JPH1030997A - 光吸収分布測定方法及びその装置 - Google Patents
光吸収分布測定方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH1030997A JPH1030997A JP8187381A JP18738196A JPH1030997A JP H1030997 A JPH1030997 A JP H1030997A JP 8187381 A JP8187381 A JP 8187381A JP 18738196 A JP18738196 A JP 18738196A JP H1030997 A JPH1030997 A JP H1030997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- light
- light absorption
- support
- distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光吸収による試料の温度変化を微小な温度測
定手段によって局所的に測定することにより、試料の光
吸収効率や光吸収スペクトルなどの空間分布を、照射光
の波長よりも高い空間分解能で測定できる。 【解決手段】 光源１の光を、分光器２を通して、試料
５を支持する光透過性の薄膜４の裏面から照射する。原
子間力顕微鏡におけるカンチレバー６の探針先端には、
熱電対の接点７を設ける。薄膜４の裏面から照射した光
は、薄膜４を透過して試料５に吸収され、薄膜４表面上
のうち試料５の存在する場所の温度が局所的に上昇す
る。この温度変化を熱電対の接点７を走査して測定し、
薄膜４面上の試料５の有無の分布、すなわち光吸収効率
の分布を測定する。また、分光器２を用いて、試料５へ
の照射光の波長を走査し、波長変化に伴う温度変化から
試料５の吸収スペクトルを測定することができる。
定手段によって局所的に測定することにより、試料の光
吸収効率や光吸収スペクトルなどの空間分布を、照射光
の波長よりも高い空間分解能で測定できる。 【解決手段】 光源１の光を、分光器２を通して、試料
５を支持する光透過性の薄膜４の裏面から照射する。原
子間力顕微鏡におけるカンチレバー６の探針先端には、
熱電対の接点７を設ける。薄膜４の裏面から照射した光
は、薄膜４を透過して試料５に吸収され、薄膜４表面上
のうち試料５の存在する場所の温度が局所的に上昇す
る。この温度変化を熱電対の接点７を走査して測定し、
薄膜４面上の試料５の有無の分布、すなわち光吸収効率
の分布を測定する。また、分光器２を用いて、試料５へ
の照射光の波長を走査し、波長変化に伴う温度変化から
試料５の吸収スペクトルを測定することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、物質の光吸収特
性を測定光の波長よりも高い空間分解能で測定可能な光
吸収分布測定方法及びその装置に関するものである。
性を測定光の波長よりも高い空間分解能で測定可能な光
吸収分布測定方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜材料の評価・同定を行うため
に、その光吸収スペクトル、特に赤外線吸収スペクトル
が、しばしば用いられている。また、薄膜材料を評価す
る上において、材料の平均的な性質を計測するだけでな
く、その物性ないし組成の分布を評価できることも望ま
れていた。
に、その光吸収スペクトル、特に赤外線吸収スペクトル
が、しばしば用いられている。また、薄膜材料を評価す
る上において、材料の平均的な性質を計測するだけでな
く、その物性ないし組成の分布を評価できることも望ま
れていた。
【０００３】従来の光吸収スペクトル装置では、試料に
光を照射し、試料を透過する光の強度を測定することに
よって、試料の光吸収スペクトルを測定していた。
光を照射し、試料を透過する光の強度を測定することに
よって、試料の光吸収スペクトルを測定していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
光吸収スペクトル装置を用いて、試料の光吸収スペクト
ル特性の分布を測定する際には、レンズ等の光学系を使
用して照射光を絞り込むことによって行っていた。従っ
て、測定の空間分解能は、光学系によって絞り込まれる
照射光の大きさに依存し、このため、空間分解能はたか
だか照射光の波長の半分程度までしか実現できなかっ
た。
光吸収スペクトル装置を用いて、試料の光吸収スペクト
ル特性の分布を測定する際には、レンズ等の光学系を使
用して照射光を絞り込むことによって行っていた。従っ
て、測定の空間分解能は、光学系によって絞り込まれる
照射光の大きさに依存し、このため、空間分解能はたか
だか照射光の波長の半分程度までしか実現できなかっ
た。
【０００５】本発明は、光吸収による試料の温度変化を
微小な温度測定手段によって局所的に測定することによ
り、試料の光吸収効率や光吸収スペクトルなどの空間分
布を、照射光の波長よりも高い空間分解能で測定できる
光吸収分布測定方法及びその装置を提供することを目的
とする。
微小な温度測定手段によって局所的に測定することによ
り、試料の光吸収効率や光吸収スペクトルなどの空間分
布を、照射光の波長よりも高い空間分解能で測定できる
光吸収分布測定方法及びその装置を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光吸収分布
測定方法は、支持体に設置された試料に光を一様に照射
し、この光を照射した領域内の光吸収による試料の局所
的な温度変化を温度測定手段により順次測定して、試料
の光吸収の空間分布を測定するようにしたものである。
測定方法は、支持体に設置された試料に光を一様に照射
し、この光を照射した領域内の光吸収による試料の局所
的な温度変化を温度測定手段により順次測定して、試料
の光吸収の空間分布を測定するようにしたものである。
【０００７】光吸収性の試料に光を照射すると、試料は
光を吸収しそのほとんどは熱に変わり、試料の温度は上
昇する。この光吸収熱による試料の温度変化を、温度測
定手段を用いて局所的に次々に測定する。この温度測定
により、試料の光吸収効率などの空間分布がわかる。こ
のように、本発明では、照射光を光学系で細く絞るので
はなく、照射光はある程度の広がりをもたせて当て、照
射した領域の各部分を温度測定手段により局所的に次々
に測定している。このため、測定の空間分解能は、照射
光の波長にはよらず、温度測定手段が有する、より高い
空間分解能で測定できることとなる。
光を吸収しそのほとんどは熱に変わり、試料の温度は上
昇する。この光吸収熱による試料の温度変化を、温度測
定手段を用いて局所的に次々に測定する。この温度測定
により、試料の光吸収効率などの空間分布がわかる。こ
のように、本発明では、照射光を光学系で細く絞るので
はなく、照射光はある程度の広がりをもたせて当て、照
射した領域の各部分を温度測定手段により局所的に次々
に測定している。このため、測定の空間分解能は、照射
光の波長にはよらず、温度測定手段が有する、より高い
空間分解能で測定できることとなる。
【０００８】上記において、試料への照射光が温度測定
手段によって遮蔽されるのを避けるために、試料に対し
温度測定手段とは反対の側、または試料及び温度測定手
段の側方側ないし斜め側から光を照射するようにする
と、正確な測定が行える。あるいは、支持体を照射光を
透過させる透明材質で形成し、この支持体上に試料を設
置し、支持体を透過させて試料に光を照射すると共に、
試料に対し支持体とは反対の側から温度測定手段により
測定を行うようにしてもよい。
手段によって遮蔽されるのを避けるために、試料に対し
温度測定手段とは反対の側、または試料及び温度測定手
段の側方側ないし斜め側から光を照射するようにする
と、正確な測定が行える。あるいは、支持体を照射光を
透過させる透明材質で形成し、この支持体上に試料を設
置し、支持体を透過させて試料に光を照射すると共に、
試料に対し支持体とは反対の側から温度測定手段により
測定を行うようにしてもよい。
【０００９】また、上記において、試料に照射される光
の波長を走査することにより、試料の吸収スペクトルの
空間分布を測定することもできる。
の波長を走査することにより、試料の吸収スペクトルの
空間分布を測定することもできる。
【００１０】本発明の光吸収分布測定装置は、試料を支
持する光透過性の支持体と、この支持体の裏面より一様
に光を照射する照射手段と、試料の局所的な温度変化の
空間分布を測定する温度測定手段とを備えたものであ
る。
持する光透過性の支持体と、この支持体の裏面より一様
に光を照射する照射手段と、試料の局所的な温度変化の
空間分布を測定する温度測定手段とを備えたものであ
る。
【００１１】照射手段からの照射光は、支持体の裏面に
当たり、支持体を透過して試料に照射される。この照射
光を吸収して温度上昇した試料の局所的な温度変化は温
度測定手段によって計測される。
当たり、支持体を透過して試料に照射される。この照射
光を吸収して温度上昇した試料の局所的な温度変化は温
度測定手段によって計測される。
【００１２】上記において、温度測定手段としては、熱
電対、サーミスター、白金抵抗温度計などが挙げられる
が、微小な温度センサーないし熱センサーとしては熱電
対が適している。熱電対は、その接点部分を微小な板バ
ネ上に取り付け、その板バネの撓みが一定になるように
制御しながら、熱電対の接点部を試料の表面に接触また
は近接させつつ走査する制御手段を設けるのがよい。こ
の際、原子間力顕微鏡の技術を適用するのが望ましい。
なお、熱電対の接点部を振動させながら走査するように
してもよい。
電対、サーミスター、白金抵抗温度計などが挙げられる
が、微小な温度センサーないし熱センサーとしては熱電
対が適している。熱電対は、その接点部分を微小な板バ
ネ上に取り付け、その板バネの撓みが一定になるように
制御しながら、熱電対の接点部を試料の表面に接触また
は近接させつつ走査する制御手段を設けるのがよい。こ
の際、原子間力顕微鏡の技術を適用するのが望ましい。
なお、熱電対の接点部を振動させながら走査するように
してもよい。
【００１３】前記照射手段は、一様な光強度を有し且つ
ある程度広がりのある照射光を照射できるものがよい。
また、照射手段に、試料への照射光の波長を走査するた
めの分光手段を設ければ、試料の吸収スペクトルを測定
できる。
ある程度広がりのある照射光を照射できるものがよい。
また、照射手段に、試料への照射光の波長を走査するた
めの分光手段を設ければ、試料の吸収スペクトルを測定
できる。
【００１４】また、前記支持体は、メッシュ状にした
り、あるいは膜厚１０μｍ以下の薄膜とするのが好まし
い。試料はその表面を通じての放射以外は熱的に孤立さ
れているのが望ましく、支持体をメッシュ状や薄膜状と
すると、試料の熱が支持体を通じて逃げにくくなり、光
吸収による試料の温度変化を正確に測定できる。また、
支持体の材質としては、シリコン、シリコン化合物（窒
化シリコン、酸化シリコン、炭化シリコンもしくはそれ
らの複合化合物など）、もしくはゲルマニウムなどが赤
外透過性を有し、また作製上などからも好ましい。これ
は、赤外吸収では、物質の構造などによる特有の吸収ス
ペクトルが現れやすく、試料の物性・組成評価や不純物
分析などに適しているからである。
り、あるいは膜厚１０μｍ以下の薄膜とするのが好まし
い。試料はその表面を通じての放射以外は熱的に孤立さ
れているのが望ましく、支持体をメッシュ状や薄膜状と
すると、試料の熱が支持体を通じて逃げにくくなり、光
吸収による試料の温度変化を正確に測定できる。また、
支持体の材質としては、シリコン、シリコン化合物（窒
化シリコン、酸化シリコン、炭化シリコンもしくはそれ
らの複合化合物など）、もしくはゲルマニウムなどが赤
外透過性を有し、また作製上などからも好ましい。これ
は、赤外吸収では、物質の構造などによる特有の吸収ス
ペクトルが現れやすく、試料の物性・組成評価や不純物
分析などに適しているからである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の光吸収分布測定
方法の一実施形態を図１を用いて説明する。図１に示す
ように、光源１の光が、分光器２を通して、試料５を支
持する支持体の裏面から照射されるようになっている。
支持体は、開口ないし窓３ａを有する支持枠３と、支持
枠３上に窓３ａを覆って設けられた光透過性の薄膜４と
からなり、薄膜４の窓３ａ上に位置するところに試料５
が設置される。原子間力顕微鏡におけるカンチレバー６
先端部の探針先端には、熱電対の接点７が設けられてい
る。熱電対の接点７は温度計８に接続されている。
方法の一実施形態を図１を用いて説明する。図１に示す
ように、光源１の光が、分光器２を通して、試料５を支
持する支持体の裏面から照射されるようになっている。
支持体は、開口ないし窓３ａを有する支持枠３と、支持
枠３上に窓３ａを覆って設けられた光透過性の薄膜４と
からなり、薄膜４の窓３ａ上に位置するところに試料５
が設置される。原子間力顕微鏡におけるカンチレバー６
先端部の探針先端には、熱電対の接点７が設けられてい
る。熱電対の接点７は温度計８に接続されている。
【００１６】薄膜４の裏面から照射された光は、光透過
性の薄膜４を透過し、試料５に吸収され、薄膜４表面上
のうち試料５の存在する場所の温度が局所的に上昇す
る。この温度変化を熱電対の接点７によって測定するこ
とにより、薄膜４面上の試料５の存在する場所と存在し
ない場所の分布、すなわち光吸収効率の分布を測定する
ことができる。また、分光器２の回折格子やプリズム等
の分光手段を用いて、試料５への照射光の波長を走査
し、それに伴う温度変化を測定することによって、粒状
の試料５の一個一個の光吸収スペクトルを測定すること
が可能となる。
性の薄膜４を透過し、試料５に吸収され、薄膜４表面上
のうち試料５の存在する場所の温度が局所的に上昇す
る。この温度変化を熱電対の接点７によって測定するこ
とにより、薄膜４面上の試料５の存在する場所と存在し
ない場所の分布、すなわち光吸収効率の分布を測定する
ことができる。また、分光器２の回折格子やプリズム等
の分光手段を用いて、試料５への照射光の波長を走査
し、それに伴う温度変化を測定することによって、粒状
の試料５の一個一個の光吸収スペクトルを測定すること
が可能となる。
【００１７】温度変化の測定方法としては、光を照射し
てからある程度の時間が経過し、試料の温度が一定にな
ったときの値を計測しても良いし、光照射を変調させて
その変調周期に追従する成分の振幅を測定しても良い。
また、試料の光吸収熱が熱伝導によって支持体を通じて
周囲へ拡散してしまうと、測定の空間分解能が劣化する
ので、それを防ぐために、試料は上記のような薄膜状あ
るいはメッシュ状の支持体上に設置することが好まし
い。また、上記の支持枠３のようなものだけで試料を支
持するようにしてもよい。なお、計測を真空下で行うこ
とも、対流による熱拡散の低減のためには有効である。
てからある程度の時間が経過し、試料の温度が一定にな
ったときの値を計測しても良いし、光照射を変調させて
その変調周期に追従する成分の振幅を測定しても良い。
また、試料の光吸収熱が熱伝導によって支持体を通じて
周囲へ拡散してしまうと、測定の空間分解能が劣化する
ので、それを防ぐために、試料は上記のような薄膜状あ
るいはメッシュ状の支持体上に設置することが好まし
い。また、上記の支持枠３のようなものだけで試料を支
持するようにしてもよい。なお、計測を真空下で行うこ
とも、対流による熱拡散の低減のためには有効である。
【００１８】また、上記の実施形態では、光吸収性の試
料の有無（存在）の分布を求めたが、試料の光吸収効率
や光吸収スペクトルの面内分布も測定することができ
る。また、上記測定から、試料の熱伝導特性なども求め
ることが可能である。
料の有無（存在）の分布を求めたが、試料の光吸収効率
や光吸収スペクトルの面内分布も測定することができ
る。また、上記測定から、試料の熱伝導特性なども求め
ることが可能である。
【００１９】
【実施例】次に、図２により本発明を具体化した実施例
を説明する。図２に示すように、シリコン製の支持枠９
に張りつけられた窒化シリコン（膜厚０．２μｍ）の支
持体１０の表面に、試料として、フォトリソグラフィ技
術によってグラファイト・スパッタ膜の細線１１（線幅
０．５μｍ、膜厚０．２μｍ、間隔２μｍ）を作製し
た。光源には、波長１０６４ｎｍのＮｄ-ＹＡＧレーザ
ー１２を用い、チョッパー１３（変調周波数１００Ｈ
ｚ）を通して強度変調された光を、支持体１０の裏面か
ら照射した（照射光強度はおよそ１００Ｊ/ｍ2）。な
お、１７はレーザー１２からの光をチョッパー１３に集
光するコンデンサーであり、１８はチョッパー１３から
の発散光を平行光にするコリメーターである。
を説明する。図２に示すように、シリコン製の支持枠９
に張りつけられた窒化シリコン（膜厚０．２μｍ）の支
持体１０の表面に、試料として、フォトリソグラフィ技
術によってグラファイト・スパッタ膜の細線１１（線幅
０．５μｍ、膜厚０．２μｍ、間隔２μｍ）を作製し
た。光源には、波長１０６４ｎｍのＮｄ-ＹＡＧレーザ
ー１２を用い、チョッパー１３（変調周波数１００Ｈ
ｚ）を通して強度変調された光を、支持体１０の裏面か
ら照射した（照射光強度はおよそ１００Ｊ/ｍ2）。な
お、１７はレーザー１２からの光をチョッパー１３に集
光するコンデンサーであり、１８はチョッパー１３から
の発散光を平行光にするコリメーターである。
【００２０】まず、原子間力顕微鏡に取りつけた、熱電
対プローブ１４を支持体１０の表面に１ｎＮの力で接触
させ、支持体の表面凹凸像を得た。この像では、グラフ
ァイト膜の細線１１が凸に、細線１１が無く窒化シリコ
ンの支持体１０が露出している部分が凹として観察され
た。
対プローブ１４を支持体１０の表面に１ｎＮの力で接触
させ、支持体の表面凹凸像を得た。この像では、グラフ
ァイト膜の細線１１が凸に、細線１１が無く窒化シリコ
ンの支持体１０が露出している部分が凹として観察され
た。
【００２１】その後、支持体１０の裏面から強度変調さ
れたレーザー光を照射した。そして、プローブ１４を凸
部および凹部に移動させ、プローブ１４先端にその接点
が設けられた熱電対に発生する熱起電力をプリアンプ１
５で増幅し、その１００ｋＨｚ変調成分をロックインア
ンプ１６で測定した。凸部ではおよそ０．２ｍＶの熱起
電力が観測されたが、凹部で観察された熱起電力は０．
１ｍＶであった。この凹部で観察された熱起電力は、支
持体１０を透過した照射光によって直接熱電対が加熱さ
れたことによる温度変化を示しており、凸部の細線１１
の光吸収による温度変化への寄与分は、この値を凸部で
の熱起電力より差し引いた値となる。
れたレーザー光を照射した。そして、プローブ１４を凸
部および凹部に移動させ、プローブ１４先端にその接点
が設けられた熱電対に発生する熱起電力をプリアンプ１
５で増幅し、その１００ｋＨｚ変調成分をロックインア
ンプ１６で測定した。凸部ではおよそ０．２ｍＶの熱起
電力が観測されたが、凹部で観察された熱起電力は０．
１ｍＶであった。この凹部で観察された熱起電力は、支
持体１０を透過した照射光によって直接熱電対が加熱さ
れたことによる温度変化を示しており、凸部の細線１１
の光吸収による温度変化への寄与分は、この値を凸部で
の熱起電力より差し引いた値となる。
【００２２】さらに、原子間力顕微鏡によって支持体１
０の表面をプローブ１４によって走査しながら、局所的
な熱起電力の値をプローブ１４の位置に対してプロット
し、支持体１０表面の熱吸収体（この場合はグラファイ
ト膜の細線１１）の空間分布を画像化することができ
た。得られた画像は、線幅０．５μｍのグラファイト細
線を明瞭に解像しており、この実施例の光吸収分布測定
装置が１μｍ以下という高い空間分解能を有しているこ
とが確認できた。
０の表面をプローブ１４によって走査しながら、局所的
な熱起電力の値をプローブ１４の位置に対してプロット
し、支持体１０表面の熱吸収体（この場合はグラファイ
ト膜の細線１１）の空間分布を画像化することができ
た。得られた画像は、線幅０．５μｍのグラファイト細
線を明瞭に解像しており、この実施例の光吸収分布測定
装置が１μｍ以下という高い空間分解能を有しているこ
とが確認できた。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、試料に照射光を一様に当て、照射した領域の
各部分を温度測定手段により局所的に次々に測定するよ
うにしているため、測定の空間分解能は、照射光の波長
によらずに、微小な温度測定手段が有する、より高い空
間分解能で試料の光吸収特性を測定できる。
によれば、試料に照射光を一様に当て、照射した領域の
各部分を温度測定手段により局所的に次々に測定するよ
うにしているため、測定の空間分解能は、照射光の波長
によらずに、微小な温度測定手段が有する、より高い空
間分解能で試料の光吸収特性を測定できる。
【図１】本発明に係る光吸収分布測定方法の一実施形態
を説明する説明図である。
を説明する説明図である。
【図２】本発明に係る光吸収分布測定装置の一実施例を
示す構成図である。
示す構成図である。
１ 光源 ２ 分光器 ３ 支持枠 ３ａ 窓 ４ 薄膜 ５ 試料 ６ カンチレバー ７ 熱電対の接点 ８ 温度計 ９ 支持枠 １０ 支持体 １１ 細線 １２ Ｎｄ−ＹＡＧレーザー １３ チョッパー １４ 熱電対プローブ １５ プリアンプ １６ ロックインアンプ １７ コンデンサー １８ コリメーター
Claims (12)
- 【請求項１】 支持体に設置された試料に光を一様に照
射し、この光を照射した領域内の光吸収による試料の局
所的な温度変化を温度測定手段により順次測定して、試
料の光吸収の空間分布を測定するようにしたことを特徴
とする光吸収分布測定方法。 - 【請求項２】 前記試料への照射光が前記温度測定手段
によって遮蔽されるのを避けるために、試料に対し温度
測定手段とは反対の側、または試料及び温度測定手段の
側方側から光を照射するようにしたことを特徴とする請
求項１記載の光吸収分布測定方法。 - 【請求項３】 前記支持体を前記照射光を透過させる透
明材質で形成し、この支持体上に前記試料を設置し、支
持体を透過させて試料に光を照射すると共に、試料に対
し支持体とは反対の側から前記温度測定手段により測定
を行うようにしたことを特徴とする請求項１記載の光吸
収分布測定方法。 - 【請求項４】 前記試料に照射される光の波長を走査す
ることにより、試料の吸収スペクトルを測定するように
したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記
載の光吸収分布測定方法。 - 【請求項５】 試料を支持する光透過性の支持体と、こ
の支持体の裏面より一様に光を照射する照射手段と、試
料の局所的な温度変化の空間分布を測定する温度測定手
段とを備えたことを特徴とする光吸収分布測定装置。 - 【請求項６】 前記温度測定手段が、熱電対を用いてい
ることを特徴とする請求項５記載の光吸収分布測定装
置。 - 【請求項７】 前記熱電対の接点部分を微小な板バネ上
に取り付け、その板バネの撓みが一定になるように制御
しながら、熱電対の接点部を前記試料の表面に接触また
は近接させつつ走査する制御手段を備えていることを特
徴とする請求項６記載の光吸収分布測定装置。 - 【請求項８】 前記照射手段が、前記試料への照射光の
波長を走査するための分光手段を備えていることを特徴
とする請求項５乃至７のいずれか一項記載の光吸収分布
測定装置。 - 【請求項９】 前記支持体が、メッシュ状であることを
特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項記載の光吸収
分布測定装置。 - 【請求項１０】 前記支持体が、膜厚１０μｍ以下の薄
膜であることを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一
項記載の光吸収分布測定装置。 - 【請求項１１】 前記支持体の材質が、シリコン、シリ
コン化合物もしくはゲルマニウムであることを特徴とす
る請求項５乃至１０のいずれか一項記載の光吸収分布測
定装置。 - 【請求項１２】 前記シリコン化合物が、窒化シリコ
ン、酸化シリコン、炭化シリコンもしくはそれらの複合
化合物であることを特徴とする請求項１１記載の光吸収
分布測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187381A JPH1030997A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 光吸収分布測定方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187381A JPH1030997A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 光吸収分布測定方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1030997A true JPH1030997A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16205023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8187381A Pending JPH1030997A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 光吸収分布測定方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1030997A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010103807A1 (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | コニカミノルタセンシング株式会社 | 光学特性測定装置、光学特性測定方法および二分光放射率係数測定方法 |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP8187381A patent/JPH1030997A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010103807A1 (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | コニカミノルタセンシング株式会社 | 光学特性測定装置、光学特性測定方法および二分光放射率係数測定方法 |
| JPWO2010103807A1 (ja) * | 2009-03-11 | 2012-09-13 | コニカミノルタオプティクス株式会社 | 光学特性測定装置、光学特性測定方法および二分光放射率係数測定方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11592391B2 (en) | Photothermal imaging device and system | |
| CA1164242A (en) | Procedure for examining the surface quality of materials in solid state of aggregation and means for carrying out the procedure | |
| EP0150384B1 (en) | Thermal wave imaging | |
| Eyerer | Thermal wave remote and nondestructive inspection of polymers. | |
| JP4065336B2 (ja) | 高分解能分光分析顕微方法および装置 | |
| US5688049A (en) | Method and apparatus for measuring the thermal conductivity of thin films | |
| JPS6367651B2 (ja) | ||
| JPH03189547A (ja) | 熱拡散率測定方法及び測定装置 | |
| WO1994025861A1 (en) | Raman analysis apparatus and methods | |
| JP7248575B2 (ja) | 赤外線検出装置 | |
| US4716293A (en) | Accessory for infrared emission spectroscopy | |
| JPH1030997A (ja) | 光吸収分布測定方法及びその装置 | |
| JP2777147B2 (ja) | 表面分析装置 | |
| JPH08254542A (ja) | ナノメートルスケールで試料を同定し特性を確定するための方法および装置 | |
| US5784401A (en) | Temperature distribution measurement methods and apparatus | |
| JP3275022B2 (ja) | 結晶内のフォトルミネッセンス計測装置 | |
| Fotiou et al. | Photothermal deflection densitometer with pulsed-UV laser excitation | |
| CN209264607U (zh) | 一种研究高压下样品相变的装置 | |
| JP3669466B2 (ja) | 熱分光測定装置 | |
| JP3313994B2 (ja) | 光熱ベンディング分光装置および分光法 | |
| JPH1151945A (ja) | 分光分析機構を有する原子間力顕微鏡 | |
| JPH1026628A (ja) | キャピラリ及びその製造方法並びにこれを用いた走査型近接場顕微鏡 | |
| Netzelmann | Non-linearity in photothermal radiometric imaging | |
| JP2000356746A (ja) | 暗視野熱レンズ顕微鏡分析方法とその装置 | |
| JPH09126889A (ja) | 半導体基板の温度測定方法および装置 |