JPH1031232A - Guest host liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents
Guest host liquid crystal display device and manufacturing method thereofInfo
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- JPH1031232A JPH1031232A JP20425196A JP20425196A JPH1031232A JP H1031232 A JPH1031232 A JP H1031232A JP 20425196 A JP20425196 A JP 20425196A JP 20425196 A JP20425196 A JP 20425196A JP H1031232 A JPH1031232 A JP H1031232A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゲストホスト液晶表示装置に内蔵される四分
の一波長板層を保護して高性能な配向層の形成を可能に
する。
【解決手段】 ゲストホスト液晶表示装置は所定の間隙
を介して互いに接合した一対の基板1および2とこの間
隙に保持され且つ二色性色素4を含有したゲストホスト
液晶5とを備えている。下側の基板2には少なくとも画
素電極6と四分の一波長板層7と配向層8とが形成され
ている。上側の基板1には少なくとも対向電極9が形成
されている。個々の画素電極6と対向電極9との間で画
素を構成する。四分の一波長板層7は一軸配向した高分
子液晶からなり、予め画素の形状に合わせて島状にパタ
ニングされている。画素電極6は対応する高分子液晶の
島を被覆する様にパタニングされており、ガード膜とし
て機能する。配向層8は画素電極6の上に配置してあ
り、画素電極6により保護された下方の高分子液晶の島
から隔絶して形成されると共に、上方のゲストホスト液
晶5に接してこれを一定方向に配向制御する。
[PROBLEMS] To protect a quarter-wave plate layer incorporated in a guest-host liquid crystal display device and to form a high-performance alignment layer. SOLUTION: The guest-host liquid crystal display device includes a pair of substrates 1 and 2 bonded to each other via a predetermined gap and a guest-host liquid crystal 5 held in the gap and containing a dichroic dye 4. On the lower substrate 2, at least a pixel electrode 6, a quarter-wave plate layer 7, and an alignment layer 8 are formed. At least the counter electrode 9 is formed on the upper substrate 1. A pixel is formed between each pixel electrode 6 and the counter electrode 9. The quarter-wave plate layer 7 is made of uniaxially oriented polymer liquid crystal, and is patterned in an island shape in advance according to the shape of the pixel. The pixel electrode 6 is patterned so as to cover the corresponding polymer liquid crystal island, and functions as a guard film. The alignment layer 8 is disposed on the pixel electrode 6 and is formed so as to be isolated from the lower polymer liquid crystal island protected by the pixel electrode 6 and to be in contact with the upper guest host liquid crystal 5 and to keep the same fixed. The orientation is controlled in the direction.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はゲストホスト液晶表
示装置及びその製造方法に関する。より詳しくは、偏光
変換素子として四分の一波長板層をパネル内に集積形成
して入射光の利用効率を改善する技術に関する。さらに
詳しくは、耐溶剤性に劣る四分の一波長板層の保護構造
及び保護方法に関する。The present invention relates to a guest-host liquid crystal display device and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a technology for improving the utilization efficiency of incident light by forming a quarter-wave plate layer as a polarization conversion element in a panel. More specifically, the present invention relates to a protection structure and a protection method for a quarter-wave plate layer having poor solvent resistance.
【0002】[0002]
【従来の技術】偏光変換素子として四分の一波長板層を
パネル内に内蔵した反射型のゲストホスト液晶表示装置
が知られており、例えば特開平6−222351号公報
に開示されている。図5に示す様に、このゲストホスト
液晶表示装置101は上下一対の基板102及び103
を用いて組立てられている。一対の基板102及び10
3は例えばガラス、石英、プラスチック等の絶縁性を有
する材料からなり、少なくとも上側の基板102は透明
性を有する。基板102及び103間にはネマティック
液晶分子104a及び二色性色素105を含むゲストホ
スト液晶104が介在している。二色性色素105はそ
の分子の長軸に略平行な遷移双極子モーメントを有する
p型色素である。上側の基板102の内表面102aに
は図示しないが、MIM等の二端子素子やTFT等の三
端子素子からなるスイッチング素子と、画素電極106
とが形成される。スイッチング素子と画素電極106と
が形成された上側の基板102の内表面102aには、
さらにポリイミド樹脂等からなる配向層107が形成さ
れる。この配向層107の表面はネマティック液晶分子
104aを水平配向させる為にラビング処理が施されて
いる。一方、下側の基板103の内表面103aには光
反射層108と四分の一波長板層109とがこの順に形
成される。四分の一波長板層109は一軸配向した高分
子液晶からなる。これは高分子液晶を加熱し、別途加熱
又は冷却した基板103に付着させて形成される。又、
四分の一波長板層109の表面には対向電極110と配
向層111とがこの順に形成される。配向層111は上
側の配向層107と同様にポリイミド樹脂等からなり、
その表面はラビング処理が施されている。2. Description of the Related Art A reflection type guest-host liquid crystal display device having a quarter-wave plate layer built in a panel as a polarization conversion element is known, and is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-222351. As shown in FIG. 5, the guest-host liquid crystal display device 101 includes a pair of upper and lower substrates 102 and 103.
It is assembled using A pair of substrates 102 and 10
Numeral 3 is made of an insulating material such as glass, quartz, plastic, or the like, and at least the upper substrate 102 has transparency. A guest-host liquid crystal 104 including a nematic liquid crystal molecule 104a and a dichroic dye 105 is interposed between the substrates 102 and 103. The dichroic dye 105 is a p-type dye having a transition dipole moment substantially parallel to the long axis of the molecule. Although not shown on the inner surface 102a of the upper substrate 102, a switching element including a two-terminal element such as an MIM or a three-terminal element such as a TFT, and a pixel electrode 106
Are formed. On the inner surface 102a of the upper substrate 102 on which the switching elements and the pixel electrodes 106 are formed,
Further, an alignment layer 107 made of a polyimide resin or the like is formed. The surface of the alignment layer 107 has been subjected to a rubbing process in order to horizontally align the nematic liquid crystal molecules 104a. On the other hand, on the inner surface 103a of the lower substrate 103, a light reflecting layer 108 and a quarter-wave plate layer 109 are formed in this order. The quarter-wave plate layer 109 is made of a uniaxially oriented polymer liquid crystal. This is formed by heating a polymer liquid crystal and attaching it to a separately heated or cooled substrate 103. or,
On the surface of the quarter-wave plate layer 109, a counter electrode 110 and an alignment layer 111 are formed in this order. The alignment layer 111 is made of polyimide resin or the like like the upper alignment layer 107,
The surface is rubbed.
【0003】続いて、反射型ゲストホスト液晶表示装置
101を用いて白黒表示を行なう場合の動作を簡潔に説
明する。電圧無印加状態では、液晶分子104aは上下
の配向層107及び111のラビング方向に沿って水平
配向し、二色性色素105も同様に配向する。上側の基
板102側から入射した光がゲストホスト液晶104を
通過すると、入射光のうち二色性色素105の分子の長
軸方向に対して平行な振動面を持つ成分が二色性色素1
05によって吸収される。又、二色性色素105の分子
の長軸方向に対して垂直な振動面を持つ他の成分はゲス
トホスト液晶104を通過し、下側の基板103の内表
面103aに形成された四分の一波長板層109で円偏
光とされ、光反射層108で反射する。この時、反射光
の偏光が逆回りとなり、再び四分の一波長板層109を
通過し、二色性色素105の分子の長軸方向に対して平
行な振動面を持つ光に変換される。この光は二色性色素
105によって吸収されるので略完全な黒色表示とな
る。一方、電圧印加時にはネマティック液晶分子104
aは電界方向に沿って垂直に配向し、二色性色素105
も同様に配向する。上側の基板102側から入射した光
は二色性色素105によって吸収されずにゲストホスト
液晶104を通過し、四分の一波長板層109で偏光さ
れずに光反射層108で反射する。反射光は再び四分の
一波長板層109を通過し、ゲストホスト液晶104で
吸収されずに出射する。従って白色表示となる。[0005] Next, the operation of the reflective guest-host liquid crystal display device 101 for monochrome display will be briefly described. When no voltage is applied, the liquid crystal molecules 104a are horizontally aligned along the rubbing direction of the upper and lower alignment layers 107 and 111, and the dichroic dye 105 is similarly aligned. When light incident from the upper substrate 102 side passes through the guest-host liquid crystal 104, a component of the incident light having a vibration plane parallel to the major axis direction of the molecules of the dichroic dye 105 becomes a dichroic dye 1
05 is absorbed. Other components having a vibration plane perpendicular to the major axis direction of the molecules of the dichroic dye 105 pass through the guest-host liquid crystal 104 and form a quarter formed on the inner surface 103a of the lower substrate 103. The light is circularly polarized by the one-wavelength plate layer 109 and is reflected by the light reflecting layer 108. At this time, the polarization of the reflected light is reversed, passes through the quarter-wave plate layer 109 again, and is converted into light having a vibration plane parallel to the major axis direction of the molecules of the dichroic dye 105. . Since this light is absorbed by the dichroic dye 105, a substantially complete black display is obtained. On the other hand, when a voltage is applied, the nematic liquid crystal molecules 104
a is oriented vertically along the direction of the electric field, and the dichroic dye 105
Are similarly oriented. Light incident from the upper substrate 102 side passes through the guest-host liquid crystal 104 without being absorbed by the dichroic dye 105, and is reflected by the light reflection layer 108 without being polarized by the quarter-wave plate layer 109. The reflected light passes through the quarter-wave plate layer 109 again and exits without being absorbed by the guest-host liquid crystal 104. Therefore, white display is obtained.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】図5に示した従来構造
では四分の一波長板層として一軸配向した高分子液晶を
用いている。この高分子液晶は比較的耐溶剤性に劣り、
極性溶媒等に対して容易に溶解もしくは膨潤し一軸配向
性が失われる。一般に、四分の一波長板層109の上に
ゲストホスト液晶104に対する配向層111が形成さ
れる。例えば、ポリイミド樹脂をn−メチル−2−ピロ
リドン(NMP)やγ−ブチロラクトン等の溶媒に溶解し
た配向剤を塗工し、溶媒を蒸発させてポリイミド樹脂か
らなる配向層111を形成している。この場合、四分の
一波長板層109を構成する高分子液晶が配向剤に含ま
れる溶媒に溶解してしまい一軸異方性が消失する惧れが
ある。従って、従来の構造では現実的な手段としてポリ
ビニルアルコール(PVA)を用いた水溶性の配向剤を用
いる他なかった。しかしながら、PVAからなる配向層
は図5に示す様に、液晶分子104aを水平配向させる
事はできるが、垂直配向する事は不可能である。表示品
質から見ると、水平配向タイプのゲストホスト液晶表示
装置に比べ垂直配向タイプのゲストホスト液晶表示装置
の方がコントラスト等の点で優れているにも関わらずこ
れが実現できなかった。即ち、四分の一波長板層の耐溶
剤性に起因して配向剤の選択肢に制限がある為、現実的
なプロセスで垂直配向タイプのゲストホスト液晶表示装
置を作成する事が困難であった。In the conventional structure shown in FIG. 5, a uniaxially oriented polymer liquid crystal is used as a quarter-wave plate layer. This polymer liquid crystal has relatively poor solvent resistance,
It easily dissolves or swells in polar solvents and the like and loses uniaxial orientation. Generally, an alignment layer 111 for the guest-host liquid crystal 104 is formed on the quarter-wave plate layer 109. For example, an alignment agent in which a polyimide resin is dissolved in a solvent such as n-methyl-2-pyrrolidone (NMP) or γ-butyrolactone is applied, and the solvent is evaporated to form an alignment layer 111 made of the polyimide resin. In this case, the high-molecular liquid crystal constituting the quarter-wave plate layer 109 may be dissolved in the solvent contained in the alignment agent, and the uniaxial anisotropy may be lost. Therefore, in the conventional structure, there was no alternative but to use a water-soluble alignment agent using polyvinyl alcohol (PVA) as a practical means. However, as shown in FIG. 5, the alignment layer made of PVA can horizontally align the liquid crystal molecules 104a, but cannot vertically align the liquid crystal molecules 104a. From the viewpoint of display quality, the vertical alignment type guest-host liquid crystal display device was not able to be realized in spite of being superior in contrast and the like as compared with the horizontal alignment type guest-host liquid crystal display device. That is, since the choice of the alignment agent is limited due to the solvent resistance of the quarter-wave plate layer, it was difficult to produce a vertical alignment type guest-host liquid crystal display device by a realistic process. .
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為に、以下の手段を講じた。即ち、本発明
にかかるゲストホスト液晶表示装置は基本的な構成とし
て、所定の間隙を介して互いに接合した一対の基板と該
間隙に保持され且つ二色性色素を含有したゲストホスト
液晶とを備えている。一方の基板には少なくとも画素電
極と四分の一波長板層と配向層とが形成されている。他
方の基板には少なくとも対向電極が形成されており、個
々の画素電極と対向電極との間で画素を構成する。前記
四分の一波長板層は一軸配向した高分子液晶からなり予
め画素の形状に合わせて島状にパタニングされている。
前記画素電極は対応する高分子液晶の島を被覆する様に
パタニングされている。前記配向層は画素電極の上に配
置してあり該画素電極により保護された下方の高分子液
晶の島から隔絶して形成されると共に、上方の該ゲスト
ホスト液晶に接してこれを一定方向に配向制御すること
を特徴とする。好ましくは、前記一方の基板には個々の
画素電極を駆動するスイッチング素子とこの凹凸を埋め
る平坦化層とが形成されている。この場合、前記四分の
一波長板層は該平坦化層の上に形成されており、前記画
素電極は該平坦化層及び該四分の一波長板層を貫通して
設けたコンタクトホールを介して対応するスイッチング
素子に接続している。かかる構造では、前記四分の一波
長板層は該平坦化層と一緒にコンタクトホールを開口す
る時島状にパタニングされる。In order to solve the above-mentioned problems of the prior art, the following measures have been taken. That is, the guest-host liquid crystal display device according to the present invention has, as a basic configuration, a pair of substrates joined to each other via a predetermined gap and a guest-host liquid crystal held in the gap and containing a dichroic dye. ing. On one substrate, at least a pixel electrode, a quarter-wave plate layer, and an alignment layer are formed. At least a counter electrode is formed on the other substrate, and a pixel is formed between each pixel electrode and the counter electrode. The quarter-wave plate layer is made of uniaxially oriented polymer liquid crystal, and is patterned in an island shape in advance according to the shape of the pixel.
The pixel electrodes are patterned so as to cover the corresponding polymer liquid crystal islands. The alignment layer is disposed on the pixel electrode and is formed so as to be isolated from the lower polymer liquid crystal island protected by the pixel electrode, and contacts the upper guest host liquid crystal in a predetermined direction. It is characterized in that the orientation is controlled. Preferably, a switching element for driving each pixel electrode and a flattening layer for filling the unevenness are formed on the one substrate. In this case, the quarter-wave plate layer is formed on the flattening layer, and the pixel electrode has a contact hole provided through the flattening layer and the quarter-wave plate layer. Connected to the corresponding switching element via the switch. In such a structure, the quarter-wave plate layer is patterned in an island shape when the contact hole is opened together with the planarizing layer.
【0006】本発明にかかるゲストホスト液晶表示装置
は以下の工程により製造される。先ず、一方の基板に一
軸配向した高分子液晶からなる四分の一波長板層を形成
する。次に、該四分の一波長板層を島状にパタニングす
る。続いて、パタニングされた四分の一波長板層の島を
個々に被覆する様に画素電極を形成する。さらに、該画
素電極の上に配向剤を塗工し該画素電極により保護され
た下方の四分の一波長板層から隔絶した状態で配向層を
形成する。この後、予め対向電極が形成された他方の基
板を所定の間隙を介して該一方の基板に接合する。最後
に、二色性色素を含有したゲストホスト液晶を該間隙に
注入する。以上により、反射型のゲストホスト液晶表示
装置が完成する。The guest-host liquid crystal display device according to the present invention is manufactured by the following steps. First, a quarter-wave plate layer made of a uniaxially oriented polymer liquid crystal is formed on one substrate. Next, the quarter-wave plate layer is patterned in an island shape. Subsequently, pixel electrodes are formed so as to individually cover the patterned islands of the quarter-wave plate layer. Further, an alignment agent is applied on the pixel electrode, and an alignment layer is formed in a state of being isolated from the lower quarter-wave plate layer protected by the pixel electrode. Thereafter, the other substrate on which the counter electrode is formed in advance is bonded to the one substrate via a predetermined gap. Finally, a guest-host liquid crystal containing a dichroic dye is injected into the gap. Thus, a reflective guest-host liquid crystal display device is completed.
【0007】四分の一波長板層を内部に組込んだゲスト
ホスト液晶表示装置において、ゲストホスト液晶の配向
を規制する為ポリイミドフィルム等からなる配向層を使
用する。しかし、四分の一波長板層を構成する高分子液
晶(液晶ポリマー)は耐溶媒性の低いものも多く、ポリ
イミドの溶媒であるNMPやγ−ブチロラクトン等に溶
解してしまう。そこで、本発明では、画素電極を構成す
るITO等の透明導電膜をガード膜(保護膜)として用
い、液晶ポリマーとポリイミドフィルムの配向剤とが直
接接触しない様にした。即ち、四分の一波長板層となる
液晶ポリマー上に配向層を形成する為、液晶ポリマーを
予めパタニングすると共に、ITOを島状にパタニング
された液晶ポリマーの全体に被覆してガード膜に用いて
いる。ガード膜として画素電極を構成するITOを用い
る為、追加のレイヤー(層)及びプロセスを増やす事な
くゲストホスト液晶用の配向層を形成する事が可能にな
る。In a guest-host liquid crystal display device having a quarter-wave plate layer incorporated therein, an alignment layer made of a polyimide film or the like is used to regulate the alignment of the guest-host liquid crystal. However, many high-molecular liquid crystals (liquid crystal polymers) constituting the quarter-wave plate layer have low solvent resistance and are dissolved in NMP, γ-butyrolactone, or the like, which is a solvent for polyimide. Therefore, in the present invention, a transparent conductive film such as ITO constituting the pixel electrode is used as a guard film (protective film) so that the liquid crystal polymer does not directly contact the alignment agent of the polyimide film. That is, in order to form an alignment layer on the liquid crystal polymer which becomes a quarter-wave plate layer, the liquid crystal polymer is patterned in advance, and ITO is coated on the entire liquid crystal polymer patterned in an island shape and used as a guard film. ing. Since ITO constituting the pixel electrode is used as the guard film, it is possible to form an orientation layer for the guest-host liquid crystal without increasing the number of additional layers and processes.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の最良
な実施形態を詳細に説明する。図1は本発明にかかるゲ
ストホスト液晶表示装置の構造を示す模式的な部分断面
図である。図示する様に、本ゲストホスト液晶表示装置
は所定の間隙を介して互い接合した上下一対の基板1及
び2を用いて組立てられている。上側の基板1は透明で
あり入射側に位置すると共に、下側の基板2は必ずしも
透明である必要はなく、反射側に位置している。一対の
基板1及び2の間隙にはネマティック液晶分子3及び二
色性色素4を含んだゲストホスト液晶5が保持されてい
る。下側の基板2には少なくとも画素電極6と四分の一
波長板層7と配向層8とが形成されている。上側の基板
1には少なくとも対向電極9と配向層10が形成されて
いる。個々の画素電極6と対向電極9との間で画素が構
成される。ゲストホスト液晶5は上下の配向層10及び
8により挟まれており、ネマティック液晶分子3はこれ
らの配向層10及び8の配向能により基板1,2に対し
て垂直に配向制御されている。なお、本発明は垂直配向
に限られるものではなく、水平配向でも勿論よいが、前
者は後者に比べ表示品質等の点で有利である。ネマティ
ック液晶分子3の垂直配向を実現する為上下一対の配向
層10,8はポリイミド樹脂等からなる。ポリイミド樹
脂を所定の有機溶媒に溶解した配向剤を用いて配向層1
0及び8を形成している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic partial sectional view showing the structure of a guest-host liquid crystal display device according to the present invention. As shown in the figure, the guest-host liquid crystal display device is assembled using a pair of upper and lower substrates 1 and 2 joined to each other with a predetermined gap. The upper substrate 1 is transparent and located on the incident side, and the lower substrate 2 is not necessarily transparent and is located on the reflecting side. A guest-host liquid crystal 5 containing a nematic liquid crystal molecule 3 and a dichroic dye 4 is held in a gap between the pair of substrates 1 and 2. On the lower substrate 2, at least a pixel electrode 6, a quarter-wave plate layer 7, and an alignment layer 8 are formed. At least the counter electrode 9 and the alignment layer 10 are formed on the upper substrate 1. A pixel is formed between each pixel electrode 6 and the counter electrode 9. The guest host liquid crystal 5 is sandwiched between upper and lower alignment layers 10 and 8, and the nematic liquid crystal molecules 3 are vertically controlled with respect to the substrates 1 and 2 by the alignment ability of the alignment layers 10 and 8. It should be noted that the present invention is not limited to the vertical alignment, but may be a horizontal alignment, but the former is more advantageous than the latter in terms of display quality and the like. In order to realize the vertical alignment of the nematic liquid crystal molecules 3, the upper and lower alignment layers 10, 8 are made of polyimide resin or the like. Alignment layer 1 using an alignment agent obtained by dissolving a polyimide resin in a predetermined organic solvent
0 and 8 are formed.
【0009】特徴事項として、四分の一波長板層7は一
軸配向した高分子液晶からなり、予め画素の形状に合わ
せて島状にパタニングされている。なお、この四分の一
波長板層7は下地配向層11を利用して一軸配向されて
いる。画素電極6はITO等の透明導電膜からなり対応
する高分子液晶の島を被覆する様にパタニングされてお
り、ガード膜として機能する。配向層8は画素電極6の
上に配置しており、画素電極6により保護された下方の
高分子液晶の島から隔絶して形成されると共に、上方の
ゲストホスト液晶5に接してこれを一定方向に配向制御
している。この様に、本発明では四分の一波長板層7を
構成する高分子液晶を画素電極6で完全に被覆している
為、その上にポリイミドと溶媒を混合した有機配向剤を
塗布し配向層8を成膜する事が可能になる。これによ
り、ゲストホスト液晶5に含まれるネマティック液晶分
子3を垂直配向制御する事ができ、ゲストホスト液晶表
示装置の表示品質を改善できる。As a feature, the quarter-wave plate layer 7 is made of uniaxially oriented polymer liquid crystal, and is patterned in an island shape in advance in accordance with the shape of the pixel. The quarter-wave plate layer 7 is uniaxially oriented by using the base alignment layer 11. The pixel electrode 6 is made of a transparent conductive film such as ITO and is patterned so as to cover the corresponding polymer liquid crystal island, and functions as a guard film. The alignment layer 8 is disposed on the pixel electrode 6 and is formed so as to be isolated from the lower polymer liquid crystal island protected by the pixel electrode 6 and to be in contact with the upper guest-host liquid crystal 5 and keep it fixed. The orientation is controlled in the direction. As described above, in the present invention, since the polymer liquid crystal constituting the quarter-wave plate layer 7 is completely covered with the pixel electrode 6, an organic alignment agent obtained by mixing a polyimide and a solvent is applied thereon. The layer 8 can be formed. This makes it possible to control the vertical alignment of the nematic liquid crystal molecules 3 included in the guest-host liquid crystal 5 and improve the display quality of the guest-host liquid crystal display.
【0010】本実施形態は、アクティブマトリクス型で
あり、基板2には個々の画素電極6を駆動するスイッチ
ング素子として例えば薄膜トランジスタ12が形成され
ている。薄膜トランジスタ12はボトムゲート型であ
り、下から順にゲート電極13、ゲート絶縁膜14、半
導体薄膜15、ストッパ16を積層した構造となってい
る。勿論、本発明はこれに限られるものではなくトップ
ゲート構造の薄膜トランジスタや他の能動素子を用いて
もよい。薄膜トランジスタ12は層間絶縁膜17により
被覆されており、その上にはソース電極18s及びドレ
イン電極18dがパタニング形成されている。又、層間
絶縁膜17の上には凹凸を有する光反射層19も形成さ
れている。薄膜トランジスタ12及び光反射層19の凹
凸を埋める様に平坦化層20が形成されている。この場
合、四分の一波長板層7は下地配向層11を介して平坦
化層20の上に形成される事になる。画素電極6は平坦
化層20及び四分の一波長板層7を貫通して設けたコン
タクトホール21を介して対応する薄膜トランジスタ1
2のドレイン電極18dに接続している。四分の一波長
板層7は平坦化層20と一緒にコンタクトホール21を
開口する際同時に島状にパタニングされる。This embodiment is of an active matrix type, and a thin film transistor 12 is formed on a substrate 2 as a switching element for driving an individual pixel electrode 6, for example. The thin film transistor 12 is a bottom gate type, and has a structure in which a gate electrode 13, a gate insulating film 14, a semiconductor thin film 15, and a stopper 16 are stacked in order from the bottom. Of course, the present invention is not limited to this, and a thin film transistor having a top gate structure or another active element may be used. The thin film transistor 12 is covered with an interlayer insulating film 17, on which a source electrode 18s and a drain electrode 18d are formed by patterning. A light reflection layer 19 having irregularities is also formed on the interlayer insulating film 17. A flattening layer 20 is formed so as to fill the unevenness of the thin film transistor 12 and the light reflection layer 19. In this case, the quarter-wave plate layer 7 is formed on the flattening layer 20 via the base alignment layer 11. The pixel electrode 6 is connected to the corresponding thin film transistor 1 through a contact hole 21 provided through the flattening layer 20 and the quarter-wave plate layer 7.
2 is connected to the second drain electrode 18d. The quarter-wave plate layer 7 is simultaneously patterned with the planarizing layer 20 in an island shape when the contact hole 21 is opened.
【0011】次に図2〜図4の工程図を参照して、本発
明にかかるゲストホスト液晶表示装置の製造方法を詳細
に説明する。まず図2の工程(A)で、ガラス又は石英
等からなる絶縁性の基板2の上にボトムゲート構造の薄
膜トランジスタ12を集積形成する。具体的には、高融
点金属等からなるゲート電極13をパタニング形成した
後CVD等でシリコン酸化物又はシリコン窒化物を堆積
してゲート絶縁膜14を設ける。その上に、多結晶シリ
コン等からなる半導体薄膜15をCVD等で成膜し、薄
膜トランジスタ12の素子領域を構成する様にパタニン
グする。その上にゲート電極12と整合してストッパ1
6をパタニング形成する。絶縁物からなるこのストッパ
16をマスクとしてイオンドーピング又はイオンインプ
ランテーションにより不純物を半導体薄膜15に注入し
薄膜トランジスタ12を形成する。この薄膜トランジス
タ12を酸化物又は窒化物等からなる層間絶縁膜17で
被覆する。Next, a method for manufacturing a guest-host liquid crystal display device according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. First, in a step (A) of FIG. 2, a thin film transistor 12 having a bottom gate structure is integratedly formed on an insulating substrate 2 made of glass, quartz, or the like. Specifically, a gate insulating film 14 is provided by patterning a gate electrode 13 made of a high melting point metal or the like and then depositing a silicon oxide or silicon nitride by CVD or the like. A semiconductor thin film 15 made of polycrystalline silicon or the like is formed thereon by CVD or the like, and is patterned so as to form an element region of the thin film transistor 12. The stopper 1 is aligned thereon with the gate electrode 12.
6 is formed by patterning. Using the stopper 16 made of an insulator as a mask, impurities are injected into the semiconductor thin film 15 by ion doping or ion implantation to form the thin film transistor 12. The thin film transistor 12 is covered with an interlayer insulating film 17 made of an oxide or a nitride.
【0012】工程(B)に進み、層間絶縁膜17にコン
タクトホールを開口する。この上にスパッタリング等で
アルミニウム膜等を堆積し、所定の形状にパタニングし
てソース電極18s及びドレイン電極18dを形成す
る。この工程では同時に光反射層19を形成している。
この光反射層19は凹凸が形成された樹脂膜19aとそ
の表面に成膜されたアルミニウム膜19bとからなる。
樹脂膜19aはフォトリソグラフィーにより凹凸がパタ
ニングされた感光性樹脂膜である。この感光性樹脂膜1
9aは例えばフォトレジストからなり、基板2の表面に
全面的に塗布される。これを所定のマスクを介して露光
処理し、例えば円柱状にパタニング加工する。次いで加
熱してリフローを施せば凹凸形状が安定的に形成でき
る。この様にして形成された凹凸形状の表面に所望の膜
厚で良好な光反射率を有するアルミニウム膜19bを形
成する。凹凸の深さ寸法を数μmに設定すれば、良好な
光散乱特性が得られ、光反射層19は白色を呈する。な
お、光反射層19は個々の画素に対応して細分化されて
おり、アルミニウム膜19bはドレイン電極18dと同
電位である。In the step (B), a contact hole is opened in the interlayer insulating film 17. An aluminum film or the like is deposited thereon by sputtering or the like, and is patterned into a predetermined shape to form a source electrode 18s and a drain electrode 18d. In this step, the light reflection layer 19 is formed at the same time.
The light reflection layer 19 is composed of a resin film 19a having irregularities and an aluminum film 19b formed on the surface thereof.
The resin film 19a is a photosensitive resin film having irregularities patterned by photolithography. This photosensitive resin film 1
9a is made of, for example, a photoresist, and is applied to the entire surface of the substrate 2. This is exposed through a predetermined mask, and is patterned into, for example, a cylindrical shape. Then, by heating and performing reflow, the uneven shape can be formed stably. An aluminum film 19b having a desired film thickness and good light reflectivity is formed on the surface of the concavo-convex shape thus formed. If the depth dimension of the irregularities is set to several μm, good light scattering characteristics can be obtained, and the light reflection layer 19 exhibits white. The light reflection layer 19 is subdivided corresponding to each pixel, and the aluminum film 19b has the same potential as the drain electrode 18d.
【0013】工程(C)に進み、薄膜トランジスタ12
及び光反射層19の凹凸を埋める様に平坦化層20を形
成する。平坦化層20はアクリル樹脂等透明な有機物を
用いる事が好ましい。その上に下地配向層11を形成す
る。平坦化層20を介在させる事で、下地配向層11の
成膜及びラビング処理が安定に行なえる。この為、下地
配向層の上に四分の一波長板層を精度よく形成できる。
仮に、平坦化層20がない場合、光反射層19の凹凸が
直接四分の一波長板層に影響を与え、望む光学特性が得
られない場合もある。但し、本発明は平坦化層20を必
須の構成要件とするものではない。In step (C), the thin film transistor 12
Then, the flattening layer 20 is formed so as to fill the unevenness of the light reflection layer 19. It is preferable to use a transparent organic material such as an acrylic resin for the planarization layer 20. An underlying alignment layer 11 is formed thereon. By interposing the planarization layer 20, the film formation and the rubbing treatment of the base alignment layer 11 can be performed stably. For this reason, a quarter-wave plate layer can be accurately formed on the base alignment layer.
If the flattening layer 20 is not provided, the unevenness of the light reflection layer 19 directly affects the quarter-wave plate layer, and the desired optical characteristics may not be obtained. However, the present invention does not require the planarizing layer 20 as an essential component.
【0014】次に工程(D)に進み、下地配向層11の
上に一軸配向した高分子液晶からなる四分の一波長板層
7を形成する。具体的には、下地配向層11の上に高分
子液晶材料を塗布する。この高分子液晶は例えば安息香
酸エステル系のメソゲンをペンダントとした側鎖型の高
分子液晶である。この高分子液晶をシクロヘキサンとメ
チルエチルケトンを8対2の割合で混合した溶液に3〜
5重量%溶解させる。この溶液を例えば1000rpm の
回転速度でスピンコートし、下地配向層11に高分子液
晶を成膜する。この後基板加熱を行ない、一旦高分子液
晶を光学的に等方性状態まで加熱する。続いて加熱温度
を徐々に降下しネマティック相を経て室温状態まで戻
す。ネマティック相において高分子液晶は下地配向層1
1のラビング方向に沿って整列し、所望の一軸配向性が
得られる。この一軸配向状態は基板2を室温に戻す事に
より固定される。この様なアニール処理により、高分子
液晶材料に含まれる液晶分子は一軸配向し、所望の四分
の一波長板層7が得られる。Next, in step (D), a quarter-wave plate layer 7 made of uniaxially oriented polymer liquid crystal is formed on the base alignment layer 11. Specifically, a polymer liquid crystal material is applied on the base alignment layer 11. This polymer liquid crystal is, for example, a side-chain polymer liquid crystal using a benzoate ester mesogen as a pendant. This polymer liquid crystal is mixed with a solution obtained by mixing cyclohexane and methyl ethyl ketone at a ratio of 8 to 2 to 3 to 3.
Dissolve 5% by weight. This solution is spin-coated at a rotation speed of, for example, 1000 rpm to form a polymer liquid crystal on the base alignment layer 11. Thereafter, the substrate is heated, and the polymer liquid crystal is once heated to an optically isotropic state. Subsequently, the heating temperature is gradually lowered to return to a room temperature state through a nematic phase. In the nematic phase, the polymer liquid crystal is
Thus, a desired uniaxial orientation can be obtained by aligning along one rubbing direction. This uniaxial orientation state is fixed by returning the substrate 2 to room temperature. By such an annealing treatment, the liquid crystal molecules contained in the polymer liquid crystal material are uniaxially oriented, and a desired quarter-wave plate layer 7 is obtained.
【0015】図3の工程(E)に進み、四分の一波長板
層7の上にフォトレジスト7aを塗布する。このフォト
レジスト7aとして下地の四分の一波長板層7に悪影響
を与えない水溶性の感光剤を用いる。例えば、ポリビニ
ルアルコール(PVA)の水溶液(0.1〜5wt%)を
スピンコートする。この時水溶液にPVAの光架橋反応
を起させる為例えば重クロム酸アンモンを微量添加して
おく。In step (E) of FIG. 3, a photoresist 7a is applied on the quarter-wave plate layer 7. As the photoresist 7a, a water-soluble photosensitive agent that does not adversely affect the underlying quarter-wave plate layer 7 is used. For example, an aqueous solution (0.1 to 5 wt%) of polyvinyl alcohol (PVA) is spin-coated. At this time, for example, a small amount of ammonium bichromate is added to the aqueous solution to cause a photocrosslinking reaction of PVA.
【0016】工程(F)に進み、所望のマスク(図示せ
ず)を用いて水銀ランプあるいはキセノンランプで露光
処理を行なう。さらに、水洗処理を施こすとフォトレジ
スト7aの露光されなかった部分が水に溶解しフォトレ
ジスト7aがパターン化される。図示する様に、このフ
ォトレジスト7aは露光現像(フォトリソグラフィー)
により画素毎にパタン化されると共に、ドレイン電極1
8dに整合した窓7bが開けられる。In step (F), an exposure process is performed using a desired mask (not shown) using a mercury lamp or a xenon lamp. Further, when a washing process is performed, the unexposed portions of the photoresist 7a are dissolved in water, and the photoresist 7a is patterned. As shown, this photoresist 7a is exposed and developed (photolithography).
And the drain electrode 1
The window 7b aligned with 8d is opened.
【0017】工程(G)に進み、パタン化されたフォト
レジスト7aをマスクとしてエッチングを行ない、四分
の一波長板層7及び平坦化層20を貫通するコンタクト
ホール21を開口する。この時同時に、四分の一波長板
層7及び平坦化層20を一体として島状にパタニングす
る。このエッチングは例えば酸素プラズマを照射してド
ライエッチング方式で行なわれる。あるいは、ドライエ
ッチング方式に変えて四分の一波長板層7及び平坦化層
20を溶解する有機エッチング溶液を用いたウェットエ
ッチングを行なってもよい。この様に、画素毎に平坦化
層20及び四分の一波長板層7をパタニングしている。
このパタニングはコンタクトホール21を掘る際に同時
に行なう事ができる為、特にプロセスを増やす事はな
い。In step (G), etching is performed using the patterned photoresist 7a as a mask, and a contact hole 21 penetrating the quarter-wave plate layer 7 and the flattening layer 20 is opened. At this time, the quarter-wave plate layer 7 and the flattening layer 20 are simultaneously patterned in an island shape. This etching is performed by, for example, dry etching by irradiating oxygen plasma. Alternatively, wet etching using an organic etching solution for dissolving the quarter-wave plate layer 7 and the planarizing layer 20 may be performed instead of the dry etching method. Thus, the flattening layer 20 and the quarter-wave plate layer 7 are patterned for each pixel.
Since this patterning can be performed at the same time as the contact hole 21 is dug, the process is not particularly increased.
【0018】図4の工程(H)に進み、島状にパタニン
グされた四分の一波長板層7及び平坦化層20を完全に
被覆する様にITO等からなる透明導電膜を成膜する。
この透明導電膜を画素毎にパタニングして画素電極6に
加工する。画素電極6はコンタクトホール21を介して
薄膜トランジスタ12のドレイン電極18dに電気接続
すると共に、島状の四分の一波長板層7を完全に被覆し
てガード膜の機能を果す。Proceeding to step (H) in FIG. 4, a transparent conductive film made of ITO or the like is formed so as to completely cover the quarter-wave plate layer 7 and the flattening layer 20 patterned in an island shape. .
This transparent conductive film is patterned for each pixel and processed into a pixel electrode 6. The pixel electrode 6 is electrically connected to the drain electrode 18d of the thin film transistor 12 through the contact hole 21 and completely covers the island-shaped quarter-wave plate layer 7 to serve as a guard film.
【0019】工程(I)に進み、画素電極6の上に配向
剤を塗工し画素電極6のガード膜により保護された下方
の四分の一波長板層7から隔絶した状態で配向層8を形
成する。配向剤としては例えばポリイミドをNMP又は
γ−ブチロラクトン等の溶媒に溶解したものを用いる。
本発明では耐溶媒性に劣る四分の一波長板層7を画素電
極6で完全に被覆している為、配向剤に含まれる溶媒に
よってダメージを受ける事がない。なお、画素電極6を
ガード膜として用いる代わりに、別途透明なアクリル樹
脂等からなる保護層を四分の一波長板層7と配向層8と
の間に介在させる構造も考えられる。しかしながら、こ
の構造では保護層を追加する為製造プロセスが複雑化す
ると共に、保護層の介在により反射率等の光学特性も悪
化する。特に、四分の一波長板層7と画素電極6との間
に保護層を介在させた場合にはこれにコンタクトホール
を開けるプロセスも必要となり複雑化をもたらす。又、
保護層を画素電極6と配向層8との間に介在させる構造
も考えられる。しかしながら、これでは対向電極と画素
電極6との間に保護層の絶縁体が存在する事となり表示
装置の動作特性が悪化する。具体的には、ゲストホスト
液晶に印加される実効電圧が低下してしまうと共に、チ
ャージによる焼付き等が発生し画質の低下につながる。Proceeding to the step (I), an alignment agent is applied on the pixel electrode 6 and the alignment layer 8 is separated from the lower quarter-wave plate layer 7 protected by the guard film of the pixel electrode 6. To form As the alignment agent, for example, a material obtained by dissolving polyimide in a solvent such as NMP or γ-butyrolactone is used.
In the present invention, since the quarter-wave plate layer 7 having poor solvent resistance is completely covered with the pixel electrode 6, there is no possibility of being damaged by the solvent contained in the alignment agent. Instead of using the pixel electrode 6 as a guard film, a structure in which a protective layer made of a transparent acrylic resin or the like is separately provided between the quarter-wave plate layer 7 and the alignment layer 8 is also conceivable. However, in this structure, the manufacturing process is complicated due to the addition of the protective layer, and the optical characteristics such as the reflectance are deteriorated due to the interposition of the protective layer. In particular, when a protective layer is interposed between the quarter-wave plate layer 7 and the pixel electrode 6, a process of opening a contact hole is also required, resulting in complication. or,
A structure in which a protective layer is interposed between the pixel electrode 6 and the alignment layer 8 is also conceivable. However, in this case, the insulator of the protective layer exists between the counter electrode and the pixel electrode 6, and the operating characteristics of the display device deteriorate. Specifically, the effective voltage applied to the guest-host liquid crystal decreases, and burn-in or the like occurs due to charging, which leads to deterioration in image quality.
【0020】最後に工程(J)に進み、予め対向電極9
及び配向層10が形成された上側の基板1を所定の間隙
を介して下側の基板2に接合する。この後二色性色素4
を含有したゲストホスト液晶5を上下一対の基板1,2
の間隙に注入すると、反射型のゲストホスト液晶表示装
置が完成する。Finally, proceeding to the step (J), the counter electrode 9
Then, the upper substrate 1 on which the alignment layer 10 is formed is joined to the lower substrate 2 via a predetermined gap. After this, dichroic dye 4
And a pair of upper and lower substrates 1 and 2
, A reflection type guest-host liquid crystal display device is completed.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、四
分の一波長板層を島状にパタニングした後、これを個々
に被覆する様に画素電極を形成している。そして画素電
極の上に配向剤を塗工し画素電極により完全に保護され
た下方の四分の一波長板層から隔絶した状態で配向層を
形成する。かかる構造により、特にプロセスや追加の保
護層を増やす事なく、ポリイミド等水溶性でない配向層
を耐溶剤性に劣る四分の一波長板層の上に形成する事が
可能となった。これにより、ゲストホスト液晶層を垂直
配向でき表示品位の改善につながると共に、信頼性の高
いポリイミド等を配向層として使用する事が可能となり
ゲストホスト液晶表示装置の信頼性の面でも改善が図れ
る。As described above, according to the present invention, after the quarter-wave plate layer is patterned in the shape of an island, the pixel electrodes are formed so as to individually cover them. Then, an alignment agent is applied on the pixel electrode, and an alignment layer is formed in a state of being isolated from the lower quarter-wave plate layer completely protected by the pixel electrode. With this structure, it is possible to form a non-water-soluble alignment layer such as polyimide on a quarter-wave plate layer having poor solvent resistance without increasing the number of processes and additional protective layers. As a result, the guest-host liquid crystal layer can be vertically aligned, leading to an improvement in display quality, and a highly reliable polyimide or the like can be used as the alignment layer, thereby improving the reliability of the guest-host liquid crystal display device.
【図1】本発明にかかるゲストホスト液晶表示装置の構
造を示す模式的な部分断面図である。FIG. 1 is a schematic partial sectional view showing the structure of a guest-host liquid crystal display device according to the present invention.
【図2】本発明にかかるゲストホスト液晶表示装置の製
造方法示す工程図である。FIG. 2 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a guest-host liquid crystal display device according to the present invention.
【図3】同じく製造方法を示す工程図である。FIG. 3 is a process drawing showing the same manufacturing method.
【図4】同じく製造方法を示す工程図である。FIG. 4 is a process drawing showing the same manufacturing method.
【図5】従来のゲストホスト液晶表示装置の一例を示す
断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing an example of a conventional guest-host liquid crystal display device.
【符号の説明】 1…基板、2…基板、3…液晶分子、4…二色性色素、
5…ゲストホスト液晶、6…画素電極、7…四分の一波
長板層、8…配向層、9…対向電極、10…配向層、1
1…下地配向層、12…薄膜トランジスタ、18s…ソ
ース電極、18d…ドレイン電極、19…光反射層、2
0…平坦化層、21…コンタクトホール[Description of Signs] 1 ... substrate, 2 ... substrate, 3 ... liquid crystal molecule, 4 ... dichroic dye,
5 Guest host liquid crystal, 6 Pixel electrode, 7 Quarter wave plate layer, 8 Alignment layer, 9 Counter electrode, 10 Alignment layer, 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Underlying alignment layer, 12 ... Thin film transistor, 18s ... Source electrode, 18d ... Drain electrode, 19 ... Light reflection layer, 2
0: flattening layer, 21: contact hole
Claims (4)
の基板と該間隙に保持され且つ二色性色素を含有したゲ
ストホスト液晶とを備え、一方の基板には少なくとも画
素電極と四分の一波長板層と配向層とが形成され、他方
の基板には少なくとも対向電極が形成されており、個々
の画素電極と対向電極との間で画素を構成したゲストホ
スト液晶表示装置であって、 前記四分の一波長板層は一軸配向した高分子液晶からな
り予め画素の形状に合わせて島状にパタニングされてお
り、 前記画素電極は対応する高分子液晶の島を被覆する様に
パタニングされており、 前記配向層は該画素電極の上に配置しており該画素電極
により保護された下方の高分子液晶の島から隔絶して形
成されると共に、上方の該ゲストホスト液晶に接してこ
れを一定方向に配向制御することを特徴とするゲストホ
スト液晶表示装置。1. A semiconductor device comprising: a pair of substrates joined to each other via a predetermined gap; and a guest-host liquid crystal held in the gap and containing a dichroic dye. A guest-host liquid crystal display device in which one wavelength plate layer and an alignment layer are formed, at least a counter electrode is formed on the other substrate, and pixels are formed between individual pixel electrodes and the counter electrode, The quarter-wave plate layer is made of uniaxially oriented polymer liquid crystal and is patterned in advance in an island shape according to the shape of the pixel, and the pixel electrode is patterned so as to cover the corresponding polymer liquid crystal island. The alignment layer is disposed on the pixel electrode, is formed separately from the lower polymer liquid crystal island protected by the pixel electrode, and is in contact with the upper guest host liquid crystal. In a certain direction A guest-host liquid crystal display device which controls alignment.
動するスイッチング素子とこの凹凸を埋める平坦化層と
が形成されており、前記四分の一波長板層は該平坦化層
の上に形成されており、前記画素電極は該平坦化層及び
該四分の一波長板層を貫通して設けたコンタクトホール
を介して対応するスイッチング素子に接続していること
を特徴とする請求項1記載のゲストホスト液晶表示装
置。2. A switching element for driving an individual pixel electrode and a flattening layer filling the unevenness are formed on the one substrate, and the quarter-wave plate layer is formed on the flattening layer. Wherein the pixel electrode is connected to a corresponding switching element through a contact hole provided through the flattening layer and the quarter-wave plate layer. 2. The guest-host liquid crystal display device according to 1.
緒にコンタクトホールを開口する時島状にパタニングさ
れる事を特徴とする請求項2記載のゲストホスト液晶表
示装置。3. The guest-host liquid crystal display device according to claim 2, wherein the quarter-wave plate layer is patterned in an island shape when opening a contact hole together with the planarizing layer.
らなる四分の一波長板層を形成する工程と、 該四分の一波長板層を島状にパタニングする工程と、 該パタニングされた四分の一波長板層の島を個々に被覆
する様に画素電極を形成する工程と、 該画素電極の上に配向剤を塗工し該画素電極により保護
された下方の四分の一波長板層から隔絶した状態で配向
層を形成する工程と、 予め対向電極が形成された他方の基板を所定の間隙を介
して該一方の基板に接合する工程と、 二色性色素を含有したゲストホスト液晶を該間隙に注入
する工程とを行なうゲストホスト液晶表示装置の製造方
法。4. A step of forming a quarter-wave plate layer made of uniaxially oriented polymer liquid crystal on one of the substrates, a step of patterning the quarter-wave plate layer in an island shape, Forming a pixel electrode so as to individually cover the islands of the quarter-wave plate layer, and applying an alignment agent on the pixel electrode to protect the lower quarter protected by the pixel electrode. A step of forming an alignment layer in a state separated from the wavelength plate layer; a step of bonding the other substrate on which the counter electrode is formed in advance to the one substrate via a predetermined gap; and a step of containing a dichroic dye. Injecting a guest-host liquid crystal into the gap.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20425196A JPH1031232A (en) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | Guest host liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20425196A JPH1031232A (en) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | Guest host liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1031232A true JPH1031232A (en) | 1998-02-03 |
Family
ID=16487367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20425196A Pending JPH1031232A (en) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | Guest host liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1031232A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015191010A (en) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | Manufacturing method of optical film |
| JPWO2017110225A1 (en) * | 2015-12-25 | 2018-10-18 | Jxtgエネルギー株式会社 | Optical film |
| CN116601554A (en) * | 2020-12-21 | 2023-08-15 | 富士胶片株式会社 | Light-absorbing anisotropic film, viewing angle control system and image display device |
-
1996
- 1996-07-15 JP JP20425196A patent/JPH1031232A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015191010A (en) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | Manufacturing method of optical film |
| JPWO2017110225A1 (en) * | 2015-12-25 | 2018-10-18 | Jxtgエネルギー株式会社 | Optical film |
| CN116601554A (en) * | 2020-12-21 | 2023-08-15 | 富士胶片株式会社 | Light-absorbing anisotropic film, viewing angle control system and image display device |
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