が形成されるためである。

【００８０】また、表面平坦化層３１の盛り上がりはな
だらかなものであるため、表面平坦化層３１でコア２２
ａを挟み、且つ両者を充分近接させることにより、コア
２２ａ部分での窪みを小さく押さえることができる。

【００８１】図１４は、封止後の断面模式図である。図
１５に示す表面平坦化層が無い場合ときの断面模式図と
比べて一見固定剤２９の量が増えるように見えるが、実
際には高さの低い表面が減少しているので、封止後の断
面に露出する固定剤２９の量は大幅に低減されることに
なる。

【００８２】また、第３の実施形態では、表面平担化層
３１とコア２２ａを分離したが、表面平坦化層３１の幅
を部分的に、例えば５０μｍとし、コア２２ａと表面平
坦化層３１が直交するように配置することでコア２２ａ
と表面平坦化層３１を直接結合することもできる。

【００８３】このような構成にした第４の実施形態のハ
イブリッド導波形光回路の例を図１６及び図１７に示
す。図１６は平面図、図１７は図１６における結合部３
１ａを含むＡ−Ａ’線矢視方向断面模式図である。図に
おいて、３１ａは表面平坦化層３１とコア２２ａとの結
合部であり、５０μｍ幅でコア２２ａに直角に接続され
ている。

【００８４】この場合、図１７に示されるように、結合
部３１ａの上の上部クラッド層２２ｃの表面は表面平坦
化層３１と同じ６μｍの盛り上がりとなり、且つその盛
り上がりは極めてなだらかなものであるため、コア２２
ａと結合部３１ａ及び表面平坦化層３１の間の凹凸はほ
とんど解消される。また、表面平坦化層３１と導波路コ
ア２２ａが結合するため導波路の損失がある程度増加す
るが、コア２２ａを含めた平坦性が格段に向上するとい
う利点がある。この場合にも、コア２２ａと表面平坦化
層３１をできるだけ近接させることが平坦性向上に効果
があるのは前述と同様である。

【００８５】このように、上部クラッド層２２ｃの表面
に電気配線２６，２７を設けた埋め込み型光導波路に、
光導波路コア２２ａと同時に同じ材質、同じ厚さでクラ
ッド層内部に表面平坦化層３１を形成することにより、
光導波路２２の表面の平坦性を高め、封止蓋２８の底面
と光導波路２２の表面とを平行に設定しやすく、且つこ
れらの間の隙間を極めて小さく設定できるので、耐湿性
と信頼性の高い封止を行うことができる。

【００８６】また、高精度な搭載装置を用いずとも、い
わば、光導波路２２の表面に封止蓋２８を載せて加圧・
加熱するだけで封止ができるので、経済性に優れた封止
を行うことができる。

【００８７】次に、本発明の第５の実施形態を説明す
る。第５の実施形態は、電気配線の形成と同時に同じ材
料、同じ厚さで上部クラッド層２２ｃの表面に表面平坦
化層３０を形成した例であり、図１８に封止前の斜視
図、図１９に図１８におけるＡ−Ａ’線矢視方向の断面
模式図を示す。また、図３乃至図６に示した従来例と同
一構成部分は同一符号をもって表す。

【００８８】即ち、図１８及び図１９において、２１は
Ｓｉ基板、２２は基板２１上に形成された石英系光導波
路である。下部クラッド層２２ｂ及び上部クラッド層２
２ｃの厚さはともに３０ミクロン、コア２２ａの寸法は
幅６ミクロンｘ高さ６ミクロンである。

【００８９】また、表面平坦化層３０は、電気配線２
６，２７と同時にリフトオフ法により形成した。表面平
坦化層３０は、前述した第３及び第４の実施形態と同様
に、幅３００μｍであり、コア２２ａ及び電気配線２
６，２７の無い部分を埋めるように配置してある。固定
剤２９、封止蓋２８などは第３及び第４の実施形態と同
じである。ここでは、コア２２ａと電気配線２６，２７
が重ならないようにすることで、上部クラッド層２２ｃ
表面の凹凸を減少させている。

【００９０】また、図１９に示すように、第３及び第４
の実施形態と同様に、光集積回路表面の最も低い部分の
面積が小さくなり、また最も高い部分が平坦化されてい
ることが分かる。

【００９１】このように、光集積回路（上部クラッド層
２２ｃ）の表面に電気配線２６，２７を設けた埋め込み
型光導波路に、電気配線２６，２７と同時に同じ材質、
同じ厚さで上部クラッド層２２ｃの表面に表面平担化層
３０を形成することにより、封止蓋２８と光導波路表面
との間隙を極めて小さく設定でき、この結果、この間隙
を充填する樹脂固定剤の厚さを十分薄く設定できるの
で、耐湿性と信頼性、経済性の高い封止を行うことがで
きる。

【００９２】尚、コア２２ａに起因する上部クラッド層
２２ｃ表面の盛り上がりはクラッド層の形成方法やコア
２２ａの厚みによって変化し、電気配線２６，２７より
大きくなったり、小さくなったりする。電気配線２６，
２７の厚みがコア２２ａに起因する盛り上がりより大き
い場合には、本実施形態に示したように電気配線２６，
２７と同時にクラッド表面に表面平坦化層３０を形成す
る方法は持に有効である。

【００９３】次に、本発明の第６の実施形態を説明す
る。第６の実施形態では、第５の実施形態で説明した表
面平坦化層３０と第３及び第４の実施形態で説明した表
面平坦化層３１を併用した例を示す。図２０は第６の実
施形態の光回路の封止前を示す平面図、図２１は図２０
におけるＡ−Ａ’線矢視方向の断面模式図である。ま
た、図２２は、樹脂を用いて封止蓋を固定したときの断
面模式図である。

【００９４】第６の実施形態では、切り欠き部２３を囲
んで上部クラッド層２２ｃ内部の表面平坦化層３１を幅
３００μｍで形成し、且つ、上部クラッド層２２ｃの表
面にも表面平坦化層３１の上に表面平担化層３０を形成
した。また、コア２２ａとクラッド層内部の表面平坦化
層３１は、幅５０μｍの結合部３１ａで結合されてい
る。

【００９５】また、電気配線２６，２７は、クラッド層
内部の表面平坦化層３１若しくは結合部３１ａの上を通
過するように配置した。さらに、電気配線２６，２７と
表面平坦化層３０は、動作周波数に支障のない程度に近
接させた。

【００９６】この結果、光導波路の表面は、図２２に示
すように、電気配線２７と表面平坦化層３０の境目にご
くわずかの凹部を持つだけの、極めて平坦性の高いもの
となった。

【００９７】このように、表面平坦化層３０と表面平担
化層３１を併用することによリ、封止蓋２８と光導波路
表面との間隙を極めて小さく且つ平行に設定でき、この
結果、この間隙を充填する固定剤２９の厚さを極めて薄
く設定できるので、耐湿性、信頼性、経済性の高い封止
を行うことができる。

【００９８】尚、第６の実施形態ではコア２２ａと表面
平坦化層３１を結合させたが、結合部３１ａをなくして
両者を近接させるだけでもほとんど同様の平坦化効果が
得られる。この場合には、結合部３１ａの存在による光
の損失がなくなるという利点がある。

【００９９】次に、本発明の第７の実施形態を説明す
る。図２３は第７の実施形態のハイブリッド導波型光回
路を示す斜視図である。このハイブリッド導波形光回路
の構造は基本的には前述した第６の実施形態と同様であ
るが、上部クラッド層２２ｃ上の電気配線２６，２７を
覆うように、且つ、切り欠き部２３を完全に囲うように
絶縁膜３２が形成されていることが異なる。

【０１００】第７の実施形態では、この絶縁膜３２とし
てスパッタ法により形成した厚さ約０．５μｍのＳｉ０
₂薄膜を用いている。この際、電気配線２６，２７ヘの
ワイヤボンディングを可能とするために、切り欠き部２
３及びその周辺の電気配線ボンディングパッド部及び基
板端部近傍のボンディングパッド部には窓をあけてお
り、これらの部分のＳｉ０₂薄膜は除去してある。

【０１０１】また、第７の実施形態では、第３の実施形
態と同様に固定剤２９として樹脂を用いて封止したが、
この場合には、封止蓋２８の表面に第３の実施形態のよ
うな絶縁膜を形成する必要がない。第７の実施形態では
Ｓｉ製の封止蓋２８を使用した。また、固定剤２９には
第３の実施形態と同様、耐水性熱溶融接着剤（ＥＥｇ
Ｓ）を用いた。これにより、極めて耐湿性の高い封止が
可能となった。

【０１０２】次に、本発明の第８の実施形態を説明す
る。図２４は第８の実施形態のハイブリッド導波形光回
路を示す斜視図である。また、図２５はその封止後のＡ
−Ａ’線矢視方向の断面模式図である。

【０１０３】このハイブリッド導波形光回路の構造は、
基本的には前述した第７の実施形態と同様であるが、絶
縁膜３２上に金属膜３３が切り欠き部２３を完全に囲う
ように形成してあることが異なる。本実施形態で、金属
膜３３はＣｒとＡｕの二層構造であり、リフトオフ法に
より形成した。Ｃｒは絶縁膜３２との親和性を持たせる
ためのものであり、Ｔｉなど他の金属でもよい。また、
Ａｕ薄膜の厚さは約０．５μｍとした。

【０１０４】第８の実施形態によれば、固定剤２９に半
田を用いることができる。本実施形態では、下地メタル
薄膜（Ａｕ）を介して表面に幅２００μｍの錫鉛半田
（融点１８３℃）を蒸着により形成したＳｉ製の封止蓋
２８を用いた。

【０１０５】尚、使用できる半田は錫鉛半田に限定され
るものではなく、種々の半田を使用することができる。

【０１０６】この封止蓋２８の固定にあたっては、窒素
雰囲気中で、封止蓋２８を光導波路上の所定の位置に合
わせて約２００℃に加熱し、融点以下に冷えるまで加圧
して固定した。圧力は約６０ｇ、加熱時間は２分とし
た。この結果、光導波路基板内の切り欠き部２３を局所
的に気密封止することができた。

【０１０７】本実施形態においては、切り欠き部２３内
は窒素が充填された気密状態になっているので、極めて
高い信頼性が得られる。さらに、固定剤２９として半田
を用いているので、固定剤２９として樹脂を用いる場合
と比べ作業時間が短縮できること、及び、その融点はガ
ラス半田より低い温度に設定でき、切り欠き部２３内に
搭載された光素子２５への熱履歴の影響が大幅に低減で
きること、等の効果が得られる。

【０１０８】次に、本発明の実施形態との比較例を説明
する。前述した第３の実施形態において切り欠き部２３
内に固定されたＬＤ２５の代わりに熱伝導度検出型の湿
度センサーを搭載し、封止蓋２８と半田を用いて封止し
た試料を７５℃９０％ＲＨの環境下に放置し、封止内部
の湿度変化を測定した。その結果を図２６に示す。図に
おいて、横軸は経過時間を、縦軸は湿度をそれぞれ表し
ている。また、３個の試料のそれぞれの結果を○、△、
□で表している。

【０１０９】この実験結果によれば、１２００時間経過
後も切り欠き部２３内部の湿度は１０％ＲＨ以下であ
り、充分な封止性能が得られていることがわかる。尚、
一部の試料で湿度が負の値に表示されているのは、セン
サーの校正精度の不足が原因の誤差のためである。

【０１１０】比較のために、第３の実施形態とほぼ同等
の構成で、切り欠き部２３内に固定されたＬＤ２５の代
わりに熱伝導度検出型の湿度センサーを搭載し、前述し
たような表面平坦化層を設けないまま、且つ、光導波路
コアと電気配線が重なるような配置で絶縁層と金属膜を
設け、半田封止を行った比較試料を３個作成した。この
場合の、光導波路表面の高低は図５に示すものと同様で
あった。

【０１１１】この比較試料を７５℃９０％ＲＨの環境下
に放置して、切り欠き部２３内部の湿度の変化を測定し
た結果を図２７に示す。図において、横軸は経過時間
を、縦軸は湿度をそれぞれ表している。また、３個の比
較試料のそれぞれの結果を黒塗りの○、△、□で表して
いる。

【０１１２】この実験結果によれば、比較試料３個のう
ち、一個（黒塗りの□）は２００時間経過後から徐々に
内部湿度が上果した。また、４００時間経過後には他の
２個の比較試料（黒塗りの○、黒塗りの△）で内部湿度
の急激な上昇が観測された。

【０１１３】これにより、表面平坦化層を設けず、また
光導波路コアと電気配線が重なるように配置した試料に
おける局所封止が、前述した本発明の実施形態の光回路
における局所封止に比べて信頼性に劣るものであること
は明らかである。

【０１１４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１乃
至１３記載のハイブリッド導波形光回路によれば、長期
信頼性に劣る光素子等の素材を搭載する光素子搭載領域
を囲むように表面平坦化層を設けたので、該表面平坦化
層によって平坦化されたクラッド表面に固定剤を介して
封止蓋を固定することにより、前記光素子搭載領域を局
所的に気密封止することがきる。この際、封止蓋は平担
なクラッド表面に固定され、封止蓋とクラッド表面との
間隙を極めて薄く設定できるので、固定剤の量を最小限
にでき、例えば固定剤として樹脂を用いた場合にも優れ
た防湿効果を発揮でき、従来の半田やＹＡＧ溶接によっ
てパッケージ全体を気密封止していた光モジュールと比
べて、封止にかかるコストが格段に安くなり、低価格な
モジュールを実現できるという非常に優れた効果を奏す
る。

【０１１５】また、請求項３及び４によれば、上記の効
果に加えて、コアのパターニング時に用いるフォトマス
クのパターンを変えるだけで前記表面平坦化層をコアと
同時に形成できるため、光部品製造のコスト増を招くこ
となく封止性能を向上できるという利点がある。

【０１１６】また、請求項５によれば、上記の効果に加
えて、前記固定剤として半田を用いることが可能とな
り、作業性と信頼性に優れた局所気密封止を実現でき
る。

【０１１７】また、請求項８によれば、上記の効果に加
えて、前記光素子搭載領域に設けられた切り欠き部全体
を気密封止することができる。

【０１１８】また、請求項９によれば、上記の効果に加
えて、電気配線形成時に用いるフォトマスクのパターン
を変えるだけで前記表面平坦化層を電気配線と同時に形
成できるため、光部品製造のコスト増を招くことなく封
止性能を向上できるという利点がある。

【０１１９】また、請求項１０によれば、上記の効果に
加えて、前記封止蓋の固定の際に固定剤のより高い接着
力が得られ、信頼性のより高い封止が可能となる。

【０１２０】さらに、請求項１１によれば、上記の効果
に加えて、固定剤として半田を用いることが可能とな
り、作業性と信頼性に優れた局所気密封止を実現でき
る。

【０１２１】また、請求項１２によれば、上記の効果に
加えて、コアと電気配線が重ならないように配置するこ
とで、クラッド表面の凹凸を低減し信頼性に優れた局所
封止を実現できる。

【０１２２】また、請求項１４記載のハイブリッド導波
形光回路の製造方法によれば、コアのパターニング時に
用いるフォトマスクのパターンを変えるだけで前記表面
平坦化層をコアと同時に形成できるため、光部品製造の
コスト増を招くことなく封止性能を向上することができ
るという非常に優れた効果を奏する。

【０１２３】また、請求項１５記載のハイブリッド導波
形光回路の製造方法によれば、電気配線形成時に用いる
フォトマスクのパターンを変えるだけで前記表面平坦化
層を電気配線と同時に形成できるため、光部品製造のコ
スト増を招くことなく封止性能を向上することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来例のハイブリッド導波形光回路の断面模式
図

【図２】従来例におけるアレイ増波路格子回路の構成図

【図３】他の従来例のハイブリッド導波形光回路の封止
前を示す斜視図

【図４】他の従来例のハイブリッド導波形光回路の封止
後を示す斜視図

【図５】図３に示したハイブリッド光集積回路のＡ−
Ａ’線矢視方向の断面の模式図

【図６】図４に示したハイブリッド光集積回路のＡ−
Ａ’線矢視方向の断面の模式図

【図７】従来例のハイブリッド導波形光回路で封止蓋が
傾いてしまった例を示す断面模式図

【図８】本発明の第１の実施形態のハイブリッド導波形
光回路を示す構成図

【図９】本発明の第１の実施形態における交差損失の測
定結果を示す図

【図１０】本発明の第１の実施形態におけるクロストー
クの測定結果を示す図

【図１１】本発明の第２の実施形態のハイブリッド導波
形光回路を示す構成図

【図１２】本発明の第３の実施形態のハイブリッド導波
形光回路の封止前を示す斜視図

【図１３】図１２におけるＡ−Ａ’線矢視方向の断面模
式図

【図１４】本発明の第３の実施形態のハイブリッド導波
形光回路の封止後を示す断面模式図

【図１５】比較例のハイブリッド導波形光回路の封止後
を示す断面模式図

【図１６】本発明の第４の実施形態のハイブリッド導波
形光回路を示す平面図

【図１７】図１６におけるＡ−Ａ’線矢視方向の断面模
式図

【図１８】本発明の第５の実施形態のハイブリッド導波
形光回路の封止前を示す斜視図

【図１９】図１８におけるＡ−Ａ’線矢視方向の断面模
式図

【図２０】本発明の第６の実施形態のハイブリッド導波
形光回路の封止前を示す平面図

【図２１】図２０におけるＡ−Ａ’線矢視方向の断面模
式図

【図２２】図２０におけるＡ−Ａ’線矢視方向の封止後
の断面模式図

【図２３】本発明の第７の実施形態のハイブリッド導波
形光回路を示す斜視図

【図２４】本発明の第８の実施形態のハイブリッド導波
形光回路を示す斜視図

【図２５】図２４におけるＡ−Ａ’線矢視方向の封止後
の断面模式図

【図２６】本発明の第３の実施形態の湿度変化測定結果
を示す図

【図２７】比較例の湿度変化測定結果を示す図

【符号の説明】

１…Ｓｉ基板、２…下部クラッド層、３…導波路コア
層、４…上部クラッド層、５…入カ導波路群、６…第一
のスラブレンズ、７…アレイ導波路群、８…１／２波長
板、９…温度依存特性補償回路、１０…第二のスラブレ
ンズ、１１…出力導波路群、１２…封止蓋搭載部、１３
…封止蓋、１４…封止蓋の縁取り部、１５…表面平坦化
層、１６…金属層、２１…基板、２２…埋め込み型光導
波路、２２ａ…コア、２２ｂ…下部クラッド層、２２ｃ
…上部クラッド層、２３…切り欠き部、２３ａ…底面、
２３ｂ…側壁、２４…電極、２５…半導体レーザー（Ｌ
Ｄ）、２６，２７…電気配線、２８…封止蓋、２９…固
定剤、３０…クラッド表面に形成された表面平坦化層、
３１…クラッド内部に形成された表面平坦化層、３１ａ
…表面平坦化層とコアとの結合部分、３２…絶縁膜、３
３…金薄膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 泰文 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 姫野 明 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コアと該コアを囲むように形成されたク
   ラッドとからなり、光素子が搭載される光素子搭載領域
   を有するハイブリッド導波形光回路において、 前記クラッドの表面及び／又は内部に前記光素子搭載領
   域を囲むように表面平坦化層が設けられていることを特
   徴とするハイブリッド導波形光回路。
2. 【請求項２】 前記表面平坦化層により表面が平坦化さ
   れたクラッド上に、前記光素子搭載領域を覆う如く固定
   剤を介して封止蓋が固定されていることを特徴とする請
   求項１記載のハイブリッド導波形光回路。
3. 【請求項３】 前記クラッド内部に設けられる表面平坦
   化層は、前記コアと同一材料によって同時形成されてい
   ることを特徴とする請求項１又は２記載のハイブリッド
   導波形光回路。
4. 【請求項４】 前記クラッド内部に設けられる表面平坦
   化層は、前記コアと交差する閉曲線若しくは閉多角形を
   なしていることを特徴とする請求項３記載のハイブリッ
   ド導波形光回路。
5. 【請求項５】 前記表面平坦化層により表面が平坦化さ
   れたクラッド上に、下地金属と半田層から成る多層金属
   層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記
   載のハイブリッド導波形光回路。
6. 【請求項６】 前記固定剤が樹脂固定剤若しくは金属固
   定剤であることを特徴とする請求項２記載のハイブリッ
   ド導波形光回路。
7. 【請求項７】 前記光素子搭載領域が、前記クラッド表
   面に存在することを特徴とする請求項１乃至６の何れか
   に記載のハイブリッド導波形光回路。
8. 【請求項８】 前記光素子搭載領域には、少なくともコ
   アを越える深さを以て設けられた底面が平坦な切り欠き
   部と、該切り欠き部の底面に設けられた電極と、該電極
   上に搭載された光素子と、前記クラッドの表面に設けら
   れ且つ前記電極と電気的に接続された電気配線とが存在
   することを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の
   ハイブリッド導波形光回路。
9. 【請求項９】 前記クラッド表面に設けられた平坦化層
   は、電気配線と同時に同じ材料でクラッド表面に形成さ
   れていることを特徴とする請求項８記載のハイブリッド
   導波形光回路。
10. 【請求項１０】 電気配線上を含む前記クラッドの表面
    に絶縁膜が形成され、前記封止蓋が前記絶縁膜上に固定
    されていることを特徴とする請求項８又は９記載のハイ
    ブリッド導波形光回路。
11. 【請求項１１】 前記絶縁膜上に金属膜が形成され、前
    記封止蓋が前記金属膜上に半田で固定されていることを
    特徴とする請求項１０記載のハイブリッド導波形光回
    路。
12. 【請求項１２】 前記コアと電気配線が重ならないよう
    に配置されていることを特徴とする請求項８乃至１１の
    何れかに記載のハイブリッド導波形光回路。
13. 【請求項１３】 前記クラッド層とコア層とクラッド内
    部の平坦化層の少なくとも一つは火炎直接堆積法で形成
    されていることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか
    に記載のハイブリッド導波形光回路。
14. 【請求項１４】 コアと該コアを囲むように形成された
    クラッドとからなり、光素子が搭載される光素子搭載領
    域を有するハイブリッド導波形光回路の製造方法におい
    て、 前記コアと同一材料によって前記クラッドの内部に前記
    光素子搭載領域を囲むように前記コアとほぼ同じ厚さの
    表面平坦化層を前記コアと同時に形成することを特徴と
    するハイブリッド導波形光回路の製造方法。
15. 【請求項１５】 コアと該コアを囲むように形成された
    クラッドとからなり、光素子が搭載される光素子搭載領
    域を有し、該光素子搭載領域には、少なくともコアを越
    える深さを以て設けられた底面が平坦な切り欠き部と、
    該切り欠き部の底面に設けられた電極と、該電極上に搭
    載された光素子と、前記クラッドの表面に設けられ且つ
    前記電極と電気的に接続された電気配線とが存在するハ
    イブリッド導波形光回路の製造方法において、 前記電気配線と同一材料によって前記クラッドの表面に
    前記光素子搭載領域を囲むように前記電気配線とほぼ同
    じ厚さの表面平坦化層を前記電気配線と同時に形成する
    ことを特徴とするハイブリッド導波形光回路の製造方
    法。