JPH10312592A - 情報処理装置および情報処理方法 - Google Patents
情報処理装置および情報処理方法Info
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- JPH10312592A JPH10312592A JP9137761A JP13776197A JPH10312592A JP H10312592 A JPH10312592 A JP H10312592A JP 9137761 A JP9137761 A JP 9137761A JP 13776197 A JP13776197 A JP 13776197A JP H10312592 A JPH10312592 A JP H10312592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- information processing
- piezoresistor
- recording medium
- probes
- Prior art date
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- Withdrawn
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
- G11B9/1427—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement
- G11B9/1436—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/85—Scanning probe control process
- Y10S977/851—Particular movement or positioning of scanning tip
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/874—Probe tip array
Landscapes
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ピエゾ抵抗による変位検出手段を備えた情報処
理手段において、プローブ平面と記録媒体表面との２平
面を簡便な手段により平行に設定する。 【解決手段】記録媒体１０２に対して探針を走査し、そ
の物理的相互作用により情報の書き込みと読み出しを行
なう複数のプローブ１０１を平面内に２次元的に配置
し、情報の記録再生の際にプローブ平面と記録媒体表面
との２平面を平行に設定する位置設定手段を備えた情報
処理装置であって、位置設定手段がピエゾ抵抗体を備え
たカンチレバーからなる３本の位置検出プローブを平面
内において同一直線状にない位置に配し、ピエゾ抵抗全
体を並列に接続して測定したピエゾ抵抗体の電気抵抗の
変化によりプローブ平面と記録媒体表面の傾きを補正
し、その直列接続への切り替えにより測定したピエゾ抵
抗体の電気抵抗の変化によってプローブ平面と媒体基板
面の間の距離を調整する。
理手段において、プローブ平面と記録媒体表面との２平
面を簡便な手段により平行に設定する。 【解決手段】記録媒体１０２に対して探針を走査し、そ
の物理的相互作用により情報の書き込みと読み出しを行
なう複数のプローブ１０１を平面内に２次元的に配置
し、情報の記録再生の際にプローブ平面と記録媒体表面
との２平面を平行に設定する位置設定手段を備えた情報
処理装置であって、位置設定手段がピエゾ抵抗体を備え
たカンチレバーからなる３本の位置検出プローブを平面
内において同一直線状にない位置に配し、ピエゾ抵抗全
体を並列に接続して測定したピエゾ抵抗体の電気抵抗の
変化によりプローブ平面と記録媒体表面の傾きを補正
し、その直列接続への切り替えにより測定したピエゾ抵
抗体の電気抵抗の変化によってプローブ平面と媒体基板
面の間の距離を調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、探針と試料を両者
間に電圧を印加し、接近させることによって生じる電気
現象を利用した情報の記録再生装置及び方法に係り、特
に探針と試料との間に流れる電流値を測定し、その電流
信号の変化から記録されている情報を再生する情報処理
装置及び方法に関する。
間に電圧を印加し、接近させることによって生じる電気
現象を利用した情報の記録再生装置及び方法に係り、特
に探針と試料との間に流れる電流値を測定し、その電流
信号の変化から記録されている情報を再生する情報処理
装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、探針と試料とを接近させ、その時
に生じる物理現象（トンネル現象、原子間力等）を利用
して、物質表面及び表面近傍の電子構造を直接観察でき
る走査型プローブ顕微鏡（以下ＳＰＭと略す）が開発さ
れ、単結晶、非晶質を問わず様々な物理量の実空間像を
高い分解能で測定できるようになっている。産業分野に
おいては、近年、ＳＰＭの原子あるいは分子サイズの高
分解能を有する原理に着目し、特開昭６３−１６１５５
２号公報および特開昭６３−１６１５５３号公報に開示
されているように、媒体に記録層を用いることによる情
報記録再生装置への応用、実用化が精力的に進められて
いる。
に生じる物理現象（トンネル現象、原子間力等）を利用
して、物質表面及び表面近傍の電子構造を直接観察でき
る走査型プローブ顕微鏡（以下ＳＰＭと略す）が開発さ
れ、単結晶、非晶質を問わず様々な物理量の実空間像を
高い分解能で測定できるようになっている。産業分野に
おいては、近年、ＳＰＭの原子あるいは分子サイズの高
分解能を有する原理に着目し、特開昭６３−１６１５５
２号公報および特開昭６３−１６１５５３号公報に開示
されているように、媒体に記録層を用いることによる情
報記録再生装置への応用、実用化が精力的に進められて
いる。
【０００３】上記のような情報記録再生装置への応用に
際しては、その転送レートの向上のために、複数プロー
ブの並列処理（マルチ化）が進んでいる。また、そのた
めのプローブ作製プロセスも、従来の半導体プロセス等
を用いて検討されている。例えば、２００Ｍｂｐｓ程度
の転送速度を得るためには、１本当たり１００ｋｂｐｓ
のプローブを用いた場合２０００本のプローブが必要に
なってくる。２０００本のプローブは例えば同一基板上
に半導体プロセスを用いて作製されるが、多くの場合こ
れらのプローブは基板面に２次元的に配置される。この
ように、２次元的にプローブを配置した場合、すべての
プローブが媒体と相互作用を起こすことができる距離に
合わせるには、媒体表面とプローブ基板の平行性を保つ
ことが必要不可欠である。そのためには、例えばプロー
ブ基板上にプローブ基板と記録媒体との距離を測定する
ための測定機構を３点以上設けることによって、それら
によって測定される距離情報から２面の平行を保つこと
ができる。
際しては、その転送レートの向上のために、複数プロー
ブの並列処理（マルチ化）が進んでいる。また、そのた
めのプローブ作製プロセスも、従来の半導体プロセス等
を用いて検討されている。例えば、２００Ｍｂｐｓ程度
の転送速度を得るためには、１本当たり１００ｋｂｐｓ
のプローブを用いた場合２０００本のプローブが必要に
なってくる。２０００本のプローブは例えば同一基板上
に半導体プロセスを用いて作製されるが、多くの場合こ
れらのプローブは基板面に２次元的に配置される。この
ように、２次元的にプローブを配置した場合、すべての
プローブが媒体と相互作用を起こすことができる距離に
合わせるには、媒体表面とプローブ基板の平行性を保つ
ことが必要不可欠である。そのためには、例えばプロー
ブ基板上にプローブ基板と記録媒体との距離を測定する
ための測定機構を３点以上設けることによって、それら
によって測定される距離情報から２面の平行を保つこと
ができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、距離測
定を複数点で同時に行う場合に、従来から用いられてい
る光りてこ方式のＡＦＭでは、光検出系の構成が必要で
あり、複数プローブの変位を同時に測定する機構は極め
て複雑であり、その上プローブの集積化の点から考えて
も問題となっていた。一方最近は、ピエゾ抵抗ＡＦＭと
いう技術が変位測定に用いられている。それは例えば、
特開平５−１９６４５８号公報に示されているような半
導体の機械的な歪みによる抵抗変化を利用してカンチレ
バー等の変位検出系の変形歪みを抵抗変化で読み取ると
いうものである。このような変位検出手段を用いた場合
には従来の光りてこ方式のＡＦＭの様な光検出系等を用
いる必要がなく、抵抗変化のみを検出すれば良いので複
数の変位検出プローブを基板上に集積化するのに好都合
である。
定を複数点で同時に行う場合に、従来から用いられてい
る光りてこ方式のＡＦＭでは、光検出系の構成が必要で
あり、複数プローブの変位を同時に測定する機構は極め
て複雑であり、その上プローブの集積化の点から考えて
も問題となっていた。一方最近は、ピエゾ抵抗ＡＦＭと
いう技術が変位測定に用いられている。それは例えば、
特開平５−１９６４５８号公報に示されているような半
導体の機械的な歪みによる抵抗変化を利用してカンチレ
バー等の変位検出系の変形歪みを抵抗変化で読み取ると
いうものである。このような変位検出手段を用いた場合
には従来の光りてこ方式のＡＦＭの様な光検出系等を用
いる必要がなく、抵抗変化のみを検出すれば良いので複
数の変位検出プローブを基板上に集積化するのに好都合
である。
【０００５】本発明は、このようにピエゾ抵抗による変
位検出手段を備えた情報処理手段において、プローブ平
面と記録媒体表面との２平面を簡便な手段により平行に
設定することのできる情報処理装置および情報処理方法
を提供することを目的としている。
位検出手段を備えた情報処理手段において、プローブ平
面と記録媒体表面との２平面を簡便な手段により平行に
設定することのできる情報処理装置および情報処理方法
を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、情報処理装置および情報処理方法をつぎの
ように構成したことを特徴とするものである。すなわ
ち、本発明の情報処理装置は、記録媒体に対して探針を
走査し、その物理的相互作用により情報の書き込みと読
み出しを行なう複数のプローブが平面内に２次元的に配
置され、情報の記録再生の際にプローブ平面と記録媒体
表面との２平面を平行に設定する位置設定手段を備えた
情報処理装置であって、前記位置設定手段がピエゾ抵抗
体を備えたカンチレバーからなる少なくとも３本の位置
検出プローブを有し、該３本の位置検出プローブが２次
元的に配置されたプローブ平面内において同一直線状に
ない位置に配されていることを特徴としている。また、
本発明の情報処理装置は、前記位置設定手段が、前記ピ
エゾ抵抗体の電気抵抗を測定する抵抗測定器を有してい
ることを特徴としている。また、本発明の情報処理装置
は、前記位置設定手段が、前記ピエゾ抵抗体におけるピ
エゾ抵抗全体を並列あるいは直列に切り換えることので
きる切り換え機構を有していることを特徴としている。
また、本発明の情報処理装置は、上記切り換え機構を有
する情報処理装置を用いて情報の処理を行う情報処理方
法であって、ピエゾ抵抗全体を並列に接続して測定され
たピエゾ抵抗体の電気抵抗の変化によりプローブ平面と
記録媒体表面の傾きを補正すると共に、その直列接続へ
の切り替えにより測定されたピエゾ抵抗体の電気抵抗の
変化によってプローブ平面と媒体基板面の間の距離を調
整し、これらの動作を順次行いプローブ平面と記録媒体
表面との位置を制御して情報の処理を行うことを特徴と
している。
決するため、情報処理装置および情報処理方法をつぎの
ように構成したことを特徴とするものである。すなわ
ち、本発明の情報処理装置は、記録媒体に対して探針を
走査し、その物理的相互作用により情報の書き込みと読
み出しを行なう複数のプローブが平面内に２次元的に配
置され、情報の記録再生の際にプローブ平面と記録媒体
表面との２平面を平行に設定する位置設定手段を備えた
情報処理装置であって、前記位置設定手段がピエゾ抵抗
体を備えたカンチレバーからなる少なくとも３本の位置
検出プローブを有し、該３本の位置検出プローブが２次
元的に配置されたプローブ平面内において同一直線状に
ない位置に配されていることを特徴としている。また、
本発明の情報処理装置は、前記位置設定手段が、前記ピ
エゾ抵抗体の電気抵抗を測定する抵抗測定器を有してい
ることを特徴としている。また、本発明の情報処理装置
は、前記位置設定手段が、前記ピエゾ抵抗体におけるピ
エゾ抵抗全体を並列あるいは直列に切り換えることので
きる切り換え機構を有していることを特徴としている。
また、本発明の情報処理装置は、上記切り換え機構を有
する情報処理装置を用いて情報の処理を行う情報処理方
法であって、ピエゾ抵抗全体を並列に接続して測定され
たピエゾ抵抗体の電気抵抗の変化によりプローブ平面と
記録媒体表面の傾きを補正すると共に、その直列接続へ
の切り替えにより測定されたピエゾ抵抗体の電気抵抗の
変化によってプローブ平面と媒体基板面の間の距離を調
整し、これらの動作を順次行いプローブ平面と記録媒体
表面との位置を制御して情報の処理を行うことを特徴と
している。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、上記したようにピエゾ
抵抗体を備えたカンチレバーからなる少なくとも３本の
位置検出プローブというきわめて簡便な構成により、プ
ローブ平面と記録媒体表面の２平面を平行に設定するこ
とが可能となる。また、変位検出用プローブはピエゾ抵
抗を用いているために、従来のＡＦＭの様な光を用いた
変位検出とは異なり、半導体プロセスのみによって実現
できるため、集積化が可能となる上、特に、それらの変
位検出用プローブのピエゾ抵抗を直列・並列につなぎ変
えて抵抗値を測定し、動作させる構成により、各々のプ
ローブの抵抗を個別に測定する様な複雑な手間および回
路を不要とすることができる。
抵抗体を備えたカンチレバーからなる少なくとも３本の
位置検出プローブというきわめて簡便な構成により、プ
ローブ平面と記録媒体表面の２平面を平行に設定するこ
とが可能となる。また、変位検出用プローブはピエゾ抵
抗を用いているために、従来のＡＦＭの様な光を用いた
変位検出とは異なり、半導体プロセスのみによって実現
できるため、集積化が可能となる上、特に、それらの変
位検出用プローブのピエゾ抵抗を直列・並列につなぎ変
えて抵抗値を測定し、動作させる構成により、各々のプ
ローブの抵抗を個別に測定する様な複雑な手間および回
路を不要とすることができる。
【０００８】
【実施例】以下、図に基づいて本発明の実施例について
説明する。 ［実施例１］図１に、本発明における実施例１の構成の
概略を示す。図１の上図は横から見たところで、記録媒
体１０２に対して３つのプローブ基板１０３が対向して
おり、プローブ基板１０３には変位検出用プローブ１０
１が構成されている。このプローブの詳細はは図２に示
すようなもので、図２の上図に示したような形状をして
いる。２０３は片持ち梁で先端に探針２０１が付いてい
る。また、このプローブはｎタイプのＳｉ基板にｐタイ
プのピエゾ抵抗２０４を形成しレバーにしたもので、図
２の下図に示すようになっている。ここで、２０１は探
針で２０５が絶縁保護用のＳｉ酸化膜からなる絶縁体保
護層、２０２はピエゾ抵抗測定用の取り出し線である金
属配線パターンでアルミ蒸着により形成されている。
説明する。 ［実施例１］図１に、本発明における実施例１の構成の
概略を示す。図１の上図は横から見たところで、記録媒
体１０２に対して３つのプローブ基板１０３が対向して
おり、プローブ基板１０３には変位検出用プローブ１０
１が構成されている。このプローブの詳細はは図２に示
すようなもので、図２の上図に示したような形状をして
いる。２０３は片持ち梁で先端に探針２０１が付いてい
る。また、このプローブはｎタイプのＳｉ基板にｐタイ
プのピエゾ抵抗２０４を形成しレバーにしたもので、図
２の下図に示すようになっている。ここで、２０１は探
針で２０５が絶縁保護用のＳｉ酸化膜からなる絶縁体保
護層、２０２はピエゾ抵抗測定用の取り出し線である金
属配線パターンでアルミ蒸着により形成されている。
【０００９】再び、図１に戻ると、プローブ基板１０３
は３つのアクチュエータ１０４で、記録媒体面に垂直方
向にプローブ基板を駆動するようになっている。１０５
はアクチュエータ駆動ユニットでアクチュエータの支持
も行なっている。このアクチュエータ駆動ユニット１０
５は面合わせ制御回路１０６の制御信号によってそれぞ
れのアクチュエータを駆動する。面合わせ制御回路１０
６はプローブ基板から送られてくる出力信号である抵抗
値を元に制御しているが、その抵抗値は面合わせ制御回
路１０６の出力する切り換え制御信号に基づいて後述す
るように変化する。図１の下図はプローブ基板１０３を
下から見たところである。それぞれのプローブの配置は
面を決定するように同一ライン上にはない。図中点線で
示した四角はアクチュエータ１０４の位置を示してい
る。（以降、それぞれのアクチュエータをプローブの記
号をとってアクチュエータＡ、アクチュエータＢ、アク
チュエータＣと呼ぶ。） それぞれのプローブの実際は図２に示すような構成及び
形状になっている。上図が正面から見たところ、下図が
断面である。このプローブの作製方法については特開平
５−１９６４５８号公報に開示されているＳＯＩ基板を
用いたプロセスと同様なものを用いて形成した。２０３
が基板及び片持ち梁アーム、２０４がピエゾ抵抗体、２
０１は探針、２０５は絶縁体保護層、２０２は金属配線
パターンである。Ｈは片持ち梁の実効的な長さ、Ｗは実
効的な幅の１／２、Ｈはレバーの厚さを示している。こ
の大きさによってレバーの機械特性（弾性定数や共振周
波数）が変化すると共に、ピエゾ抵抗の大きさにも影響
を与える。本実施例で使用したプローブはＷ＝２０μ
ｍ、Ｌ＝５０μｍ、Ｈ＝２μｍで、ピエゾ抵抗体の厚さ
＝０．５μｍ、応力が働かない場合の抵抗値Ｒinit＝１
７ｋΩ（プローブ間ばらつき０．０１％）であった。ま
た、共振周波数は１４５ｋＨｚであった。
は３つのアクチュエータ１０４で、記録媒体面に垂直方
向にプローブ基板を駆動するようになっている。１０５
はアクチュエータ駆動ユニットでアクチュエータの支持
も行なっている。このアクチュエータ駆動ユニット１０
５は面合わせ制御回路１０６の制御信号によってそれぞ
れのアクチュエータを駆動する。面合わせ制御回路１０
６はプローブ基板から送られてくる出力信号である抵抗
値を元に制御しているが、その抵抗値は面合わせ制御回
路１０６の出力する切り換え制御信号に基づいて後述す
るように変化する。図１の下図はプローブ基板１０３を
下から見たところである。それぞれのプローブの配置は
面を決定するように同一ライン上にはない。図中点線で
示した四角はアクチュエータ１０４の位置を示してい
る。（以降、それぞれのアクチュエータをプローブの記
号をとってアクチュエータＡ、アクチュエータＢ、アク
チュエータＣと呼ぶ。） それぞれのプローブの実際は図２に示すような構成及び
形状になっている。上図が正面から見たところ、下図が
断面である。このプローブの作製方法については特開平
５−１９６４５８号公報に開示されているＳＯＩ基板を
用いたプロセスと同様なものを用いて形成した。２０３
が基板及び片持ち梁アーム、２０４がピエゾ抵抗体、２
０１は探針、２０５は絶縁体保護層、２０２は金属配線
パターンである。Ｈは片持ち梁の実効的な長さ、Ｗは実
効的な幅の１／２、Ｈはレバーの厚さを示している。こ
の大きさによってレバーの機械特性（弾性定数や共振周
波数）が変化すると共に、ピエゾ抵抗の大きさにも影響
を与える。本実施例で使用したプローブはＷ＝２０μ
ｍ、Ｌ＝５０μｍ、Ｈ＝２μｍで、ピエゾ抵抗体の厚さ
＝０．５μｍ、応力が働かない場合の抵抗値Ｒinit＝１
７ｋΩ（プローブ間ばらつき０．０１％）であった。ま
た、共振周波数は１４５ｋＨｚであった。
【００１０】つぎに実際の動作について図３および図４
を用いて説明する。基板１０３上には図３（ａ）に示す
ように、それぞれのレバーの抵抗を切り換えるＳＷ１〜
４の４つのアナログスイッチが設けられている。本実施
例では、ＭＯＳ−ＦＥＴによるスイッチ回路をプロセス
によって基板上に作製した。これらのスイッチを図１の
面合わせ制御回路１０６の出力する切り換え制御信号に
よってオンオフ制御する。ピエゾ抵抗レバーはレバーた
わみ量ΔＺとレバー抵抗変化量ΔＲは原理的に比例関係
が成立している（詳細はＭ．Ｔｏｒｔｏｎｅｓｅ，Ｒ．
Ｃ．Ｂａｒｒｅｔｔ，ａｎｄ Ｃ．Ｆ．Ｑｕａｔｅ，Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６２，８３４（１９９
３）に記載されている。）。すなわち、ピエゾ抵抗Ｒ＝
Ｒ0＋ΔＲ＝Ｒ0＋αΔＺである。例えば、図１中の２プ
ローブＡ、Ｂを例に説明する。両探針が媒体に接触して
いない揚合には、それぞれの抵抗値はＲA0＝ＲB0＝Ｒ0
となる。プローブ基板と媒体が接近し、両プローブが接
触した場合には、両プローブのたわみ量をΔＺA、ΔＺB
とすれば、ＲA0＝Ｒ0＋αΔＺA、ＲB0＝Ｒ0＋αΔＺBと
なる。プローブ基板面と媒体面が平行な場合には、プロ
ーブＡとＢのたわみ量が等しく、両抵抗値は等しい。そ
こで、ここでＲA0とＲB0をＲA0＝Ｒ0＋αΔＺA＝Ｒ1＋
ΔＺ、ＲB0＝Ｒ0＋αΔＺB＝Ｒ1−ΔＺとすれば、ΔＺ
＝０で平行になる。そこで、このＲA0とＲB0を並列に接
続して（その抵抗をＲPとする）、それぞれのレバー位
置のアクチュエータＡ、Ｂを反対方向に等量ずつ動かし
ながら、ＲPが最大になるように調節する。ここで、Ｒ
-1 P＝（Ｒ1＋ΔＺ）-1＋（Ｒ1−ΔＺ）-1＝２Ｒ1（Ｒ2 1
−ΔＺ2 ）-1であるから、ＲPが最大のときには、ΔＺが
０となっている。すなわち、媒体面とプローブＡＢを結
ぶ線は並行となることがわかる。
を用いて説明する。基板１０３上には図３（ａ）に示す
ように、それぞれのレバーの抵抗を切り換えるＳＷ１〜
４の４つのアナログスイッチが設けられている。本実施
例では、ＭＯＳ−ＦＥＴによるスイッチ回路をプロセス
によって基板上に作製した。これらのスイッチを図１の
面合わせ制御回路１０６の出力する切り換え制御信号に
よってオンオフ制御する。ピエゾ抵抗レバーはレバーた
わみ量ΔＺとレバー抵抗変化量ΔＲは原理的に比例関係
が成立している（詳細はＭ．Ｔｏｒｔｏｎｅｓｅ，Ｒ．
Ｃ．Ｂａｒｒｅｔｔ，ａｎｄ Ｃ．Ｆ．Ｑｕａｔｅ，Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６２，８３４（１９９
３）に記載されている。）。すなわち、ピエゾ抵抗Ｒ＝
Ｒ0＋ΔＲ＝Ｒ0＋αΔＺである。例えば、図１中の２プ
ローブＡ、Ｂを例に説明する。両探針が媒体に接触して
いない揚合には、それぞれの抵抗値はＲA0＝ＲB0＝Ｒ0
となる。プローブ基板と媒体が接近し、両プローブが接
触した場合には、両プローブのたわみ量をΔＺA、ΔＺB
とすれば、ＲA0＝Ｒ0＋αΔＺA、ＲB0＝Ｒ0＋αΔＺBと
なる。プローブ基板面と媒体面が平行な場合には、プロ
ーブＡとＢのたわみ量が等しく、両抵抗値は等しい。そ
こで、ここでＲA0とＲB0をＲA0＝Ｒ0＋αΔＺA＝Ｒ1＋
ΔＺ、ＲB0＝Ｒ0＋αΔＺB＝Ｒ1−ΔＺとすれば、ΔＺ
＝０で平行になる。そこで、このＲA0とＲB0を並列に接
続して（その抵抗をＲPとする）、それぞれのレバー位
置のアクチュエータＡ、Ｂを反対方向に等量ずつ動かし
ながら、ＲPが最大になるように調節する。ここで、Ｒ
-1 P＝（Ｒ1＋ΔＺ）-1＋（Ｒ1−ΔＺ）-1＝２Ｒ1（Ｒ2 1
−ΔＺ2 ）-1であるから、ＲPが最大のときには、ΔＺが
０となっている。すなわち、媒体面とプローブＡＢを結
ぶ線は並行となることがわかる。
【００１１】そこで、本発明においては図３に示すよう
なスイッチの切り換え制御を行なって、３つのプローブ
に付いて媒体基板面とプローブ基板面との並行出し（以
降「面合わせ」と呼ぶ）を簡便に実現させた。図３の
（ａ）は３本のプローブが直列に接続された場合を示し
ており、（ｂ）は並列に接続された場合を示している。
図４に示すような手順に従って面合わせを行なった。始
めに図３の（ａ）の接続にして（ステップ１）アクチュ
エータＡ、Ｂ、Ｃをプローブ基板と媒体基板が接近する
方向に動かす（ステップ２）。これらのアクチュエータ
は本実施例においては積層型の圧電体を用いたが、ステ
ッピングモータの様な比較的ダイナミックレンジの大き
なものを用いてもよい。接触はまずひとつのプローブに
より起こるが、接触してからの抵抗変化は１本のプロー
ブの場合には小さい。やがて２本目、３本目のプローブ
が接触すると抵抗変化は２倍、３倍となる。この抵抗変
化を測定することによって全部のプローブが接触したの
を確認できる。３本のプローブ全部が接触した後、プロ
ーブを並列接続（図３の（ｂ））に切り換える（ステッ
プ３）。アクチュエータＣは静止させたままで、アクチ
ュエータＡ、Ｂを反対に等変位量ずつ動かしながら検出
抵抗値が最大になる点を探す（ステップ４）。次に、つ
なぎ方は同じまま（図３の（ｂ））で、今度はアクチュ
エータＡとＢを同じ方向に、アクチュエータＣをそれと
は反対方向に等変位量ずつ動かしながら検出抵抗値が最
大になる点を探す（ステップ５）。以上の走査を終える
とプローブ基板面は媒体基板面と並行になった。つぎ
に、再びプローブ抵抗ＡＢＣを直列に接続し、全体のア
クチュエータを同方向に等変位量ずつ動かしながら任意
のプローブ御仕込両に調節する（ステップ７）。以上の
方法によって面合わせが高精度で行なわれることを確認
するために、概略として図５に示すような、大きさが２
ｍｍ□のプローブ基板を作成した。図のプローブ基板
（５０１）は面合わせ用プローブ（５０２）を３本持
ち、その他に電流検出用のマイクロプローブ（５０３）
を４００本（２０×２０）を等間隔に作成した。
なスイッチの切り換え制御を行なって、３つのプローブ
に付いて媒体基板面とプローブ基板面との並行出し（以
降「面合わせ」と呼ぶ）を簡便に実現させた。図３の
（ａ）は３本のプローブが直列に接続された場合を示し
ており、（ｂ）は並列に接続された場合を示している。
図４に示すような手順に従って面合わせを行なった。始
めに図３の（ａ）の接続にして（ステップ１）アクチュ
エータＡ、Ｂ、Ｃをプローブ基板と媒体基板が接近する
方向に動かす（ステップ２）。これらのアクチュエータ
は本実施例においては積層型の圧電体を用いたが、ステ
ッピングモータの様な比較的ダイナミックレンジの大き
なものを用いてもよい。接触はまずひとつのプローブに
より起こるが、接触してからの抵抗変化は１本のプロー
ブの場合には小さい。やがて２本目、３本目のプローブ
が接触すると抵抗変化は２倍、３倍となる。この抵抗変
化を測定することによって全部のプローブが接触したの
を確認できる。３本のプローブ全部が接触した後、プロ
ーブを並列接続（図３の（ｂ））に切り換える（ステッ
プ３）。アクチュエータＣは静止させたままで、アクチ
ュエータＡ、Ｂを反対に等変位量ずつ動かしながら検出
抵抗値が最大になる点を探す（ステップ４）。次に、つ
なぎ方は同じまま（図３の（ｂ））で、今度はアクチュ
エータＡとＢを同じ方向に、アクチュエータＣをそれと
は反対方向に等変位量ずつ動かしながら検出抵抗値が最
大になる点を探す（ステップ５）。以上の走査を終える
とプローブ基板面は媒体基板面と並行になった。つぎ
に、再びプローブ抵抗ＡＢＣを直列に接続し、全体のア
クチュエータを同方向に等変位量ずつ動かしながら任意
のプローブ御仕込両に調節する（ステップ７）。以上の
方法によって面合わせが高精度で行なわれることを確認
するために、概略として図５に示すような、大きさが２
ｍｍ□のプローブ基板を作成した。図のプローブ基板
（５０１）は面合わせ用プローブ（５０２）を３本持
ち、その他に電流検出用のマイクロプローブ（５０３）
を４００本（２０×２０）を等間隔に作成した。
【００１２】図６はそれぞれのプローブを横から見たも
のであり、６０１は面合わせ用プローブ、６０２は電流
検出用のプローブ、６０３は記録媒体面である。このマ
イクロプローブは図７に示すように、導電性の探針７０
１に電流取り出し用の配線を施したもので、電位差を持
った媒体と接触することによって、電流を流し、接触を
検出することが可能である。実際の電流検出は時分割で
それぞれのプローブについて切り換えて測定した。７０
２はスイッチであり、現在はＲ端子がマイクロプローブ
の上から３番目につながっていることを示している。Ｒ
端子は電流電圧変換回路７０３につながっており、検出
電流は電圧に変換されて計測される。面合わせ用のプロ
ーブと電流検出用のプローブの大きさの関係は図６の様
になっている。面合わせ用のプローブ６０１は長さ約５
０μｍ、探針の高さ１０μｍ、電流検出用のプローブ６
０２は長さ３０μｍ、探針の高さ７μｍで、両プローブ
とも厚さは２μｍである。面合わせ用プローブの先端が
媒体に接触してから電流検出用のプローブが接触するま
でに３μｍの差がある様に作られている。図６の（ａ）
の矢印の様に、両基板を接近させていくと両プローブは
（ｂ）に示すような接触の仕方をすることになる。
のであり、６０１は面合わせ用プローブ、６０２は電流
検出用のプローブ、６０３は記録媒体面である。このマ
イクロプローブは図７に示すように、導電性の探針７０
１に電流取り出し用の配線を施したもので、電位差を持
った媒体と接触することによって、電流を流し、接触を
検出することが可能である。実際の電流検出は時分割で
それぞれのプローブについて切り換えて測定した。７０
２はスイッチであり、現在はＲ端子がマイクロプローブ
の上から３番目につながっていることを示している。Ｒ
端子は電流電圧変換回路７０３につながっており、検出
電流は電圧に変換されて計測される。面合わせ用のプロ
ーブと電流検出用のプローブの大きさの関係は図６の様
になっている。面合わせ用のプローブ６０１は長さ約５
０μｍ、探針の高さ１０μｍ、電流検出用のプローブ６
０２は長さ３０μｍ、探針の高さ７μｍで、両プローブ
とも厚さは２μｍである。面合わせ用プローブの先端が
媒体に接触してから電流検出用のプローブが接触するま
でに３μｍの差がある様に作られている。図６の（ａ）
の矢印の様に、両基板を接近させていくと両プローブは
（ｂ）に示すような接触の仕方をすることになる。
【００１３】上記のようなプローブ基板を用いて、面合
わせ実験を行なった。媒体基板にはＳｉ基板上に蒸着し
たＡｕ薄膜を用いた。初期の接近動作（粗動）はステッ
ピングモータによって目視によって行ない、微動はそれ
ぞれのアクチュエータ（前述のＡＢＣで積層型圧電素
子）によって行なった。面合わせ完了後に、ゆっくりと
アクチュエータＡＢＣを動かして図４のステップ７の動
作を行ないながら、媒体に０．１Ｖの電圧を印加しなが
ら電流検出プローブで電流検出を行なったところ、５０
０ｎｍ以内のばらつきで全部のプローブに電流が検出さ
れた。この５００ｎｍという値はプローブ基板と媒体基
板の面内の凹凸の和にほぼ等しく、面合わせがその精度
で行なわれていることを示している。
わせ実験を行なった。媒体基板にはＳｉ基板上に蒸着し
たＡｕ薄膜を用いた。初期の接近動作（粗動）はステッ
ピングモータによって目視によって行ない、微動はそれ
ぞれのアクチュエータ（前述のＡＢＣで積層型圧電素
子）によって行なった。面合わせ完了後に、ゆっくりと
アクチュエータＡＢＣを動かして図４のステップ７の動
作を行ないながら、媒体に０．１Ｖの電圧を印加しなが
ら電流検出プローブで電流検出を行なったところ、５０
０ｎｍ以内のばらつきで全部のプローブに電流が検出さ
れた。この５００ｎｍという値はプローブ基板と媒体基
板の面内の凹凸の和にほぼ等しく、面合わせがその精度
で行なわれていることを示している。
【００１４】［実施例２］実施例２は、実施例１で説明
したプローブ基板を用いて行なった記録再生の例であ
る。記録媒体は、特開昭６３−１６１５５２号公報また
は特開昭６３−１６１５５３号公報に記載の共役π電子
系を持つ有機化合物をラングミュア−ブロジェット法に
よって成膜した６単分子層の有機超薄膜（ＬＢ膜）を用
いた。記録は、実施例１に示した様な電流検出プローブ
に時系列で順々にパルス電圧を印加する方法で行なっ
た。回路は図７に示すものを用いて行なった。実施例１
の場合と異なり、Ｒ端子ではなくＷ端子を用いて、各プ
ローブにタイミングを合わせてパルスを印加した。記録
のための印加波形は波高値３Ｖの三角波を用いた。再生
には基板側に２ＶのＤＣバイアスを印加して、プローブ
はＲ端子に接続して電流を測定する方法によって行なっ
た。なお、図示はされていないが、媒体は媒体面と並行
に走査できる機構が設けてあり、ビットの記録は媒体の
走査を行ないながら、媒体上の任意の位置にビットが記
録できるようになっている。
したプローブ基板を用いて行なった記録再生の例であ
る。記録媒体は、特開昭６３−１６１５５２号公報また
は特開昭６３−１６１５５３号公報に記載の共役π電子
系を持つ有機化合物をラングミュア−ブロジェット法に
よって成膜した６単分子層の有機超薄膜（ＬＢ膜）を用
いた。記録は、実施例１に示した様な電流検出プローブ
に時系列で順々にパルス電圧を印加する方法で行なっ
た。回路は図７に示すものを用いて行なった。実施例１
の場合と異なり、Ｒ端子ではなくＷ端子を用いて、各プ
ローブにタイミングを合わせてパルスを印加した。記録
のための印加波形は波高値３Ｖの三角波を用いた。再生
には基板側に２ＶのＤＣバイアスを印加して、プローブ
はＲ端子に接続して電流を測定する方法によって行なっ
た。なお、図示はされていないが、媒体は媒体面と並行
に走査できる機構が設けてあり、ビットの記録は媒体の
走査を行ないながら、媒体上の任意の位置にビットが記
録できるようになっている。
【００１５】媒体を走査しながら、電流値を用いてすべ
てのプローブからのビットをＳＴＭと類似の画像として
観察したところ、ビットの形状及び大きさがどのプロー
ブについても一定しており、再生されない部分等は検出
されなかった。通常、プローブの媒体への押し付け圧が
大きい場合には、プローブ先端の媒体との接触面積が増
大し、ビットもそれに伴って大きくなる傾向がある。ビ
ットの大きさのばらつきや形状のばらつきは、再生時の
エラーレートに影響を与えるために望ましくない。本実
施例において得られた結果は、すべてのプローブが記録
面に接触しており、また特定のプローブ等に過大な圧力
等がかかっていないことを示している。この結果より、
複数プローブを２次元的に配置しても、本発明を用いて
媒体とプローブ面との位置を並行に設定し走査すること
によって、安定な記録再生を行なうことが可能であるこ
とが明らかとされた。
てのプローブからのビットをＳＴＭと類似の画像として
観察したところ、ビットの形状及び大きさがどのプロー
ブについても一定しており、再生されない部分等は検出
されなかった。通常、プローブの媒体への押し付け圧が
大きい場合には、プローブ先端の媒体との接触面積が増
大し、ビットもそれに伴って大きくなる傾向がある。ビ
ットの大きさのばらつきや形状のばらつきは、再生時の
エラーレートに影響を与えるために望ましくない。本実
施例において得られた結果は、すべてのプローブが記録
面に接触しており、また特定のプローブ等に過大な圧力
等がかかっていないことを示している。この結果より、
複数プローブを２次元的に配置しても、本発明を用いて
媒体とプローブ面との位置を並行に設定し走査すること
によって、安定な記録再生を行なうことが可能であるこ
とが明らかとされた。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、上記したようにピエゾ抵抗体
を備えたカンチレバーからなる少なくとも３本の位置検
出プローブによるきわめて簡便な構成により、プローブ
平面と記録媒体表面の２平面を平行に設定することがで
き、安定な記録再生が可能となる。また、変位検出用プ
ローブはピエゾ抵抗を用いているために、従来のＡＦＭ
の様な光を用いた変位検出とは異なり、半導体プロセス
のみによって実現できるため、集積化が可能となる上、
特に、それらの変位検出用プローブのピエゾ抵抗を直列
・並列につなぎ変えて抵抗値を測定し、動作させる構成
により、各々のプローブの抵抗を個別に測定する様な複
雑な手間および回路が不要となり、簡便な構成によって
情報の処理を行うことができる。
を備えたカンチレバーからなる少なくとも３本の位置検
出プローブによるきわめて簡便な構成により、プローブ
平面と記録媒体表面の２平面を平行に設定することがで
き、安定な記録再生が可能となる。また、変位検出用プ
ローブはピエゾ抵抗を用いているために、従来のＡＦＭ
の様な光を用いた変位検出とは異なり、半導体プロセス
のみによって実現できるため、集積化が可能となる上、
特に、それらの変位検出用プローブのピエゾ抵抗を直列
・並列につなぎ変えて抵抗値を測定し、動作させる構成
により、各々のプローブの抵抗を個別に測定する様な複
雑な手間および回路が不要となり、簡便な構成によって
情報の処理を行うことができる。
【図１】本発明の面合わせ機構を示す構成図である。
【図２】本発明の変位検出レバーの構成図である。
【図３】本発明におけるレバー抵抗接続図である。
【図４】本発明の面合わせ手順を示した図である。
【図５】本発明の記録再生用プローブ基板の該略図であ
る。
る。
【図６】本発明の変位検出プローブと電流検出プローブ
の関係を示した図である。
の関係を示した図である。
【図７】記録再生用システムのブロック図である。
１０１：変位検出用プローブ １０２：記録媒体 １０３：プローブ基板 １０４：アクチュエータ １０５：アクチュエータ駆動ユニット １０６：面合わせ制御回路 ２０１：探針 ２０２：金属配線パターン ２０３：片持ち梁 ２０４：ピエゾ抵抗体 ２０５：絶縁体保護層 ５０１：プローブ基板 ５０２：面合わせ用プローブ ５０３：電流検出用のマイクロプローブ ６０１：面合わせ用プローブ ６０２：電流検出用プローブ ６０３：記録媒体面 ７０１：探針 ７０２：スイッチ ７０３：電流電圧変換回路
Claims (4)
- 【請求項１】記録媒体に対して探針を走査し、その物理
的相互作用により情報の書き込みと読み出しを行なう複
数のプローブが平面内に２次元的に配置され、情報の記
録再生の際にプローブ平面と記録媒体表面との２平面を
平行に設定する位置設定手段を備えた情報処理装置であ
って、前記位置設定手段がピエゾ抵抗体を備えたカンチ
レバーからなる少なくとも３本の位置検出プローブを有
し、該３本の位置検出プローブが２次元的に配置された
プローブ平面内において同一直線状にない位置に配され
ていることを特徴とする情報処理装置。 - 【請求項２】前記位置設定手段が、前記ピエゾ抵抗体の
電気抵抗を測定する抵抗測定器を有していることを特徴
とする請求項１に記載の情報処理装置。 - 【請求項３】前記位置設定手段は、前記ピエゾ抵抗体に
おけるピエゾ抵抗全体を並列あるいは直列に切り換える
ことのできる切り換え機構を有していることを特徴とす
る請求項２に記載の情報処理装置。 - 【請求項４】請求項３に記載の情報処理装置を用いて情
報の処理を行う情報処理方法であって、ピエゾ抵抗全体
を並列に接続して測定されたピエゾ抵抗体の電気抵抗の
変化によりプローブ平面と記録媒体表面の傾きを補正す
ると共に、その直列接続への切り替えにより測定された
ピエゾ抵抗体の電気抵抗の変化によってプローブ平面と
媒体基板面の間の距離を調整し、これらの動作を順次行
いプローブ平面と記録媒体表面との位置を制御して情報
の処理を行うことを特徴とする情報処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9137761A JPH10312592A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 情報処理装置および情報処理方法 |
| US09/076,630 US6072764A (en) | 1997-05-13 | 1998-05-12 | Information processing apparatus having face regulating system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9137761A JPH10312592A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 情報処理装置および情報処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10312592A true JPH10312592A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=15206226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9137761A Withdrawn JPH10312592A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 情報処理装置および情報処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6072764A (ja) |
| JP (1) | JPH10312592A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100492762B1 (ko) * | 2002-09-13 | 2005-06-07 | 엘지전자 주식회사 | 나노 정보 저장 장치 |
| KR100519752B1 (ko) * | 2002-05-10 | 2005-10-07 | 삼성전자주식회사 | 시분할 다중 방식을 채용한 고속 고밀도 정보저장 장치 및이를 이용한 정보기록방법 및 정보재생방법 |
| KR100606667B1 (ko) * | 1999-04-29 | 2006-07-31 | 엘지전자 주식회사 | 정보저장장치 |
| US7458254B2 (en) | 2006-03-30 | 2008-12-02 | Fujitsu Limited | Apparatus for evaluating piezoelectric film, and method for evaluating piezoelectric film |
| JP2016520216A (ja) * | 2013-05-23 | 2016-07-11 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 評価システムおよび基板を評価する方法 |
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| JP2002310882A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-23 | Canon Inc | 走査型プローブによる信号検出装置、該装置によるプローブ顕微鏡、及び走査型プローブによる信号検出方法、該方法を用いてサンプル表面を観察する観察方法 |
| JP2004301554A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Canon Inc | 電位測定装置及び画像形成装置 |
| US7373265B2 (en) * | 2003-09-10 | 2008-05-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data storage device and a method of reading data in a data storage device |
| US20050157575A1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-07-21 | International Business Machines Corporation | Storage device and method |
| US20050128927A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-16 | Hewlett-Packard Development Co., L.P. | Electrostatic actuator for contact probe storage device |
| US7436753B2 (en) | 2003-12-17 | 2008-10-14 | Mejia Robert G | Contact probe storage FET sensor |
| US7423954B2 (en) * | 2003-12-17 | 2008-09-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Contact probe storage sensor pod |
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| JP2006112788A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Canon Inc | 表面形状計測装置、表面計測方法、及び露光装置 |
| FR2880980B1 (fr) * | 2005-01-17 | 2007-03-16 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'enregistrement de donnees comportant des micro-pointes dont l'ensemble des extremites libres forme une surface convexe et procede de fabrication |
| US7212488B2 (en) | 2005-03-21 | 2007-05-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and device enabling capacitive probe-based data storage readout |
| KR100745756B1 (ko) * | 2006-01-04 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 액츄에이터 및 이를 채용한 정보저장장치 |
| WO2007113878A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Stmicroelectronics S.R.L. | Process for manufacturing an interaction structure for a storage medium |
| JP5007383B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2012-08-22 | 株式会社東芝 | Ｍｅｍｓメモリ用マイクロプローブ |
| JP5044685B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2012-10-10 | 株式会社東芝 | マイクロプローブ、記録装置、及びマイクロプローブの製造方法 |
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| JP2556491B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 記録装置及び記録法 |
| JPH05196458A (ja) * | 1991-01-04 | 1993-08-06 | Univ Leland Stanford Jr | 原子力顕微鏡用ピエゾ抵抗性片持ばり構造体 |
| JP3000491B2 (ja) * | 1991-04-10 | 2000-01-17 | キヤノン株式会社 | カンチレバーユニット及びこれを用いた情報処理装置、原子間力顕微鏡、磁力顕微鏡 |
| JP2884447B2 (ja) * | 1991-04-22 | 1999-04-19 | キヤノン株式会社 | カンチレバー型プローブ、及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置 |
| JP2930447B2 (ja) * | 1991-05-15 | 1999-08-03 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置 |
| JP2923813B2 (ja) * | 1991-06-11 | 1999-07-26 | キヤノン株式会社 | カンチレバー型変位素子、及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置 |
| US5329122A (en) * | 1991-08-29 | 1994-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Information processing apparatus and scanning tunnel microscope |
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| DE69228103T2 (de) * | 1991-10-15 | 1999-07-15 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Informationsverarbeitungsgerät mit Spurausrichtungsmechanismus |
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-
1997
- 1997-05-13 JP JP9137761A patent/JPH10312592A/ja not_active Withdrawn
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1998
- 1998-05-12 US US09/076,630 patent/US6072764A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6072764A (en) | 2000-06-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061017 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20061205 |