JPH10312063A - リフトオフ用フォトレジストパターンの形成方法 - Google Patents
リフトオフ用フォトレジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH10312063A JPH10312063A JP9122088A JP12208897A JPH10312063A JP H10312063 A JPH10312063 A JP H10312063A JP 9122088 A JP9122088 A JP 9122088A JP 12208897 A JP12208897 A JP 12208897A JP H10312063 A JPH10312063 A JP H10312063A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- forming
- photoresist layer
- pattern
- lift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッドを構成するリード電極を形成
する際に、精度の高いパターニングを容易に行うことが
できるリフトオフ用のフォトレジストパターンの形成方
法を提供する。 【解決手段】 電極形成対象面３２に所定のパターンの
露出部３２ａを残すように第一のフォトレジスト層１１
を形成する工程と、第一のフォトレジスト層１１を露光
する工程と、第一のフォトレジスト層１１および露出部
３２ａの上に第二のフォトレジスト層を形成する工程
と、露出部３２ａを覆うような形状の未露光部１３を形
成するように第二のフォトレジスト層を露光する工程
と、第一および第二のフォトレジスト層の露光された部
分１１，１２を除去する工程とによって、リフトオフ用
フォトレジストパターンを形成する。
する際に、精度の高いパターニングを容易に行うことが
できるリフトオフ用のフォトレジストパターンの形成方
法を提供する。 【解決手段】 電極形成対象面３２に所定のパターンの
露出部３２ａを残すように第一のフォトレジスト層１１
を形成する工程と、第一のフォトレジスト層１１を露光
する工程と、第一のフォトレジスト層１１および露出部
３２ａの上に第二のフォトレジスト層を形成する工程
と、露出部３２ａを覆うような形状の未露光部１３を形
成するように第二のフォトレジスト層を露光する工程
と、第一および第二のフォトレジスト層の露光された部
分１１，１２を除去する工程とによって、リフトオフ用
フォトレジストパターンを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク等の
磁気記録媒体に記録および再生を行う薄膜磁気ヘッドを
構成するリード電極の形成方法に関し、詳しくは、リー
ド電極パターンを形成する際に用いられるリフトオフ用
フォトレジストパターンの形成方法に関するものであ
る。
磁気記録媒体に記録および再生を行う薄膜磁気ヘッドを
構成するリード電極の形成方法に関し、詳しくは、リー
ド電極パターンを形成する際に用いられるリフトオフ用
フォトレジストパターンの形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッド等を構成しているリード
電極の形成方法としては、これまで、種々の方法が用い
られている。最も一般的な形成方法として知られている
のは、薄膜層を形成した後に、フォトレジストによるマ
スク層を所望のパターンに形成し、イオンミリングなど
の物理エッチングあるいはウェットエッチングなどの化
学的なエッチングによって不要な薄膜層を除去し、マス
ク層下部の薄膜層を所望のパターン（リード電極パター
ン）に形成する方法である。
電極の形成方法としては、これまで、種々の方法が用い
られている。最も一般的な形成方法として知られている
のは、薄膜層を形成した後に、フォトレジストによるマ
スク層を所望のパターンに形成し、イオンミリングなど
の物理エッチングあるいはウェットエッチングなどの化
学的なエッチングによって不要な薄膜層を除去し、マス
ク層下部の薄膜層を所望のパターン（リード電極パター
ン）に形成する方法である。
【０００３】しかし、この方法においては、エッチング
すべき不要な薄膜層が除去された後に、さらに下の層が
除去されあるいは変質するおそれがある。そのため、例
えば、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果膜
上にリード電極を形成する場合等においては、磁気抵抗
効果膜の膜厚が通常数１０〜数１００オングストローム
と薄いために、下の層が除去されあるいは変質するおそ
れのある上記方法を用いることは困難である。
すべき不要な薄膜層が除去された後に、さらに下の層が
除去されあるいは変質するおそれがある。そのため、例
えば、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果膜
上にリード電極を形成する場合等においては、磁気抵抗
効果膜の膜厚が通常数１０〜数１００オングストローム
と薄いために、下の層が除去されあるいは変質するおそ
れのある上記方法を用いることは困難である。
【０００４】そこで、従来は、一般的なリフトオフ法に
よってリード電極パターンを形成する方法が採用されて
いる。この方法は、磁気抵抗効果膜上に所望のパターン
のフォトレジストパターンを形成し、次いでリード電極
となる薄膜層を形成し、その後にフォトレジストパター
ンを除去することによってフォトレジストパターン上の
不要な薄膜層を除去して、電極パターンを形成する方法
である。このリフトオフ法を用いてリード電極パターン
を形成する場合には、フォトレジストパターンの断面形
状をオーバーハング形状（逆テーパ形状ともいう）にす
ることで、フォトレジストパターンの側壁にリード電極
層が付着することを防止し、リフトオフ後のパターンエ
ッジに膜残りが生じないようにしている。
よってリード電極パターンを形成する方法が採用されて
いる。この方法は、磁気抵抗効果膜上に所望のパターン
のフォトレジストパターンを形成し、次いでリード電極
となる薄膜層を形成し、その後にフォトレジストパター
ンを除去することによってフォトレジストパターン上の
不要な薄膜層を除去して、電極パターンを形成する方法
である。このリフトオフ法を用いてリード電極パターン
を形成する場合には、フォトレジストパターンの断面形
状をオーバーハング形状（逆テーパ形状ともいう）にす
ることで、フォトレジストパターンの側壁にリード電極
層が付着することを防止し、リフトオフ後のパターンエ
ッジに膜残りが生じないようにしている。
【０００５】フォトレジストパターンの断面形状をオー
バーハング形状にする方法としては、フォトレジスト表
面にアンモニア処理またはクロロベンゼン処理を施し、
レジストの表面層を変質させて現像液に対する溶解性を
表面層と内部層とで異なるように形成し、フォトレジス
トの現像工程で内部層を表面層よりも多く溶解させて、
オーバーハング形状を形成する方法がある（以下、この
オーバーハング形状を形成する方法を「逆テーパ処理」
ともいう）。
バーハング形状にする方法としては、フォトレジスト表
面にアンモニア処理またはクロロベンゼン処理を施し、
レジストの表面層を変質させて現像液に対する溶解性を
表面層と内部層とで異なるように形成し、フォトレジス
トの現像工程で内部層を表面層よりも多く溶解させて、
オーバーハング形状を形成する方法がある（以下、この
オーバーハング形状を形成する方法を「逆テーパ処理」
ともいう）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術に係る（フォトレジストパターンの断面形状をオ
ーバーハング形状とした）リフトオフ法によってリード
電極パターンを形成する方法においては、アンモニア処
理またはクロロベンゼン処理にばらつきが生じやすいた
め、その後のフォトレジストの現像工程においてもばら
つき等が発生し、パターニングの寸法精度を向上させる
ことが困難となる。特に、磁気抵抗効果型ヘッドを製造
する場合においては、磁気抵抗効果層上のリード電極の
間隔が薄膜磁気ヘッドの再生トラック幅であり、この再
生トラック幅が数ミクロン以下になりつつある今日で
は、リード電極を形成する際のパターニングの寸法精度
は重要な要素となる。つまり、この間隔を高い精度で制
御することが要求されるため、リード電極形成の際のパ
ターニング精度が低いことは深刻な課題となる。
来技術に係る（フォトレジストパターンの断面形状をオ
ーバーハング形状とした）リフトオフ法によってリード
電極パターンを形成する方法においては、アンモニア処
理またはクロロベンゼン処理にばらつきが生じやすいた
め、その後のフォトレジストの現像工程においてもばら
つき等が発生し、パターニングの寸法精度を向上させる
ことが困難となる。特に、磁気抵抗効果型ヘッドを製造
する場合においては、磁気抵抗効果層上のリード電極の
間隔が薄膜磁気ヘッドの再生トラック幅であり、この再
生トラック幅が数ミクロン以下になりつつある今日で
は、リード電極を形成する際のパターニングの寸法精度
は重要な要素となる。つまり、この間隔を高い精度で制
御することが要求されるため、リード電極形成の際のパ
ターニング精度が低いことは深刻な課題となる。
【０００７】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、薄膜磁気ヘッドを構成するリード電極
を形成する際に、精度の高いパターニングを容易に行う
ことができるリフトオフ用フォトレジストパターンの形
成方法を提供することを目的とする。
なされたもので、薄膜磁気ヘッドを構成するリード電極
を形成する際に、精度の高いパターニングを容易に行う
ことができるリフトオフ用フォトレジストパターンの形
成方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、電極形成対象面に電極を形成する際に用い
られるリフトオフ用フォトレジストパターンの形成方法
において、前記電極形成対象面に所定のパターンの第一
のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第一のフォ
トレジスト層の所定部分を露光する工程と、前記第一の
フォトレジスト層の上に所定のパターンの第二のフォト
レジスト層を形成する工程と、前記第二のフォトレジス
ト層の所定部分を露光する工程と、前記第一および第二
のフォトレジスト層の露光された部分を除去する工程と
を有し、前記電極形成対象面にオーバーハング形状のフ
ォトレジストパターンを形成することを特徴とする。本
発明に係るリフトオフ用フォトレジストパターンの形成
方法によれば、前記第一および第二のフォトレジスト層
を形成し、それぞれ所定の領域を露光し、その露光部分
を除去することによって、容易にオーバーハング形状の
フォトレジストパターンを形成することができる。つま
り、本発明によれば、オーバーハング形状のフォトレジ
ストパターンを形成するために従来必要であったアンモ
ニア処理またはクロロベンゼン処理等を行う必要がな
い。したがって、アンモニア処理またはクロロベンゼン
処理のばらつきに起因していたフォトレジストの現像工
程におけるばらつきをなくすことが可能となるため、リ
フトオフ用フォトレジストパターンの寸法精度を向上さ
せることができる。
の本発明は、電極形成対象面に電極を形成する際に用い
られるリフトオフ用フォトレジストパターンの形成方法
において、前記電極形成対象面に所定のパターンの第一
のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第一のフォ
トレジスト層の所定部分を露光する工程と、前記第一の
フォトレジスト層の上に所定のパターンの第二のフォト
レジスト層を形成する工程と、前記第二のフォトレジス
ト層の所定部分を露光する工程と、前記第一および第二
のフォトレジスト層の露光された部分を除去する工程と
を有し、前記電極形成対象面にオーバーハング形状のフ
ォトレジストパターンを形成することを特徴とする。本
発明に係るリフトオフ用フォトレジストパターンの形成
方法によれば、前記第一および第二のフォトレジスト層
を形成し、それぞれ所定の領域を露光し、その露光部分
を除去することによって、容易にオーバーハング形状の
フォトレジストパターンを形成することができる。つま
り、本発明によれば、オーバーハング形状のフォトレジ
ストパターンを形成するために従来必要であったアンモ
ニア処理またはクロロベンゼン処理等を行う必要がな
い。したがって、アンモニア処理またはクロロベンゼン
処理のばらつきに起因していたフォトレジストの現像工
程におけるばらつきをなくすことが可能となるため、リ
フトオフ用フォトレジストパターンの寸法精度を向上さ
せることができる。
【０００９】また、本発明に係るリフトオフ用フォトレ
ジストパターンの形成方法においては、前記電極形成対
象面に所定のパターンの露出部を残すように第一のフォ
トレジスト層を形成する工程と、前記第一のフォトレジ
スト層を露光する工程と、前記第一のフォトレジスト層
および前記露出部の上に第二のフォトレジスト層を形成
する工程と、前記露出部を覆うような形状の未露光部を
形成するように前記第二のフォトレジスト層を露光する
工程と、前記第一および第二のフォトレジスト層の露光
された部分を除去する工程とを有することが好ましい。
この好ましい例によれば、前記露出部を覆うように前記
第二のフォトレジスト層未露光部を形成することによ
り、比較的容易に、オーバーハング形状のフォトレジス
トパターンを得ることができる。また、第一のフォトレ
ジスト層を所定のパターンに形成する際あるいは露光す
る際にフォトレジストパターンの寸法が決定されるた
め、寸法精度の高いリフトオフ用フォトレジストパター
ンを形成することができる。
ジストパターンの形成方法においては、前記電極形成対
象面に所定のパターンの露出部を残すように第一のフォ
トレジスト層を形成する工程と、前記第一のフォトレジ
スト層を露光する工程と、前記第一のフォトレジスト層
および前記露出部の上に第二のフォトレジスト層を形成
する工程と、前記露出部を覆うような形状の未露光部を
形成するように前記第二のフォトレジスト層を露光する
工程と、前記第一および第二のフォトレジスト層の露光
された部分を除去する工程とを有することが好ましい。
この好ましい例によれば、前記露出部を覆うように前記
第二のフォトレジスト層未露光部を形成することによ
り、比較的容易に、オーバーハング形状のフォトレジス
トパターンを得ることができる。また、第一のフォトレ
ジスト層を所定のパターンに形成する際あるいは露光す
る際にフォトレジストパターンの寸法が決定されるた
め、寸法精度の高いリフトオフ用フォトレジストパター
ンを形成することができる。
【００１０】また、本発明に係るリフトオフ用フォトレ
ジストパターンの形成方法においては、前記電極形成対
象面に第一のフォトレジスト層を形成する工程と、第一
のフォトレジスト層未露光部を形成するように前記第一
のフォトレジスト層を露光する工程と、前記第一のフォ
トレジスト層の上に第二のフォトレジスト層を形成する
工程と、前記第一のフォトレジスト層未露光部を覆うよ
うな形状の第二のフォトレジスト層未露光部を形成する
ように前記第二のフォトレジスト層を露光する工程と、
前記第一および第二のフォトレジスト層の露光された部
分を除去する工程とを有することが好ましい。この好ま
しい例によれば、前記第一のフォトレジスト層未露光部
を覆うような形状に前記第二のフォトレジスト層未露光
部を形成することにより、比較的容易にオーバーハング
形状のフォトレジストパターンを得ることができる。ま
た、第一のフォトレジスト層および第二のフォトレジス
ト層を露光する際にフォトレジストパターンの寸法が決
定されるため、寸法精度の高いリフトオフ用フォトレジ
ストパターンを形成することができる。
ジストパターンの形成方法においては、前記電極形成対
象面に第一のフォトレジスト層を形成する工程と、第一
のフォトレジスト層未露光部を形成するように前記第一
のフォトレジスト層を露光する工程と、前記第一のフォ
トレジスト層の上に第二のフォトレジスト層を形成する
工程と、前記第一のフォトレジスト層未露光部を覆うよ
うな形状の第二のフォトレジスト層未露光部を形成する
ように前記第二のフォトレジスト層を露光する工程と、
前記第一および第二のフォトレジスト層の露光された部
分を除去する工程とを有することが好ましい。この好ま
しい例によれば、前記第一のフォトレジスト層未露光部
を覆うような形状に前記第二のフォトレジスト層未露光
部を形成することにより、比較的容易にオーバーハング
形状のフォトレジストパターンを得ることができる。ま
た、第一のフォトレジスト層および第二のフォトレジス
ト層を露光する際にフォトレジストパターンの寸法が決
定されるため、寸法精度の高いリフトオフ用フォトレジ
ストパターンを形成することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図３は、本発明に係るリフトオフ
用フォトレジストパターンを用いて形成されたリード電
極を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。
に基づいて説明する。図３は、本発明に係るリフトオフ
用フォトレジストパターンを用いて形成されたリード電
極を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。
【００１２】図３に示すように、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっきあるいはスパッタ等して形成された下部シー
ルド層３０上には、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等を
スパッタして形成された下部ギャップ絶縁層３１が積層
されており、その上にはパーマロイ等をスパッタして形
成された磁気抵抗効果膜３２が積層されている。
膜をめっきあるいはスパッタ等して形成された下部シー
ルド層３０上には、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等を
スパッタして形成された下部ギャップ絶縁層３１が積層
されており、その上にはパーマロイ等をスパッタして形
成された磁気抵抗効果膜３２が積層されている。
【００１３】磁気抵抗効果膜３２上には、例えば、金
（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）等のリード
電極層３３が、スパッタで成膜の後、後述するリフトオ
フでパターニングされて形成され、さらにその上に上部
ギャップ絶縁層３４がＡｌ2Ｏ3等をスパッタして形成さ
れている。上部ギャップ絶縁層３４の上には、パーマロ
イ等の軟磁性膜をめっきあるいはスパッタ等で上部シー
ルド層３５が形成されている。
（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）等のリード
電極層３３が、スパッタで成膜の後、後述するリフトオ
フでパターニングされて形成され、さらにその上に上部
ギャップ絶縁層３４がＡｌ2Ｏ3等をスパッタして形成さ
れている。上部ギャップ絶縁層３４の上には、パーマロ
イ等の軟磁性膜をめっきあるいはスパッタ等で上部シー
ルド層３５が形成されている。
【００１４】以下、リード電極層３３を形成する際のリ
フトオフ用フォトレジストパターンの形成方法を具体的
に説明する。 （第一の実施形態）図１は、本発明の第一の実施形態に
係るリード電極形成工程におけるリフトオフ用フォトレ
ジストパターンの形成方法を示した断面図である。以
下、図１（ａ）〜図１（ｆ）に基づいて、リフトオフ用
フォトレジストパターンの形成方法について説明する。
フトオフ用フォトレジストパターンの形成方法を具体的
に説明する。 （第一の実施形態）図１は、本発明の第一の実施形態に
係るリード電極形成工程におけるリフトオフ用フォトレ
ジストパターンの形成方法を示した断面図である。以
下、図１（ａ）〜図１（ｆ）に基づいて、リフトオフ用
フォトレジストパターンの形成方法について説明する。
【００１５】まず、図１（ａ）に示されている磁気抵抗
効果膜３２を、下部ギャップ絶縁層（図示省略、図３参
照）上に形成する。磁気抵抗効果膜３２は、パーマロイ
等をスパッタして形成する。
効果膜３２を、下部ギャップ絶縁層（図示省略、図３参
照）上に形成する。磁気抵抗効果膜３２は、パーマロイ
等をスパッタして形成する。
【００１６】次いで、図１（ｂ）に示すように、磁気抵
抗効果膜３２上に、磁気抵抗効果膜３２の露出した部分
（以下「露出部」という）３２ａを残して、第一のフォ
トレジストを用いて第一のフォトレジストパターン１１
をテーパ状に形成する。なお、テーパの形状について
は、この図に示すようにテーパを形成する被テーパ形成
物とテーパ形成物の端面とのなす角が鋭角である場合を
「順テーパ」といい、鈍角である場合を「逆テーパ」と
いう。この図に示すように、本実施形態においては、従
来技術のように逆テーパ処理を施すことなく、第一のフ
ォトレジストパターン１１が順テーパで形成されてい
る。したがって、第一のフォトレジストパターン１１の
側壁を形成する際の制御が非常に容易となるため、この
第一のフォトレジストパターン１１のパターニング精度
は極めて高くなる。次に、この第一のフォトレジストパ
ターン１１を紫外線で露光し、現像液に可溶な状態とす
る。
抗効果膜３２上に、磁気抵抗効果膜３２の露出した部分
（以下「露出部」という）３２ａを残して、第一のフォ
トレジストを用いて第一のフォトレジストパターン１１
をテーパ状に形成する。なお、テーパの形状について
は、この図に示すようにテーパを形成する被テーパ形成
物とテーパ形成物の端面とのなす角が鋭角である場合を
「順テーパ」といい、鈍角である場合を「逆テーパ」と
いう。この図に示すように、本実施形態においては、従
来技術のように逆テーパ処理を施すことなく、第一のフ
ォトレジストパターン１１が順テーパで形成されてい
る。したがって、第一のフォトレジストパターン１１の
側壁を形成する際の制御が非常に容易となるため、この
第一のフォトレジストパターン１１のパターニング精度
は極めて高くなる。次に、この第一のフォトレジストパ
ターン１１を紫外線で露光し、現像液に可溶な状態とす
る。
【００１７】次いで、図１（ｃ）に示すように、第一の
フォトレジストパターン１１上に、第二のフォトレジス
トを塗布する。このとき、第一のフォトレジストパター
ン１１のみではなく、露出部３２ａ上についても、第二
のフォトレジストを塗布する。次に、第二のフォトレジ
ストについては、その一部を露光することにより、露出
部３２ａを含みそれよりも大きなパターン形状となるよ
うな第二のフォトレジストの未露光部１３と、それ以外
の部分である第二のフォトレジストの露光部１２とを形
成する。こうすることにより、第二のフォトレジストの
露光部１２は、現像液に可溶な状態となる。
フォトレジストパターン１１上に、第二のフォトレジス
トを塗布する。このとき、第一のフォトレジストパター
ン１１のみではなく、露出部３２ａ上についても、第二
のフォトレジストを塗布する。次に、第二のフォトレジ
ストについては、その一部を露光することにより、露出
部３２ａを含みそれよりも大きなパターン形状となるよ
うな第二のフォトレジストの未露光部１３と、それ以外
の部分である第二のフォトレジストの露光部１２とを形
成する。こうすることにより、第二のフォトレジストの
露光部１２は、現像液に可溶な状態となる。
【００１８】次いで、図１（ｄ）に示すように、露光済
みの第一のフォトレジストパターン１１と第二のフォト
レジストの露光部１２とを現像液を用いて溶解除去す
る。こうすることにより、第二のフォトレジストの未露
光部１３によってオーバーハング形状のリフトオフ用フ
ォトレジストパターンが形成される。
みの第一のフォトレジストパターン１１と第二のフォト
レジストの露光部１２とを現像液を用いて溶解除去す
る。こうすることにより、第二のフォトレジストの未露
光部１３によってオーバーハング形状のリフトオフ用フ
ォトレジストパターンが形成される。
【００１９】次いで、図１（ｅ）に示すように、オーバ
ーハング形状のリフトオフ用フォトレジストパターンが
形成された磁気抵抗効果膜３２上に、Ａｕ等をスパッタ
することによってリード電極層３３を形成する。
ーハング形状のリフトオフ用フォトレジストパターンが
形成された磁気抵抗効果膜３２上に、Ａｕ等をスパッタ
することによってリード電極層３３を形成する。
【００２０】次いで、図１（ｆ）に示すように、第二の
フォトレジストの未露光部１３を、その上に形成された
不要な電極層と共に、有機溶媒（例えば、アセトン等の
溶剤）等を用いて除去する。この際、必要に応じて、超
音波を印加等することによって、第二のフォトレジスト
の未露光部１３を溶解除去してもよい。こうして、第二
のフォトレジストの未露光部１３が除去され、リフトオ
フが行われる。
フォトレジストの未露光部１３を、その上に形成された
不要な電極層と共に、有機溶媒（例えば、アセトン等の
溶剤）等を用いて除去する。この際、必要に応じて、超
音波を印加等することによって、第二のフォトレジスト
の未露光部１３を溶解除去してもよい。こうして、第二
のフォトレジストの未露光部１３が除去され、リフトオ
フが行われる。
【００２１】本実施形態においては、以上の工程を行う
ことにより、磁気抵抗効果膜３２上に所定形状のリード
電極層３３を形成することができる。前述したように、
本実施形態によれば、リフトオフ用フォトレジストパタ
ーンを形成する際に、逆テーパ処理を施す必要がなく、
第一のフォトレジストパターン１１でパターン寸法を高
精度に制御することが可能であるためリフトオフ用フォ
トレジストパターンを高精度に形成することができる。
したがって、そのリフトオフ用フォトレジストパターン
によって形成するリード電極層３３も、高精度に形成す
ることが可能となる。
ことにより、磁気抵抗効果膜３２上に所定形状のリード
電極層３３を形成することができる。前述したように、
本実施形態によれば、リフトオフ用フォトレジストパタ
ーンを形成する際に、逆テーパ処理を施す必要がなく、
第一のフォトレジストパターン１１でパターン寸法を高
精度に制御することが可能であるためリフトオフ用フォ
トレジストパターンを高精度に形成することができる。
したがって、そのリフトオフ用フォトレジストパターン
によって形成するリード電極層３３も、高精度に形成す
ることが可能となる。
【００２２】（第二の実施形態）図２は、本発明の第二
の実施形態に係るリード電極形成工程におけるリフトオ
フ用フォトレジストパターンの形成方法を示した断面図
である。以下、図２（ａ）〜図２（ｆ）に基づいて、リ
フトオフ用フォトレジストパターンの形成方法について
説明する。
の実施形態に係るリード電極形成工程におけるリフトオ
フ用フォトレジストパターンの形成方法を示した断面図
である。以下、図２（ａ）〜図２（ｆ）に基づいて、リ
フトオフ用フォトレジストパターンの形成方法について
説明する。
【００２３】まず、図２（ａ）に示されている磁気抵抗
効果膜３２を、下部ギャップ絶縁層（図示省略、図３参
照）上に形成する。磁気抵抗効果膜３２は、パーマロイ
等をスパッタして形成する。
効果膜３２を、下部ギャップ絶縁層（図示省略、図３参
照）上に形成する。磁気抵抗効果膜３２は、パーマロイ
等をスパッタして形成する。
【００２４】次いで、図２（ｂ）に示すように、磁気抵
抗効果膜３２上に、第一のフォトレジストを塗布する。
そして、この第一のフォトレジストが所定のパターンと
なるように露光し、第一のフォトレジストの露光部２１
と第一のフォトレジストの未露光部２２とを形成する。
こうすることにより、第一のフォトレジストの露光部２
１は、現像液に可溶な状態となる。
抗効果膜３２上に、第一のフォトレジストを塗布する。
そして、この第一のフォトレジストが所定のパターンと
なるように露光し、第一のフォトレジストの露光部２１
と第一のフォトレジストの未露光部２２とを形成する。
こうすることにより、第一のフォトレジストの露光部２
１は、現像液に可溶な状態となる。
【００２５】次いで、図２（ｃ）に示すように、第一の
フォトレジストの上に、第二のフォトレジストを塗布す
る。この第二のフォトレジストについては、その一部を
露光することにより、第一のフォトレジストの未露光部
２２を含みそれよりも大きなパターン形状となる第二の
フォトレジストの未露光部２４と、それ以外の部分であ
る第二のフォトレジストの露光部２３とを形成する。こ
うすることにより、第二のフォトレジストの露光部２３
は、現像液に可溶な状態となる。
フォトレジストの上に、第二のフォトレジストを塗布す
る。この第二のフォトレジストについては、その一部を
露光することにより、第一のフォトレジストの未露光部
２２を含みそれよりも大きなパターン形状となる第二の
フォトレジストの未露光部２４と、それ以外の部分であ
る第二のフォトレジストの露光部２３とを形成する。こ
うすることにより、第二のフォトレジストの露光部２３
は、現像液に可溶な状態となる。
【００２６】次いで、図２（ｄ）に示すように、第一の
フォトレジストの露光部２１と第二のフォトレジストの
露光部２３とを現像液を用いて溶解除去する。こうする
ことにより、第一のフォトレジストの未露光部２２と第
二のフォトレジストの未露光部２４とによって、オーバ
ーハング形状のリフトオフ用フォトレジストパターンが
形成される。
フォトレジストの露光部２１と第二のフォトレジストの
露光部２３とを現像液を用いて溶解除去する。こうする
ことにより、第一のフォトレジストの未露光部２２と第
二のフォトレジストの未露光部２４とによって、オーバ
ーハング形状のリフトオフ用フォトレジストパターンが
形成される。
【００２７】次いで、図２（ｅ）に示すように、オーバ
ーハング形状のリフトオフ用フォトレジストパターンが
形成された磁気抵抗効果膜３２上に、Ａｕ等をスパッタ
することによってリード電極層３３を形成する。
ーハング形状のリフトオフ用フォトレジストパターンが
形成された磁気抵抗効果膜３２上に、Ａｕ等をスパッタ
することによってリード電極層３３を形成する。
【００２８】次いで、図２（ｆ）に示すように、第一の
フォトレジストの未露光部２２と第二のフォトレジスト
の未露光部２４とを、第二のフォトレジストの未露光部
２４上に形成された不要な電極層と共に、有機溶媒（例
えば、アセトン等の溶剤）等を用いて除去する。この
際、第一の実施形態と同様に必要に応じて、超音波を印
加等してもよい。こうして、第一のフォトレジストの未
露光部２２と第二のフォトレジストの未露光部２４とが
除去され、リフトオフが行われる。
フォトレジストの未露光部２２と第二のフォトレジスト
の未露光部２４とを、第二のフォトレジストの未露光部
２４上に形成された不要な電極層と共に、有機溶媒（例
えば、アセトン等の溶剤）等を用いて除去する。この
際、第一の実施形態と同様に必要に応じて、超音波を印
加等してもよい。こうして、第一のフォトレジストの未
露光部２２と第二のフォトレジストの未露光部２４とが
除去され、リフトオフが行われる。
【００２９】本実施形態においては、以上のように、第
二のフォトレジストの未露光部２４を第一のフォトレジ
ストの未露光部２２よりも大きく形成したため、容易に
オーバーハング形状のリフトオフ用フォトレジストパタ
ーンを形成することができる。したがって、本実施形態
においても、第一の実施形態と同様に、リフトオフ用フ
ォトレジストパターンを形成する際に逆テーパ処理を施
す必要がないために、リフトオフ用フォトレジストパタ
ーンを高精度に形成することが可能となる。そして、そ
のリフトオフ用フォトレジストパターンによって形成す
る所定形状のリード電極層３３についても、高精度の形
成が可能となる。
二のフォトレジストの未露光部２４を第一のフォトレジ
ストの未露光部２２よりも大きく形成したため、容易に
オーバーハング形状のリフトオフ用フォトレジストパタ
ーンを形成することができる。したがって、本実施形態
においても、第一の実施形態と同様に、リフトオフ用フ
ォトレジストパターンを形成する際に逆テーパ処理を施
す必要がないために、リフトオフ用フォトレジストパタ
ーンを高精度に形成することが可能となる。そして、そ
のリフトオフ用フォトレジストパターンによって形成す
る所定形状のリード電極層３３についても、高精度の形
成が可能となる。
【００３０】なお、以上の各実施形態においては、磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを構成するリード電極を形成
するために、磁気抵抗効果膜上にリフトオフ用フォトレ
ジストパターンを形成する場合、いわゆる磁気抵抗効果
膜を電極形成対象面とした場合について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、例えば、絶縁
物、半導体、金属等の基板または薄膜等を電極形成対象
面として、本発明に係るリフトオフ用フォトレジストパ
ターンの形成方法を使用してもよい。
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを構成するリード電極を形成
するために、磁気抵抗効果膜上にリフトオフ用フォトレ
ジストパターンを形成する場合、いわゆる磁気抵抗効果
膜を電極形成対象面とした場合について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、例えば、絶縁
物、半導体、金属等の基板または薄膜等を電極形成対象
面として、本発明に係るリフトオフ用フォトレジストパ
ターンの形成方法を使用してもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜磁気ヘッドを構成するリード電極を形成する際に、
精度の高いパターニングを容易に行うことができるリフ
トオフ用のフォトレジストパターンの形成方法を得るこ
とができる。また、本発明によれば、リフトオフ後のパ
ターンエッジの膜残りをも防止することができる。
薄膜磁気ヘッドを構成するリード電極を形成する際に、
精度の高いパターニングを容易に行うことができるリフ
トオフ用のフォトレジストパターンの形成方法を得るこ
とができる。また、本発明によれば、リフトオフ後のパ
ターンエッジの膜残りをも防止することができる。
【図１】本発明の第一の実施形態に係るリード電極形成
工程におけるリフトオフ用フォトレジストパターンの形
成方法を示した断面図
工程におけるリフトオフ用フォトレジストパターンの形
成方法を示した断面図
【図２】本発明の第二の実施形態に係るリード電極形成
工程におけるリフトオフ用フォトレジストパターンの形
成方法を示した断面図
工程におけるリフトオフ用フォトレジストパターンの形
成方法を示した断面図
【図３】本発明に係るリフトオフ用フォトレジストパタ
ーンを用いて形成されたリード電極を有する磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドの断面図
ーンを用いて形成されたリード電極を有する磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドの断面図
１１ 第１のフォトレジストパターン ２１ 第１のフォトレジストの露光部 １２，２３ 第２のフォトレジストの露光部 １３，２４ 第２のフォトレジストの未露光部 ２２ 第１のフォトレジストの未露光部 ３０ 下部シールド層 ３１ 下部ギャップ層 ３２ 磁気抵抗効果膜 ３２ａ 露出部 ３３ リード電極層 ３４ 上部ギャップ層 ３５ 上部シールド層
Claims (3)
- 【請求項１】 電極形成対象面に電極を形成する際に用
いられるリフトオフ用フォトレジストパターンの形成方
法において、前記電極形成対象面に所定のパターンの第
一のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第一のフ
ォトレジスト層の所定部分を露光する工程と、前記第一
のフォトレジスト層の上に所定のパターンの第二のフォ
トレジスト層を形成する工程と、前記第二のフォトレジ
スト層の所定部分を露光する工程と、前記第一および第
二のフォトレジスト層の露光された部分を除去する工程
とを有し、前記電極形成対象面にオーバーハング形状の
フォトレジストパターンを形成することを特徴とするリ
フトオフ用フォトレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記電極形成対象面に所定のパターンの
露出部を残すように第一のフォトレジスト層を形成する
工程と、前記第一のフォトレジスト層を露光する工程
と、前記第一のフォトレジスト層および前記露出部の上
に第二のフォトレジスト層を形成する工程と、前記露出
部を覆うような形状の未露光部を形成するように前記第
二のフォトレジスト層を露光する工程と、前記第一およ
び第二のフォトレジスト層の露光された部分を除去する
工程とを有する請求項１に記載のリフトオフ用フォトレ
ジストパターンの形成方法。 - 【請求項３】 前記電極形成対象面に第一のフォトレジ
スト層を形成する工程と、第一のフォトレジスト層未露
光部を形成するように前記第一のフォトレジスト層を露
光する工程と、前記第一のフォトレジスト層の上に第二
のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第一のフォ
トレジスト層未露光部を覆うような形状の第二のフォト
レジスト層未露光部を形成するように前記第二のフォト
レジスト層を露光する工程と、前記第一および第二のフ
ォトレジスト層の露光された部分を除去する工程とを有
する請求項１に記載のリフトオフ用フォトレジストパタ
ーンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9122088A JPH10312063A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | リフトオフ用フォトレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9122088A JPH10312063A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | リフトオフ用フォトレジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10312063A true JPH10312063A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14827364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9122088A Pending JPH10312063A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | リフトオフ用フォトレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10312063A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6582889B1 (en) | 1999-08-26 | 2003-06-24 | Tdk Corporation | Method for forming resist pattern and manufacturing method of thin-film element |
| US7122282B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-10-17 | Tdk Corporation | Mask pattern forming method and patterning method using the mask pattern |
-
1997
- 1997-05-13 JP JP9122088A patent/JPH10312063A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6582889B1 (en) | 1999-08-26 | 2003-06-24 | Tdk Corporation | Method for forming resist pattern and manufacturing method of thin-film element |
| US7122282B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-10-17 | Tdk Corporation | Mask pattern forming method and patterning method using the mask pattern |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002110536A (ja) | レジストパターン、レジストパターンの作製方法、薄膜のパターニング方法、及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| JP3458352B2 (ja) | レジストパターンの作製方法、薄膜のパターニング方法、及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| JPH10312063A (ja) | リフトオフ用フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JP3371101B2 (ja) | レジストパターンおよびその形成方法、薄膜パターン形成方法ならびにマイクロデバイスの製造方法 | |
| KR0147996B1 (ko) | 박막 헤드의 패턴 평탄화 방법 | |
| JPH0681173A (ja) | 金属膜パターン形成方法 | |
| JPH0548247A (ja) | 導体パターン形成方法 | |
| JP3468417B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2948695B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3371660B2 (ja) | 複合型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH10116402A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH103613A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3314832B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH06104172A (ja) | 薄膜パターンの形成方法 | |
| JPH09138910A (ja) | メタル層をパターニングする方法 | |
| JPH0644526A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2693171B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH05303719A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2656064B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH08190711A (ja) | 薄膜磁気ヘッド用スライダーの製造方法 | |
| JPH04192106A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH01176089A (ja) | めっきパターンの形成方法 | |
| JP3217008B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 | |
| JPH07331482A (ja) | メッキパターン形成方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH10172111A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |