JPH10312582A - 光学的情報記録担体の初期化装置 - Google Patents
光学的情報記録担体の初期化装置Info
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- JPH10312582A JPH10312582A JP9121970A JP12197097A JPH10312582A JP H10312582 A JPH10312582 A JP H10312582A JP 9121970 A JP9121970 A JP 9121970A JP 12197097 A JP12197097 A JP 12197097A JP H10312582 A JPH10312582 A JP H10312582A
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- Japan
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- semiconductor laser
- optical
- recording film
- light beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化記録膜を持つ光ディスクの初期化おい
て、高出力半導体レーザのもつ強度分布の影響が光ディ
スクの記録膜の反射率変動に現れないような装置を提供
することを目的とする。 【解決手段】 初期化装置の光ピックアップ７内の半導
体レーザ４の配置において、前記半導体レーザ４の接合
面が光ディスクの接線方向に投影すると様にし、且つ光
ディスク１上の照射ビームが接線方向に長い楕円形状に
する。
て、高出力半導体レーザのもつ強度分布の影響が光ディ
スクの記録膜の反射率変動に現れないような装置を提供
することを目的とする。 【解決手段】 初期化装置の光ピックアップ７内の半導
体レーザ４の配置において、前記半導体レーザ４の接合
面が光ディスクの接線方向に投影すると様にし、且つ光
ディスク１上の照射ビームが接線方向に長い楕円形状に
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は相変化型記録膜等の
記録および消去可能な記録面を有する円盤状光学的記録
情報担体の製造工程における初期化処理、すなわち円盤
状光学的記録情報担体の記録膜状態をアモルファス状態
から結晶状態に遷移させて、記録膜の反射率を上昇させ
る処理を行う初期化装置に利用する。
記録および消去可能な記録面を有する円盤状光学的記録
情報担体の製造工程における初期化処理、すなわち円盤
状光学的記録情報担体の記録膜状態をアモルファス状態
から結晶状態に遷移させて、記録膜の反射率を上昇させ
る処理を行う初期化装置に利用する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度、大容量で寿命特性に優れ
る円盤状光学的記録情報担体を用いた情報記録装置が注
目され、各種の製品化提案が数多くなされている。
る円盤状光学的記録情報担体を用いた情報記録装置が注
目され、各種の製品化提案が数多くなされている。
【０００３】以下に、このような装置に用いられる円盤
状光学的記録情報担体について図面を用いて説明する。
状光学的記録情報担体について図面を用いて説明する。
【０００４】図６は円盤状光学的記録情報担体（以下光
ディスクと称す）の概略構造図であり、相変化記録膜を
有する消去可能な光ディスク１は同図に示すように、光
ディスク１上にアドレス部１Ｄと案内溝部１Ｅを有して
いる。
ディスクと称す）の概略構造図であり、相変化記録膜を
有する消去可能な光ディスク１は同図に示すように、光
ディスク１上にアドレス部１Ｄと案内溝部１Ｅを有して
いる。
【０００５】このような光ディスク１の初期化を行う従
来の初期化装置について図５を用いて説明する。
来の初期化装置について図５を用いて説明する。
【０００６】光ディスク１はターンテーブルモータ２に
保持され、ターンテーブルモータ２やターンテーブルモ
ータ制御回路３の駆動手段によって一定線速度制御（Ｃ
ＬＶ）で回転している。
保持され、ターンテーブルモータ２やターンテーブルモ
ータ制御回路３の駆動手段によって一定線速度制御（Ｃ
ＬＶ）で回転している。
【０００７】光ピックアップ７０は半導体レーザ４０、
コリメータレンズ５、対物レンズ６等から構成され、半
導体レーザ４０からの出射光ビームｄ１はコリメータレ
ンズ５、偏光特性を有するミラー１５、対物レンズ６を
経て光ビームｄ２として光ディスク１上の記録膜面Ａ上
に集束照射される。この時の記録膜面Ａ上の光ビーム形
状は初期化工程の作業能率を高める為に、図７に示すよ
うに光ディスク１の径方向に拡がった楕円形状をしてお
り、その大きさは約５０＊１μｍ程度である。半導体レ
ーザ４０は約１Ｗのエネルギーを持つ光ビームｄ１を出
射し、半導体レーザ４０の発光幅は接合面に対して垂直
方向と水平方向で大きく異なり、その大きさは垂直方向
で約１〜２μｍ、水平方向は約１００μｍで、光ビーム
ｄ１の放射角も垂直方向で約１０度、水平方向で約３０
度となる。
コリメータレンズ５、対物レンズ６等から構成され、半
導体レーザ４０からの出射光ビームｄ１はコリメータレ
ンズ５、偏光特性を有するミラー１５、対物レンズ６を
経て光ビームｄ２として光ディスク１上の記録膜面Ａ上
に集束照射される。この時の記録膜面Ａ上の光ビーム形
状は初期化工程の作業能率を高める為に、図７に示すよ
うに光ディスク１の径方向に拡がった楕円形状をしてお
り、その大きさは約５０＊１μｍ程度である。半導体レ
ーザ４０は約１Ｗのエネルギーを持つ光ビームｄ１を出
射し、半導体レーザ４０の発光幅は接合面に対して垂直
方向と水平方向で大きく異なり、その大きさは垂直方向
で約１〜２μｍ、水平方向は約１００μｍで、光ビーム
ｄ１の放射角も垂直方向で約１０度、水平方向で約３０
度となる。
【０００８】この為に半導体レーザ４０の接合面が光デ
ィスクの半径方向に投影される様に光ピックアップ内で
設置し、図７に示すような楕円のビーム形状を実現して
いる。
ィスクの半径方向に投影される様に光ピックアップ内で
設置し、図７に示すような楕円のビーム形状を実現して
いる。
【０００９】光ディスク１の傾きや光ディスク１の記録
膜面Ａの面振れ、歪みによって、光ディスク１上の記録
膜面Ａが上下変動し、対物レンズ６と記録膜面Ａ間の距
離が変化し、常に記録膜面Ａ上に光ビームｄ２が集束照
射できなくなる。このため光ビームの自動焦点制御が必
要となる。
膜面Ａの面振れ、歪みによって、光ディスク１上の記録
膜面Ａが上下変動し、対物レンズ６と記録膜面Ａ間の距
離が変化し、常に記録膜面Ａ上に光ビームｄ２が集束照
射できなくなる。このため光ビームの自動焦点制御が必
要となる。
【００１０】本例では別の光源を用いて、上記自動焦点
制御を実現している。図５においてＨｅ−Ｎｅレーザ１
１からの出射光ビームｃ１はレンズ１２、偏光ビームス
プリッター１３、λ／４板１４、ミラ−１５、対物レン
ズ６を経て記録膜面Ａに入射する。記録膜面Ａからの反
射光ビームｃ２はミラー１５、λ／４板１４、偏光ビー
ムスプリッター１３を経て２分割光ディテクター１６に
入射する。この時のミラー１５は光ビームｃ２は透過す
るが、Ｈｅ−Ｎｅレーザ１１からの出射光ビームｃ１は
反射する特性を持っている。光ディスク１の記録膜面Ａ
の上下変動に伴い、光ビームｃ２は２分割光ディテクタ
ー１６上で図８の矢印の方向に動く。
制御を実現している。図５においてＨｅ−Ｎｅレーザ１
１からの出射光ビームｃ１はレンズ１２、偏光ビームス
プリッター１３、λ／４板１４、ミラ−１５、対物レン
ズ６を経て記録膜面Ａに入射する。記録膜面Ａからの反
射光ビームｃ２はミラー１５、λ／４板１４、偏光ビー
ムスプリッター１３を経て２分割光ディテクター１６に
入射する。この時のミラー１５は光ビームｃ２は透過す
るが、Ｈｅ−Ｎｅレーザ１１からの出射光ビームｃ１は
反射する特性を持っている。光ディスク１の記録膜面Ａ
の上下変動に伴い、光ビームｃ２は２分割光ディテクタ
ー１６上で図８の矢印の方向に動く。
【００１１】２分割光ディテクター１６の出力は差動ア
ンプ１７、フォーカス制御回路１８を通じてフォーカス
制御用のリニアモータ１９を駆動し、対物レンズ６を上
下に移動させることで、常に出射光ビームｄ１が光ディ
スク１の記録膜面Ａに集束照射できるように制御する。
ンプ１７、フォーカス制御回路１８を通じてフォーカス
制御用のリニアモータ１９を駆動し、対物レンズ６を上
下に移動させることで、常に出射光ビームｄ１が光ディ
スク１の記録膜面Ａに集束照射できるように制御する。
【００１２】光ディスク１へ集束照射される光ビームｄ
２の径方向位置Ｒはリニアースケール８で測定され、リ
ニアースケール８の出力はターンテーブルモータ制御回
路３に入力され、光ビームｄ２の照射位置Ｒに応じてＣ
ＬＶ制御される。また同時に光ピックアップ７０は光ピ
ックアップ移動装置１０によってターンテーブルモータ
８の回転数と連動し径方向への移動する。更に半導体レ
ーザ制御回路９の出力は半導体レーザ４０に加えられ、
光ビームｄ１の強度を一定に保つように制御する。これ
らの動作によって光ディスク１の記録膜上に常に最適な
初期化条件を実現できるよう一定線速度で一定強度の光
ビームｄ２が照射され、この照射ビームエネルギーによ
り膜温度が結晶化温度以上に上昇し、記録膜の状態がア
モルファスから結晶状態に遷移する。
２の径方向位置Ｒはリニアースケール８で測定され、リ
ニアースケール８の出力はターンテーブルモータ制御回
路３に入力され、光ビームｄ２の照射位置Ｒに応じてＣ
ＬＶ制御される。また同時に光ピックアップ７０は光ピ
ックアップ移動装置１０によってターンテーブルモータ
８の回転数と連動し径方向への移動する。更に半導体レ
ーザ制御回路９の出力は半導体レーザ４０に加えられ、
光ビームｄ１の強度を一定に保つように制御する。これ
らの動作によって光ディスク１の記録膜上に常に最適な
初期化条件を実現できるよう一定線速度で一定強度の光
ビームｄ２が照射され、この照射ビームエネルギーによ
り膜温度が結晶化温度以上に上昇し、記録膜の状態がア
モルファスから結晶状態に遷移する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の初
期化装置では、使用する高出力半導体レーザ４０のビー
ム強度分布が図９に示すように約±２０％の変動を持つ
為に、光ディスク１上に照射される光ビームｄ２のビー
ム強度も同様の強度分布を持つ。光ディスク１上の記録
膜１Ｂは光ビームｄ２の照射エネルギーによって、アモ
ルファスから結晶化状態に遷移するが、受ける光ビーム
ｄ２の照射エネルギー強度によって結晶化の度合いが異
なる、あるいは、照射エネルギー強度の特に高い部分で
は結晶状態を越え、溶融しその後の急激な冷却によりア
モルファス状態になる。この為に図９に示すような強度
分布を持つ光ビームを受けると初期化される記録膜は部
分的に筋状の膜反射率変化を生じる。
期化装置では、使用する高出力半導体レーザ４０のビー
ム強度分布が図９に示すように約±２０％の変動を持つ
為に、光ディスク１上に照射される光ビームｄ２のビー
ム強度も同様の強度分布を持つ。光ディスク１上の記録
膜１Ｂは光ビームｄ２の照射エネルギーによって、アモ
ルファスから結晶化状態に遷移するが、受ける光ビーム
ｄ２の照射エネルギー強度によって結晶化の度合いが異
なる、あるいは、照射エネルギー強度の特に高い部分で
は結晶状態を越え、溶融しその後の急激な冷却によりア
モルファス状態になる。この為に図９に示すような強度
分布を持つ光ビームを受けると初期化される記録膜は部
分的に筋状の膜反射率変化を生じる。
【００１４】この様な膜反射率変化が生じると、この光
ディスク１を使用する記録再生装置で、光ディスク１の
案内溝を追従を行うトラッキングサーボに悪影響を与
え、トラッキングはずれ等を生じる。
ディスク１を使用する記録再生装置で、光ディスク１の
案内溝を追従を行うトラッキングサーボに悪影響を与
え、トラッキングはずれ等を生じる。
【００１５】本発明はこの様な従来の初期化装置が所有
する課題を解決するための手段を提供し、安定な初期化
を行い、高品質の光ディスクを生産することを目的とす
る。
する課題を解決するための手段を提供し、安定な初期化
を行い、高品質の光ディスクを生産することを目的とす
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明においては上記の
課題を解決するために、光ピックアップ内に設置する半
導体レーザの方向を従来例に対して、９０°回転した状
態、すなわち半導体レーザ４の接合面が光ディスク１の
接線方向に投影される様に取り付け、光ディスク１の記
録膜面Ａ上で半導体レーザ４が持つ発光強度分布の影響
が生じないようにしたものである。
課題を解決するために、光ピックアップ内に設置する半
導体レーザの方向を従来例に対して、９０°回転した状
態、すなわち半導体レーザ４の接合面が光ディスク１の
接線方向に投影される様に取り付け、光ディスク１の記
録膜面Ａ上で半導体レーザ４が持つ発光強度分布の影響
が生じないようにしたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、スパイラルもしくは同心円状のトラックを有する円
盤状光学記録担体を所定の回転数で回転させる手段と、
少なくとも半導体レーザと対物レンズからなり、前記円
盤状光学記録担体上の記録膜に前記半導体レーザからの
出射光ビームを集光照射する光ピックアップと、前記光
ピックアップを前記円盤状光学記録担体の径方向に移動
させる移動装置と、前記半導体レーザから出射する光ビ
ームの強度を一定に制御する半導体レーザ制御装置から
構成させる初期化装置であって、前記半導体レーザは初
期化を行う為の放射線源であり、且つ前記半導体レーザ
の接合面が円盤状光学記録担体のトラックの接線方向に
位置する様に構成された光ピックアップを持つものであ
り、発光強度分布が光ディスクの記録膜に影響しない様
にできるばかりでなく、接線方向に長い光ビームによっ
て、記録膜の加熱・冷却時間が長くとれることで、記録
膜にダメージを起こしにくくする様な初期化処理が行え
るという作用を有する。
は、スパイラルもしくは同心円状のトラックを有する円
盤状光学記録担体を所定の回転数で回転させる手段と、
少なくとも半導体レーザと対物レンズからなり、前記円
盤状光学記録担体上の記録膜に前記半導体レーザからの
出射光ビームを集光照射する光ピックアップと、前記光
ピックアップを前記円盤状光学記録担体の径方向に移動
させる移動装置と、前記半導体レーザから出射する光ビ
ームの強度を一定に制御する半導体レーザ制御装置から
構成させる初期化装置であって、前記半導体レーザは初
期化を行う為の放射線源であり、且つ前記半導体レーザ
の接合面が円盤状光学記録担体のトラックの接線方向に
位置する様に構成された光ピックアップを持つものであ
り、発光強度分布が光ディスクの記録膜に影響しない様
にできるばかりでなく、接線方向に長い光ビームによっ
て、記録膜の加熱・冷却時間が長くとれることで、記録
膜にダメージを起こしにくくする様な初期化処理が行え
るという作用を有する。
【００１８】請求項２に記載の発明は、光ピックアップ
内に複数個の半導体レーザを配置し、且つ前記各半導体
レーザの接合面が円盤状光学記録担体のトラック方向の
接線方向に位置する様に構成された光ピックアップを持
つものであり、請求項１の作用に加え、より広い範囲を
安定に初期化する事ができるという作用を有する。
内に複数個の半導体レーザを配置し、且つ前記各半導体
レーザの接合面が円盤状光学記録担体のトラック方向の
接線方向に位置する様に構成された光ピックアップを持
つものであり、請求項１の作用に加え、より広い範囲を
安定に初期化する事ができるという作用を有する。
【００１９】以下、本発明の実施例について図面に基づ
いて説明する。図１は実施例１における初期化装置の構
成図を示し、従来例と同一構成要素については同一番号
を用い説明を省略する。
いて説明する。図１は実施例１における初期化装置の構
成図を示し、従来例と同一構成要素については同一番号
を用い説明を省略する。
【００２０】実施例１では従来例と異なり、半導体レー
ザ４の接合面が光ディスク１の接線方向すなわちトラッ
ク方向に投影される様に光ピックアップ７内で設置され
る。半導体レーザ４から出射光ビームａ１はレンズ５、
ミラー１５、対物レンズ６を経て光ビームａ２として光
ディスク１上の記録膜面Ａ上に集束照射される。この時
の記録膜面Ａ上のビーム形状は図２に示す様に光ディス
ク１の接線方向に拡がった楕円形状をしており、光ビー
ム強度分布が光ディスク１の案内溝方向、すなわち接線
方向になる様に配置する。更に径方向に光ビーム形状を
広げる為に、自動焦点制御ループ内の加算回路２０にオ
フセット電圧Ｖｆを加え、光ディスク１の記録膜面Ａ上
で一定の焦点ずれを起こす様にする。
ザ４の接合面が光ディスク１の接線方向すなわちトラッ
ク方向に投影される様に光ピックアップ７内で設置され
る。半導体レーザ４から出射光ビームａ１はレンズ５、
ミラー１５、対物レンズ６を経て光ビームａ２として光
ディスク１上の記録膜面Ａ上に集束照射される。この時
の記録膜面Ａ上のビーム形状は図２に示す様に光ディス
ク１の接線方向に拡がった楕円形状をしており、光ビー
ム強度分布が光ディスク１の案内溝方向、すなわち接線
方向になる様に配置する。更に径方向に光ビーム形状を
広げる為に、自動焦点制御ループ内の加算回路２０にオ
フセット電圧Ｖｆを加え、光ディスク１の記録膜面Ａ上
で一定の焦点ずれを起こす様にする。
【００２１】この焦点ずれにより、記録膜面Ａに照射さ
れる光ビーム形状は幅と接線方向長さの関係が約５＊１
００μｍ程度となる。
れる光ビーム形状は幅と接線方向長さの関係が約５＊１
００μｍ程度となる。
【００２２】実施例１では図２の（ａ）に示すように記
録膜面Ａ上のビーム形状は接線方向に拡がった楕円形状
を及び、図２の（ｂ）に示すように接線方向に対して幾
分傾いている場合も有効である。この傾きは楕円スポッ
トの長径と短径の関係で許容量が決められ、θ＝ｔａｎ
（短径／長径）程度までが良好な範囲であり、その角度
が大きくなるに従い従来例との差が無くなるため左記に
述べた課題が発生しやすくなる。
録膜面Ａ上のビーム形状は接線方向に拡がった楕円形状
を及び、図２の（ｂ）に示すように接線方向に対して幾
分傾いている場合も有効である。この傾きは楕円スポッ
トの長径と短径の関係で許容量が決められ、θ＝ｔａｎ
（短径／長径）程度までが良好な範囲であり、その角度
が大きくなるに従い従来例との差が無くなるため左記に
述べた課題が発生しやすくなる。
【００２３】更に、図３に示す様に、実施例２では光ピ
ックアップ７’内に第二の半導体レーザ２１、レンズ２
２と対物レンズ６に光ビームａ１’とｂ１を導くプリズ
ム２３を設け、図３に示す様に、幅と接戦方向長さの関
係が約５＊１００μｍ程度のものを略半径方向に複数個
並べた光ビームを記録膜面Ａ上に照射する。この時、光
ビームａ２’とｂ２の位置関係は径方向に重ならないよ
うに配置されている。
ックアップ７’内に第二の半導体レーザ２１、レンズ２
２と対物レンズ６に光ビームａ１’とｂ１を導くプリズ
ム２３を設け、図３に示す様に、幅と接戦方向長さの関
係が約５＊１００μｍ程度のものを略半径方向に複数個
並べた光ビームを記録膜面Ａ上に照射する。この時、光
ビームａ２’とｂ２の位置関係は径方向に重ならないよ
うに配置されている。
【００２４】また第二の半導体レーザ制御回路２４の出
力は第二の半導体レーザ２１加えられ、光ビームｂ１の
強度を一定に保つように制御する。
力は第二の半導体レーザ２１加えられ、光ビームｂ１の
強度を一定に保つように制御する。
【００２５】これにより径方向のビーム幅が増大し、１
回転あたりのイニシャライズ幅が増大し、安定な初期化
と共に初期化スピードを向上することができるものであ
る。
回転あたりのイニシャライズ幅が増大し、安定な初期化
と共に初期化スピードを向上することができるものであ
る。
【００２６】なお上記の実施例では、光ディスクを初期
化する装置について述べたが、同様の構成を有する光カ
ードや光テープ等のトラック方向を本発明の接線方向と
して応用することは本発明の範囲であり、接線方向に特
定の範囲内で傾けて実施することも本発明の範囲であ
る。
化する装置について述べたが、同様の構成を有する光カ
ードや光テープ等のトラック方向を本発明の接線方向と
して応用することは本発明の範囲であり、接線方向に特
定の範囲内で傾けて実施することも本発明の範囲であ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上の様に、本発明は簡単な構成で初期
化装置に使用する高出力の半導体レーザが持つ発光強度
分布が光ディスク１の記録膜Ａに影響しない様にできる
ばかりでなく、接線方向に長い光ビームによって、従来
とくらべて記録膜の加熱・冷却時間が長くとれること
で、記録膜にダメージを起こしにくくする様な高品質記
録膜を実現する初期化処理が行えるものである。
化装置に使用する高出力の半導体レーザが持つ発光強度
分布が光ディスク１の記録膜Ａに影響しない様にできる
ばかりでなく、接線方向に長い光ビームによって、従来
とくらべて記録膜の加熱・冷却時間が長くとれること
で、記録膜にダメージを起こしにくくする様な高品質記
録膜を実現する初期化処理が行えるものである。
【図１】本発明の実施例１の初期化装置の構成図
【図２】本発明の実施例１における光ディスクの記録膜
面上の光ビーム形状図
面上の光ビーム形状図
【図３】本発明の実施例２の初期化装置の構成図
【図４】本発明の実施例２における光ディスクの記録膜
面上の光ビーム形状図
面上の光ビーム形状図
【図５】従来例の初期化装置の構成図
【図６】光ディスク１の概略構成図
【図７】従来例における光ディスクの記録膜面上の光ビ
ーム形状図
ーム形状図
【図８】従来例における光ディテクター上での光ビーム
３ａの動き模式図
３ａの動き模式図
【図９】半導体レーザのビーム強度分布図
１ 光ディスク ２ ターンテーブルモータ ３ ターンテーブルモータ制御回路 ４，２１ 半導体レーザ ５，２２ コリメータレンズ ６ 対物レンズ ７ 光ピックアップ ８ リニアスケール ９，２４ 半導体レーザ制御回路 １０ 光ピックアップ移動装置 １１ ＨｅーＮｅレーザ １２ レンズ １３ 偏光ビームスプリッター １４ λ／４板 １５ ミラー １６ ２分割光ディテクター １７ 差動アンプ １８ フォーカス制御回路 １９ リニアモータ ２０ 加算回路 ２３ プリズム
Claims (2)
- 【請求項１】スパイラルもしくは同心円状のトラックを
有する円盤状光学記録担体を所定の回転数で回転させる
手段と、少なくとも半導体レーザと対物レンズからな
り、前記円盤状光学記録担体上の記録膜に前記半導体レ
ーザからの出射光ビームを集光照射する光ピックアップ
と、前記光ピックアップを前記円盤状光学記録担体の径
方向に移動させる移動装置と、前記半導体レーザから出
射する光ビームの強度を一定に制御する半導体レーザ制
御装置から構成させる初期化装置であって、前記半導体
レーザは初期化を行う為の放射線源であり、且つ前記半
導体レーザの接合面が円盤状光学記録担体のトラックの
接線方向に位置する様に構成された光ピックアップを持
つことを特徴とする光学的情報記録担体の初期化装置。 - 【請求項２】前記光ピックアップ内に複数個の半導体レ
ーザを配置し、且つ前記各半導体レーザの接合面が円盤
状光学記録担体のトラック方向の接線方向に位置する様
に構成された光ピックアップを持つことを特徴とする請
求項１記載の光学的情報記録担体の初期化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9121970A JPH10312582A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 光学的情報記録担体の初期化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9121970A JPH10312582A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 光学的情報記録担体の初期化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10312582A true JPH10312582A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14824383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9121970A Pending JPH10312582A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 光学的情報記録担体の初期化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10312582A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1014353A3 (en) * | 1998-12-24 | 2001-08-29 | Ricoh Company | Initialization of phase-change optical recording medium |
| US7482109B2 (en) | 2001-02-01 | 2009-01-27 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
-
1997
- 1997-05-13 JP JP9121970A patent/JPH10312582A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1014353A3 (en) * | 1998-12-24 | 2001-08-29 | Ricoh Company | Initialization of phase-change optical recording medium |
| US6445669B1 (en) | 1998-12-24 | 2002-09-03 | Ricoh Company, Ltd. | Initialization of phase-change optical recording medium |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031216 |