JPH10312073A - Ｅｌデバイス、光導電性画像形成部材、及びスターバースト芳香族アミン化合物の製造方法 - Google Patents

Ｅｌデバイス、光導電性画像形成部材、及びスターバースト芳香族アミン化合物の製造方法

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JPH10312073A
JPH10312073A JP10047123A JP4712398A JPH10312073A JP H10312073 A JPH10312073 A JP H10312073A JP 10047123 A JP10047123 A JP 10047123A JP 4712398 A JP4712398 A JP 4712398A JP H10312073 A JPH10312073 A JP H10312073A
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  • Nitrogen- Or Sulfur-Containing Heterocyclic Ring Compounds With Rings Of Six Or More Members (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱安定性、動作安定性及び耐久性を高めた有
機ＥＬデバイス及び光導電性画像形成部材を提供する。 【解決手段】 本発明の有機ＥＬデバイスは、支持基板
２、陽極３、スターバースト芳香族アミンを含有する正
孔注入及び正孔輸送層４、電子注入及び輸送層５及び陰
極６からなる。このデバイスは、熱安定性の改良、長い
デバイス寿命、高いエレクトロルミネセンス効率、優れ
た正孔注入及び電子輸送特性などの多数の利点を有し、
このデバイスは真空蒸着技術を用いて容易に製造可能で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に、エレクトロ
ルミネセンス（ＥＬ）デバイス、光導電性画像形成部材
及びスターバースト芳香族アミンの製造方法に関する。
より詳細には、本発明は熱安定性及び動作安定性を高
め、従って耐久性を高めた有機ＥＬデバイスに関する。
このデバイスは、熱安定性に優れたアモルファス膜を形
成することができるスターバースト芳香族アミンを含有
する新規の正孔輸送組成物を用いている。また、スター
バースト芳香族アミンの製造方法も開示される。
【０００２】米国特許第４，２６５，９９０号に示され
る光導電性画像形成部材のように、光導電性画像形成部
材、特に層状の画像形成部材用にこのアミンを選択する
ことができ、この部材においてスターバーストアミンは
電荷輸送成分又は分子として主に機能する。
【０００３】
【従来の技術】ある種の芳香族第３アミンを含有する正
孔輸送材料は、正孔注入及び正孔輸送処理を容易にし、
従って有機ＥＬデバイスのデバイス性能を向上させるこ
とで一般的に既知であるが、これらの材料は正孔注入及
び輸送薄膜層として熱的及び形態的に不安定であるた
め、実際の用途において有機ＥＬデバイスの動作寿命が
短く、耐久性に劣っていた。
【０００４】有機ＥＬデバイスに関連する上記の複雑及
び困難な点を克服するために、本発明は、熱及び形態の
安定性を高めたアモルファス薄膜を形成することができ
る一種の新規な正孔輸送材料と、この材料から製造され
る有機ＥＬデバイスとを提供する。このデバイスは優れ
た正孔注入特性を有し、ＥＬ効率が高く優れており、動
作の安定性及びデバイスの耐久性が高められている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱安
定性及び動作安定性を高めた有機ＥＬデバイスを提供す
ることである。
【０００６】本発明の別の目的は、例えば約５〜約１
９．５Ｖなど、約２０Ｖ未満の比較的低い動作電圧にお
いて高いエレクトロルミネセンス効率を示す改良された
ＥＬデバイスを提供することである。
【０００７】本発明の更に別の目的は、陽極、陰極、及
び陽極と陰極との間にある有機エレクトロルミネセント
中間物を含む、改良されたＥＬデバイスを提供すること
であり、ここで有機エレクトロルミネセント中間物はス
ターバースト芳香族アミン正孔輸送成分を含有する少な
くとも１つの層を有する。
【０００８】本発明の別の目的は、ＥＬデバイス用のあ
る種のスターバースト芳香族アミン化合物と、スターバ
ースト芳香族アミンの製造方法とを提供することであ
り、この化合物は、例えば１００℃を越える高いガラス
転移温度を有する。
【０００９】本発明の更なる目的は、優れた正孔注入及
び輸送能力と優れた熱安定性を有すると共に、薄膜とし
て容易に真空蒸着でき、ＥＬデバイスにおいて正孔注入
及び／又は輸送成分として使用することができる、スタ
ーバースト芳香族アミンを有するＥＬデバイスを提供す
ることである。
【００１０】更に、本発明の別の目的は、スターバース
トアミンの製造方法と、その光導電性画像形成部材とを
提供することである。
【００１１】本発明の別の目的は、光導電性部材用のあ
る種のスターバースト芳香族アミン化合物と、スターバ
ースト芳香族アミンの製造方法とを提供することであ
り、この化合物は、例えば１００℃を越える高いガラス
転移温度を有する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】実施の形態において、本
発明は、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間にあり、ス
ターバースト芳香族アミンを含有する正孔注入及び正孔
輸送ゾーン又は層、ならびに電子注入及び輸送ゾーン又
は層からなる有機ルミネセント中間物とを含む層状の有
機ＥＬデバイスに関し、このデバイスは、熱安定性の改
良、長いデバイス寿命、高いエレクトロルミネセンス効
率、優れた正孔注入及び電子輸送特性などの多数の利点
を有し、このデバイスは真空蒸着技術を用いて容易に製
造可能である。本発明のＥＬデバイスは、熱及び動作安
定性を改良し、約５０℃又はこれより高い温度、例えば
約５０〜約１００℃における優れたデバイス耐久性を示
す。また、本発明は、支持基板、陽極、正孔注入及び輸
送ゾーン又は層、電子注入及び輸送ゾーン又は層、及び
陰極の順に積層したＥＬデバイスに関し、正孔注入及び
輸送ゾーンは次の構造式(I) によって表されるスターバ
ースト芳香族アミンを含有する。
【００１３】
【化８】
【００１４】式(I) 中、Ｎは窒素；Ａ1 〜Ａ3 はそれぞ
れ、ビフェニル基、ビトリル基などの例えば１２〜約６
０個の炭素原子を有するビアリール；Ｒa 、Ｒb 及びＲ
c はそれぞれ以下に示される構造式（Ａ）〜（Ｃ）の官
能基のうちの１つである。
【００１５】
【化９】
【００１６】式（Ａ）〜（Ｃ）中、Ｎは窒素；Ａｒ1 及
びＡｒ2 は、例えばフェニル基、トリル基、クロロフェ
ニル基のようなハロー、メトキシフェニル基のようなア
ルコキシ、ビフェニル基又はナフチル基など、６〜約２
４個の炭素原子を有するアリール基、；Ｒ1 〜Ｒ8 は、
水素、ハロゲン又は例えば１〜１０個の炭素原子を有す
る炭化水素基と、例えば１〜６個の炭素原子を含むアル
コキシ基からなる群からそれぞれ選択される置換基；及
びＸは、酸素原子、硫黄原子、又はメチレン基のように
約２〜約２０個の炭素原子を有するアルキレンを表す。
【００１７】
【発明の実施の形態】より詳細には、図１はＥＬデバイ
スを示しており、これは、例えばガラスである支持基板
２、陽極３、スターバースト芳香族アミンを含有する真
空蒸着された正孔注入及び正孔輸送層４、電子注入及び
電子輸送層５、及びこれに接触する陰極６の低仕事関数
金属からなる有機発光ダイオードを含む。ＥＬデバイス
において、電子−正孔の再結合が生じて光を放出するル
ミネセントゾーンが正孔輸送層及び／又は電子輸送層を
取り囲んでいる。必要に応じて、電子−正孔の再結合の
後に光を放出することができる蛍光材料を、電荷輸送成
分が母材として機能するルミネセントゾーンに添加する
こともできる。
【００１８】実施の形態において、正孔注入層は、正孔
の注入、正孔の輸送又はこれらの組み合わせを行なうよ
うに機能することができ、電子注入層は同様に、電子の
注入、電子の輸送又はこれらの組み合わせを行なうこと
ができる。また、実施の形態においてゾーン４及び５を
他の層と取り替えることができる。即ち、ゾーン４及び
５の代わりに、陽極と接触するように正孔注入層４ａを
配置し、その上にスターバースト正孔輸送層４ｂを配置
することができ、４ｂの上に電子輸送層５ａを配置し、
その上に電子注入層５ｂを配置することができる。
【００１９】支持基板の例としては、ポリマー成分、ガ
ラス等、ＭＹＬＡＲ（登録商標名）のようなポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタク
リレート、ポリスルホン、石英などが含まれる。例え
ば、本質的に機能をもたず、他の層を支持することがで
きるならば、他の基板を選択することもできる。基板の
厚みは、例えばデバイスの構造要求に依存して、例えば
約２５〜約１，０００μｍ又はそれより厚いもの、特に
約５０〜約６，０００μｍとすることができる。
【００２０】基板に隣接する陽極の例としては、酸化イ
ンジウム錫、酸化錫、金、プラチナなどの正電荷注入電
極；仕事関数が約４ｅＶに等しいか又はこれより大きい
もの、例えば約４〜約８ｅＶである導電性炭素、ポリア
ニリン、ポリピロールなどのπ共役ポリマーなどが含ま
れる。陽極の厚みは約１０〜５，０００Åの範囲が可能
であるが、好適な範囲は陽極材料の光学定数によって決
定する。ある好適な厚みの範囲は、約２０〜約１，００
０Åである。
【００２１】光導電性画像形成部材用の輸送層を含む正
孔輸送層４は本文中に示される通りであり、次の構造式
(I) によって表されるスターバースト芳香族アミンを含
有する。
【００２２】
【化１０】
【００２３】式(I) 中、置換基は本文中に示された通り
である。例えばＡ1 〜Ａ3 は、例えば１２〜約６０、好
ましくは１２〜約４０個の炭素原子を有するビアリール
をそれぞれ表しており、このビアリールは置換すること
ができ、より詳細にはビフェニル基又はビトリル基であ
る。Ｒa 、Ｒb 及びＲc は、次の構造式（Ａ）〜（Ｃ）
の官能基のうちの１つをそれぞれ表す。
【００２４】
【化１１】
【００２５】式（Ａ）〜（Ｃ）中、Ｎは窒素；他の置換
基は本文中に示された通りであり、例えばＡｒ1 及びＡ
ｒ2 は、フェニル基、トリル基、クロロフェニル基、メ
トキシフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基のよ
うな、６〜約３０個、好ましくは６〜約２４個の炭素原
子を有するアリール基など；Ｒ1 〜Ｒ8 は、水素、ハロ
ゲン又は１〜約１０個の炭素原子を含有する炭化水素
と、１〜６個の炭素原子を含有するアルコキシからなる
群からそれぞれ選択される置換基；Ｘは、酸素原子、硫
黄原子又はメチレン基のように２〜約２０個の炭素原子
を有するアルキレンを表す。この新しい種のスターバー
スト芳香族アミンは本文中に示されるような多くの利点
を示し、これらの化合物は真空蒸着可能で薄膜を形成す
ることができ、これらは一般に高いガラス転移温度を有
する。更に、層状の光導電性画像形成部材における正孔
輸送成分としてこれらのスターバーストアミンを選択す
ることができ、デジタル方法を含むゼログラフィック
（電子写真）画像形成方法のためにこれらの部材を選択
することができる。
【００２６】スターバースト芳香族アミンは、下のスキ
ーム１に示されるような銅配位子触媒の存在下で、アリ
ール沃化物(III）及び(IV)を用いて第１アリールアミン
（II）を直接ウルマン縮合すると共に、本文中に全て援
用されて本発明の一部とする本願と共に出願中の米国特
許第６０９，２５９号、第６０８，８５８号及び第６０
７，９５３号を参照することによって調製することがで
きる。スキーム１のＲａのような置換基は、本文中に示
された通りである。
【００２７】
【化１２】
【００２８】より詳細には、構造式(I) のスターバース
トアミンの製造方法は、第１アリールアミン(II)を構造
式(III) の芳香族沃化物化合物及び構造式(IV)の芳香族
沃化物化合物と反応させることを含み、この反応は配位
した銅触媒の存在下で達成され、この配位子は単座第３
アミン及び二座第３アミンからなる群から選択される。
この反応は一般に、配位した銅触媒、例えば１，１０−
フェナントロラト銅（１)(一価）クロライド、ジピリジ
ノ銅（１）クロライド、１，１０−フェナントロラト銅
（１）ブロマイド、ジピリジノ銅（１）ブロマイド、
１，１０−フェナントロラト銅（１）クロライド、１，
１０−フェナントロラト銅（１）ブロマイド、又はジピ
リジノ銅（１）ブロマイドの存在下で、約１００〜約１
９０℃、好ましくは約１２０〜約１６０℃の温度で、ト
ルエン、キシレン、メシチレン、ドデカンなどの不活性
溶剤中で達成される。選択される触媒は重要であり、実
施の形態では有機配位子を含有する銅からなり、配位子
は本文中に示されるように単座第３アミン及び二座第３
アミンからなる群から選択される。より詳細には、配位
子は（１，１０−フェナントロラト）Ｃｕ（Ｘ）及びビ
ス（ピリジナト）Ｃｕ（Ｘ）などの銅触媒又は化合物で
あり、ここでＸは塩化物のようなハロゲン化物である。
銅塩の配位によって触媒効率が大幅に上昇し、一般に低
温で約数時間にわたる非常に急速な反応を生じることが
できる。
【００２９】本発明の方法に選択される重要な触媒は本
文中に示される通りであり、実施の形態では、塩化物、
臭化物、沃化物及びフッ化物などのハロゲン化物塩を含
む配位した銅塩、特に銅（１）からなり、ここで配位子
は１，１０−フェナントロリン又はピリジンなどの単座
第３アミン又は二座第３アミンである。選択される触媒
の量は様々であり、一般には触媒は、例えば反応物の約
１〜約２０モル％、好ましくは限定する反応物の約５〜
約１２モル％などの有効量で用いる。銅触媒の仮定的な
構造の例は次の通りであり、式中Ｘは塩化物又は臭化物
のようなハロゲン化物を示している。
【００３０】
【化１３】
【００３１】触媒は、塩化第一銅のような銅塩を１，１
０−フェナントロリンのような適切な配位子と反応させ
ることによって調製することができ、この反応は、例え
ば約７０〜約１２５℃で加熱することによって達成され
る。得られた反応混合物を冷却し、例えば濾過によって
この生成物触媒を単離することができると考えられる。
触媒は、系中で調製されることが好ましい。
【００３２】本発明のスターバースト芳香族アミンの特
定の例は、下記の構造式に示すように、（１）トリス
［４’−（フェニル−ｍ−トリルアミノ）−１，１’−
ビフェニル−４−イル］アミン、（２）Ｎ，Ｎ−ビス
（４’−ジ−ｍ−トリルアミノ−１，１’−ビフェニル
−４−イル］−Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、
（３）トリス［４’−（ｍ−メトキシジフェニルアミ
ノ）−１，１’−ビフェニル−４−イル］アミン、
（４）トリス［４’−（ジフェニルアミノ）−１，１’
−ビフェニル−４−イル］アミン、（５）トリス［４’
−（カルバゾール−９−イル）−１，１’−ビフェニル
−４−イル］アミン、（６）トリス［４’−（１−ナフ
チルフェニルアミノ）−１，１’−ビフェニル−４−イ
ル］アミン、（７）Ｎ，Ｎ−ビス［４’−（フェニル−
ｍ−トリルアミノ）−１，１’−ビフェニル−４−イ
ル］−Ｎ’−フェニル−Ｎ’−ｍ−トリル−３，３’−
ジメチルベンジジン、（８）Ｎ，Ｎ−ビス（４’−ジフ
ェニルアミノ−１，１’−ビフェニル−４−イル）−
Ｎ’−フェニル−Ｎ’−ｍ−トリル−３，３’−ジメチ
ルベンジジン、（９）Ｎ，Ｎ−ビス（ジフェニルアミノ
−１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ’−フェニル
−Ｎ’−ｍ−トリルベンジジン、（１０）Ｎ，Ｎ−ビス
［４’−（ジ−ｍ−トリルアミノ）−１，１’−ビフェ
ニル−４−イル］−Ｎ’−フェニル−Ｎ’−ｐ−トリル
ベンジジン、（１１）トリス［４’−（８Ｈ−１０Ｈ−
アクリジン−１０−イル）−１，１’−ビフェニル−４
−イル］アミン、（１２）トリス［４’−（９，９−ジ
メチル−９Ｈ−１０Ｈ−アクリジン−１０−イル）−
１，１’−ビフェニル−４−イル］アミン、（１３）ト
リス［４’−フェノキサジン−１０−イル−１，１’−
ビフェニル−４−イル］アミン、（１４）トリス［４’
−フェノチアキサジン−１０−イル−１，１’−ビフェ
ニル−４−イル］アミン、（１５）Ｎ，Ｎ−ビス［４’
−（フェニル−ｍ−トリルアミノ）−１，１’−ビフェ
ニル−４−イル］−４’−（カルバゾール−９−イル）
−１，１’−ビフェニル−４−アミン、（１６）Ｎ，Ｎ
−ビス［４’−（カルバゾール−９−イル）−１，１’
−ビフェニル−４−イル］−Ｎ’−フェニル−Ｎ’−ｍ
−トリルベンジジン、（１７）Ｎ，Ｎ−ビス［４’−
（１−ナフチルフェニルアミノ）−１，１’−ビフェニ
ル−４−イル］−４’−（カルバゾール−９−イル）−
１，１’−ビフェニル−４−アミン、（１８）Ｎ，Ｎ−
ビス［４’−（９Ｈ−１０Ｈ−アクリジン−１０−イ
ル）−１，１’−ビフェニル−４−イル］−４’−（９
Ｈ−１０Ｈ−アクリジン−１０−イル）−３，３’−ジ
メチル−１，１’−ビフェニル−４−アミンなどを含
む。
【００３３】
【化１４】
【００３４】
【化１５】
【００３５】
【化１６】
【００３６】
【化１７】
【００３７】
【化１８】
【００３８】
【化１９】
【００３９】
【化２０】
【００４０】
【化２１】
【００４１】
【化２２】
【００４２】本発明に従って、前述のスターバースト芳
香族アミンを含有する単一の層で正孔注入及び正孔輸送
ゾーン全体を形成することができる。更に、正孔注入及
び輸送ゾーンがポルフィリン化合物又はテトラアリール
アミン化合物と組み合わせてスターバースト芳香族アミ
ンを含有すると有益になりうる。例えば約７５〜約９５
重量％である有効量のスターバースト芳香族アミンをポ
ルフィリン化合物と組み合わせて用いる場合、ポルフィ
リン化合物を、陽極とスターバースト芳香族アミン層と
の間に配置される層として位置される化合物とすること
ができる。ポルフィリン化合物の例は、ポルフィリン、
１，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３
Ｈ−ポルフィリン銅(II)、銅フタロシアニン、銅テトラ
メチルフタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、酸化チタ
ンフタロシアニン、マグネシウムフタロシアニンなどを
含む。
【００４３】正孔注入及び輸送ゾーンを形成する際に、
トリアリールアミン、テトラアリールアミンなどと組み
合わせてスターバースト芳香族アミン化合物を選択する
場合、アミンは例えば厚み約２００Åの層として配置さ
れ、スターバースト芳香族アミン層と電子注入及び輸送
ゾーンとの間に配置される。芳香族第３アミンの例は本
文中に引用される本願と共に出願中の関連出願に示され
る通りであり、次の構造式を含む。
【００４４】
【化２３】
【００４５】式中、Ａｒ1 〜Ａｒ4 は、例えば６〜約３
０個の炭素原子を有するアリール基であり、例えばフェ
ニル、トリル、キシリル、ナフチル、４−ビフェニリル
などからそれぞれ選択される；Ｐはフェニレン基などの
アリーレン；ｎは１〜４の整数である。特定の例は、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフ
ェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチ
ルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジア
ミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビ
フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナ
フチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビ
フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナ
フチル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
−４−ビフェニリル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−４
−ビフェニリル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンなど
を含む。
【００４６】本発明のＥＬデバイスにおける電子注入及
び輸送ゾーンは、あらゆる従来の電子注入及び輸送化合
物を含有することができる。有用な電子輸送化合物の例
は、米国特許第３，１７２，８６２号に示されるような
アントラセン、フェナントラセン、ピレン、ペリレンな
どの縮合環発光材料；１，４−ジフェニルブタジエン及
びテトラフェニルブタジエンなどのブタジエン、ならび
に米国特許第４，３５６，４２９号及び第５，５１６，
５７７号に示されるようなスチルベンなど；及び米国特
許第４，５３９，５０７号に開示されるような光学輝度
材料を含む。
【００４７】特に好適な電子輸送材料は、米国特許第
４，５３９，５０７号、第５，１５１，６２９号及び第
５，１５０，００６号に開示される８−ヒドロキシキノ
リンの金属キレートである。金属キレート化合物の例
は、トリス（８−ヒドロキシキノリネート）アルミニウ
ム（ＡｌＱ３）、トリス（８−ヒドロキシキノリネー
ト）ガリウム、ビス（８−ヒドロキシキノリネート）マ
グネシウム、ビス（８−ヒドロキシキノリネート）亜
鉛、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリネー
ト）アルミニウム、トリス（７−プロピル−８−キノリ
ノーラト）アルミニウム、ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キ
ノリネート］亜鉛、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ
［ｈ］キノリネート）ベリリウム、ビス（２−メチルキ
ノリノーラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス
（２−メチル−８−キノリノーラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２−メチル−８−キノリノーラト)(フェノ
ーラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノーラト)(パラ−フェニルフェノーラト）アルミニウ
ム、ビス（２−メチル−８−キノリノーラト)(２−ナフ
タローラト）アルミニウムなどを含む。
【００４８】別の種の好適な電子注入及び輸送化合物
は、金属チオキシノイド化合物である。金属チオキシノ
イド化合物の例は、ビス（８−キノリンチオーラト）亜
鉛、ビス（８−キノリンチオーラト）カドミウム、トリ
ス（８−キノリンチオーラト）ガリウム、トリス（８−
キノリンチオーラト）インジウム、ビス（５−メチルキ
ノリンチオーラト）亜鉛、トリス（５−メチルキノリン
チオーラト）ガリウム、トリス（５−メチルキノリンチ
オーラト）インジウム、ビス（５−メチルキノリンチオ
ーラト）カドミウム、ビス（３−メチルキノリンチオー
ラト）カドミウム、ビス（５−メチルキノリンチオーラ
ト）亜鉛、ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリンチオーラ
ト］亜鉛、ビス［３−メチルベンゾ｛ｆ｝−８−キノリ
ンチオーラト］亜鉛、ビス［３，７−ジメチルベンゾ
｛ｆ｝−８−キノリンチオーラト］亜鉛などを含む。
【００４９】本発明の実施の形態では、正孔注入及び輸
送ゾーン４及び電子注入及び輸送ゾーン５を含む有機ル
ミネセント中間物の全体の厚みは、電極を横切って印加
される比較的低い電圧下での有効な光放出に適合した電
流密度を維持できるように、例えば約１μｍ未満、例え
ば約０．０５〜約１μｍが好ましい。正孔注入及び輸送
層の好適な厚みは約５０〜約２，０００Å、好ましくは
約４００〜１，０００Åの範囲である。同様に、電子注
入及び輸送層の厚みは約５０〜約２，０００Å、好まし
くは約４００〜１，０００Åの範囲でありうる。
【００５０】陰極６は、高又は低仕事関数金属を含むあ
らゆる金属を含有することができる。例えば、約４ｅＶ
未満、例えば約２〜約４ｅＶである低仕事関数金属と、
少なくとも１つの第２の金属との組み合わせから得られ
る陰極は、デバイス性能及び安定性を改良するなどの利
点を更に提供する。第２の金属に対する低仕事関数金属
の好適な割合は約０．１〜約９９．９重量％の範囲であ
り、実施の形態では約１〜約９０重量％の範囲が可能で
ある。低仕事関数金属の例としては、アルカリ性金属、
第２Ａ族又はアルカリ性土類金属、希土類金属及びアク
チニド系金属を含む第III 族金属が含まれる。リチウ
ム、マグネシウム及びカルシウムは特に好適である。
【００５１】陰極６の厚みは、例えば約１０〜約５，０
００Å、より詳細には約５０〜約２５０Åにわたる。米
国特許第４，８８５，２１１号のＭｇ：Ａｇ陰極は、１
つの好適な陰極構造を構成している。別の好適な陰極構
造は米国特許第５，４２９，８８４号に述べられてお
り、この特許において、陰極はアルミニウム及びインジ
ウムなどの他の高仕事関数金属とのリチウム合金から形
成される。各特許の開示内容は、本文中に全て援用され
て本発明の一部とする。
【００５２】本発明の有機ＥＬデバイスの陰極６及び陽
極３は共に、あらゆる簡便な形をとることができる。例
えば２００Åの薄い導電性の陰極層を、例えば透明又は
ほぼ透明のガラス板又はプラスチック膜である光透過性
基板の上に被覆することができる。ＥＬデバイスは、ガ
ラス板に被覆された酸化錫又は酸化インジウム錫から形
成される光透過性陽極３を含むことができる。また、例
えば２００Å未満、例えば約５０〜約２００Åである、
非常に薄い光透過性の、金、パラジウムなどの金属陽極
を選択することもできる。更に、ポリアニリン、ポリピ
ロールなど、透明又は半透明で例えば２００Åの薄い共
役ポリマーを選択することができる。例えば、厚みが約
５０〜約２００Åであるあらゆる光透過性重合膜を基板
として選択することができる。更に、陽極３及び陰極６
の好適な形は米国特許第４，８８５，２１１号に示され
ている。
【００５３】光導電性画像形成部材は、ＭＹＬＡＲ、ポ
リマー、及びアルミニウムのような金属などの支持基板
と、基板の上に、フタロシアニン、セレン、ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン、チタニルフタロシアニン、ペ
リレンなど、樹脂結合剤中に分散することができる既知
の光発生顔料を含有する光発生層を含むことができる。
光発生層と接触し、かつ上に位置する層は、本文中に示
され、樹脂結合剤中に分散することができるスターバー
ストアミンを含有する電荷輸送層である。樹脂結合剤、
各層の厚み、各層に選択される成分の量、及び存在する
他の層などは、米国特許第４，２６５，９９０号、第
４，５８５，８８４号、第４，５８４，２５３号、第
４，５６３，４０８号、第４，５８７，１８９号、第
４，５５５，４６３号、第５，１５３，３１３号、第
５，６１４，４９３号、及び第５，１８９，１５５号な
ど、多数の米国特許に示されている。例えば、ＭＹＬＡ
Ｒの支持基板は、光発生顔料１００重量％又は９５重量
％、及び樹脂結合剤５重量％を含有する光発生層で被覆
されており、本文中に示されるスターバーストアミンを
含有する電荷輸送層がこの上に被覆されている。
【００５４】
【実施例】実施例Ｉ トリス［４’−（フェニル−ｍ−トリルアミノ）−１，
１’−ビフェニル−４−イル］アミンの合成−化合物
（１） 機械攪拌器、還流冷却器及びアルゴン入口を備えた２５
０ｍｌの３つ口丸底フラスコをアルゴンでパージし、次
に、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリルベンジジン（８．０
ｇ、０．０２３モル）、４’−ヨード−Ｎ−フェニル−
Ｎ−ｍ−トリル−４−アミノビフェニル（１７．５ｇ、
０．０３８モル）、キシレン（１５ｍｌ）、１，１０−
フェナントロリン（０．３４ｇ、１．９ミリモル）、塩
化第一銅（０．１８８ｇ、１．９ミリモル）及び水酸化
カリウムフレーク（１７．０６ｇ、０．３モル）を装填
した。アルゴン雰囲気下でこの反応混合物を加熱し、油
浴を用いて還流してこの温度で反応を進行させたとこ
ろ、約６時間後にこの反応が完了したことがクロマトグ
ラフィー分析によって示された。油浴を取り除き、次に
トルエン１００ｍｌ及び水２５ｍｌを添加して効率的に
攪拌した。得られた２相混合物を分液漏斗に移し、これ
らの層を分離した。有機相を水で洗浄し、アルゴン下で
アルミナ２５ｇを用いて処理した。濾過でアルミナを分
離した後、有機相を蒸発させて大部分のトルエンを除去
した。シクロヘキサンから残留物を再結晶することによ
って、上記の生成物、即ち化合物（１）を得た。収量１
２．３ｇ、融点２３４．２８℃、Ｔｇ１３４℃であっ
た。
【００５５】実施例II Ｎ，Ｎ−ビス（４’−ジ−ｍ−トリルアミノ−１，１’
−ビフェニル−４−イル）−Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルベ
ンジジンの合成−化合物（２） 機械攪拌器、還流冷却器及びアルゴン入口を備えた２５
０ｍｌの３つ口丸底フラスコをアルゴンでパージし、次
に、Ｎ，Ｎ−ジフェニルベンジジン（６．０５６ｇ、
０．００９モル）、４’−ヨード−Ｎ−フェニル−Ｎ−
ｍ−トリル−４−アミノビフェニル（６．７３４ｇ、
０．０１５モル）、キシレン（１０ｍｌ）、１，１０−
フェナントロリン（０．１３５ｇ、０．７５ミリモ
ル）、塩化第一銅（０．０７４ｇ、０．７５ミリモル）
及び水酸化カリウムフレーク（６．７３ｇ、０．１２モ
ル）を装填した。アルゴン雰囲気下でこの反応混合物を
加熱し、油浴を用いて還流してこの温度で反応を進行さ
せたところ、約６時間後にこの反応が完了したことがク
ロマトグラフィー分析によって示された。油浴を取り除
き、次にトルエン１００ｍｌ及び水１０ｍｌを添加して
効率的に攪拌した。得られた２相混合物を分液漏斗に移
し、これらの層を分離した。有機相を水で洗浄し、アル
ゴン下でアルミナ２０ｇを用いて処理した。濾過でアル
ミナを分離した後、有機相を蒸発させて大部分のトルエ
ンを除去した。シクロヘキサンから残留物を再結晶する
ことによって、上記の生成物を得た。収量８．７５ｇ、
融点２５４．５℃、Ｔｇ１２８℃であった。
【００５６】実施例III トリス［４’−（ｍ−メトキシジフェニルアミノ）−
１，１’−ビフェニル−４−イル］アミンの合成−化合
物（３） 機械攪拌器、還流冷却器及びアルゴン入口を備えた２５
０ｍｌの３つ口丸底フラスコをアルゴンでパージし、次
に、Ｎ−ｍ−メトキシフェニル−Ｎ−フェニルベンジジ
ン（６．２ｇ、０．０１７モル）、４’−ヨード−Ｎ−
ｍ−メトキシフェニル−Ｎ−フェニル−４−アミノビフ
ェニル（１３．４９ｇ、０．０２８モル）、キシレン
（１５ｍｌ）、１，１０−フェナントロリン（０．２５
２ｇ、１．４ミリモル）、塩化第一銅（０．１３９ｇ、
１．４ミリモル）及び水酸化カリウムフレーク（１２．
５７ｇ、０．２２４モル）を装填した。アルゴン雰囲気
下でこの反応混合物を加熱し、油浴を用いて還流してこ
の温度で反応を進行させたところ、約８時間後にこの反
応が完了したことがクロマトグラフィー分析によって示
された。油浴を取り除き、次にトルエン１００ｍｌ及び
水２５ｍｌを添加して効率的に攪拌した。得られた２相
混合物を分液漏斗に移し、これらの層を分離した。有機
相を水で洗浄し、アルゴン下でアルミナ２０ｇを用いて
処理した。濾過でアルミナを分離した後、有機相を蒸発
させて大部分のトルエンを除去した。ヘキサン−トルエ
ン１０：１を溶離剤として用いて、粗製の生成物をシリ
カゲル上で更にクロマトグラフィーにかけ、純粋なトリ
ス［４−（３−メトキシジフェニルアミノ）−１，１’
−ビフェニリル］アミンをアモルファス粉末として得
た。収量は１０．１ｇであった。
【００５７】実施例IV トリス［４’−（ジフェニルアミノ）−１，１’−ビフ
ェニル−４−イル］アミンの合成−化合物（４） 機械攪拌器、還流冷却器及びアルゴン入口を備えた２５
０ｍｌの３つ口丸底フラスコをアルゴンでパージし、次
に、Ｎ，Ｎ−ジフェニルベンジジン（４．９５ｇ、０．
０１４７モル）、４’−ヨード−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−
４−アミノビフェニル（１１．０ｇ、０．０２４６モ
ル）、キシレン（１５ｍｌ）、１，１０−フェナントロ
リン（０．２２ｇ、１．２２ミリモル）、塩化第一銅
（０．１２２ｇ、１．２２ミリモル）及び水酸化カリウ
ムフレーク（１１．０４ｇ、０．１９７モル）を装填し
た。アルゴン雰囲気下でこの反応混合物を加熱し、油浴
を用いて還流してこの温度で反応を進行させたところ、
約６時間後にこの反応が完了したことがクロマトグラフ
ィー分析によって示された。油浴を取り除き、次にトル
エン１００ｍｌ及び水２０ｍｌを添加して効率的に攪拌
した。得られた２相混合物を分液漏斗に移し、これらの
層を分離した。有機相を水で洗浄し、アルゴン下でアル
ミナ２５ｇを用いて処理した。濾過でアルミナを分離し
た後、有機相を蒸発させて大部分のトルエンを除去し
た。シクロヘキサンから残留物を再結晶することによっ
て、上記の生成物を得た。収量６．９ｇ、融点２８３．
９７℃、Ｔｇ１４１℃であった。
【００５８】実施例Ｖ トリス［４’−（カルバゾール−９−イル）−１，１’
−ビフェニル−４−イル］アミンの合成−化合物（５） 機械攪拌器、還流冷却器及びアルゴン入口を備えた２５
０ｍｌの３つ口丸底フラスコをアルゴンでパージし、次
に、４’−（９−カルバゾリル）−４−アミノビフェニ
ル（５．１ｇ、０．０１５３モル）、４−（９−カルバ
ゾリル）−４’−ヨード−１，１’−ビフェニル（１
１．３９４ｇ、０．０２５５モル）、１，３，５−トリ
メチルベンゼン（１５ｍｌ）、１，１０−フェナントロ
リン（０．２３ｇ、１．２８ミリモル）、塩化第一銅
（０．１２６ｇ、１．２８ミリモル）及び水酸化カリウ
ムフレーク（１１．４５ｇ、０．２０４モル）を装填し
た。アルゴン雰囲気下でこの反応混合物を加熱し、油浴
を用いて還流してこの温度で反応を進行させたところ、
約１２時間後にこの反応が完了したことがクロマトグラ
フィー分析によって示された。油浴を取り除き、次にト
ルエン１５０ｍｌ及び水１５ｍｌを添加して効率的に攪
拌した。得られた２相混合物を分液漏斗に移し、これら
の層を分離した。有機相を水で洗浄し、アルゴン下でア
ルミナ２０ｇを用いて処理した。濾過でアルミナを分離
した後、有機相を蒸発させて大部分のトルエンを除去し
た。シクロヘキサン−ジクロロメタン１０：１を溶離剤
として用いて、残留物をシリカゲル上でクロマトグラフ
ィーにかけ、生成化合物２．１ｇを得た。融点は２８
３．１３℃であった。
【００５９】実施例VI 本文中に援用される本願と共に出願中の関連出願に示さ
れるように、そして例えば以下の方法で有機ＥＬを製造
した。 １．厚み５００Åの酸化インジウム錫（ＩＴＯ）で被覆
した厚み約１ｍｍのガラスを商用洗剤で洗浄し、脱イオ
ン水ですすぎ、真空オーブン内で６０℃で１時間乾燥さ
せた。使用の直前に、ＵＶオゾンでガラスを０．５時間
処理した。 ２．上記のように製造したＩＴＯ基板を真空蒸着室に配
置した。インフィコン（Inficon)モデルＩＣ／５コント
ローラによって蒸着速度及び層の厚みを制御した。約５
×１０-6Ｔｏｒｒをわずかに下回る圧力下で、実施例Ｉ
〜IVのようなスターバーストアミンを電気加熱したタン
タルボートから蒸発させ、ＩＴＯガラス層１の上に８０
ｎｍ（８００Å）の正孔輸送層を蒸着した。アミン化合
物の蒸着速度を０．６ｎｍ／秒に制御した。 ３．トリス（８−ヒドロキシキノリネート）アルミニウ
ムを０．６ｎｍ／秒の蒸着速度で輸送層２の上に蒸着
し、８０ｎｍの電子注入及び輸送層を形成した。 ４．Ｍｇ及びＡｇをそれぞれ含み、個々に制御される２
つのタンタルボートから同時に蒸発させることによっ
て、１００ｎｍのマグネシウムと銀の合金を０．５ｎｍ
／秒の全体的な蒸着速度で電子注入及び電子輸送層３の
上に蒸着した。典型的な組成は、Ｍｇ対Ａｇの原子比が
９：１であった。最後に、主に反応しやすいＭｇを周囲
の湿気から保護する目的で、２００ｎｍの銀の層をＭ
ｇ：Ａｇ陰極の上に被覆した。
【００６０】上記のように製造したデバイスを、窒素ガ
スで連続的にパージした乾燥室内に保管した。直流の測
定において電流−電圧特性及び光の出力を測定すること
によって、デバイスの性能を評価した。キースリー（Ke
ithley) モデル２３８高電流源測定装置（High Current
Source Measure Unit) を用いて電流−電圧特性を決定
した。ＩＴＯ電極は常に電源の正端子に接続していた。
同時に、シリコン光ダイオードによってデバイスからの
光の出力をモニタした。
【００６１】３３ｍＡ／ｃｍ2 の定電流密度において、
これらのデバイスの性能特性を評価した。光強度が初期
強度の半分のレベルに減少した持続動作時間によって、
動作寿命を測定した。スターバーストアミン化合物
（１）〜（５）を用いたデバイスの初期光強度及び動作
寿命を、下の表に要約する。
【００６２】
【表１】
【００６３】これらの結果は、スターバースト芳香族ア
ミン正孔輸送成分を含有する有機ＥＬデバイスにおい
て、高レベルの光出力を持続することができることを示
している。更に、正孔輸送層としてスターバースト芳香
族アミン化合物（２）を用いた有機ＥＬデバイスの電流
−光強度特性は、６０℃の温度に７２時間さらされた後
でさえも変化しなかった。
【００６４】本文中に示した通りに、より詳細には本文
中に援用した関連米国特許に示されるように光導電性層
状デバイスを製造することができ、このデバイスにおい
てスターバーストアミンは電荷輸送成分として機能する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬデバイスの一実施の形態を示す断
面図である。
【符号の説明】
２ 支持基板 ３ 陽極 ４ 正孔注入及び正孔輸送層 ５ 電子注入及び電子輸送層 ６ 陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｄ 279/26 Ｃ０７Ｄ 279/26 Ｃ０９Ｋ 11/06 ６４５ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６４５ ６５５ ６５５ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ 33/22 33/22 Ｄ // Ｃ０７Ｄ 209/86 Ｃ０７Ｄ 209/86 (72)発明者 ショアン シエ カナダ国 エル５エル ５ケー８ オンタ リオ州 ミシソーガ コロニアル ドライ ブ 3220 (72)発明者 ベン エス．オン カナダ国 エル５エル ４ブイ９ オンタ リオ州 ミシソーガ ハーベイ クレセン ト 2947 (72)発明者 ゾラン ディー．ポポヴィック カナダ国 エル５エル ２ゼット８ オン タリオ州ミシソーガ ソーミル ヴァレイ ドライブ 3349 (72)発明者 アー−ミー ホー カナダ国 エル５エル ５ビー１ オンタ リオ州 ミシソーガ マルカスター ロー ド 3407 (72)発明者 ピン リィウ カナダ国 エル５エル １ジェイ７ オン タリオ州ミシソーガ ミシソーガ ロード ノース ナンバー12−3349

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下の構造式(I) によって表されるスター
    バースト芳香族アミンを含有するエレクトロルミネセン
    ス（ＥＬ）デバイスであって、式(I) 中、Ｎは窒素であ
    り、Ａ1 〜Ａ3 はビアリールをそれぞれ表しており、Ｒ
    a 、Ｒb 及びＲc は下の構造式（Ａ）〜（Ｃ）の官能基
    のうちの１つをそれぞれ表しており、式（Ａ）〜（Ｃ）
    中、Ｎは窒素であり、Ａｒ1 及びＡｒ2 はそれぞれアリ
    ールであり、Ｒ1 〜Ｒ8 は水素、ハロゲン、炭化水素、
    及びアルコキシからなる群から個々に選択された置換基
    であり、Ｘは酸素、硫黄又はアルキレンである、ＥＬデ
    バイス。 【化１】 【化２】
  2. 【請求項２】 前記スターバースト芳香族アミンが陽極
    の上に存在し、前記アミンの上には電子注入及び電子輸
    送層が存在し、前記注入層の上には陰極が存在する、請
    求項１に記載のＥＬデバイス。
  3. 【請求項３】 前記スターバーストアミンが、トリス
    ［４’−（フェニル−ｍ−トリルアミノ）−１，１’−
    ビフェニル−４−イル］アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４’−
    ジ−ｍ−トリルアミノ−１，１’−ビフェニル−４−イ
    ル］−Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、トリス
    ［４’−（ｍ−メトキシジフェニルアミノ）−１，１’
    −ビフェニル−４−イル］アミン、トリス［４’−（ジ
    フェニルアミノ）−１，１’−ビフェニル−４−イル］
    アミン、トリス［４’−（カルバゾール−９−イル）−
    １，１’−ビフェニル−４−イル］アミン、トリス
    ［４’−（１−ナフチルフェニルアミノ）−１，１’−
    ビフェニル−４−イル］アミン、Ｎ，Ｎ−ビス［４’−
    （フェニル−ｍ−トリルアミノ）−１，１’−ビフェニ
    ル−４−イル］−Ｎ’−フェニル−Ｎ’−ｍ−トリル−
    ３，３’−ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ−ビス（４’−
    ジフェニルアミノ−１，１’−ビフェニル−４−イル）
    −Ｎ’−フェニル−Ｎ’−ｍ−トリル−３，３’−ジメ
    チルベンジジン、Ｎ，Ｎ−ビス（ジフェニルアミノ−
    １，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ’−フェニル−
    Ｎ’−ｍ−トリルベンジジン、Ｎ，Ｎ−ビス［４’−
    （ジ−ｍ−トリルアミノ）−１，１’−ビフェニル−４
    −イル］−Ｎ’−フェニル−Ｎ’−ｐ−トリルベンジジ
    ン、トリス［４’−（８Ｈ−１０Ｈ−アクリジン−１０
    −イル）−１，１’−ビフェニル−４−イル］アミン、
    トリス［４’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−１０Ｈ−ア
    クリジン−１０−イル）−１，１’−ビフェニル−４−
    イル］アミン、トリス［４’−フェノキサジン−１０−
    イル−１，１’−ビフェニル−４−イル］アミン、トリ
    ス［４’−フェノチアキサジン−１０−イル−１，１’
    −ビフェニル−４−イル］アミン、Ｎ，Ｎ−ビス［４’
    −（フェニル−ｍ−トリルアミノ）−１，１’−ビフェ
    ニル−４−イル］−４’−（カルバゾール−９−イル）
    −１，１’−ビフェニル−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス
    ［４’−（カルバゾール−９−イル）−１，１’−ビフ
    ェニル−４−イル］−Ｎ’−フェニル−Ｎ’−ｍ−トリ
    ルベンジジン、Ｎ，Ｎ−ビス［４’−（１−ナフチルフ
    ェニルアミノ）−１，１’−ビフェニル−４−イル］−
    ４’−（カルバゾール−９−イル）−１，１’−ビフェ
    ニル−４−アミン、及びＮ，Ｎ−ビス［４’−（９Ｈ−
    １０Ｈ−アクリジン−１０−イル）−１，１’−ビフェ
    ニル−４−イル］−４’−（９Ｈ−１０Ｈ−アクリジン
    −１０−イル）−３，３’−ジメチル−１，１’−ビフ
    ェニル−４−アミンからなる群から選択される、請求項
    １に記載のデバイス。
  4. 【請求項４】 下の構造式(I) のスターバースト芳香族
    アミン化合物を含む光導電性画像形成部材であって、式
    (I) 中、Ｎは窒素であり、Ａ1 〜Ａ3 はビアリールをそ
    れぞれ表しており、Ｒa 、Ｒb 及びＲc は下の構造式
    （Ａ）〜（Ｃ）の官能基のうちの１つをそれぞれ表して
    おり、式（Ａ）〜（Ｃ）中、Ｎは窒素であり、Ａｒ1 及
    びＡｒ2 はそれぞれアリールであり、Ｒ1 〜Ｒ8 は水
    素、ハロゲン、炭化水素、及びアルコキシからなる群か
    ら個々に選択された置換基であり、Ｘは酸素、硫黄又は
    アルキレンである、光導電性画像形成部材。 【化３】 【化４】
  5. 【請求項５】 前記芳香族アミンが、トリス［４’−
    （フェニル−ｍ−トリルアミノ）−１，１’−ビフェニ
    ル−４−イル］アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４’−ジ−ｍ−
    トリルアミノ−１，１’−ビフェニル−４−イル］−
    Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、トリス［４’−
    （ｍ−メトキシジフェニルアミノ）−１，１’−ビフェ
    ニル−４−イル］アミン、トリス［４’−（ジフェニル
    アミノ）−１，１’−ビフェニル−４−イル］アミン、
    トリス［４’−（カルバゾール−９−イル）−１，１’
    −ビフェニル−４−イル］アミン、トリス［４’−（１
    −ナフチルフェニルアミノ）−１，１’−ビフェニル−
    ４−イル］アミン、Ｎ，Ｎ−ビス［４’−（フェニル−
    ｍ−トリルアミノ）−１，１’−ビフェニル−４−イ
    ル］−Ｎ’−フェニル−Ｎ’−ｍ−トリル−３，３’−
    ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ−ビス（４’−ジフェニル
    アミノ−１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ’−フ
    ェニル−Ｎ’−ｍ−トリル−３，３’−ジメチルベンジ
    ジン、Ｎ，Ｎ−ビス（ジフェニルアミノ−１，１’−ビ
    フェニル−４−イル）−Ｎ’−フェニル−Ｎ’−ｍ−ト
    リルベンジジン、Ｎ，Ｎ−ビス［４’−（ジ−ｍ−トリ
    ルアミノ）−１，１’−ビフェニル−４−イル］−Ｎ’
    −フェニル−Ｎ’−ｐ−トリルベンジジン、トリス
    ［４’−（８Ｈ−１０Ｈ−アクリジン−１０−イル）−
    １，１’−ビフェニル−４−イル］アミン、トリス
    ［４’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−１０Ｈ−アクリジ
    ン−１０−イル）−１，１’−ビフェニル−４−イル］
    アミン、トリス［４’−フェノキサジン−１０−イル−
    １，１’−ビフェニル−４−イル］アミン、トリス
    ［４’−フェノチアキサジン−１０−イル−１，１’−
    ビフェニル−４−イル］アミン、Ｎ，Ｎ−ビス［４’−
    （フェニル−ｍ−トリルアミノ）−１，１’−ビフェニ
    ル−４−イル］−４’−（カルバゾール−９−イル）−
    １，１’−ビフェニル−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス
    ［４’−（カルバゾール−９−イル）−１，１’−ビフ
    ェニル−４−イル］−Ｎ’−フェニル−Ｎ’−ｍ−トリ
    ルベンジジン、Ｎ，Ｎ−ビス［４’−（１−ナフチルフ
    ェニルアミノ）−１，１’−ビフェニル−４−イル］−
    ４’−（カルバゾール−９−イル）−１，１’−ビフェ
    ニル−４−アミン、及びＮ，Ｎ−ビス［４’−（９Ｈ−
    １０Ｈ−アクリジン−１０−イル）−１，１’−ビフェ
    ニル−４−イル］−４’−（９Ｈ−１０Ｈ−アクリジン
    −１０−イル）−３，３’−ジメチル−１，１’−ビフ
    ェニル−４−アミンからなる群から選択される、請求項
    ４に記載の部材。
  6. 【請求項６】 ペリレン、チタニルフタロシアニン、ヒ
    ドロキシガリウムフタロシアニン又はバナジルフタロシ
    アニンの光発生顔料を含有する光発生層を含む、請求項
    ４に記載の部材。
  7. 【請求項７】 下の構造式(I) のスターバースト芳香族
    アミン化合物の製造方法であって、式(I) 中、Ｎは窒素
    であり、Ａ1 〜Ａ3 はビアリールをそれぞれ表してお
    り、Ｒa 、Ｒb 及びＲc は下の構造式（Ａ）〜（Ｃ）の
    官能基のうちの１つをそれぞれ表しており、式（Ａ）〜
    （Ｃ）中、Ｎは窒素であり、Ａｒ1 及びＡｒ2 はアリー
    ルであり、Ｒ1 〜Ｒ8 は水素、ハロゲン、炭化水素、及
    びアルコキシからなる群から個々に選択された置換基で
    あり、Ｘは酸素、硫黄又はアルキレンであり、銅配位子
    触媒の存在下において第１アミン(II)（即ち、Ｒa −Ａ
    −ＮＨ2 ）、沃化物アリール(III) （即ち、Ｒb −Ａ2
    −Ｉ）及び沃化物アリール(IV)（即ち、Ｒc −Ａ3 −
    Ｉ）との反応を含み、式(II)〜(IV)中、Ｒa 、Ｒb 及び
    Ｒc ならびにＡ1 〜Ａ3 はアリールであり、前記配位子
    は単座第３アミン及び二座第３アミンからなる群から選
    択される、スターバースト芳香族アミン化合物の製造方
    法。 【化５】 【化６】
  8. 【請求項８】 前記触媒が、１，１０−フェナントロラ
    ト銅（１)(一価）クロライド、ジピリジノ銅（１）クロ
    ライド、１，１０−フェナントロラト銅（１）ブロマイ
    ド、ジピリジノ銅（１）ブロマイド、及び１，１０−フ
    ェナントロラト銅（１）クロライドからなる群から選択
    される、請求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記触媒が、下記のいずれかの構造式の
    ように表される、請求項７に記載の方法。 【化７】
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