JPH10310491A - 単結晶の取り出し装置および取り出し方法 - Google Patents
単結晶の取り出し装置および取り出し方法Info
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- JPH10310491A JPH10310491A JP11486697A JP11486697A JPH10310491A JP H10310491 A JPH10310491 A JP H10310491A JP 11486697 A JP11486697 A JP 11486697A JP 11486697 A JP11486697 A JP 11486697A JP H10310491 A JPH10310491 A JP H10310491A
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Abstract
必要とせず、安全作業上も支障を生ずることがない。 【解決手段】(1)単結晶を昇降させる装置7と、前記プ
ルチャンバーを昇降および旋回させる装置6と、引上げ
装置を設置する固定床10と、その固定床の上方であって
プルチャンバーの旋回位置に開口部12を設けた作業架台
11と、この作業架台上で前記単結晶を運搬する手段とを
備え、プルチャンバー4によって作業架台11に設けられ
た開口部12を通して保持された単結晶を冷却することを
特徴とする単結晶の取り出し装置である。 (2)引上げ装置の上部に配設されたプルチャンバー4に
単結晶を収容してのち、作業架台11に設けられた開口部
12に単結晶が対向するようにプルチャンバー4を旋回お
よび下降させ、次いで単結晶を開口部12を通して下降さ
せて単結晶を作業架台下に保持する状態で冷却し、冷却
後に単結晶を搬出することを特徴とする単結晶の取り出
し方法である。
Description
法(以下、単に「CZ法」という)によって成長された
単結晶を引上げ装置から取り出す装置および取り出し方
法に関し、さらに詳しくは、単結晶の長尺化に際して
も、引上げ装置の改造を必要とせず、安全作業上も支障
を生ずることがない単結晶の取り出す装置および取り出
し方法に関するものである。
法があるが、なかでも工業的に量産が可能で広く応用さ
れている製造方法としてCZ法がある。この方法による
単結晶の製造は、坩堝内に収容された結晶原料の溶融液
の表面に種結晶を接触させ、坩堝を回転させるととも
に、この種結晶を反対方向に回転させながら引上げるこ
とによって、種結晶の下端に溶融液が凝固した単結晶を
育成していく。この方法は、引上げ装置内に密閉され、
減圧下のアルゴン雰囲気中で行われるため、単結晶の引
上げ終了とともに引上げ装置は開放され、単結晶が取り
出される。
の安全性を確保するため機械的手段を用いて引上げ装置
から取り出す方法が提案されている(例えば、特公昭60
-41038号公報参照)。提案された方法では、引上げられ
た単結晶を旋回させる手段と単結晶の運搬台車が有効に
使用される。
とこの方法が適用される装置構成を説明する図である。
図から明らかなように、固定床10上に引上げ装置のメイ
ンチャンバー3と運搬台車21が配置されており、引上げ
られた単結晶1が旋回装置6によって旋回され、引上げ
装置から運搬台車21まで直接取り出すことができる。
ー3内で成長した単結晶1は、引上げ終了とともに坩堝
2に残留する溶液から切り離されて、プルチャンバー4
内に上昇して収容される。そののち、旋回装置6が駆動
して、プルチャンバー4は引上げ装置の位置から旋回し
て、所定の取り出し位置まで移動する。一方、この取り
出し位置には予め単結晶の運搬台車21を配置させてお
り、プルチャンバー4の旋回移動によって単結晶1の下
端と運搬台車21とが合致する。次いで、プルチャンバー
4から単結晶1を降下させ、単結晶を運搬台車21に挿入
することによって、引上げ装置から単結晶1を取り出
す。上述の通り、提案された取り出し方法では、引上げ
装置から単結晶を取り出す際に機械化が図れ、危険作業
が回避できる。
化の要請が強く、生産能率および歩留まり向上の観点か
ら、単結晶の大径化とともに長尺化の傾向が顕著にな
る。このため、引上げられる単結晶の重量が200Kgを超
え、引上げ長さが2mを超える場合も想定される。この
ように単結晶が長尺化すると、前記図3で提案された取
り出し方法では、取り出すことができる単結晶の長さが
メインチャンバー3の高さに限定されて、取り出しが行
えない事態も発生する。すなわち、プルチャンバー4に
収容された単結晶1を下降させようとしても、その下降
ストロークはメインチャンバー3の高さ、すなわち、固
定床10からメインチャンバー3の上端までの高さに限定
されるから、プルチャンバー4内の単結晶1がメインチ
ャンバー3内の高さより長尺である場合には、単結晶を
取り出せないことになる。
出そうとすると、プルチャンバーの高さは、単結晶シー
ドの切断作業でのスペース確保を勘案して2.2m程度が
必要になる。しかし、通常の引上げ装置の設計におい
て、メインチャンバーの高さはそれほど確保されておら
ず、1〜1.4m程度に留まっている。このため、前記提
案のあった単結晶の取り出し装置および取り出し方法で
は、引上げられる単結晶の長尺化にともなって、その作
業が困難になる。
ーの上昇ストロークを確保するためにプルチャンバー高
さを高めるか、または設計思想を切り換えてメインチャ
ンバーの高さを確保する等の手段を選択することができ
る。確かに、いずれの手段を採用しても、長尺化した単
結晶の上昇・下降ストロークを確保することができる
が、引上げ装置全体の高さを嵩上げすることになって、
装置全体を収容するクリーンルームの容量を大幅に増大
させることが必要になる。クリーンルームの容量増加
は、設備費のみでなく、空調費用も含めたランニングコ
スト増加の要因となる。したがって、単結晶の上昇・下
降ストロークを確保するため、引上げ装置の高さを高め
ることは、製造コストの増大に結びつくことから有効な
対策とはならない。
で提案された取り出し方法では、プルチャンバー内に収
容されている単結晶は高温ままの状態であり、プルチャ
ンバーから単結晶を引き下げてそのまま運搬台車に挿入
すると、高温の単結晶と常温の運搬台車が接触すること
で、単結晶の表面にサーマルショックを生じて割れが発
生することがある。このようなサーマルショックを防止
するには、運搬台車に挿入する際に単結晶を十分に冷却
する必要がある。そのため、提案された方法で単結晶を
取り出そうとすると、プルチャンバーに収容された単結
晶を、プルチャンバーの外に降下させ、大気中で一定温
度になるまで放冷しなければならない。しかし、作業者
が実際に作業を行う作業領域で長時間にわたり高温の単
結晶を自然冷却することは、作業環境の悪化要因となる
だけでなく、災害発生の原因ともなっていた。
の単結晶取り出し方法での問題点を勘案し、単結晶の長
尺化に対して引上げ装置等の大型化を必要とせず、比較
的低廉な製造コストで対応でき、しかも作業の安全性に
優れた単結晶の取り出し装置および取り出し方法を提供
することにある。
示すように、下記(1)の単結晶の取り出し装置および(2)
の単結晶の取り出し方法にある。
た単結晶1をメインチャンバー3およびプルチャンバー
4から構成される引上げ装置から取り出す装置であっ
て、前記単結晶を昇降させる装置7と、前記プルチャン
バーを昇降および旋回させる装置6と、引上げ装置を設
置する固定床10と、その固定床の上方であってプルチャ
ンバーの旋回位置に開口部12を設けた作業架台11と、こ
の作業架台上で前記単結晶を運搬する手段とを備え、プ
ルチャンバー4によって作業架台11に設けられた開口部
12を通して保持された単結晶を冷却することを特徴とす
る単結晶の取り出し装置である。
搬する手段を単結晶を保持および運搬する台車22と、こ
の台車を昇降および移動するフォークリフト23とから構
成するのが望ましい。
た単結晶1を引上げ装置から取り出す方法であって、前
記引上げ装置の上部に配設されたプルチャンバー4に単
結晶を収容してのち、作業架台11に設けられた開口部12
に単結晶が対向するようにプルチャンバー4を旋回およ
び下降させ、次いで単結晶を作業架台11に設けられた開
口部12を通して下降させて単結晶を作業架台下に保持す
る状態で冷却し、冷却後に単結晶を搬出することを特徴
とする単結晶の取り出し方法である。
結晶を搬出するに際し、冷却された単結晶1を台車22で
把持し、この台車を昇降させ、移動させるようにするの
が望ましい。
は、固定床に設置される引上げ装置に付帯するものとし
て単結晶を昇降させる装置とプルチャンバーを昇降およ
び旋回させる装置を設ける他に、その固定床の上方であ
ってプルチャンバーの旋回位置に開口部を設けた作業架
台と、この作業架台上で前記単結晶を運搬する手段とを
備え、プルチャンバーによって作業架台に設けられた開
口部を通して保持された単結晶を冷却することを主な特
徴としている。
置を前提とするものであり、引上げの終了にともなっ
て、引上げ装置の上部に配設されたプルチャンバーに単
結晶を収容してのち、作業架台に設けられた開口部に単
結晶が対向するようにプルチャンバーを旋回、下降さ
せ、次いで単結晶を下降させ作業架台に設けられた開口
部を通して保持する状態で単結晶を冷却させ、冷却後に
単結晶を搬出する方法である。
ものであるから、引上げられる単結晶が長尺になれば、
作業架台に設けられた開口部に単結晶を挿通することに
よって、プルチャンバーの昇降ストロークを稼ぐ必要が
なくなる。このため、単結晶の長尺化に対応して、プル
チャンバーのストロークおよびメインチャンバーの高さ
の改造を要しない。さらに高温の単結晶を自然冷却する
に際して、単結晶は固定床の上方に保持されるようにな
るので、単結晶の大半は作業架台の下方に位置すること
になり、作業架台上で作業する作業者は単結晶と接触す
る恐れがなくなる。このため、安全作業の確保も図れ
る。
する手段として、単結晶を保持および運搬する台車とこ
の台車を昇降および移動するフォークリフトとを設け
て、冷却後に単結晶を搬出する際に、冷却された単結晶
を台車で把持し、この台車を昇降させ、移動させるよう
にするのが望ましい。これは、装置構成が簡単である上
に、取り出し後の単結晶の傾転、運搬、計量および移載
等が簡易に行えるからである。
的に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例にすぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものでない。
示す図であり、各図において共通する部材は同じ符号を
用いる。
体構成の一例を説明する図であり、単結晶を作業架台に
設けられた開口部を通して保持し冷却している状態を示
している。同図に示すように、引上げ装置はメインチャ
ンバー3とプルチャンバー4とで構成される。引上げ装
置の下部を構成するメインチャンバー3の内部で単結晶
が育成され、その中心部には結晶原料の溶融液を収容す
る坩堝が配置される。メインチャンバー3は、下部に制
御装置8を設けて固定床10上に配置される。メインチャ
ンバー3の下部に設けられる制御装置8には、坩堝1の
回転昇降駆動装置、坩堝内の溶融液を加熱するヒータ電
源装置、さらに後述するプルチャンバー用昇降旋回装置
6の駆動装置などが配置されている。
バー4が配置され(図では一点鎖線で表示)、プルチャ
ンバー用昇降旋回装置6によって上昇・下降および旋回
動作が可能となる。メインチャンバー3とプルチャンバ
ー4の間には、密閉性を確保するためのアイソレーショ
ンバルブ5が設けられている。プルチャンバー4の上部
には単結晶を昇降させる装置7が設けられ、引上げワイ
ヤー等を介して単結晶1を昇降させるとともに、単結晶
1の回転駆動も行う。単結晶の引上げ終了後、単結晶1
は上昇してプルチャンバー4内に収容され、その後、図
に示すように、作業架台11に設けられた開口部12に単結
晶が対向する位置まで、プルチャンバー4は旋回され
る。
床10の上方に設けられ、ハニカム構造またはパンチング
メタル等のクリーンルーム内のエヤー流れを妨げない材
料で構成される。単結晶1の冷却は、プルチャンバーに
よって作業架台11に設けられた開口部12を通して保持さ
れた状態で行われる。通常、作業架台11に設けられる開
口部12には蓋が設置されており、開口部12が使用されな
い場合には、蓋が閉じられている。
全体構成の他の例を説明する図である。この例では、台
車22およびフォークリフト23が設けられている。この台
車22によって単結晶1の保持および運搬が行われ、この
フォークリフト23によって単結晶を保持した台車22の昇
降および移動が行われる。このように台車およびフォー
クリフトを設ける理由は、前述の通り、装置構成が簡単
である上に、取り出し後の単結晶の移載等が簡易に行え
るからである。
段として、台車22およびフォークリフト23を設けた場合
の構成を示している。本発明においては、これらの手段
には限定されず、例えば、上記の台車自体に昇降機能を
持たせたものでもよく、また、固定床に単結晶をリフト
アップする昇降装置を配設してもよい。
き出す際の具体的な動作を、例えば、外径8インチ、長
さ2mの単結晶を想定して説明する。
晶1は、プルチャンバーの上部に設けた昇降装置7によ
って上昇され、プルチャンバー4内に収容される。この
とき、単結晶の保持は、昇降装置7から垂下するワイヤ
ーにより保持される。その後、メインチャンバー3の密
閉性を確保するため、アイソレーションバルブ5を閉じ
たのち、プルチャンバー4をプルチャンバー用昇降旋回
装置6によって旋回させるとともに下降させて、所定の
単結晶取り出し位置まで移動する。
成長した単結晶の通過が可能な開口部12が設けられてい
る。上記寸法の単結晶を取り出す場合を想定すると、開
口部12の寸法は0.4m×0.4mで、作業架台11の固定床10
からの高さは1.5mとするのが望ましい。
架台11に設けられた開口部12に単結晶1が対向する位置
までプルチャンバー4を下降させて、作業架台11の直上
に位置させる。次いで、プルチャンバー4内に収容され
た単結晶1を、開口部12を通して、先端部が固定床10に
達するほどに降下させる。この状態で単結晶1を自然冷
却する。このとき、単結晶1の上部長さ0.5m程度がプ
ルチャンバー4内に残留することになるが(図1参
照)、冷却時間には問題を生じない。
ンバー4を上昇させて台車22を単結晶1に固定させる。
その後、単結晶のネック部を切断し、プルチャンバー4
を旋回させてメインチャンバー3の上方に戻し、次回の
単結晶引上げ作業の準備に移行する。一方、台車22は開
口部12を通して昇降できるように、フォークリフト23に
よって保持される。そして単結晶1を保持した台車22を
フォークリフト23によって上昇させて、単結晶1を作業
架台11上に取り出す。
出し装置および取り出し方法では、プルチャンバーの下
端と作業架台との間に十分な間隔が確保されない場合で
あっても、長尺化された単結晶を取り出すことが可能で
あり、引上げ装置およびクリーンルームを新たに大型化
する必要がない。また、単結晶のサーマルショックを防
止するため放冷するに当たって、単結晶は固定床および
作業架台の間で確実に冷却することができ、作業者の接
触によるトラブルを解消することができる。
出し方法によれば、引上げ装置およびクリーンルームの
大型化を図ることなく長尺化した単結晶を取り出すこと
ができ、シリコン単結晶の製造コストの低減が図れる。
しかも、作業者と放冷中の単結晶との接触を回避できる
ので、作業の安全性も確保できる。
例を説明する図である。
の例を説明する図である。
れる装置構成を説明する図である。
Claims (4)
- 【請求項1】チョクラルスキー法によって成長された単
結晶をメインチャンバーおよびプルチャンバーから構成
される引上げ装置から取り出す装置であって、前記単結
晶を昇降させる装置と、前記プルチャンバーを昇降およ
び旋回させる装置と、引上げ装置を設置する固定床と、
その固定床の上方であってプルチャンバーの旋回位置に
開口部を設けた作業架台と、この作業架台上で前記単結
晶を運搬する手段とを備え、プルチャンバーによって作
業架台に設けられた開口部を通して保持された単結晶を
冷却することを特徴とする単結晶の取り出し装置。 - 【請求項2】上記単結晶を運搬する手段が、単結晶を保
持および運搬する台車と、この台車を昇降および移動す
るフォークリフトとから構成されることを特徴とする請
求項1記載の単結晶の取り出し装置。 - 【請求項3】チョクラルスキー法によって成長された単
結晶を引上げ装置から取り出す方法であって、前記引上
げ装置の上部に配設されたプルチャンバーに単結晶を収
容してのち、作業架台に設けられた開口部に単結晶が対
向するようにプルチャンバーを旋回および下降させ、次
いで単結晶を作業架台に設けられた開口部を通して下降
させて単結晶を作業架台下に保持する状態で冷却し、冷
却後に単結晶を搬出することを特徴とする単結晶の取り
出し方法。 - 【請求項4】冷却後に単結晶を搬出するに際し、冷却さ
れた単結晶を台車で把持し、この台車を昇降させ、移動
させることを特徴と請求項3記載の単結晶の取り出し方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11486697A JPH10310491A (ja) | 1997-05-02 | 1997-05-02 | 単結晶の取り出し装置および取り出し方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11486697A JPH10310491A (ja) | 1997-05-02 | 1997-05-02 | 単結晶の取り出し装置および取り出し方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10310491A true JPH10310491A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14648662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11486697A Pending JPH10310491A (ja) | 1997-05-02 | 1997-05-02 | 単結晶の取り出し装置および取り出し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10310491A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002138620A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 引上げ室 |
| JP2017149622A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 結晶育成装置 |
| CN113089082A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-09 | 杨伟洛 | 一种电路硅片制造的自动调节装置 |
| CN114164496A (zh) * | 2021-11-24 | 2022-03-11 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 控制晶棒冷却时间的方法和装置 |
| WO2024045994A1 (en) * | 2022-08-31 | 2024-03-07 | Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd. | Process of automatic crystal bar collection |
-
1997
- 1997-05-02 JP JP11486697A patent/JPH10310491A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002138620A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 引上げ室 |
| JP2017149622A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 結晶育成装置 |
| CN113089082A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-09 | 杨伟洛 | 一种电路硅片制造的自动调节装置 |
| CN114164496A (zh) * | 2021-11-24 | 2022-03-11 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 控制晶棒冷却时间的方法和装置 |
| WO2024045994A1 (en) * | 2022-08-31 | 2024-03-07 | Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd. | Process of automatic crystal bar collection |
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