JPH1031232A - ゲストホスト液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲストホスト液晶表示装置に内蔵される四分
の一波長板層を保護して高性能な配向層の形成を可能に
する。 【解決手段】 ゲストホスト液晶表示装置は所定の間隙
を介して互いに接合した一対の基板１および２とこの間
隙に保持され且つ二色性色素４を含有したゲストホスト
液晶５とを備えている。下側の基板２には少なくとも画
素電極６と四分の一波長板層７と配向層８とが形成され
ている。上側の基板１には少なくとも対向電極９が形成
されている。個々の画素電極６と対向電極９との間で画
素を構成する。四分の一波長板層７は一軸配向した高分
子液晶からなり、予め画素の形状に合わせて島状にパタ
ニングされている。画素電極６は対応する高分子液晶の
島を被覆する様にパタニングされており、ガード膜とし
て機能する。配向層８は画素電極６の上に配置してあ
り、画素電極６により保護された下方の高分子液晶の島
から隔絶して形成されると共に、上方のゲストホスト液
晶５に接してこれを一定方向に配向制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はゲストホスト液晶表
示装置及びその製造方法に関する。より詳しくは、偏光
変換素子として四分の一波長板層をパネル内に集積形成
して入射光の利用効率を改善する技術に関する。さらに
詳しくは、耐溶剤性に劣る四分の一波長板層の保護構造
及び保護方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】偏光変換素子として四分の一波長板層を
パネル内に内蔵した反射型のゲストホスト液晶表示装置
が知られており、例えば特開平６−２２２３５１号公報
に開示されている。図５に示す様に、このゲストホスト
液晶表示装置１０１は上下一対の基板１０２及び１０３
を用いて組立てられている。一対の基板１０２及び１０
３は例えばガラス、石英、プラスチック等の絶縁性を有
する材料からなり、少なくとも上側の基板１０２は透明
性を有する。基板１０２及び１０３間にはネマティック
液晶分子１０４ａ及び二色性色素１０５を含むゲストホ
スト液晶１０４が介在している。二色性色素１０５はそ
の分子の長軸に略平行な遷移双極子モーメントを有する
ｐ型色素である。上側の基板１０２の内表面１０２ａに
は図示しないが、ＭＩＭ等の二端子素子やＴＦＴ等の三
端子素子からなるスイッチング素子と、画素電極１０６
とが形成される。スイッチング素子と画素電極１０６と
が形成された上側の基板１０２の内表面１０２ａには、
さらにポリイミド樹脂等からなる配向層１０７が形成さ
れる。この配向層１０７の表面はネマティック液晶分子
１０４ａを水平配向させる為にラビング処理が施されて
いる。一方、下側の基板１０３の内表面１０３ａには光
反射層１０８と四分の一波長板層１０９とがこの順に形
成される。四分の一波長板層１０９は一軸配向した高分
子液晶からなる。これは高分子液晶を加熱し、別途加熱
又は冷却した基板１０３に付着させて形成される。又、
四分の一波長板層１０９の表面には対向電極１１０と配
向層１１１とがこの順に形成される。配向層１１１は上
側の配向層１０７と同様にポリイミド樹脂等からなり、
その表面はラビング処理が施されている。

【０００３】続いて、反射型ゲストホスト液晶表示装置
１０１を用いて白黒表示を行なう場合の動作を簡潔に説
明する。電圧無印加状態では、液晶分子１０４ａは上下
の配向層１０７及び１１１のラビング方向に沿って水平
配向し、二色性色素１０５も同様に配向する。上側の基
板１０２側から入射した光がゲストホスト液晶１０４を
通過すると、入射光のうち二色性色素１０５の分子の長
軸方向に対して平行な振動面を持つ成分が二色性色素１
０５によって吸収される。又、二色性色素１０５の分子
の長軸方向に対して垂直な振動面を持つ他の成分はゲス
トホスト液晶１０４を通過し、下側の基板１０３の内表
面１０３ａに形成された四分の一波長板層１０９で円偏
光とされ、光反射層１０８で反射する。この時、反射光
の偏光が逆回りとなり、再び四分の一波長板層１０９を
通過し、二色性色素１０５の分子の長軸方向に対して平
行な振動面を持つ光に変換される。この光は二色性色素
１０５によって吸収されるので略完全な黒色表示とな
る。一方、電圧印加時にはネマティック液晶分子１０４
ａは電界方向に沿って垂直に配向し、二色性色素１０５
も同様に配向する。上側の基板１０２側から入射した光
は二色性色素１０５によって吸収されずにゲストホスト
液晶１０４を通過し、四分の一波長板層１０９で偏光さ
れずに光反射層１０８で反射する。反射光は再び四分の
一波長板層１０９を通過し、ゲストホスト液晶１０４で
吸収されずに出射する。従って白色表示となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図５に示した従来構造
では四分の一波長板層として一軸配向した高分子液晶を
用いている。この高分子液晶は比較的耐溶剤性に劣り、
極性溶媒等に対して容易に溶解もしくは膨潤し一軸配向
性が失われる。一般に、四分の一波長板層１０９の上に
ゲストホスト液晶１０４に対する配向層１１１が形成さ
れる。例えば、ポリイミド樹脂をｎ−メチル−２−ピロ
リドン(ＮＭＰ)やγ−ブチロラクトン等の溶媒に溶解し
た配向剤を塗工し、溶媒を蒸発させてポリイミド樹脂か
らなる配向層１１１を形成している。この場合、四分の
一波長板層１０９を構成する高分子液晶が配向剤に含ま
れる溶媒に溶解してしまい一軸異方性が消失する惧れが
ある。従って、従来の構造では現実的な手段としてポリ
ビニルアルコール(ＰＶＡ)を用いた水溶性の配向剤を用
いる他なかった。しかしながら、ＰＶＡからなる配向層
は図５に示す様に、液晶分子１０４ａを水平配向させる
事はできるが、垂直配向する事は不可能である。表示品
質から見ると、水平配向タイプのゲストホスト液晶表示
装置に比べ垂直配向タイプのゲストホスト液晶表示装置
の方がコントラスト等の点で優れているにも関わらずこ
れが実現できなかった。即ち、四分の一波長板層の耐溶
剤性に起因して配向剤の選択肢に制限がある為、現実的
なプロセスで垂直配向タイプのゲストホスト液晶表示装
置を作成する事が困難であった。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為に、以下の手段を講じた。即ち、本発明
にかかるゲストホスト液晶表示装置は基本的な構成とし
て、所定の間隙を介して互いに接合した一対の基板と該
間隙に保持され且つ二色性色素を含有したゲストホスト
液晶とを備えている。一方の基板には少なくとも画素電
極と四分の一波長板層と配向層とが形成されている。他
方の基板には少なくとも対向電極が形成されており、個
々の画素電極と対向電極との間で画素を構成する。前記
四分の一波長板層は一軸配向した高分子液晶からなり予
め画素の形状に合わせて島状にパタニングされている。
前記画素電極は対応する高分子液晶の島を被覆する様に
パタニングされている。前記配向層は画素電極の上に配
置してあり該画素電極により保護された下方の高分子液
晶の島から隔絶して形成されると共に、上方の該ゲスト
ホスト液晶に接してこれを一定方向に配向制御すること
を特徴とする。好ましくは、前記一方の基板には個々の
画素電極を駆動するスイッチング素子とこの凹凸を埋め
る平坦化層とが形成されている。この場合、前記四分の
一波長板層は該平坦化層の上に形成されており、前記画
素電極は該平坦化層及び該四分の一波長板層を貫通して
設けたコンタクトホールを介して対応するスイッチング
素子に接続している。かかる構造では、前記四分の一波
長板層は該平坦化層と一緒にコンタクトホールを開口す
る時島状にパタニングされる。

【０００６】本発明にかかるゲストホスト液晶表示装置
は以下の工程により製造される。先ず、一方の基板に一
軸配向した高分子液晶からなる四分の一波長板層を形成
する。次に、該四分の一波長板層を島状にパタニングす
る。続いて、パタニングされた四分の一波長板層の島を
個々に被覆する様に画素電極を形成する。さらに、該画
素電極の上に配向剤を塗工し該画素電極により保護され
た下方の四分の一波長板層から隔絶した状態で配向層を
形成する。この後、予め対向電極が形成された他方の基
板を所定の間隙を介して該一方の基板に接合する。最後
に、二色性色素を含有したゲストホスト液晶を該間隙に
注入する。以上により、反射型のゲストホスト液晶表示
装置が完成する。

【０００７】四分の一波長板層を内部に組込んだゲスト
ホスト液晶表示装置において、ゲストホスト液晶の配向
を規制する為ポリイミドフィルム等からなる配向層を使
用する。しかし、四分の一波長板層を構成する高分子液
晶（液晶ポリマー）は耐溶媒性の低いものも多く、ポリ
イミドの溶媒であるＮＭＰやγ−ブチロラクトン等に溶
解してしまう。そこで、本発明では、画素電極を構成す
るＩＴＯ等の透明導電膜をガード膜（保護膜）として用
い、液晶ポリマーとポリイミドフィルムの配向剤とが直
接接触しない様にした。即ち、四分の一波長板層となる
液晶ポリマー上に配向層を形成する為、液晶ポリマーを
予めパタニングすると共に、ＩＴＯを島状にパタニング
された液晶ポリマーの全体に被覆してガード膜に用いて
いる。ガード膜として画素電極を構成するＩＴＯを用い
る為、追加のレイヤー（層）及びプロセスを増やす事な
くゲストホスト液晶用の配向層を形成する事が可能にな
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の最良
な実施形態を詳細に説明する。図１は本発明にかかるゲ
ストホスト液晶表示装置の構造を示す模式的な部分断面
図である。図示する様に、本ゲストホスト液晶表示装置
は所定の間隙を介して互い接合した上下一対の基板１及
び２を用いて組立てられている。上側の基板１は透明で
あり入射側に位置すると共に、下側の基板２は必ずしも
透明である必要はなく、反射側に位置している。一対の
基板１及び２の間隙にはネマティック液晶分子３及び二
色性色素４を含んだゲストホスト液晶５が保持されてい
る。下側の基板２には少なくとも画素電極６と四分の一
波長板層７と配向層８とが形成されている。上側の基板
１には少なくとも対向電極９と配向層１０が形成されて
いる。個々の画素電極６と対向電極９との間で画素が構
成される。ゲストホスト液晶５は上下の配向層１０及び
８により挟まれており、ネマティック液晶分子３はこれ
らの配向層１０及び８の配向能により基板１，２に対し
て垂直に配向制御されている。なお、本発明は垂直配向
に限られるものではなく、水平配向でも勿論よいが、前
者は後者に比べ表示品質等の点で有利である。ネマティ
ック液晶分子３の垂直配向を実現する為上下一対の配向
層１０，８はポリイミド樹脂等からなる。ポリイミド樹
脂を所定の有機溶媒に溶解した配向剤を用いて配向層１
０及び８を形成している。

【０００９】特徴事項として、四分の一波長板層７は一
軸配向した高分子液晶からなり、予め画素の形状に合わ
せて島状にパタニングされている。なお、この四分の一
波長板層７は下地配向層１１を利用して一軸配向されて
いる。画素電極６はＩＴＯ等の透明導電膜からなり対応
する高分子液晶の島を被覆する様にパタニングされてお
り、ガード膜として機能する。配向層８は画素電極６の
上に配置しており、画素電極６により保護された下方の
高分子液晶の島から隔絶して形成されると共に、上方の
ゲストホスト液晶５に接してこれを一定方向に配向制御
している。この様に、本発明では四分の一波長板層７を
構成する高分子液晶を画素電極６で完全に被覆している
為、その上にポリイミドと溶媒を混合した有機配向剤を
塗布し配向層８を成膜する事が可能になる。これによ
り、ゲストホスト液晶５に含まれるネマティック液晶分
子３を垂直配向制御する事ができ、ゲストホスト液晶表
示装置の表示品質を改善できる。

【００１０】本実施形態は、アクティブマトリクス型で
あり、基板２には個々の画素電極６を駆動するスイッチ
ング素子として例えば薄膜トランジスタ１２が形成され
ている。薄膜トランジスタ１２はボトムゲート型であ
り、下から順にゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４、半
導体薄膜１５、ストッパ１６を積層した構造となってい
る。勿論、本発明はこれに限られるものではなくトップ
ゲート構造の薄膜トランジスタや他の能動素子を用いて
もよい。薄膜トランジスタ１２は層間絶縁膜１７により
被覆されており、その上にはソース電極１８ｓ及びドレ
イン電極１８ｄがパタニング形成されている。又、層間
絶縁膜１７の上には凹凸を有する光反射層１９も形成さ
れている。薄膜トランジスタ１２及び光反射層１９の凹
凸を埋める様に平坦化層２０が形成されている。この場
合、四分の一波長板層７は下地配向層１１を介して平坦
化層２０の上に形成される事になる。画素電極６は平坦
化層２０及び四分の一波長板層７を貫通して設けたコン
タクトホール２１を介して対応する薄膜トランジスタ１
２のドレイン電極１８ｄに接続している。四分の一波長
板層７は平坦化層２０と一緒にコンタクトホール２１を
開口する際同時に島状にパタニングされる。

【００１１】次に図２〜図４の工程図を参照して、本発
明にかかるゲストホスト液晶表示装置の製造方法を詳細
に説明する。まず図２の工程（Ａ）で、ガラス又は石英
等からなる絶縁性の基板２の上にボトムゲート構造の薄
膜トランジスタ１２を集積形成する。具体的には、高融
点金属等からなるゲート電極１３をパタニング形成した
後ＣＶＤ等でシリコン酸化物又はシリコン窒化物を堆積
してゲート絶縁膜１４を設ける。その上に、多結晶シリ
コン等からなる半導体薄膜１５をＣＶＤ等で成膜し、薄
膜トランジスタ１２の素子領域を構成する様にパタニン
グする。その上にゲート電極１２と整合してストッパ１
６をパタニング形成する。絶縁物からなるこのストッパ
１６をマスクとしてイオンドーピング又はイオンインプ
ランテーションにより不純物を半導体薄膜１５に注入し
薄膜トランジスタ１２を形成する。この薄膜トランジス
タ１２を酸化物又は窒化物等からなる層間絶縁膜１７で
被覆する。

【００１２】工程（Ｂ）に進み、層間絶縁膜１７にコン
タクトホールを開口する。この上にスパッタリング等で
アルミニウム膜等を堆積し、所定の形状にパタニングし
てソース電極１８ｓ及びドレイン電極１８ｄを形成す
る。この工程では同時に光反射層１９を形成している。
この光反射層１９は凹凸が形成された樹脂膜１９ａとそ
の表面に成膜されたアルミニウム膜１９ｂとからなる。
樹脂膜１９ａはフォトリソグラフィーにより凹凸がパタ
ニングされた感光性樹脂膜である。この感光性樹脂膜１
９ａは例えばフォトレジストからなり、基板２の表面に
全面的に塗布される。これを所定のマスクを介して露光
処理し、例えば円柱状にパタニング加工する。次いで加
熱してリフローを施せば凹凸形状が安定的に形成でき
る。この様にして形成された凹凸形状の表面に所望の膜
厚で良好な光反射率を有するアルミニウム膜１９ｂを形
成する。凹凸の深さ寸法を数μｍに設定すれば、良好な
光散乱特性が得られ、光反射層１９は白色を呈する。な
お、光反射層１９は個々の画素に対応して細分化されて
おり、アルミニウム膜１９ｂはドレイン電極１８ｄと同
電位である。

【００１３】工程（Ｃ）に進み、薄膜トランジスタ１２
及び光反射層１９の凹凸を埋める様に平坦化層２０を形
成する。平坦化層２０はアクリル樹脂等透明な有機物を
用いる事が好ましい。その上に下地配向層１１を形成す
る。平坦化層２０を介在させる事で、下地配向層１１の
成膜及びラビング処理が安定に行なえる。この為、下地
配向層の上に四分の一波長板層を精度よく形成できる。
仮に、平坦化層２０がない場合、光反射層１９の凹凸が
直接四分の一波長板層に影響を与え、望む光学特性が得
られない場合もある。但し、本発明は平坦化層２０を必
須の構成要件とするものではない。

【００１４】次に工程（Ｄ）に進み、下地配向層１１の
上に一軸配向した高分子液晶からなる四分の一波長板層
７を形成する。具体的には、下地配向層１１の上に高分
子液晶材料を塗布する。この高分子液晶は例えば安息香
酸エステル系のメソゲンをペンダントとした側鎖型の高
分子液晶である。この高分子液晶をシクロヘキサンとメ
チルエチルケトンを８対２の割合で混合した溶液に３〜
５重量％溶解させる。この溶液を例えば１０００rpm の
回転速度でスピンコートし、下地配向層１１に高分子液
晶を成膜する。この後基板加熱を行ない、一旦高分子液
晶を光学的に等方性状態まで加熱する。続いて加熱温度
を徐々に降下しネマティック相を経て室温状態まで戻
す。ネマティック相において高分子液晶は下地配向層１
１のラビング方向に沿って整列し、所望の一軸配向性が
得られる。この一軸配向状態は基板２を室温に戻す事に
より固定される。この様なアニール処理により、高分子
液晶材料に含まれる液晶分子は一軸配向し、所望の四分
の一波長板層７が得られる。

【００１５】図３の工程（Ｅ）に進み、四分の一波長板
層７の上にフォトレジスト７ａを塗布する。このフォト
レジスト７ａとして下地の四分の一波長板層７に悪影響
を与えない水溶性の感光剤を用いる。例えば、ポリビニ
ルアルコール（ＰＶＡ）の水溶液（０．１〜５wt％）を
スピンコートする。この時水溶液にＰＶＡの光架橋反応
を起させる為例えば重クロム酸アンモンを微量添加して
おく。

【００１６】工程（Ｆ）に進み、所望のマスク（図示せ
ず）を用いて水銀ランプあるいはキセノンランプで露光
処理を行なう。さらに、水洗処理を施こすとフォトレジ
スト７ａの露光されなかった部分が水に溶解しフォトレ
ジスト７ａがパターン化される。図示する様に、このフ
ォトレジスト７ａは露光現像（フォトリソグラフィー）
により画素毎にパタン化されると共に、ドレイン電極１
８ｄに整合した窓７ｂが開けられる。

【００１７】工程（Ｇ）に進み、パタン化されたフォト
レジスト７ａをマスクとしてエッチングを行ない、四分
の一波長板層７及び平坦化層２０を貫通するコンタクト
ホール２１を開口する。この時同時に、四分の一波長板
層７及び平坦化層２０を一体として島状にパタニングす
る。このエッチングは例えば酸素プラズマを照射してド
ライエッチング方式で行なわれる。あるいは、ドライエ
ッチング方式に変えて四分の一波長板層７及び平坦化層
２０を溶解する有機エッチング溶液を用いたウェットエ
ッチングを行なってもよい。この様に、画素毎に平坦化
層２０及び四分の一波長板層７をパタニングしている。
このパタニングはコンタクトホール２１を掘る際に同時
に行なう事ができる為、特にプロセスを増やす事はな
い。

【００１８】図４の工程（Ｈ）に進み、島状にパタニン
グされた四分の一波長板層７及び平坦化層２０を完全に
被覆する様にＩＴＯ等からなる透明導電膜を成膜する。
この透明導電膜を画素毎にパタニングして画素電極６に
加工する。画素電極６はコンタクトホール２１を介して
薄膜トランジスタ１２のドレイン電極１８ｄに電気接続
すると共に、島状の四分の一波長板層７を完全に被覆し
てガード膜の機能を果す。

【００１９】工程（Ｉ）に進み、画素電極６の上に配向
剤を塗工し画素電極６のガード膜により保護された下方
の四分の一波長板層７から隔絶した状態で配向層８を形
成する。配向剤としては例えばポリイミドをＮＭＰ又は
γ−ブチロラクトン等の溶媒に溶解したものを用いる。
本発明では耐溶媒性に劣る四分の一波長板層７を画素電
極６で完全に被覆している為、配向剤に含まれる溶媒に
よってダメージを受ける事がない。なお、画素電極６を
ガード膜として用いる代わりに、別途透明なアクリル樹
脂等からなる保護層を四分の一波長板層７と配向層８と
の間に介在させる構造も考えられる。しかしながら、こ
の構造では保護層を追加する為製造プロセスが複雑化す
ると共に、保護層の介在により反射率等の光学特性も悪
化する。特に、四分の一波長板層７と画素電極６との間
に保護層を介在させた場合にはこれにコンタクトホール
を開けるプロセスも必要となり複雑化をもたらす。又、
保護層を画素電極６と配向層８との間に介在させる構造
も考えられる。しかしながら、これでは対向電極と画素
電極６との間に保護層の絶縁体が存在する事となり表示
装置の動作特性が悪化する。具体的には、ゲストホスト
液晶に印加される実効電圧が低下してしまうと共に、チ
ャージによる焼付き等が発生し画質の低下につながる。

【００２０】最後に工程（Ｊ）に進み、予め対向電極９
及び配向層１０が形成された上側の基板１を所定の間隙
を介して下側の基板２に接合する。この後二色性色素４
を含有したゲストホスト液晶５を上下一対の基板１，２
の間隙に注入すると、反射型のゲストホスト液晶表示装
置が完成する。

【００２１】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、四
分の一波長板層を島状にパタニングした後、これを個々
に被覆する様に画素電極を形成している。そして画素電
極の上に配向剤を塗工し画素電極により完全に保護され
た下方の四分の一波長板層から隔絶した状態で配向層を
形成する。かかる構造により、特にプロセスや追加の保
護層を増やす事なく、ポリイミド等水溶性でない配向層
を耐溶剤性に劣る四分の一波長板層の上に形成する事が
可能となった。これにより、ゲストホスト液晶層を垂直
配向でき表示品位の改善につながると共に、信頼性の高
いポリイミド等を配向層として使用する事が可能となり
ゲストホスト液晶表示装置の信頼性の面でも改善が図れ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるゲストホスト液晶表示装置の構
造を示す模式的な部分断面図である。

【図２】本発明にかかるゲストホスト液晶表示装置の製
造方法示す工程図である。

【図３】同じく製造方法を示す工程図である。

【図４】同じく製造方法を示す工程図である。

【図５】従来のゲストホスト液晶表示装置の一例を示す
断面図である。

【符号の説明】 １…基板、２…基板、３…液晶分子、４…二色性色素、
５…ゲストホスト液晶、６…画素電極、７…四分の一波
長板層、８…配向層、９…対向電極、１０…配向層、１
１…下地配向層、１２…薄膜トランジスタ、１８ｓ…ソ
ース電極、１８ｄ…ドレイン電極、１９…光反射層、２
０…平坦化層、２１…コンタクトホール

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の間隙を介して互いに接合した一対
   の基板と該間隙に保持され且つ二色性色素を含有したゲ
   ストホスト液晶とを備え、一方の基板には少なくとも画
   素電極と四分の一波長板層と配向層とが形成され、他方
   の基板には少なくとも対向電極が形成されており、個々
   の画素電極と対向電極との間で画素を構成したゲストホ
   スト液晶表示装置であって、 前記四分の一波長板層は一軸配向した高分子液晶からな
   り予め画素の形状に合わせて島状にパタニングされてお
   り、 前記画素電極は対応する高分子液晶の島を被覆する様に
   パタニングされており、 前記配向層は該画素電極の上に配置しており該画素電極
   により保護された下方の高分子液晶の島から隔絶して形
   成されると共に、上方の該ゲストホスト液晶に接してこ
   れを一定方向に配向制御することを特徴とするゲストホ
   スト液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記一方の基板には個々の画素電極を駆
   動するスイッチング素子とこの凹凸を埋める平坦化層と
   が形成されており、前記四分の一波長板層は該平坦化層
   の上に形成されており、前記画素電極は該平坦化層及び
   該四分の一波長板層を貫通して設けたコンタクトホール
   を介して対応するスイッチング素子に接続していること
   を特徴とする請求項１記載のゲストホスト液晶表示装
   置。
3. 【請求項３】 前記四分の一波長板層は該平坦化層と一
   緒にコンタクトホールを開口する時島状にパタニングさ
   れる事を特徴とする請求項２記載のゲストホスト液晶表
   示装置。
4. 【請求項４】 一方の基板に一軸配向した高分子液晶か
   らなる四分の一波長板層を形成する工程と、 該四分の一波長板層を島状にパタニングする工程と、 該パタニングされた四分の一波長板層の島を個々に被覆
   する様に画素電極を形成する工程と、 該画素電極の上に配向剤を塗工し該画素電極により保護
   された下方の四分の一波長板層から隔絶した状態で配向
   層を形成する工程と、 予め対向電極が形成された他方の基板を所定の間隙を介
   して該一方の基板に接合する工程と、 二色性色素を含有したゲストホスト液晶を該間隙に注入
   する工程とを行なうゲストホスト液晶表示装置の製造方
   法。