JPH10310872A - シリカ系厚膜被膜形成方法 - Google Patents

シリカ系厚膜被膜形成方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 塗膜間の密着性に優れ、かつピンホールのな
いシリカ系厚膜被膜を効率よく形成する方法を提供す
る。 【解決手段】 トリアルコキシシランの酸加水分解生成
物を含有する有機溶剤溶液からなる塗布液を基板上に塗
布、乾燥して塗膜を形成し、その塗膜表面に酸化性雰囲
気下で紫外線を照射したのち、さらに前記塗布液を塗布
する操作を１回以上繰り返して所要の膜厚とし、次いで
この塗膜を不活性雰囲気中、３５０〜５００℃において
熱処理することにより膜厚２０００Å以上のシリカ系被
膜を形成させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
素子などの製造に必要な平坦化膜、層間絶縁膜、保護
膜、配向膜、多層レジスト法の中間膜などに用いられる
シリカ系被膜を、塗膜間の密着性のよい厚膜に、かつピ
ンホールが生じることなく、効率よく形成させる方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子や液晶素子の製造に必
要とされる平坦化膜、層間絶縁膜、保護膜、配向膜、多
層レジスト法の中間膜にはシリカ系被膜が多用されてい
る。このようなシリカ系被膜を得るには気相成長法や塗
布法がある。気相成長法は、特殊な装置を用いて基板表
面にシリカを蒸着させ成長させる方法であり、高価な装
置を必要とする上、大量生産される半導体素子、液晶素
子の製造においてはスループットが低いなどの欠点を有
している。一方、塗布法は、アルコキシシランの加水分
解物を有機溶剤に溶解した塗布液を基板上に塗布するこ
とによりシリカ系被膜を形成するものである。この塗布
法は高価な装置を必要とせず、スループットにも優れる
ためこれまで広く利用されている。
【０００３】このような塗布法に使用されるシリカ系被
膜の形成用塗布液としては、例えばテトラアルコキシシ
ランをアルコールを主体とする有機溶媒に溶解し、加水
分解して得た塗布液やモノアルキルトリアルコキシシラ
ンなどの低級アルキル基を有するアルコキシシランを加
水分解して得た塗布液が提案されており（特開昭６３−
２４１０７６号公報）、これまでサブミクロン（約０．
８μｍ）、ハーフミクロン（約０．５μｍ）の微細パタ
ーンによって製造される４メガディーラム、１６メガデ
ィーラムの半導体素子の製造においては、実用上十分に
満足しうるものであった。
【０００４】しかしながら、現在では、６４メガディー
ラム、１ギガディーラムとより集積度の高い半導体素子
の量産が必要とされ、それに伴いパターンもより微細に
なり０．３５μｍ以下のものが要求されるようになって
きた。ところで、このような超微細化が進むと、前記ア
ルコキシシランを加水分解して得た塗布液から得られる
シリカ系被膜では、上層膜との密着性が不良になり、ま
た金属配線層の腐食や、配線同士の短絡を生じ、素子の
信頼性が低下するし、また、０．３５μｍ以下の超微細
パターンを完全に埋めることができず、いわゆる「す」
が発生するなど様々な問題を生じる。
【０００５】本発明者らは、このような超微細パターン
の作成に用いるために先にトリアルコキシシランの低濃
度溶液から、高加水分解反応を行うことにより得られる
シリカ系被膜形成用塗布液を提案したが（特願平７−２
９８７３６号）、この塗布液は、一回塗布操作で得られ
る塗膜の膜厚がほぼ１０００Åにすぎず、所要の膜厚を
得るには塗布操作を数回繰り返さなければならないとい
う欠点がある。そして、このような塗布操作の繰り返し
を行うことは、作業時間が長くなる上に、塗膜と塗膜間
の密着性を欠き、「はじき」によるピンホールを生じる
という欠点を伴う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、塗膜間の密着性に優れ、かつピンホール
のない厚膜のシリカ系被膜を、効率よく形成する方法を
提供することを目的としてなされたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、塗膜間の
密着性に優れ、かつピンホールのないシリカ系厚膜被膜
を効率よく形成する方法について鋭意研究を重ねた結
果、トリアルコキシシランの酸加水分解生成物を含む塗
布液を基板上に塗布、乾燥後、その表面に酸化性雰囲気
下で紫外線を照射し、表面をＳｉ−Ｈ結合からＳｉ−Ｏ
Ｈ結合に変化させたのち、さらに該塗布液を塗布する操
作を１回以上繰り返し、次いで不活性雰囲気中、特定の
温度で熱処理することにより、その目的を達成しうるこ
とを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至
った。
【０００８】すなわち、本発明は、基板上にシリカ系被
膜を形成するに当り、トリアルコキシシランの酸加水分
解生成物を含有する有機溶剤溶液からなる塗布液を基板
上に塗布、乾燥して塗膜を形成し、その塗膜表面に酸化
性雰囲気下で紫外線を照射したのち、さらに前記塗布液
を塗布する操作を１回以上繰り返して所要の膜厚とする
工程、及びこのようにして得た塗膜を不活性雰囲気中、
３５０〜５００℃において熱処理することにより膜厚２
０００Å以上のシリカ系被膜を形成させる工程を含むシ
リカ系厚膜被膜形成方法、並びに基板上にシリカ系被膜
を形成するに当り、トリアルコキシシランを有機溶剤溶
液中、酸触媒の存在下で加水分解処理して、溶媒除去後
の被膜形成成分が、熱重量測定において重量増加を示す
塗布液を調製する工程、次にこの塗布液を基板上に塗
布、乾燥して塗膜を形成し、その塗膜表面に酸化性雰囲
気下で紫外線を照射したのち、さらに前記塗布液を塗布
する操作を１回以上繰り返して所要の膜厚とする工程、
及びこのようにして得た塗膜を不活性雰囲気中、３５０
〜５００℃において熱処理することにより膜厚２０００
Å以上のシリカ系被膜を形成させる工程を含むシリカ系
厚膜被膜形成方法を提供するものである。
【０００９】なお、水素シルセスキオキサン樹脂溶液を
基板に塗布し、シリカ系被膜を形成する際に、紫外光を
含むインコヒーレント光を照射する方法が提案されてい
る（特許第２５６１９７９号）。しかしながら、この方
法は、急速熱処理により水素シルセスキオキサン樹脂溶
液をシリカ系被膜に転化する方法、すなわち、被膜全体
のＳｉ−Ｈ結合を壊し、Ｓｉ−ＯＨ結合に変化させる方
法である。
【００１０】これに対し、本発明は、シリカ系被膜中の
Ｓｉ−Ｈ結合をなるべく残存させるべく、被膜表面のみ
をＳｉ−Ｈ結合から、Ｓｉ−ＯＨ結合に変化させ、これ
により塗膜間の密着性を向上させ、ピンホールの発生を
防ぐものである。したがって、目的において全く異なる
技術である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明方法においては、シリカ系
厚膜被膜を形成させるための塗布液として、トリアルコ
キシシランの酸加水分解生成物を含有する有機溶剤溶液
が用いられる。前記トリアルコキシシランとしては、例
えばトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプ
ロポキシシラン、トリブトキシシラン、ジエトキシモノ
メトキシシラン、モノメトキシジプロポキシシラン、ジ
ブトキシモノメトキシシラン、エトキシメトキシプロポ
キシシラン、モノエトキシジメトキシシラン、モノエト
キシジプロポキシシラン、ブトキシエトキシプロポキシ
シラン、ジメトキシモノプロポキシシラン、ジエトキシ
モノプロポキシシラン、モノブトキシジメトキシシラン
などを挙げることができる。これらの中で実用上好まし
い化合物は、トリメトキシシラン、トリエトキシシラ
ン、トリプロポキシシラン、トリブトキシシランであ
り、中でも特にトリメトキシシラン、トリエトキシシラ
ンが好ましい。これらのトリアルコキシシランは単独で
用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
【００１２】また、前記有機溶剤としては特に制限はな
く、様々な溶剤を用いることができるが、特にアルキレ
ングリコールジアルキルエーテルが好ましい。このもの
を用いることにより、低級アルコールを溶媒として用い
た従来方法におけるトリアルコキシシランのＨ−Ｓｉ基
の分解反応や中間に生成するシラノールの水酸基がアル
コキシ基に置換する反応を抑制することができ、ゲル化
を防止することができる。
【００１３】このアルキレングリコールジアルキルエー
テルとしては、例えばエチレングリコールジメチルエー
テル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレン
グリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジ
ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコー
ルジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエ
ーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロ
ピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリ
コールジブチルエーテルなどのアルキレングリコールの
ジアルキルエーテル類を挙げることができる。これらの
中で好ましいのはエチレングリコール又はプロピレング
リコールのジアルキルエーテル特にジメチルエーテルで
ある。これらの有機溶剤は、単独で用いてもよいし２種
以上組み合わせて用いてもよい。その使用量について
は、トリアルコキシシランの１モルに対し、通常１０〜
３０モル倍量の割合で用いられる。
【００１４】本発明で用いる塗布液は、これらの有機溶
剤中に前記トリアルコキシシランの酸加水分解生成物を
含有するものであるが、特に、溶媒除去後の被膜形成成
分が、熱重量測定（ＴＧ）において、重量増加を示すも
のが好ましい。また、このような塗布液は、赤外吸収ス
ペクトルにおいて、通常３０００ｃｍ-1付近にピークを
有していない。従来の塗布液、例えば特開平４−２１６
８２７号公報記載の塗布液の場合は熱重量測定に際し、
重量減少を示すし、赤外吸収スペクトルにおいて、３０
００ｃｍ-1付近にピークを有し、残存アルコキシ基が存
在していることを示している。
【００１５】このような塗布液は、例えば以下に示す方
法により、好ましく調製することができる。まず、前記
アルキレングリコールジアルキルエーテル中に、トリア
ルコキシシランを、ＳｉＯ2換算で１〜５重量％、好ま
しくは２〜４重量％の濃度になるように溶解する。これ
は反応系におけるＳｉＯ2換算濃度が多くなりすぎると
ゲル化が起こり保存安定性が劣化するおそれがあるから
である。その詳細な原因については不明であるが、反応
系におけるＳｉＯ2換算濃度が小さい方が加水分解の反
応がゆるやかに進み、Ｈ−Ｓｉ基が分解されにくいこと
から、ラダー構造を形成しやすいためであると思われ
る。
【００１６】次に、トリアルコキシシランに水を反応さ
せて加水分解を行うが、この水は、トリアルコキシシラ
ン１モルに対し２．５〜３．０モル、好ましくは２．８
〜３．０モルの範囲内の量で用いることが加水分解度を
高めるために、有利である。この範囲より少なすぎると
保存安定性は高くなるものの、加水分解度が低くなり加
水分解物中の有機基の含有量が多くなり、被膜形成時の
ガスの発生が起こりやすくなるし、また、多すぎると保
存安定性が悪くなる。
【００１７】本発明方法においては、この加水分解は酸
触媒の存在下で行われるが、その際に用いる酸触媒とし
ては、従来、この種のシラン系被膜形成用塗布液製造に
慣用されている有機酸又は無機酸を用いることができ
る。この有機酸の例としては、酢酸、プロピオン酸、酪
酸などを、また無機酸の例としては、塩酸、硝酸、硫
酸、リン酸などを挙げることができるが、特に硝酸が好
ましい。
【００１８】この場合、酸触媒を塗布液中の酸の濃度
が、通常１〜２００ｐｐｍ、好ましくは、１〜４０ｐｐ
ｍの範囲になるように加えるか、又は酸と加える水を混
合し、酸水溶液として加えて、加水分解させる。
【００１９】加水分解反応は、通常５〜１００時間程度
で完了する。また、室温から７０℃を超えない温度で、
アルコキシシラン化合物を含むアルキレングリコールジ
アルキルエーテルの中から選ばれる少なくとも１種の溶
媒に水と酸触媒を滴下して反応させることにより、短い
反応時間で反応を完了させることもできる。
【００２０】本発明方法においては、溶媒にアルコール
を用いずアルキレングリコールジアルキルエーテルの中
から選ばれる少なくとも１種を用いたとしてもアルコキ
シシランの加水分解においてはアルコキシ基に相当する
アルコールが必ず生成してくるので、反応系からこの生
成してくるアルコールを除去しなければならない。具体
的には、アルコールを塗布液中１５重量％以下、好まし
くは８重量％以下まで除去する。アルコール分は少なけ
れば少ないほど好ましく、アルコール分が１５重量％を
超えて残存していると、Ｈ−Ｓｉ基と生成したアルコー
ルが反応し、ＲＯ−Ｓｉ基が生成し、クラック限界が低
下するし、被膜形成時にガスが発生し、前記したトラブ
ルの原因となる。アルコールの除去方法としては、真空
度３０〜３００ｍｍＨｇ、好ましくは、５０〜２００ｍ
ｍＨｇ、温度２０〜５０℃で２〜６時間減圧蒸留する方
法が好適である。
【００２１】本発明方法においては、まず、このように
して調製した塗布液を基板上に塗布、乾燥して塗膜を形
成する。この際用いる基板としては特に制限はなく、形
成されるシリカ被膜の用途に応じて適宜選ばれる。例え
ばシリコンウエーハ上にアルミニウムなどの金属配線層
を有するもの（層間絶縁膜）、シリコンウエーハ上に金
属配線層とその上にプラズマＣＶＤ法などによる層間絶
縁膜を有するもの（平坦化膜）、多層レジスト法におけ
る下層レジスト（中間膜）、ガラス基板上にクロム層を
有するもの（位相シフタ材料）、ガラス基板上にＩＴＯ
（インジウムチンオキシド）などの透明導電膜を有する
もの（保護膜、配向膜）などを用いることができる。な
お、上記かっこ内は形成されるシリカ被膜の用途を示
す。
【００２２】これらの基板上に、該塗布液を塗布する方
法としては、例えばスプレー法、スピンコート法、ディ
ップコート法、ロールコート法など、任意の方法を用い
ることができるが、半導体素子製造には、通常スピンコ
ート法が用いられる。また、乾燥処理は、塗布液中の溶
媒が揮散して塗膜が形成されればよく、その手段、温
度、時間などについては特に制限はないが、一般的に
は、８０〜３００℃程度のホットプレート上で１〜６分
間程度加熱すればよい。好ましくは、３段階以上、段階
的に昇温するのが有利である。具体的には、大気中又は
窒素などの不活性ガス雰囲気下、８０〜１２０℃程度の
ホットプレート上で３０秒〜２分間程度第１回目の乾燥
処理を行ったのち、１３０〜２２０℃程度で３０秒〜２
分間程度第２回目の乾燥処理を行い、さらに２３０〜３
００℃程度で３０秒〜２分間程度第３回目の乾燥処理を
行う。このように３段階以上、好ましくは３〜６段階程
度の段階的な乾燥処理を行うことにより、形成された塗
膜の表面が均一なものとなる。
【００２３】次に、このようにして形成された乾燥塗膜
の表面に、酸化性雰囲気下、例えば大気中において、紫
外線（波長１０〜４００ｎｍ）、好ましくは１８０〜２
６０ｎｍ領域の遠紫外線を含む紫外線を１０秒〜３分間
程度、好ましくは３０秒〜１分間照射する。
【００２４】なお、この際の基板の温度は、ピンホール
の発生にはあまり影響を与えないので、特に限定されな
いが、高すぎると目的とするシリカ系被膜に必要なＳｉ
−Ｈ結合が破壊され、ＳｉＯ2となるので、通常、室温
〜２５０℃が好ましい。すなわち、乾燥処理後、基板を
一旦室温まで下げても差しつかえないし、乾燥後そのま
まホットプレート上で紫外線照射処理しても差しつかえ
ない。本発明においては、このような紫外線の照射によ
りＳｉ−Ｈ結合を有するシリカ系塗膜の表面にのみＳｉ
−ＯＨ結合を生じさせる。そして、この水酸基の存在に
より上層に設けられるシリカ系塗膜との密着性を向上さ
せることができ、ピンホールの発生を防ぐことができ
る。
【００２５】本発明においては、さらに、前記塗布液を
塗布する操作を１回以上繰り返して所要の膜厚とする。
なお、塗布液の塗布操作を複数回繰り返す場合は、前記
のようにして紫外線照射処理を施した塗膜上に塗布液を
塗布することが必要である。
【００２６】本発明においては、このようにして所要の
膜厚に形成された塗膜を、窒素などの不活性ガス雰囲気
中、３５０〜５００℃の範囲の温度において熱処理す
る。この温度が３５０℃未満では、熱処理が不十分で、
ち密なシリカ系被膜が得られないし、５００℃を超える
と被膜中のＳｉ−Ｈ結合が破壊され、やはり、ち密な被
膜が得られない。このようにして、膜厚が２０００Å以
上のシリカ系被膜が形成される。上限は特に制限はない
が、今のところ８０００Å程度である。
【００２７】形成されるシリカ系被膜の膜厚は、塗布液
の固形分濃度や塗布方法などに左右され、また塗布操作
を繰り返せば繰り返すほど、得られる被膜の膜厚は厚く
なるので、目的に応じて、所要の膜厚が得られるよう
に、塗布液、塗布方法、塗布操作の繰り返し回数を適宜
調整すればよい。しかし、過度に繰り返し回数が多くな
ると、スループットが落ちるので、一回の塗布により得
られる被膜の膜厚がなるべく厚くなるように調製した塗
布液を用い、塗布操作の繰り返し回数をできだけ少なく
して、所要の膜厚が得られるようにするのが有利であ
る。最も実用的には、塗布液を塗布する操作は１回で行
うのがよい。
【００２８】
【発明の効果】本発明方法によれば、塗膜間の密着性に
優れ、かつピンホールのない膜厚２０００Å以上のシリ
カ系厚膜被膜を効率よく形成することができる。本発明
方法で形成されたシリカ系厚膜被膜は、例えばシリコン
ウエーハ上に設けられたアルミニウムなどの金属配線層
上の層間絶縁膜、金属配線層と該金属配線層上に設けら
れたプラズマＣＶＤ法などの層間絶縁膜上の平坦化膜、
多層レジスト法における下層レジストと上層レジストの
間に設けられる中間膜、ガラス基板上に設けられたクロ
ム層上の位相シフタ材料、液晶素子製造の際のガラス基
板上に設けられたＩＴＯなどの透明導電膜上の保護膜、
液晶の配向性を向上させるための配向膜などとして有用
である。
【００２９】
【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００３０】参考例１ ＳｉＯ2換算濃度３重量％のトリエトキシシラン７３．
９ｇ（０．４５モル）をエチレングリコールジメチルエ
ーテル８０２．０ｇ（９．０モル）に溶解し、かき混ぜ
た。次いで、これに純水２４．３ｇ（１．３５モル）と
濃硝酸５ｐｐｍを混合したものを、ゆっくりかき混ぜな
がら滴下したのち、約３時間かき混ぜ、その後室温で６
日間静置させて溶液を得た。この溶液を１２０〜１４０
ｍｍＨｇ、４０℃にて１時間減圧濃縮し、固形分濃度８
重量％、エタノールの濃度１重量％の塗布液を調製し
た。
【００３１】参考例２ 特開平４−２１６８２７号公報の例９と同様にして４．
０ｇ（０．０２４モル）のトリエトキシシラン、１２．
２ｇのイソプロパノール、４．０ｇのｎ‐ブタノール及
び５％塩酸水溶液の１滴を含む０．３３ｇ（０．０１８
モル）の水を混ぜて溶液とし、この溶液を撹拌しそして
６０〜７５℃に加熱した。この撹拌溶液を３０分間この
温度に保ち、次いで冷却し溶液を得た。
【００３２】参考例１で得た塗布液と参考例２で得た塗
布液を乾燥機中１４０℃で６０分間乾燥させ、溶媒を揮
散させ、固形物（乾燥物）を得た。この固形物をかき集
め粉末状にしたものをアルミニウムパンに入れ、４０〜
８００℃まで毎分１０℃で昇温し熱重量測定（ＴＧ）と
示差熱分析測定（ＤＴＡ）を行った。その結果を図２
（参考例１対応）、図３（特開平４−２１６８２７号公
報の例９対応）にそれぞれ示す。なお、下の曲線はＤＴ
Ａ曲線、上の曲線はＴＧ曲線である。
【００３３】これらから明らかなように、参考例１で得
た塗布液の乾燥物は３６０℃付近で重量増加が始まり、
８００℃昇温後４％の重量増加が認められた。一方、特
開平４−２１６８２７号公報の例９で得た塗布液の乾燥
物は８００℃昇温後９．３％の重量減少が認められた。
【００３４】実施例１ （１） 参考例１で得た塗布液を、シリコンウエーハ上
に金属配線層、該配線層上にＣＶＤ法による絶縁膜を設
けた段差１．０μｍのパターンを有する基板上に、スピ
ンナーにより２０００ｒｐｍで１０秒間塗布し、次いで
ホットプレート上で１００℃で１分間、２００℃で１分
間、３００℃で１分間ずつ順次乾燥させ塗膜を得た。こ
の塗布時（ａｓ Ｃｏａｔ）、１００℃における乾燥
時、２００℃における乾燥時、３００℃における乾燥時
における赤外吸収スペクトルを図１に示す。これより塗
布から３００℃までの乾燥においては、８４０ｃｍ-1付
近と２２５０ｃｍ-1付近のＳｉ−Ｈに起因するピークが
強く現われていることが分かる。 （２） 次いで、基板温度を室温まで下げ、（１）で得
た塗膜に、紫外線照射処理装置Ｄｅｅｐ ＵＶプロセッ
サー（日本電池社製）を用いて、大気中１８５〜２５４
ｎｍの遠紫外線を含む紫外線を１分間照射した。 （３） 次に、参考例１で得た塗布液を（２）の紫外線
照射後の塗膜上にスピンナーにより２０００ｒｐｍで１
０秒間塗布し、次いでホットプレート上で１００℃で１
分間、２００℃で１分間、３００℃で１分間ずつ順次乾
燥させた。 （４） この乾燥塗膜を、窒素雰囲気中にて４５０℃で
３０分間熱処理し、シリカ系被膜を得た。この際の膜厚
は５０００Åであった。また、（３）工程の後で、かつ
（４）工程前に光学顕微鏡によりピンホールの有無を観
察したところ、ピンホールはなく密着性は良好であっ
た。また、この熱処理後の赤外吸収スペクトルを図１に
示す。これより塗布から熱処理後においても８４０ｃｍ
-1付近と２２５０ｃｍ-1付近のＳｉ−Ｈに起因するピー
クが現われていることが分かる。
【００３５】実施例２ 実施例１と同様に（１）、（２）及び（３）の工程を行
い塗膜を得たのち、さらに（２）及び（３）の操作を繰
り返し、最後に（４）の工程を行いシリカ系被膜を得
た。このときの膜厚は７５００Åであった。また、それ
ぞれ（３）工程の後に光学顕微鏡によりピンホールの有
無を観察したところ、ともにピンホールはなく密着性は
良好であった。
【００３６】比較例１ 実施例１において、（２）の紫外線照射工程を行わなか
ったこと以外は、実施例１と同様にして、シリカ系被膜
を得た。この際の膜厚は５０００Åであった。また、
（３）工程の後で、かつ（４）工程前に光学顕微鏡によ
りピンホールの有無を観察したところ、ピンホールが発
生しており、密着性は不良であった。
【００３７】比較例２ 実施例２において、（２）の紫外線照射工程を行わなか
ったこと以外は、実施例２と同様にして、シリカ系被膜
を得た。この際の膜厚は７５００Åであった。また、そ
れぞれ（３）工程の後に光学顕微鏡によりピンホールの
有無を観察したところ、ピンホールが発生しており、密
着性は不良であった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 各工程におけるシリカ系被膜の１例の赤外吸
収スペクトル図。
【図２】 参考例１の塗布液から得た固形分のＤＴＡ曲
線及びＴＧ曲線。
【図３】 参考例２の塗布液から得た固形分のＤＴＡ曲
線及びＴＧ曲線。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上にシリカ系被膜を形成するに当
    り、トリアルコキシシランの酸加水分解生成物を含有す
    る有機溶剤溶液からなる塗布液を基板上に塗布、乾燥し
    て塗膜を形成し、その塗膜表面に酸化性雰囲気下で紫外
    線を照射したのち、さらに前記塗布液を塗布する操作を
    １回以上繰り返して所要の膜厚とする工程、及びこのよ
    うにして得た塗膜を不活性雰囲気中、３５０〜５００℃
    において熱処理することにより膜厚２０００Å以上のシ
    リカ系被膜を形成させる工程を含むシリカ系厚膜被膜形
    成方法。
  2. 【請求項２】 基板上にシリカ系被膜を形成するに当
    り、トリアルコキシシランを有機溶剤溶液中、酸触媒の
    存在下で加水分解処理して、溶媒除去後の被膜形成成分
    が、熱重量測定において重量増加を示す塗布液を調製す
    る工程、次にこの塗布液を基板上に塗布、乾燥して塗膜
    を形成し、その塗膜表面に酸化性雰囲気下で紫外線を照
    射したのち、さらに前記塗布液を塗布する操作を１回以
    上繰り返して所要の膜厚とする工程、及びこのようにし
    て得た塗膜を不活性雰囲気中、３５０〜５００℃におい
    て熱処理することにより膜厚２０００Å以上のシリカ系
    被膜を形成させる工程を含むシリカ系厚膜被膜形成方
    法。
  3. 【請求項３】 溶媒除去後の被膜形成成分が熱重量測定
    において重量増加を示す塗布液が、トリアルコキシシラ
    ンをＳｉＯ2換算１〜５重量％の濃度でアルキレングリ
    コールジアルキルエーテル中に溶解し、この溶液中にト
    リアルコキシシラン１モル当り２．５〜３．０モルの水
    を加え、酸触媒の存在下に加水分解処理したのち、生成
    したアルコールの含有量を１５重量％以下に調整した溶
    液である請求項２記載のシリカ系厚膜被膜形成方法。
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